KR102005759B1 - 정전기 제거장치 및 정전기 제거장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

보다 효과적이고 종합적인 정전기 관리가 가능한 정전기 제거장치 및 그를 제조하는 정전기 제거장치의 제조방법이 제공된다. 정전기 제거장치는, 작업테이블, 대전입자를 생성하고 작업테이블로 공급하여 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저, 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈, 및 워크와 인접하게 배치되어 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하고 제어모듈로 감지신호를 전송하는 적어도 하나의 감지센서를 포함하되, 감지센서는, 도체로 이루어진 기재층, 및 기재층의 표면에 적층되는 금속산화물로 이루어진 제1코팅층과, 제1코팅층의 표면에 적층되는 비금속물질로 이루어진 제2코팅층이 포함된 정전기 방전 차폐층을 포함한다.

Description

정전기 제거장치 및 정전기 제거장치의 제조방법{Static electricity removing apparatus and Method for manufacturing static electricity removing apparatus}

본 발명은 정전기 제거장치 및 정전기 제거장치를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 보다 효과적이고 종합적인 정전기 관리가 가능한 정전기 제거장치 및 그를 제조하는 정전기 제거장치의 제조방법에 관한 것이다.

정전기는 물체의 양전하와 음전하 간 비대칭에 의해 나타난다. 정전기의 발생 원인은 마찰이나 대전입자의 자유이동 등 다양하며 환경이나 물체의 재질 등에 따라 정전기 발생 빈도가 달라질 수 있다. 정전기는 전자장비의 오작동을 유발하거나 대전된 먼지입자를 끌어들이는 등 여러 방식으로 피해를 줄 수 있으므로 대부분의 경우 제거되는 것이 바람직하다.

특히 반도체 웨이퍼 등을 취급하는 정밀 공정에서 정전기는 먼지 입자의 유입이나 부착 등을 초래하여 제품을 오염시키고 방전 등으로 제품에 악영향을 미칠 수 있어 보다 적극적인 관리가 필요하다. 정전기를 차폐하거나 제거하거나 또는 그 밖의 방식으로 해당 공정에서 정전기 발생을 억제하려는 시도가 이루어지고 있다. 일 예로, 이온을 생성하여 공간에 공급함으로써 전기적으로 중화시키는 기술 등이 알려져 있다.

그러나 이러한 기술로는 공간 전체에 대한 보다 적극적이고 종합적인 정전기 관리는 이루어지기 어려웠다. 예를 들면, 공정 진행에 따라 공간 내 변동이 생겨 정전기 발생 가능성 등이 바뀔 수 있고 그에 따라 국소적으로 예기치 않은 방전 등이 생겨 피해를 줄 수도 있으며, 또한 정전기 제거를 위해 배치한 장비 자체에서 정전기가 발생되는 등 예상범위 밖의 여러 가지 문제들이 발생할 수 있으나 이러한 상황에 대한 종합적인 관리나 대처가 이루어지는 매우 어려웠다. 따라서 이에 대한 보다 효과적인 기술적 대안이 필요하였다.

대한민국등록특허공보 제10-0206667호, (1999. 07. 01)

본 발명의 기술적 과제는, 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보다 효과적이고 종합적인 정전기 관리가 가능한 정전기 제거장치를 제공하는 것이며, 또한 그를 제조하는 정전기 제거장치의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명에 의한 정전기 제거장치는, 작업테이블; 대전입자를 생성하고 상기 작업테이블로 공급하여 상기 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저; 상기 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈; 및 상기 워크와 인접하게 배치되어 상기 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하고 상기 제어모듈로 감지신호를 전송하는 적어도 하나의 감지센서를 포함하되, 상기 감지센서는, 도체로 이루어진 기재층, 및 상기 기재층의 표면에 적층되는 금속산화물로 이루어진 제1코팅층과, 상기 제1코팅층의 표면에 적층되는 비금속물질로 이루어진 제2코팅층이 포함된 정전기 방전 차폐층을 포함하는 감지판을 포함한다.

상기 제1코팅층은 금속산화물이 상기 기재층 표면에 도금되어 형성되며, 상기 제2코팅층은 불소성분의 물질이 상기 제1코팅층 표면에 피막을 이루어 형성될 수 있다.

상기 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함할 수 있다.

상기 감지판은 원판 형상으로 이루어지며, 복수 개가 서로 중첩되어 평행하게 배치되고, 각각의 상기 감지판에 상기 정전기 방전 차폐층이 대칭되게 형성될 수 있다.

상기 감지센서는, 복수 개의 상기 감지판이 서로 연결되어 형성된 무지향성 안테나 장치일 수 있다.

상기 정전기 방전 차폐층은 상기 제2코팅층의 외면이 열처리되어 형성된 열처리층을 더 포함할 수 있다.

상기 정전기 방전 차폐층의 표면저항값은 1KΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있을 수 있다.

상기 제1코팅층 및 상기 제2코팅층 전체의 표면저항값은 1KΩ/sq~1MΩ/sq의 범위 내에 있고, 상기 열처리층의 표면저항값은 1MΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있을 수 있다.

상기 정전기 방전 차폐층은, 상기 제1코팅층으로부터 상기 제2코팅층을 향하는 방향으로 저항값이 단계적으로 증가할 수 있다.

