CN110221515A - 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 - Google Patents

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法 Download PDF

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Abstract

一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。所述光学邻近修正方法提高了修正图形的分辨率。

Description

光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法。
背景技术
光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。光刻工艺包括曝光步骤、曝光步骤之后进行的显影步骤和显影步骤之后的刻蚀步骤。在曝光步骤中，光线通过掩膜版中透光的区域照射至涂覆有光刻胶的硅片上，光刻胶在光线的照射下发生化学反应；在显影步骤中，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度的不同，形成光刻图案，实现掩膜版图案转移到光刻胶上；在刻蚀步骤中，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩膜版的图案进一步转移至硅片上。
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(OPE：Optical Proximity Effect)。
为了修正光学邻近效应，便产生了光学邻近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光学邻近校正的核心思想就是基于抵消光学邻近效应的考虑建立光学邻近校正模型，根据光学邻近校正模型设计光掩模图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应光掩模图形发生了光学邻近效应，但是由于在根据光学邻近校正模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。
然而，现有技术中光学邻近校正的修正图形的分辨率较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高半导体器件的性能。
为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，第一待补偿图形和第二图形的排列方向平行于第一待补偿图形和第二图形的宽度方向，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，第一待补偿区的图形和第一待补偿图形一致，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。
可选的，所述第一待补偿区在第一待补偿区的长度方向具有相对的第一端部和第二端部；所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第一端部邻接；或者，所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第二端部邻接；或者，所述补偿图形区分别与第一待补偿区的第一端部和第二端部邻接。
可选的，所述第二图形在第二图形的长度方向具有相对的第三端部和第四端部；所述第三端部和第一端部齐平，且所述第四端部和第二端部齐平。
可选的，还包括：获取最优补偿尺寸范围；根据所述最优补偿尺寸将第一待补偿图形修正为第一图形，所述补偿图形区在第一待补偿区的长度方向的尺寸在所述最优补偿尺寸范围内。
可选的，获取所述最优补偿尺寸范围的方法包括：提供补偿测试图形，所述补偿测试图形包括对应第一图形的第一测试图形、对应第二图形的第二测试图形、以及对应本征图形的第三测试图形，第一测试图形包括对应第一待补偿区的第一子测试图形和对应补偿图形区的第二子测试图形，第二子测试图形沿第一子测试图形长度方向具有测试尺寸；获取第一标记图形和第二标记图形，所述第一标记图形为一个第一子测试图形或一个第二测试图形，第二标记图形包括一个第一子测试图形和与第一子测试图形相邻的一个第二测试图形；在第一曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第一曝光图形；在第二曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第二曝光图形；在第三曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第三曝光图形；在第四曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第四曝光图形；在若干第一曝光图形中，获取对应第一标记图形的第一曝光标记图形；获取第一曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第一函数关系；在若干第二曝光图形中，获取对应第一标记图形的第二曝光标记图形；获取第二曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第二函数关系；在若干第三曝光图形中，获取对应第二标记图形的第三曝光标记图形；获取第三曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第三函数关系；在若干第四曝光图形中，获取对应第二标记图形的第四曝光标记图形；获取第四曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第四函数关系；获取第一函数关系中第一曝光标记图形的端部宽度大于第一标记阈值时的第一测试尺寸区间；获取第二函数关系中第二曝光标记图形的端部宽度大于第二标记阈值时的第二测试尺寸区间；获取第三函数关系中第三曝光标记图形端部之间的间距大于第三标记阈值时的第三测试尺寸区间；获取第四函数关系中第四曝光标记图形端部之间的间距大于第四标记阈值时的第四测试尺寸区间；获取第一测试尺寸区间、第二测试尺寸区间、第三测试尺寸区间和第四测试尺寸区间的重合区间作为所述最优补偿尺寸范围。
