CN110148683A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本公开的实施例公开了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括:显示区域;以及开口区域,所述开口区域至少部分地被所述显示区域所围绕,其中,在所述显示区域与所述开口区域之间设置有至少一个阻挡墙,所述显示面板在第一侧上具有薄膜封装,所述薄膜封装覆盖所述阻挡墙与所述显示区域,且其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着科技的进步,近年来,异形屏以及全面屏已经逐渐走入大家的视野。不论是异形屏还是全面屏目的都是为了提升显示设备的屏占比。那么,为了实现更高的屏占比,在显示屏的一些位置上需要为一些附加部件(例如摄像头、传感器等等)预留一些开口区域(例如开孔)。
对于在显示屏内设置开口的产品,在显示面板(尤其是有机发光二极管(OLED)显示面板)的封装工艺中,薄膜封装中的有机封装层可能会存在溶液流平区域,在流平区域内会出现膜厚先上升后下降的现象,从而可能在开口区域附近出现厚度不均的问题。
发明内容
本公开的实施例提供了一种显示面板,包括:显示区域;以及开口区域,所述开口区域至少部分地被所述显示区域所围绕,其中,在所述显示区域与所述开口区域之间设置有至少一个阻挡墙,所述显示面板在第一侧上具有薄膜封装,所述薄膜封装覆盖所述阻挡墙与所述显示区域,且其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
在一些实施例中,所述显示面板还具有基板,所述基板位于显示面板的与所述第一侧相反的第二侧,所述阻挡墙具有背对所述基板的第一表面、面对所述基板的第二表面、位于所述第一表面和第二表面之间的、背对所述开口区域的外周表面以及位于所述第一表面和第二表面之间的、面对所述开口区域的内周表面,所述凸凹结构包括设置于所述阻挡墙的第一表面、第二表面、外周表面和内周表面中的至少一者上的凸起或凹陷。
在一些实施例中,所述凸凹结构包括多个凸起,所述多个凸起在所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上沿着所述开口区域的周向间隔地设置。
在一些实施例中,所述多个凸起中的两个相邻凸起之间的间隔在3微米至50微米之间。
在一些实施例中,位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的所述多个凸起的根部的宽度大于顶部的宽度。
在一些实施例中,所述阻挡墙在与基板平行的横截面中具有平直段和拐角段,在所述平直段中位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的两个相邻凸起之间的间隔小于在所述拐角段中位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的两个相邻凸起之间的间隔。
在一些实施例中,所述凸凹结构包括在所述阻挡墙的第一表面上设置的一个或更多个所述凹陷。
在一些实施例中,所述至少一个阻挡墙包括:围绕所述开口区域布置的第一阻挡墙;以及位于所述第一阻挡墙的背对所述开口区域的一侧上、围绕所述第一阻挡墙布置的第二阻挡墙。
在一些实施例中,所述阻挡墙包括沿着所述开口区域的周向间隔布置的多个分段。
在一些实施例中,每个阻挡墙包括基板上的一个或更多个绝缘层,在每个绝缘层与所述薄膜封装接触的表面上设置有凸起或凹陷。
在一些实施例中,所述显示区域包括层间介质层、平坦化层、像素界定层,所述一个或更多个绝缘层包括:第一绝缘层,所述第一绝缘层与所述平坦化层同层设置且由相同材料构成;以及第二绝缘层,所述第二绝缘层与所述像素界定层同层设置且由相同材料构成。
在一些实施例中,所述显示区域还包括隔离柱层,所述一个或更多个绝缘层还包括:第三绝缘层,所述第二绝缘层与所述隔离柱层同层设置且由相同材料构成。
在一些实施例中,所述薄膜封装包括有机封装层和一个或更多个无机封装层,所述一个或更多个无机封装层覆盖所述阻挡墙且包覆所述有机封装层。
在一些实施例中,所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