본 발명에 의한 정전기 제거장치의 제조방법은, 작업테이블과, 대전입자를 생성하고 상기 작업테이블로 공급하여 상기 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저와, 상기 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈, 및 상기 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하여 상기 제어모듈로 감지신호를 전송하며, 도체로 이루어진 기재층, 및 상기 기재층 표면에 적층되는 제1코팅층과, 상기 제1코팅층 표면에 적층되는 제2코팅층이 포함된 정전기 방전 차폐층을 포함하는 감지판을 포함하는 감지센서가 포함된 정전기 제거장치의 제조방법에 있어서, 상기 감지센서는, (a) 상기 기재층의 표면에서 지방 성분을 제거하는 탈지단계; (b) 지방 성분이 제거된 상기 기재층의 표면에 금속산화물을 도금방식으로 적층시켜 상기 제1코팅층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 제1코팅층의 표면에 불소성분의 물질로 피막을 형성하여 상기 제2코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 한다.

상기 (a) 단계는, 상기 기재층에 가성소다 용액을 가하여 탈지하는 제1탈지단계를 포함할 수 있다.

상기 (a) 단계는, 상기 제1탈지단계 이후에, 상기 기재층에 초음파 진동을 가하여 탈지하는 제2탈지단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (a) 단계는, 상기 제2탈지단계 이후에, 상기 기재층을 제1전해용액에서 전해시켜 탈지하는 제3탈지단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (b) 단계의 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함할 수 있다.

상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계의 사이에, 상기 기재층에 산성용액을 가하여 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계의 사이에, 상기 산성용액으로 세정된 상기 기재층을 제2전해용액에서 역전해시켜, 상기 기재층의 수소를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 (c) 단계 이후에, 상기 제2코팅층의 외면을 열처리하여 열처리층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명의 정전기 제거장치를 이용하여 원하는 공간(공정이 이루어지는 작업공간 등)에 대한 보다 적극적이고 효과적인 정전기 관리가 가능하다. 공간 내 전기적 상태의 지속적인 모니터링과 그에 따른 피드백을 통해 적소에 적합한 처치가 가능하며 특히 개선된 구조로 불필요한 방전 등의 발생도 사전에 차단할 수 있어 정전기에 대한 적극적이고 종합적인 관리가 가능하다. 또한, 본 발명의 제조방법을 통해서, 이러한 정전기 제거장치를 매우 효율적으로 편리하게 제조할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 정전기 제거장치의 감지센서의 사시도이다.
도 3은 도 2의 감지센서의 감지판의 단면을 확대하여 함께 도시한 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치의 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 도 4의 제조방법 중 제2탈지단계의 공정사진이다.
도 6은 도 4의 제조방법 중 제3탈지단계의 공정사진이다.
도 7은 도 4의 제조방법 중 세정단계의 공정사진이다.
도 8은 도 4의 제조방법 중 역전해단계의 공정사진이다.
도 9는 도 4의 제조방법 중 제1코팅층형성단계의 공정사진이다.

본 발명의 이점 및 특징 그리고 그것들을 달성하기 위한 방법들은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 단지 청구항에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조부호는 동일 구성요소를 지칭한다.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치 및 정전기 제거장치의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 설명이 간결하고 명확하도록, 먼저 도 1 내지 도 3을 참조하여 정전기 제거장치에 대해 상세히 설명한 후, 이를 바탕으로 정전기 제거장치의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 정전기 제거장치의 감지센서의 사시도이며, 도 3은 도 2의 감지센서의 감지판의 단면을 확대하여 함께 도시한 측면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 정전기 제거장치(1)는 작업테이블(10)에 배치된 워크(A)를 향해 대전입자를 공급하는 이오나이저(20), 이오나이저(20)의 동작을 제어하는 제어모듈(30), 및 워크(A) 주변의 전자기장 변동을 감지하고 제어모듈(30)로 감지신호를 전송하는 감지센서(40)를 포함한다. 본 발명의 정전기 제거장치(1)는 감지센서(40)를 이용하여 워크(A) 주변의 전자기적 상태[공간의 전압분포나 대전입자의 전하 밸런스 등]를 감지하고 모니터링하며 그 결과를 제어모듈(30)에 전송하여 이오나이저(20)의 동작을 피드백 시킨다. 따라서 단순히 일정한 양의 대전입자(음이온 및/또는 양이온)를 정해진 장소에만 공급하는 것이 아니라 상황 변동에 대응하여 대전입자의 공급량과 공급방향 등을 적절히 변경시키며 전체 공간의 정전기 발생에 대한 매우 효과적인 대처와 관리가 가능하다.

이러한 정전기 제거장치(1)의 구성에서 전자기장 변동을 감지하는 감지센서(40)의 배치는 매우 중요하다. 감지센서(40)는 워크(A)와 인접하게 배치되며 그로 인해 만에 하나라도 방전 등이 발생하는 경우에는 워크(A)에 피해를 줄 가능성도 있다. 본 발명은 이와 같은 문제를 특히, 감지센서(40)의 정전기 방전 차폐층[도 3의 412, 413, 413a참조]으로 효과적으로 해소한다. 정전기 방전 차폐층은 각각 금속산화물과 비금속 물질로 형성된 제1코팅층(도 3의 412참조) 및 제2코팅층(도 3의 413참조)의 다중 층상구조를 이용하여 전하의 기중 방출(즉, 방전)을 효과적으로 차단한다. 따라서 정전기 제거장치(1) 전체를 공간 내 원활하게 설치하고 동작시킬 수 있다. 본 발명은 이러한 장치의 구조적 특징을 통해 공간 내 발생한 정전기를 제거하고 정전기 발생을 억제하는 효과적인 관리가 가능할 뿐만 아니라, 방전에 의한 사고 등도 미연에 방지할 수 있어 종합적인 대비가 가능하다.

