CN110265469A - 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法 - Google Patents

显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种显示装置及其显示基板，显示基板的制作方法，在透明显示区，相邻第一子像素之间的第一像素定义层内具有开口，开口外具有隔断层，隔断层包括第一区段与第二区段，第一区段位于第一像素定义层上，第二区段悬空于开口，借此隔断相邻第一子像素的第二电极。悬空的隔断层对导电材料的隔断效果佳，相邻第一子像素的第二电极不会电导通；此外，省略了现有技术中用于隔断第二电极的隔离柱，简化了透明显示区的膜层结构，能降低经透明显示区成像时的衍射问题。

Description

显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法。
背景技术
随着显示装置的快速发展，用户对屏幕占比的要求越来越高，由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件，因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件，例如苹果手机iphoneX的前刘海区域，影响了屏幕的整体一致性，全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法。
为实现上述目的，本发明的第一方面提供一种显示基板，包括透明显示区，所述透明显示区包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区；
位于所述第一像素区的第一子像素；所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极；以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层与隔断层，所述第一像素定义层具有开口；所述隔断层包括第一区段与第二区段，所述第一区段位于所述第一像素定义层上，所述第二区段悬空于所述开口，用于隔断所述相邻第一像素区的第二电极。
可选地，所述开口在上下方向上贯穿或部分贯穿所述第一像素定义层；
优选地，所述第二区段的长度范围为：1μm～2μm；
优选地，所述第二区段的厚度范围为：50nm～100nm；
优选地，所述开口的深度大于所述第二电极的厚度；
优选地，所述开口的深度大于400nm；
优选地，所述第一像素定义层的材料为无机透明材料；
优选地，所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。
可选地，所述第一子像素为被动驱动方式发光；位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接，位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接，所述隔断层与所述开口都沿行方向延伸；或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接，位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接，所述隔断层与所述开口都沿列方向延伸；
优选地，位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线，所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接；
优选地，所述连接线上具有绝缘层，且所述绝缘层暴露在所述开口内；
优选地，所述连接线为直线、折线或曲线；
优选地，位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条；
优选地，位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层，且所述绝缘层暴露在所述开口内。
可选地，所述第一电极延伸至第一非像素区；所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内，或恰好暴露在所述开口内。
可选地，所述显示基板还包括非透明显示区；所述非透明显示区包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区；
位于所述第二像素区的第二子像素；所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极；以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层；
优选地，所述第二子像素为主动驱动方式发光，所述第三电极为块状结构；
进一步优选地，所述第四电极为面电极；
优选地，所述透明显示区具有隔断带，所述第一像素定义层具有开口带；所述隔断带包括第一段带与第二段带，所述第一段带位于所述第一像素定义层上，所述第二段带悬空于所述开口带，用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极；
优选地，所述开口带包括连接在一起的若干开口；
