CN106531763A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括基底、显示结构和导电线。基底包括具有多个像素区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域。像素区域中的每个具有子像素区域和透明区域。显示结构设置在显示区域的像素区域中的每个像素区域中。导电线设置在外围区域中，并且电连接到显示结构。导电线具有至少一个开口。

Description

显示装置
技术领域
示例实施例总体涉及电子装置。更具体地讲，本发明构思的实施例涉及显示装置。
背景技术
因为平板显示(FPD)装置相比于阴极射线管(CRT)显示装置而言是重量轻且薄的，所以FPD装置被广泛地用作电子装置的显示装置。FPD装置的典型示例是液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。相比于LCD装置，OLED装置具有许多优势，诸如较高亮度和较广视角。此外，由于OLED装置不需要背光，所以OLED装置可以被较薄地制成。在OLED装置中，电子和空穴通过阴极和阳极注入到有机薄层中，然后在有机薄层中复合以生成激子，从而可以发射一定波长的光。
近来，已经开发了通过包括透明区域而能够透射位于显示装置的后面(或背面)的对象(或目标)的图像的透明显示装置。这里，尽管具有透明区域和像素区域的显示区域是透明的，但是围绕显示区域的外围区域可以是不透明的。例如，多条导电线(例如，扫描线、数据线、电源电压线等)可以设置在外围区域中，导电线可以是不透明的。此外，在OLED装置的情况下，用于密封上基底和下基底的密封构件可以是不透明的。结果，显示区域和外围区域两者可能不是透明的。
发明内容
一些示例实施例提供了一种包括具有至少一个开口的导电线的显示装置。
根据示例实施例的一个方面，显示装置包括基底、显示结构和导电线。基底包括具有多个像素区域的显示区域以及围绕显示区域的外围区域。像素区域中的每个具有子像素区域和透明区域。显示结构设置在显示区域的像素区域中的每个中。导电线设置在外围区域中，并且电连接到显示结构。导电线具有至少一个开口。
在示例实施例中，导电线的开口可以包括第一开口至第N开口，其中，N为大于1的整数，并且导电线可以在第一方向上通过开口而空间地分隔开。
在示例实施例中，围绕第一开口至第N开口之中的第K开口的导电线可以包括与第K开口相邻的第一边缘部分以及围绕第一边缘部分的第二边缘部分，其中，K为在1与N之间的整数。
在示例实施例中，显示装置还可以包括覆盖第一边缘部分和第二边缘部分中的每个的绝缘图案。设置在第一边缘部分中的绝缘图案可以在第一方向上与设置在第二边缘部分中的绝缘图案分隔开。
在示例实施例中，显示装置还可以包括绝缘图案，该绝缘图案覆盖第一开口至第N开口之中的第K开口的侧壁部分和边缘部分，并且覆盖围绕第K开口的导电线的侧壁部分和边缘部分，其中，K为在1与N之间的整数。
在示例实施例中，外围区域可以包括：不透明区域，设置有导电线；开口区域，导电线的开口位于开口区域。绝缘图案可以暴露导电线的上表面的至少一部分，并且可以与不透明区域的至少一部分以及开口区域的至少一部分叠置。
在示例实施例中，显示装置还可以包括位于基底上的第一包封层以及位于第一包封层上的第二包封层。第一包封层和第二包封层可以交替地并重复地布置。第一包封层可以包括无机材料，并且可以覆盖导电线。第二包封层可以包括有机材料，并且可以与导电线的至少一部分叠置。
在示例实施例中，导电线的第一开口至第N开口可以在第一方向以及垂直于第一方向的第二方向上规则地布置，其中，N为大于1的整数。导电线可以具有网状结构。
在示例实施例中，布置在第二方向上的开口可以整体地形成，并且可以在平面图中具有条状。
在示例实施例中，导电线可以包括第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线以及第一水平延长线至第(L+1)水平延长线。第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线可以在第二方向上延伸，并且可以在第一方向上重复地布置，其中，M为大于1的整数。第一水平延长线至第(L+1)水平延长线可以在第一方向上延伸，并且可以在第二方向上重复地布置，其中，L为大于1的整数。第一开口至第N开口之中的第K开口可以由第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线之中的第G竖直延长线和第(G+1)竖直延长线以及第一水平延长线至第(L+1)水平延长线之中的第H水平延长线和第(H+1)水平延长线来限定，其中，G为在1与M+1之间的整数，H为在1与L+1之间的整数。
在示例实施例中，外围区域可以包括第一区域和第二区域。第一区域可以位于外围区域的最外侧。第二区域可以在第一区域与显示区域之间位于邻近显示区域处，并且可以围绕显示区域。
在示例实施例中，显示装置还可以包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案位于竖直延长线之中的位于第一区域的最外侧的第一竖直延长线的上表面上中。第一阻挡图案可以与覆盖第一竖直延长线的边缘部分中的每个边缘部分的绝缘图案中的每个绝缘图案分隔开，并且可以具有预定高度。
在示例实施例中，显示装置还可以包括与第一阻挡图案邻近的至少一个第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案可以设置在导电线上并彼此规则地分隔开，第二阻挡图案以及与第二阻挡图案邻近的绝缘图案可以彼此分隔开。
在示例实施例中，显示结构可以包括：半导体元件，具有位于基底上的有源层、位于有源层上的栅电极以及位于栅电极上的源电极和漏电极；下电极，位于半导体上；像素限定层，部分地暴露下电极；发光层，位于下电极上；上电极，位于发光层上。
在示例实施例中，导电线以及源电极和漏电极可以通过使用相同的材料而同时形成。
在示例实施例中，显示装置还可以包括与第二区域中的导电线的至少一部分叠置的导电图案。导电图案可以电连接到上电极。上电极可以暴露透明区域，透明区域的面积可以与位于导电线中的开口的面积相同。
在示例实施例中，导电图案可以覆盖导电图案与导电线叠置的部分中的导电线，并且可以暴露导电线的开口。导电图案可以具有网状结构。
在示例实施例中，显示装置还可以包括：附加绝缘图案，覆盖导电线与导电图案叠置的部分中的导电图案的边缘部分中的每个。附加绝缘图案可以暴露导电图案的上表面的至少一部分，并且附加绝缘图案和像素限定层可以通过使用相同的材料而同时形成。
在示例实施例中，显示装置还可以包括位于外围区域中且在导电线与显示结构之间的至少一条附加导电线。附加导电线可以具有至少一个开口。
由于根据示例实施例的显示装置包括具有至少一个开口的导电线，因此显示装置可以透射外围区域中的位于显示装置后面的对象的图像。
附图说明
根据下面结合附图进行的描述，可以更详细地理解示例实施例，在附图中：
图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图；
图2是沿着图1的线I-I’截取的剖视图；
图3是用于描述图2的显示装置中包括的导电线的平面图；
图4是用于描述图2的显示装置中包括的导电线的透视图；
图5是用于描述图2的显示装置中包括的导电图案的平面图；
图6是沿着图3的线VI-VI’截取的剖视图；
图7是示出图6中示出的导电线的另一个示例的剖视图；
图8是用于描述图6中示出的导电线的平面图；
图9和图10是示出根据一些示例实施例的显示装置中包括的导电线的平面图；
图11、图12、图13、图14、图15和图16是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细说明本发明构思的实施例。
图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置100可以包括显示区域10和外围区域20。显示区域10(例如，有源区域)可以具有多个像素区域，像素区域中的每个可以具有子像素区域和透明区域。在示例实施例中，一个像素区域可以具有三个子像素区域和一个透明区域，但是不限于此。在一些示例实施例中，例如，多个像素区域可以对应于一个透明区域。
