CN110266270A - 振荡电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及振荡电路。提供电路规模小且向振荡频率的温度的影响小的振荡电路。采用了一种振荡电路，其特征在于，具备：恒定电流电路，供给基于第一耗尽型的MOS晶体管的电流；充放电电路，具有：第一电容、第二电容、在对第一电容进行充电的电流路径中设置的第二耗尽型的MOS晶体管、和在对第二电容进行充电的电流路径中设置的第三耗尽型的MOS晶体管，第一~第三耗尽型的MOS晶体管的阈值电压相同且阈值电压的温度特性相同，使用基于恒定电流电路的电流来对第一电容进行充电，当第一电容的充电完成时输出复位信号，使用基于恒定电流电路的电流来对第二电容进行充电，当第二电容的充电完成时输出置位信号；以及RS锁存电路，输出根据复位信号的输入下降且根据置位信号的输入上升的波形。

Description

振荡电路
技术领域
本发明涉及振荡电路。
背景技术
关于以往的振荡电路，已知有专利文献1所示那样的结构。图6示出以往的振荡电路700。
MOS晶体管702和704构成电流镜电路。MOS晶体管706利用控制电压V1对在电流镜电路中流动的电流I1进行控制。将MOS晶体管704的漏极设为节点N6。
电阻708被连接在第一电源VDD与节点N6之间，流动电流I2。电容710被连接在节点N6与第二电源VSS（GND）之间。
差动放大器712被输入节点N6的电压和基准电压VREF，输出连接于脉冲产生器716。脉冲产生器716输出复位信号和振荡输出信号OUT，复位信号输出连接于复位晶体管714的栅极，将振荡输出信号OUT向外部输出。
电容710由将电流I1和电流I2合计起来后的电流I3充电。电流I1具有当温度上升时电流增加的特性。电流I2具有当温度上升时电流减少的特性。当电容710的充电进展而节点N6的电压到达到基准电压VREF时，差动放大器712使输出反转，经由脉冲产生器716使复位晶体管714导通。复位晶体管714当导通时使电容710放电。当节点N6的电压低于基准电压VREF时，差动放大器712使输出再次反转，经由脉冲产生器716使复位晶体管714截止。脉冲产生器716同时输出振荡输出信号OUT而作为振荡电路发挥作用。
电流I3由相对于温度而具有相反的依赖性的电流I1和电流I2的和构成，因此，电流I3能够为不依赖于温度的电流，由此，能够得到振荡频率不依赖于温度的特性的振荡电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-168358号公报。
发明要解决的课题
可是，以往的振荡电路700需要相对于温度而具有相反的特性的2个电流源、比较器、以及不依赖于温度的BGR（Band Gap Reference，带隙基准）电路那样的基准电压VREF而电路规模变大。此外，存在在电阻708的温度特性由于制造偏差而发生变动的情况下振荡频率根据温度发生变动的课题。
发明内容
本发明是为了解决以上那样的课题而完成的，其目的在于提供一种电路规模小且向振荡频率的温度的影响小的振荡电路。
用于解决课题的方案
本发明的振荡电路的特征在于，是一种振荡电路，具备：恒定电流电路，具有第一耗尽型的MOS晶体管，供给基于第一耗尽型的MOS晶体管的电流；充放电电路，具有：第一电容、第二电容、在对第一电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与第一耗尽型的MOS晶体管相同且阈值电压的温度特性与第一耗尽型的MOS晶体管相同的第二耗尽型的MOS晶体管、和在对第二电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与第一耗尽型的MOS晶体管相同且阈值电压的温度特性与第一耗尽型的MOS晶体管相同的第三耗尽型的MOS晶体管，使用基于第一耗尽型的MOS晶体管的恒定电流电路的电流来对第一电容进行充电，当第一电容的充电完成时输出复位信号，使用基于第一耗尽型的MOS晶体管的恒定电流电路的电流来对第二电容进行充电，当第二电容的充电完成时输出置位信号；以及RS锁存电路，输出根据复位信号的输入下降且根据置位信号的输入上升的波形。