优选地，所述非透明显示区完全围绕所述透明显示区，所述隔断带与所述开口带都为闭合环；或所述非透明显示区部分围绕所述透明显示区，所述隔断带与所述开口带都为非闭合环；
优选地，所述隔断带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述隔断层的纵剖面的尺寸相同；所述开口带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述开口的纵剖面的尺寸相同。
本发明的第二方面提供一种显示装置，包括：
设备本体，具有器件区；
以及显示面板，覆盖在所述设备本体上；所述显示面板包括上述任一项所述的显示基板，
其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
可选地，所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。
本发明的第三方面提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区；
位于所述第一像素区的第一电极；以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层；
在所述第一像素定义层上形成隔断层，所述隔断层具有刻蚀开口；
在所述隔断层以及未被所述隔断层覆盖的第一电极与第一像素定义层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露所刻蚀开口；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一像素定义层形成开口，使所述隔断层的部分区段悬空；去除剩余的所述图形化的掩膜层；
在所述暴露的第一电极上形成第一发光结构层；
蒸镀导电材料层，所述导电材料层由所述隔断层隔断形成若干第二电极。
可选地，刻蚀所述第一像素定义层形成开口，使所述隔断层的部分区段悬空，同时还去除所述第一像素区的第一像素定义层，以暴露所述第一电极；
和/或以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一像素定义层形成开口包括：先进行各向异性的干法刻蚀，后进行各向同性的干法刻蚀或湿法腐蚀。
可选地，所述隔断层采用图形化隔断材料层形成，隔断材料层的材料为氧化铟锡、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌、金属钼、金属钼铝钼叠层中的至少一种；
优选地，采用湿法刻蚀进行所述图形化；
优选地，所述隔断材料层的材料为氧化铟锡、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌中的至少一种，所述湿法刻蚀溶液包括草酸；
或所述隔断材料层的材料为金属钼、金属钼铝钼叠层中的至少一种，所述湿法刻蚀溶液包括硝酸、醋酸、磷酸的混合液。
可选地，所述半导体结构的制作步骤中，在所述第一像素区形成第一电极同时，还在所述第一非像素区的部分区域形成连接线，所述连接线用于将位于一列或一行的各个第一电极电连接；
优选地，在所述第一非像素区形成第一像素定义层前，在所述第一非像素区形成绝缘层，所述绝缘层位于所述连接线的上方。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1)在透明显示区，相邻第一子像素之间的第一像素定义层内具有开口，开口外具有隔断层，隔断层包括第一区段与第二区段，第一区段位于第一像素定义层上，第二区段悬空于开口，借此隔断相邻第一子像素的第二电极。悬空的隔断层对导电材料的隔断效果佳，相邻第一子像素的第二电极不会电导通；此外，省略了现有技术中用于隔断第二电极的隔离柱，简化了透明显示区的膜层结构，能降低经透明显示区成像时的衍射问题。
2)可选方案中，开口在上下方向上a)贯穿或b)部分贯穿第一像素定义层。a)本方案相对于b)方案的好处在于：开口较深，有利于隔断蒸镀的导电材料层。b)本方案相对于a)方案的好处在于：未贯穿的第一像素定义层可起到绝缘作用，防止落入开口的导电材料层与第一电极等结构电导通。
可选方案中，开口的深度大于第二电极的厚度。蒸镀导电材料层时，该导电材料层经开口落入透光基底上表面，开口的深度大于第二电极的厚度，可进一步防止透光基底上表面的导电材料层与隔断层侧壁的导电材料层粘连，从而确保断开相邻第一子像素的第二电极。
3)可选方案中，第一子像素为被动驱动方式发光：a)位于一列的各个第一子像素的第一电极电连接，位于一行的各个第一子像素的第二电极电连接，隔断层与开口都沿行方向延伸；或b)位于一行的各个第一子像素的第一电极电连接，位于一列的各个第一子像素的第二电极电连接，隔断层与开口都沿列方向延伸。a)方案中的隔断层与开口都沿行方向延伸，在蒸镀导电材料层时，导电材料层被自动隔断，形成若干行第二电极。b)方案中的隔断层与开口都沿列方向延伸，在蒸镀导电材料层时，导电材料层被自动隔断，形成若干列第二电极。一行若干列或一列若干行的第二电极相对于多行多列的第二电极，能简化透明显示区的膜层结构，降低透明显示区的衍射现象，提高成像效果。
4)可选方案中，第一电极延伸至第一非像素区；第一非像素区内的第一电极a)包埋在第一像素定义层内，或b)恰好暴露在开口内。a)方案相对于b)方案，可确保落在开口内的导电材料层不与第一电极连接。