이러한 본 발명의 정전기 제거장치(1)는 다음과 같이 구성된다. 정전기 제거장치(1)는, 작업테이블(10)과, 대전입자를 생성하고 작업테이블(10)로 공급하여 작업테이블(10)에 배치된 워크(A)의 정전기를 제거하는 이오나이저(20)와, 이오나이저(20)의 동작을 제어하는 제어모듈(30), 및 워크(A)와 인접하게 배치되어 워크(A) 주변의 전자기장 변동을 감지하고 제어모듈(30)로 감지신호를 전송하는 적어도 하나의 감지센서(40)를 포함하되, 감지센서(40)는, 도체로 이루어진 기재층(도 3의 411참조), 및 기재층(411)의 표면에 적층되는 금속산화물로 이루어진 제1코팅층(412)과, 제1코팅층(412)의 표면에 적층되는 비금속물질로 이루어진 제2코팅층(413)이 포함된 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)을 포함하는 감지판(410)을 포함한다. 이하, 이러한 본 발명의 정전기 제거장치(1)에 대해 본 발명의 일 실시예를 통해 좀더 상세히 설명한다.

작업테이블(10)은 작업공정을 진행하기 위해 마련된 구조물일 수 있으며 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이 상부에 공간이 형성되고 그 하부나 다른 부분에도 공간이 형성된 여러 가지 형태로 작업테이블(10)을 구성하고 작업기구를 설치할 수 있다. 워크(A)는 이러한 작업테이블(10)에 배치되며 작업테이블(10)의 형상이나 구조에 따라서 워크(A)가 배치되는 지점은 달라질 수 있다. 따라서 도시된 바와 같은 형태나 구조로 작업테이블(10)을 한정하여 이해할 필요는 없다. 워크(A)는 반도체 웨이퍼 등일 수 있으며 정전기 제거가 필요한 여러 가지 다른 물품이 가능하므로 그 역시 도시된 바와 같이 한정하여 이해할 필요는 없다. 작업테이블(10)은 워크(A)를 배치할 수 있는 한 특별한 제약은 없으며 그러한 한도 내에서 여러 가지 형태로 변형이 가능하다. 따라서 도면에 의해 본 발명의 기술사상이 제한될 필요는 없다.

이오나이저(20)는 대전입자를 생성하여 작업테이블(10)로 공급한다. 그에 따라 작업테이블(10)에 배치된 워크(A)의 정전기가 제거될 수 있다. 이오나이저(20)가 생성하는 대전입자는 음이온 및/또는 양이온일 수 있으며 각각 양전기 및/또는 음전기를 갖도록 대전된 것일 수 있다. 이오나이저(20)를 조절하여 음이온과 양이온 중 어느 하나를 선택적으로 공급하거나, 이들을 혼합하여 공급하는 등 여러 가지 방식으로 대전입자를 작업테이블(10)로 공급할 수 있다. 이를 통해 워크(A)를 전기적으로 중화시켜 정전기를 제거할 수 있다. 이오나이저(20)는 도시된 바와 같이 작업테이블(10)과 이격되어 배치될 수 있으며 적절한 위치 선정을 위해 받침구조물 등을 이용할 수 있다. 이오나이저(20)는 예를 들어, 내부에 형성된 고전압 장치를 이용하여 공기분자를 이온화 시킬 수 있고 팬 등의 유체 공급장치를 이용하여 이를 작업테이블(10)로 공급할 수 있다. 이오나이저(20)는 제어모듈(30)에 의해 제어되어 대전입자의 생성량과 이를 포함하는 유체[공기일 수 있다]의 공급량 및 공급방향 등이 조절될 수 있다. 이오나이저(20) 역시 도시된 바와 같은 형태나 배치로 한정될 필요는 없으며 대전입자를 생성하고 공급할 수 있는 한도 내에서 여러 가지 다양한 형태로 변형이 가능하다.

제어모듈(30)은 이오나이저(20)와 연결되어 이오나이저(20)의 동작을 제어한다. 제어모듈(30)은 예를 들어, 컴퓨터 장치나 프로그램 가능한 논리 제어장치와 같은 장치 제어가 가능한 다양한 장비로 형성할 수 있다. 제어모듈(30)은 특히 후술하는 감지센서(40)의 감지신호를 입력 받고 그에 따라 이오나이저(20)의 동작을 자동으로 제어할 수 있다. 제어모듈(30)은 이오나이저(20)와 유선통신 또는 무선통신 방식의 어느 방식으로도 연결될 수 있으며 데이터 통신이 가능한 다양한 방식으로 제어모듈(30)과 이오나이저(20)를 연결할 수 있다. 제어모듈(30)은 도시된 바와 같이 작업테이블(10)의 일 측에 배치될 수 있으나 필요에 따라 다른 위치에 설치되어도 무방하다. 제어모듈(30) 역시 감지센서(40)의 감지신호를 입력 받고 이오나이저(20)의 동작을 제어할 수 있는 한도 내에서 여러 가지 다양한 형태로 변형될 수 있다.

