CN115000332A - 显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，将阳极和绑定焊盘均设置为具有耐酸性的致密化层，能避免阳极或绑定焊盘氧化或硫化而发生失效的问题，以提高绑定焊盘的结构稳定性。此外，阳极和绑定焊盘可由相同材料制成，即可由相同材料通过同一工序制成，从而可无需在制成阳极后再另外制备绑定焊盘。因此，相较于现有技术的显示面板额外多一道制造工序使用钼或是钼合金制作绑定焊盘，本发明能够减少所述显示面板的制造工序和所需制造材料，大幅度地降低所述显示面板的制造时间以及制造成本。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法和显示装置。
背景技术
在现有技术的显示面板中，由于铜(Cu)或是铜合金的导电性能良好，所述显示面板会采用其作为金属走线。所述金属走线，除了作为所述显示面板的薄膜晶体管的电路走线之外，还用以电性连接所述显示面板外部的柔性电路板，实现接入外部信号。然而，由于所述金属走线的材料采用铜或是铜合金这类容易与空气中的氧气以及水汽发生反应的材料，因此为了与所述柔性电路板电性连接而裸露于所述显示面板外部的一部份所述金属走线将容易产生氧化，进而影响所述显示面板与所述柔性电路板的绑定效果。
现有技术为了解决上述技术问题，采用钼(Mo)或是钼合金这类活性较低并且耐腐蚀性的材料作为绑定焊盘，并且覆盖在裸露的所述部份的所述金属走线上，借以隔绝所述金属走线与空气中的氧气以及水汽发生反应。然而，这个结构设计将会增加所述显示面板的制造工序、以及增加所述显示面板的制造时间以及制造成本。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，以解决现有的显示面板制造时间长和制造成本高的问题。
第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：
阳极，电性连接所述显示面板的薄膜晶体管，所述阳极包括第一致密化层，所述第一致密化层具有耐酸性；以及
绑定焊盘，电性连接所述显示面板的金属走线，所述绑定焊盘包括第二致密化层，所述第二致密化层具有耐酸性；所述第一致密化层与所述第二致密化层通过同一工序形成。
可选的，所述第一致密化层和第二致密化层包括铟锡氧化物的结晶层。
可选的，所述阳极还包括反射层和透明导电氧化物层，所述反射层设于所述第一致密化层层背离所述薄膜晶体管的一侧，所述透明导电氧化物层设于所述反射层背离所述第一致密化层的一侧。
可选的，所述显示面板还包括钝化层和平坦化层，所述钝化层设于所述薄膜晶体管上，并且覆盖所述薄膜晶体管，所述钝化层包括开设于所述薄膜晶体管上的第一通孔；所述平坦化层设置于所述钝化层上，所述平坦化层包括对应所述第一通孔的第二通孔；
其中，所述阳极穿过所述第一通孔以及所述第二通孔以电性连接所述薄膜晶体管。
可选的，所述金属走线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，所述绑定焊盘通过所述金属走线电性连接所述薄膜晶体管；
其中，所述钝化层还包括开设于所述金属走线上的第三通孔，所述绑定焊盘穿过所述第三通孔以电性连接所述金属走线。
第二方面，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括控制器和如上述的显示面板，所述控制器电连接所述显示面板。
第三方面，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板；
在基板上沉积导电材料层；所述导电材料层分别电性连接所述显示面板的薄膜晶体管和金属走线；
对所述导电材料层进行蚀刻图形化，以形成阳极导电材料层和焊盘导电材料层；
对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以形成阳极的第一致密化层，以及焊盘的第二致密化层。
可选的，所述导电材料层层包括第一透明材料层、反射材料层和第二透明材料层；
所述在基板上沉积导电材料层的步骤包括：
在所述基板依次沉积所述第一透明材料层、所述反射材料层和所述第二透明材料层；其中，所述第一透明材料层受热后可结晶；
所述对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤包括：
对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以使第一透明材料层结晶致密化。
可选的，所述对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤之后，还包括步骤：
对所述焊盘导电材料层进行蚀刻，以蚀刻掉所述焊盘导电材料层的反射材料层和第二透明材料层。
可选的，所述对所述导电材料层进行蚀刻图形化的步骤包括：
利用灰阶光罩对导电材料层进行曝光；所述灰阶光罩包括透光区域和半透光区域；