5)可选方案中，显示基板还包括非透明显示区。
可选方案中，所述非透明显示区包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区；
位于所述第二像素区的第二子像素；所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极；以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层。
每一第二子像素的第三电极与第四电极之间施加驱动电压时，非透明显示区执行显示功能。
6)可选方案中，所述透明显示区具有隔断带，所述第一像素定义层具有开口带；所述隔断带包括第一段带与第二段带，所述第一段带位于所述第一像素定义层上，所述第二段带悬空于所述开口带，用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极。本方案能自动隔断第二电极与第四电极，简化第二电极与第四电极各自所用的蒸镀掩模板的开口图案。
附图说明
图1是本发明一实施例中的显示基板的俯视图，其中，去除了落在透光基底上的导电材料层，且第一像素定义层显示了透视效果；
图2是沿着图1中的AA直线的剖视图；
图3是图1中的显示基板去除第二电极后的结构示意图；
图4是图1中的显示基板的第一电极分布图；
图5是本发明一实施例的显示基板的制作方法的流程图；
图6至图11是图5中的流程对应的中间结构示意图；
图12是本发明另一实施例中的显示基板的截面结构示意图；
图13是本发明又一实施例中的显示基板的俯视图；
图14(a)是沿着图13中的DD直线的剖视图；
图14(b)是图14(a)的第一子像素的一种变形结构的示意图；
图15是图13中的显示基板的第一电极分布图；
图16是本发明再一实施例中的显示基板的俯视图；
图17是图16中非透明显示区的截面结构示意图。
为方便理解本发明，以下列出本发明中出现的所有附图标记：
显示基板1、2、3、4 透明显示区1a
透光基底10 第一像素区10a
第一非像素区10b 第一子像素11
第一电极11a 第二电极11b
第一发光结构层11c 第一像素定义层11d
隔断层12 开口110
第一区段12a 第二区段12b
绝缘层13 半导体结构1p
图形化的掩膜层01 连接线11e
第二像素区10c 第二非像素区10d
非透明显示区1b 第二子像素14
第三电极14a 第四电极14b
第二发光结构层14c 第二像素定义层14d
开口带111 隔断带121
刻蚀开口120
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明一实施例中的显示基板的俯视图，其中，去除了落在透光基底上的导电材料层，且第一像素定义层显示了透视效果；图2是沿着图1中的AA直线的剖视图。图3是图1中的显示基板去除第二电极后的结构示意图。图4是图1中的显示基板的第一电极分布图。
参照图1至图4所示，该显示基板1，包括透明显示区1a，透明显示区1a包括：
透光基底10，透光基底10包括交替分布的第一像素区10a与第一非像素区10b；
位于第一像素区10a的第一子像素11；第一子像素11自下而上包括第一电极11a、第一发光结构层11c与第二电极11b；以及
位于第一非像素区10b的第一像素定义层11d与隔断层12，第一像素定义层11d具有开口110；隔断层12包括第一区段12a与第二区段12b，第一区段12a位于第一像素定义层11d上，第二区段12b悬空于开口110，用于隔断相邻第一像素区10a的第二电极11b。
透光基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。
第一电极11a可以为阳极与阴极中的一个，第二电极11b为另一个。第一电极11a的材料为透光材料。第二电极11b的材料为部分透光、部分反光的材料。第一发光结构层11c可以为OLED(Organic Light Emitting Diode)层。参照图3所示，第一发光结构层11c可以为红、绿、蓝三基色交替分布，其它可选方案中，第一发光结构层11c还可以为红、绿、蓝、黄四基色交替分布，或为某种单色。
每一第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b之间施加驱动电压时，透明显示区1a执行显示功能；每一第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b之间未施加驱动电压时，透明显示区1a执行透光功能。
第一子像素11可以为主动驱动方式(AM)发光或被动驱动方式(PM)发光。当为主动驱动方式发光时，第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b可以均为电极块，或其中一个为电极块，另一个为整面的面电极。当为被动驱动方式发光时，第一电极11a与第二电极11b可以均为电极条，分别对应行方向延伸与列方向延伸，行列交叉点为一个第一子像素11。
图1至图4所示实施例的显示基板1为被动驱动方式发光。图1与图4中，位于一列的各个第一子像素11的第一电极11a可以连接在一起，位于一行的各个第一子像素11的第二电极11b可以连接在一起。具体地，位于一列的各个第一电极11a连接成电极条，位于一行的各个第二电极11d也连接成电极条。第一像素区10a与第一非像素区10b均沿行方向延伸，沿列方向交替分布。当然也可以通过其他方式电连接。