发明效果
根据本发明，电路规模比以往的振荡电路小，即使恒定电流电路的电流由于温度上升而增加，充放电电路的MOS晶体管的阈值电压也上升，因此，能够得到向振荡频率的温度的影响小的振荡电路。
附图说明
图1是示出第一实施方式的振荡电路的图。
图2是示出第一实施方式的振荡电路的工作的时间图。
图3是示出第二实施方式的振荡电路的图。
图4是示出第三实施方式的振荡电路的图。
图5是示出第四实施方式的振荡电路的图。
图6是示出以往的振荡电路的图。
具体实施方式
以下，参照附图来对本实施方式进行说明。
<第一实施方式>
图1是示出第一实施方式的振荡电路100的图，由恒定电流电路1、充放电电路2、控制电路3构成。
恒定电流电路1由成为电流源的耗尽（depletion）型的PMOS晶体管30、成为电流镜电路的增强（enhancement）型的PMOS晶体管11、12、同样地成为电流镜电路的增强型的NMOS晶体管21、22构成。在耗尽型的PMOS晶体管30中，源极和栅极连接于第一电源VDD，漏极连接于PMOS晶体管11的源极。在PMOS晶体管11中，栅极连接于PMOS晶体管12的栅极，漏极连接于NMOS晶体管21的漏极和栅极。将PMOS晶体管11的漏极称为节点N1。在PMOS晶体管12中，源极连接于第一电源VDD，漏极和栅极连接于NMOS晶体管22的漏极。NMOS晶体管21的源极连接于第二电源VSS。在NMOS晶体管22中，栅极连接于节点N1，源极连接于第二电源VSS。
充放电电路2在内部具备相同结构的2个充放电电路例如第一充放电电路2A和第二充放电电路2B。第一充放电电路2A由耗尽型的PMOS晶体管31、增强型的PMOS晶体管13、增强型的NMOS晶体管23、27、电容C1构成。
在电容C1中，一端连接于第一电源VDD，另一端连接于耗尽型的PMOS晶体管31的源极和PMOS晶体管13的漏极。即，耗尽型的PMOS晶体管31被设置于对电容C1进行充电的电流路径。在耗尽型的PMOS晶体管31中，栅极连接于第一电源VDD，漏极经由NMOS晶体管27的漏极和节点N2连接于RS锁存电路40的输入NR。在NMOS晶体管27中，栅极经由PMOS晶体管13的栅极和节点N4连接于RS锁存电路40的一个输出Q，源极连接于NMOS晶体管23的漏极。在NMOS晶体管23中，栅极连接于恒定电流电路1的节点N1，源极连接于第二电源VSS。NMOS晶体管23和NMOS晶体管21构成电流镜电路。PMOS晶体管13的源极连接于第一电源VDD。
第二充放电电路2B由耗尽型的PMOS晶体管32、增强型的PMOS晶体管14、增强型的NMOS晶体管24、28、电容C2构成。
在电容C2中，一端连接于第一电源VDD，另一端连接于耗尽型的PMOS晶体管32的源极和PMOS晶体管14的漏极。即，耗尽型的PMOS晶体管32被设置于对电容C2进行充电的电流路径。在耗尽型的PMOS晶体管32中，栅极连接于第一电源VDD，漏极经由NMOS晶体管28的漏极和节点N3连接于RS锁存电路40的输入NS。在NMOS晶体管28中，栅极经由PMOS晶体管14的栅极和节点N5连接于反相器50的输出，源极连接于NMOS晶体管24的漏极。在NMOS晶体管24中，栅极连接于恒定电流电路1的节点N1，源极连接于第二电源VSS。NMOS晶体管24和NMOS晶体管21构成电流镜电路。PMOS晶体管14的源极连接于第一电源VDD。
控制电路3由RS锁存电路40和反相器50构成。
在RS锁存电路40中，一个输入NR如前述那样经由节点N2连接于第一充放电电路2A，另一个输入NS如前述那样经由节点N3连接于第二充放电电路2B，一个输出Q经由反相器50的输入和节点N4连接于PMOS晶体管13的栅极。反相器50的输出经由节点N5连接于PMOS晶体管14的栅极。
接着，对第一实施方式的振荡电路100的工作进行说明。