감지센서(40)는 워크(A)와 인접하게 배치되어 워크(A) 주변의 전자기장 변동을 감지한다. 감지센서(40)는 예를 들어, 공간의 전압분포, 대전입자의 유동, 대전입자의 밸런스 등을 전자기장의 변동으로부터 감지할 수 있다. 감지센서(40)는 전술한 바와 같은 정전기 방전 차폐층(도 3의 412, 413, 413a참조)을 포함하는 감지판(도 2 및 도 3의 410참조)을 포함하고 있으며 감지판(410)을 이용하여 워크(A) 주변의 전자기적 상태를 감지할 수 있다. 감지판(410)은 원판 형상으로 이루어질 수 있으며 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 복수 개가 서로 중첩되어 평행하게 배치될 수 있다. 각각의 감지판(410)에는 도 3에 도시된 바와 같은 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)이 대칭되게 형성될 수 있다. 감지센서(40)는 복수 개의 감지판(410)이 서로 연결되어 형성된 무지향성 안테나 장치일 수 있으며 이를 제어모듈(30)과 데이터 통신이 가능하게[유선통신 또는 무선통신 방식의 어느 방식으도 가능하다] 연결할 수 있다. 감지센서(40)는 하나 또는 둘 이상의 복수 개가 워크(A) 주변의 다양한 위치에 배치될 수 있다. 감지판(410)은 연결바(430)에 의해 서로 연결되어 있을 수 있고 연결바(430)는 베이스(420)에 지지되어 고정될 수 있다. 감지판(410)은 연결바(430)를 통해 베이스(420) 내부의 신호전송장치 등과 통전 가능하게 접속되어 있을 수 있다. 감지판(410)에 형성된 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)은 연결바(430) 표면에도 동일하게 형성될 수 있다.

이와 같은 감지센서(40)를 이용하여 워크(A)가 배치된 공간과 그 주변의 전기적 상태를 지속적으로 감지하고 모니터링 할 수 있다. 이에 따라 감지센서(40)가 감지신호를 생성하여 제어모듈(30)로 전송하면, 제어모듈(30)은 이를 인식하고 분석하여 워크(A) 주변 공간의 정전기와 그 크기, 방전의 발생, 전압분포, 대전입자의 정상적인 공급여부나 변동 등을 파악하고 그에 따라 이오나이저(20)를 작동시키게 된다. 이를 통해 이오나이저(20)가 생성하는 대전입자의 생성량이나 밸런스 등을 변경시키고 이의 공급방향을 조절하는 등 다양한 제어가 가능하여 워크(A)의 정전기를 제거하고 그 주변의 정전기 발생도 억제할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 정전기 제거장치(1)로 공간 내 정전기에 대한 효과적인 관리가 가능하다.

특히, 감지센서(40)는 도 3에 도시된 바와 같이 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)이 형성된 감지판(410)을 포함하고 있어 감지판(410) 표면을 통한 전하 방전이 방지된다. 즉 일시적으로 전하의 축적이 일어나 감지판(410) 주변에 정전기가 생성되었다 하더라도 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)이 전자 탈출을 억제하고 내부로 갈무리하여 방전을 방지하므로 워크(A) 주변의 원하는 위치 어디라도 감지센서(40)를 배치할 수 있다. 이를 통해 필요한 지점을 감지센서(40)로 탐지하고 이오나이저(20)를 동작시키며 매우 정확한 피드백 제어가 가능하다. 이러한 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)은 도체로 이루어진 기재층(411)의 표면에 적층되는 금속산화물로 이루어진 제1코팅층(412), 및 제1코팅층(412)의 표면에 적층되는 비금속물질로 이루어진 제2코팅층(413)을 포함하며, 본 실시예에서와 같이 제2코팅층(413)의 외면이 열처리되어 형성된 열처리층(413a)도 포함할 수 있다.

기재층(411)은 전기 전도가 가능한 도체로 이루어진다. 예를 들어, 기재층(411)은 SUS(Steel use stainless) 및 알루미늄 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이러한 재질의 기재층(411)을 전체적으로 원판 형상으로 형성하고 그 표면에 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)을 형성하여 감지판(410)을 제작할 수 있다. 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)의 제1코팅층(412)은 금속산화물이 기재층(411)의 표면에 도금되어 형성되며, 제2코팅층(413)은 불소성분의 물질이 제1코팅층(412) 표면에 다시 피막을 이루어 형성될 수 있다. 이때 제1코팅층(412)의 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함할 수 있으며, 예를 들어 제1코팅층(412)은 크롬산화물로, 제2코팅층(413)은 불소로 형성할 수 있다. 열처리층(413a)은 제2코팅층(413)을 형성한 후 표면의 열처리를 통해 형성할 수 있다.

이러한 다층 구조의 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)은 특히 표면저항값(surface resistance/sheet resistance)이 1KΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있을 수 있다. 구체적으로, 제1코팅층(412) 및 제2코팅층(413) 전체의 표면저항값은 1KΩ/sq~1MΩ/sq의 범위 내에 있을 수 있으며, 열처리층(413a)의 표면저항값은 1MΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있을 수 있다. 이에 반해 기재층(411)의 표면저항값은 0.1~10Ω/sq의 범위 내에 있을 수 있다. 즉 기재층(411)은 전술한 바와 같이 도체로 형성되어 매우 낮은 저항값을 가지나 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)에서 저항값이 급격히 증가하는 구조를 이룰 수 있으며, 특히 제1코팅층(412)으로부터 제2코팅층(413)을 향하는 방향으로 또는 그 외곽의 열처리층(413a)을 향하는 방향으로 저항값이 단계적으로 증가하도록 각 층을 구성할 수 있다. 이러한 전기적 특성을 갖는 제1코팅층(412)의 금속산화물과 제2코팅층(413)의 비금속물질의 적층 구조를 이용하여 정전기력[정전기장과 그에 대응하는 전위를 포함하는 의미임]에 의해 감지판(410) 표면에서 발생하는 방전이나 표면을 통한 전하의 직접적인 이동 등을 매우 효과적으로 차단할 수 있다. 아울러 열처리층(413a)은 표면의 경도를 증가시키는 역할을 하므로 감지판(410) 전체도 매우 효과적으로 보호할 수 있다.

