CN110289300A - 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示装置及其显示基板,显示基板的制作方法,在透明显示区,利用相邻第一子像素之间的第一像素定义层制作开口,该开口自上而下包括第一开口与第二开口,将第一开口的横向尺寸设置为小于第二开口的横向尺寸,借此隔断相邻第一子像素的第二电极。上窄下宽的开口对导电材料的隔断效果佳,相邻第一子像素的第二电极不会电导通;此外,省略了现有技术中用于隔断第二电极的隔离柱,简化了透明显示区的膜层结构,能降低经透明显示区成像时的衍射问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高,由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如苹果手机iphoneX的前刘海区域,影响了屏幕的整体一致性,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法。
为实现上述目的,本发明的第一方面提供一种显示基板,包括透明显示区,所述透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;
位于所述第一像素区的第一子像素;所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极;以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层,所述第一像素定义层具有开口,所述开口自上而下包括第一开口与第二开口,所述第一开口的横向尺寸小于所述第二开口的横向尺寸,用于隔断相邻所述第一像素区的第二电极。
需要说明的是,本申请中的“横向”指透光基底所在平面内的方向,“纵向”指透光基底厚度所在方向。
可选地,同一第一非像素区中,所述第一开口在所述透光基底的正投影位于所述第二开口在所述透光基底的正投影内;
优选地,靠近同一第一像素区的所述第一开口的侧壁与所述第二开口的侧壁在所述透光基底的正投影之间的距离范围为:0.5μm~3.5μm;
优选地,所述第二开口的深度大于所述第二电极的厚度;
优选地,所述第二开口的深度范围为:300nm~750nm;
优选地,所述第一像素定义层的材料为无机透明材料;
优选地,所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。
可选地,所述第一子像素为被动驱动方式发光;位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述第一开口与所述第二开口都沿行方向延伸;或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述第一开口与所述第二开口都沿列方向延伸;
优选地,位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线,所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接,所述连接线上具有绝缘层;
优选地,所述连接线为直线、折线或曲线;
优选地,位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条,位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层。
可选地,所述第一电极延伸至第一非像素区;所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内,或恰好暴露在所述第二开口内。
可选地,所述显示基板还包括非透明显示区;所述非透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区;
位于所述第二像素区的第二子像素;所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极;以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层;
优选地,所述第二子像素为主动驱动方式发光,所述第三电极为块状结构;
进一步优选地,所述第四电极为面电极;
优选地,所述透明显示区的第一像素定义层具有开口带;所述开口带自上而下包括第一开口带与第二开口带,所述第一开口带垂直延伸方向上的横向尺寸小于所述第二开口带垂直延伸方向上的横向尺寸,用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极;
优选地,所述开口带包括连接在一起的若干开口;