恒定电流电路1将基于耗尽型的PMOS晶体管30的电流向充放电电路2供给。在恒定电流电路1中，NMOS晶体管21、22构成电流镜电路，NMOS晶体管21、22的W/L的值被设定为相同。在此，W为MOS晶体管的沟道宽度，L为MOS晶体管的沟道长度。PMOS晶体管11、12同样地构成电流镜电路，PMOS晶体管11、12的W/L的值被设定为PMOS晶体管11的W/L比PMOS晶体管12的W/L大，将耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压VDS调整为适当的值。在PMOS晶体管11、12中，使用阈值电压相同且阈值电压的温度特性相同的MOS晶体管，在NMOS晶体管21、22中，也同样地使用阈值电压相同且阈值电压的温度特性相同的MOS晶体管，由此，耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压VDS基本上不依赖于温度而为固定。因此，在恒定电流电路1中，流动的电流I的大小依赖于耗尽型的PMOS晶体管30的W/L的值而流动的电流I的温度特性依赖于耗尽型的PMOS晶体管30的温度特性来决定。耗尽型的PMOS晶体管30为耗尽型的晶体管的一个例子，在源极·漏极间电压VDS为固定之时，为当温度上升时电流I增加的特性。
图2示出第一实施方式的节点N2~N5的时间图。使用图2来说明第一实施方式的振荡电路100的工作。在图2中，横轴表示时间，在纵轴中，节点N2、N3表示各个节点的电压，节点N4、N5表示各个节点的逻辑电平。初始状态为节点N4为低（Low）而节点N5为高（High）的状态。第二充放电电路2B为充电工作状态，电容C2的充电进展，当在后述的工作中节点N3的电压低于RS锁存电路40的负逻辑输入即输入NS的阈值电压Vth（NS）时，与RS锁存电路40的输出Q连结的节点N4、N5的各自的逻辑电平反转。由于节点N5为低，所以，在第二充放电电路2B中，PMOS晶体管14导通，NMOS晶体管28截止，节点N3为VDD电平，第二充放电电路2B成为放电状态（时刻t1）。此时，在PMOS晶体管14的驱动能力充分高的情况下删除NMOS晶体管28来使电路面积变小也可。另一方面，由于节点N4为高，所以，在第一充放电电路2A中，PMOS晶体管13截止，NMOS晶体管27导通，开始向电容C1的充电，第一充放电电路2A成为充电工作状态。由于NMOS晶体管23与NMOS晶体管21构成电流镜电路，所以，向电容C1的充电电流为基于恒定电流电路1并且依赖于恒定电流电路1的耗尽型的PMOS晶体管30的电流。
当第一充放电电路2A为充电工作状态并且在电容C1的充电路径中设置的耗尽型的PMOS晶体管31的栅极·源极间电压比耗尽型的PMOS晶体管31的阈值电压的绝对值大时，耗尽型的PMOS晶体管31为截止（时刻t2）。
在第一充放电电路2A中，当耗尽型的PMOS晶体管31为截止时，节点N2的电压急剧地向VSS侧发生变化。当在第一充放电电路2A中节点N2的电压低于控制电路3的RS锁存电路40的负逻辑输入即输入NR的阈值电压Vth（NR）时，节点N2的电压被作为复位（reset）信号输入到RS锁存电路40的输入NR，与RS锁存电路40的输出Q连结的节点N4、N5的各自的逻辑电平反转。由于节点N4为低，所以，在第一充放电电路2A中，PMOS晶体管13导通，NMOS晶体管27截止而节点N2为VDD电平，第一充放电电路2A成为放电状态。（时刻t3）。
由于节点N5为高，所以，在第二充放电电路2B中，PMOS晶体管14截止，NMOS晶体管28导通，开始向电容C2的充电，第二充放电电路2B成为充电工作状态。
在此（在时刻t3），与初始状态相同的第一充放电电路2A为放电状态，第二充放电电路2B为充电工作状态。在控制电路3中，在时刻t5处节点N3的电压被作为置位（set）信号输入到RS锁存电路40的负逻辑输入即输入NS，与RS锁存电路40的输出Q连接的节点N4的逻辑电平变化为高，与反相器50的输出连接的节点N5的逻辑电平变化为低。以后也重复同样的工作，本实施方式的振荡电路100进行振荡工作。再有，t2至t3间的时间为了说明而强调示出为长的时间，但是，实际上为与t1至t2间的时间相比较充分短的时间。t4至t5间的时间也同样。