对曝光后的导电材料层进行蚀刻，以形成与透光区域对应的阳极导电材料层，和与半透光区域对应的焊盘导电材料层。
可选的，在对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤中，处理温度设置为200℃至300℃；和/或，处理时长设置为1小时至3小时。
本申请实施例提供的显示面板，将阳极和绑定焊盘均设置为具有耐酸性的致密化层，能避免阳极或绑定焊盘氧化或硫化而发生失效的问题，以提高绑定焊盘的结构稳定性。此外，阳极和绑定焊盘可由相同材料制成，即可由相同材料通过同一工序制成，从而可无需在制成阳极后再另外制备绑定焊盘。因此，相较于现有技术的显示面板额外多一道制造工序使用钼或是钼合金制作绑定焊盘，本发明能够减少所述显示面板的制造工序和所需制造材料，大幅度地降低所述显示面板的制造时间以及制造成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果，下面将结合附图来进行说明。其中，在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的显示面板的剖面示意图。
图2～图4为本申请实施例提供的显示面板的制造过程的结构示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的细化示意图。
10、薄膜晶体管；11、源极；12、漏极；13、栅极；20、阳极；21、铟锡氧化物层；30、绑定焊盘；22、反射层；23、透明导电氧化物层；40、钝化层；50、平坦化层；60、金属走线；70、灰阶光罩；71、全透光区域；72、半透光区域。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在现有技术的显示面板中，由于铜(Cu)或是铜合金的导电性能良好，所述显示面板会采用其作为金属走线60。所述金属走线60，除了作为所述显示面板的薄膜晶体管10的电路走线之外，还用以电性连接所述显示面板外部的柔性电路板，实现接入外部信号。然而，由于所述金属走线60的材料采用铜或是铜合金这类容易与空气中的氧气以及水汽发生反应的材料，因此为了与所述柔性电路板电性连接而裸露于所述显示面板外部的一部份所述金属走线60将容易产生氧化，进而影响所述显示面板与所述柔性电路板的绑定效果。
现有技术为了解决上述技术问题，采用钼(Mo)或是钼合金这类活性较低并且耐腐蚀性的材料作为绑定焊盘30，并且覆盖在裸露的所述部份的所述金属走线60上，借以隔绝所述金属走线60与空气中的氧气以及水汽发生反应。然而，这个结构设计将会增加所述显示面板的制造工序、以及增加所述显示面板的制造时间以及制造成本。
本申请实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决现有的显示面板制造周期长和制造成本高的问题。以下将结合附图对其进行说明。
本申请实施例提供的显示面板可应用于显示装置。示例性的，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的显示面板的剖面示意图。所述显示面板包括薄膜晶体管10，所述薄膜晶体管10作为使所述显示面板的像素发光的驱动开关，包括源极11、漏极12、栅极13、沟道、以及栅极13绝缘层。通过控制栅极13的输入电压，所述薄膜晶体管10便能够控制所述源极11以及所述漏极12两端电流的通断。
如图1所示，所述显示面板还包括阳极20、发光层、以及阴极。所述发光层设置在所述阳极20以及所述阴极之间。所述阳极20与所述阴极成对设置。同时，所述阳极20电性连接所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者。因此，当所述薄膜晶体管10控制所述源极11以及所述漏极12两端电流的通断时，所述阳极20与所述阴极之间会产生电流或电场，所述发光层便会根据所述电流工作。
在一实施例中，所述显示面板还包括平坦化层50以及钝化层40。所述平坦化层50设置于所述钝化层40上。所述钝化层40包括开设于所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者上的第一通孔。所述平坦化层50包括对应所述第一通孔的第二通孔。所述阳极20穿过所述第一通孔以及所述第二通孔以电性连接所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者。
在一实施例中，本发明的所述显示面板包括有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示面板。换句话说，所述阳极20、所述发光层、以及所述阴极共同组成有机发光二极管。所述发光层还包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、以及电子注入层等。当所述薄膜晶体管10控制电流导通至所述阳极20时，所述阳极20与所述阴极之间产生所述电流。在所述电流的作用下，所述发光层中的电子与空穴将会在所述发光材料层结合并且激发出光线，从而达成所述显示面板的所述像素的亮暗显示。需要说明的是，本发明的所述阴极包括整面设置的电极材料，因此所述阴极能够采用蒸镀的工艺制备于所述发光层上，进而简化所述显示面板的结构以及制程。