优选地,所述非透明显示区完全围绕所述透明显示区,所述开口带为闭合环;或所述非透明显示区部分围绕所述透明显示区,所述开口带为非闭合环;
优选地,所述开口带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述开口的纵剖面的尺寸相同。
本发明的第二方面提供一种显示装置,包括:
设备本体,具有器件区;
以及显示面板,覆盖在所述设备本体上;所述显示面板包括上述任一项所述的显示基板,
其中,所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
可选地,所述感光器件包括摄像头和/或光线感应器。
本发明的第三方面提供一种显示基板的制作方法,包括:
提供透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;
在所述第一像素区形成第一电极;在所述第一非像素区形成牺牲层;在所述透光基底上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层包埋所述第一电极与所述牺牲层;
图形化所述第一像素定义层,去除所述第一像素区的第一像素定义层以暴露所述第一电极,并在所述第一非像素区形成第一开口,所述第一开口暴露所述牺牲层的部分区域;
去除所述牺牲层,形成第二开口,所述第二开口与所述第一开口贯通,且所述第一开口的横向尺寸小于所述第二开口的横向尺寸;
在所述暴露的第一电极上形成第一发光结构层;
蒸镀导电材料层,所述导电材料层由所述第一开口与所述第二开口隔断形成若干第二电极。
可选地,所述牺牲层的材料为ITO和/或IGZO,去除所述牺牲层的材料包括草酸;或所述牺牲层的材料为金属钼,去除所述牺牲层的材料包括硝酸、醋酸、磷酸的混合液。
可选地,在所述第一像素区形成第一电极同时,还在所述第一非像素区的部分区域形成连接线,所述连接线用于将位于一列或一行的各个第一电极电连接;在所述第一非像素区形成牺牲层前,还在所述第一非像素区形成绝缘层,所述绝缘层位于所述连接线的上方。
可选地,形成的所述第一电极延伸至所述第一非像素区,所述第一电极与所述牺牲层之间具有间距或紧邻设置。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
1)在透明显示区,利用相邻第一子像素之间的第一像素定义层制作开口,该开口自上而下包括第一开口与第二开口,将第一开口的横向尺寸设置为小于第二开口的横向尺寸,借此隔断相邻第一子像素的第二电极。上窄下宽的开口对导电材料的隔断效果佳,相邻第一子像素的第二电极不会电导通;此外,省略了现有技术中用于隔断第二电极的隔离柱,简化了透明显示区的膜层结构,能降低经透明显示区成像时的衍射问题。
2)可选方案中,同一第一非像素区中,第一开口在透光基底的正投影位于第二开口在透光基底的正投影内。本方案的好处在于:蒸镀导电材料层时,该导电材料层在第一开口的各侧壁都间断,换言之,落在透光基底上的导电材料层与开口外的导电材料层不连接。其它可选方案中,该导电材料层在第一开口的至少一个侧壁间断即可。
可选方案中,第二开口的深度大于第二电极的厚度。蒸镀导电材料层时,该导电材料层经第一开口落入透光基底上表面,第二开口的深度大于第二电极的厚度,可进一步防止透光基底上表面的导电材料层与第一开口侧壁的导电材料层粘连,从而确保断开相邻第一子像素的第二电极。
3)可选方案中,第一子像素为被动驱动方式发光:a)位于一列的各个第一子像素的第一电极电连接,位于一行的各个第一子像素的第二电极电连接,第一开口与开口都沿行方向延伸;或b)位于一行的各个第一子像素的第一电极电连接,位于一列的各个第一子像素的第二电极电连接,第一开口与第二开口都沿列方向延伸。a)方案中的第一开口与开口都沿行方向延伸,在蒸镀导电材料层时,导电材料层被自动隔断,形成若干行第二电极。b)方案中的第一开口与开口都沿列方向延伸,在蒸镀导电材料层时,导电材料层被自动隔断,形成若干列第二电极。一行若干列或一列若干行的第二电极相对于多行多列的第二电极,能简化透明显示区的膜层结构,降低透明显示区的衍射现象,提高成像效果。
4)可选方案中,第一电极延伸至第一非像素区;第一非像素区内的第一电极a)包埋在第一像素定义层内,或b)恰好暴露在第二开口内。a)方案相对于b)方案,可确保落在第二开口内的导电材料层不与第一电极连接。
5)可选方案中,显示基板还包括非透明显示区。
可选方案中,所述非透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区;
位于所述第二像素区的第二子像素;所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极;以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层;。