恒定电流电路1的电流I基于耗尽型的PMOS晶体管30的电特性而具有当温度上升时电流I增加的特性。耗尽型的PMOS晶体管31、32为耗尽型的PMOS晶体管，具有当温度上升时耗尽型的PMOS晶体管31、32的阈值电压增加的特性。关于从向电容C1、C2的充电开始起到耗尽型的PMOS晶体管31、32截止的时间，耗尽型的PMOS晶体管30与耗尽型的PMOS晶体管31、32的阈值电压相同，阈值电压的温度特性相同，因此，虽然在温度上升的情况下基于耗尽型的PMOS晶体管30的电特性的、向电容C1、C2的充电电流增加，但是耗尽型的PMOS晶体管31、32的阈值电压也上升，因此，前述时间不依赖于温度而为固定。像这样，根据本实施方式的振荡电路100，得到与以往相比电路规模小并且振荡频率不依赖于温度的振荡电路100。
以下，将本实施方式的振荡电路100的工作的细节划分为使耗尽型的PMOS晶体管30在饱和区域中工作的情况和在非饱和区域中工作的情况，使用数式来进行说明。
在第一充放电电路2A中，开始电容C1的充电到耗尽型的PMOS晶体管31截止的时间T由以下的式子表示。
【数式1】
。
C为电容C1的电容值，VTPD为耗尽型的PMOS晶体管31的阈值电压，I’为基于耗尽型的PMOS晶体管30的、向电容C1的充电电流。在第二充放电电路2B中，时间T也由相同的式子表示。在此，如之前叙述那样，耗尽型的PMOS晶体管31与耗尽型的PMOS晶体管30、32的阈值电压VTPD相等。
使用耗尽型的PMOS晶体管30的阈值电压VTPD并且通过以下的式子表示耗尽型的PMOS晶体管30在饱和区域中工作的情况下的向电容C1的充电电流。
【数式2】
。
根据式1和式2，时间T由以下的式子表示。
【数式3】
。
如式1所示那样，时间T与耗尽型的PMOS晶体管31的阈值电压VTPD成比例。如式2所示那样，充电电流与耗尽型的PMOS晶体管30的阈值电压VTPD的2次式成比例。如式3所示那样，时间T能够由单纯的式子表示，在所述单纯的式子中，来到分母的耗尽型的PMOS晶体管30的阈值电压VTPD和来到分子的耗尽型的PMOS晶体管31的阈值电压VTPD被消去而阈值电压VTPD处于分母。
电容C不依赖于温度而为固定。耗尽型的PMOS晶体管30、31的阈值电压VTPD根据温度发生变化，但是，温度相对于时间T的影响与耗尽型的PMOS晶体管30、31的阈值电压VTPD消除而变小。可是，温度相对于时间T的影响还依赖于式（3）的分母所示的耗尽型的PMOS晶体管30、31的阈值电压VTPD的温度变化。
当适当地调整构成电流镜电路的PMOS晶体管11、12的W/L的值时，耗尽型的PMOS晶体管30能够进行非饱和区域中的工作。耗尽型的PMOS晶体管30在非饱和区域中工作的情况下的电流I‘由以下的式子表示。
【数式4】
。
VDS为耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压。在非饱和区域中进行工作时的耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压VDS的值充分小，因此，关于耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压VDS的、2次式的项能够省略，式4能够如式5那样变形。
【数式5】
。
根据式1和式5，时间T由以下的式子表示。
【数式6】
。
耗尽型的PMOS晶体管30的源极·漏极间电压VDS不依赖于温度而为固定，因此，时间T为不依赖于温度的值。在第二充放电电路中，开始电容C2的充电到耗尽型的PMOS晶体管32截止的时间也由相同的式子表示。像这样，使耗尽型的PMOS晶体管30在非饱和区域中工作，由此，能够得到振荡频率不依赖于温度的振荡电路100。
<第二实施方式>
图3是示出第二实施方式的振荡电路的充放电电路2、控制电路3和波形整形电路4的图。在第二实施方式中，在第一实施方式的振荡电路100中具备波形整形电路4的方面不同，其他与第一实施方式同样。省略与第一实施方式同样的部分的说明。
波形整形电路4由增强型的PMOS晶体管15、16、增强型的NMOS晶体管25、26、反相器51、52构成。
