KR20170031846A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
외광을 투과시킬 수 있는 공통 배선을 포함하는 표시 장치는 서브 화소 영역들 및 투과 영역을 각기 포함하는 복수의 화소 영역들을 포함하는 표시 영역과 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판, 기판의 표시 영역에 배치되는 표시 구조물들 및 기판의 주변 영역에 배치되며, 적어도 하나의 개구를 갖는 공통 배선을 포함할 수 있다. 이에 따라, 주변 영역에서 표시 장치의 후면에 배치되는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있다.
Description
본 발명은 전자 기기에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 투과 영역과 화소 영역을 구비하여, 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있는 투명 표시 장치가 개발되고 있다. 여기서, 투과 및 화소 영역들을 포함하는 표시 영역이 투명할 수 있지만, 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역은 불투명할 수 있다. 예를 들어, 주변 영역은 복수의 공통 배선들(예를 들어, 스캔 배선, 데이터 배선, 전원 배선 등)이 배치되고, 상기 배선들은 불투명 할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치의 경우 하부 기판과 상부 기판을 결합하기 위해 사용되는 실링 부재가 불투명할 수 있다. 결과적으로, 표시 및 주변 영역들이 투명한 표시 장치를 제조하는데 어려움이 있다.
본 발명의 목적은 적어도 하나의 개구를 갖는 공통 배선을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 서브 화소 영역들 및 투과 영역을 각기 포함하는 복수의 화소 영역들을 포함하는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역의 화소 영역들 각각에 배치되는 표시 구조물 및 상기 기판의 주변 영역에 배치되며, 적어도 하나의 개구를 갖는 공통 배선을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선의 개구는 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들을 포함하고, 상기 공통 배선은 상기 개구들에 의해 구분될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구를 둘러싸는 상기 공통 배선은 상기 제K 개구와 인접한 제1 모서리 부 및 상기 제1 모서리 부를 둘러싸는 제2 모서리 부를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 모서리 부들을 덮는 절연 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 모서리 부에 배치된 상기 절연 패턴은 상기 제2 모서리 부에 배치된 절연 패턴과 이격될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구의 측부 및 모서리 부를 덮고, 상기 제K 개구를 둘러싸는 상기 공통 배선의 측부 및 모서리 부를 덮는 절연 패턴을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 공통 배선이 배치되는 불투명 영역 및 상기 공통 배선의 개구가 위치하는 개구 영역을 포함하고, 상기 절연 패턴은 상기 공통 배선의 상면의 적어도 일부를 노출시키고, 상기 절연 패턴은 상기 불투명 영역의 적어도 일부 및 상기 개구 영역의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 상에 배치되는 제1 봉지층 및 상기 제1 봉지층 상에 배치되는 제2 봉지층을 더 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 번갈아 가며 반복적으로 배열되고, 상기 제1 봉지층은 유기 물질들을 포함하며, 상기 제2 봉지층은 무기 물질들을 포함하고, 상기 제1 봉지층은 상기 공통 배선을 덮고, 상기 제2 봉지층은 상기 공통 배선의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선의 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들은 상기 기판의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배열되고, 상기 공통 배선은 상기 개구들에 의해 공간적으로 구분되며, 그물망 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 방향으로 배열된 상기 제1 내지 제M(단, M은 1 이상의 정수) 개구들은 일체로 형성되고, 바의 평면 형상을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선은 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제M+1(단, M은 1 이상의 정수) 세로 배선 연장부 및 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제L+1(단, L은 1 이상의 정수) 가로 배선 연장부를 갖고, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K 개구는 상기 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부 중 제G(단, G는 1 이상 M+1 이하의 정수) 및 제G+1 세로 배선 연장부들 및 상기 제1 내지 제L+1 가로 배선 연장부 중 제H(단, H는 1 이상 L+1 이하의 정수) 및 제H+1 가로 배선 연장부들로부터 한정될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 주변 영역의 최외곽에 위치하는 제1 영역 및 상기 표시 영역과 인접하여 위치하고, 상기 표시 영역을 둘러싸며, 상기 제1 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 제2 영역을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 세로 배선 연장부들 중 상기 제1 영역의 최외곽에 위치하는 제1 세로 배선 연장부의 상면에 배치되고, 상기 제1 세로 배선 연장부의 모서리 부들을 덮는 절연 패턴과 이격되며, 기설정된 높이를 갖는 제1 차단 패턴을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 패턴과 인접하여 배치되는 적어도 하나의 제2 차단 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 차단 패턴 및 제2 차단 패턴들은 상기 공통 배선 상에서 규칙적으로 이격하여 배치되고, 상기 제2 차단 패턴은 상기 제2 차단 패턴으로부터 인접한 절연 패턴들과 서로 이격될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 차단 패턴과 인접하여 배치되는 적어도 하나의 제2 차단 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 차단 패턴 및 제2 차단 패턴들은 상기 공통 배선 상에서 불규칙적으로 이격하여 배치되고, 상기 제2 차단 패턴은 상기 제2 차단 패턴으로부터 인접한 절연 패턴들과 서로 이격되는 될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시 구조물은 상기 기판 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 반도체 소자, 상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극, 상기 하부 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 정의막, 상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층 및 상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선은 상기 표시 구조물들과 전기적으로 연결되고, 상기 공통 배선은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 영역에서 상기 공통 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되는 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 상부 전극은 상기 투과 영역을 노출시키고, 상기 투과 영역의 면적은 공통 배선에 위치하는 개구의 면적과 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 공통 배선과 중첩되는 부분에서 상기 공통 배선을 덮고, 상기 공통 배선의 개구를 노출시키며, 그물망 구조를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선과 중첩되는 부분에서 상기 도전 패턴의 모서리 부들을 덮는 절연 패턴을 더 포함하고, 상기 절연 패턴은 상기 도전 패턴의 상면의 적어도 일부를 노출시키며, 상기 절연 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 물질들을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선과 상기 표시 구조물 사이의 상기 주변 영역에 배치되며 적어도 하나의 개구를 갖는 적어도 하나의 추가 공통 배선을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 적어도 하나의 개구를 갖는 공통 배선을 포함함으로써, 주변 영역에서 표시 장치의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 도 2에 표시 장치에 포함된 도전 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 3의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 공통 배선의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9 및 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 포함된 공통 배선을 나타내는 평면도들이다.
도 11 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 도 2에 표시 장치에 포함된 도전 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 3의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 6에 도시된 공통 배선의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 6에 도시된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9 및 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 포함된 공통 배선을 나타내는 평면도들이다.
도 11 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 표시 영역(10)(예를 들어, 액티브 영역)은 복수의 화소 영역들을 포함할 수 있고, 상기 화소 영역들 각각은 서브 화소 영역들 및 투과 영역을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 화소 영역들이 하나의 투과 영역과 공유될 수도 있다.
표시 영역(10)에는 표시 구조물들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 표시 구조물은 표시 영역(10)의 하나의 서브 화소 영역에 배치될 수 있고, 상기 표시 구조물에 포함된 서브 화소는 광을 방출할 수 있다. 상기 투과 영역은 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있다.