参照图1至图3所示，第一非像素区10b中的隔断层12与开口110都沿行方向延伸。
其它可选方案中，也可以位于一行的各个第一子像素11的第一电极11a连接在一起，位于一列的各个第一子像素11的第二电极11b连接在一起。此时，隔断层12与开口110都沿列方向延伸。第一像素区10a与第一非像素区10b均沿列方向延伸，沿行方向交替分布。
图2中，开口110在上下方向上贯穿第一像素定义层11d。可以理解的是，开口110越深，对蒸镀的导电材料层隔断效果越佳。
图2中，开口110的底部最低处为绝缘层13的上表面，因而开口110的深度H(开口110的上边缘与开口底部最低处之间的高度差)可以大于第一电极11a与第二电极11b的厚度之和，该范围可以大于400nm。其它实施例中，开口110的底部最低处为透光基底10的上表面时，开口110的深度H优选大于第一电极11a与第二电极11b的厚度之和。本方案可进一步防止落在透光基底10上表面的导电材料层与隔断层12侧壁的导电材料层粘连，从而确保断开相邻第一子像素11的第二电极11b。
其它可选方案中，对于主动驱动方式发光的显示基板，由于第一非像素区10b无第一电极11a或透光基底10上的第一电极11a为整面的面电极，因而，开口110的深度可以大于第二电极11b的厚度即可。
图2中，为防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a连接成的电极条，第一非像素区10b的电极条上设置有绝缘层13。绝缘层13的材料可以为二氧化硅、氮化硅中的至少一种。
研究表明，图2中，第二区段12b的长度L的范围为：1μm～2μm时，对于大部分种类的导电材料，可确保落在透光基底10上的导电材料层与开口110外的导电材料层不连接。第二区段12b的厚度范围优选为：50nm～100nm，一方面保证隔断层12的支撑力，另一方面隔断层12侧壁黏附的导电材料层较少。
像素定义层11d的材料可以为无机透明材料，也可以为有机透明材料。无机透明材料或有机透明材料不影响透明显示区1a的透光率。无机透明材料可以为二氧化硅或氮化硅，有机透明材料可以为聚酰亚胺。
图1中，透明显示区1a为矩形，其它可选方案中，还可以为水滴状、圆形、椭圆形或刘海状等。
针对上述显示基板1，本发明一实施例还提供了该显示基板1的制作方法。
图5是制作方法的流程图；图6至图11是图5中的流程对应的中间结构示意图。
首先，参照图5中步骤S1图6以及图7所示，提供半导体结构1p，半导体结构1p包括：
透光基底10，透光基底10包括交替分布的第一像素区10a与第一非像素区10b；
位于第一像素区10a的第一电极11a；以及
位于第一非像素区10b的第一像素定义层11d。
图7是沿着图6中的BB直线的剖视图。
参照图7所示，透光基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。
第一像素区10a用于形成第一子像素，第一非像素区10b用于形成限定第一子像素的膜层。
本实施例中，制作的显示基板1为被动驱动方式发光，因而，图6所示的第一像素区10a与第一非像素区10b均沿行方向延伸，沿列方向交替分布；位于一列的第一电极11a可以连接在一起形成电极条；第一像素定义层11b沿行方向延伸，且覆盖第一非像素区10b的电极条。其它实施例中，也可以第一像素区10a与第一非像素区10b均沿列方向延伸，沿行方向交替分布；位于一列的第一电极11a可以连接在一起形成电极条；第一像素定义层11b沿行方向延伸，且覆盖第一非像素区10b的电极条；或显示基板1为主动驱动方式发光，第一像素区10a与第一非像素区10b为块状区域，在行方向与列方向都交替分布；第一电极11a可以为电极块或整面的面电极。
形成第一像素定义层11b前，还至少在第一非像素区10b的电极条上形成绝缘层13。绝缘层13的材料可以为二氧化硅、氮化硅中的至少一种。绝缘层13可以通过整面沉积牺牲材料层，后经干法刻蚀或湿法刻蚀进行图形化。为简化图形化时的掩模版结构，可以保留每一行第一非像素区10b的绝缘层13。
对于主动驱动方式发光的显示基板，可以省略绝缘层13的制作。
第一电极11a的材料可以为氧化铟锡(ITO)等透光导电材料。第一电极11a可以通过整面沉积透光导电材料层，后经干法刻蚀或湿法刻蚀进行图形化。
第一像素定义层11b可以为无机或有机材料，例如为二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺等。
接着，参照图5中步骤S2以及图8、图9所示，在第一像素定义层11d上形成隔断层12，隔断层12具有刻蚀开口120。其中，图9是沿着图8中的CC直线的剖视图。
具体地，本步骤S2可以包括：在第一电极11b以及第一像素定义层11d上形成隔断材料层，图形化隔断材料层形成隔断层12，隔断层12暴露第一电极11b以及第一非像素区10b的部分区域的第一像素定义层11d。
隔断材料层的图形化可以通过先进行光刻工艺后进行干法刻蚀或湿法刻蚀实现。
隔断材料层的材料可以为氧化铟锡(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌氧化物(IZO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、金属钼、金属钼铝钼叠层中的至少一种，优选采用湿法刻蚀进行图形化。