在PMOS晶体管15中，源极连接于第一电源VDD，栅极连接于节点N2，漏极连接于NMOS晶体管25和反相器51的输入。在NMOS晶体管25中，栅极连接于恒定电流电路的节点N1，源极连接于第二电源VSS。NMOS晶体管25与NMOS晶体管21（图1）构成电流镜电路。反相器51的输出连接于控制电路3的RS锁存电路40的一个输入NR。在PMOS晶体管16中，源极连接于第一电源VDD，栅极连接于节点N3，漏极连接于NMOS晶体管26和反相器52的输入。在NMOS晶体管26中，栅极连接于恒定电流电路的节点N1，源极连接于第二电源VSS。NMOS晶体管26与NMOS晶体管21（图1）构成电流镜电路。反相器52的输出连接于控制电路3的RS锁存电路40的另一个输入NS。
波形整形电路4以作为充放电电路2的输出的复位信号和置位信号更急峻地发生变化的方式进行工作。关于波形整形电路的工作原理，省略说明。
本实施方式的振荡电路与第一实施方式的振荡电路100相比较，在充放电电路2与控制电路3之间设置有波形整形电路4，由此，输入到控制电路3的RS锁存电路40的波形变得更急峻。本实施方式的振荡电路能够减少信号变化时的贯通电流，能够减少功耗。波形整形电路不根据图3所示的结构而为其他的方式也可。
<第三实施方式>
图4是示出第三实施方式的振荡电路的充放电电路2、控制电路3和电压提升（voltageboost）电路5的图。在第三实施方式中，在第一实施方式的振荡电路100中具备电压提升电路5的方面不同，其他与第一实施方式同样。省略与第一实施方式同样的部分的说明。
电压提升电路5由增强型的PMOS晶体管17、18构成。
在PMOS晶体管17中，源极连接于第一电源VDD，栅极连接于节点N4，漏极连接于节点N2。在PMOS晶体管18中，源极连接于第一电源VDD，栅极连接于节点N5，漏极连接于节点N3。
对本实施方式的工作进行说明。在说明了第一实施方式的工作的、图2的时刻t1~t3处，充放电电路2B（图1）的节点N3的电压显示为VDD电平，但是，严密地，根据耗尽型的PMOS晶体管32而为电压下降若干后的电压。由耗尽型的PMOS晶体管32造成的电压下降量依赖于温度，由此，时刻t3的充电开始时的节点N3的电压依赖于温度。在本实施方式的振荡电路中，与PMOS晶体管14导通同时，PMOS晶体管18导通，使节点N3的电压直接向VDD电平上升，由此，能够得到振荡频率不依赖于温度的振荡电路。耗尽型的PMOS晶体管31和节点N2的工作也与耗尽型的PMOS晶体管32和节点N3的工作同样，因此，省略说明。
<第四实施方式>
图5是示出第四实施方式的振荡电路的恒定电流电路1a的图。第四实施方式的恒定电流电路1a是在第一实施方式的恒定电流电路1中具备共源共栅（cascode）电路6的电路。在本实施方式的振荡电路中，具体地，在PMOS晶体管11与NMOS晶体管21之间以及在PMOS晶体管12与NMOS晶体管22之间设置共源共栅电路6，做成共源共栅电流镜电路结构的恒定电流电路1a。共源共栅电路6具备增强型的PMOS晶体管601~605、增强型的NMOS晶体管611~614。
在PMOS晶体管605中，源极连接于第一电源VDD，栅极连接于PMOS晶体管11、12的栅极、PMOS晶体管604的漏极和NMOS晶体管614的漏极，漏极连接于PMOS晶体管601的源极。在PMOS晶体管601中，栅极连接于PMOS晶体管602~604、PMOS晶体管602的漏极和NMOS晶体管612的漏极，漏极连接于NMOS晶体管611的漏极和栅极。PMOS晶体管602的源极连接于第一电源VDD。在PMOS晶体管603中，源极连接于PMOS晶体管11的漏极，漏极连接于NMOS晶体管613的漏极和NMOS晶体管21、22的栅极。在PMOS晶体管604中，源极连接于PMOS晶体管12的漏极。在NMOS晶体管611中，源极连接于第二电源VSS，栅极分别连接于NMOS晶体管612~614的栅极。NMOS晶体管612的源极连接于第二电源VSS。NMOS晶体管613的源极连接于NMOS晶体管21的漏极。NMOS晶体管614的源极连接于NMOS晶体管22的漏极。共源共栅电路6的结构为通常的结构，因此，省略工作的说明。
第一实施方式的恒定电流电路1当第一电源VDD发生变动时受到电压变动的影响而恒定电流输出的电流值变化若干。恒定电流电路1a具备共源共栅电路6，由此，能够改善由第一电源VDD的变动造成的振荡频率的变化。
