CN110249377A - 半导体装置、显示面板、显示装置、输入输出装置及数据处理装置 - Google Patents

半导体装置、显示面板、显示装置、输入输出装置及数据处理装置 Download PDF

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Abstract

提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。该半导体装置包括算术逻辑单元及放大器。算术逻辑单元构成为根据偏置调节信号或偏置数据以及第一数据生成第二数据。放大器包括运算放大器及包括寄存器的偏置调节信号。运算放大器根据第一端子和第二端子之间的电压对节点供应规定的电压。寄存器构成为根据锁存信号将偏置调节信号作为偏置数据保持。寄存器构成为在透过状态下使被供应的偏置调节信号透过而供应偏置调节信号。寄存器构成为在非透过状态下供应偏置调节信号。

Description

半导体装置、显示面板、显示装置、输入输出装置及数据处理 装置
技术领域
本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示面板、显示装置、输入输出装置或数据处理装置。
注意，本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的本发明的一个实施方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionof matter)。具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个实施方式的技术领域的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、任何这些装置的驱动方法或者任何这些装置的制造方法。
背景技术
显示装置趋向高性能化(例如，多灰度化及高分辨率化等)。为了应对该高性能化，作为显示装置的驱动电路，尤其作为源极驱动器，采用了集成电路(IC，以下还称为驱动器IC)。
驱动器IC包括用于生成对像素供应的模拟信号的灰度电压生成电路。该灰度电压生成电路为根据数字信号生成模拟信号的数字模拟(D/A)转换电路。
考虑到高速响应速度的需求，作为D/A转换电路采用串联设置电阻器的电阻数模转换器(R-DAC)。随着数字信号的位数的增加，R-DAC中的开关的个数以指数函数的方式增加，因此驱动器IC的电路面积会增加。
鉴于上述内容，在专利文献1至3中提出了分别转换高位的数字信号及低位的数字信号并将各自的模拟信号合成来获得所希望的模拟信号的结构。
[参考文献]
[专利文献]
[专利文献1]美国专利申请公开第2005/0140630号说明书
[专利文献2]美国专利申请公开第2010/0156867号说明书
[专利文献3]美国专利申请公开第2010/0141493号说明书
发明内容
本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。另外，本发明的一个实施方式的目的是提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示装置。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的输入输出装置。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的数据处理装置。另外，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的显示面板、新颖的显示装置、新颖的输入输出装置、新颖的数据处理装置或新颖的半导体装置。
注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个实施方式不需要实现所有上述目的。上述目的以外的目的可以显而易见地从说明书、附图、权利要求书等的描述中看出，并且可以抽取上述目的以外的目的。
(1)本发明的一个实施方式是一种半导体装置，包括算术逻辑单元、第一D/A转换电路以及放大器。
算术逻辑单元构成为根据偏置调节信号及第一数据生成第二数据。算术逻辑单元构成为根据偏置数据及第一数据生成第二数据。
第一D/A转换电路构成为根据第二数据供应模拟信号。第一D/A转换电路与放大器电连接。
放大器构成为供应偏置调节信号及偏置数据。
(2)另外，本发明的其他一个实施方式是一种半导体装置，其中上述放大器包括运算放大器、第一端子、第二端子、节点、开关及偏置调节电路。
运算放大器与第一端子、第二端子及节点电连接。运算放大器构成为根据第一端子和第二端子之间的电压对节点供应第一电压。
开关与节点及第二端子电连接。开关构成为在输出使能信号处于第一状态时使节点和第二端子之间处于非导通状态的功能。开关构成为在输出使能信号处于第二状态时使节点和第二端子电连接。
偏置调节电路与节点电连接。偏置调节电路构成为使偏置调节信号透过或者供应偏置数据。
(3)另外，本发明的其他一个实施方式是一种半导体装置，其中上述偏置调节电路包括电平转换器及寄存器。
电平转换器与节点及寄存器电连接。电平转换器构成为在输出使能信号处于第一状态时根据节点的电位供应处于第一状态或第二状态的锁存信号。电平转换器构成为在输出使能信号处于第二状态时供应处于第一状态的锁存信号。
寄存器构成为被供应偏置调节信号、复位信号及锁存信号。寄存器构成为将在被供应处于第二状态的锁存信号时的偏置调节信号作为偏置数据保持。寄存器构成为在透过状态下使被供应的偏置调节信号透过而供应偏置调节信号。寄存器构成为在非透过状态下供应偏置数据。
由此，可以将偏置数据追加到第一数据而生成第二数据。另外，在开关关闭时，可以以节点的电位接近第二端子的电位的方式指定偏置数据。另外，可以以节点的电位接近第二端子的电位的方式生成第二数据。另外，可以使节点的电位接近第二端子的电位。另外，在开关开启时，可以抑制流过节点的电流。另外，可以抑制流过半导体装置的偏置电流。另外，可以减少半导体装置的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
(4)另外，本发明的其他一个实施方式是还包括第一选择电路的上述半导体装置。
第一选择电路构成为供应第一选择信号。放大器包括第三端子。偏置调节电路包括三态缓冲器。
三态缓冲器与寄存器及第三端子电连接。三态缓冲器在第一选择信号处于第一状态时成为高阻抗状态。三态缓冲器在第一选择信号处于第二状态时使偏置调节信号透过或者供应偏置数据。
由此，例如可以利用第一选择信号从多个偏置调节电路选择一个偏置调节电路。另外，可以根据第一选择信号供应偏置数据。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
(5)另外，本发明的其他一个实施方式是包括第二选择电路及锁存电路的上述半导体装置。第二选择电路构成为供应第二选择信号。
锁存电路与算术逻辑单元及第一D/A转换电路电连接。该锁存电路在被供应第二选择信号时保持第二数据。锁存电路在非透过状态下供应第二数据。
由此，例如可以利用第二选择信号从多个锁存电路选择一个锁存电路。另外，可以根据第二选择信号将第二数据储存于锁存电路。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
(6)另外，本发明的其他一个实施方式是还包括端子区域的上述半导体装置。
端子区域包括在行方向上配置的一组多个端子。该一组多个端子包括与第二端子电连接的端子。
通过具有上述结构，可以供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。另外，例如可以通过一组多个端子对在行方向上配置的一组多个信号线供应从数字信号变换而得到的模拟信号。另外，可以减少流过第二端子的偏置电流。另外，可以减少半导体装置的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
(7)另外，本发明的其他一个实施方式是还包括缓冲放大器的上述半导体装置。该缓冲放大器包括第四端子及第五端子。
第一D/A转换电路包括第一输出端子及第二输出端子。该第一输出端子与第一端子电连接。该第二输出端子与第四端子电连接。
一组多个端子包括与第五端子电连接的端子。
(8)另外，本发明的其他一个实施方式是一种上述半导体装置，其中上述端子区域包括一个或多个第一区域。
在端子区域中，第一区域的数量与第二区域的数量相同。在端子区域中，第一区域和第二区域在交替地设置。
第一区域包括与第二端子电连接的端子。第二区域包括与第五端子电连接的端子。
由此，例如可以通过一组多个端子对在行方向上配置的一组多个信号线供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。另外，可以减少流过在第一区域中配置的第二端子的偏置电流。另外，可以减少半导体装置的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
(9)另外，本发明的其他一个实施方式是一种包括显示区域及任何上述半导体装置的显示面板。
显示区域包括一组多个像素、其他一组多个像素、扫描线以及信号线。
一组多个像素配置在行方向上，另一组多个像素在与行方向交叉的列方向上配置。扫描线与一组多个像素电连接。
信号线与另一组多个像素电连接。另外，信号线与第二端子电连接。
通过具有上述结构，可以对一个信号线供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。另外，对另一组多个像素供应从数字信号变换而得到的模拟信号。另外，可以减少流过第二端子的偏置电流。另外，可以减少显示面板的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
(10)另外，本发明的其他一个实施方式是一种还包括第二半导体装置的上述显示面板。
第二半导体装置包括第二D/A转换电路以及缓冲放大器。该缓冲放大器包括第六端子及第七端子。
第六端子与第二D/A转换电路电连接。第七端子与信号线电连接。
信号线在与第二端子电连接的部分和与第七端子电连接的部分之间包括与另一组像素电连接的部分。
由此，可以从一个信号线的两端对另一组像素供应模拟信号。另外，可以降低一个信号线的寄生电阻对模拟信号所带来的影响。另外，可以降低一个信号线的寄生电容对模拟信号所带来的影响。另外，也可以对信号线进行高速充放电，由此可以抑制寄生电阻及寄生电容。另外，可以分散充放电时所产生的发热。另外，可以减少与一个信号线的一端电连接的半导体装置和与一个信号线的另一端电连接的缓冲放大器之间流过的偏置电流。另外，可以减少显示面板的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
(11)另外，本发明的其他一个实施方式是一种上述显示面板，其中上述显示区域包括矩阵状的多个像素。显示区域在行方向上包括7600个以上的像素。显示区域在列方向上包括4300个以上的像素。
通过具有上述结构，例如，可以对像素数量多于高清图像或4K图像的像素数量的像素供应劣化得到抑制的图像信号。另外，可以一边减少图像信号的劣化一边高速地对像素供应图像信号。另外，可以显示高分辨率的图像。另外，以60Hz以上，优选以120Hz以上的刷新速率进行显示。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
(12)另外，本发明的其他一个实施方式是一种上述显示面板，其中上述显示区域包括第一像素、第二像素以及第三像素。
第一像素显示在CIE1931色度坐标上色度x大于0.680且为0.720以下，色度y为0.260以上且0.320以下的颜色。
第二像素显示在CIE1931色度坐标上色度x为0.130以上且0.250以下，色度y大于0.710且为0.810以下的颜色。
第三像素显示在CIE1931色度坐标上色度x为0.120以上且0.170以下，色度y为0.020以上且小于0.060的颜色。
(13)另外，本发明的其他一个实施方式是一种显示装置，包括任何上述显示面板、以及控制部。
控制部被供应图像数据及控制数据。控制部根据图像数据生成数据。控制部供应第一数据。