显示结构可以设置在显示区域10中。例如，一个显示结构可以设置在显示区域10的一个子像素区域中。显示结构中包括的子像素可以发光。透明区域可以透射位于显示装置100的后面的对象的图像。
导电线(例如，扫描线、数据线、电源电压线等)可以设置在外围区域20中。这里，导电线可以电连接到显示结构。在示例实施例中，导电线可以具有至少一个开口。由于开口位于导电线中，所以显示装置100的外围区域20可以透射位于显示装置100的后面的对象的图像。因此，显示装置100可以在显示区域10和外围区域20两者中透射位于显示装置100的后面的对象的图像。可选择地，电路单元可以设置在外围区域20的一部分中，外围区域20的一部分可以是不透明的。此外，图1中示出的显示区域10和外围区域20的形状可以具有基本上的四方形状(或基本上的矩形形状)，但是不限于此。例如，显示区域10和外围区域20的形状可以具有基本上的三角形形状、基本上的菱形形状、基本上的多边形形状、基本上的圆形形状、基本上的轨道形状或基本上的椭圆形形状的平面形状。
图2是沿着图1的线I-I’截取的剖视图，图3是用于描述图2的显示装置中包括的导电线的平面图。图4是用于描述图2的显示装置中包括的导电线的透视图，图5是用于描述图2的显示装置中包括的导电图案的平面图。
参照图2至图5，显示装置100可以包括基底110、显示结构、栅极绝缘层150、绝缘间层190、平坦化层270、导电线350、像素限定层310、导电图案470、阻挡结构450、绝缘图案490、透明窗口325、包封结构400等。这里，显示结构可以包括半导体元件250、下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。包封结构400可以包括第一包封层385、390和395以及第二包封层370和375。此外，阻挡结构450可以包括第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465。
如上所述，显示装置100可以包括具有多个像素区域II的显示区域和外围区域III。一个像素区域II可以具有子像素区域IV和透明区域V。半导体元件250、下电极290、发光层330和上电极340的一部分可以设置在子像素区域IV中。此外，透明窗口325可以位于透明区域V中。
例如，显示图像可以显示在子像素区域IV中，位于显示装置100的后面的对象的图像可以在透明区域V中透射。此外，在外围区域III中，位于显示装置100的后面的对象的图像可以透过位于导电线350中的开口。由于显示装置100包括具有开口的导电线350，因此显示装置100可以用作能够使位于显示装置100的后面的对象的图像透过像素区域II和外围区域III的透明显示装置。
显示结构可以设置在基底110上。基底110可以由透明材料形成。例如，基底110可以包括石英基底、合成的石英基底、氟化钙基底、氟掺杂石英基底、碱石灰玻璃基底、无碱基底等。可选择地，基底110可以由柔性透明材料(诸如柔性透明树脂基底)形成。
例如，聚酰亚胺基底可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。由于聚酰亚胺基底是相对薄且柔性的，因此聚酰亚胺基底可以设置在刚性玻璃基底上，以有助于支撑显示结构的形成。即，基底110可以具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在制造显示装置100时，在聚酰亚胺基底的第二聚酰亚胺层上设置绝缘层之后，可以在绝缘层上设置显示结构(例如，半导体元件250、下电极290、发光层330、上电极340等)。在绝缘层上形成显示结构之后，可以去除聚酰亚胺基底设置在其下方的刚性玻璃基底。因为聚酰亚胺基底是相对薄且柔性的，所以可能会难以将显示结构直接形成在聚酰亚胺基底上。因此，显示结构形成在刚性玻璃基底上层压的聚酰亚胺基底上，然后聚酰亚胺基底可以在去除刚性玻璃基底之后用作显示装置100的基底110。由于显示装置100包括像素区域II和外围区域III，因此基底110也可以包括像素区域II和外围区域III。
缓冲层(未示出)可以设置在基底110上。缓冲层可以在基底110上沿着第一方向从外围区域III向像素区域II延伸。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底110扩散。此外，缓冲层可以在用于形成有源层130的结晶工艺中控制热传递速率，从而获得基本均匀的有源层130。此外，当基底110的表面相对不平坦时，缓冲层可以改善基底110的表面平坦度。根据基底110的类型，可以在基底110上设置至少两个缓冲层，或者可以不形成缓冲层。
半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。例如，有源层130可以设置在子像素区域IV中且在基底110上。有源层130可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成。
栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以覆盖子像素区域IV中的有源层130，并且可以在基底110上沿着第一方向延伸。即，栅极绝缘层150可以设置在整个基底110上。在示例实施例中，栅极绝缘层150可以充分地覆盖有源层130。栅极绝缘层150可以具有围绕有源层130的基本平坦的表面而没有台阶。可选择地，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并且可以沿着有源层130的轮廓设置为基本均匀的厚度。栅极绝缘层150可以由硅化合物、金属氧化物等形成。
栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的有源层130位于其下方的部分上，以与有源层130叠置。栅电极170可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
绝缘间层190可以设置在栅电极170上。绝缘间层190可以覆盖子像素区域IV中的栅电极170，并且可以在基底110上沿着第一方向延伸。在示例实施例中，绝缘间层190可以充分地覆盖栅电极170。绝缘间层190可以具有围绕栅电极170的基本平坦的表面而没有台阶。可选择地，绝缘间层190可以覆盖栅电极170，并且可以沿着栅电极170的轮廓设置为基本均匀的厚度。即，绝缘间层190可以设置在整个基底110上。绝缘间层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。
源电极210和漏电极230可以设置在子像素区域IV中且在绝缘间层190上。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘间层190的一部分而形成的接触孔来与有源层130的第一侧接触。漏电极230可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘间层190的第二部分而形成的接触孔来与有源层130的第二侧接触。源电极210和漏电极230中的每个可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
导电线350可以设置在外围区域III中且在绝缘间层190上。导电线350可以包括从扫描线、数据线、电源电压线(例如，高电源电压线、低电源电压线、初始电压线)中选择的至少一种。这里，扫描线可以将扫描信号提供给像素区域II中设置的半导体元件，数据线可以将数据信号提供给像素区域II中设置的半导体元件。电源电压线可以将电源电压提供给像素区域II中设置的半导体元件。在示例实施例中，导电线350可以是低电源电压线。如图3和图4中所示，导电线350可以具有包括多个第一开口355的网状结构。位于显示装置100的后面的对象的图像可以透过第一开口355。此外，导电线350可以通过导电图案470电连接到上电极340，导电线350可以通过导电图案470将低电源电压提供给上电极340。