在一些实施例中,所述开口区域具有封闭的开口,所述开口区域完全被所述阻挡墙所围绕。
本公开的实施例还提供了一种显示面板的制作方法,包括:在基板上制作阻挡墙,所述阻挡墙至少部分地围绕所述显示面板的开口区域布置;以及在基板上形成覆盖所述阻挡墙和显示面板上的显示区域的薄膜封装,其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
附图说明
为了更清楚地说明本公开文本的实施例的技术方案,下面将对实施例的附图进行简要说明,应当知道,以下描述的附图仅仅涉及本公开文本的一些实施例,而非对本公开文本的限制,其中:
图1示出根据本公开的实施例的一种显示面板的结构的俯视示意图;
图2示出图1中示出的结构的AA剖视示意图;
图3示意性地示出根据本公开的实施例的显示面板中的另一种阻挡墙;
图4示意性地示出根据本公开的实施例的显示面板中的再一种阻挡墙;
图5示意性地示出根据本公开的实施例的显示面板中的又一种阻挡墙;
图6示意性地示出根据本公开的实施例的显示面板中的另一种阻挡墙;
图7A示出根据本公开的实施例的再一种显示面板的结构的剖视示意图;
图7B示出根据本公开的实施例的又一种显示面板的结构的剖视示意图;
图7C示出根据本公开的实施例的另一种显示面板的结构的剖视示意图;
图7D示出图7C中示出的结构的俯视示意图;
图8示意性地示出根据本公开的实施例的显示面板中的再一种阻挡墙;
图9A和图9B示出根据本公开的实施例的其他的显示面板的结构的剖视示意图,其中示出了更多的膜层结构;以及
图10示出根据本公开的实施例的显示面板制作方法的流程图。
具体实施方式
为更清楚地阐述本公开的目的、技术方案及优点,以下将结合附图对本公开的实施例进行详细的说明。应当理解,下文对于实施例的描述旨在对本公开的总体构思进行解释和说明,而不应当理解为是对本公开的限制。在说明书和附图中,相同或相似的附图标记指代相同或相似的部件或构件。为了清晰起见,附图不一定按比例绘制,并且附图中可能省略了一些公知部件和结构。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。措词“一”或“一个”不排除多个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”“顶”或“底”等等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
图1和图2示意性地示出了根据本公开的实施例的一种显示面板100。该显示面板100包括显示区域10和开口区域20。显示区域10用于提供图像显示,例如其中可以设有像素单元等结构。开口区域20中不设置电路结构,例如用于为摄像头、传感器等部件提供工作空间。在一些实施例中,该开口区域20可以包括封闭的开口,例如圆孔或方孔。而在另一些实施例中,开口区域20也可以包括开放的开口,例如半圆形槽或长槽等。该开口区域20至少部分地被所述显示区域10所围绕。在显示区域10与所述开口区域20之间设置有阻挡墙30。例如,在开口区域20包括封闭的开口的情况下,开口区域20可以完全被所述阻挡墙30所围绕。替代地,开口区域20也可以部分地被所述阻挡墙30所围绕。阻挡墙30的作用是支撑和保护显示面板100上的各种膜层结构,例如防止金属线层被外部的水汽等污染物所侵蚀,还可以阻挡在蒸镀或封装过程中溶液的流动范围。在一些实施例中,开口区域20可以靠近显示面板100的边缘。
如图2所示,显示面板100在第一侧11上具有薄膜封装40,所述薄膜封装40覆盖阻挡墙30与显示区域10。薄膜封装40用于包覆显示面板上的各种功能结构(如发光部件、薄膜晶体管、电路迹线等等),以防止它们受到外界环境的破坏。在一些实施例中,阻挡墙30在与所述薄膜封装40接触的至少一个表面上具有凸凹结构31。作为示例,薄膜封装40可包括有机封装层41和一个或更多个无机封装层42。在图2中,示出了两个无机封装层42将有机封装层41包覆在其中。这可以有效地对有机封装层41进行保护。本公开的实施例不限于此。在封装工艺中,无机封装层42例如可以采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或溅射等方式来实现。