可选的，所述第一标记阈值等于所述第一函数关系中最大值点处的第一曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第二标记阈值等于所述第二函数关系中最大值点处的第二曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第三标记阈值等于所述第三函数关系中最大值点处的第三曝光标记图形端部之间的间距的90％；所述第四标记阈值等于所述第四函数关系中最大值点处的第四曝光标记图形端部之间的间距的90％。
可选的，获取所述最优补偿尺寸范围的方法还包括：获取匹配曝光能量极值E0、匹配曝光焦深极值f0、匹配曝光偏移能量Eδ和匹配曝光偏移焦深fφ；第一曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第一曝光条件的焦深为f0+fφ；第二曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第二曝光条件的焦深为f0-fφ；第三曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第三曝光条件的焦深为f0+fφ；第四曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第四曝光条件的焦深为f0-fφ。
可选的，获取匹配曝光能量极值E0和匹配曝光焦深极值f0的方法包括：提供第一测试掩膜版，所述第一测试掩膜版中具有标记图形和主图形；提供标记图形的目标标记曝光图形；固定曝光能量，在不同焦深的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获得第一测试实际曝光图形，所述第一测试实际曝光图形包括对应标记图形的第一标记曝光图形；获取第一标记曝光图形的尺寸随焦深的变化曲线；获取所述变化曲线的最大值点的焦深值作为匹配曝光焦深极值f0；在匹配曝光焦深极值f0下，在不同曝光能量的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获取第二测试实际曝光图形，所述第二测试实际曝光图形包括对应标记图形的第二标记曝光图形；当第二标记曝光图形和目标标记曝光图形一致时，获取曝光能量作为匹配曝光能量极值E0。
可选的，fφ为40纳米～45纳米。
可选的，Eδ为E0的3％～4％。
可选的，所述补偿图形区在第一待补偿区的宽度方向的尺寸等于第一待补偿区的与补偿图形区邻接的端部宽度。
可选的，所述第一待补偿图形的数量为若干个；所述第二图形的数量为一个或若干个；在第一待补偿图形和第二图形的排列方向上，所述第二图形分别位于相邻的第一待补偿图形之间。
可选的，所述第一待补偿图形的数量为一个或若干个；所述第二图形的数量为若干个；在第一待补偿图形和第二图形的排列方向上，所述第一待补偿图形分别位于相邻的第二图形之间。
可选的，所述第一待补偿图形的数量和所述第二图形的数量相等。
可选的，所述第一阈值为39纳米～42纳米；所述第二阈值为39纳米～42纳米。
可选的，所述第一阈值和第二阈值相同；或者，所述第一阈值和第二阈值不同。
可选的，对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对所述本征图形、第一图形和第二图形进行修正，得到对应本征图形的本征中间修正图形、对应第一图形的第一中间修正图形和对应第二图形的第二中间修正图形；获取本征中间修正图形与本征图形之间的第一边缘放置误差、第一中间修正图形和第一图形之间的第二边缘放置误差、以及第二中间修正图形和第二图形之间的第三边缘放置误差；若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差大于放置阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形进行修正直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值时，将本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形作为修正图形。
可选的，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供第二测试掩膜版，所述第二测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到第三测试实际曝光图形；对第三测试实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对第二测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。
本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述权利要求任意一项光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的光学邻近修正方法中，将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接，这样使得第一图形和第二图形的端部并不齐平。在对本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的过程中，所述补偿图形区能够改善对第二图形和第一待补偿区的曝光条件。具体的，在对本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的过程中，补偿图形区作为第一待补偿区和第二图形的边界条件，因此避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形之间的距离过小，且避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形的宽度过小。避免修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，因此提高了修正图形的分辨率。
本发明技术方案提供的掩膜版的制作方法中，根据上述光学邻近修正方法后得到的修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应修正图形的图形结构，避免掩膜版中图形结构的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，因此提高了掩膜版中图形结构的分辨率。
附图说明
图1是本发明一实施例中光学邻近修正方法的流程图；