在一些示例实施例中，还可以在外围区域III中在导电线350与半导体元件250之间在同一水平处设置至少一条附加导电线。例如，导电线350可以是低电源电压线，在外围区域III中形成在导电线350与半导体元件250之间的附加导电线可以包括高电源电压线、初始电压线、扫描线、数据线等。附加导电线可以具有至少一个开口，导电线350和附加导电线可以通过使用相同的材料来同时形成。位于显示装置100的后面的对象的图像可以透过附加导电线的开口。
在一些示例实施例中，还可以在外围区域III中在导电线350与半导体元件250之间在不同水平处设置至少一条附加导电线。例如，当附加导电线和导电线350执行相同的功能时，附加导电线可以设置在导电线350的下面。附加导电线和导电线350可以彼此电连接，附加导电线和栅电极170可以设置在同一水平处。这里，附加导电线可以具有至少一个开口，该开口可以与导电线350的第一开口355叠置。可选择地，当附加导电线和导电线350执行不同的功能时，附加导电线可以不设置在导电线350的下面。附加导电线和栅电极170可以设置在同一水平处。即，为了防止附加导电线和导电线350之间的耦合现象，附加导电线和导电线350可以不彼此叠置。
导电线350的第一开口355可以规则地布置。在示例实施例中，第一开口355中的每个的面积(例如，形状、尺寸)可以与下面将描述的透明窗口325的面积基本相同。例如，当第一开口355中的每个的面积与透明窗口325的面积不同时，位于显示装置100的后面的对象的图像会扭曲。因此，由于第一开口355中的每个的面积与透明窗口325的面积相等地形成，所以可以提高显示装置100的可见性。可选择地，可以不规则地布置第一开口355，第一开口355的面积可以与透明窗口325的面积不同。
导电线350可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，导电线350可以包括铝(Al)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、银合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或以其适当的组合来使用。导电线350、源电极210和漏电极230可以通过使用相同的材料来同时地(例如，同步地)形成。在这种情况下，导电线350、源电极210和漏电极230可以设置在同一水平处。可选择地，导电线350和栅电极170可以通过使用相同的材料来同时形成。在这种情况下，导电线350和栅电极170可以设置在同一水平处。
平坦化层270可以设置在外围区域III的一部分和像素区域II中且在源电极210和漏电极230上。平坦化层270可以覆盖像素区域II中的源电极210和漏电极230以及像素区域II与外围区域III之间的边界，并且可以在基底110上的外围区域III的一部分中沿着第一方向延伸。即，平坦化层270可以设置在像素区域II中的整个基底110上。在示例实施例中，平坦化层270可以充分覆盖源电极210和漏电极230。平坦化层270可以具有围绕源电极210和漏电极230的基本平坦的表面而没有台阶。可选择地，平坦化层270可以覆盖源电极210和漏电极230，并且可以沿着源电极210和漏电极230的轮廓设置为基本均匀的厚度。在一些示例实施例中，平坦化层270可以设置在导电线350的设置在外围区域III中的部分上。平坦化层270可以包括硅化合物、金属氧化物、聚合物(诸如光致抗蚀剂)等。
下电极290可以设置在子像素区域IV中且在平坦化层270上。下电极290可以经由通过去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来与源电极210接触。此外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
导电图案470可以设置在外围区域III中且在平坦化层270的一部分和导电线350的一部分上。导电图案470可以与下电极290分隔开，并且可以在外围区域III中沿着平坦化层270和导电线350的轮廓设置为基本均匀的厚度。
在示例实施例中，如图5中所示，导电图案470可以具有多个第二开口475。例如，导电图案470可以与导电线350的至少一部分叠置。在导电图案470与导电线350叠置的部分中，导电线350的第一开口355与导电图案470的第二开口475可以基本叠置，导电图案470可以围绕导电线350。在叠置的部分(例如，第二区域)中，由于导电图案470围绕导电线350，因此位于导电图案470与导电线350叠置的部分中的第二开口475的尺寸可以小于位于导电图案470与导电线350不叠置的部分中的第一开口355的尺寸。具体地讲，导电图案470可以覆盖叠置部分中的导电线350的上表面、导电线350的侧壁部分以及导电线350的边缘部分，并且可以暴露第一开口355。换句话讲，导电图案470可以覆盖叠置部分中的整个导电线350。
导电线350可以通过导电图案470电连接到上电极340。例如，具有薄厚度的上电极340不直接连接到导电线350，而是可以通过使用具有高导电率的导电图案470来电连接到导电线350。即，导电图案470的第一侧可以与导电线350的至少一部分(例如，叠置的部分)直接接触，导电图案470的第二侧可以与上电极340直接接触。因此，低电源电压ELVSS可以通过导电图案470而施加到上电极340。此外，尽管导电图案470具有图2中示出的平坦化层270的侧壁中的第二开口475，但导电图案470可以被电连接。例如，在其他剖视图中，导电图案470可以具有条状，可以不示出第二开口475(参照图5)。
导电图案470可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，导电图案470可以包括Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO、IZO等。这些可以单独使用或以其适当的组合来使用。导电图案470和下电极290可以通过使用相同的材料来同时地形成。
在像素区域II中，像素限定层310可以在平坦化层270上暴露下电极290的位于子像素区域IV中的一部分，并且可以在平坦化层270上暴露平坦化层270的位于透明区域V中的一部分。发光层330可以设置在下电极290的暴露在子像素区域IV中的部分中，透明窗口325可以位于平坦化层270的暴露在透明区域V中的部分中。可选择地，为了提高显示装置100的透射率，可以去除透明区域V中的栅极绝缘层150、绝缘间层190和平坦化层270。像素限定层310可以包括有机材料或无机材料。在示例实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。例如，像素限定层310可以由聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等形成。
绝缘图案490可以设置在外围区域III中且在导电线350上。绝缘图案490可以覆盖在第一区域(例如，导电图案470未设置在导电线350上的区域)中设置的导电线350的边缘部分和两个侧壁部分(或者两个侧壁、两个侧面部分等)。即，绝缘图案490可以暴露位于第一区域中的导电线350的上表面中的每个的至少一部分。换句话讲，绝缘图案490可以覆盖位于第一区域中的一个开口355的侧壁部分(或侧壁、侧壁部分等)和边缘部分，并且可以覆盖围绕开口355的导电线350的侧壁部分和边缘部分。可选择地，绝缘图案490可以覆盖导电线350的设置在第一区域中的边缘部分，并且可以暴露导电线350的两个侧壁部分。同时，绝缘图案490(例如，绝缘图案490设置在第二区域中的附加绝缘图案)可以覆盖设置在不同于第一区域的第二区域(例如，导电线350与导电图案470叠置的区域)中的导电图案470(其中，导电线350位于导电图案470下面)的边缘部分和两个侧壁部分。即，绝缘图案490(或附加绝缘图案)可以暴露第二区域中设置的导电图案470的上表面中的每个的至少一部分。换句话讲，绝缘图案490(或附加绝缘图案)可以覆盖位于第二区域中的一个开口475的侧壁部分和边缘部分，并且可以覆盖围绕开口475的导电图案470的侧壁部分和边缘部分。可选择地，绝缘图案490可以覆盖设置在第二区域中的导电图案470的边缘部分，可以暴露导电图案470的两个侧壁部分。在一些示例实施例中，绝缘图案490可以设置在第一开口355的至少一部分中。