주변 영역(20)에는 공통 배선들(예를 들어, 스캔 배선, 데이터 배선, 전원 배선 등)이 배치될 수 있다. 여기서, 공통 배선들은 상기 표시 구조물들에 전기적으로 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 공통 배선들은 적어도 하나의 개구를 가질 수 있다. 상기 공통 배선들에 상기 개구가 위치됨으로써, 표시 장치(100)의 주변 영역(20)은 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)는 표시 영역(10) 및 주변 영역(20) 모두 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과시킬 수 있다. 선택적으로, 주변 영역(20)의 일부에 회로부가 배치될 수 있고, 주변 영역(20)의 일부는 불투명할 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖지만 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 3은 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이며, 도 4는 도 2의 표시 장치에 포함된 공통 배선을 설명하기 위한 사시도이고, 도 5는 도 2에 표시 장치에 포함된 도전 패턴을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2 내지 5를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 표시 구조물, 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층(270), 공통 배선(350), 화소 정의막(310), 도전 패턴(470), 차단 구조물(450), 절연 패턴(490), 투과창(325), 박막 봉지 구조물(400) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 반도체 소자(250), 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340)을 포함할 수 있고, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층들(385, 390, 395) 및 제2 봉지층들(370, 375)을 포함할 수 있다. 또한, 차단 구조물(450)은 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 표시 장치(100)는 복수의 화소 영역들을 포함하는 표시 영역 및 주변 영역(III)을 포함할 수 있다. 하나의 화소 영역(II)은 서브 화소 영역(IV) 및 투과 영역(V)을 포함할 수 있다. 반도체 소자(250), 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)의 일부는 서브 화소 영역(IV)에 배치될 수 있다. 또한, 투과창(325)은 투과 영역(V)에 위치할 수 있다.
예를 들면, 서브 화소 영역(IV)에서는 화상이 표시될 수 있고, 투과 영역(V)에서는 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 또한, 주변 영역(III)에서는 공통 배선(350)에 위치하는 개구들(355)을 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 표시 장치(100)가 이러한 개구(355)를 포함하는 공통 배선(350)을 구비함에 따라, 표시 장치(100)는 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)을 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과할 수 있는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
기판(110) 상에 상기 표시 구조물이 배치될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판이 얇고 연성을 갖는 경우, 상기 폴리이미드 기판은 표시 구조물의 형성을 지원하기 위해 단단한 유리 상에 형성될 수 있다. 즉, 기판(110)은 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 폴리이미드층 상에 절연층을 배치한 후, 상기 절연층 상에 표시 구조물(예를 들면, 반도체 소자(250), 하부 전극(290), 발광층(330), 상부 전극(340) 등)을 형성할 수 있다. 이러한 표시 구조물의 형성 후, 상기 유리 기판은 제거될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상기 표시 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 경질의 유리 기판을 이용하여 상기 표시 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판을 기판(110)으로 이용할 수 있다. 표시 장치(100)가 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)을 구비함에 따라, 기판(110)도 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)으로 구분될 수 있다.
제1 기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 주변 영역(III)으로부터 화소 영역(II)으로의 방향인 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다.
반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 전극(170), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 기판(110) 상의 서브 화소 영역(IV)에 배치될 수 있고, 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 서브 화소 영역(IV)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 서브 화소 영역(IV)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 즉, 층간 절연층(190)은 기판(110) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 서브 화소 영역(IV)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 일측 및 타측에 각각 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 주변 영역(III)에는 공통 배선(350)이 배치될 수 있다. 공통 배선(350)은 스캔 배선, 데이터 배선, 전원 배선(예를 들어, 고전원 전압 배선, 저전원 전압 배선, 초기화 전압 배선)으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 여기서, 스캔 배선은 화소 영역(II)에 배치된 반도체 소자에 스캔 신호를 제공할 수 있고, 데이터 배선은 화소 영역(II)에 배치된 반도체 소자에 데이터 신호를 제공할 수 있으며, 전원 배선은 화소 영역(II)에 배치된 반도체 소자에 전원 전압을 제공할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 공통 배선(350)은 저전원 전압 배선일 수 있고, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 공통 배선(350)은 플레이트 형상의 복수의 개구들(355)을 포함하는 그물망 구조(예를 들어, 메쉬 구조)를 가질 수 있으며, 이러한 개구들(355)을 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 사물의 이미지가 투과될 수 있다. 또한, 공통 배선(350)은 상부 전극(340)과 전기적으로 연결될 수 있고, 공통 배선(350)은 저전원 전압(ELVSS)을 상부 전극(340)에 제공할 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(III)에서 공통 배선(350)과 반도체 소자(250) 사이의 동일한 층에 적어도 하나의 추가 공통 배선이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 공통 배선(350)은 저전원 전압 배선일 수 있고, 상기 적어도 하나의 추가 공통 배선은 고전원 전압 배선, 초기화 전원 전압 배선, 스캔 배선, 데이터 배선 등을 포함할 수 있다. 상기 추가 공통 배선은 적어도 하나의 개구를 가질 수 있고, 공통 배선(350)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 상기 추가 공통 배선의 개구를 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(III)에서 공통 배선(350)과 반도체 소자(250) 사이의 다른 층에 적어도 하나의 추가 공통 배선이 더 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 추가 공통 배선이 공통 배선(350)과 동일한 기능을 수행하는 경우, 상기 추가 공통 배선은 공통 배선(350) 아래에 위치할 수 있고, 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 추가 공통 배선은 게이트 전극(170)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 여기서, 상기 추가 공통 배선은 적어도 하나의 개구를 가질 수 있고, 상기 개구는 공통 배선(350)의 개구(355)와 중첩될 수 있다. 이와는 달리, 상기 추가 공통 배선이 공통 배선(350)과 다른 기능을 수행하는 경우, 상기 추가 공통 배선은 공통 배선(350) 아래에 위치하지 않을 수 있고, 게이트 전극(170)과 동일한 층에 배치될 수 있다. 즉, 상기 추가 공통 배선과 공통 배선(350) 사이의 커플링 현상을 방지하기 위해 상기 추가 공통 배선과 공통 배선(350)은 서로 중첩되지 않을 수 있다.
공통 배선(350)의 개구들(355)은 규칙적으로 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 개구(355)의 면적(예를 들어, 형상, 크기)은 후술한 투과창(325)의 면적과 동일할 수 있다. 예를 들어, 개구(355)의 면적이 투과창(325)의 면적과 다르게 형성되는 경우, 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 사물의 이미지가 왜곡될 수 있다. 이에 따라, 개구(355)의 면적이 투과창(325)의 면적과 동일하게 형성됨으로써, 표시 장치(100)의 시인성이 증가될 수 있다. 선택적으로, 개구들(355)은 불규칙적으로 배열될 수도 있고, 개구(355)의 면적이 투과창(325)의 면적과 다를 수도 있다.