当隔断材料层的材料为ITO、IGZO、IZO、AZO中的至少一种时，湿法刻蚀溶液为草酸。需要说明的是，虽然第一电极11a的材料也为ITO，但第一电极11a的ITO经高温退火处理。草酸仅可以腐蚀未经高温退火处理的ITO，即未结晶的ITO，无法腐蚀经高温退火处理的ITO，即结晶的ITO，因而，腐蚀隔断材料层时，不影响第一电极11a的性能。
当隔断材料层的材料为金属钼或金属钼铝钼叠层时，采用硝酸、醋酸、磷酸的混合液进行湿法刻蚀。
如图8与图9所示，除了去除刻蚀开口120(用于制作图10所示的开口110)区域的隔断材料层，为提高透明显示区1a的透光率，还可以去除第一非像素区10b其它区域的隔断材料层，保留刻蚀开口120邻接区域的隔断材料层即可。
本实施例中，隔断层12沿行方向延伸。其它实施例中，隔断层12也可以沿列方向延伸。显示基板1为主动驱动方式发光时，隔断层12可以为块状区域。
此外，本实施例中，参照图8所示，隔断层12为沿行方向延伸的两条，其它实施例中，也可以为一条或三条及其以上。
再接着，参照图5中步骤S3以及图10所示，在隔断层12以及未被隔断层12覆盖的第一电极11b与第一像素定义层11d上形成图形化的掩膜层01，图形化的掩膜层01暴露刻蚀开口120；以图形化的掩膜层01为掩膜，刻蚀第一像素定义层11d形成开口110，使隔断层12的部分区段悬空；参照图11所示，去除剩余的图形化的掩膜层01。
形成图形化的掩膜层01可以包括：首先在隔断层12以及未被隔断层12覆盖的第一电极11b与第一像素定义层11d上形成掩膜材料层，掩膜材料层的材料可以为光刻胶；之后对光刻胶曝光、显影。
a)可选方案中，本步骤S3中，以图形化的掩膜层01为掩膜，刻蚀第一像素定义层11d形成开口110包括：先进行各向异性的干法刻蚀形成初始开口，初始开口可以贯穿第一像素定义层11d，也可以部分贯穿第一像素定义层11d；后进行各向同性的干法刻蚀对初始开口横向扩孔，形成使隔断层12的部分区段悬空的开口110。横向为平行透光基底10所在平面方向。
各向异性可以通过在等离子体产生源与承载基台之间加偏置电压实现，各向同性可以通过去除上述偏置电压实现。
第一像素定义层11d为无机材质，例如为二氧化硅或氮化硅时，干法刻蚀气体可以为CF4、C3F8等含氟气体。第一像素定义层11d为有机材质，例如为聚酰亚胺时，干法刻蚀气体可以为CF4、C3F8等含氟气体混合氧气。
b)可选方案中，本步骤S3中，以图形化的掩膜层01为掩膜，刻蚀第一像素定义层11d形成开口110包括：先进行各向异性的干法刻蚀形成初始开口，初始开口可以贯穿第一像素定义层11d，也可以部分贯穿第一像素定义层11d；后进行湿法腐蚀对初始开口横向扩孔，形成开口110，使隔断层12的部分区段悬空。
第一像素定义层11d为无机材质，例如为二氧化硅时，湿法腐蚀溶液为HF酸，或为氮化硅时，湿法腐蚀溶液为热磷酸。
c)可选方案中，本步骤S3中，以图形化的掩膜层01为掩膜，刻蚀第一像素定义层11d形成开口110包括：交替进行各向异性与各向同性的干法刻蚀多次形成开口110。各向同性的干法刻蚀可对已形成的开口横向扩孔，从而可使隔断层12的部分区段悬空。
其它可选方案中，也可以通过刻蚀气体、工艺条件等选择，实现可使隔断层12的部分区段悬空的开口110的制作。
图形化的掩膜层01可以为光刻胶，采用灰化法去除。
隔断层12中，位于第一像素定义层11d上的区段记为第一区段12a，悬空于开口110的区段记为第二区段12b。
本步骤S3中，刻蚀第一像素定义层11d形成开口110，使隔断层12的部分区段悬空，同时还可以去除第一像素区10a的第一像素定义层11d，以暴露第一电极11a。换言之，步骤S1中的半导体结构1p，其中的第一像素定义层11d还未经图形化。本方案在一道第一像素定义层11d的图形化工序中同时实现暴露第一电极11a与制作开口110。
之后，参照图5中步骤S4以及图11所示，在暴露的第一电极11a上形成第一发光结构层11c。
第一发光结构层11c可以为OLED层，采用蒸镀法形成。一个可选方案中，蒸镀用的掩模板具有若干开口，每一开口对应一个第一电极11a。另一个可选方案中，蒸镀用的掩模板具有一个开口，该开口对应透明显示区1a，各个第一电极11a上的第一发光结构层11c由隔断层12隔断形成。
若干第一子像素11可以组成一第一像素单元。每一第一像素单元中的各个第一发光结构层11c可以为红、绿、蓝三基色。其它可选方案中，每一第一像素单元中的各个第一发光结构层11c还可以为红、绿、蓝、黄四基色，本发明对此并不加以限制。
然后，参照图5中步骤S5、图11以及图2所示，蒸镀导电材料层，导电材料层由隔断层121隔断形成若干第二电极11b。
蒸镀第二电极11d用的掩模板具有一个开口，该开口对应透明显示区10a。
可以看出，步骤S5中，隔断层12的第二区段12b悬空，对导电材料层的隔断效果佳，相邻第一子像素11的第二电极11b不会电导通。第一非像素区10b的电极条上具有绝缘层13，可以防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a连接成的电极条。
图12是本发明另一实施例中的显示基板的截面结构示意图。参照图12所示，本实施例中的显示基板2与图1至图2中的显示基板1的结构大致相同，区别仅在于：开口110在上下方向上部分贯穿第一像素定义层11d。