图2至图6是本发明一实施例中光学邻近修正过程的示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有技术形成的半导体器件的性能较差。
一种光学邻近修正方法，包括：提供目标刻蚀图形；获取目标刻蚀图形对应的光刻掩膜层图形；对光刻掩膜层图形进行OPC修正，获得修正图形。
根据所述修正图形制作掩膜版。
光刻掩膜层图形包括若干子掩膜图形。光刻掩膜层图形中某些区域的子掩膜图形的间距和宽度均非常小，为了方便说明，将该区域称为窄区域。修正图形包括对应子掩膜图形的子修正图形。
当窄区域中子掩膜图形的端部在子掩膜图形的宽度方向齐平时，对子掩膜图形OPC修正过程中，子掩膜图形的端部的自由度较大，因此容易出现对应窄区域中子掩膜图形的子修正图形中，相邻子修正图形之间的间距较小，或子修正图形的宽度较小的问题。这样的尺寸超出OPC模型建立出设置的下线尺寸，导致修正图形的分辨率较差。这样，采用掩膜版进行曝光，当曝光的条件发生微小的变化时，就会导致由修正图形获得曝光图形存在较多的weak点，这样曝光图形和光刻掩膜层图形之间的形状差别较大，无法满足工艺的要求。
在此基础上，本发明提供一种光学邻近修正方法，参考图1，包括：
S01：提供初始光刻掩膜图形；
S02：获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，第一待补偿图形和第二图形的排列方向平行于第一待补偿图形和第二图形的宽度方向，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；
S03：将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，第一待补偿区的图形和第一待补偿图形一致，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；
S04：对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。
所述方法中，在对本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的过程中，补偿图形区作为第一待补偿区和第二图形的边界条件，因此避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形之间的距离过小，且避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形的宽度过小。避免修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，因此提高了修正图形的分辨率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图6是本发明一实施例中光学邻近修正过程的示意图。
参考图2，提供初始光刻掩膜图形100。
所述初始光刻掩膜图形100为光刻掩膜层上的初始图形。
在一个实施例中，所述初始光刻掩膜图形100根据目标刻蚀图形而获得，具体的，提供目标刻蚀图形，所述目标刻蚀图形为待刻蚀层设计的图形；制作刻蚀偏移表；根据刻蚀偏移表获取目标刻蚀图形对应的初始光刻掩膜图形100。
所述刻蚀偏移表的制作方法包括：提供测试刻蚀层；提供若干测试掩膜层，所述测试掩膜层中具有若干测试子图形，测试子图形具有第一宽度和第一间距，不同测试掩膜层中的测试子图形的第一宽度不同或第一间距不同；设置若干刻蚀条件；在各刻蚀条件下以各测试掩膜层为掩膜刻蚀测试刻蚀层，在测试刻蚀层中形成刻蚀图形，刻蚀图形具有对应测试子图形尺寸的第二宽度和第二间距；根据第一宽度、第一间距、第二宽度和第二间距获取刻蚀图形和测试子图形之间的刻蚀偏移量；根据刻蚀偏移量随第二宽度和第二间距的变化关系建立刻蚀偏移表。
在另一个实施例中，所述初始光刻掩膜图形为按照应用需求设计的图形。
结合参考图3和图4，图3为图2基础上的示意图，图4为图3中待补偿图形的示意图，获取初始光刻掩膜图形100中的待补偿图形120，所述待补偿图形120包括交替排列的第一待补偿图形121和第二图形122，第一待补偿图形121和第二图形122的排列方向平行于第一待补偿图形121和第二图形122的宽度方向，相邻第一待补偿图形121和第二图形122之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形121的宽度和第二图形121的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形121和第二图形121之外的初始光刻掩膜图形100为本征图形。
本实施例中，所述第一待补偿图形121的形状为长条状，第二图形121的形状为长条状。在其它实施例中，第一待补偿图形和第二图形的形状为其它不规则的形状。
本实施例中，所述第一待补偿图形121的数量为若干个；所述第二图形122的数量为一个或若干个；在第一待补偿图形121和第二图形122的排列方向上，所述第二图形122分别位于相邻的第一待补偿图形121之间。
在其它实施例中，所述第一待补偿图形的数量为一个或若干个；所述第二图形的数量为若干个；在第一待补偿图形和第二图形的排列方向上，所述第一待补偿图形分别位于相邻的第二图形之间。
在其它实施例中，所述第一待补偿图形的数量和所述第二图形的数量相等。
所述第一待补偿图形121在第一待补偿图形121的长度方向具有相对的第一初始端部和第二初始端部。
所述第二图形122在第二图形122的长度方向具有相对的第三端部和第四端部，所述第三端部和第一初始端部齐平，且所述第四端部和第二初始端部齐平。
参考图5，图5为在图4基础上的示意图，将第一待补偿图形121修正为第一图形140，第一图形140包括第一待补偿区141和补偿图形区130，第一待补偿区141的图形和第一待补偿图形121一致，所述补偿图形区130沿第一待补偿区141的长度方向与第一待补偿区141的端部邻接。
第一待补偿区141的图形和第一待补偿图形121一致，指的是：第一待补偿区141的位置和第一待补偿图形121的位置一致，且第一待补偿区141的图形的形状和第一待补偿图形121的形状一致。
所述第一待补偿图形121的第一初始端部构成第一待补偿区141的第一端部，所述第一待补偿图形121的第二初始端部构成第一待补偿区141的第二端部。
所述第三端部和第一端部齐平，且所述第四端部和第二端部齐平。
本实施例中，所述补偿图形区130分别与第一待补偿区141的第一端部和第二端部邻接。