每一第二子像素的第三电极与第四电极之间施加驱动电压时,非透明显示区执行显示功能。
6)可选方案中,所述透明显示区的第一像素定义层具有开口带;所述开口带自上而下包括第一开口带与第二开口带,所述第一开口带垂直延伸方向上的横向尺寸小于所述第二开口带垂直延伸方向上的横向尺寸,用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极。本方案能自动隔断第二电极与第四电极,简化第二电极与第四电极各自所用的蒸镀掩模板的开口图案。
附图说明
图1是本发明一实施例中的显示基板的俯视图,其中,去除了落在透光基底上的导电材料层,且第一像素定义层显示了透视效果;
图2是沿着图1中的AA直线的剖视图;
图3是图1中的显示基板去除第二电极后的结构示意图;
图4是图1中的显示基板的第一电极分布图;
图5是本发明一实施例的显示基板的制作方法的流程图;
图6至图9是图5中的流程对应的中间结构示意图;
图10是本发明另一实施例中的显示基板的俯视图;
图11(a)是沿着图10中的CC直线的剖视图;
图11(b)是图11(a)的第一子像素的一种变形结构的示意图;
图12是图10中的显示基板的第一电极分布图;
图13是本发明再一实施例中的显示基板的俯视图;
图14是图13中非透明显示区的截面结构示意图。
为方便理解本发明,以下列出本发明中出现的所有附图标记:
显示基板1、2、3 透明显示区1a
透光基底10 第一像素区10a
第一非像素区10b 第一子像素11
第一电极11a 第二电极11b
第一发光结构层11c 第一像素定义层11d
开口110 第一开口110a
第二开口110b 绝缘层12
牺牲层01 连接线11e
第二像素区10c 第二非像素区10d
非透明显示区1b 第二子像素13
第三电极13a 第四电极13b
第二发光结构层13c 第二像素定义层13d
开口带111
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明一实施例中的显示基板的俯视图,其中,去除了落在透光基底上的导电材料层,且第一像素定义层显示了透视效果;图2是沿着图1中的AA直线的剖视图。图3是图1中的显示基板去除第二电极后的结构示意图。图4是图1中的显示基板的第一电极分布图。
参照图1至图4所示,该显示基板1,包括透明显示区1a,透明显示区1a包括:
透光基底10,透光基底10包括交替分布的第一像素区10a与第一非像素区10b;
位于第一像素区10a的第一子像素11;第一子像素11自下而上包括第一电极11a、第一发光结构层11c与第二电极11b;以及
位于第一非像素区10b的第一像素定义层11d,第一像素定义层11d具有开口110,开口110自上而下包括第一开口110a与第二开口110b,第一开口110a的横向尺寸小于第二开口110b的横向尺寸,用于隔断相邻第一像素区10a的第二电极11b。
透光基底10可以为柔性基底,也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺,硬质基底的材料可以为玻璃。
第一电极11a可以为阳极与阴极中的一个,第二电极11b为另一个。第一电极11a的材料为透光材料。第二电极11b的材料为部分透光、部分反光的材料。第一发光结构层11c可以为OLED层。参照图3所示,第一发光结构层11c可以为红、绿、蓝三基色交替分布,其它可选方案中,第一发光结构层11c还可以为红、绿、蓝、黄四基色交替分布,或为某种单色。
每一第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b之间施加驱动电压时,透明显示区1a执行显示功能;每一第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b之间未施加驱动电压时,透明显示区1a执行透光功能。
第一子像素11的发光可以为主动驱动方式(AM)或被动驱动方式(PM)。当为主动驱动方式时,第一子像素11的第一电极11a与第二电极11b可以均为电极块,或其中一个为电极块,另一个为整面的面电极。当为被动驱动方式时,第一电极11a与第二电极11b可以均为电极条,分别对应行方向延伸与列方向延伸,行列交叉点为一个第一子像素11。
图1至图4所示实施例的显示基板1为被动驱动方式发光。图1与图4中,位于一列的各个第一子像素11的第一电极11a可以连接在一起,位于一行的各个第一子像素11的第二电极11b可以连接在一起。具体地,位于一列的各个第一电极11a连接成电极条,位于一行的各个第二电极11d也连接成电极条。第一像素区10a与第一非像素区10b均沿行方向延伸,沿列方向交替分布。