本实施例中，未贯穿的第一像素定义层11d能起到绝缘作用，可防止落入开口的导电材料层与第一电极11a等结构电导通。可以理解的是，本实施例中的显示基板2在制作时，可以省略绝缘层13的制作。换言之，步骤S1中的半导体结构1p，可以为现有工艺制程的中间结构。与现有工艺制程兼容性佳。
在开口110的具体刻蚀工艺中，可以通过刻蚀时间长短控制开口110的深度。
图13是本发明又一实施例中的显示基板的俯视图；图14(a)是沿着图13中的DD直线的剖视图，图14(b)是图14(a)的第一子像素的一种变形结构的示意图。图15是图13中的显示基板的第一电极分布图。
参照图13至15所示，本实施例中的显示基板3与图1至图2中的显示基板1的结构大致相同，区别仅在于：位于一列的相邻第一电极11a之间具有连接线11e，连接线11e用于将对应列的各个第一电极11a连接在一起；连接线11e上具有绝缘层13。
图15中，连接线11e为直线，且位于第一电极11a的一侧，其它可选方案中，连接线11e还可以为折线或曲线，和/或位于第一电极11a的一侧或中部。
可以理解的是，当位于一行的各个第一子像素的第一电极11a连接在一起时，位于一行的相邻第一电极11a之间具有连接线11e，连接线11e用于将对应行的各个第一电极11a连接在一起。
连接线11e上的绝缘层13可以防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a。
本实施例中，参照图14(a)与14(b)所示，第一电极11a可以延伸至第一非像素区10b。第一非像素区10b内的第一电极11a可以如图14(a)所示，包埋在第一像素定义层11d内；也可以如图14(b)所示，恰好暴露在开口110内。可以理解的是，可以通过控制围绕开口110的一圈都具有悬空的隔断层12，使得落在透光基底10上的导电材料层不与第一电极11a连接。
图12中的方案也可以结合入本实施例。
图16是本发明再一实施例中的显示基板的俯视图；图17是图16中非透明显示区的截面结构示意图。
参照图16所示，本实施例中的显示基板4与图1至图2中的显示基板1、图12中的显示基板2、图13至图15中的显示基板3的结构大致相同，区别仅在于：还包括非透明显示区1b。
参照图16与图17所示，非透明显示区1b可以包括：
透光基底10，透光基底10包括交替分布的第二像素区10c与第二非像素区10d；
位于第二像素区10c的第二子像素14；第二子像素14自下而上包括第三电极14a、第二发光结构层14c与第四电极14b；以及
位于第二非像素区10d的第二像素定义层14d。
第三电极14a可以为阳极与阴极中的一个，第四电极14b为另一个。第三电极14a的材料为反光材料。第四电极14b的材料为部分透光、部分反光的材料。第二发光结构层14c可以为OLED层。
若干第二子像素14可以组成一第一像素单元。每一第二像素单元中的各个第二发光结构层14c可以为红、绿、蓝三基色。其它可选方案中，每一第二像素单元中的各个第二发光结构层14c还可以为红、绿、蓝、黄四基色或某种单色，本发明对此并不加以限制。
第二子像素14可以为主动驱动方式发光，也可以为被动驱动方式发光。当为主动驱动方式发光驱动时，第三电极14a为块状电极。当为被动驱动方式发光时，第三电极14a为条状电极，沿行(或列)方向延伸，对应地，第四电极14b也为条状电极，沿列(或行)方向延伸，以交叉点选中第二子像素14。
当为主动驱动方式发光时，第四电极14b可以为面电极，以简化第四电极14b的图案结构，提高透光率。
一个可选方案中，如图16所示，透明显示区1a具有隔断带121，第一像素定义层11d具有开口带111；隔断带121包括第一段带与第二段带，第一段带位于第一像素定义层11d上，第二段带悬空于开口带111，用于隔断透明显示区1a的第二电极11b与非透明显示区1b的第四电极14b。上述方案可以简化蒸镀第二电极11b与第四电极14b的掩模板的开口图案。
具体地，开口带111可以包括连接在一起的若干开口110，开口带111沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与开口110的纵剖面的尺寸相同。开口带111的纵剖面的尺寸也可以与开口110的纵剖面的尺寸不同，两者可以兼容制作，也可以分别制作。
此外，在非透明显示区1b完全围绕透明显示区1a时，隔断带121与开口带111为闭合环；在非透明显示区1b部分围绕透明显示区1a，隔断带121与开口带111为非闭合环，如图16所示。
其它可选方案中，第二电极11b与第四电极14b的隔断也可以通过第二电极11b与第四电极14b的蒸镀用掩模板的开口图案实现。
具体制作工艺中，可以在显示基板1、2、3、4基础上，依次继续制作封装层、偏光片、盖板，以形成显示面板。
一个可选方案中，封装层可以为无机、有机、无机三层结构。
对于显示基板1、2、3、4，透明显示区1a与非透明显示区1b在同一工序中封装。
偏光片可以去除透明显示区1a对应的区域，仅在非透明显示区1b设置。
基于上述显示基板，本发明一实施例还提供一种显示装置。
该显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
显示装置包括：设备本体，具有器件区；以及显示面板，覆盖在设备本体上，显示面板包括上述任一显示基板1、2、3、4；其中，器件区位于显示面板的透明显示区1a下方，且器件区中设置有透过透明显示区1a发射或者采集光线的感光器件。