공통 배선(350)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 공통 배선(350)은 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리(Cu), 구리를 함유하는 합금, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄(Ti), 티타늄 질화물(TiNx), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 공통 배선(350)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 선택적으로, 공통 배선(350)은 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수도 있다. 이러한 경우, 공통 배선(350)은 게이트 전극(170)과 동일한 층에 배치될 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에는 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에서 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상의 주변 영역(III)의 일부에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 평탄화층(270)은 기판(110) 상의 화소 영역(II)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮을 수 있으며, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 평탄화층(270)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 덮으며, 균일한 두께로 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)이 주변 영역(III)에 배치된 공통 배선(350)의 일부 상에 배치될 수도 있다. 평탄화층(270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 서브 화소 영역(IV)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도전 패턴(470)은 평탄화층(270)의 일부 및 공통 배선(350)의 일부 상의 주변 영역(III)에 배치될 수 있다. 도전 패턴(470)은 하부 전극(290)과 이격하여 배치될 수 있고, 주변 영역(III)에서 평탄화층(270) 및 공통 배선(350)의 프로파일을 따라 균일한 두께로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(470)은 복수의 개구들(475)을 가질 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(470)은 공통 배선(350)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다. 도전 패턴(470)과 공통 배선(350)이 중첩되는 부분에 있어서, 공통 배선(350)의 개구(355)와 도전 패턴(470)의 개구(475)는 실질적으로 중첩될 수 있고, 도전 패턴(470)은 공통 배선(350)을 둘러쌀 수 있다. 상기 중첩되는 부분(예를 들어, 제2 영역)에서, 도전 패턴(470)이 공통 배선(350)을 둘러싸기 때문에 도전 패턴(470)과 공통 배선(350)이 중첩되는 부분에 위치한 개구(475)의 크기는 도전 패턴(470)과 공통 배선(350)이 중첩되지 않는 부분에 위치한 개구(355)보다 실질적으로 작을 수 있다. 구체적으로, 도전 패턴(470)은 상기 중첩되는 부분에서 공통 배선(350)의 상면, 측면 및 모서리 부를 덮으면서(예를 들어, 공통 배선(350)을 전체적으로 덮으면서), 개구(355)를 노출시킬 수 있다.
도전 패턴(470)을 통해 공통 배선(350)과 상부 전극(340)은 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 얇은 두께를 갖는 상부 전극(340)이 직접 공통 배선(350)에 연결되지 않고, 전도도가 높은 도전 패턴(470)을 이용하여 공통 배선(350)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉. 도전 패턴(470)의 일측이 공통 배선(350)의 적어도 일부(예를 들어, 상기 중첩되는 부분)에 직접 접촉하고, 타측이 상부 전극(340)에 직접 접촉될 수 있다. 따라서, 상기 저전원 전압(ELVSS)이 도전 패턴(470)을 통해 상부 전극(340)에 인가될 수 있다.
도전 패턴(470)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(470)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 도전 패턴(470)은 하부 전극(290)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
화소 영역(II)에 있어서, 화소 정의막(310)은 평탄화층(270) 상의 서브 화소 영역(IV)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시킬 수 있고, 평탄화층(270) 상의 투과 영역(V)에서 평탄화층(270)의 일부를 노출시킬 수 있다. 서브 화소 영역(IV)에서 하부 전극(290)이 노출된 부분은 발광층(330)이 배치될 수 있고, 투과 영역(V)에서 평탄화층(270)이 노출된 부분은 투과창(325)이 위치할 수 있다. 선택적으로, 표시 장치(100)의 투과율을 증가시키기 위해, 투과 영역(V)에서 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190) 및 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 투과창(325)이 위치할 수도 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(310)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 구성될 수 있다.
절연 패턴(490)이 공통 배선(350) 상의 주변 영역(III)에 배치될 수 있다. 절연 패턴(490)은 제1 영역(예를 들어, 공통 배선(350) 상에 도전 패턴(470)이 배치되지 않는 영역) 상에 배치되는 공통 배선(350)의 모서리 부 및 양측부(예를 들어, 양측벽)를 덮을 수 있다. 즉, 절연 패턴(490)은 상기 제1 영역 상에 위치하는 공통 배선(350)의 상면 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 절연 패턴(490)은 상기 제1 영역 상에 위치하는 하나의 개구(355)의 측부(예를 들어, 측벽) 및 모서리 부를 덮을 수 있고, 상기 개구(355)를 둘러싸는 공통 배선(350)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있다. 선택적으로, 절연 패턴(490)은 상기 제1 영역 상에 배치되는 공통 배선(350)의 모서리 부를 덮을 수 있고, 양측부를 노출시킬 수도 있다. 반면에, 절연 패턴(490)은 상기 제1 영역과 다른 제2 영역(예를 들어, 공통 배선(350)과 도전 패턴(470)이 중첩되는 영역) 상에 배치된 아래에 공통 배선(350)이 위치하는 도전 패턴(470)의 모서리 부 및 양측부를 덮을 수 있다. 즉, 절연 패턴(490)은 상기 제2 영역 상에 위치하는 도전 패턴(470)의 상면 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 절연 패턴(490)은 상기 제2 영역 상에 위치하는 하나의 개구(475)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있고, 상기 개구(475)를 둘러싸는 도전 패턴(470)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있다. 선택적으로, 절연 패턴(490)은 상기 제2 영역 상에 배치되는 도전 패턴(470)의 모서리 부를 덮을 수 있고, 양측부를 노출시킬 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(490)이 개구(355)의 적어도 일부에 배치될 수도 있다.
절연 패턴(490)이 상기 모서리 부를 덮지 않는 경우, 패터닝된 금속층(예를 들어, 공통 배선(350) 및 도전 패턴(470))의 모서리 부(예를 들어, 엣지부(edge portion))에서 파티클이 생성될 수 있고, 상기 파티클에 의해 표시 장치(100)가 손상될 수 있다. 따라서, 금속층을 패터닝한 후, 상기 모서리 부로부터 파티클의 생성을 막기 위해 패터닝된 금속층의 모서리 부를 절연층으로 덮는 공정이 수행될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(490)이 공통 배선(350) 및 도전 패턴(470) 각각의 모서리 부를 덮을 수 있다.
절연 패턴(490)은 무기 물질들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연 패턴(490)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등으로 구성될 수 있다. 이와는 달리, 절연 패턴(490)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연 패턴(490)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등으로 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(490)은 유기 물질들을 포함할 수 있고, 절연 패턴(490)은 화소 정의막(310)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 절연 패턴(490)이 화소 정의막(310)과 동시에 형성되는 경우, 기판(110) 상에 예비 화소 정의막이 배치된 후, 상기 예비 화소 정의막을 패터닝하여 절연 패턴(490) 및 화소 정의막(310)이 배치될 수 있다. 선택적으로, 절연 패턴(490)은 평탄화층(270)과 동시에 형성될 수 있다. 절연 패턴(490)이 평탄화층(270)과 동시에 형성되는 경우, 기판(110) 상에 예비 평탄화층이 배치된 후, 상기 예비 평탄화층을 패터닝하여 절연 패턴(490) 및 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 이러한 경우, 절연 패턴(490)이 도전 패턴(470) 보다 먼저 배치되기 때문에 절연 패턴(490) 상에 도전 패턴(470)이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(490)이 공통 배선(350)의 상면 각각의 적어도 일부를 노출시키도록 절연 패턴(490)이 주변 영역(III) 상에서 불연속적으로 배치될 수 있다. 결과적으로, 수분은 화소 영역(II)으로 침투할 수 없다. 예를 들어, 절연 패턴이 유기 물질을 포함하고, 공통 배선 상에서 연속적으로 배치되는 경우, 외부에서 수분이 상기 절연 패턴을 통해 화소 영역(II)으로 침투할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 절연 패턴들(490)은 기판(110) 상의 주변 영역(III)에서 서로 이격하여 배치될 수 있다.