而有机封装层41在封装过程中可能会存在溶液流平区域(所谓流平是指涂料在涂覆后、尚未干燥成膜之前,由于表面张力的作用,逐渐收缩成最小面积的过程)。在流平区域内,构成有机封装层41的材料会出现膜厚先上升后下降的现象(即在流平中出现局部堆积的问题)。对于显示面板中包括内部开口(被显示区域所至少部分地包围的开口区域)的情况下,由于开口区域在结构上受限,所以有机封装层41在开口区域20附近的流平中出现的局部堆积现象可能会比较明显,特别是在开口区域20与显示区域10的边界之间只有一个很窄的区域时(如图1所示)尤其明显。这种情况在实际中是多见的,例如,为摄像头和传感器等预留的开口区域通常会设置在离显示区域的边界较近的位置。这种局部堆积现象可能导致薄膜封装40的层厚不均。
为此,本公开提供了一种抑制有机封装层的局部堆积问题的方案。根据上述分析可知,对于具有开口区域20的显示面板而言,上述有机封装层的局部堆积现象主要出现在开口区域20附近。而在设置阻挡墙30的情况下,在开口区域20附近区域中,薄膜封装40会与阻挡墙30的表面充分接触。如果能够增大阻挡墙30与薄膜封装40的接触面积,则会使得有机封装层在流平过程中流动更为充分以缓解局部堆积现象。在本公开的实施例中,阻挡墙30在与所述薄膜封装40接触的至少一个表面上具有凸凹结构31。该凸凹结构31例如可以包括凸起、凹陷等非平坦结构,这可以使得阻挡墙30与所述薄膜封装40的接触面积增加。
需要说明的是,阻挡墙30并不需要与薄膜封装40中的有机封装层41直接接触。例如,在一些实施例中,一个或更多个无机封装层42可以覆盖阻挡墙30且包覆所述有机封装层41。在该实施例中,与阻挡墙30接触的是无机封装层42,而无机封装层42才与有机封装层41接触。然而,无机封装层42的相应部分可通过淀积或溅射等方式在阻挡墙30上形成,其形状也会受到阻挡墙30与无机封装层42的接触表面的形状的影响,例如,阻挡墙30与无机封装层42的接触表面上具有凸凹结构,则有机封装层41和无机封装层42之间的接触表面也会具有相应的凸凹结构。也就是说,阻挡墙30与无机封装层42的接触面积增加,也可以间接导致有机封装层41和无机封装层42之间的接触面积增加,同样也可以缓解有机封装层41在流平过程中的局部堆积现象。
在一些实施例中,显示面板100还可以具有基板60。基板60可位于显示面板100的与所述第一侧11相反的第二侧12(在图2的示例中是显示面板100的下侧)。所述阻挡墙30可具有背对基板60的第一表面32(在图2的示例中是阻挡墙30的上表面)、面对所述基板的第二表面33(在图2的示例中是阻挡墙30的下表面)以及外周表面34和内周表面35。该外周表面34位于所述第一表面32和第二表面33之间且背对所述开口区域20。该内周表面35位于所述第一表面32和第二表面33之间且面对所述开口区域20。该凸凹结构31可以包括设置于所述阻挡墙30的第一表面32、第二表面33、外周表面34和内周表面35中的至少一者上的凸起或凹陷。
在图1的实施例中,凸凹结构31包括位于阻挡墙30的外周表面34上的凸起311。而在图3和图5所示的实施例中,阻挡墙30的外周表面34上也设有多个凸起311,仅仅是凸起311的具体形状与图1的实施例不同。而图6的实施例示出了在阻挡墙30的外周表面34和内周表面35上均设置凸起311的情形。在另外的实施例中,也可以仅在阻挡墙30的内周表面34上设置凹凸结构31。在阻挡墙30的外周表面34和内周表面35上均设置凸起311与仅在外周表面34或内周表面35上设置凸起311相比,能够使阻挡墙30与薄膜封装40获得更大的接触面积,以更好地缓解有机封装层41的局部堆积问题。在上述实施例中,阻挡墙30在外周表面34和/或内周表面35上的多个凸起311沿着开口区域20的周向间隔地设置。所述多个凸起311中两个相邻的凸起311之间的间隔d可以相同,也可以不同。例如,多个凸起311中两个相邻的凸起311之间的间隔可以在3微米至50微米之间。在此所述的“两个相邻的凸起311之间的间隔”,可以通过沿着与凸起311所在表面平行的方向测量两个相邻的凸起311各自的底部中心线之间的距离来获得,如图3、图5、图6和图8所示。当凸起311所在的外周表面34和/或内周表面35为平面时(例如图8所示),则“两个相邻的凸起311之间的间隔”可以沿直线测量得到,而当凸起311所在的外周表面34和/或内周表面35为曲面时(例如图3、图5、图6所示),则“两个相邻的凸起311之间的间隔”可以沿曲线测量得到。