当绝缘图案490不覆盖边缘部分时，在图案化的金属层(例如，导电线350和导电图案470的边缘部分)中生成颗粒，显示装置100可能会被颗粒损坏。因此，在金属层被图案化之后，可以执行使绝缘层覆盖图案化的金属层的边缘部分的工艺以防止金属的边缘部分中的颗粒的产生。在示例实施例中，绝缘图案490可以覆盖导电线350和导电图案470中的每个的边缘部分。
绝缘图案490可以包括无机材料。例如，绝缘图案490可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧碳化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)等形成。另一方面，绝缘图案490可以包括有机材料。例如，绝缘图案490可以由聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等形成。在示例实施例中，绝缘图案490可以包括有机材料，绝缘图案490和像素限定层310可以通过使用相同的材料而同时形成。例如，当绝缘图案490和像素限定层310同时形成时，绝缘图案490和像素限定层310可以在预备像素限定层设置在基底110上之后通过使预备像素限定层图案化来设置。可选择地，绝缘图案490和平坦化层270可以同时形成。当绝缘图案490和平坦化层270同时形成时，绝缘图案490和平坦化层270可以在预备平坦化层设置在基底110上之后通过使预备平坦化层图案化来设置。在这种情况下，由于绝缘图案490在导电图案470之前形成，因此导电图案470可以设置在绝缘图案490上。
在示例实施例中，绝缘图案490可以不连续地(或间断地)设置在外围区域III中，使得绝缘图案490暴露导电线350的上表面中的每个的至少一部分。结果，湿气或水不会渗入像素区域II中。例如，当绝缘层具有有机材料并且连续地设置在导电线上时，湿气或水可以通过绝缘图案而渗入到像素区域II中。因此，根据示例实施例的绝缘图案490可以在基底110上在外围区域III中彼此分隔开。
发光层330可以设置在下电极290的至少一部分上。发光层330可以根据子像素而使用能够生成不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光和绿色的光等)的发光材料中的至少一种材料来形成。可选择地，发光层330通常可以通过堆叠能够生成不同颜色的光(诸如，红色的光、绿色的光、蓝色的光等)的多种发光材料来生成白色的光。
上电极340可以设置在像素限定层310、发光层330以及导电图案470的一部分上，并且可以不设置在透明区域V中。上电极340可以在除了透明区域V之外的像素区域II中覆盖像素限定层310和发光层330，并且可以在基底110上沿着第一方向延伸。由于上电极340不设置在透明区域V中，因此可以增大显示装置100的像素区域II的透射率。如上所述，低电源电压可以通过导电线350和导电图案470而施加到上电极340。上电极340可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以其适当的组合来使用。
阻挡结构450可以设置在导电线350的最外侧(例如，第一区域的最外侧)。阻挡结构450可以包括第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465。在示例实施例中，阻挡结构450可以设置在导电线350的上表面上。此外，阻挡结构450可以与覆盖导电线350的边缘部分的绝缘图案490分隔开，其中，阻挡结构450设置在导电线350的上面。即，尽管绝缘图案490和阻挡结构450设置在导电线350中，但是绝缘图案490和导电线350设置处的导电线350的上表面的至少一部分可以被暴露。此外，阻挡结构450可以具有能够最终阻挡第二包封层370和375的泄漏(或溢出)的预定高度。
在示例实施例中，第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465可以在导电线350的最外侧彼此邻近。然而，第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465的位置不限于此。例如，可以适当设置第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465中的每个的位置，使得在导电线350上阻挡第二包封层370和375的泄漏。
阻挡结构450可以包括无机材料或有机材料。在示例实施例中，绝缘图案490可以包括有机材料，阻挡结构450、绝缘图案490和像素限定层310可以通过使用相同的材料而同时形成。可选择地，可以在阻挡结构450上附加地设置间隔件，以获得能够阻挡第二包封层370和375的泄漏的预定高度。
第一阻挡图案至第三阻挡图案445、455和465中的每个可以在导电线350上在外围区域III中彼此分隔开，使得第一阻挡图案至第三阻挡图案445、455和465中的每个暴露导电线350的开口355。因此，湿气或水不会渗入到像素区域II中。
包封结构400可以设置在上电极340、导电图案470和导电线350上。包封结构400可以包括至少一个第一包封层385和至少一个第二包封层370。例如，第二包封层370可以设置在第一包封层385上。第一包封层385和第二包封层370可以交替地并重复地布置。在示例实施例中，第一包封层385可以设置在上电极340、导电图案470、导电线350、绝缘图案490和阻挡结构450上。第一包封层385可以覆盖上电极340、导电图案470、导电线350、绝缘图案490和阻挡结构450，并且可以沿着上电极340、导电图案470、导电线350、绝缘图案490和阻挡结构450的轮廓设置为基本均匀的厚度。第一包封层385可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗入而劣化。此外，第一包封层385可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第一包封层385可以包括无机材料。
第二包封层370可以设置在外围区域III的一部分和像素区域II中且在第一包封层385上。第二包封层370可以改善显示装置100的表面平坦度，并且可以保护像素区域II中的显示结构。第二包封层370可以包括有机材料。
第一包封层390可以设置在外围区域III中设置的第一包封层385和第二包封层370上。第一包封层390可以覆盖在外围区域III中设置的第一包封层385和第二包封层370，并且可以沿着在外围区域III中设置的第一包封层385和第二包封层370的轮廓设置为基本均匀的厚度。第一包封层390与第一包封层385和第二包封层370一起可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗入而劣化。此外，第一包封层390与第一包封层385和第二包封层370一起可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第一包封层390可以包括无机材料。
第二包封层375可以设置在外围区域III的一部分和像素区域II中且在第一包封层390上。第二包封层375可以执行与第二包封层370的功能基本相同或类似的功能，第二包封层375可以包括与第二包封层370的材料基本相同或类似的材料。第一包封层395可以设置在第二包封层375上。第一包封层395可以执行与第一包封层385和390的功能基本相同或类似的功能，第一包封层395可以包括与第一包封层385和390的材料基本相同或类似的材料。可选择地，包封结构400可以具有包括第一包封层385、第二包封层370和第一包封层390的三层结构或者包括第一包封层385、第二包封层370、第一包封层390、第二包封层375、第一包封层395、附加第一包封层和附加第二包封层的七层结构。