발광층(330)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 서브 화소들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310), 발광층(330) 및 도전 패턴(470)의 일부 상에 배치될 수 있고, 투과 영역(V)에는 배치되지 않을 수 있다. 상부 전극(340)은 투과 영역(V)을 제외한 화소 영역(II)에서 화소 정의막(310) 및 발광층(330)을 덮을 수 있으며 기판(110) 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 상부 전극(340)이 투과 영역(V)에 배치되지 않음으로써 표시 장치(100)의 화소 영역(II)에서 투과율이 향상될 수 있다. 전술한 바와 같이, 상부 전극(340)은 공통 배선(350)으로부터 도전 패턴(470)을 통하여 저전원 전압(ELVSS)을 공급 받을 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
차단 구조물(450)은 공통 배선(350)의 최외곽(예를 들어, 상기 제1 영역의 최외곽)에 배치될 수 있다. 차단 구조물(450)은 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차단 구조물(450)은 아래에 위치하는 공통 배선(350)의 상면에 배치될 수 있다. 또한, 차단 구조물(450)은 아래에 위치하는 공통 배선(350)의 모서리 부를 덮는 절연 패턴(490)으로부터 이격될 수 있다. 즉, 공통 배선(350)에 절연 패턴(490) 및 차단 구조물(450)이 배치되더라도 절연 패턴(490) 및 차단 구조물(450)이 배치된 공통 배선(350)의 상면의 적어도 일부는 노출될 수 있다. 또한, 차단 구조물(450)은 제2 봉지층들(370, 375)의 누출을 최종적으로 차단할 수 있는 기설정된 높이를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465)은 상기 공통 배선(350)의 최외곽에서 서로 인접하여 배치될 수 있다. 다만, 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465)의 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465) 각각의 위치는 공통 배선(350) 상에서 제2 봉지층들(370, 375)의 누출을 막을 수 있도록 적절하게 배치될 수 있다.
차단 구조물(450)은 무기 물질들 또는 유기 물질들을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 절연 패턴(490)은 유기 물질들을 포함할 수 있고, 차단 구조물(450)은 절연 패턴(490) 및 화소 정의막(310)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 선택적으로, 차단 구조물(450)은 제2 봉지층들(370, 375)의 누출을 차단할 수 있는 상기 기설정된 높이를 수득하기 위해 차단 구조물(450) 상에 스페이서가 추가적으로 배치될 수 있다.
상기 유기 물질들을 포함하는 제1 내지 제3 차단 패턴들(445, 455, 465) 각각은 공통 배선(350)의 개구(355)를 노출시키도록 제1 내지 제3 차단 패턴들(445, 455, 465) 각각이 공통 배선(350) 상의 주변 영역(III)에서 서로 이격하여 배치될 수 있다. 따라서, 수분은 화소 영역(II)으로 침투할 수 없다.
상부 전극(340), 도전 패턴(470) 및 공통 배선(350) 상에 박막 봉지 구조물(400)이 배치될 수 있다. 박막 봉지 구조물(400)은 적어도 하나의 제1 봉지층 및 적어도 하나의 제2 봉지층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(385) 상에 제2 봉지층(370)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 번갈아 가며 반복적으로 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340), 도전 패턴(470), 공통 배선(350), 절연 패턴(490) 및 차단 구조물(450) 상에 제1 봉지층(385)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(385)은 상부 전극(340), 도전 패턴(470), 공통 배선(350), 절연 패턴(490), 도전 패턴(470) 및 차단 구조물(450)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(340), 도전 패턴(470), 공통 배선(350), 절연 패턴(490), 도전 패턴(470)및 차단 구조물(450)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 봉지층(385)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(385)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(385)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(385) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부 상에 제2 봉지층(370)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(370)은 표시 장치(100)의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 화소 영역(II)에 배치된 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(370) 유기 물질들을 포함할 수 있다.
주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370) 상에 제1 봉지층(390)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(390)은 주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)을 덮으며, 균일한 두께로 주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)의 프로 파일을 따라 배치될 수 있다. 제1 봉지층(390)은 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)과 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(390)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(385) 및 제2 봉지층(370)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(390)은 무기 물질들을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(390) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에 제2 봉지층(375)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(375)은 제2 봉지층(370)과 실질적으로 동일하거나 유사한 기능을 수행할 수 있으며, 제2 봉지층(370)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 구성될 수 있다. 제2 봉지층(375) 상에 제1 봉지층(395)이 배치될 수 있다. 제1 봉지층(395)은 제1 봉지층들(385, 390)과 실질적으로 동일하거나 유사한 기능을 수행할 수 있으며, 제1 봉지층들(385, 390)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질로 구성될 수 있다. 선택적으로, 박막 봉지 구조물(400)은 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370) 및 제1 봉지층(390)으로 적층된 3층 구조 또는 제1 봉지층(385), 제2 봉지층(370), 제1 봉지층(390), 제2 봉지층(375), 제1 봉지층(395), 제1 봉지층 및 제2 봉지층으로 적층된 7층 구조로 구성될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340), 도전 패턴(470) 및 공통 배선(350)의 일부 상에 봉지 기판이 배치될 수 있다. 상기 봉지 기판은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 봉지 기판은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지 기판이 사용되는 경우, 기판(110)과 상기 봉지 기판을 결합하기 위해 봉지 공정이 수행될 수 있다. 이러한 경우, 기판(110)과 상기 봉지 기판 사이의 양측부에 실런트를 개재할 수 있다. 상기 실런트는 프릿(frit) 등으로 구성될 수 있다. 상기 기판과 상기 봉지 기판은 상기 실런트에 레이저를 조사하는 공정을 통해 서로 결합될 수 있다. 상기 레이저 조사 공정에 있어서, 상기 실런트가 고체 상태에서 액체 상태로 용융된 후, 소정의 시간 후에 액체 상태의 상기 실런트는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 이와 같은 상기 실런트의 상태 변화에 따라 상기 봉지 기판이 상기 기판에 대해 밀봉 결합될 수 있다. 상기 기판과 상기 봉지 기판의 밀봉 결합에 따라, 수분, 산소 등의 침투로 인해 표시 장치100)가 열화되는 것을 방지할 수 있다. 다만, 실런트가 불투명할 수 있고, 표시 장치(100)에서 상기 실런트가 배치되는 부분은 불투명할 수 있다.선택적으로, 투명한 실링 물질을 사용할 경우, 실링되는 부분도 투명할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치(100)는 개구(355)를 포함하는 공통 배선(350) 및 개구(475)를 포함하는 도전 패턴(470)을 구비할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)는 주변 영역(III)에서도 표시 장치(100)의 후면에 배치된 사물의 이미지를 투과할 수 있는 투명 디스플레이 장치로 기능을 할 수 있다. 또한, 발광 표시 장치(100)가 공통 배선(350)의 상면을 부분적으로 노출시키도록 공통 배선(350)의 모서리 부를 덮는 절연 패턴(490)을 포함함으로써, 수분이 화소 영역(II)으로 침투되는 것을 방지할 수 있다.