感光器件包括：摄像头和/或光线感应器。光线感应器包括：虹膜识别传感器以及指纹识别传感器中的一种或组合。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括透明显示区，所述透明显示区包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区；
位于所述第一像素区的第一子像素；所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极；以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层与隔断层，所述第一像素定义层具有开口；所述隔断层包括第一区段与第二区段，所述第一区段位于所述第一像素定义层上，所述第二区段悬空于所述开口，用于隔断相邻所述第一像素区的第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述开口在上下方向上贯穿或部分贯穿所述第一像素定义层；
优选地，所述第二区段的长度范围为1μm～2μm；
优选地，所述第二区段的厚度范围为50nm～100nm；
优选地，所述开口的深度大于所述第二电极的厚度；
优选地，所述开口的深度大于400nm；
优选地，所述第一像素定义层的材料为无机透明材料；
优选地，所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子像素为被动驱动方式发光；位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接，位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接，所述隔断层与所述开口都沿行方向延伸；或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接，位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接，所述隔断层与所述开口都沿列方向延伸；
优选地，位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线，所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接；
优选地，所述连接线上具有绝缘层，且所述绝缘层暴露在所述开口内；
优选地，所述连接线为直线、折线或曲线；
优选地，位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条；
优选地，位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层，且所述绝缘层暴露在所述开口内。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极延伸至第一非像素区；所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内，或恰好暴露在所述开口内。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括非透明显示区；所述非透明显示区包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区；
位于所述第二像素区的第二子像素；所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极；以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层；
优选地，所述第二子像素为主动驱动方式发光，所述第三电极为块状结构；
优选地，所述第四电极为面电极；
优选地，所述透明显示区具有隔断带，所述第一像素定义层具有开口带；所述隔断带包括第一段带与第二段带，所述第一段带位于所述第一像素定义层上，所述第二段带悬空于所述开口带，用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极；
优选地，所述开口带包括连接在一起的若干开口；
优选地，所述非透明显示区完全围绕所述透明显示区，所述隔断带与所述开口带都为闭合环；或所述非透明显示区部分围绕所述透明显示区，所述隔断带与所述开口带都为非闭合环；
优选地，所述隔断带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述隔断层的纵剖面的尺寸相同；所述开口带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述开口的纵剖面的尺寸相同。
6.一种显示装置，其特征在于，包括：
设备本体，具有器件区；
以及显示面板，覆盖在所述设备本体上；所述显示面板包括根据权利要求1至5任一项所述的显示基板；
其中，所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方，且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