在一些示例实施例中，包封结构可以设置在上电极340、第二包封层370和导电线350上。包封基底和基底110可以包括基本相同的材料。例如，包封基底可以由石英、合成石英、氟化钙、氟掺杂石英、碱石灰玻璃、无碱玻璃等形成。在这种情况下，当使用包封基底时，可以执行密封工艺以将基底110与包封基底结合。例如，可以将密封剂插入基底110与包封基底之间的两侧部分。密封剂可以包括玻璃料等。基底和包封基底可以通过激光照射而彼此结合。这里，激光可以照射到密封剂中。在激光照射过程中，密封剂的相可以从固相改变为液相。然后，具有液相的密封剂可以被固化，使得密封剂可以在预定时间之后再次具有固相。根据密封剂的相变，基底可以与包封基底结合。基底与包封基底的密封结合可以保护显示装置100不受水、湿气、氧等的渗透的影响。显示装置100不会被水、湿气、氧等劣化。然而，密封剂可以是不透明的，在显示装置100中，设置密封剂的部分可以是不透明的。可选择地，当使用透明密封材料时，设置密封剂的部分可以是透明的。
根据示例实施例的显示装置100包括具有第一开口355的导电线350和具有第二开口475的导电图案470。因此，显示装置100可以用作能够透射外围区域III中位于显示装置100的后面的对象的图像的透明显示装置。此外，由于显示装置100包括覆盖导电线350的边缘部分使得导电线350的上表面部分地暴露的绝缘图案490，因此湿气、水、氧不会渗入到像素区域II中。
图6是沿着图3的线VI-VI’截取的剖视图，图7是示出图6中示出的导电线的另一个示例的剖视图。图8是用于描述图6中示出的导电线的平面图。
参照图2、图3、图6和图7，显示装置100可以包括基底110、显示结构、栅极绝缘层150、绝缘间层190、平坦化层、导电线350、像素限定层、导电图案470、阻挡结构450、绝缘图案490、透明窗口、包封结构等。这里，显示结构可以包括半导体元件、下电极、发光层、上电极，半导体元件可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。包封结构可以包括第一包封层和第二包封层。此外，阻挡结构450可以包括第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465。
如上所述，显示装置100可以包括像素区域和外围区域III。像素区域可以包括子像素区域和透明区域。半导体元件、下电极、发光层和上电极的一部分可以设置在子像素区域中。此外，透明窗口可以位于透明区域中。
例如，显示图像可以在子像素区域中显示，位于显示装置100后面的对象的图像可以在透明区域V中透射。此外，在外围区域III中，位于显示装置100后面的对象的图像可以透过位于导电线350中的第一开口355。由于显示装置100包括具有第一开口355的导电线350，因此显示装置100可以用作能够使位于显示装置100后面的对象的图像透过像素区域和外围区域III的透明显示装置。
如图6中所示，外围区域III可以包括第一区域VII和第二区域VIII。第一区域VII可以位于外围区域III的最外面(例如，显示装置100的最外侧)，并且可以围绕第二区域VIII。第二区域VIII可以位于邻近像素区域处，并且可以围绕像素区域。这里，第二区域VIII可以是导电线350和导电图案470叠置的区域。
例如，如图3中所示，导电线350的第一开口355可以包括第一开口至第N开口，其中，N为大于1的整数。第一开口至第N开口可以在与基底110的上表面平行的第一方向(例如，行方向)上以及与第一方向垂直的第二方向(例如，列方向)上规则地布置。当第一开口至第N开口包括第一方向上的M列和第二方向上的L行时，第一开口至第N开口的数量可以是M×L，其中，M为大于1的整数且L为大于1的整数。导电线350可以具有包括M×L个开口的网状结构。即，导电线350可以通过第一开口至第N开口而空间地分开(或分离)。可选择地，第一开口355可以不规则地布置。
再次参照图3，导电线350可以包括第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410以及第一水平延长线至第(L+1)水平延长线430。第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410可以在第二方向上延伸，并且可以在第一方向上重复地布置。第一水平延长线至第(L+1)水平延长线430可以在第一方向上延伸，并且可以在第二方向上重复地布置。第一开口至第N开口之中的第K开口由第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第G竖直延长线和第(G+1)竖直延长线410以及第一水平延长线至第(L+1)水平延长线430之中的第H水平延长线和第(H+1)水平延长线430来限定，其中，K为1与N之间的整数，G为1与M+1之间的整数，H为1与L+1之间的整数。
再次参照图6，在示例实施例中，第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第一竖直延长线410可以设置在第一区域VII的最外侧，第一阻挡图案445可以设置在第一竖直延长线410上。类似地，第二阻挡图案455可以设置在第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第二竖直延长线410上，第三阻挡图案465可以设置在第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第三竖直延长线410上。在示例实施例中，阻挡结构450可以具有三个阻挡图案，但是不限于此。在一些示例实施例中，例如，阻挡结构450还可以包括至少一个或更多个阻挡图案。此外，设置在第一区域VII中的导电线350可以具有三条竖直延长线410，但是不限于此。例如，导电线350还可以包括第一区域VII中的至少一条或更多条竖直延长线410。此外，如图7中所示，可以适当地设置第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465，使得在导电线350上阻挡第二包封层370和375的泄漏。根据图7，第一阻挡图案445、第二阻挡图案455和第三阻挡图案465设置在彼此不相邻的导电线350上。
如图6中所示，在第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第(M+1)竖直延长线410可以设置在第二区域VIII(例如，导电图案470与导电线350叠置的区域)中，导电图案470可以设置在第(M+1)竖直延长线410上。绝缘图案490可以设置在导电图案470上，使得导电图案470的上表面的至少一部分被暴露。在示例实施例中，设置在第二区域VIII中的导电线350可以具有三条竖直延长线410，但是不限于此。在一些示例实施例中，例如，导电线350还可以包括第二区域VIII中的至少一条或更多条竖直延长线410。
外围区域III还可以包括位于第一区域VII与第二区域VIII之间的第三区域IX。绝缘图案490可以设置在导电线350上且在第三区域IX中，使得绝缘图案490暴露第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第G竖直延长线410的上表面的至少一部分，其中，G为1与M+1之间的整数。在示例实施例中，设置在第三区域IX中的导电线350可以具有三条竖直延长线410，但是不限于此。在一些示例实施例中，例如，导电线350还可以包括第三区域IX中的至少一条或更多条竖直延长线410。