도 6은 도 3의 VI-VI'라인을 따라 절단한 단면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 공통 배선의 다른 예를 나타내는 단면도이며, 도 8은 도 6에 도시된 공통 배선을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2, 도 3, 도 6 및 도 7을 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 표시 구조물, 게이트 절연층(150), 층간 절연층(190), 평탄화층, 공통 배선(350), 화소 정의막, 도전 패턴(470), 차단 구조물(450), 절연 패턴(490), 투과창, 박막 봉지 구조물 등을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 표시 구조물은 반도체 소자, 하부 전극, 발광층, 상부 전극을 포함할 수 있고, 상기 반도체 소자는 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있으며, 박막 봉지 구조물은 제1 봉지층 및 제2 봉지층을 포함할 수 있다. 또한, 차단 구조물(450)은 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 표시 장치(100)는 화소 영역 및 주변 영역(III)을 포함할 수 있다. 상기 화소 영역은 서브 화소 영역 및 투과 영역을 포함할 수 있다. 상기 반도체 소자, 상기 하부 전극, 상기 발광층 및 상기 상부 전극의 일부는 상기 서브 화소 영역에 배치될 수 있다. 또한, 투과창은 상기 투과 영역에 위치할 수 있다.
예를 들면, 상기 서브 화소 영역에서는 화상이 표시될 수 있고, 상기 투과 영역에서는 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 또한, 주변 영역(III)에서는 공통 배선(350)에 위치하는 개구들(355)을 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지가 투과될 수 있다. 표시 장치(100)가 이러한 개구(355)를 포함하는 공통 배선(350)을 구비함에 따라, 표시 장치(100)는 상기 화소 영역 및 주변 영역(III)을 통해 표시 장치(100)의 후면에 위치하는 대상의 이미지를 투과할 수 있는 투명 디스플레이 장치로 기능할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 주변 영역(III)은 및 제2 영역(VIII)을 포함할 수 있다. 제1 영역(VII)은 주변 영역(III)의 최외곽(예를 들어, 표시 장치(100)의 최외곽)에 위치할 수 있고, 제2 영역(VIII)을 둘러쌀 수 있다. 제2 영역(VIII)은 상기 화소 영역과 인접하여 위치할 수 있고, 상기 화소 영역을 둘러쌀 수 있다. 여기서, 제2 영역(VIII)은 공통 배선(350)과 도전 패턴(470)이 중첩되는 영역일 수 있다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 공통 배선(350)의 개구들(355)은 제1 내지 제N(단, N은 1 이상 정수) 개구들을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제N 개구들은 기판(110)의 상면과 평행한 제1 방향(예를 들어, 행 방향) 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향(예를 들어, 열 방향)을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다. 상기 제1 내지 제N 개구들이 상기 제1 방향으로 M(단, M은 1 이상 정수) 열 및 상기 제2 방향으로 L(단, L은 1 이상 정수) 행으로 구성되는 경우, 상기 제1 내지 제N 개구들의 개수는 M x L 개의 개구들을 포함 하는 그물망 구조를 가질 수 있다. 즉, 공통 배선(350)은 상기 제1 및 제N 개구들에 의해 공간적으로 구분될 수 있다. 선택적으로, 상기 개구들(355)은 불규칙적으로 배열될 수도 있다.
도 3을 다시 참조하면, 공통 배선(350)은 상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제M+1(단, M은 1 이상의 정수) 세로 배선 연장부들(410) 및 상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제L+1(단, L은 1 이상의 정수) 가로 배선 연장부들(430)을 가질 수 있고, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구는 상기 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부 중 제G(단, G는 1 이상 M+1 이하의 정수) 및 제G+1 세로 배선 연장부들(410) 및 상기 제1 내지 제L+1 가로 배선 연장부 중 제H(단, H는 1 이상 L+1 이하의 정수) 및 제H+1 가로 배선 연장부들(430)로부터 한정될 수 있다(도 3 참조).
도 6을 다시 참조하면, 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부들(410) 중 제1 영역(VII)의 최외곽에 제1 세로 배선 연장부(410)가 배치될 수 있고, 제1 세로 배선 연장부(410) 상에 제1 차단 패턴(445)이 배치될 수 있다, 유사하게, 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부들(410) 중 제2 세로 배선 연장부(410) 상에 제2 차단 패턴(455)이 배치될 수 있고, 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부들(410) 중 제3 세로 배선 연장부(410) 상에 제3 차단 패턴(465)이 배치될 수 있다. 다만, 차단 구조물(450)이 3개의 차단 패턴을 포함하는 것으로 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 차단 구조물(450)은 적어도 하나 이상의 차단 패턴을 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 영역(VII)에 배치되는 공통 배선(350)이 3개의 세로 배선 연장부(410)를 포함하는 것으로 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 영역(VII)에서 공통 배선(350)은 적어도 하나 이상의 세로 배선 연장부(410)를 더 포함할 수 있다. 더욱이, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 차단 패턴(445), 제2 차단 패턴(455) 및 제3 차단 패턴(465) 각각의 위치는 공통 배선(350) 상에서 제2 봉지층들(370, 375)의 누출을 막을 수 있도록 적절하게 배치될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제2 영역(VIII)(예를 들어, 도전 패턴(470)과 공통 배선(350)이 중첩되는 부분)에는 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부들(410) 중 제M+1 세로 배선 연장부(410)가 배치될 수 있고, 상기 제M+1 세로 배선 연장부(410) 상에 도전 패턴(470)이 배치될 수 있다. 절연 패턴(490)이 도전 패턴(470)의 상면의 적어도 일부를 노출시키도록 도전 패턴(470) 상에 절연 패턴(490)이 배치될 수 있다. 다만, 제2 영역(VIII)에 배치되는 공통 배선(350)이 3개의 세로 배선 연장부(410)를 포함하는 것으로 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 영역(VIII)에서 공통 배선(350)은 적어도 하나 이상의 세로 배선 연장부(410)를 더 포함할 수 있다.
주변 영역(III)은 제1 영역(VII)과 제2 영역(VIII) 사이에 위치하는 제3 영역(IX)을 더 포함할 수 있다. 제3 영역(IX)에는 절연 패턴(490)이 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부들(410) 중 제G(단, G는 1 내지 M+1 사이의 정수) 세로 배선 연장부(410)의 상면의 적어도 일부를 노출시키도록 공통 배선(350) 상에 절연 패턴(490)이 배치될 수 있다. 다만, 제3 영역(IX)에 배치되는 공통 배선(350)이 3개의 세로 배선 연장부(410)를 포함하는 것으로 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제3 영역(IX)에서 공통 배선(350)은 적어도 하나 이상의 세로 배선 연장부(410)를 더 포함할 수 있다.