第一数据包括12比特以上的灰度。显示面板被供应第一数据。扫描线以60Hz以上的频率被供应选择信号。显示元件根据上述数据进行显示。
通过具有上述结构，可以使用显示元件显示图像数据。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示装置。
(14)另外，本发明的其他一个实施方式是一种输入输出装置，包括输入部及显示部。显示部包括任何上述显示面板。
输入部包括检测区域并检测靠近检测区域的物体。检测区域包括与像素重叠的区域。
通过具有上述结构，可以在使用显示部显示图像数据的同时，检测靠近与显示部重叠的区域的物体。另外，可以将接近显示部的手指等用作指示器而输入位置数据。另外，可以使位置数据与显示在显示部上的图像数据相关联。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的输入输出装置。
(15)另外，本发明的其他一个实施方式是一种数据处理装置，包括：键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置、姿态检测装置中的至少一个；以及任何上述显示面板。
由此，算术逻辑单元可以根据使用各种各样的输入装置供应的数据生成图像数据或控制数据。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的数据处理装置。
虽然附于本说明书的方框图以独立的方框示出根据其功能进行分类的各构成要素，但是实际上的构成要素难以根据其功能完全划分，而一个构成要素会涉及多个功能。
在本说明书中，晶体管所具有的“源极”和“漏极”的词句根据晶体管的极性或施加到各端子的电位的高低互相调换。一般而言，在n沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为源极，而将被施加高电位的端子称为漏极。另外，在p沟道型晶体管中，将被施加低电位的端子称为漏极，而将被施加高电位的端子称为源极。在本说明书中，尽管为方便起见在一些情况下假定源极和漏极是固定的来描述晶体管的连接关系，但是实际上，源极和漏极的名称根据上述电位关系而相互调换。
另外，在本说明书中，晶体管的“源极”是指用作活性层的半导体膜的一部分的源区或与上述半导体膜连接的源电极。与此同样，晶体管的“漏极”是指上述半导体膜的一部分的漏区或与上述半导体膜连接的漏电极。“栅极”是指栅电极。
另外，在本说明书中，晶体管彼此串联连接的状态是指例如第一晶体管的源极和漏极中的只有一个与第二晶体管的源极和漏极中的只有一个连接的状态。另外，晶体管并联连接的状态是指第一晶体管的源极和漏极中的一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个连接且第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接的状态。
在本说明书中，“连接”是指电连接，相当于能够供应或传送电流、电压或电位的状态。因此，“连接”不仅是指直接连接的状态，而且还是指能够供应或传送电流、电压或电位的通过布线、电阻器、二极管、晶体管等的电路元件间接地连接的状态。
在本说明书中，即使在电路图上独立的构成要素彼此连接时，实际上也有一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况，例如布线的一部分用作电极的情况等。在本说明书中，“连接”的词句还是指包括一个导电膜兼具有多个构成要素的功能的情况。
另外，在本说明书中，晶体管的第一电极和第二电极中的一个是指源电极，而另一个是指漏电极。
根据本发明的一个实施方式可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的显示装置。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的输入输出装置。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的数据处理装置。另外，根据本发明的一个实施方式可以提供一种新颖的显示面板、新颖的显示装置、新颖的输入输出装置、新颖的数据处理装置或新颖的半导体装置。
注意，上述效果的记载不妨碍其他效果的存在。本发明的一个实施方式并不一定需要实现所有上述效果。上述效果以外的效果可以显而易见地从说明书、附图、权利要求书等的记载中看出，并且可以抽取上述效果以外的效果。
附图说明
图1A及图1B是说明根据实施方式的半导体装置的结构的方框图。
图2是说明可用于根据实施方式的半导体装置的放大器的结构的方框图。
图3A及图3B是说明根据实施方式的半导体装置的结构的方框图。
图4A至图4E是说明可用于根据实施方式的半导体装置的端子区域的结构的方框图。
图5是说明根据实施方式的显示面板的结构的方框图。
图6是说明根据实施方式的显示面板的结构的方框图。
图7是说明根据实施方式的显示面板的一部分的结构的方框图。
图8是说明根据实施方式的显示面板的调节方法的流程图。
图9A至图9C是说明根据实施方式的显示面板的结构的方框图。
图10A及图10B是说明根据实施方式的显示面板的结构的截面图及电路图。
图11A及图11B是说明根据实施方式的显示面板中的像素的结构的截面图。
图12A及图12B是说明根据实施方式的显示面板的结构的截面图及电路图。
图13A及图13B是说明根据实施方式的显示面板中的像素的结构的截面图。
图14A、图14B1、图14B2及图14B3是说明根据实施方式的显示装置的结构的方框图及立体图。
图15是说明根据实施方式的输入输出装置的结构的方框图。
图16A至图16C是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的方框图及投影图。
图17A及图17B是说明根据实施方式的数据处理装置的驱动方法的流程图。
图18A及图18B是说明根据实施方式的数据处理装置的驱动方法的流程图及时序图。
图19A至图19E是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的图。
图20A及图20E是说明根据实施方式的数据处理装置的结构的图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式是一种包括算术逻辑单元及放大器的半导体装置。算术逻辑单元构成为根据偏置调节信号或者偏置数据与第一数据生成第二数据。放大器包括运算放大器、第一端子、第二端子、节点、开关以及偏置调节电路。运算放大器构成为根据第一端子和第二端子之间的电压对节点供应第一电压。另外，偏置调节电路与节点电连接，并包括电平转换器及寄存器。寄存器构成为：被供应偏置调节信号、复位信号及锁存信号；将在寄存器被供应处于第二状态的锁存信号时的偏置调节信号作为偏置数据保持；在透过状态下，使偏置调节信号透过而供应偏置调节信号；并且在非透过状态下，供应偏置数据。
由此，可以将偏置数据追加到第一数据而生成第二数据。另外，在开关关闭时，可以以节点的电位接近第二端子的电位的方式指定偏置数据。另外，可以以节点的电位接近第二端子的电位的方式生成第二数据。另外，可以使节点的电位接近第二端子的电位。另外，在开关开启时，可以抑制流过节点的电流。另外，可以减少流过半导体装置的偏置电流。另外，可以减少半导体装置的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明的一个实施方式不局限于以下说明。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在以下说明的发明的结构中，在不同的附图之间共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。
(实施方式1)
在本实施方式中，参照图1A及图1B、图2以及图3A及图3B说明本发明的实施方式的半导体装置的结构。
图1A及图1B是说明本发明的一个实施方式的半导体装置的结构的方框图。
图2是说明可用于根据本发明的一个实施方式的半导体装置的放大器的结构的方框图。
图3A及图3B是说明具有与参照图2中的结构不同的可用于本发明的一个实施方式的半导体装置的放大器的结构的方框图。
注意，在本说明书中，有时将取1以上的整数的值的变数用于附图标记。例如，有时将1以上的整数的值p的“(p)”用于指定任意构成要素(最大为p个构成要素)的附图标记的一部分。另外，例如，有时将分别为1以上的整数的值m及n的“(m，n)”用于指定任一个构成要素(最大为m×n个构成要素)的附图标记的一部分。
〈半导体装置的结构实例1.〉
在本实施方式中所说明的半导体装置100包括算术逻辑单元ALU、第一D/A电路及放大器AMP(参照图1A及图1B)。
《算术逻辑单元ALU》
算术逻辑单元ALU根据第一数据DATA[0：11]及偏置数据COMP[0：7]生成第二数据DEC[0：11]。例如，将偏置数据COMP[0：7]追加到第一数据DATA[0：11]而可以生成第二数据DEC[0：11]。换言之，算术逻辑单元ALU具有利用偏置数据COMP[0：7]将第一数据DATA[0：11]校正为第二数据DEC[0：11]的功能。
算术逻辑单元ALU根据第一数据DATA[0：11]及偏置数据COMP[0：7]生成第二数据DEC[0：11]。
《D/A转换电路》
第一D/A转换电路根据第二数据DEC[0：11]供应模拟信号。
第一D/A转换电路与放大器AMP电连接。
例如，可以将12比特的D/A转换电路用作第一D/A转换电路。具体而言，可以将电阻串R-string及包括传输晶体管的逻辑电路PTL(1)用于第一D/A转换电路。
例如，可以将以相对于数字信号的值的模拟信号的电压为线形的方式设置的电阻串R-string用于第一D/A转换电路。
由此，可以通过对数字信号的值进行加法及/或减法校正第一数据DATA[0：11]。另外，可以容易进行关于第一数据DATA[0：11]的校正的运算。另外，可以利用算术逻辑单元ALU及偏置数据COMP[0：7]容易校正第一数据DATA[0：11]。另外，可以实现算术逻辑单元ALU的结构简化。另外，可以缩小算术逻辑单元ALU所占的面积。
《放大器AMP》
放大器AMP包括运算放大器14、第一端子Tm11、第二端子Tm12、节点N3、开关13及偏置调节电路20(参照图2)。
运算放大器14与第一端子Tm11、第二端子Tm12及节点N3电连接。
运算放大器14具有根据第一端子Tm11和第二端子Tm12之间的电压对节点N3供应第一电压V3的功能。
《开关13》
开关13与节点N3及第二端子Tm12电连接。
开关13在输出使能信号EN处于第一状态时使节点N3和第二端子Tm12之间处于非导通状态。例如，输出使能信号EN的第一状态可以为低电平，输出使能信号EN的第二状态可以为高电平。
开关13在输出使能信号EN处于第二状态时使节点N3和第二端子Tm12之间电连接。
《偏置调节电路20的结构实例1.》
偏置调节电路20与节点N3电连接。偏置调节电路20包括电平转换器21及寄存器22。
《电平转换器21》
电平转换器21与节点N3及寄存器22电连接。
电平转换器21在输出使能信号EN处于第一状态时根据节点N3的电位供应处于第一状态或第二状态的锁存信号。例如，可以将其电平被转换过的节点N3的电位用于处于第一状态或第二状态的锁存信号。在被供应处于第一状态的输出使能信号EN时开关13关闭。
电平转换器21在输出使能信号EN处于第二状态时供应处于第一状态的锁存信号。换言之，在电平转换器21被供应处于第二状态的输出使能信号EN时，电平转换器21与节点N3的电位无关地供应处于第一状态的锁存信号。另外，使电平转换器21的输入端子处于浮动状态。另外，在被供应处于第二状态的输出使能信号EN时开关13开启。
《寄存器22》
寄存器22被供应偏置调节信号F[0：7]、复位信号RESET及锁存信号。例如，可以将8比特的数字信号用作偏置调节信号。
由此，例如可以供应256等级的偏置调节信号。另外，例如可以将128等级的负值及128等级的正值用于偏置调节信号。
例如，在以节点N3的电位与第二端子Tm12的电位之间的差异从小于50mV的范围变为小于0.5mV的范围内的方式将节点N3的电位接近于第二端子Tm12的电位的情况下，需要以大约200以上的等级调节节点N3的电位。具体而言，需要以8比特即256等级调节节点N3的电位。