参照图1至图3所示,第一非像素区10b中的第一开口110a与第二开口110b都沿行方向延伸。
其它可选方案中,也可以位于一行的各个第一子像素11的第一电极11a连接在一起,位于一列的各个第一子像素11的第二电极11b连接在一起。此时,第一开口110a与第二开口110b都沿列方向延伸。第一像素区10a与第一非像素区10b均沿列方向延伸,沿行方向交替分布。
图2中,同一第一非像素区10b中,第一开口110a在透光基底10的正投影位于第二开口110b在透光基底10的正投影内。换言之,蒸镀导电材料层形成第二电极11b时,落在透光基底10上的导电材料层与开口110外的导电材料层不连接。
研究表明,图2中,靠近同一第一像素区10a的第一开口110a的侧壁与第二开口110b的侧壁在透光基底10的正投影之间的距离L的范围为:0.5μm~3.5μm时,对于大部分种类的导电材料,可确保落在透光基底10上的导电材料层与开口110外的导电材料层不连接。
图2中,第二开口110b的底部最低处为绝缘层12的上表面,因而第二开口110b的深度H(第二开口110b的开口上边缘与开口底部最低处之间的高度差)可以大于第二电极11b的厚度,该范围可以为:300nm~750nm。其它实施例中,第二开口110b的底部最低处为透光基底10的上表面时,第二开口110b的深度H优选大于第一电极11a与第二电极11b的厚度之和。本方案可进一步防止落在透光基底10上表面的导电材料层与第一开口110a侧壁的导电材料层粘连,从而确保断开相邻第一子像素11的第二电极11b。
其它可选方案中,对于主动驱动方式发光的显示基板,由于第一非像素区10b无第一电极11a或透光基底10上的第一电极11a为整面的面电极,因而,同一第一非像素区10b中,第一开口110a在透光基底10的正投影与第二开口110b在透光基底10的正投影部分重叠或某一边界重叠,即该蒸镀的导电材料层在第一开口110a的至少一个侧壁间断即可。此外,第二开口110b的深度可以大于第二电极11b的厚度即可。
图2中,为防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a连接成的电极条,第一非像素区10b的电极条上设置有绝缘层12。绝缘层12的材料可以为二氧化硅、氮化硅中的至少一种。
像素定义层11d的材料可以为无机透明材料或有机透明材料。无机透明材料或有机透明材料不影响透明显示区1a的透光率。无机透明材料可以为二氧化硅或氮化硅,有机透明材料可以为聚酰亚胺。
图1中,透明显示区1a为矩形,其它可选方案中,还可以为水滴状、圆形、椭圆形或刘海状等。
针对上述显示基板1,本发明一实施例还提供了该显示基板1的制作方法。
图5是制作方法的流程图;图6至图9是图5中的流程对应的中间结构示意图。
首先,参照图5中步骤S1以及图6所示,提供透光基底10,透光基底10包括交替分布的第一像素区10a与第一非像素区10b。
透光基底10可以为柔性基底,也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺,硬质基底的材料可以为玻璃。
第一像素区10a用于形成第一子像素,第一非像素区10b用于形成限定第一子像素的膜层。
本实施例中,制作的显示基板1为被动驱动方式发光,因而,图6所示的第一像素区10a与第一非像素区10b均沿行方向延伸,沿列方向交替分布。其它实施例中,也可以第一像素区10a与第一非像素区10b均沿列方向延伸,沿行方向交替分布;或显示基板1为主动驱动方式发光,第一像素区10a与第一非像素区10b为块状区域,在行方向与列方向都交替分布。
接着,参照图5中步骤S2以及图6、图7所示,在第一像素区10a形成第一电极11a;在第一非像素区10b的形成牺牲层01;在透光基底10上形成第一像素定义层11d,第一像素定义层11d包埋第一电极11a与牺牲层01。其中,图7是沿着图6中的BB直线的剖视图。
第一电极11a的材料可以为氧化铟锡(ITO)等透光导电材料。第一电极11a可以通过整面沉积透光导电材料层,后经干法刻蚀或湿法刻蚀进行图形化。
本实施例中,制作的显示基板1为被动驱动方式发光,因而,位于一列的第一电极11a可以连接在一起形成电极条。其它实施例中,位于一行的第一电极11a也可以连接在一起形成电极条。当然,位于一行或一列的第一电极也可以通过其他方式电连接成电极条。显示基板1为主动驱动方式发光时,第一电极11a可以为电极块或整面的面电极。
牺牲层01的材料可以为ITO和/或铟镓锌氧化(IGZO)、或金属钼。牺牲层01可以通过整面沉积牺牲材料层,后经干法刻蚀或湿法刻蚀进行图形化。
本实施例中,牺牲层01沿行方向延伸,且位于第一非像素区10b的电极条的上方。其它实施例中,牺牲层01也可以沿列方向延伸。显示基板1为主动驱动方式发光时,牺牲层01可以为块状结构。