이와 같은 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)의 저항값의 범위는 특히 감지센서(40)가 주변 전자기장의 변동을 용이하게 감지하면서도, 방전은 매우 효과적으로 차단할 수 있는 범위인 점에서 매우 특별한 기술적 의미를 갖는다. 즉, 상기한 저항값의 범위를 초과하는 경우, 차폐층에 의한 방전 차단효과는 증가하더라도 감지센서(40)의 감지능력은 크게 감소할 우려가 있고, 상기한 저항값의 범위 미만인 경우에는, 감지센서(40)의 감지능력은 유지되더라도 차폐층에 의한 방전 차단효과가 크게 감소할 우려가 있어 실질적인 장치 사용이 곤란해진다. 이러한 기술적 특징은 본원 발명의 개발 시 여러 가지 연구를 통해 도달한 결론에 따른 것으로 본원 발명의 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)에 의한 방전 차단효과를 종래와 비교하여 좀더 자세히 설명하면 다음과 같다.

우선, 정전기에 의한 방전은 주변의 전기장[또는 그에 대응하는 전위] 크기와 대전체간 거리 등에 따라 그 발생회수나 빈도가 달라 질 수 있다. 예를 들어, 습도 등이 동일할 때 일정 전압조건 하에서 대전체간 거리가 증가할수록 방전이 감소하는 것이 알려져 있으며 이는 전기력이 거리제곱에 반비례하는 점과도 일치하는 것으로 해석할 수 있다. 대략 500V의 조건에서, 시료[도체 판일 수 있다]의 거리가 1.3mm를 넘어서는 경우 방전 현상의 발생회수가 크게 감소되는 예가 알려져 있으며 해당조건에서는 해당거리가 방전이 억제되는 임계 거리로 생각할 수 있다. 즉 조건에 따라 일정 거리 이상을 유지하면 방전의 억제가 가능할 수 있다.

그러나, 본원 발명과 같이 감지센서(40) 등을 워크 주변에 인접하게 배치하여 전자기장 변동을 탐지하여야 하는 경우에는 이러한 거리유지가 어렵게 된다. 정확한 탐지를 위해 임계 거리 내에 감지센서(40)를 배치하여야 하는 상황이 발생할 수 있고 조건이 바뀌면 방전 억제가 가능한 거리도 변동되므로 실질적으로 이를 고려하기 어려운 문제가 발생한다. 예를 들어, 본 발명의 개발 시 전압조건 3KV에서는 3mm 정도에서 방전의 억제 효과가 나타나는 것으로 관찰되었고, 따라서 전압조건이 이를 상회하면 방전 억제 효과가 나타나는 거리도 그 이상으로 증가될 것으로 예상되었다. 본원 발명의 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)은 이러한 조건에서도 매우 유효한 차폐효과를 나타냄이 확인되었다.

즉 본원 발명의 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)이 형성된 감지센서(40)의 경우 3~5KV의 전압조건에서 3mm 이내로 근접하게[서로 간에 또는 워크와의 사이에] 배치하여도 방전이 발생하지 않았으며, 3KV 미만인 경우에는 접촉시에도 방전이 발생하지 않아, 목적공간 내에 감지센서(40)를 매우 자유롭게 배치하여 전자기장 변동을 감지할 수 있음이 확인되었다. 이러한 효과는 상술한 바와 같은 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)의 다층구조와 표면저항값의 분포에 의해 달성되는 것으로 해석 가능하며 이를 통해 본 발명의 차별화된 효과를 보다 확실히 알 수 있다.

이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명에 의한 정전기 제거장치의 제조방법에 대해서 상세히 설명한다. 설명은 도 4의 순서도를 기준으로 다른 도면들을 함께 참조하는 방식으로 진행하며, 이하 설명에서 전술한 구성요소에 대한 반복설명은 생략하고 별도의 언급이 없는 한 그에 대한 설명은 전술한 설명으로 대신한다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치의 제조방법을 도시한 순서도이고, 도 5는 도 4의 제조방법 중 제2탈지단계의 공정사진이고, 도 6은 도 4의 제조방법 중 제3탈지단계의 공정사진이며, 도 7은 도 4의 제조방법 중 세정단계의 공정사진이고, 도 8은 도 4의 제조방법 중 역전해단계의 공정사진이고, 도 9는 도 4의 제조방법 중 제1코팅층형성단계의 공정사진이다

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기 제거장치의 제조방법은 특히 전술한 감지센서(도 1 내지 도 3의 40참조)를 제조하기 위한, 다음과 같은 단계들을 포함한다. 감지센서(40)는 기재층(도 3의 411참조)의 표면에서 지방 성분을 제거하는 탈지단계(S200~S400), 지방 성분이 제거된 기재층(411)의 표면에 금속산화물을 도금방식으로 적층시켜 제1코팅층(도 3의 412참조)을 형성하는 단계(S700), 및 제1코팅층(412)의 표면에 불소성분의 물질로 피막을 형성하여 제2코팅층(도 3의 413참조)을 형성하는 단계(S800)를 포함하는 단계들로 제조될 수 있으며 이를 통해 전술한 바와 같은 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)을 매우 효과적으로 형성할 수 있다.