在其它实施例中，所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第一端部邻接，或者，所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第二端部邻接。
所述补偿图形区130在第一待补偿区141的宽度方向的尺寸等于第一待补偿区141的与补偿图形区130邻接的端部宽度。
在一个实施例中，所述第一阈值为39纳米～42纳米；所述第二阈值为39纳米～42纳米。
所述第一阈值和第二阈值相同；或者，所述第一阈值和第二阈值不同。
本实施例中，还包括：获取最优补偿尺寸范围；根据所述最优补偿尺寸将第一待补偿图形121修正为第一图形140，所述补偿图形区130在第一待补偿区141的长度方向的尺寸在所述具有最优补偿尺寸范围内。
获取所述最优补偿尺寸范围的方法包括：提供补偿测试图形，所述补偿测试图形包括对应第一图形的第一测试图形、对应第二图形的第二测试图形、以及对应本征图形的第三测试图形，第一测试图形包括对应第一待补偿区的第一子测试图形和对应补偿图形区的第二子测试图形，第二子测试图形沿第一子测试图形长度方向具有测试尺寸；获取第一标记图形和第二标记图形，所述第一标记图形为一个第一子测试图形或一个第二测试图形，第二标记图形包括一个第一子测试图形和与第一子测试图形相邻的一个第二测试图形；在第一曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第一曝光图形；在第二曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第二曝光图形；在第三曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第三曝光图形；在第四曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第四曝光图形；在若干第一曝光图形中，获取对应第一标记图形的第一曝光标记图形；获取第一曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第一函数关系；在若干第二曝光图形中，获取对应第一标记图形的第二曝光标记图形；获取第二曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第二函数关系；在若干第三曝光图形中，获取对应第二标记图形的第三曝光标记图形；获取第三曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第三函数关系；在若干第四曝光图形中，获取对应第二标记图形的第四曝光标记图形；获取第四曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第四函数关系；获取第一函数关系中第一曝光标记图形的端部宽度大于第一标记阈值时的第一测试尺寸区间；获取第二函数关系中第二曝光标记图形的端部宽度大于第二标记阈值时的第二测试尺寸区间；获取第三函数关系中第三曝光标记图形端部之间的间距大于第三标记阈值时的第三测试尺寸区间；获取第四函数关系中第四曝光标记图形端部之间的间距大于第四标记阈值时的第四测试尺寸区间；获取第一测试尺寸区间、第二测试尺寸区间、第三测试尺寸区间和第四测试尺寸区间的重合区间作为所述最优补偿尺寸范围。
所述第一标记阈值等于所述第一函数关系中最大值点处的第一曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第二标记阈值等于所述第二函数关系中最大值点处的第二曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第三标记阈值等于所述第三函数关系中最大值点处的第三曝光标记图形端部之间的间距的90％；所述第四标记阈值等于所述第四函数关系中最大值点处的第四曝光标记图形端部之间的间距的90％。
获取所述最优补偿尺寸范围的方法还包括：获取匹配曝光能量极值E0、匹配曝光焦深极值f0、匹配曝光偏移能量Eδ和匹配曝光偏移焦深fφ；第一曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第一曝光条件的焦深为f0+fφ；第二曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第二曝光条件的焦深为f0-fφ；第三曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第三曝光条件的焦深为f0+fφ；第四曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第四曝光条件的焦深为f0-fφ。
获取匹配曝光能量极值E0和匹配曝光焦深极值f0的方法包括：提供第一测试掩膜版，所述第一测试掩膜版中具有标记图形和主图形；提供标记图形的目标标记曝光图形；固定曝光能量，在不同焦深的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获得第一测试实际曝光图形，所述第一测试实际曝光图形包括对应标记图形的第一标记曝光图形；获取第一标记曝光图形的尺寸随焦深的变化曲线；获取所述变化曲线的最大值点的焦深值作为匹配曝光焦深极值f0；在匹配曝光焦深极值f0下，在不同曝光能量的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获取第二测试实际曝光图形，所述第二测试实际曝光图形包括对应标记图形的第二标记曝光图形；当第二标记曝光图形和目标标记曝光图形一致时，获取曝光能量作为匹配曝光能量极值E0。
在一个实施例中，fφ为40纳米～45纳米。
在一个实施例中，Eδ为E0的3％～4％。
参考图6，对所述本征图形、第一图形140和第二图形122进行OPC修正，获得修正图形。
对所述本征图形、第一图形140和第二图形122进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对所述本征图形、第一图形140和第二图形122进行修正，得到对应本征图形的本征中间修正图形、对应第一图形140的第一中间修正图形和对应第二图形122的第二中间修正图形；获取本征中间修正图形与本征图形之间的第一边缘放置误差、第一中间修正图形和第一图形140之间的第二边缘放置误差、以及第二中间修正图形和第二图形122之间的第三边缘放置误差；若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差大于放置阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形进行修正直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值时，将本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形作为修正图形。