由此，例如可以使节点N3的电位接近第二端子Tm12的电位，以便节点N3与第二端子Tm12之间的差异为0.39mV(＝100mV÷256)的范围内。由此，节点N3可以充分地接近于第二端子Tm12的电位，以便节点N3与第二端子Tm12之间的差异从小于40mV的范围变为小于0.5mV的范围内。
寄存器22将在对寄存器22供应处于第二状态的锁存信号时的偏置调节信号F[0：7]作为偏置数据COMP[0：7]保持。例如，可以将多个锁存电路用于寄存器22。
寄存器22在透过状态下使被供应的偏置调节信号F[0：7]透过而供应偏置调节信号F[0：7]。另外，寄存器22在非透过状态下供应偏置数据COMP[0：7]。
由此，将偏置数据COMP[0：7]追加到第一数据DATA[0：11]而生成第二数据DEC[0：11]。另外，在开关13关闭时，可以以节点N3的电位接近第二端子Tm12的电位的方式指定偏置数据COMP[0：7]。另外，可以以节点N3的电位接近第二端子Tm12的电位的方式生成第二数据DEC[0：11]。另外，可以使节点N3的电位接近第二端子Tm12的电位。另外，在开关13开启时，可以抑制流过节点N3的电流。另外，可以减少流过半导体装置100的偏置电流。另外，可以减少半导体装置100的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
由此，例如可以以节点的电位单调地增加或降低的方式供应偏置调节信号。另外，例如可以决定使节点的极性反转的偏置调节信号。另外，可以决定节点的电位最接近第二端子的电位的偏置调节信号。另外，可以作为偏置数据采用节点的电位接近第二端子的电位时的偏置调节信号。另外，可以保持节点的电位接近第二端子的电位时的偏置数据。另外，例如可以根据在寄存器22所储存的偏置数据控制流过半导体装置100的偏置电流。另外，例如可以减少流过与负载电连接的半导体装置100的偏置电流。另外，可以减少半导体装置100的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
〈半导体装置的结构实例2.〉
另外，在本实施方式中所说明的半导体装置100包括选择电路SR(1)。另外，放大器AMP包括第三端子(参照图1A及图2)。
《第一选择电路SR(1)》
选择电路SR(1)具有供应第一选择信号SEL[p]的功能。例如，可以将移位寄存器等用于选择电路SR(1)。
《偏置调节电路20的结构实例2.》
偏置调节电路20包括三态缓冲器23。
三态缓冲器23与寄存器22及第三端子Tm13电连接。
三态缓冲器23在第一选择信号SEL[p]处于第一状态时处于高阻抗状态。另外，三态缓冲器23在第一选择信号SEL[p]处于第二状态时使偏置调节信号F[0：7]透过或者供应偏置数据COMP[0：7]。
由此，例如可以利用第一选择信号从多个偏置调节电路选择一个偏置调节电路。另外，可以根据第一选择信号供应偏置数据。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
〈半导体装置的结构实例3.〉
另外，在本实施方式中所说明的半导体装置100包括选择电路SR(2)及锁存电路LTC(参照图1A及图2)。
《选择电路SR(2)》
选择电路SR(2)供应第二选择信号SEL2[p]。例如，可以将移位寄存器等用于选择电路SR(2)。
《锁存电路LTC》
锁存电路LTC与算术逻辑单元ALU及第一D/A转换电路电连接。
锁存电路LTC在被供应第二选择信号SEL2[p]时保持第二数据DEC[0：11]。
锁存电路LTC在非透过状态下供应第二数据DEC[0：11]。
由此，例如可以利用第二选择信号从多个锁存电路选择一个锁存电路。另外，可以根据第二选择信号将第二数据储存于锁存电路。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
〈半导体装置的结构实例4.〉
在本实施方式中所说明的半导体装置100包括端子区域120(参照图1A)。
端子区域120包括在行方向上配置的一组多个端子119(1)至119(t)。一组多个端子119(1)至端子119(t)包括与第二端子Tm12电连接的端子119(p)。
通过具有上述结构，可以供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。另外，例如可以通过一组多个端子119(1)至119(t)对在行方向上配置的一组多个信号线供应从数字信号变换的模拟信号。另外，可以减少流过第二端子Tm12的偏置电流。另外，可以抑制半导体装置100的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
〈半导体装置的结构实例5.〉
在本实施方式中所说明的半导体装置100B包括缓冲放大器BA(参照图3A及图3B)。
缓冲放大器BA包括第四端子Tm21及第五端子Tm22。例如，可以将运算放大器10C用于缓冲放大器BA(参照图3B)。由此，可以通过端子供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。
第一D/A转换电路包括输出端子OUT1及输出端子OUT2。输出端子OUT1及输出端子OUT2分别与第一端子Tm11和与第四端子Tm21电连接。
一组多个端子119(1)至119(t)包括与端子Tm22电连接的端子119(q)。
〈半导体装置的结构实例6.〉
在本实施方式所说明的半导体装置100B中，端子区域120包括一个或多个第一区域120A。例如，图4A示出只设置有第一区域120A的结构。
在端子区域120中，第一区域120A的数量相等于第二区域120B的数量(参照图4B至图4D)。另外，在端子区域120中交替地设置有第一区域120A和第二区域120B。例如，图4B示出包括一个第一区域120A及一个第二区域120B的结构。图4C示出包括两个第一区域120A及两个第二区域120B的结构。图4D示出包括三个第一区域120A及三个第二区域120B的结构。
第一区域120A包括与第二端子Tm12电连接的端子。第二区域120B包括与第五端子Tm22电连接的端子。例如，图4E示出交替地设置有与第二端子Tm12电连接的端子和与第五端子Tm22电连接的端子的结构。
由此，例如可以通过一组多个端子119(1)至119(t)对在行方向上配置的一组多个信号线供应将数字信号变换为规定的电压而得到的模拟信号。另外，可以减少流过第一区域120A中配置的第二端子Tm12的偏置电流。另外，可以减少半导体装置100B的功率损耗。其结果，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的半导体装置。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图5对本发明的一个实施方式的显示面板的结构进行说明。
图5说明本发明的一个实施方式的显示面板的结构。
<显示面板的结构实例1.>
本实施方式中说明的显示面板包括显示区域231及驱动电路SD(1)(参照图5)。另外，本实施方式中说明的显示面板还包括驱动电路GD。另外，显示面板包括数字运算部(DigitalBlock)。数字运算部例如具有将串行数据转换为并行数据的功能。具体而言，可以将移位寄存器等用于电路Digital Block。
《驱动电路SD(1)》
驱动电路SD(1)具有根据数据V11供应图像信号的功能。
驱动电路SD(1)具有生成图像信号的功能及将该图像信号供应到与一个显示元件电连接的像素电路的功能。
例如，可以将移位寄存器等各种顺序电路用于驱动电路SD(1)。
例如，可以将形成在硅衬底上的集成电路用于驱动电路SD(1)。
例如，集成电路可以利用玻璃覆晶封装(COG)法或薄膜覆晶封装(COF)法连接于端子。具体而言，可以使用各向异性导电膜将集成电路连接于端子。
例如，可以将实施方式1中记载的半导体装置100B用于驱动电路SD(1)。
《驱动电路GD》
驱动电路GD具有根据控制数据供应选择信号的功能。
例如，驱动电路GD具有根据控制数据以30Hz以上、优选以60Hz以上的频率对一个扫描线供应选择信号的功能。由此，可以流畅地显示动态图像。
例如，驱动电路GD具有根据控制数据以低于30Hz、优选以低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率对一个扫描线供应选择信号的功能。由此，可以在闪烁被减少的状态下显示静态图像。
另外，帧率可以是可变的。或者，例如，可以以1Hz以上且120Hz以下的帧率进行显示。或者，可以利用逐行扫描方式以120Hz的帧率进行显示。或者，可以进行满足国际规格Recommendation ITU-R BT.2020-2的分辨率极高的显示。或者，可以进行分辨率极高的显示。
《显示区域的结构实例1.》
显示区域231包括一组多个像素702(i，1)至702(i，n)、其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)、扫描线G1(i)及信号线S1(j)。
一组多个像素702(i，1)至702(i，n)在行方向(在附图中由箭头R1表示的方向)上配置。
其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)在与行方向交叉的列方向(在附图中由箭头C1表示的方向)上配置。
扫描线G1(i)与一组多个像素702(i，1)至702(i，n)电连接。
信号线S1(j)与其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)及第二端子Tm12(j)电连接。
通过具有上述结构，可以对一个信号线供应通过将数字信号转换为规定电压而得到的模拟信号。另外，可以对其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)供应从数字信号转换而得到的模拟信号。另外，可以抑制流过第二端子Tm12的偏置电流。另外，可以减少显示面板的功率损耗。其结果是，可以提供方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
<显示面板的结构实例2.>
另外，本实施方式中说明的显示面板包括驱动电路SD(2)(参照图5)。例如，可以将在实施方式1中记载的半导体装置100B用于驱动电路SD(2)。
《驱动电路SD(2)》
驱动电路SD(2)包括D/A转换电路DAC(2)及缓冲放大器BA。
缓冲放大器BA包括第四端子Tm21及第五端子Tm22。
第四端子Tm21与D/A转换电路DAC(2)电连接。
第五端子Tm22与信号线S1(j)电连接。
信号线S1(j)在电连接到第二端子Tm12的部分与电连接到第五端子Tm22的部分之间包括电连接到其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)的部分。另外，将具有足够大的时间常数的布线用于信号线S1(j)。由此，即使在包括第二端子Tm12的驱动电路SD(1)的工作与包括第五端子Tm22的驱动电路SD(2)的工作之间产生几十纳秒的延迟的情况下，也可以防止过电流流动的问题。
由此，可以将模拟信号从一个信号线的两端供应到其他一组多个像素702(1，j)至702(m，j)。另外，可以降低一个信号线的寄生电阻对模拟信号造成的影响。另外，可以降低一个信号线的寄生电容对模拟信号造成的影响。另外，即使有寄生电阻及寄生电容，也可以对信号线进行高速充放电。另外，可以分散伴随充放电的发热。另外，可以减少流过电连接到一个信号线的一端的半导体装置100B与电连接到一个信号线的另一端的缓冲放大器BA之间的偏置电流。另外，可以减少显示面板的功率损耗。其结果是，可以提供方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
《显示区域的结构实例2.》
显示区域231包括矩阵状的多个像素。例如，显示区域231在行方向上包括7600个以上的像素，在列方向上包括4300个以上的像素。具体而言，在行方向上设置有7680个的像素，在列方向上设置有4320个的像素。