본 발명에 의한 정전기 제거장치의 제조방법은 구체적으로 다음과 같이 구성된다. 정전기 제거장치의 제조방법은, 작업테이블(도 1의 10참조)과, 대전입자를 생성하고 작업테이블로 공급하여 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저(도 1의 20참조)와, 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈(도 1의 30참조), 및 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하여 제어모듈로 감지신호를 전송하며, 도체로 이루어진 기재층(411), 및 기재층 표면에 적층되는 제1코팅층(412)과, 제1코팅층 표면에 적층되는 제2코팅층(413)이 포함된 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)을 포함하는 감지판(410)을 포함하는 감지센서(40)가 포함된 정전기 제거장치의 제조방법에 있어서, 감지센서(40)는, (a) 기재층(411)의 표면에서 지방 성분을 제거하는 탈지단계, (b) 지방 성분이 제거된 기재층(411)의 표면에 금속산화물을 도금방식으로 적층시켜 제1코팅층(412)을 형성하는 단계, 및 (c) 제1코팅층(412)의 표면에 불소성분의 물질로 피막을 형성하여 상기 제2코팅층(413)을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 한다.본 발명의 일 실시예에 따라서 (c) 단계 이후에, 제2코팅층(413)의 외면을 열처리하여 열처리층(도 3의 413a참조)을 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 그 밖에도 여러 가지 세부 단계들을 구성하여 감지센서(40)를 제조할 수 있다. 이하, 각 도면을 참조하여 이들에 대해 좀더 상세히 설명한다.

먼저, 감지센서(40)의 감지판(410)을 형성하기 위한 기재층(411)을 준비한다(S100). 기재층(411)은 전술한 바와 같이 도체로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, SUS 및 알루미늄 중에서 선택된 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다. 이하, 본 실시예에서는 SUS(Steel use stainless)로 이루어진 기재층(411)을 예로 하여 각 단계들에 대해 설명한다. 기재층(411)은 SUS판을 전술한 바와 같이 전체적으로 원판 형상으로 가공하여 준비할 수 있으며 이를 복수 개 준비하여 한꺼번에 가공하는 것이 가능하다. 기재층(411)의 두께나 너비 등 전체적인 크기는 필요에 따라 적절하게 변경이 가능하므로 특정 크기로 제한될 필요는 없다.

이후, 기재층(411)의 표면에서 지방 성분을 제거하는 탈지단계(S200~S400)를 진행한다. 탈지단계는 제1탈지단계(S200), 제2탈지단계(S300), 및 제3탈지단계(S400)를 차례로 진행하여 완료할 수 있다. 즉, 탈지단계는 기재층(411)에 가성소다 용액을 가하여 탈지하는 제1탈지단계(S200)를 포함할 수 있고, 제1탈지단계 이후에, 기재층(411)에 초음파 진동을 가하여 탈지하는 제2탈지단계(S300)를 포함할 수 있으며, 제2탈지단계 이후에, 기재층(411)을 제1전해용액에서 전해시켜 탈지하는 제3탈지단계(S400)를 포함할 수 있다.

제1탈지단계(S200)는 가성소다 용액을 이용하여 진행할 수 있다. 가성소다 용액은 적절한 농도로 희석시켜 사용할 수 있으며 예를 들어, 가성소다 용액이 수용된 반응조에 기재층(411)[원판 형태로 가공된 SUS판일 수 있다]을 침지시키는 방식으로 진행할 수 있다. 가성소다는 예를 들어, 농도 10%인 것을 사용할 수 있으며 80℃의 온도에서 40분 내지 1시간 정도 기재층(411)을 침지시키며 제1탈지단계를 진행할 수 있다.

이후, 제2탈지단계(S300)를 진행한다. 제2탈지단계는 기재층(411)에 초음파 진동을 가하는 방식으로 진행할 수 있다. 이때 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 반응조를 사용할 수 있으며 도 5의 (b)에 도시된 바와 같은 초음파 발생장치를 사용하여 반응조 내 약액을 통해 초음파 진동을 전달할 수 있다. 즉, 기재층(411)을 약액이 수용된 반응조 내 침지시키고 수중에서 초음파 진동을 가하며 제2탈지단계를 진행할 수 있다. 이때 약액은 전술한 가성소다 용액과 동일한 것을 사용할 수 있으며 3분 내지 5분 동안 초음파 진동을 지속시키며 제2탈지단계를 진행할 수 있다.

이후, 제3탈지단계(S400)를 진행한다. 제3탈지단계는 기재층(411)을 제1전해용액에서 전해시켜 탈지하는 방식으로 진행할 수 있다. 이때 도 6에 도시된 바와 같은 반응조 내 제1전해용액을 수용하고 전극으로 전해시켜 제1전해용액 내 기재층(411) 표면에서 발생되는 가스를 이용하여 기재층(411) 표면을 활성화할 수 있다. 이때 제1전해용액은 예를 들어, 수산화나트륨(NaOH) 성분인 것을 사용할 수 있다.

이와 같이 탈지단계를 종료한 후에는 기재층(411)에 산성용액을 가하여 세정하는 단계(S500), 및 산성용액으로 세정된 기재층(411)을 제2전해용액에서 역전해시켜, 기재층(411)의 수소를 제거하는 단계(S600)를 진행할 수 있다. 즉, 전술한 탈지단계(S200~S400)와 후술하는 제1코팅층을 형성하는 단계(S700)의 사이에 이러한 세정단계(S500) 및 역전해단계(S600)를 추가로 진행하여 기재층(411) 표면을 활성화하고 부식성분 등도 완전하게 제거할 수 있다. 세정단계와 역전해단계는 특히 기재층(411)이 본 실시예와 같이 SUS로 이루어진 경우 진행하는 것이 바람직하며, 기재층(411)이 알루미늄 등으로 이루어진 경우에는 생략하는 것도 가능하다.

세정단계(S500)는 염산의 희석액을 사용하여 진행할 수 있다. 희석액 농도는 10~12%일 수 있으며 이를 도 7에 도시된 바와 같은 반응조 내 수용하고 기재층(411)을 침지시키는 방식으로 진행할 수 있다. 희석액의 농도는 변동되지 않도록 주기적으로 측정하며 진행할 수 있으며 이러한 세정단계를 통해 기재층(411) 표면의 미세한 부식 등도 매우 정밀하게 제거할 수 있다.