所述修正图形包括对应本征图形的本征修正图形、对应第一图形140的第一修正图形150以及对应第二图形122的第二修正图形160。
所述OPC修正模型的获取方法包括：提供第二测试掩膜版，所述第二测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到第三测试实际曝光图形；对第三测试实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对第二测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。
本实施例中，将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接，这样使得第一图形和第二图形的端部并不齐平。在对本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的过程中，所述补偿图形区能够改善对第二图形和第一待补偿区的曝光条件。具体的，在对本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的过程中，补偿图形区作为第一待补偿区和第二图形的边界条件，因此避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形之间的距离过小，且避免对应第一图形的修正图形和对应第二图形的修正图形的宽度过小。避免修正图形的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，因此提高了修正图形的分辨率。
本发明另一实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：根据上述光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。
本实施例中，根据上述光学邻近修正方法后得到的修正图形制作掩膜版，所述掩膜版中具有对应修正图形的图形结构，避免掩膜版中图形结构的尺寸超出建立OPC修正模型时使用的测试图形的下限尺寸，因此提高了掩膜版中图形结构的分辨率。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
提供初始光刻掩膜图形；
获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，第一待补偿图形和第二图形的排列方向平行于第一待补偿图形和第二图形的宽度方向，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；
将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，第一待补偿区的图形和第一待补偿图形一致，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；
对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一待补偿区在第一待补偿区的长度方向具有相对的第一端部和第二端部；
所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第一端部邻接；或者，所述补偿图形区仅与第一待补偿区的第二端部邻接；或者，所述补偿图形区分别与第一待补偿区的第一端部和第二端部邻接。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二图形在第二图形的长度方向具有相对的第三端部和第四端部；所述第三端部和第一端部齐平，且所述第四端部和第二端部齐平。
4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，还包括：获取最优补偿尺寸范围；根据所述最优补偿尺寸将第一待补偿图形修正为第一图形，所述补偿图形区在第一待补偿区的长度方向的尺寸在所述最优补偿尺寸范围内。
5.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述最优补偿尺寸范围的方法包括：提供补偿测试图形，所述补偿测试图形包括对应第一图形的第一测试图形、对应第二图形的第二测试图形、以及对应本征图形的第三测试图形，第一测试图形包括对应第一待补偿区的第一子测试图形和对应补偿图形区的第二子测试图形，第二子测试图形沿第一子测试图形长度方向具有测试尺寸；获取第一标记图形和第二标记图形，所述第一标记图形为一个第一子测试图形或一个第二测试图形，第二标记图形包括一个第一子测试图形和与第一子测试图形相邻的一个第二测试图形；在第一曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第一曝光图形；在第二曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第二曝光图形；在第三曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第三曝光图形；在第四曝光条件下，在第二子测试图形具有不同的测试尺寸的情况下，对补偿测试图形进行模拟曝光，获得不同的测试尺寸下的若干第四曝光图形；在若干第一曝光图形中，获取对应第一标记图形的第一曝光标记图形；获取第一曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第一函数关系；在若干第二曝光图形中，获取对应第一标记图形的第二曝光标记图形；获取第二曝光标记图形的端部宽度随着测试尺寸变化的第二函数关系；在若干第三曝光图形中，获取对应第二标记图形的第三曝光标记图形；获取第三曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第三函数关系；在若干第四曝光图形中，获取对应第二标记图形的第四曝光标记图形；获取第四曝光标记图形端部之间的间距随着测试尺寸变化的第四函数关系；获取第一函数关系中第一曝光标记图形的端部宽度大于第一标记阈值时的第一测试尺寸区间；获取第二函数关系中第二曝光标记图形的端部宽度大于第二标记阈值时的第二测试尺寸区间；获取第三函数关系中第三曝光标记图形端部之间的间距大于第三标记阈值时的第三测试尺寸区间；获取第四函数关系中第四曝光标记图形端部之间的间距大于第四标记阈值时的第四测试尺寸区间；获取第一测试尺寸区间、第二测试尺寸区间、第三测试尺寸区间和第四测试尺寸区间的重合区间作为所述最优补偿尺寸范围。
