CN110218990B - 阳极膜修复方法、阳极结构及化学气相沉淀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阳极膜修复方法、阳极结构及化学气相沉淀设备。该阳极膜修复方法,包括以下步骤:S1、标记出阳极膜上产生电弧的待修补区域;S2、对所述待修补区域进行清洗;S3、对清洗后的所述待修补区域涂布后补保护膜层以形成优化区域;S4、对所述优化区域进行表面处理,以使得该优化区域平整;S5、对表面处理后的优化区域进行阻抗检测;S6、若阻抗检测不通过,则转至步骤S3;S7、若阻抗检测通过,则修复结束。本发明通过采用后补保护膜层涂布到电弧产生的区域可以对阳极结构进行修复,并且可以降低成本。

Description

阳极膜修复方法、阳极结构及化学气相沉淀设备
技术领域
本发明涉及化学气相沉淀领域,具体涉及一种阳极膜修复方法、阳极结构及化学气相沉淀设备。
背景技术
在化学气相沉淀工艺过程中,化学气相沉淀设备的下电极在生产中,因膜边异常或产品缺陷导致下电极表面发生电弧反应,视情况需进行阳极膜再生;每次进行阳极膜再生的维修的费用均是较大的支出。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本发明提供一种阳极膜修复方法、阳极结构及化学气相沉淀设备,可以节约成本。
本发明提供了一种阳极膜修复方法,包括以下步骤:
S1、标记出阳极膜上产生电弧的待修补区域;
S2、对所述待修补区域进行清洗;
S3、对清洗后的所述待修补区域涂布后补保护膜层以形成优化区域;
S4、对所述优化区域进行表面处理,以使得该优化区域平整;
S5、对表面处理后的优化区域进行阻抗检测;
S6、若阻抗检测不通过,则转至步骤S3;
S7、若阻抗检测通过,则修复结束。
在本发明所述的阳极膜修复方法中,所述步骤S3包括:
对清洗后的所述待修补区域涂布陶瓷胶层以形成优化区域。
在本发明所述的阳极膜修复方法中,所述步骤S4包括:
对所述优化后的区域进行打磨处理,以使得该优化区域平整且与和所述优化区域相连的区域持平。
在本发明所述的阳极膜修复方法中,所述步骤S5包括:
采用万用表检测所述表面处理后的优化区域的阻抗值;
若阻抗值大于阈值则表明阻抗检测通过;
若阻抗值小于阈值则表面阻抗检测不通过。
在本发明所述的阳极膜修复方法中,所述步骤S2包括:
采用碱性溶液对所述待修补区域进行清洗。
一种阳极结构,应用于化学气相沉淀设备中,所述阳极结构包括:
一阳极金属层,所述阳极金属层包括第一区域以及第二区域;
一阳极膜层,其设置于所述阳极金属层上的第一区域;
一后补保护膜层,其设置于所述阳极金属层上的第二区域。
在本发明所述的阳极结构中,所述后补保护膜层为陶瓷胶涂布层。
在本发明所述的阳极结构中,所述后补保护膜层表面平整且与所述阳极膜层齐平。
在本发明所述的阳极结构中,所述阳极膜层为致密金属氧化膜。
一种化学气相沉淀设备,其包括上述任一项所述的阳极结构。
本发明通过采用后补保护膜层涂布到电弧产生的区域可以对阳极结构进行修复,并且可以降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一些实施例中的一种阳极膜修复方法的工艺流程图。
图2是本发明一些实施例中的阳极结构的结构图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请同时参阅图1,图1时本发明一些实施例中的一种阳极膜修复方法的工艺流程图,该阳极膜修复方法包括以下步骤:
S1、标记出阳极膜上产生电弧的待修补区域;
S2、对所述待修补区域进行清洗;
S3、对清洗后的所述待修补区域涂布后补保护膜层以形成优化区域;
S4、对所述优化区域进行表面处理,以使得该优化区域平整;
S5、对表面处理后的优化区域进行阻抗检测;
S6、若阻抗检测不通过,则转至步骤S3;
S7、若阻抗检测通过,则修复结束。
下面对该阳极膜修复方法的各个步骤进行详细说明:
在该步骤S1中,可以采用异色标识线将该待修补区域标识出,然后制作一个掩膜层,在该掩膜板上开设一个与该异色标识线所围成区域形状、位置以及尺寸相同的开口,并将该掩膜层覆盖在该待修补区域以便于后续的涂胶。当然,也可以不覆盖掩膜层。
在该步骤S2中,可以采用碱性溶液对该待修补区域进行清洗。
在该步骤S3中,对清洗后的所述待修补区域涂布陶瓷胶层以形成优化区域。且在涂布陶瓷胶层时,陶瓷胶层应该将该异色标识线覆盖或者超出异色标识线的范围。
在该步骤S4中,对所述优化后的区域进行打磨处理,以使得该优化区域平整且与和所述优化区域相连的区域持平。打磨的过程中,会将步骤S3中涂布的超出待修补区域的陶瓷胶层打磨掉。
在该步骤S5中,可以采用万用表检测所述表面处理后的优化区域的阻抗值;若阻抗值大于阈值则表明阻抗检测通过;若阻抗值小于阈值则表面阻抗检测不通过。该阈值为根据多次试验设置的经验值。当然,也可以采用其他方式来进行阻抗测试。
本发明通过采用后补保护膜层涂布到电弧产生的区域可以对阳极结构进行修复,并且可以降低成本。
请参照图2,本发明还提供了一种阳极结构,应用于化学气相沉淀设备中,所述阳极结构包括:阳极金属层201、阳极膜层202以及后补保护膜层203。
其中,该阳极金属层201包括第一区域2011以及第二区域2012,其中该第二区域的数量可以为一个或者多个。
其中,该阳极膜层202设置于所述阳极金属层201上的第一区域2011;阳极膜层202为致密金属氧化膜。
其中,该后补保护膜层203设置于所述阳极金属层201上的第二区域2012。后补保护膜层203可以为陶瓷胶涂布层。当然,也可以为其他绝缘抗氧化材料。
其中,该后补保护膜层203表面平整且与所述阳极膜层齐平。
本发明还提供了一种化学气相沉淀设备,其包括上述任一项所述的阳极结构。
本发明通过采用后补保护膜层涂布到电弧产生的区域可以对阳极结构进行修复,并且可以降低成本。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种阳极膜修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、标记出阳极膜上产生电弧的待修补区域;
S2、对所述待修补区域进行清洗;
S3、对清洗后的所述待修补区域涂布后补保护膜层以形成优化区域,其中所述后补保护膜层为绝缘抗氧化材料;
S4、对所述优化区域进行表面处理,以使得所述优化区域平整;
S5、对表面处理后的所述优化区域进行阻抗检测;
S6、若所述阻抗检测不通过,则转至步骤S3;以及
S7、若所述阻抗检测通过,则修复结束。
2.根据权利要求1所述的阳极膜修复方法,其特征在于,所述后补保护膜层为陶瓷胶涂布层。
3.根据权利要求1所述的阳极膜修复方法,其特征在于,所述步骤S4包括:
对所述优化区域进行打磨处理,以使得所述优化区域平整且与和所述优化区域相连的区域持平。
4.根据权利要求1所述的阳极膜修复方法,其特征在于,所述步骤S5包括:
采用万用表检测表面处理后的所述优化区域的阻抗值;
若所述阻抗值大于阈值则表示所述阻抗检测通过;
若所述阻抗值小于阈值则表示所述阻抗检测不通过。
5.根据权利要求1所述的阳极膜修复方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
采用碱性溶液对所述待修补区域进行清洗。
6.一种阳极结构,应用于化学气相沉淀设备中,其特征在于,所述阳极结构包括:
阳极金属层,所述阳极金属层包括第一区域以及第二区域;
阳极膜层,设置于所述阳极金属层上的第一区域;
后补保护膜层,设置于所述阳极金属层上的第二区域,其中所述后补保护膜层表面平整且与所述阳极膜层齐平。
7.根据权利要求6所述的阳极结构,其特征在于,所述后补保护膜层为陶瓷胶涂布层。
8.根据权利要求6所述的阳极结构,其特征在于,所述阳极膜层为致密金属氧化膜。
9.一种化学气相沉淀设备,其特征在于,包括权利要求6-8任一项所述的阳极结构。
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