本发明的所述发光层并不限制于上述实施例。在其他实施例中，所述发光层还可以包括电致发光量子点(electroluminescent quantum dots，ELQDs)、迷你发光二极管(mini-light-emitting diode，mini-LED)、或是微发光二极管(micro-light-emittingdiode，micro-LED)等。
以下以所述显示面板为有机发光二极管显示面板作为范例，进一步地说明本发明的具体实施方式。
所述薄膜晶体管10的所述沟道电性连接所述源极11以及所述漏极12。在一实施例中，所述沟道由半导体材料制成，特别是由铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide，IGZO)制成。本实施例采用的所述铟镓锌氧化物的电子迁移率为传统非晶硅半导体的20-30倍，因此显着地提升所述薄膜晶体管10的充放电速率以及响应速度。将所述铟镓锌氧化物作为所述薄膜晶体管10的所述沟道，能够实现所述显示面板更快的刷新率。同时，所述铟镓锌氧化物具有较好的驱动能力，因此所述薄膜晶体管10的驱动功耗低，使得所述显示面板更节能、省电，让所述显示面板的续航能力大幅增加。
在一实施例中，所述薄膜晶体管10包括顶栅极13型薄膜晶体管10。换句话说，在所述薄膜晶体管10的结构设计中，所述沟道为底层，并且所述栅极13为顶层。所述顶栅极13型薄膜晶体管10能够减少所述显示面板的制造工序，进而降低制造成本。需要说明的是，本发明的所述薄膜晶体管10不以所述顶栅极13型薄膜晶体管10为限，还可以为底栅极13型薄膜晶体管10，或是其他结构的薄膜晶体管10。
在本申请的实施例中，阳极20包括第一致密化层21，所述第一致密化层21具有耐酸性；第一致密化层21的具体材料不做限制，只需满足第一致密化层21兼具透明、导电和耐酸性即可。第一致密化层21可以是天然的致密化材料，也可以是由普通透明导电材料通过预设的工艺形成；举例而言，第一致密化层21包括铟锡氧化物(ITO)的结晶层，铟锡氧化物在经过高温处理后可结晶固化。
在一实施例中，所述阳极20还包括反射层22和透明导电氧化物层23，所述反射层22设于所述第一致密化层21层背离所述薄膜晶体管10的一侧，所述透明导电氧化物层23设于所述反射层22背离所述第一致密化层21的一侧。
反射层22和透明导电氧化物层23可通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)的磁控溅射工艺对材料连续沉积所制作而成。本发明的阳极20制做方法不以此为限，还可以为所述物理气相沉积中的其他方法，甚至是化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)等。在本实施例中，反射层22包括银金属等反射率较高的金属；透明导电氧化物层23包括铟锌氧化物层(IZO)或铟锡氧化物(ITO)。
在一实施例中，本发明的所述显示面板还包括绑定焊盘30以及金属走线60。所述金属走线60与所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12同层设置，其用以传输所述显示面板工作时的所需电源以及信号，例如Vdd以及Vss等。所述显示面板为达成窄边框设计，采用覆晶薄膜(chip on film，COF)技术，因此所述金属走线60在所述显示面板的侧边区域与所述绑定焊盘30电性连接，以提供覆晶薄膜的柔性电路板绑定(bonding)所述金属走线60。
所述钝化层40还包括开设于所述金属走线60上的第三通孔。所述绑定焊盘30穿过所述第三通孔以电性连接所述金属走线60。
所述绑定焊盘30通过所述金属走线60电性连接所述薄膜晶体管10的所述源极11、所述漏极12、所述栅极13、以及所述显示面板的所述阴极其中之一者。需要说明的是，在实际实施中，所述显示面板包括多个所述薄膜晶体管10、多个所述金属走线60、以及多个所述绑定焊盘30。所述显示面板工作时的所需所述电源以及所述信号均通过各个所述绑定焊盘30自所述显示面板外的覆晶薄膜的柔性电路板接入，并且传输至所述显示面板的所述阴极、以及各个所述薄膜晶体管10的各个所述源极11、各个所述漏极12、以及各个所述栅极13。
所述绑定焊盘30包括第二致密化层，所述第二致密化层具有耐酸性；即所述绑定焊盘30的材料与所述阳极20的所述材料相同。举例而言，第二致密化层包括铟锡氧化物的结晶层，其可以使得整体材料提升耐水汽、耐高温、耐硫化、以及耐氧化等耐受其他元素侵蚀的能力，进而避免采用铜或是铜合金的所述金属走线60与空气直接接触空气而发生氧化。