6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一标记阈值等于所述第一函数关系中最大值点处的第一曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第二标记阈值等于所述第二函数关系中最大值点处的第二曝光标记图形的端部宽度的90％；所述第三标记阈值等于所述第三函数关系中最大值点处的第三曝光标记图形端部之间的间距的90％；所述第四标记阈值等于所述第四函数关系中最大值点处的第四曝光标记图形端部之间的间距的90％。
7.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取所述最优补偿尺寸范围的方法还包括：获取匹配曝光能量极值E0、匹配曝光焦深极值f0、匹配曝光偏移能量Eδ和匹配曝光偏移焦深fφ；第一曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第一曝光条件的焦深为f0+fφ；第二曝光条件的曝光能量为E0-Eδ，第二曝光条件的焦深为f0-fφ；第三曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第三曝光条件的焦深为f0+fφ；第四曝光条件的曝光能量为E0+Eδ，第四曝光条件的焦深为f0-fφ。
8.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获取匹配曝光能量极值E0和匹配曝光焦深极值f0的方法包括：提供第一测试掩膜版，所述第一测试掩膜版中具有标记图形和主图形；提供标记图形的目标标记曝光图形；固定曝光能量，在不同焦深的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获得第一测试实际曝光图形，所述第一测试实际曝光图形包括对应标记图形的第一标记曝光图形；获取第一标记曝光图形的尺寸随焦深的变化曲线；获取所述变化曲线的最大值点的焦深值作为匹配曝光焦深极值f0；在匹配曝光焦深极值f0下，在不同曝光能量的情况下，对第一测试掩膜版进行实际曝光，获取第二测试实际曝光图形，所述第二测试实际曝光图形包括对应标记图形的第二标记曝光图形；当第二标记曝光图形和目标标记曝光图形一致时，获取曝光能量作为匹配曝光能量极值E0。
9.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，fφ为40纳米～45纳米。
10.根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，Eδ为E0的3％～4％。
11.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述补偿图形区在第一待补偿区的宽度方向的尺寸等于第一待补偿区的与补偿图形区邻接的端部宽度。
12.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一待补偿图形的数量为若干个；所述第二图形的数量为一个或若干个；在第一待补偿图形和第二图形的排列方向上，所述第二图形分别位于相邻的第一待补偿图形之间。
13.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一待补偿图形的数量为一个或若干个；所述第二图形的数量为若干个；在第一待补偿图形和第二图形的排列方向上，所述第一待补偿图形分别位于相邻的第二图形之间。
14.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一待补偿图形的数量和所述第二图形的数量相等。
15.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一阈值为39纳米～42纳米；所述第二阈值为39纳米～42纳米。
16.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一阈值和第二阈值相同；或者，所述第一阈值和第二阈值不同。
17.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正的方法包括：提供OPC修正模型；根据OPC修正模型对所述本征图形、第一图形和第二图形进行修正，得到对应本征图形的本征中间修正图形、对应第一图形的第一中间修正图形和对应第二图形的第二中间修正图形；获取本征中间修正图形与本征图形之间的第一边缘放置误差、第一中间修正图形和第一图形之间的第二边缘放置误差、以及第二中间修正图形和第二图形之间的第三边缘放置误差；若第一边缘放置误差、第二边缘放置误差或第三边缘放置误差大于放置阈值，则根据OPC修正模型对本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形进行修正直至第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值；当第一边缘放置误差、第二边缘放置误差和第三边缘放置误差均小于放置阈值时，将本征中间修正图形、第一中间修正图形和第二中间修正图形作为修正图形。
18.根据权利要求17所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述OPC修正模型的获取方法包括：提供第二测试掩膜版，所述第二测试掩膜版中具有若干测试图形；对测试图形进行曝光，得到第三测试实际曝光图形；对第三测试实际曝光图形的尺寸进行测量，获得第一测试数据；对第二测试图形进行模拟曝光，获得测试模拟曝光图形；对测试模拟曝光图形的尺寸进行测量，获得第二测试数据；将第一测试数据和第二测试数据进行比较和拟合计算，得到OPC修正模型。
19.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根据权利要求1至18任意一项光学邻近修正方法得到的修正图形制作掩膜版。
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