通过具有上述结构，例如，也可以对其像素数比高清图像或4K图像的像素数多的像素供应劣化得到减少的图像信号。另外，可以对像素高速供应劣化得到减少的图像信号。另外，可以显示高清晰图像。另外，可以以60Hz以上、优选为120Hz以上的刷新速率进行显示。其结果是，可以提供方便性良好或可靠性良好的新颖的显示面板。
<显示面板的结构实例3.>
本实施方式中说明的显示面板700包括具有显示色相彼此不同颜色的功能的多个像素。再者，可以使用该多个像素利用加法混色显示各像素不能单独显示的色相的颜色。
《显示区域的结构实例3.》
显示区域231包括像素702(i，j)、像素702(i，j+1)及像素702(i，j+2)(参照图9C)。
像素702(i，j)显示：在CIE1931色度坐标上色度x大于0.680且为0.720以下、色度y为0.260以上且0.320以下的颜色。
像素702(i，j+1)显示：在CIE1931色度坐标上色度x为0.130以上且0.250以下、色度y大于0.710且为0.810以下的颜色。
像素702(i，j+2)显示：在CIE1931色度坐标上色度x为0.120以上且0.170以下、色度y为0.020以上且小于0.060的颜色。
注意，在利用能够显示色相不同的颜色的多个像素进行混色的情况下，可以将每个像素换称为子像素。另外，可以将一组多个子像素换称为像素。
例如，也可以将像素702(i，j)、像素702(i，j+1)或像素702(i，j+2)分别称为子像素，并且可以将像素702(i，j)、像素702(i，j+1)及像素702(i，j+2)总称为像素703(i，k)(参照图9C)。
具体而言，可以将显示蓝色的子像素、显示绿色的子像素及显示红色的子像素都用作像素703(i，k)。此外，可以将显示青色的子像素、显示品红色的子像素及显示黄色的子像素都用作像素703(i，k)。
此外，例如，可以对上述一组追加显示白色的子像素而将其用作像素。
另外，像素702(i，j)、像素702(i，j+1)及像素702(i，j+2)以相对于CIE色度图(x，y)中的BT.2020的色域的像素702(i，j)、像素702(i，j+1)及像素702(i，j+2)的面积比为80％以上，优选为90％以上，或者对该色域的覆盖率为75％以上，优选为85％以上的方式设置。
<显示面板的结构实例4.>
显示面板可以包括多个驱动电路。例如，显示面板700B包括驱动电路GDA及驱动电路GDB(参照图6)。
另外，例如，当包括多个驱动电路时，可以使驱动电路GDA、GDB供应不同频率的选择信号。具体而言，可以对显示动态图像的区域以比显示静态图像的其他一个区域高的频率供应选择信号。由此，可以在一个区域在闪烁被减少的状态下显示静态图像，且在其他区域流畅地显示动态图像。
<显示面板的调整方法>
参照图5、图7及图8对本实施方式中说明的显示面板的调整方法进行说明。
图7是说明本发明的一个实施方式的显示面板的一部分的结构的图。
图8是说明显示面板的调整方法的流程图。
[第一步骤]
在第一步骤，使设定初始化(参照图8(V1))。
使输出使能信号EN处于第一状态，例如，将输出使能信号EN设定为低电平。由此，可以使开关13关闭(参照图2)。
使寄存器22复位。例如，通过将复位信号RESET设定为高电平，来使寄存器22的锁存电路复位。由此，可以将寄存器22的状态成为使被供应的偏置调节信号F[0：7]透过的透过状态。
另外，在电平转换器21被供应处于第一状态的输出使能信号的情况下，电平转换器21根据节点N3的电位供应处于第一状态或第二状态的锁存信号。
[第二步骤]
在第二步骤，将同一数据V11供应到驱动电路SD(1)及驱动电路SD(2)(参照图8(V2))。例如，可以将第一数据DATA[0：11]用于该数据V11。具体而言，可以将从12比特中选择的任意数据用于该数据V11。
驱动电路SD(2)所包括的D/A转换电路DAC(2)根据第一数据DATA[0：11]对一个第四端子Tm21供应规定的电位(参照图5及图7)。另外，驱动电路SD(2)所包括的一个缓冲放大器BA对端子Tm22供应规定的电位，通过与该端子Tm22电连接的信号线S1(j)改变驱动电路SD(1)所包括的一个端子Tm12的电位。
另外，端子Tm12的电位根据第一数据DATA[0：11]、信号线S1(j)的电阻及缓冲放大器BA的输出特性的不均匀变化。
[第三步骤]
在第三步骤，将偏置调节信号F[0：7]供应到偏置调节电路20(参照图8(V3))。
例如，以节点N3的电位从规定的下限电位单调地增加到规定的上限电位的方式供应偏置调节信号(参照图2及图7)。具体而言，以十分低于缓冲放大器BA的输出特性的不均匀的方式设定下限电位，并且以十分高于缓冲放大器BA的输出特性的不均匀的方式设定上限电位。
例如，可以使用D/A转换电路DAC(1)将数字信号变换为相当于上述下限电位和上述上限电位之间的电位差的模拟信号而用作偏置调节信号。
例如，在作为第一D/A转换电路使用12比特的D/A转换电路且可以变换为相当于上述下限电位和上述上限电位之间的电位差的模拟信号的数字信号是8比特的信号的情况下，可以将8比特的数字信号用于偏置调节信号F[0：7]。具体而言，可以将从-127单调地增加到+127的数字信号用作偏置调节信号F[0：7]。
驱动电路SD(1)所包括的算术逻辑单元ALU根据第一数据DATA[0：11]及偏置调节信号F[0：7]生成第二数据DEC[0：11]。例如，可以根据第一数据DATA[0：11]及单调地增加的偏置调节信号F[0：7]生成单调地增加的第二数据DEC[0：11]。
另外，驱动电路SD(1)所包括的D/A转换电路DAC(1)根据第二数据DEC[0：11]对端子Tm11供应规定的电位。例如，对端子Tm11供应从下限电位单调地增加到上限电位的电位。
由此，算术逻辑单元ALU可以将单调地增加的偏置调节信号F[0：7]追加到第一数据DATA[0：11]生成单调地增加的第二数据DATA[0：11]。另外，第一D/A转换电路DAC(1)可以对端子Tm11供应从下限电位单调地增加到上限电位的模拟信号。
另外，可以根据多个第一数据DATA[0：11]及多个偏置调节信号F[0：7]使用一个算术逻辑单元ALU生成第二数据DEC[0：11]。例如，可以根据按规定的顺序供应的多个第一数据DATA[0：11]及按规定的顺序供应的偏置调节信号F[0：7]以预定的顺序生成多个第二数据DEC[0：11]。
另外，可以按规定的顺序从多个偏置调节电路20选择一个调节电路20，供应偏置调节信号F[0：7]。具体而言，可以使用与第一数据DATA[0：11]同步的第一选择信号SEL1[p]选择一个偏置调节电路20(参照图1A及图1B、图2以及图7)。
例如，可以使用第一选择电路SR(1)、时钟信号CLK1及起始脉冲信号SP1供应与第一数据DATA[0：11]同步的第一选择信号SEL1[p](参照图7)。由此，可以使规定的偏置调节电路20以与第一数据DATA[0：11]同步的方式供应偏置调节信号F[0：7]。
另外，可以将一个算术逻辑单元ALU按规定的顺序生成的多个第二数据DEC[0：11]按规定的顺序储存于多个锁存电路(参照图1A及图7)。例如，可以使用与第二数据DEC[0：11]同步的第二选择信号SEL2[p]从多个锁存电路选择一个锁存电路，储存第二数据DEC[0：11]。
例如，可以使用第二选择电路SR(2)、时钟信号CLK2及起始脉冲信号SP2供应与第二数据DEC[0：11]同步的第二选择信号SEL2[p](参照图7)。由此，可以将第二数据DEC[0：11]储存于规定的锁存电路LTC。
由此，可以使用一个算术逻辑单元ALU根据多个第一数据及多个偏置调节信号生成多个第二数据。另外，可以将一个算术逻辑单元ALU所生成的多个第二数据分配到多个锁存电路。另外，可以将第二数据储存于锁存电路。
[第四步骤]
在第四步骤中，节点N3的电位从负电位变化到正电位，并且电平转换器21供应处于第二状态的锁存信号(参照图8(V4))。例如，在从下限电位单调地增加到上限电位的端子Tm11的电位高于端子Tm12的电位时，电平转换器21供应处于第二状态的锁存信号。注意，在本说明书中，将被供应处于第二状态的锁存信号时的偏置调节信号F[0：7]称为偏置数据COMP[0：7]。
由此，可以指定使端子Tm11的电位接近端子Tm12的电位的偏置调节信号[0：7]。换言之，可以以抵消缓冲放大器BA的输出特性的不均匀的方式指定校正第一数据[0：11]的偏置数据COMP[0：7]。
[第五步骤]
在第五步骤中，被供应处于第二状态的锁存信号的寄存器22保持偏置数据COMP[0：7](参照图8(V5))。
由此，可以将偏置数据COMP[0：7]储存于寄存器22中。另外，例如，寄存器22可以通过第一选择信号SEL[p]处于第二状态时的三态缓冲器23供应偏置数据COMP[0：7]。
[第六步骤]
在第六步骤，使输出使能信号EN处于第二状态(参照图8(V6))。例如，将输出使能信号EN设定为高电平。由此，可以使开关13开启。
另外，在电平转换器21被供应处于第二状态的输出使能信号的情况下，电平转换器21供应处于第一状态的锁存信号。
[第七步骤]
在第七步骤，结束显示面板的调整(参照图8(V7))。
本发明的一个实施方式的半导体装置100可以包括非易失性存储部。非易失性存储部例如可以保持偏置数据。另外，在半导体装置100中，也可以读出保持在存储部中的偏置数据并将偏置数据写入寄存器22。此时，可以降低调整显示面板的频度。例如，在出货显示面板时调整显示面板即可。
通过上述显示面板的调节方法，可以指定减少流过信号线的偏置电流的偏置数据。另外，可以将偏置数据储存于寄存器。另外，可以减少流过信号线的偏置电流。另外，可以减少显示面板的功率损耗。
例如，已知参考参考电位VREF调整缓冲放大器的输出的方法，然而不能完全消除缓冲放大器的输出特性的不均匀。
例如，在缓冲放大器的输出特性在-40mV至+40mV的范围内有偏差的情况下，在与一个信号线的两端连接的缓冲放大器之间产生的电位差最大为80mV。
例如，在50英寸的显示装置中，一个信号线的电阻为几kΩ。在一个信号线的电阻为5kΩ的情况下，偏置电流最大为16μA，在评估电位差为40mV的情况下，偏置电流最大为8μA。
例如，在像素数为7680的情况下，与各子像素连接的信号线的个数为7680×3，总偏置电流为183.12mA(＝8μA×7680×3)。在缓冲放大器的电源电压为16V的情况下，偏置电流所引起的功率损耗为2.92992W(＝16V×183.12mA)。
本发明的一个实施方式的半导体装置可以减少流过显示面板的偏置电流。另外，可以降低显示装置的功率损耗。
<显示面板的结构实例5.>
参照图9A至图9C、图10A及图10B以及图11A及图11B对本实施方式中说明的显示面板700的结构进行说明。
图9A是说明本发明的一个实施方式的显示面板的结构的俯视图。图9B是说明图9A的一部分的俯视图。图9C是说明图9A的其他一部分的俯视图。
另外，图10A是沿着图9A的切断线X1-X2、切断线X3-X4及切断线X9-X10的截面图。图10B是说明像素电路的电路图。
图11A及图11B是说明本发明的一个实施方式的显示面板的结构的截面图。图11A是说明像素的结构的截面图。图11B是说明图11A的一部分的截面图。
显示面板700包括驱动电路SD(1)、驱动电路SD(2)、驱动电路GD及端子519B(参照图9A)。
显示面板700包括衬底510、衬底770、功能层520及绝缘膜501C(参照图11A)。另外，显示面板700包括功能层720、功能膜770P及功能膜770D。
绝缘膜501C包括夹在衬底510与衬底770之间的区域。功能层520包括夹在绝缘膜501C与衬底770之间的区域。
《像素的结构实例1.》
像素702(i，j)包括功能层520及显示元件750(i，j)(参照图10A)。
《功能层520的结构实例1.》
功能层520包括像素电路530(i，j)、绝缘膜521A及绝缘膜521B(参照图10A及图11A)。
《像素电路530(i，j)的结构实例1.》
例如，开关、晶体管、二极管、电阻器、电感器或者电容器等可以包括在像素电路530(i，j)。
像素电路530(i，j)具有驱动显示元件750(i，j)的功能。例如，可以使用图10B所示的像素电路驱动液晶显示元件。