由于所述绑定焊盘30与所述阳极20被配置由相同材料制成，而第一致密化层21与所述第二致密化层通过同一工序形成，因此绑定焊盘30能够与所述阳极20在同一个制程中形成。因此，相较于现有技术的显示面板额外多一道制造工序使用钼(Mo)或是钼合金制作所述绑定焊盘30，本发明能够减少所述显示面板的一道制造工序和制造材料(如光罩)，大幅度地降低所述显示面板的制造时间以及制造成本。
示例性的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括控制器和如上述的显示面板，所述控制器电连接所述显示面板。其中，显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
示例性的，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括：
S100、提供一基板；
S200、在基板上沉积导电材料层；所述导电材料层分别电性连接所述显示面板的薄膜晶体管10和金属走线60；
S300、对所述导电材料层进行蚀刻图形化，以形成阳极20导电材料层和焊盘导电材料层；
S400、对所述阳极20导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以形成阳极20的第一致密化层21，以及焊盘的第二致密化层。
具体的，在步骤S100中，基板为薄膜晶体管10基板，在薄膜晶体管10基板的制作过程中，首先是在玻璃衬底上形成缓冲层。接着，在所述缓冲层上依序设置所述沟道、所述栅极13绝缘层、所述栅极13、所述源极11、以及所述漏极12，如此形成所述显示面板的所述薄膜晶体管10。
所述金属走线60与所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12在同一道制造工序形成并且彼此电性连接。所述金属走线60用以传输所述显示面板工作时的所需电源以及信号。
所述源极11、所述漏极12、以及所述金属走线60形成后，将会在其上形成所述钝化层40。所述钝化层40覆盖所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12。所述钝化层40既拥有绝缘的效果，同时还赋予所述显示面板在挠曲时的韧性，以保护所述显示面板。
本发明接着在所述钝化层40上形成所述平坦化层50。需要注意的是，所述平坦化层50在形成时，并未覆盖所述显示面板的所述侧边区域。所述显示面板为达成窄边框设计，采用覆晶薄膜技术，因此所述显示面板的所述侧边区域必须预留空间，以提供覆晶薄膜的柔性电路板绑定所述金属走线60。
所述平坦化层50接着被图形化。本发明在所述平坦化层50对应所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者上的位置开设所述第二通孔，以裸露位于所述第二通孔下的所述钝化层40。
所述钝化层40接着被图形化。本发明在所述钝化层40对应所述第二通孔的位置开设所述第一通孔，以裸露所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者。与此同时，本发明还在所述钝化层40对应所述金属走线60上的位置开设所述第三通孔，以裸露位于所述钝化层40下的所述金属走线60。换句话说，所述第一通孔与所述第三通孔通过同一道制程开设。所述第三通孔位于所述显示面板的所述侧边区域，即提供所述覆晶薄膜的所述柔性电路板与所述金属走线60绑定的区域。
由于后续形成的所述阳极20将需要一次穿过所述平坦化层50以及所述钝化层40以电性连接所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者，因此所述显示面板必须提供穿透所述平坦化层50以及所述钝化层40的通孔。然而，现有技术中所述通孔的形成方法是：首先在所述钝化层40形成后先开设一个穿透所述钝化层40的暂时通孔；接着在所述钝化层40上形成所述平坦化层50、填满所述暂时通孔；最后再一次性地曝光、显影所述平坦化层50以一次性地开设贯穿所述平坦化层50以及所述暂时通孔的深孔。可以理解地，所述深孔在开设时制程难度较大，当曝光不完全时，所述平坦化层50的材料将有可能残留在所述深孔中，使得所述深孔开设不完全，容易导致后续形成的所述阳极20产生电信号传输不良的问题。
所述第一通孔与所述第二通孔分别通过两道制程开设。先在所述平坦化层50上开设所述第二通孔，随后才在所述钝化层40上对应所述第二通孔开设所述第一通孔，可以避免现有技术因为对所述平坦化层50开设所述深孔而残留所述平坦化层50的所述材料于所述第二通孔以及所述第一通孔的问题。因此，本发明能够增加所述阳极20与所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者电性连接的良率。