参照图3、图6和图8，导电线350的第一开口355可以包括第一开口至第N开口，其中，N为大于1的整数。第一开口至第N开口可以在第一方向和第二方向上规则地布置。导电线350可以通过第一开口至第N开口而空间地分开。这里，围绕第一开口至第N开口之中的第K开口的导电线350包括与第K开口相邻的第一边缘部分910以及围绕第一边缘部分910的第二边缘部分930，其中，K为1与N之间的整数。在示例实施例中，图8中示出的第一开口355可以是第K开口。例如，在导电线350中，在第二方向上延伸的竖直延长线410可以是在第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线410之中的第G竖直延长线和第(G+1)竖直延长线410，在第一方向上延伸的水平延长线430可以是在第一水平延长线至第(L+1)水平延长线430之中的第H水平延长线和第(H+1)水平延长线430。即，第K开口可以由第G竖直延长线和第(G+1)竖直延长线410以及第H水平延长线和第(H+1)水平延长线430来限定。
绝缘图案490可以设置在第一边缘部分910和第二边缘部分930中。例如，绝缘图案490可以覆盖第一边缘部分910和第二边缘部分930，使得第一边缘部分910和第二边缘部分930不暴露。此外，设置在第一边缘部分910中的绝缘图案490可以与设置在第二边缘部分930中的绝缘图案490分隔开。即，绝缘图案490可以暴露导电线350的上表面的至少一部分。
此外，外围区域III可以包括不透明区域XI和开口区域X。这里，设置导电线350的区域可以限定为不透明区域XI，开口355位于的区域可以限定为开口区域X。绝缘图案490可以与不透明区域XI的至少一部分以及开口区域X的至少一部分叠置。
可选择地，绝缘图案490可以覆盖第一开口至第N开口之中的第K开口的侧壁部分和边缘部分，并且可以覆盖围绕第K开口的导电线350的侧壁部分和边缘部分，其中，K为1与N之间的整数。
图9和图10是示出根据一些示例实施例的显示装置中包括的导电线的平面图。除了开口357和359的形状以外，图9和图10中所示的显示装置中包括的导电线352和354可以具有与参照图2和图3描述的显示装置100中包括的导电线350的构造基本相同或类似的构造。在图9和图10中，将省略针对与参照图2和图3描述的元件基本相同或类似的元件的详细描述。
参照图3和图9，如图3中所示，导电线350的第一开口355可以包括第一开口至第N开口。第一开口至第N开口可以在第一方向和第二方向上规则地布置。导电线350可以通过第一开口至第N开口而空间地分开，并且可以具有网状结构。例如，可以整体地形成图3中示出的导电线350的第二方向上重复地布置的第一开口355。在示例实施例中，如图9中所示，导电线352可以具有包括多个开口357的网状结构。位于显示装置后面的对象的图像可以透过开口357。一个开口357可以在第二方向上延伸，在平面图中开口357可以具有条状。
参照图3和图10，导电线350的第一开口355可以包括第一开口至第N开口。第一开口至第N开口可以在第一方向和第二方向上规则地布置。导电线350可以通过第一开口至第N开口而空间地分开，并且可以具有网状结构。例如，可以整体地形成图3中示出的导电线350的第一方向上重复地布置的第一开口355。在示例实施例中，如图10中所示，导电线354可以具有包括多个开口359的网状结构。位于显示装置后面的对象的图像可以透过开口359。一个开口359可以在第一方向上延伸，在平面图中，开口359可以具有条状。
图11至图16是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图11，可以在基底510上在子像素区域IV中形成有源层530。可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂石英基底、碱石灰基底、无碱基底等来形成基底510。可选择地，可以在基底510上形成缓冲层。缓冲层可以在基底510上沿着第一方向从外围区域III延伸到像素区域II。即，可以在整个基底510上形成缓冲层。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底510扩散。可以在基底510上在子像素区域IV中形成有源层530。可以通过使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等来形成有源层530。可以在基底510上形成栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以覆盖有源层530，并且可以在基底510上沿着第一方向延伸。可以在整个基底510上在外围区域III和像素区域II中形成栅极绝缘层550。在示例实施例中，栅极绝缘层550可以充分覆盖有源层530，并且可以具有围绕有源层530的基本平坦的表面而没有台阶。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等来形成栅极绝缘层550。可以在栅极绝缘层550上形成栅电极570。可以在栅极绝缘层550的一部分上形成栅电极570，以与有源层530叠置。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成栅电极570。可以在栅电极570上形成绝缘间层590。绝缘间层590可以覆盖栅电极570，并且可以在栅极绝缘层550上沿着第一方向延伸。可以在整个基底510上在像素区域II和外围区域III中形成绝缘间层590。在示例实施例中，绝缘间层590可以充分覆盖栅电极570，并且可以具有围绕栅电极570的基本平坦的表面而没有台阶。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等来形成绝缘间层590。
参照图12，在子像素区域IV中，可以在绝缘间层590上形成源电极610和漏电极630。源电极610可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘间层590的一部分而形成的接触孔来与有源层530的第一侧接触。漏电极630可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘间层590的第二部分而形成的接触孔来与有源层530的第二侧接触。
在外围区域III中，可以在绝缘间层590上形成导电线750。导电线750可以具有包括多个开口755的网状结构。位于显示装置后面的对象的图像可以透过开口755。
导电线750、源电极610和漏电极630中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，可以通过使用Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO、IZO等来形成导电线750、源电极610和漏电极630中的每个。这些可以单独或以其适当的组合使用。可以通过使用相同的材料来同时地形成导电线750、源电极610和漏电极630。因此，可以形成包括有源层530、栅电极570、源电极610和漏电极630的半导体元件650。
参照图13，可以在源电极610和漏电极630上在外围区域III的一部分和像素区域II中形成平坦化层670。平坦化层670可以在外围区域III的一部分和像素区域II中覆盖源电极610和漏电极630，并且可以在基底510上在外围区域III的一部分中沿着第一方向延伸。即，可以在像素区域II中在整个基底510上形成平坦化层670。在示例实施例中，平坦化层670可以充分覆盖源电极610和漏电极630，并且可以具有围绕源电极610和漏电极630的基本平坦的表面而没有台阶。可以通过使用硅化合物、金属氧化物等来形成平坦化层670。
可以在平坦化层670上形成下电极690和导电图案870。下电极690可以经由通过去除平坦化层670的一部分而形成的接触孔来与源电极610接触。
可以在平坦化层670的一部分和导电线750的一部分上在外围区域III中形成导电图案870。导电图案870可以与下电极690分隔开，并且可以在外围区域III中沿着平坦化层670和导电线750的轮廓形成为基本均匀的厚度。
导电图案870可以具有多个开口875。例如，导电图案870可以与导电线750的至少一部分叠置。在导电图案870与导电线750叠置的部分中，导电线750的开口755与导电图案870的开口875可以基本叠置，导电图案870可以围绕导电线750。在叠置的部分中，由于导电图案870围绕导电线750，因此位于导电图案870与导电线750叠置的部分中的开口875的尺寸可以比位于导电图案870与导电线750不叠置的部分中的开口755的尺寸小。具体地讲，导电图案870可以覆盖在叠置部分中的导电线750的上表面、导电线750的侧壁部分以及导电线750的边缘部分，并且可以暴露开口875。