7.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括：
透光基底，所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区；
位于所述第一像素区的第一电极；以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层；
在所述第一像素定义层上形成隔断层，所述隔断层具有刻蚀开口；
在所述隔断层以及未被所述隔断层覆盖的第一电极与第一像素定义层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露所述刻蚀开口；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一像素定义层形成开口，使所述隔断层的部分区段悬空；去除剩余的所述图形化的掩膜层；
在所述暴露的第一电极上形成第一发光结构层；
蒸镀导电材料层，所述导电材料层由所述隔断层隔断形成若干第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，刻蚀所述第一像素定义层形成开口，使所述隔断层的部分区段悬空，同时还去除所述第一像素区的第一像素定义层，以暴露所述第一电极；
和/或以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一像素定义层形成开口包括：先进行各向异性的干法刻蚀，后进行各向同性的干法刻蚀或湿法腐蚀。
9.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述隔断层采用图形化隔断材料层形成，隔断材料层的材料为氧化铟锡、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌、金属钼、金属钼铝钼叠层中的至少一种；
优选地，采用湿法刻蚀进行所述图形化；
优选地，所述隔断材料层的材料为氧化铟锡、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、掺杂铝的氧化锌中的至少一种，所述湿法刻蚀溶液包括草酸；
优选地，所述隔断材料层的材料为金属钼、金属钼铝钼叠层中的至少一种，所述湿法刻蚀溶液包括硝酸、醋酸、磷酸的混合液。
10.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作步骤中，在所述第一像素区形成第一电极同时，在所述第一非像素区的部分区域形成连接线，所述连接线用于将位于一列或一行的各个第一电极电连接；
优选地，在所述第一非像素区形成第一像素定义层前，在所述第一非像素区形成绝缘层，所述绝缘层位于所述连接线的上方。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111370597A (zh) * 2020-03-19 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
WO2023023908A1 (zh) * 2021-08-23 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2024031833A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376747A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 索尼公司 显示装置及其制造方法
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法
CN109346505A (zh) * 2018-10-11 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376747A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 索尼公司 显示装置及其制造方法
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法
CN109346505A (zh) * 2018-10-11 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
CN111370597A (zh) * 2020-03-19 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111370597B (zh) * 2020-03-19 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
WO2023023908A1 (zh) * 2021-08-23 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
WO2024031833A1 (zh) * 2022-08-09 2024-02-15 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

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