形成牺牲层01前,还至少在第一非像素区10b的电极条上形成绝缘层12。绝缘层12的材料可以为二氧化硅、氮化硅中的至少一种。绝缘层12可以通过整面沉积牺牲材料层,后经干法刻蚀或湿法刻蚀进行图形化。为节省工艺步骤,绝缘层12可以与牺牲层01在同一工序中实现图形化。
对于主动驱动方式发光的显示基板,可以省略绝缘层12的制作。
第一像素定义层11b可以为无机或有机材料,例如为二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺等。
之后,参照图5中步骤S3以及图8所示,图形化第一像素定义层11d,去除第一像素区10a的第一像素定义层11d以暴露第一电极11a,并在第一非像素区10b形成第一开口110a,第一开口110a暴露牺牲层01的部分区域。
第一像素定义层11b为无机材料时,例如为二氧化硅或氮化硅时,图形化通过先进行光刻工艺后进行干法刻蚀实现。第一像素定义层11b为有机材料时,例如为聚酰亚胺时,图形化通过光刻工艺实现。
本实施例中,第一开口110a沿行方向延伸。其它实施例中,第一开口110a也可以沿列方向延伸。显示基板1为主动驱动方式发光时,第一开口110a可以为块状区域。
再接着,参照图5中步骤S4以及图9所示,去除牺牲层01,形成第二开口110b,第二开口110b与第一开口110a贯通,且第一开口110a的横向尺寸小于第二开口110b的横向尺寸。
当牺牲层01的材料为ITO和/或IGZO时,采用草酸去除。需要说明的是,虽然第一电极11a的材料也为ITO,但第一电极11a的ITO经高温退火处理。草酸仅可以腐蚀未经高温退火处理的ITO,无法腐蚀经高温退火处理的ITO,因而,去除牺牲层01时,不影响第一电极11a的性能。
当牺牲层01的材料为金属钼时,采用硝酸、醋酸、磷酸的混合液去除。
本步骤S4中,第二开口110b与第一开口110a形成了上窄下宽的开口110。
之后,参照图5中步骤S5以及图9所示,在暴露的第一电极11a上形成第一发光结构层11c。
第一发光结构层11c可以为OLED(Organic Light Emitting Diode)层,采用蒸镀法形成。一个可选方案中,蒸镀用的掩模板具有若干开口,每一开口对应一个第一电极11a。另一个可选方案中,蒸镀用的掩模板具有一个开口,该开口对应透明显示区1a,各个第一电极11a上的第一发光结构层11c由第一开口110a与第二开口110b隔断形成。
若干第一子像素11可以组成一第一像素单元。每一第一像素单元中的各个第一发光结构层11c可以为红、绿、蓝三基色。其它可选方案中,每一第一像素单元中的各个第一发光结构层11c还可以为红、绿、蓝、黄四基色,本发明对此并不加以限制。
然后,参照图5中步骤S6、图9以及图2所示,蒸镀导电材料层,导电材料层由第一开口110a与第二开口110b隔断形成若干第二电极11b。
蒸镀第二电极11d用的掩模板具有一个开口,该开口对应透明显示区10a。
可以看出,步骤S5中,第一开口110a的横向尺寸小于第二开口110b的横向尺寸,上窄下宽的开口110对导电材料层的隔断效果佳,相邻第一子像素11的第二电极11b不会电导通。第一非像素区10b的电极条上具有绝缘层12,可以防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a连接成的电极条。
图10是本发明另一实施例中的显示基板的俯视图;图11(a)是沿着图10中的CC直线的剖视图,图11(b)是图11(a)的第一子像素的一种变形结构的示意图。图12是图10中的显示基板的第一电极分布图。
参照图10至12所示,本实施例中的显示基板2与图1至图2中的显示基板1的结构大致相同,区别仅在于:位于一列的相邻第一电极11a之间具有连接线11e,连接线11e用于将对应列的各个第一电极11a连接在一起;连接线11e上具有绝缘层12。
图12中,连接线11e为直线,且位于第一电极11a的一侧,其它可选方案中,连接线11e还可以为折线或曲线,和/或位于第一电极11a的一侧或中部。
可以理解的是,当位于一行的各个第一子像素的第一电极11a连接在一起时,位于一行的相邻第一电极11a之间具有连接线11e,连接线11e用于将对应行的各个第一电极11a连接在一起。
连接线11e上的绝缘层12可以防止落在透光基底10上的导电材料层电连接各列第一电极11a。
本实施例中,参照图11(a)与11(b)所示,第一电极11a可以延伸至第一非像素区10b。第一非像素区10b内的第一电极11a可以如图11(a)所示,包埋在第一像素定义层11d内;也可以如图11(b)所示,恰好暴露在第二开口110b内。可以理解的是,同一第一非像素区10b中,通过控制第一开口110a与第二开口110b的相对位置关系,使得第一开口110a在透光基底10的正投影位于第二开口110b在透光基底10的正投影内,因而,落在透光基底10上的导电材料层不与第一电极11a连接。