关于第一~第四实施方式，能够适当组合进行实施。第一~四实施方式的振荡电路的结构为一个例子，能够在不偏离权利要求书的范围内进行变形。
本申请发明的振荡电路的结构的变形的一个例子未图示，但是，存在在不使用电路功能的情况下为了削减消耗电流而适当追加使能开关或者为了使恒定电流电路1稳定地工作而追加启动电路等。此外，在另外的变形的一个例子中，存在以下情况等：能够选定在恒定电流电路1的电流I的值由于制造偏差而发生变动的情况下设置耗尽型的PMOS晶体管30、将与耗尽型的PMOS晶体管30相同的耗尽型且W/L的值相同的多个耗尽型的PMOS晶体管组即第一组或与耗尽型的PMOS晶体管30相同的耗尽型且W/L的值不同的多个耗尽型的PMOS晶体管组即第二组的一个或双方与耗尽型的PMOS晶体管30并联连接、将耗尽型的PMOS晶体管30的变动抵消那样的组合等。此外，在该变形中，能够选定代替耗尽型的PMOS晶体管30而将第一组和第二组的一个或双方连接、将耗尽型的PMOS晶体管30的变动抵消那样的组合也可。同样地，存在以下情况等：能够选定在电容C1、C2的电容值由于制造偏差而发生变动的情况下设置、与C1、C2并联地排列电容值不同的电容、将C1、C2的电容值的变动抵消那样的组合。
附图标记的说明
1、1a 恒定电流电路
2 充放电电路
3 控制电路
4 波形整形电路
5 电压提升电路
6 共源共栅电路
30~32 耗尽型的PMOS晶体管
40 RS锁存电路
C1、C2 电容。

Claims (8)

1.一种振荡电路，其特征在于，具备：
恒定电流电路，具有第一耗尽型的MOS晶体管，供给基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流；
充放电电路，具有：第一电容、第二电容、在对所述第一电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同且所述阈值电压的温度特性与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同的第二耗尽型的MOS晶体管、和在对所述第二电容进行充电的电流路径中设置且阈值电压与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同且所述阈值电压的温度特性与所述第一耗尽型的MOS晶体管相同的第三耗尽型的MOS晶体管，使用基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流来对所述第一电容进行充电，当所述第一电容的充电完成时输出复位信号，使用基于所述第一耗尽型的MOS晶体管的电流来对所述第二电容进行充电，当所述第二电容的充电完成时输出置位信号；以及
RS锁存电路，输出根据所述复位信号的输入下降且根据所述置位信号的输入上升的波形。
2.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，在所述充放电电路的所述复位信号的输出与所述RS锁存电路的所述复位信号的输入之间设置第一波形整形电路，在所述充放电电路的所述置位信号的输出与所述RS锁存电路的所述置位信号的输入之间设置第二波形整形电路。
3.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述充放电电路还具备电压提升电路。
4.根据权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，所述充放电电路还具备电压提升电路。
5.根据权利要求1所述的振荡电路，其特征在于，所述恒定电流电路还具备电压提升电路。
6.根据权利要求2所述的振荡电路，其特征在于，所述恒定电流电路还具备电压提升电路。
7.根据权利要求3所述的振荡电路，其特征在于，所述恒定电流电路还具备电压提升电路。
8.根据权利要求4所述的振荡电路，其特征在于，所述恒定电流电路还具备电压提升电路。
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