像素电路530(i，j)包括开关SW1及电容器C11。
例如，可以将晶体管用作开关SW1(参照图10B、图11A及图11B)。
《晶体管》
晶体管包括半导体膜508、导电膜504、导电膜512A及导电膜512B(参照图11B)。
半导体膜508包括与导电膜512A电连接的区域508A及与导电膜512B电连接的区域508B。
半导体膜508在区域508A与区域508B之间包括与导电膜504重叠的区域508C。
导电膜504被用作栅电极。
绝缘膜506包括夹在半导体膜508与导电膜504之间的区域。绝缘膜506被用作栅极绝缘膜。
导电膜512A具有源电极和漏电极中的一个的功能，导电膜512B具有源电极和漏电极中的另一个的功能。
另外，例如，可以将以同一工序形成的半导体膜用于驱动电路及像素电路的晶体管。
例如，作为驱动电路的晶体管及/或像素电路的晶体管可以使用底栅型晶体管或顶栅型晶体管等。
例如，可以将包含铟、镓及锌的厚度为25nm的膜用作半导体膜508。
例如，可以将层叠包含钽及氮的厚度为10nm的膜与包含铜的厚度为300nm的膜的导电膜用作导电膜504。另外，包含铜的膜包括以在该包含铜的膜与绝缘膜506之间夹着包含钽及氮的膜的方式配置的区域。
例如，可以将包含硅及氮的厚度为400nm的膜与包含硅、氧及氮的厚度为200nm的膜的叠层膜用于绝缘膜506。另外，包含硅及氮的膜包括以在该包含硅及氮的膜与半导体膜508之间夹着包含硅、氧及氮的膜的方式配置的区域。
例如，可以将依次层叠有包含钨的厚度为50nm的膜、包含铝的厚度为400nm的膜、包含钛的厚度为100nm的膜的导电膜用作导电膜512A或导电膜512B。此外，包含钨的膜包括与半导体膜508接触的区域。
例如，可以容易地将作为半导体使用非晶硅的底栅型晶体管的生产线改造成作为半导体使用氧化物半导体的底栅型晶体管的生产线。另外，例如，可以容易地将作为半导体使用多晶硅的顶栅型晶体管的生产线改造成作为半导体使用氧化物半导体的顶栅型晶体管的生产线。上述哪一种改造都可以有效地利用现有的生产线。
《半导体膜》
例如，可以利用将包含第14族元素的半导体用于半导体膜的晶体管。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜。例如，可以将单晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于晶体管的半导体膜。
注意，作为半导体使用多晶硅的晶体管的制造所需的温度低于作为半导体使用单晶硅的晶体管的制造所需的温度。
另外，将多晶硅用于半导体的晶体管的场效应迁移率高于将非晶硅用于半导体的晶体管的场效应迁移率，由此使用多晶硅的晶体管的像素可以具有高开口率。另外，可以将以极高的密度配置的像素与栅极驱动电路及源极驱动电路形成在同一衬底上。其结果是，可以减少包括在电子设备的构件数。
将多晶硅用于半导体的晶体管的可靠性比将非晶硅用于半导体的晶体管高。
此外，可以利用使用化合物半导体的晶体管。具体而言，可以将包含砷化镓的半导体用于半导体膜。
此外，可以利用使用有机半导体的晶体管。具体而言，可以将包含聚并苯类或石墨烯的有机半导体用于半导体膜。
例如，可以利用将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体或包含铟、镓及锌的氧化物半导体用于半导体膜。
例如，可以使用关闭状态时的泄漏电流比作为半导体膜使用非晶硅的晶体管小的晶体管。具体而言，可以使用将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管。
由此，与包括将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路相比，可以延长像素电路能够保持图像信号的时间。具体而言，可以抑制闪烁，并以低于30Hz、优选为低于1Hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低数据处理装置的使用者的眼睛疲劳，并且可以降低用于驱动的功耗。
《显示元件750(i，j)的结构实例》
例如，可以将具有控制透光或反射光的功能的显示元件用作显示元件750(i，j)。例如，可以使用组合液晶元件与偏振片的结构或MEMS快门显示元件、光干涉方式的MEMS显示元件等。
例如，可以将反射型液晶显示元件、使用微囊方式、电泳方式、电润湿方式等的显示元件用于显示元件750(i，j)。通过使用反射型显示元件，可以降低显示面板的功耗。
显示元件750(i，j)包括与功能层520重叠的区域(参照图10A及图11A)。另外，显示元件750(i，j)与像素电路530(i，j)电连接。例如，可以将透光型液晶显示元件用于显示元件750(i，j)。另外，显示面板700具有控制来自背光BL的光的透过而显示图像的功能。
例如，可以使用可以以任何如下驱动模式驱动的液晶元件：平面内转换(IPS)模式、扭曲向列(TN)模式、边缘电场转换(FFS)模式、轴对称排列微单元(ASM)模式、光学补偿弯曲(OCB)模式、铁电性液晶(FLC)模式以及反铁电性液晶(AFLC)模式等。
另外，可以使用可通过例如如下模式驱动的液晶元件：垂直取向(VA)模式诸如多象限垂直取向(MVA)模式、垂直取向构型(PVA)模式、电控双折射(ECB)模式、连续焰火状排列(CPA)模式、高级超视觉(ASV)模式等。
显示元件750(i，j)包括第一电极751(i，j)、第二电极752及包含液晶材料的层753。
第一电极751(i，j)在连接部591A中与像素电路530(i，j)电连接。
第二电极752以在第二电极752与第一电极751(i，j)之间形成控制液晶材料的取向的电场的方式配置。
显示元件750(i，j)包括取向膜AF1及取向膜AF2。
包含液晶材料的层753包括夹在取向膜AF1和取向膜AF2之间的区域。
例如，可以将具有1.0×1013Ω·cm以上、优选具有1.0×1014Ω·cm以上、更优选具有1.0×1015Ω·cm以上的电阻率的液晶材料用于包含液晶材料的层753。由此，可以抑制显示元件750(i，j)的透过率的变动。或者，可以抑制显示元件750(i，j)的闪烁。或者，可以减少显示元件750(i，j)的改写频率。
《结构体KB1》
结构体KB1具有在功能层520与衬底770之间提供规定的空隙的功能。
《功能层720》
功能层720包括着色膜CF1、绝缘膜771及遮光膜BM。
着色膜CF1包括夹在衬底770与显示元件750(i，j)之间的区域。
遮光膜BM在与像素702(i,j)重叠的区域包括开口。
绝缘膜771包括夹在着色膜CF1与包含液晶材料的层753之间的区域或夹在遮光膜BM与包含液晶材料的层753之间的区域。由此，可以减少起因于着色膜CF1的厚度的凹凸。或者，可以抑制杂质从遮光膜BM或着色膜CF1等扩散到包含液晶材料的层753。
《功能膜770P、功能膜770D等》
功能膜770P包括与显示元件750(i,j)重叠的区域。另外，功能膜770D也包括与显示元件750(i,j)重叠的区域。
例如，可以将防反射膜、偏振膜、相位差膜、光扩散膜或聚光膜等用于功能膜770P或功能膜770D。
具体而言，可以将圆偏振膜用于功能膜770P。此外，可以将光扩散膜用于功能膜770D。
另外，可以将抑制尘埃的附着的抗静电膜、防污的拒水性膜、抗反射膜、防眩(Non-Glare)膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜等用于功能膜770P。
〈显示面板的结构实例6.〉
参照图9A至图9C、图12A及图12B、图13A及图13B说明在本实施方式中所说明的显示面板700的结构。
图9A是说明本发明的一个实施方式的显示面板的结构的俯视图。图9B是说明图9A的一部分的俯视图。图9C是说明其他的一部分的俯视图。
图12A是沿着图9A的截断线X1-X2、截断线X3-X4及截断线X9-X10的截面图。图12B是说明像素电路的电路图。
图13A及图13B是说明根据本发明的一个实施方式的显示面板的结构的截面图。图13A是说明像素的结构的截面图。图13B是说明图13A的一部分的截面图。
显示面板700包括衬底510、衬底770、功能层520及绝缘膜501C(参照图13A)。另外，显示面板700可以包括功能膜770P。
绝缘膜501C包括夹在衬底510与衬底770之间的区域。功能层520包括夹在绝缘膜501C与衬底770之间的区域。
《像素的结构实例2.》
像素702(i，j)包括功能层520及显示元件550(i，j)(参照图12A)。
《功能层520的结构实例2.》
功能层520包括像素电路530(i，j)、绝缘膜521、绝缘膜528及着色膜CF1(参照图12A及图13A)。
《像素电路530(i，j)的结构实例2.》
例如，可以使用图12B所示的像素电路驱动有机电致发光(EL)元件。具体而言，可以使用晶体管M驱动显示元件550(i，j)。
《晶体管》
晶体管包括半导体膜508、导电膜504、导电膜512A及导电膜512B。
另外，可以将包括导电膜524的晶体管用于像素电路530(i，j)(参照图13B)。
半导体膜508夹在导电膜504和包括在导电膜524的区域之间。此外，绝缘膜516包括夹在导电膜524和半导体膜508之间的区域。此外，例如，可以使供应与导电膜504相同的电位的布线与导电膜524电连接。
《显示元件550(i，j)的结构实例》
例如，可以将具有发射光的功能的显示元件用于显示元件550(i，j)(参照图12A)。具体而言，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件、发光二极管或量子点LED(QDLED)等用于显示元件550(i，j)。
例如，可以将量子点用于显示元件550(i，j)。由此，可以发射半宽度窄且颜色鲜明的光。
显示元件550(i，j)包括与功能层520重叠的区域(参照图12A及图13A)。另外，显示元件550(i，j)与像素电路530(i，j)电连接。例如，可以将有机电致发光元件用于显示元件550(i，j)。
显示元件550(i，j)包括第一电极551(i，j)、第二电极552以及包含发光性材料的层553(j)。
第一电极551(i，j)在连接部591A中与像素电路530(i，j)电连接。另外，像素电路530(i，j)在连接部591B中与布线ANO电连接。
例如，可以将发射蓝色光、绿色光、红色光的叠层材料用于包含发光性材料的层553(j)。
例如，可以将沿着信号线S1(j)在列方向上延长的带状叠层材料用于包含发光性材料的层553(j)。
此外，例如可以将发射白色光的叠层材料用于显示元件550(i，j)。具体而言，可以将层叠有使用包含发射蓝色光的荧光材料的发光性材料的层以及包含发射绿色光及红色光的荧光材料以外的材料的层或者包含发射黄色光的荧光材料以外的材料的层的叠层材料用于显示元件550(i，j)。
《干燥剂578》
干燥剂578包括夹在显示元件550(i，j)与衬底770之间的区域。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中，参照图14A、图14B1、图14B2及图14B3对本发明的一个实施方式的显示装置的结构进行说明。
图14A、图14B1、图14B2及图14B3说明本发明的一个实施方式的显示装置的结构。图14A是本发明的一个实施方式的显示装置的方框图。图14B1、图14B2及图14B3是说明本发明的一个实施方式的显示装置的结构的立体图。
<显示装置的结构实例>
本实施方式中说明的显示装置包括控制部238及显示面板700B(参照图14A)。
《控制部238》
控制部238具有接收图像数据V1及控制数据SS的功能。
控制部238具有根据图像数据V1生成数据V11的功能。控制部238具有供应数据V11的功能。例如，数据V11包括12比特以上的灰度。
例如，控制部238包括时序控制器233、解压电路234及图像处理电路235M。
《时序控制器233》
时序控制器233具有对驱动电路GDA(1)、驱动电路GDB(1)、驱动电路GDC(1)、驱动电路GDA(2)、驱动电路GDB(2)、驱动电路GDC(2)、驱动电路SD(1)及驱动电路SD(2)等供应控制数据SS的功能。由此，可以彼此同步地驱动多个驱动电路。