이후, 산성용액으로 세정된 기재층(411)을 제2전해용액에서 역전해시키는 역전해단계(S600)를 진행한다. 역전해 시 전극의 방향은 후술하는 제1코팅층 형성단계의 전극방향과 반대일 수 있으며 도 8에 도시된 바와 같은 반응조 내 수용된 제2전해용액에서 기재층(411)의 역전해를 진행할 수 있다. 역전해 시 전극은 예를 들어, 기재층(411)은 +전극으로 반응조는 -전극으로 하여 진행할 수 있으며 이를 통해 기재층(411)의 수소를 제거하여 수소취성을 제거할 수 있다. 이때 제2전해용액은 예를 들어, NMP(N-Methyl-2-pyrrolidone) 성분인 것을 사용할 수 있다.

이후, 지방 성분이 제거된 기재층(411)의 표면에 금속산화물을 도금방식으로 적층시켜 제1코팅층(412)을 형성하는 단계(S700)를 진행한다. 이러한 단계는 도 9에 도시된 바와 같은 반응조 내에서 전술한 역전해 단계와 반대 방향으로 전극의 방향을 변경하여 진행할 수 있다. 특히, 이러한 제1코팅층(412)의 형성단계에서 반응조 내 도금액의 온도는 영하의 온도를 유지할 수 있으며, 도금액은 크롬 성분을 포함할 수 있다. 즉, 전술한 바와 같이 제1코팅층(412)을 형성하는 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함할 수 있으며 도금방식으로 크롬산화물을 기재층(411) 표면에 적층시켜 제1코팅층(412)을 형성할 수 있다. 기재층(411)의 재질에 따라 도금의 진행시간은 달라질 수 있으며 예를 들어, 본 실시예와 같이 SUS인 경우에는 대략 12분 내외로 이러한 과정을 진행할 수 있다. 알루미늄인 경우에는 대략 15분 내외로 이러한 과정을 진행할 수 있다.

이와 같은 각 단계를 진행할 때에는 별도의 세척수를 이용한 세척과정을 병행할 수 있다. 즉 각 단계[S200~S700] 시작 전에 세척수로 기재층(411) 표면을 세척하고 각 단계를 진행할 수 있다. 이때 세척수는 이온수를 사용할 수 있으며 이온수를 이용하여 세척효과를 증가시킬 수 있다. 그와 같은 방식으로 전술한 각 단계들을 진행하고 기재층(411) 표면에 금속산화물로 이루어진 제1코팅층(412)을 형성할 수 있다.

이후, 제1코팅층(412)의 표면에 불소성분의 물질로 피막을 형성하여 제2코팅층(413)을 형성한다(S800). 즉, 금소산화물로 이루어진 제1코팅층(412)의 표면에 비금속물질로 이루어진 제2코팅층(413)을 적층하여 다층의 적층구조를 형성한다. 제2코팅층(413)을 형성하는 단계는 제1코팅층(412)을 건조시킨 후 진행할 수 있다. 제2코팅층(413)은 예를 들어, 불소성분의 코팅액을 제1코팅층(412) 표면에 도포하는 방식으로 진행할 수 있으며 도포 시에는 스프레이 방식 등의 여러 가지 방식을 활용할 수 있다. 이때 기재층(411)과 제1코팅층(412) 전체를 예열시킨 후 제2코팅층(413)을 형성할 수 있으며 예열 온도는 예를 들어, 120 ℃ 내외로 형성할 수 있다.

이후, 제2코팅층(413)의 외면을 열처리하여 열처리층(413a)을 형성한다(S900). 열처리층(413a)은 제1코팅층(412)의 외면에 적층된 제2코팅층(413)의 일부가 열적으로 변형되어 형성된 것일 수 있으며 이를 통해 경도가 증가된 것일 수 있다. 또한 전기적 특성도 열처리에 따라 바뀔 수 있다. 이러한 열처리층(413a)의 형성과정을 통해 감지판(410) 전체를 보다 견고하게 마무리할 수 있고 정전기 차폐효과도 증가시킬 수 있다. 열처리층(413a)은 예를 들어, 고온 가마 등 가열기구를 갖춘 설비 안에서 진행할 수 있으며 열처리 온도는 200~220℃일 수 있다. 상기 온도구간 내에서 최고점에 도달한 후 30분~40분간 열처리를 진행할 수 있다. 이와 같은 방식으로 제1코팅층(412), 제2코팅층(413), 및 열처리층(413a)을 포함하는 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)을 감지판(410) 표면에 형성해 줄 수 있다.

이와 같은 방식으로 감지판(410)을 형성한 후 이를 조립하여 전술한 감지센서(40)를 형성하고 전술한 작업테이블(10) 등 워크(A)와 인접한 지점에 배치할 수 있다. 감지센서(40)는 감지판(410)을 전술한 연결바(430)에 결합하고 베이스(420)에 고정하는 방식으로 형성할 수 있다. 이러한 감지센서(40)를 전술한 제어모듈(30)과 연결하고, 다시 제어모듈(30)과 이오나이저(20)를 연결하여 전술한 바와 같은 정전기 제거장치(도 1의 1참조)를 형성할 수 있다. 작업테이블(10)은 전술한 바와 같이 필요에 따라 적합한 형태로 제작할 수 있으며 이오나이저(20)는 통상의 것을 사용하거나 역시 필요에 따라 제작하는 것도 가능하다. 제어모듈(30)은 통상의 컴퓨터 장치나 전술한 프로그램 가능한 논리 제어장치 등을 사용할 수 있으며 필요에 따라 제작하는 것도 가능하다. 특히, 감지센서(40)는 전술한 바와 같은 단계들을 통해서 감지판(410) 표면에 정전기 방전 차폐층(412, 413, 413a)의 구조를 매우 효과적으로 형성할 수 있는바, 전술한 바와 같이 방전 등에 의한 피해를 막고 워크 주변에 매우 자유롭게 배치하여 사용할 수 있다. 따라서 이와 같은 정전기 제거장치(1)를 공간 내 적합한 위치에 설치하고 워크와 그 주변 공간의 정전기에 대한 매우 적극적이고 효과적인 관리가 가능하다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