下电极690和导电图案870中的每个可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，可以通过使用Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO、IZO等来形成下电极690和导电图案870中的每个。这些可以单独使用或以其适当的组合使用。可以通过使用相同的材料来同时地形成下电极690和导电图案870。
参照图14，在像素区域II中，可以将像素限定层710形成为在平坦化层670上在子像素区域IV中暴露下电极690的一部分，并且在平坦化层670上在透明区域V中暴露平坦化层670的一部分。可以在下电极690在子像素区域IV中暴露的部分中形成发光层，透明窗口725可以位于平坦化层670在透明区域V中暴露的部分中。
可以在导电线750上在外围区域III中形成绝缘图案890。绝缘图案890可以覆盖在第一区域(例如，导电图案870未形成在导电线750上的区域)中形成的导电线750的边缘部分和两个侧壁部分。即，绝缘图案890可以暴露位于第一区域中的导电线750的上表面中的每个的至少一部分。换句话讲，绝缘图案890可以覆盖位于第一区域中的一个开口755的侧壁部分和边缘部分，并且可以覆盖围绕开口755的导电线750的侧壁部分和边缘部分。同时，绝缘图案890(例如，绝缘图案890形成在第二区域中的附加绝缘图案)可以覆盖形成在不同于第一区域的第二区域(例如，导电线750与导电图案870叠置的区域)中的导电图案870(其中，导电线750位于导电图案870的下面)的边缘部分和两个侧壁部分。即，绝缘图案890(或附加绝缘图案)可以暴露第二区域中形成的导电图案870的上表面中的每个的至少一部分。换句话讲，绝缘图案890(或附加绝缘图案)可以覆盖位于第二区域中的一个开口875的侧壁部分和边缘部分，并且可以覆盖围绕开口875的导电图案870的侧壁部分和边缘部分。
可以在导电线750的最外侧(例如，第一区域的最外侧)形成阻挡结构850。可以在导电线750的上表面上形成阻挡结构850。此外，可以使阻挡结构850与覆盖导电线750的边缘部分的绝缘图案890分隔开，其中，阻挡结构850形成在导电线750的上方。即，尽管绝缘图案890和阻挡结构850形成在导电线750中，但是形成绝缘图案890和导电线750处的导电线750的上表面的至少一部分可以被暴露。此外，阻挡结构850可以具有预定的高度。
阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890中的每个可以包括无机材料。例如，可以通过使用SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等来形成阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890中的每个。另一方面，阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890中的每个可以包括有机材料。可以通过使用聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酰类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等来形成阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890中的每个。在示例实施例中，阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890中的每个可以包括有机材料。可以通过使用相同的材料来同时形成阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890。当同时形成阻挡结构850、像素限定层710和绝缘图案890时，可以在预备像素限定层形成在基底510上之后通过使预备像素限定层图案化来形成阻挡结构850、绝缘图案890和像素限定层710。此外，可以在阻挡结构850上附加地形成间隔件，以获得能够阻挡包封层泄漏的预定高度。
参照图15，可以在下电极690的至少一部分上形成发光层730。可以根据子像素使用能够生成不同颜色的光(例如，红色的光、蓝色的光、绿色的光等)的发光材料中的至少一种来形成发光层730。可选择地，通常可以通过堆叠能够生成不同颜色的光(诸如，红色的光、绿色的光、蓝色的光等)的多个发光材料来使发光层730生成白色的光。
可以在像素限定层710、发光层730以及导电图案870的一部分上形成上电极740，并且可以不在透明区域V中形成上电极740。在示例实施例中，在形成透明窗口725之后，可以在透明窗口725的内部形成有机层。当在透明窗口725的内部形成有机层时，可以不在形成上电极740的工艺中形成有机层的区域中形成上电极740。即，通过使用有机层来控制形成上电极740的区域。上电极740可以在除了透明区域V之外的像素区域II中覆盖像素限定层710和发光层730，并且可以在基底510上沿着第一方向延伸。由于上电极740未形成在透明区域V中，因此可以增大显示装置的像素区域II的透射率。可以通过使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来形成上电极740。这些可以单独使用或者以其适当的组合使用。此外，有机层可以包括锂喹啉(LiQ)。LiQ对于金属可以具有低的粘合强度并且可以是透明的。可以使上电极740与导电图案870电接触。
参照图16，可以在上电极740、导电图案870和导电线750上形成包封结构800。包封结构800可以包括至少一个第一包封层785和至少一个第二包封层770。例如，可以在第一包封层785上形成第二包封层770。可以交替地并重复地布置第一包封层785和第二包封层770。在示例实施例中，可以在上电极740、导电图案870、导电线750、绝缘图案890和阻挡结构850上形成第一包封层785。第一包封层785可以覆盖上电极740、导电图案870、导电线750、绝缘图案890和阻挡结构850，并且可以沿着上电极740、导电图案870、导电线750、绝缘图案890和阻挡结构850的轮廓形成为基本均匀的厚度。第一包封层785可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗入而劣化。此外，第一包封层785可以保护显示结构不受外部冲击的影响。可以通过使用无机材料来形成第一包封层785。
可以在第一包封层785上在外围区域III的一部分和像素区域II中形成第二包封层770。第二包封层770可以改善显示装置100的平坦度，并且可以保护像素区域II中的显示结构。可以通过使用有机材料来形成第二包封层770。
可以在外围区域III中形成的第一包封层785和第二包封层770上形成第一包封层790。第一包封层790可以覆盖在外围区域III中形成的第一包封层785和第二包封层770，并且可以沿着在外围区域III中形成的第一包封层785和第二包封层770的轮廓形成为基本均匀的厚度。第一包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗入而劣化。此外，第一包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以保护显示结构不受外部冲击的影响。可以通过使用无机材料来形成第一包封层790。
可以在第一包封层790上在外围区域III的一部分和像素区域II中形成第二包封层775。第二包封层775可以执行与第二包封层770基本相同或类似的功能，第二包封层775可以包括与第二包封层770的材料基本相同或类似的材料。可以在第二包封层775上形成第一包封层795。第一包封层795可以执行与第一包封层785和790的功能基本相同或类似的功能，第一包封层795可以包括与第一包封层785和790的材料基本相同或类似的材料。