另外，也可以将时序控制器233包括在显示面板中。例如，可以将安装在刚性衬底上的时序控制器233使用印刷电路板电连接到驱动电路而用于显示面板。
《显示面板700B》
显示面板700B具有接收数据V11的功能。另外，显示面板700B包括像素702(i，j)。例如，以60Hz以上、优选以120Hz以上的频率对扫描线G1(i)供应选择信号。例如，驱动电路GDA(1)至GDC(1)及驱动电路GDA(2)至GDC(2)分别具有供应选择信号的功能。
像素702(i，j)包括显示元件750(i，j)(参照图10A)。
显示元件750(i，j)具有根据数据V11显示图像的功能。例如，可以将液晶元件用作显示元件750(i，j)。
例如，可以将实施方式2中说明的显示面板用作显示面板700B。
由此，可以使用显示元件显示图像数据。其结果是，可以提供方便性良好或可靠性良好的新颖的显示装置。另外，例如，可以提供电视接收系统(参照图14B1)、影像监视器(参照图14B2)或笔记本计算机(参照图14B3)等。
《解压电路234》
解压电路234具有对以压缩状态被供应的图像数据V1进行解压的功能。解压电路234包括存储部。存储部例如具有储存被解压的图像数据的功能。
《图像处理电路235M》
图像处理电路235M例如包括区域。
区域例如具有储存图像数据V1中的数据的功能。
图像处理电路235M例如具有根据规定的特性曲线校正图像数据V1而生成数据V11的功能及供应数据V11的功能。具体而言，图像处理电路235M具有以显示元件550(i，j)能够显示良好的图像的方式生成数据V11的功能。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中参照图15对本发明的一个实施方式的输入输出装置的结构进行说明。
图15是说明本发明的一个实施方式的输入输出装置的结构的方框图。
<输入输出装置的结构实例>
在本实施方式中说明的输入输出装置包括显示部230及输入部240(参照图15)。例如，可以将实施方式2所记载的显示面板700用于显示部230。
输入部240包括检测区域241并具有检测靠近检测区域241的物体的功能。
检测区域241包括与像素702(i，j)重叠的区域。
《输入部240》
输入部240包括检测区域241并可以包括振荡电路OSC及检测电路DC(参照图15)。
《检测区域241》
检测区域241例如可以包括一个或多个检测元件。
检测区域241包括一组多个检测元件775(g，1)至775(g，q)、其他一组多个检测元件775(1，h)至775(p，h)(参照图15)。注意，g是1以上且p以下的整数，h是1以上且q以下的整数，并且p及q都是1以上的整数。
一组多个检测元件775(g，1)至775(g，q)包括检测元件775(g，h)并配置在行方向(在附图中由箭头R2表示的方向)上。注意，图15中以箭头R2表示的方向与图15中以箭头R1表示的方向既可以相同又可以不同。
其他一组多个检测元件775(1，h)至775(p，h)包括检测元件775(g，h)并配置在与行方向交叉的列方向(在附图中由箭头C2表示的方向)上。
《检测元件》
检测元件具有检测靠近的指示器的功能。例如，可以将指头或触屏笔等用于指示器。例如，可以将金属片或线圈等用于触屏笔。
具体而言，可以将静电电容式接近传感器、电磁感应式接近传感器、光学式接近传感器、电阻膜式接近传感器等用于检测元件。
另外，也可以组合多个方式的检测元件而使用。例如，可以组合检测指头的检测元件和检测触屏笔的检测元件而使用。因此，能够辨别指示器的种类。或者，根据指示器的种类而可以使不同的指令与检测数据相关联。具体而言，在判断将指头用于指示器的情况下，可以使检测数据与动作相关联。或者，在判断将触屏笔用于指示器的情况下，可以使检测数据与描画处理相关联。
具体而言，可以使用静电电容式或光学式接近传感器检测指头。或者，可以使用电磁感应式或光学式接近传感器检测触屏笔。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
(实施方式5)
在本实施方式中，参照图16A至图16C、图17A及图17B以及图18A及图18B说明本发明的一个实施方式的数据处理装置的结构。
图16A是说明本发明的一个实施方式的数据处理装置的结构的方框图。图16B和图16C是说明数据处理装置200的外观的一个例子的每一个的投影图。
图17A及图17B是说明本发明的一个实施方式的程序的流程图。图17A是说明本发明的一个实施方式的程序的主处理的流程图。图17B是说明中断处理的流程图。
图18A及图18B是说明本发明的一个实施方式的程序的图。图18A是说明本发明的一个实施方式的程序的中断处理的流程图。图18B是说明本发明的一个实施方式的数据处理装置的工作的时序图。
<数据处理装置的结构实例1.>
在本实施方式中说明的数据处理装置200包括输入输出装置220及算术逻辑单元210(参照图16A)。输入输出装置220与算术逻辑单元210电连接。此外，数据处理装置200可以包括外壳(参照图16B或图16C)。
输入输出装置220包括显示部230及输入部240(参照图16A)。输入输出装置220包括检测部250。此外，输入输出装置220还可以包括通信部290。
输入输出装置220具有接收图像数据V1或控制数据SS的功能，并具有供应位置数据P1或检测数据DS的功能。
算术逻辑单元210具有接收位置数据P1或检测数据DS的功能。算术逻辑单元210具有供应图像数据V1的功能。算术逻辑单元210具有根据位置数据P1或检测数据DS工作的功能。
另外，外壳具有容纳输入输出装置220及/或算术逻辑单元210的功能。或者，外壳具有支撑显示部230及/或算术逻辑单元210的功能。
显示部230具有根据图像数据V1显示图像的功能。显示部230具有根据控制数据SS显示图像的功能。
输入部240具有供应位置数据P1的功能。
检测部250具有供应检测数据DS的功能。检测部250例如具有检测数据处理装置200的使用环境的照度的功能，并具有供应照度数据的功能。
由此，数据处理装置可以在使用环境下检测出数据处理装置的外壳所收到的光强度而工作。数据处理装置的使用者可以选择显示方法。由此，可以提供一种方便性良好或可靠性良好的新颖的数据处理装置。
下面，说明包括在数据处理装置的各构成要素。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个构成要素可能兼作其他构成要素或包含其他构成要素的一部分。例如，以与显示面板重叠的方式设置有触摸传感器的触控面板既可以说是显示部又可以说是输入部。
《结构实例》
本发明的一个实施方式的数据处理装置200包括外壳或算术逻辑单元210。
算术逻辑单元210包括运算部211、存储部212、传送通道214、输入输出接口215。
此外，本发明的一个实施方式的数据处理装置包括输入输出装置220。
输入输出装置220包括显示部230、输入部240、检测部250及通信部290。
《数据处理装置》
本发明的一个实施方式的数据处理装置包括算术逻辑单元210或输入输出装置220。
《算术逻辑单元210》
算术逻辑单元210包括运算部211及存储部212。算术逻辑单元210还包括传送通道214及输入输出接口215。
《运算部211》
运算部211例如具有执行程序的功能。
《存储部212》
存储部212具有例如储存运算部211所执行的程序、初期数据、设定数据或图像等的功能。
具体而言，存储部212可以使用硬盘、快闪存储器或包括包含氧化物半导体的晶体管的存储器等。
《输入输出接口215、传送通道214》
输入输出接口215包括端子或布线，具有供应并接收数据的功能。例如，输入输出接口215可以与传送通道214及输入输出装置220电连接。
传送通道214包括布线，具有供应并接收数据的功能。例如，传送通道214可以与输入输出接口215电连接。另外，传送通道214可以与运算部211或存储部212电连接。
《输入输出装置220》
输入输出装置220包括显示部230、输入部240、检测部250、通信部290。例如，可以使用实施方式4所说明的输入输出装置。此时，可以降低功耗。
《显示部230》
显示部230包括控制部238、驱动电路GD、驱动电路SD、显示面板700B(参照图14A)。例如，可以将实施方式3所说明的任何显示装置用于显示部230。
《输入部240》
可以将各种人机界面等用于输入部240(参照图16A至图16C)。
例如，可以将键盘、鼠标、触摸传感器、麦克风或照相机等用于输入部240。另外，可以使用具有重叠于显示部230的区域的触摸传感器。可以将包括显示部230及具有重叠于显示部230的区域的触摸传感器的输入输出装置称为触摸面板或触摸屏。
例如，使用者可以将接触到触摸面板的指头用作指示器来作各种手势(点按、拖拉、滑动或捏合等)。
例如，算术逻辑单元210分析接触触摸面板的指头的位置或轨迹等数据，当分析结果满足预定的条件时，判断其被供应了指定的手势。由此，使用者可以使用该手势供应与预定的手势相关联的指定的操作指令。
例如，使用者可以通过使用在显示面板上接触且移动指头的手势提供改变图像数据的显示位置的“滚动指令”。
《检测部250》
检测部250具有检测周围的状态而供应检测数据的功能。具体而言，检测部250可以供应照度数据、姿态数据、压力数据、位置数据等。
例如，可以将光检测器、姿态检测器、加速度传感器、方位传感器、全球定位系统(GPS)信号接收电路、压力传感器、温度传感器、湿度传感器或照相机等用于检测部250。
《通信部290》
通信部290具有对网络供应数据且从网络获取数据的功能。
《程序》
本发明的一个实施方式的程序包括如下步骤(参照图17A)。
[第一步骤]
在第一步骤中，使设定初始化(参照图17A(S1))。
例如，从存储部212取得启动时显示的预定的图像数据、显示该图像数据的预定的模式、指定显示该图像数据的预定的显示方法的数据。具体而言，可以将静态图像数据或动态图像数据用于预定的图像数据。此外，可以将第一模式或第二模式用作预定的模式。
[第二步骤]
在第二步骤中，允许中断处理(参照图17A(S2))。另外，中断处理被允许的算术逻辑单元可以在进行主处理的同时进行中断处理。从中断处理恢复到主处理的算术逻辑单元可以将通过中断处理获得的结果反映到主处理。
当计数器为初始值时，使算术逻辑单元进行中断处理，在算术逻辑单元从中断处理恢复时，也可以将计数器设定为初始值以外的值。由此，在启动程序之后随时可以执行中断处理。
[第三步骤]
在第三步骤中，使用在第一步骤或中断处理中选择的指定的模式或指定的显示方法显示图像数据(参照图17A(S3))。注意，指定的模式指定出显示图像数据的模式，指定的显示方法指定出显示图像数据的方法。此外，例如可以将图像数据V1用作所显示的数据。
例如，可以使显示图像数据V1的一个方法与第一模式相关联。或者，可以使显示图像数据V1的其他方法与第二模式相关联。由此，可以根据所选择的模式选择显示方法。
《第一模式》
具体而言，可以使以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率对一个扫描线供应选择信号并根据选择信号进行的显示与第一模式相关联。
例如，通过以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率供应选择信号，可以流畅地显示动态图像。
例如，通过以30Hz以上、优选为60Hz以上的频率使图像更新，可以将随着使用者的操作流畅地变化的图像显示在使用者操作中的数据处理装置200上。
《第二模式》
具体而言，可以使以低于30Hz、优选低于1Hz、更优选低于1次/分的频率对一个扫描线供应选择信号并根据选择信号进行的显示与第二模式相关联。
通过以低于30Hz、优选低于1Hz、更优选低于1次/分的频率供应选择信号，可以进行闪烁得到减少的显示。此外，可以降低功耗。
例如，在将数据处理装置200用于钟表时，可以以1次/秒的频率或1次/分的频率使显示更新。
例如，当使用发光元件作为显示元件时，可以以脉冲状使发光元件发射光来显示图像数据。具体而言，可以以脉冲状使有机EL元件发射光并利用其余辉显示图像数据。由于有机EL元件具有优异的频率特性，所以有时可以缩短发光元件的驱动时间而降低功耗。或者，由于发光元件的发热得到抑制，所以有时可以抑制发光元件的劣化。
[第四步骤]