도 3, 도 6 및 도 8을 참조하면, 공통 배선(350)의 개구(355)는 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제N 개구들은 기판(110)의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있고, 공통 배선(350)은 개구들(355)에 의해 공간적으로 구분될 수 있다. 여기서, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구를 둘러싸는 공통 배선(350)은 상기 제K 개구와 인접한 제1 모서리 부(910) 및 제1 모서리 부(910)를 둘러싸는 제2 모서리 부(930)를 포함할 수 있다. 여기서, 도 8에 도시된 개구(355)가 상기 제K 개구에 해당될 수 있다. 예를 들어, 공통 배선(350)에 있어서, 상기 제2 방향을 따라 연장되는 세로 배선 연장부들(410)은 상기 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부 중 제G 및 제G+1 세로 배선 연장부들(410)에 해당될 수 있고, 상기 제1 방향을 따라 연장되는 가로 배선 연장부들(430)은 상기 제1 내지 제L+1 가로 배선 연장부 중 제H 및 제H+1 가로 배선 연장부들(430)에 해당될 수 있다. 즉, 상기 제K 개구는 제G 및 제G+1 세로 배선 연장부들(410)및 제H 및 제H+1 가로 배선 연장부들(430)로부터 한정될 수 있다
절연 패턴(490)은 제1 모서리 부(910) 및 제2 모서리 부(930)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 절연 패턴(490)은 제1 모서리 부(910) 및 제2 모서리 부(930)가 노출되지 않도록 덮을 수 있다. 또한, 제1 모서리 부(910)에 배치된 절연 패턴(490)은 제2 모서리 부(930)에 배치된 절연 패턴(490)과 이격될 수 있다. 즉, 절연 패턴(490)은 공통 배선(350)의 상면의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
또한, 주변 영역(III)은 불투명 영역(XI) 및 개구 영역(X)을 포함할 수 있다. 여기서, 공통 배선(350)이 배치되는 영역을 불투명 영역(XI)으로 정의하고, 개구(355)가 위치하는 영역을 개구 영역(X)으로 정의할 수 있다. 절연 패턴(490)은 불투명 영역(XI)의 적어도 일부 및 개구 영역(X)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
선택적으로, 절연 패턴(490)은 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구의 측부(또는, 측벽) 및 모서리 부를 덮을 수 있고, 절연 패턴(490)은 상기 제K 개구를 둘러싸는 공통 배선(350)의 측부(또는, 측벽) 및 모서리 부를 덮을 수 있다.
도 9 및 10은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치에 포함된 공통 배선을 나타내는 평면도들이다. 도 9 및 도 10에 예시한 표시 장치에 포함된 공통 배선들(352, 354)은 개구들(357, 359)의 형상을 제외하면, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 표시 장치(100)에 포함된 공통 배선(350)과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 9 및 도 10에 있어서, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 실질적으로 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 3 및 도 9를 참조하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 공통 배선(350)의 개구들(355)은 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제 N 개구들은 기판(110)의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다. 공통 배선(350)은 상기 개구들에 의해 공간적으로 구분되며 그물망 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 공통 배선(350)의 상기 제2 방향으로 반복적으로 배열되는 개구들(355)이 일체로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 공통 배선(352)은 복수의 개구들(357)을 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있으며, 이러한 개구들(357)을 통해 표시 장치의 후면에 위치하는 사물의 이미지가 투과될 수 있다. 하나의 개구(357)는 제2 방향으로 연장될 수 있고, 상기 개구(357)는 바의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 3 및 도 10을 참조하면, 도 3에 도시된 바와 같이, 공통 배선(350)의 개구들(355)은 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들을 포함할 수 있고, 상기 제1 내지 제 N 개구들은 기판(110)의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다. 공통 배선(350)은 상기 개구들에 의해 공간적으로 구분되며 그물망 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 공통 배선(350)의 제1 방향으로 반복적으로 배열되는 개구들(355)이 일체로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 공통 배선(354)은 복수의 개구들(359)을 포함하는 플레이트 형상을 가질 수 있으며, 상기 개구들(359)을 통해 표시 장치의 후면에 위치하는 사물의 이미지가 투과될 수 있다. 하나의 개구(359)는 제1 방향으로 연장될 수 있고, 개구(359)는 바의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 11 내지 도 16은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 11을 참조하면, 기판(510) 상의 서브 화소 영역(IV)에 액티브층(530)이 형성될 수 있다. 기판(510)은 석영, 합성 석영, 불화칼슘, 불소가 도핑된 석영, 소다라임 유리, 무알칼리 유리 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로, 기판(510) 상에는 버퍼층이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(510) 상에서 주변 영역(III)으로부터 화소 영역(II)으로의 방향인 제1 방향으로 연장될 수 있다. 즉, 상기 버퍼층은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있고, 기판(510)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있다. 액티브층(530)은 기판(510) 상의 서브 화소 영역(IV)에 형성될 수 있다. 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 기판(510) 상에 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 덮으며 기판(510) 상에서 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다. 게이트 절연층(550)이 기판(510) 상의 주변 영역(III) 및 화소 영역(II)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 게이트 절연층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 게이트 전극(570) 상에는 층간 절연층(590)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570)을 덮으며 게이트 절연층(550) 상에서 상기 제1 방향으로 연장될 수 있다. 층간 절연층(590)은 기판(510) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)에 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(590)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 층간 절연층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 서브 화소 영역(IV)에 있어서, 층간 절연층(590) 상에는 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 형성될 수 있다. 소스 전극(610)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 일측에 접속될 수 있고, 드레인 전극(630)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 타측에 접속될 수 있다.
주변 영역(III)에 있어서, 층간 절연층(590) 상에는 공통 배선(750)이 형성될 수 있다. 공통 배선(750)은 플레이트 형상의 복수의 개구들(755)을 포함하는 그물망 구조를 가질 수 있으며, 이러한 개구들(755)을 통해 표시 장치의 후면에 위치하는 사물의 이미지가 투과될 수 있다.
공통 배선(750), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 공통 배선(750), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 공통 배선(750), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 전극(570), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에는 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에서 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상의 주변 영역(III)의 일부에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 즉, 평탄화층(670)은 기판(510) 상의 화소 영역(II)에서 전체적으로 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 충분히 덮을 수 있으며, 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 평탄화층(270)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상에 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)과 접속될 수 있다.
도전 패턴(870)은 평탄화층(670)의 일부 및 공통 배선(750)의 일부 상의 주변 영역(III)에 형성될 수 있다. 도전 패턴(870)은 하부 전극(690)과 이격하여 배치될 수 있고, 주변 영역(III)에서 평탄화층(670) 및 공통 배선(750)의 프로파일을 따라 균일한 두께로 형성될 수 있다.
도전 패턴(870)은 복수의 개구들(875)을 가질 수 있다. 예를 들어, 도전 패턴(870)은 공통 배선(750)의 적어도 일부와 중첩될 수 있다. 도전 패턴(870)과 공통 배선(750)이 중첩되는 부분에 있어서, 공통 배선(750)의 개구(755)와 도전 패턴(870)의 개구(875)는 실질적으로 중첩될 수 있고, 도전 패턴(870)은 공통 배선(750)을 둘러쌀 수 있다. 상기 중첩되는 부분에서, 도전 패턴(870)이 공통 배선(750)을 둘러싸기 때문에 도전 패턴(870)과 공통 배선(750)이 중첩되는 부분에 위치한 개구(875)의 크기는 도전 패턴(870)과 공통 배선(750)이 중첩되지 않는 부분에 위치한 개구(755)보다 실질적으로 작을 수 있다. 구체적으로, 도전 패턴(870)은 상기 중첩되는 부분에서 공통 배선(750)의 상면, 측면 및 모서리 부를 덮으면서, 개구(755)를 노출시킬 수 있다.