本发明可以应用于包括显示装置的各种显示装置。例如，本发明可以应用于车辆显示装置、船舶显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传送的显示装置、医疗显示装置等。
前述是示例实施例的举例说明，并且不应被解释为限制示例实施例。虽然已经描述了一些示例性实施例，但本领域的技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和优点的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。因此，所有这样的修改意图被包括在如权利要求中限定的本发明构思的范围内。因此，要理解的是，前述是各种示例实施例的举例说明，且不被解释为局限于公开的特定示例实施例，对公开的示例实施例的修改以及其他示例实施例意图包括在所附权利要求的范围之内。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括具有多个像素区域的显示区域和围绕所述显示区域的外围区域，所述像素区域中的每个像素区域具有子像素区域和透明区域；
显示结构，位于所述显示区域的所述像素区域中的每个像素区域中；以及
导电线，位于所述外围区域中，所述导电线电连接到所述显示结构，所述导电线具有至少一个开口。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电线的所述开口包括第一开口至第N开口，其中，N为大于1的整数，所述导电线在第一方向上通过所述开口而空间地分开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，围绕所述第一开口至第N开口之中的第K开口的所述导电线包括与所述第K开口相邻的第一边缘部分以及围绕所述第一边缘部分的第二边缘部分，其中，K为在1与N之间的整数。
4.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘图案，覆盖所述第一边缘部分和所述第二边缘部分中的每个，
其中，设置在所述第一边缘部分中的所述绝缘图案在所述第一方向上与设置在所述第二边缘部分中的所述绝缘图案分隔开。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电线的所述第一开口至第N开口在所述第一方向以及垂直于所述第一方向的第二方向上规则地布置，其中，N为大于1的整数，并且
其中，所述导电线具有网状结构。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，布置在所述第二方向上的所述开口整体地形成，并且在平面图中具有条状。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述导电线包括：
在所述第二方向上延伸的第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线，所述第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线在所述第一方向上重复地布置，其中，M为大于1的整数；以及
在所述第一方向上延伸的第一水平延长线至第(L+1)水平延长线，所述第一水平延长线至第(L+1)水平延长线在所述第二方向上重复地布置，其中，L为大于1的整数，
其中，所述第一开口至第N开口之中的第K开口由所述第一竖直延长线至第(M+1)竖直延长线之中的第G竖直延长线和第(G+1)竖直延长线以及所述第一水平延长线至第(L+1)水平延长线之中的第H水平延长线和第(H+1)水平延长线来限定，其中，G为在1与M+1之间的整数，H为在1与L+1之间的整数。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述外围区域包括：
第一区域，位于所述外围区域的最外侧；以及
第二区域，在所述第一区域与所述显示区域之间位于邻近所述显示区域处，所述第二区域围绕所述显示区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一阻挡图案，位于所述竖直延长线之中的位于所述第一区域的最外侧的第一竖直延长线的上表面中，所述第一阻挡图案与覆盖所述第一竖直延长线的所述边缘部分中的每个边缘部分的所述绝缘图案中的每个绝缘图案分隔开，所述第一阻挡图案具有预定高度。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：
至少一个第二阻挡图案，与所述第一阻挡图案邻近，
其中，所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案设置在所述导电线上并彼此规则地分隔开，所述第二阻挡图案以及与所述第二阻挡图案邻近的所述绝缘图案彼此分隔开。
11.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘图案，覆盖所述第一开口至第N开口之中的第K开口的侧壁部分和边缘部分，并且覆盖围绕所述第K开口的所述导电线的侧壁部分和边缘部分，其中，K为在1与N之间的整数。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述外围区域包括：
不透明区域，设置有所述导电线；以及
开口区域，所述导电线的所述开口位于所述开口区域，
其中，所述绝缘图案暴露所述导电线的上表面的至少一部分，并且与所述不透明区域的至少一部分以及所述开口区域的至少一部分叠置。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一包封层，位于所述基底上；以及
第二包封层，位于所述第一包封层上，
其中，所述第一包封层和所述第二包封层交替地并重复地布置，
其中，所述第一包封层包括无机材料，并且覆盖所述导电线，并且
其中，所述第二包封层包括有机材料，并且与所述导电线的至少一部分叠置。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示结构包括：
半导体元件，具有位于所述基底上的有源层、位于所述有源层上的栅电极以及位于所述栅电极上的源电极和漏电极；
下电极，位于所述半导体元件上；
像素限定层，部分地暴露所述下电极；
发光层，位于所述下电极上；以及
上电极，位于所述发光层上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述导电线以及所述源电极和所述漏电极通过使用相同的材料而同时形成。
16.根据权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
导电图案，与所述第二区域中的所述导电线的至少一部分叠置，所述导电图案电连接到所述上电极，
其中，所述上电极暴露所述透明区域，所述透明区域的面积与所述导电线中包括的所述开口的面积相同。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述导电图案覆盖所述导电图案与所述导电线叠置的部分中的所述导电线，并且暴露所述导电线的所述开口，并且
其中，所述导电图案具有网状结构。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
附加绝缘图案，覆盖所述导电线与所述导电图案叠置的部分中的所述导电图案的边缘部分中的每个边缘部分，
其中，所述附加绝缘图案暴露所述导电图案的上表面的至少一部分，并且所述附加绝缘图案和所述像素限定层通过使用相同的材料而同时形成。
19.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
至少一条附加导电线，位于所述外围区域中且在所述导电线与所述显示结构之间，所述附加导电线具有至少一个开口。
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