在第四步骤中，下一个步骤决定如下：当接收结束指令时选择第五步骤，而当没有接收结束指令时选择第三步骤(参照图17A(S4))。
例如，可以根据中断处理中被供应的结束指令进行判断下一个步骤。
[第五步骤]
在第五步骤中工作结束(参照图17A(S5))。
《中断处理》
中断处理包括如下说明的第六至第八步骤(参照图17B)。
[第六步骤]
在第六步骤中，例如，使用检测部250检测数据处理装置200的使用环境的照度(参照图17B(S6))。另外，也可以检测周围光的色温或色度代替环境的照度。
[第七步骤]
在第七步骤中，根据所检测出的照度数据决定显示方法(参照图17B(S7))。例如，将显示亮度设定为不过暗或过亮。
当在第六步骤中检测出周围光的色温或色度时，也可以调节显示颜色。
[第八步骤]
第八步骤中，中断处理结束(参照图17B(S8))。
<数据处理装置的结构实例2.>
参照图18A及图18B对本发明的一个实施方式的数据处理装置的其他的结构进行说明。
图18A是说明本发明的一个实施方式的程序的流程图。图18A是说明与图17B所示的中断处理不同的中断处理的流程图。
注意，数据处理装置的结构实例3与在图17B中说明的中断处理的不同之处在于中断处理包括根据被供应的指定事件改变模式的步骤。以下，对不同之处进行详细说明，而关于同样部分援用上述说明。
《中断处理》
中断处理包括如下第六至第八步骤(参照图18A)。
[第六步骤]
在第六步骤中，当被供应指定事件时，本处理进入第七步骤；当没有被供应指定事件时，本处理进入第八步骤(参照图18A(U6))。例如，可以将在预定的期间是否被供应指定事件用作分支条件。具体而言，预定的期间可以为比0秒长且为5秒以下、优选为1秒以下、更优选为0.5秒以下、进一步优选为0.1秒以下。
[第七步骤]
在第七步骤中，改变模式(参照图18A(U7))。具体而言，当之前选择第一模式时，模式改变为第二模式；当之前选择第二模式时，模式改变为第一模式。
例如，可以改变显示部230的部分区域的显示模式。具体而言，可以改变具有驱动电路GDA、驱动电路GDB及驱动电路GDC的显示部230的一个驱动电路供应选择信号的区域的显示模式(参照图18B)。
例如，当与驱动电路GDB供应选择信号的区域重叠的区域中的输入部240被供应指定事件时，可以改变驱动电路GDB供应选择信号的区域的显示模式。具体而言，可以根据利用指头等对触摸面板供应的事件等(例如，“点按”)改变驱动电路GDB所供应的选择信号的频率。由此，例如，在驱动电路GDA及驱动电路GDC不供应选择信号的情况下，驱动电路GDB可以供应选择信号。另外，可以在不改变驱动电路GDA及驱动电路GDC供应选择信号的区域的显示的情况下，更新驱动电路GDB供应选择信号的区域的显示。另外，可以降低驱动电路消耗的电力。
[第八步骤]
在第八步骤中，中断处理结束(参照图18A(U8))。另外，也可以在进行主处理的期间中反复进行中断处理。
《指定事件》
例如，可以使用如下事件：利用鼠标等指向装置提供的事件(“点击”或“拖拉”等)、将指头等用于指示器对触摸面板提供的事件(“点按”、“拖拉”或“滑动”等)。
另外，例如，可以利用指示器所指示的滑动条的位置、滑动速度、拖拉速度等供应与指定事件相关联的参数。
例如，可以对预先被设定的阈值与检测部250所检测出的数据进行比较，并可以将比较结果用于事件。
具体而言，可以将与以能够按入外壳中的方式设置的按钮等接触的压敏检测器等用于检测部250。
《与指定事件相关联的指令》
例如，可以使结束指令与指定的事件相关联。
例如，可以使将所显示的一个图像数据切换为其他图像数据的“翻页指令”与指定事件相关联。此外，可以使用指定事件供应在执行“翻页指令”时的决定翻页速度等的参数。
例如，可以使移动图像数据的一部分且显示从该一部分连续的其他部分的“滚动指令”与指定事件相关联。此外，可以使用指定事件供应在执行“滚动指令”时的决定移动显示位置的速度等的参数。
例如，可以使设定显示方法的指令或生成图像数据的指令与指定事件相关联。此外，可以使决定所生成的图像的亮度的参数与指定事件相关联。此外，可以根据检测部250所检测的周围的亮度决定所生成的图像的亮度的参数。
例如，可以使利用通信部290取得由推送服务传送的数据的指令等与预定的事件相关联。
此外，也可以使用检测部250所检测的位置数据判断有无资格取得数据。具体而言，当使用者在指定的教室、学校、会议室、企业、房屋等里时，也可以判断有资格取得数据。例如，可以接收在学校或大学等的教室中被传送的教材，以将数据处理装置200用作教科书等(参照图16C)。或者，企业可以接收传送到会议室的资料，而将其用于会议资料。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
(实施方式6)
在本实施方式中，参照图19A至图19E以及图20A至图20E对本发明的一个实施方式的数据处理装置的结构进行说明。
图19A至图19E以及图20A至图20E说明本发明的一个实施方式的数据处理装置的结构。图19A是数据处理装置的方框图，图19B至图19E是说明数据处理装置的结构的立体图。另外，图20A至图20E是说明数据处理装置的结构的立体图。
<数据处理装置>
在本实施方式中说明的数据处理装置5200B包括算术逻辑单元5210及输入输出装置5220(参照图19A)。
算术逻辑单元5210具有接收操作数据的功能，并具有根据操作数据供应图像数据的功能。
输入输出装置5220包括显示部5230、输入部5240、检测部5250及通信部5290，并具有供应操作数据的功能及接收图像数据的功能。此外，输入输出装置5220还具有供应检测数据的功能、供应通信数据的功能及接收通信数据的功能。
输入部5240具有供应操作数据的功能。例如，输入部5240根据数据处理装置5200B的使用者的操作供应操作数据。
具体而言，可以将键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、声音输入装置、视线输入装置等用于输入部5240。
显示部5230包括显示面板并具有显示图像数据的功能。例如，可以将在实施方式2中说明的显示面板用于显示部5230。
检测部5250具有供应检测数据的功能。例如，具有检测数据处理装置的周围的使用环境而供应检测数据的功能。
具体地，可以将照度传感器、摄像装置、姿势检测装置、压力传感器、人体感应传感器等用于检测部5250。
通信部5290具有接收并供应通信数据的功能。例如，通信部5290具有以无线通信或有线通信与其他电子设备或通信网连接的功能。具体而言，通信部5290具有无线局域网通信、电话通信、近距离无线通信等的功能。
《数据处理装置的结构实例1.》
例如，可以将沿着圆筒状的柱子等的外形用于显示部5230(参照图19B)。另外，显示部5230具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能。此外，显示部5230具有根据检测人的存在改变显示内容的功能。因此，数据处理装置5200B例如可以设置在建筑物的柱子上。或者，数据处理装置5200B能够显示广告或指南等。或者，数据处理装置5200B可以用于数字标牌等。
《数据处理装置的结构实例2.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用者所使用的指示器的轨迹生成图像数据的功能(参照图19C)。具体而言，可以使用对角线的长度为20英寸以上，优选为40英寸以上，更优选为55英寸以上的显示面板。或者，可以将多个显示面板在一个显示区域排列。或者，可以将多个显示面板排列而用作多屏幕显示面板。因此，数据处理装置5200B例如可以用于电子黑板、电子留言板、数字标牌等。
《数据处理装置的结构实例3.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图19D)。由此，例如可以得到功耗减少的智能手表。或者，可以获得例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用的方式显示图像的智能手表。
《数据处理装置的结构实例4.》
显示部5230例如具有沿着外壳的侧面缓慢地弯曲的表面(参照图19E)。或者，显示部5230包括显示面板，显示面板例如在其前面、侧面及顶面显示图像。由此，例如可以将图像数据不仅显示于移动电话的前面，而且显示于移动电话的侧面及顶面。
《数据处理装置的结构实例5.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图20A)。由此，可以得到功耗减少的智能手机。或者，可以得到例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用的方式显示图像的智能手机。
《数据处理装置的结构实例6.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图20B)。由此，可以得到以在晴天射入户内的外光强的环境下也能够适宜地使用的方式显示影像的电视系统。
《数据处理装置的结构实例7.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图20C)。由此，可以得到例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用的方式显示图像的平板电脑。
《数据处理装置的结构实例8.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图20D)。由此，可以得到例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地看到图像的方式显示拍摄对象的数码相机。
《数据处理装置的结构实例9.》
例如，数据处理装置5200B具有根据使用环境的照度改变显示方法的功能(参照图20E)。由此，可以得到例如以在晴天的户外等外光强的环境下也能够适宜地使用的方式显示图像的个人计算机。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的任何其他实施方式适当地组合。
例如，在本说明书等中，明确的记载“X与Y连接”是指：X与Y电连接；X与Y在功能上连接；以及X与Y直接连接。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，其他连接关系也包括在附图或文中的记载范围中。
在此，X和Y分别表示对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层)。
作为X与Y直接连接的情况的一个例子，可以举出在X与Y之间没有连接能够电连接X与Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件和负载)，并且X与Y没有通过夹在中间的能够电连接X与Y的元件(连接的情况。
作为X和Y电连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够电连接X和Y的元件(例如开关、晶体管、电容器、电感器、电阻器、二极管、显示元件、发光元件、负载)。此外，开关被控制为开启或关闭。换言之，开关处于导通状态或非导通状态(开启或关闭)而决定是否使电流流过。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。另外，X和Y电连接的情况包括X与Y直接连接的情况。
作为X和Y在功能上连接的情况的一个例子，可以在X和Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X和Y的电路(例如，反相器、NAND电路、NOR电路等逻辑电路；DA转换电路、AD转换电路、伽马校正电路等信号转换电路；电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转换器电路等电位电平转换电路；电压源；电流源；切换电路；能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲器电路等放大电路；信号产生电路；存储电路；控制电路等)。例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，就可以说X与Y在功能上是连接着的。另外，X与Y在功能上连接的情况包括X与Y直接连接的情况及X与Y电连接的情况。