하부 전극(690) 및 도전 패턴(870)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하부 전극(690) 및 도전 패턴(870)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 네오디뮴, 스칸듐, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 하부 전극(690) 및 도전 패턴(870)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 14를 참조하면, 화소 영역(II)에 있어서, 화소 정의막(710)은 평탄화층(670) 상의 서브 화소 영역(IV)에서 하부 전극(690)의 일부를 노출시킬 수 있고, 평탄화층(670) 상의 투과 영역(V)에서 평탄화층(670)의 일부를 노출시킬 수 있다. 서브 화소 영역(IV)에서 하부 전극(690)이 노출된 부분은 발광층이 형성될 수 있고, 투과 영역(V)에서 평탄화층(670)이 노출된 부분은 투과창(725)이 위치할 수 있다.
절연 패턴(890)이 공통 배선(750) 상의 주변 영역(III)에 형성될 수 있다. 절연 패턴(890)은 제1 영역(예를 들어, 공통 배선(750) 상에 도전 패턴(870)이 형성되지 않는 영역) 상에 형성되는 공통 배선(750)의 모서리 부 및 양측부를 덮을 수 있다. 즉, 절연 패턴(890)은 상기 제1 영역 상에 위치하는 공통 배선(750)의 상면 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 절연 패턴(890)은 상기 제1 영역 상에 위치하는 하나의 개구(755)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있고, 상기 개구(755)를 둘러싸는 공통 배선(350)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있다. 반면에, 절연 패턴(890)은 상기 제1 영역과 다른 제2 영역(예를 들어, 공통 배선(750)과 도전 패턴(870)이 중첩되는 영역) 상에 배치된 아래에 공통 배선(750)이 위치하는 도전 패턴(870)의 모서리 부 및 양측부를 덮을 수 있다. 즉, 절연 패턴(890)은 상기 제2 영역 상에 위치하는 도전 패턴(870)의 상면 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 다시 말하면, 절연 패턴(890)은 상기 제2 영역 상에 위치하는 하나의 개구(875)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있고, 상기 개구(875)를 둘러싸는 도전 패턴(870)의 측부 및 모서리 부를 덮을 수 있다.
차단 구조물(850)은 공통 배선(750)의 최외곽(예를 들어, 상기 제1 영역의 최외곽)에 형성될 수 있다. 차단 구조물(850)은 아래에 위치하는 공통 배선(750)의 상면에 형성될 수 있다. 또한, 차단 구조물(850)은 아래에 위치하는 공통 배선(750)의 모서리 부를 덮은 절연 패턴(890)으로부터 이격될 수 있다. 즉, 공통 배선(750)에 절연 패턴(890) 및 차단 구조물(850)이 배치되더라도 절연 패턴(890) 및 차단 구조물(850)이 배치된 공통 배선(750)의 상면의 적어도 일부는 노출될 수 있다. 또한, 차단 구조물(850)은 기설정된 높이를 가질 수 있다.
차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 무기 물질들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 폴리이미드계 수지, 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 유기 물질들을 포함할 수 있고, 차단 구조물(850), 화소 정의막(710) 및 절연 패턴(890)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 절연 패턴(890) 및 차단 구조물(850)이 화소 정의막(710)과 동시에 형성되는 경우, 기판(510) 상에 예비 화소 정의막이 형성된 후, 상기 예비 화소 정의막을 패터닝하여 절연 패턴(890), 차단 구조물(850), 화소 정의막(710)이 형성될 수 있다. 또한, 차단 구조물(850)은 박막 봉지층들의 누출을 차단할 수 있는 상기 기설정된 높이를 수득하기 위해 차단 구조물(850) 상에 스페이서가 추가적으로 형성될 수 있다.
도 15를 참조하면, 발광층(730)은 적어도 일부가 노출된 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있다. 발광층(730)은 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
상부 전극(740)은 화소 정의막(710), 발광층(730) 및 도전 패턴(870)의 일부 상에 형성될 수 있고, 투과 영역(V)에는 형성되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과창(725)을 형성한 후, 투과창(725)의 내측에 유기층이 형성될 수 있다. 투과창(725)의 내측에 상기 유기층을 형성시키는 경우, 상부 전극(740)이 형성되는 과정에서 상기 유기층이 위치한 영역은 상부 전극(740)이 형성되지 않을 수 있다. 즉, 상부 전극(740)이 형성되는 영역을 조절할 수 있다. 상부 전극(740)은 투과 영역(V)을 제외한 화소 영역(II)에서 화소 정의막(710) 및 발광층(730)을 덮을 수 있으며 기판(510) 상에서 상기 제1 방향을 따라 연장될 수 있다. 상부 전극(740)이 투과 영역(V)에 형성되지 않음으로써 표시 장치의 화소 영역(II)에서 투과율이 향상될 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 또한, 상기 유기 재료는 리튬 퀴놀린(lithium quinoline LiQ)과 같은 금속과 접착력이 좋지 않고, 투명한 재료를 포함할 수 있다.
도 16을 참조하면, 상부 전극(740), 도전 패턴(870) 및 공통 배선(750) 상에 박막 봉지 구조물(800)이 형성될 수 있다. 박막 봉지 구조물(800)은 적어도 하나의 제1 봉지층 및 적어도 하나의 제2 봉지층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(785) 상에 제2 봉지층(770)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 번갈아 가며 반복적으로 배열될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(740), 도전 패턴(870), 공통 배선(750), 절연 패턴(890), 도전 패턴(870) 및 차단 구조물(850) 상에 제1 봉지층(785)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상부 전극(740), 도전 패턴(870), 공통 배선(750), 절연 패턴(890), 도전 패턴(870) 및 차단 구조물(850)을 덮으며, 균일한 두께로 상부 전극(740), 도전 패턴(870), 공통 배선(750), 절연 패턴(890), 도전 패턴(870) 및 차단 구조물(850)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 봉지층(785)은 상기 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(785)은 외부의 충격으로부터 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(785)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 봉지층(785) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부 상에 제2 봉지층(770)이 배치될 수 있다. 제2 봉지층(770)은 표시 장치의 평탄도를 향상시킬 수 있으며, 화소 영역(II)에 배치된 상기 표시 구조물을 보호할 수 있다. 제2 봉지층(770)은 유기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770) 상에 제1 봉지층(790)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(790)은 주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)을 덮으며, 균일한 두께로 주변 영역(III)에 배치된 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)의 프로 파일을 따라 형성될 수 있다. 제1 봉지층(790)은 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 표시 구조물이 수분, 산소 등의 침투로 인해 열화되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제1 봉지층(790)은 외부의 충격으로부터 제1 봉지층(785) 및 제2 봉지층(770)과 상기 표시 구조물을 보호하는 기능도 수행할 수 있다. 제1 봉지층(790)은 무기 물질들을 사용하여 형성될 수 있다.