1: 정전기 제거장치 10: 작업테이블
20: 이오나이저 30: 제어모듈
40: 감지센서 410: 감지판
411: 기재층 412: 제1코팅층
413: 제2코팅층 413a: 열처리층
420: 베이스 430: 연결바
A: 워크

Claims (17)

1. 작업테이블;
   대전입자를 생성하고 상기 작업테이블로 공급하여 상기 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저;
   상기 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈; 및
   상기 워크와 인접하게 배치되어 상기 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하고 상기 제어모듈로 감지신호를 전송하는 적어도 하나의 감지센서를 포함하되,
   상기 감지센서는,
   도체로 이루어진 기재층, 및 상기 기재층의 표면에 적층되는 금속산화물로 이루어진 제1코팅층과, 상기 제1코팅층의 표면에 적층되는 비금속물질로 이루어진 제2코팅층이 포함된 정전기 방전 차폐층을 포함하는 감지판을 포함하고,
   상기 정전기 방전 차폐층은, 상기 제1코팅층으로부터 상기 제2 코팅층을 향하는 방향으로 저항값이 단계적으로 증가하되, 표면저항값이 1KΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있는 정전기 제거장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1코팅층은 금속산화물이 상기 기재층 표면에 도금되어 형성되며, 상기 제2코팅층은 불소성분의 물질이 상기 제1코팅층 표면에 피막을 이루어 형성되는 정전기 제거장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함하는 정전기 제거장치.
4. 제2항에 있어서,
   상기 감지판은 원판 형상으로 이루어지며, 복수 개가 서로 중첩되어 평행하게 배치되고, 각각의 상기 감지판에 상기 정전기 방전 차폐층이 대칭되게 형성된 정전기 제거장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 감지센서는, 복수 개의 상기 감지판이 서로 연결되어 형성된 무지향성 안테나 장치인 정전기 제거장치.
6. 제1항에 있어서,
   상기 정전기 방전 차폐층은 상기 제2코팅층의 외면이 열처리되어 형성된 열처리층을 더 포함하는 정전기 제거장치.
7. 삭제
8. 제6항에 있어서,
   상기 제1코팅층 및 상기 제2코팅층 전체의 표면저항값은 1KΩ/sq~1MΩ/sq의 범위 내에 있고,
   상기 열처리층의 표면저항값은 1MΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있는 정전기 제거장치.
9. 삭제
10. 작업테이블과, 대전입자를 생성하고 상기 작업테이블로 공급하여 상기 작업테이블에 배치된 워크의 정전기를 제거하는 이오나이저와, 상기 이오나이저의 동작을 제어하는 제어모듈, 및 상기 워크 주변의 전자기장 변동을 감지하여 상기 제어모듈로 감지신호를 전송하며, 도체로 이루어진 기재층, 및 상기 기재층 표면에 적층되는 제1코팅층과, 상기 제1코팅층 표면에 적층되는 제2코팅층이 포함된 정전기 방전 차폐층을 포함하는 감지판을 포함하는 감지센서가 포함된 정전기 제거장치의 제조방법에 있어서,
    상기 감지센서는,
    (a) 상기 기재층의 표면에서 지방 성분을 제거하는 탈지단계;
    (b) 지방 성분이 제거된 상기 기재층의 표면에 금속산화물을 도금방식으로 적층시켜 상기 제1코팅층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 제1코팅층의 표면에 불소성분의 물질로 피막을 형성하여 상기 제2코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 통해 제조되는 것을 특징으로 하고,
    상기 정전기 방전 차폐층은, 상기 제1코팅층으로부터 상기 제2 코팅층을 향하는 방향으로 저항값이 단계적으로 증가하되, 표면저항값이 1KΩ/sq~1GΩ/sq의 범위 내에 있는 정전기 제거장치의 제조방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 상기 기재층에 가성소다 용액을 가하여 탈지하는 제1탈지단계를 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
12. 제11항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 상기 제1탈지단계 이후에, 상기 기재층에 초음파 진동을 가하여 탈지하는 제2탈지단계를 더 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
13. 제12항에 있어서,
    상기 (a) 단계는, 상기 제2탈지단계 이후에, 상기 기재층을 제1전해용액에서 전해시켜 탈지하는 제3탈지단계를 더 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
14. 제10항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 금속산화물을 이루는 금속은 크롬을 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
15. 제10항에 있어서,
    상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계의 사이에, 상기 기재층에 산성용액을 가하여 세정하는 단계를 더 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
16. 제15항에 있어서,
    상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계의 사이에, 상기 산성용액으로 세정된 상기 기재층을 제2전해용액에서 역전해시켜, 상기 기재층의 수소를 제거하는 단계를 더 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.
17. 제10항에 있어서,
    상기 (c) 단계 이후에, 상기 제2코팅층의 외면을 열처리하여 열처리층을 형성하는 단계를 더 포함하는 정전기 제거장치의 제조방법.

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