此外，在本说明书等中，明确的记载“X与Y电连接”是指：X与Y电连接(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)；X与Y在功能上连接(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y)；以及X与Y直接连接(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)。换言之，在本说明书等中，明确的记载“X与Y电连接”与“X与Y连接”的记载相同。
例如，在晶体管的源极(或第一端子等)通过(或没有通过)Z1与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过(或没有通过)Z2与Y电连接的情况下或者在晶体管的源极(或第一端子等)与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况下，可以使用任何如下表达方法。
例如，可以表示为“X、Y、晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，并按X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)及Y的顺序电连接”，或者“晶体管的源极(或第一端子等)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与Y依次设置为相互电连接”，或者“X通过晶体管的源极(或第一端子等)及漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y依次设置为相互连接”。通过由与这种例子相同的表达方法规定电路结构中的连接顺序，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与漏极(或第二端子等)而决定技术范围。
另外，作为其他表达方法，例如可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少通过第一连接路径与X电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径是晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)之间的路径，Z1在上述第一连接路径上，晶体管的漏极(或第二端子等)至少通过第三连接路径与Y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径，Z2在上述第三路径上”，并且“晶体管的源极(或第一端子等)至少通过第一连接路径上的Z1与X电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径具有通过包括晶体管的连接路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少通过第三连接路径上的Z2与Y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径”。或者，作为其他表达方法，也可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少经过第一电路径上的Z1与X电连接，上述第一电路径不具有第二电路径，上述第二电路径是从晶体管的源极(或第一端子等)到晶体管的漏极(或第二端子等)的电路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少经过第三电路径上的Z2与Y电连接，上述第三电路径不具有第四电路径，上述第四电路径是从晶体管的漏极(或第二端子等)到晶体管的源极(或第一端子等)的电路径”。通过由与这些例子同样的表达方法规定电路结构中的连接路径，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)和漏极(或第二端子等)来确定技术范围。
注意，本发明的一个实施方式不局限于上述表达方法，这种表达方法只是一个例子。在此，X、Y、Z1及Z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜及层等)。
另外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分也用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。
符号说明
AF1：取向膜，AF2：取向膜，ALU：算术逻辑单元，AMP：放大器，BA：缓冲放大器，CF：着色膜，DAC：数字模拟转换电路，DC：检测电路，DS：检测数据，GD：驱动电路，GDA：驱动电路，GDB：驱动电路，GDC：驱动电路，GDD：驱动电路，G1：扫描线，KBd1：结构体，LTC：锁存电路，M：晶体管，N3：节点，OSC：振荡电路，OUT1：输出端子，OUT2：输出端子，P1：位置数据，PTL：逻辑电路，R1：箭头，R2：箭头，S1：信号线，SD：驱动电路，SR：选择电路，SS：控制数据，SW1：开关，Tm11：端子，Tm12：端子，Tm13：端子，Tm21：端子，Tm22：端子，V1：图像数据，V11：数据，10C：运算放大器，13：开关，14：运算放大器，20：偏置调节电路，21：电平转换器，22：寄存器，23：三态缓冲器，100：半导体装置，100B：半导体装置，119：端子，120：端子区域，120A：区域，120B：区域，200：数据处理装置，210：算术逻辑单元，211：运算部，212：存储部，214：传送通道，215：输入输出接口，220：输入输出装置，230：显示部，231：显示区域，233：时序控制器，234：解压电路，235M：图像处理电路，238：控制部，240：输入部，241：检测区域，250：检测部，290：通信部，501C：绝缘膜，504：导电膜，506：绝缘膜，508：半导体膜，508A：区域，508B：区域，508C：区域，510：衬底，512A：导电膜，512B：导电膜，516：绝缘膜，519B：端子，520：功能层，521：绝缘膜，521A：绝缘膜，521B：绝缘膜，524：导电膜，528：绝缘膜，530：像素电路，550：显示元件，551：电极，552：电极，553：包含发光性材料的层，578：干燥剂，591A：连接部，591B：连接部，700：显示面板，700B：显示面板，702：像素，703：像素，720：功能层，750：显示元件，751：电极，752：电极，753：包含液晶材料的层，770：衬底，770D：功能膜，770P：功能膜，771：绝缘膜，775：检测元件，5200B：数据处理装置，5210：算术逻辑单元，5220：输入输出装置，5230：显示部，5240：输入部，5250：检测部，以及5290：通信部
本申请基于2017年2月16日提交到日本专利局的日本专利申请No.2017-027201，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (12)

1.一种半导体装置，包括：
算术逻辑单元；
与所述算术逻辑单元电连接的第一D/A转换电路；以及
与所述第一D/A转换电路电连接的放大器，
其中，所述算术逻辑单元构成为根据第一数据以及偏置调节信号和偏置数据中的一个生成第二数据，
所述第一D/A转换电路构成为根据所述第二数据对所述放大器供应模拟信号，
所述放大器包括：
与第一端子、第二端子及节点电连接的运算放大器；
所述节点和所述第二端子之间的开关；以及
与所述节点电连接的偏置调节电路，
所述运算放大器构成为根据所述第一端子和所述第二端子之间的电压对所述节点供应第一电压，
所述开关根据输出使能信号构成为控制所述节点与所述第二端子之间的电连接，
并且，所述偏置调节电路构成为供应所述偏置调节信号及所述偏置数据。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述偏置调节电路包括：
构成为被供应所述偏置调节信号及锁存信号的寄存器，
所述节点和所述寄存器之间的电平转换器，
所述电平转换器构成为根据所述输出使能信号对所述寄存器供应所述锁存信号，
所述寄存器构成为在透过状态下供应所述偏置调节信号，
所述寄存器构成为根据所述锁存信号保持所述偏置调节信号作为所述偏置数据，
并且所述寄存器构成为在非透过状态下供应所述偏置数据。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括构成为对所述偏置调节电路供应第一选择信号的第一选择电路，
其中所述偏置调节电路包括：
构成为被供应所述偏置调节信号及锁存信号的寄存器；
所述节点和所述寄存器之间的电平转换器；以及
所述寄存器和第三端子之间的三态缓冲器，
所述电平转换器构成为根据所述输出使能信号对所述寄存器供应所述锁存信号，
所述寄存器构成为在透过状态下供应所述偏置调节信号，
所述寄存器构成为根据所述锁存信号保持所述偏置调节信号作为所述偏置数据，
所述寄存器构成为在处于非透过状态下供应所述偏置数据，
并且所述三态缓冲器构成为根据所述第一选择信号对所述第三端子供应所述偏置调节信号或所述偏置数据。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
所述算术逻辑单元和所述第一D/A转换电路之间的锁存电路；以及
构成为对所述锁存电路供应第二选择信号的第二选择电路，
其中所述锁存电路构成为根据所述第二选择信号保持所述第二数据，
并且所述锁存电路构成为在非透过状态下供应所述第二数据。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括包括多个端子的端子区域，
其中所述第二端子与所述多个端子中的一个电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
包括多个端子的端子区域；以及
包括第四端子及第五端子的缓冲放大器，
其中所述第一端子与所述第一D/A转换电路的第一输出端子电连接，
所述第二端子与所述多个端子中的一个电连接，
所述第四端子与所述第一D/A转换电路的第二输出端子电连接，
并且所述第五端子与所述多个端子中的另一个电连接。
7.一种显示面板，包括：
权利要求1所述的半导体装置；以及
包括信号线的显示区域，
其中，所述信号线与所述半导体装置的所述第二端子电连接。
8.一种显示面板，包括：
权利要求1所述的半导体装置；
包括信号线的显示区域；
包括第六端子及第七端子的缓冲放大器；以及
与所述第六端子电连接的第二D/A转换电路，
其中，所述信号线与所述半导体装置的所述第二端子及所述缓冲放大器的所述第七端子电连接。
9.一种显示装置，包括：
包括权利要求1所述的半导体装置以及包括信号线的显示区域的显示面板；以及
构成为对所述显示面板供应图像数据及控制数据的控制部，
其中，所述信号线与所述半导体装置的所述第二端子电连接。
10.一种输入输出装置，包括：
权利要求1所述的半导体装置；
包括信号线的显示区域；以及
包括检测区域的输入部，
其中，所述信号线与所述半导体装置的所述第二端子电连接。
11.一种数据处理装置，包括：
权利要求1所述的半导体装置；
包括信号线的显示区域；以及
键盘、硬件按钮、指向装置、触摸传感器、照度传感器、摄像装置、声音输入装置、视线输入装置、姿态检测装置中的至少一个，
其中，所述信号线与所述半导体装置的所述第二端子电连接。
12.一种半导体装置，包括：
算术逻辑单元；
与所述算术逻辑单元电连接的第一D/A转换电路；以及
与所述第一D/A转换电路电连接的放大器，
其中，所述算术逻辑单元构成为根据第一数据以及偏置调节信号和偏置数据中的一个生成第二数据，
所述第一D/A转换电路构成为根据所述第二数据对所述放大器供应模拟信号，
并且，所述放大器构成为供应所述偏置调节信号及所述偏置数据。
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