图13是本发明再一实施例中的显示基板的俯视图;图14是图13中非透明显示区的截面结构示意图。
参照图13所示,本实施例中的显示基板3与图1至图2中的显示基板1、图10至图12中的显示基板2的结构大致相同,区别仅在于:还包括非透明显示区1b。
参照图13与图14所示,非透明显示区1b可以包括:
透光基底10,透光基底10包括交替分布的第二像素区10c与第二非像素区10d;
位于第二像素区10c的第二子像素13;第二子像素13自下而上包括第三电极13a、第二发光结构层13c与第四电极13b;以及
位于第二非像素区10d的第二像素定义层13d。
第三电极13a可以为阳极与阴极中的一个,第四电极13b为另一个。第三电极13a的材料为反光材料。第四电极13b的材料为部分透光、部分反光的材料。第二发光结构层13c可以为OLED层。
若干第二子像素13可以组成一第一像素单元。每一第二像素单元中的各个第二发光结构层13c可以为红、绿、蓝三基色。其它可选方案中,每一第二像素单元中的各个第二发光结构层13c还可以为红、绿、蓝、黄四基色或某种单色,本发明对此并不加以限制。
第二子像素13可以为主动驱动方式发光,也可以为被动驱动方式发光。当为主动驱动方式发光时,第三电极13a为块状电极。当为被动驱动方式发光时,第三电极13a为条状电极,沿行(或列)方向延伸,对应地,第四电极13b也为条状电极,沿列(或行)方向延伸,以交叉点选中第二子像素13。
当为主动驱动方式发光时,第四电极13b可以为面电极,以简化第四电极13b的图案结构,提高透光率。
一个可选方案中,如图13所示,透明显示区1a的第一像素定义层11d具有开口带111,开口带111自上而下包括第一开口带与第二开口带,第一开口带垂直延伸方向上的横向尺寸小于第二开口带垂直延伸方向上的横向尺寸,用于隔断透明显示区1a的第二电极11b与非透明显示区1b的第四电极13b。上述方案可以简化蒸镀第二电极11b与第四电极13b的掩模板的开口图案。
具体地,开口带111可以包括连接在一起的若干开口110,开口带111沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与开口110的纵剖面的尺寸相同。开口带111的纵剖面的尺寸也可以与开口110的纵剖面的尺寸不同,两者可以兼容制作,也可以分别制作。
此外,在非透明显示区1b完全围绕透明显示区1a时,开口带111为闭合环;在非透明显示区1b部分围绕透明显示区1a,开口带111为非闭合环,如图13所示。
其它可选方案中,第二电极11b与第四电极13b的隔断也可以通过第二电极11b与第四电极13b的蒸镀用掩模板的开口图案实现。
具体制作工艺中,可以在显示基板1、2、3基础上,依次继续制作封装层、偏光片、盖板,以形成显示面板。
一个可选方案中,封装层可以为无机、有机、无机三层结构。
对于显示基板1、2、3,透明显示区1a与非透明显示区1b在同一工序中封装。
偏光片可以去除透明显示区1a对应的区域,仅在非透明显示区1b设置。
基于上述显示基板,本发明一实施例还提供一种显示装置。
该显示装置可以为手机、平板电脑、车载显示屏等的显示装置。
显示装置包括:
设备本体,具有器件区;
以及显示面板,覆盖在设备本体上,显示面板包括上述任一显示基板1、2、3;
其中,器件区位于显示面板的透明显示区1a下方,且器件区中设置有透过透明显示区1a发射或者采集光线的感光器件。
感光器件包括:摄像头和/或光线感应器。光线感应器包括:虹膜识别传感器以及指纹识别传感器中的一种或组合。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示基板,其特征在于,包括透明显示区,所述透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;
位于所述第一像素区的第一子像素;所述第一子像素自下而上包括第一电极、第一发光结构层与第二电极;以及
位于所述第一非像素区的第一像素定义层,所述第一像素定义层具有开口,所述开口自上而下包括第一开口与第二开口,所述第一开口的横向尺寸小于所述第二开口的横向尺寸,用于隔断相邻所述第一像素区的第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,同一第一非像素区中,所述第一开口在所述透光基底的正投影位于所述第二开口在所述透光基底的正投影内;
优选地,靠近同一第一像素区的所述第一开口的侧壁与所述第二开口的侧壁在所述透光基底的正投影之间的距离范围为0.5μm~3.5μm;
优选地,所述第二开口的深度大于所述第二电极的厚度;