제1 봉지층(790) 상의 화소 영역(II) 및 주변 영역(III)의 일부에 제2 봉지층(775)이 형성될 수 있다. 제2 봉지층(775)은 제2 봉지층(770)과 실질적으로 동일하거나 유사한 기능을 수행할 수 있으며, 제2 봉지층(770)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 제2 봉지층(775) 상에 제1 봉지층(795)이 형성될 수 있다. 제1 봉지층(795)은 제1 봉지층(790)과 실질적으로 동일하거나 유사한 기능을 수행할 수 있으며, 제1 봉지층(790)과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역
20: 주변 영역
100: 표시 장치 110, 510: 기판
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 740: 상부 전극
350, 352, 354 750: 공통 배선
355, 357, 359, 475, 755, 875: 개구
470, 870: 도전 패턴 490, 890: 절연 패턴
450, 850: 차단 구조물 400, 800: 박막 봉지 구조물
910: 제1 모서리 부 930: 제2 모서리 부
II: 화소 영역 III: 주변 영역
IV: 서브 화소 영역 V: 투과 영역
VII: 제1 영역 VIII: 제2 영역
IX: 제3 영역 X: 개구 영역
XI: 불투명 영역
100: 표시 장치 110, 510: 기판
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 310, 710: 화소 정의막
330, 730: 발광층 340, 740: 상부 전극
350, 352, 354 750: 공통 배선
355, 357, 359, 475, 755, 875: 개구
470, 870: 도전 패턴 490, 890: 절연 패턴
450, 850: 차단 구조물 400, 800: 박막 봉지 구조물
910: 제1 모서리 부 930: 제2 모서리 부
II: 화소 영역 III: 주변 영역
IV: 서브 화소 영역 V: 투과 영역
VII: 제1 영역 VIII: 제2 영역
IX: 제3 영역 X: 개구 영역
XI: 불투명 영역
Claims (20)
- 서브 화소 영역들 및 투과 영역을 각기 포함하는 복수의 화소 영역들을 포함하는 표시 영역과 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시 영역의 화소 영역들 각각에 배치되는 표시 구조물; 및
상기 기판의 주변 영역에 배치되며, 적어도 하나의 개구를 갖는 공통 배선을 포함하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 공통 배선의 개구는 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들을 포함하고, 상기 공통 배선은 상기 개구들에 의해 구분되는 것을 특징으로 하는 표시 장치
- 제 2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구를 둘러싸는 상기 공통 배선은 상기 제K 개구와 인접한 제1 모서리 부 및 상기 제1 모서리 부를 둘러싸는 제2 모서리 부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 모서리 부들을 덮는 절연 패턴을 더 포함하고,
상기 제1 모서리 부에 배치된 상기 절연 패턴은 상기 제2 모서리 부에 배치된 절연 패턴과 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 2 항에 있어서, 상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K(단, K는 1 이상 N 이하의 정수) 개구의 측부 및 모서리 부를 덮고, 상기 제K 개구를 둘러싸는 상기 공통 배선의 측부 및 모서리 부를 덮는 절연 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 공통 배선이 배치되는 불투명 영역 및 상기 공통 배선의 개구가 위치하는 개구 영역을 포함하고,
상기 절연 패턴은 상기 공통 배선의 상면의 적어도 일부를 노출시키고, 상기 절연 패턴은 상기 불투명 영역의 적어도 일부 및 상기 개구 영역의 적어도 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 6 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 제1 봉지층; 및
상기 제1 봉지층 상에 배치되는 제2 봉지층을 더 포함하고,
상기 제1 봉지층 및 제2 봉지층은 번갈아 가며 반복적으로 배열되고, 상기 제1 봉지층은 유기 물질들을 포함하며, 상기 제2 봉지층은 무기 물질들을 포함하고, 상기 제1 봉지층은 상기 공통 배선을 덮고, 상기 제2 봉지층은 상기 공통 배선의 적어도 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 4 항에 있어서, 상기 공통 배선의 제1 내지 제N(단, N은 1 이상의 정수) 개구들은 상기 기판의 상면과 평행한 제1 방향 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 규칙적으로 배열되고,
상기 공통 배선은 상기 개구들에 의해 공간적으로 구분되며, 그물망 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 제2 방향으로 배열된 상기 제1 내지 제M(단, M은 1 이상의 정수) 개구들은 일체로 형성되고, 바의 평면 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 8 항에 있어서, 상기 공통 배선은,
상기 제2 방향으로 연장되며 상기 제1 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제M+1(단, M은 1 이상의 정수) 세로 배선 연장부; 및
상기 제1 방향으로 연장되며 상기 제2 방향으로 반복적으로 배열되는 제1 내지 제L+1(단, L은 1 이상의 정수) 가로 배선 연장부를 갖고,
상기 제1 내지 제N 개구들 중 제K 개구는 상기 제1 내지 제M+1 세로 배선 연장부 중 제G(단, G는 1 이상 M+1 이하의 정수) 및 제G+1 세로 배선 연장부들 및 상기 제1 내지 제L+1 가로 배선 연장부 중 제H(단, H는 1 이상 L+1 이하의 정수) 및 제H+1 가로 배선 연장부들로부터 한정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 10 항에 있어서, 상기 주변 영역은,
상기 주변 영역의 최외곽에 위치하는 제1 영역; 및
상기 표시 영역과 인접하여 위치하고, 상기 표시 영역을 둘러싸며, 상기 제1 영역과 상기 표시 영역 사이에 위치하는 제2 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 11 항에 있어서, 상기 세로 배선 연장부들 중 상기 제1 영역의 최외곽에 위치하는 제1 세로 배선 연장부의 상면에 배치되고, 상기 제1 세로 배선 연장부의 모서리 부들을 덮는 절연 패턴과 이격되며, 기설정된 높이를 갖는 제1 차단 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 12 항에 있어서,
상기 제1 차단 패턴과 인접하여 배치되는 적어도 하나의 제2 차단 패턴을 더 포함하고,
상기 제1 차단 패턴 및 제2 차단 패턴들은 상기 공통 배선 상에서 규칙적으로 이격하여 배치되고, 상기 제2 차단 패턴은 상기 제2 차단 패턴으로부터 인접한 절연 패턴들과 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 제1 차단 패턴과 인접하여 배치되는 적어도 하나의 제2 차단 패턴을 더 포함하고,
상기 제1 차단 패턴 및 제2 차단 패턴들은 상기 공통 배선 상에서 불규칙적으로 이격하여 배치되고, 상기 제2 차단 패턴은 상기 제2 차단 패턴으로부터 인접한 절연 패턴들과 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 표시 구조물은,
상기 기판 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 전극 및 상기 게이트 전극 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상에 배치되는 하부 전극;
상기 하부 전극을 부분적으로 노출시키는 화소 정의막;
상기 하부 전극 상에 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 15 항에 있어서, 상기 공통 배선은 상기 표시 구조물들과 전기적으로 연결되고, 상기 공통 배선은 상기 소스 및 드레인 전극들과 동일한 물질로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제2 영역에서 상기 공통 배선의 적어도 일부와 중첩되고, 상기 상부 전극과 전기적으로 연결되는 도전 패턴을 더 포함하고,
상기 상부 전극은 상기 투과 영역을 노출시키고, 상기 투과 영역의 면적은 공통 배선에 위치하는 개구의 면적과 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 17 항에 있어서, 상기 도전 패턴은 상기 공통 배선과 중첩되는 부분에서 상기 공통 배선을 덮고, 상기 공통 배선의 개구를 노출시키며, 그물망 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 18 항에 있어서,
상기 공통 배선과 중첩되는 부분에서 상기 도전 패턴의 모서리 부들을 덮는 절연 패턴을 더 포함하고,
상기 절연 패턴은 상기 도전 패턴의 상면의 적어도 일부를 노출시키며, 상기 절연 패턴은 상기 화소 정의막과 동일한 물질들을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 공통 배선과 상기 표시 구조물 사이의 상기 주변 영역에 배치되며 적어도 하나의 개구를 갖는 적어도 하나의 추가 공통 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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