同时，先后在所述平坦化层50以及所述钝化层40上开设孔位重叠的所述第二通孔以及所述第一通孔，借以循序地开设所述深孔。在所述第二通孔开设于所述平坦化层50上后，所述平坦化层50会再进行高温烘烤的制程。由于所述第一通孔尚未开设于所述钝化层40上，因此可以保护所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12，以免其受到氧化等其他元素的侵蚀。
所述阳极20以及所述绑定焊盘30接着形成在所述平坦化层50以及所述钝化层40上。所述阳极20穿过所述第一通孔以及所述第二通孔以电性连接所述薄膜晶体管10的所述源极11以及所述漏极12其中之一者。并且，所述绑定焊盘30穿过所述第三通孔以电性连接所述金属走线60。
在步骤S200中，导电材料层可通过物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)的磁控溅射工艺对材料沉积而成。在步骤S300中，可通过曝光、显影的方式来对导电材料层进行蚀刻图形化，以形成阳极20导电材料层。需要说明，焊盘导电材料层可以无需进行图形化，以增大绑定焊盘30的面积。在步骤S400中，可将显示面板整体放进固化炉进行高温处理，处理温度设置为200℃至300℃，例如可以是200℃、250℃或300℃；和/或，处理时长设置为1小时至3小时，例如可以是1小时、2小时或3小时。
高温退火后的导电材料层可形成致密化层，致密化层具有耐酸性，因此即使导电材料层再次被酸性液体蚀刻，第一致密化层21和第二致密化层也能被有效保留，从而形成结构稳定的绑定焊盘30。
示例性的，请一并参照图2至图4及图6，图2至图4为本申请实施例提供的显示面板的制造过程的结构示意图；图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的细化示意图。
所述导电材料层层包括第一透明材料层、反射材料层和第二透明材料层；
所述在基板上沉积导电材料层的步骤包括：
S210、在所述基板依次沉积所述第一透明材料层、所述反射材料层和所述第二透明材料层；其中，所述第一透明材料层受热后可结晶；
所述对所述阳极20导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤包括：
S410、对所述阳极20导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以使第一透明材料层结晶致密化。
示例性的，所述对所述阳极20导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤之后，还包括步骤：
S500、对所述焊盘导电材料层进行蚀刻，以蚀刻掉所述焊盘导电材料层的反射材料层和第二透明材料层。
第一透明材料层可以选用铟锡氧化物(ITO)，铟锡氧化物在高温处理后能结晶固化，从而能形成结构稳定的绑定焊盘30。反射材料层可以选用银金属，以提高反射材料层对光线的反射率。第二透明材料层可以选用铟锌氧化物层(IZO)，铟锌氧化物层在高温处理后不会结晶固化，从而能在后续的蚀刻工序中被蚀刻掉，使得绑定焊盘30只剩下第一致密化层21。
示例性的，所述对所述导电材料层进行蚀刻图形化的步骤包括：
S310、利用灰阶光罩70对导电材料层进行曝光；所述灰阶光罩70包括透光区域71和半透光区域72；
S320、对曝光后的导电材料层进行蚀刻，以形成与透光区域71对应的阳极20导电材料层，和与半透光区域72对应的焊盘导电材料层。
具体的，显示面板包括显示区和绑定区，透光区域71对应显示区，半透光区域72对应绑定区。灰阶光罩70为正性光刻胶，也就是说，曝光后导电材料层未被灰阶光罩70罩盖的部分在曝光、显影后会被溶解；因此，通过在事先在灰阶光罩70的透光区域71形成阳极20图形，可使显示区在曝光、显影后能形成对应图形的阳极20导电材料层。受灰阶光罩70的半透光区域72影响，绑定区在曝光过程中只有第二透明材料层和反射材料层受到曝光作用的影响。可以理解，在曝光后的第一次蚀刻是为了得到阳极20导电材料层的图形，而焊盘导电材料层可以无需形成图形。
在第一次蚀刻得到位于显示区的阳极20导电材料层后，再经过步骤S410，显示区和绑定区的第一透明材料层都会结晶致密化；需要说明的是，结晶致密化并不会影响第一透明材料层作为阳极20的性能。
第一透明材料层结晶致密化后，利用酸性溶液(如银酸)对导电材料层进行第二次蚀刻，由于显示区形成阳极20图形的反射材料层和第二透明材料层并没有被曝光，因此在第二次蚀刻中不会被蚀刻掉，从而使阳极20导电材料层的反射材料层和第二透明材料层能被保留。而绑定区的反射材料层和第二透明材料层在第一次蚀刻钱就已被曝光，因此在第二次蚀刻中会被酸性溶液蚀刻掉；而绑定区的第一透明材料层既未被曝光，又通过高温处理结晶致密化，因此不会容酸性溶液影响，能在第二次蚀刻中有效保留形成绑定焊盘30。
为了减少灰阶光罩70对第二次蚀刻效果的影响，示例性的，在步骤S500之前，还可包括步骤S420：去掉灰阶光罩70的半透光区域72。如此，可使绑定区的反射材料层和第二透明材料层能被更彻底地蚀刻掉，以提高绑定焊盘30的结构稳定性。