优选地,所述第二开口的深度范围为300nm~750nm;
优选地,所述第一像素定义层的材料为无机透明材料;
优选地,所述第一像素定义层的材料为有机透明材料。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素为被动驱动方式发光;位于一列的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一行的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述第一开口与所述第二开口都沿行方向延伸;或位于一行的各个第一子像素的所述第一电极电连接,位于一列的各个第一子像素的所述第二电极电连接,所述第一开口与所述第二开口都沿列方向延伸;
优选地,位于一列或一行的相邻第一电极之间具有连接线,所述连接线用于将对应列或行的各个第一电极电连接,所述连接线上具有绝缘层;
优选地,所述连接线为直线、折线或曲线;
优选地,位于一列或一行的各个第一电极连接成电极条,位于所述第一非像素区的电极条上具有绝缘层。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极延伸至第一非像素区;所述第一非像素区内的第一电极包埋在第一像素定义层内,或恰好暴露在所述第二开口内。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括非透明显示区;所述非透明显示区包括:
透光基底,所述透光基底包括交替分布的第二像素区与第二非像素区;
位于所述第二像素区的第二子像素;所述第二子像素自下而上包括第三电极、第二发光结构层与第四电极;以及
位于所述第二非像素区的第二像素定义层;
优选地,所述第二子像素为主动驱动方式发光,所述第三电极为块状结构;
优选地,所述第四电极为面电极;
优选地,所述透明显示区的第一像素定义层具有开口带;所述开口带自上而下包括第一开口带与第二开口带,所述第一开口带垂直延伸方向上的横向尺寸小于所述第二开口带垂直延伸方向上的横向尺寸,用于隔断所述透明显示区的第二电极与所述非透明显示区的第四电极;
优选地,所述开口带包括连接在一起的若干开口;
优选地,所述非透明显示区完全围绕所述透明显示区,所述开口带为闭合环;或所述非透明显示区部分围绕所述透明显示区,所述开口带为非闭合环;
优选地,所述开口带沿垂直延伸方向的纵剖面的尺寸与所述开口的纵剖面的尺寸相同。
6.一种显示装置,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
以及显示面板,覆盖在所述设备本体上;所述显示面板包括根据权利要求1至5任一项所述的显示基板;
其中,所述器件区位于所述显示面板的透明显示区下方,且所述器件区中设置有透过所述透明显示区发射或者采集光线的感光器件。
7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供透光基底,所述透光基底包括交替分布的第一像素区与第一非像素区;
在所述第一像素区形成第一电极;在所述第一非像素区形成牺牲层;在所述透光基底上形成第一像素定义层,所述第一像素定义层包埋所述第一电极与所述牺牲层;
图形化所述第一像素定义层,去除所述第一像素区的第一像素定义层以暴露所述第一电极,并在所述第一非像素区形成第一开口,所述第一开口暴露所述牺牲层的部分区域;
去除所述牺牲层,形成第二开口,所述第二开口与所述第一开口贯通,且所述第一开口的横向尺寸小于所述第二开口的横向尺寸;
在所述暴露的第一电极上形成第一发光结构层;
蒸镀导电材料层,所述导电材料层由所述第一开口与所述第二开口隔断形成若干第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述牺牲层的材料为ITO和/或IGZO,去除所述牺牲层采用的材料包括草酸;或所述牺牲层的材料为金属钼,去除所述牺牲层采用的材料包括硝酸、醋酸、磷酸的混合液。
9.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述第一像素区形成第一电极同时,在所述第一非像素区的部分区域形成连接线,所述连接线用于将位于一列或一行的各个第一电极电连接;在所述第一非像素区形成牺牲层前,在所述第一非像素区形成绝缘层,所述绝缘层位于所述连接线的上方。
10.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,形成的所述第一电极延伸至所述第一非像素区,所述第一电极与所述牺牲层之间具有间距或紧邻设置。
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