本申请实施例提供的显示面板，将阳极20和绑定焊盘30均设置为具有耐酸性的致密化层，能避免阳极20或绑定焊盘30氧化或硫化而发生失效的问题，以提高绑定焊盘30的结构稳定性。此外，阳极20和绑定焊盘30可由相同材料制成，即可由相同材料通过同一工序制成，从而可无需在制成阳极20后再另外制备绑定焊盘30。因此，相较于现有技术的显示面板额外多一道制造工序使用钼或是钼合金制作绑定焊盘30，本发明能够减少所述显示面板的制造工序和所需制造材料，大幅度地降低所述显示面板的制造时间以及制造成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。以上对本申请实施例所提供的显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阳极，电性连接所述显示面板的薄膜晶体管，所述阳极包括第一致密化层，所述第一致密化层具有耐酸性；以及
绑定焊盘，电性连接所述显示面板的金属走线，所述绑定焊盘包括第二致密化层，所述第二致密化层具有耐酸性；所述第一致密化层与所述第二致密化层通过同一工序形成。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一致密化层和第二致密化层包括铟锡氧化物的结晶层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阳极还包括反射层和透明导电氧化物层，所述反射层设于所述第一致密化层层背离所述薄膜晶体管的一侧，所述透明导电氧化物层设于所述反射层背离所述第一致密化层的一侧。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括钝化层和平坦化层，所述钝化层设于所述薄膜晶体管上，并且覆盖所述薄膜晶体管，所述钝化层包括开设于所述薄膜晶体管上的第一通孔；所述平坦化层设置于所述钝化层上，所述平坦化层包括对应所述第一通孔的第二通孔；
其中，所述阳极穿过所述第一通孔以及所述第二通孔以电性连接所述薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述金属走线与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，所述绑定焊盘通过所述金属走线电性连接所述薄膜晶体管；
其中，所述钝化层还包括开设于所述金属走线上的第三通孔，所述绑定焊盘穿过所述第三通孔以电性连接所述金属走线。
6.一种显示装置，其特征在于，包括控制器和如权利要求1至5任一项所述的显示面板，所述控制器电连接所述显示面板。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在基板上沉积导电材料层；所述导电材料层分别电性连接所述显示面板的薄膜晶体管和金属走线；
对所述导电材料层进行蚀刻图形化，以形成阳极导电材料层和焊盘导电材料层；
对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以形成阳极的第一致密化层，以及焊盘的第二致密化层。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述导电材料层层包括第一透明材料层、反射材料层和第二透明材料层；
所述在基板上沉积导电材料层的步骤包括：
在所述基板依次沉积所述第一透明材料层、所述反射材料层和所述第二透明材料层；其中，所述第一透明材料层受热后可结晶；
所述对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤包括：
对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理，以使第一透明材料层结晶致密化。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤之后，还包括步骤：
对所述焊盘导电材料层进行蚀刻，以蚀刻掉所述焊盘导电材料层的反射材料层和第二透明材料层。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述对所述导电材料层进行蚀刻图形化的步骤包括：
利用灰阶光罩对导电材料层进行曝光；所述灰阶光罩包括透光区域和半透光区域；
对曝光后的导电材料层进行蚀刻，以形成与透光区域对应的阳极导电材料层，和与半透光区域对应的焊盘导电材料层。
11.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在对所述阳极导电材料层和所述焊盘导电材料层进行高温退火处理的步骤中，处理温度设置为200℃至300℃；和/或，处理时长设置为1小时至3小时。
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