在一些实施例中,位于所述阻挡墙30的外周表面34和内周表面35中的至少一者上的所述多个凸起311的根部的宽度w1大于顶部的宽度w2,如图1和图5所示。凸起311的这种形状可以防止有机封装层的液流在凸起311的根部附近积聚,有利于使薄膜封装40的层厚更均匀。然而本公开的实施例不限于此,例如,凸起311的根部的宽度wl也可以小于顶部的宽度w2,如图3所示。这有助于进一步增大阻挡墙30与薄膜封装40的接触面积。
应当理解,显示面板100上还可以设置有用于显示等功能的其他膜层结构,例如与有机发光二极管发光有关的阴极层、阳极层、发光层以及与薄膜晶体管有关的源漏极层、栅极层等等,在图1和图7A至图7C中,为了简化表示的结构,将这些膜层结构用膜层结构50来表示。
在图1、3、5和6所示的实施例中,开口区域20均为圆孔形式。在这种情况下,可以将凸起311之间的间隔设置成均匀的,以保证有机封装层41在阻挡墙30附近能够均匀地分散。而在一些实施例中,如图8所示,阻挡墙30在与基板60平行的横截面中具有平直段36和拐角段37(各个平直段36与拐角段37分别用虚线框示出)。在所述平直段36中位于所述阻挡墙30的外周表面34和内周表面35中的至少一者上的两个相邻凸起311之间的间隔小于在所述拐角段37中位于所述阻挡墙30的外周表面34和内周表面35中的至少一者上的两个相邻凸起311之间的间隔。这可以防止有机封装层在拐角段37处积聚。在图8中在每个拐角段37中仅示意性地示出了两个相邻的凸起311。然而,这只是示意性的,本公开的实施例不限于此,例如,在单个拐角段37中可以设置更多个凸起311。
在一些实施例中,如图7A至7D所示,在显示基板100’、100”、100”’中,凸凹结构31可包括在所述阻挡墙30的第一表面32上设置的一个或更多个所述凹陷312。该凹陷312也可以增大阻挡墙30与薄膜封装40的接触面积。在本公开的实施例中,在显示面板上的开口区域附近可以设置一个阻挡墙30,也可以设置多个阻挡墙30。例如,在图7C所示的示例中,设置有围绕开口区域20布置的第一阻挡墙301以及第二阻挡墙302,该第二阻挡墙302位于所述第一阻挡墙301的背对开口区域20的一侧上、围绕所述第一阻挡墙301布置。在本公开的实施例中还可以设置更多的阻挡墙,在此不再赘述。设置多个阻挡墙301、302可以进一步增大阻挡墙与薄膜封装40的接触面积,还可以使有机封装层41的液流的分布更加均匀。不同的阻挡墙上的凸起311或凹陷312的尺寸可以相同,也可以不同。例如,在图7C所示的示例中,第二阻挡墙302的第一表面上的凹陷的深度就大于第一阻挡墙301的第一表面上的凹陷的深度。图7D示出了沿着图7C中的线BB截得的剖视图。在图7C中,为了清楚起见,仅仅示出了无机封装层42以及阻挡墙301、302等结构,而没有有机封装层41以及膜层结构50等等。
在本公开的实施例中,阻挡墙30可以是连续的(如图1、图3和图5所示的示例),也可以是间断的。例如,在图4所示的实施例中,阻挡墙30就包括沿着所述开口区域20的周向间隔布置的多个分段38。各个分段38之间的间隙39也可以使阻挡墙30与薄膜封装40更为充分地接触。作为示例,各个分段38之间的间隔d的尺寸可以在3微米至50微米的范围内。
在本公开的实施例中,阻挡墙30的高度例如可以在1微米至5微米的范围内。在本公开的实施例中,阻挡墙30可以采用单层结构,也可以采用多层结构。图9A和图9B示出了阻挡墙30采用多层结构的实施例。图9A和图9B示出了两种形式的阻挡墙30,即第一阻挡墙301和第二阻挡墙302。第二阻挡墙302位于第一阻挡墙301背对所述开口区域20的一侧。该第一阻挡墙301包括第一绝缘层51、第二绝缘层52和第三绝缘层53。而在显示区域10中,还可以包括层间介质层61、源漏极层62、平坦化层63、像素界定层64、发光功能层65、阴极层66、阳极层67。在该实施例中,第一绝缘层51可以与显示区域中的平坦化层63同层布置(即由相同材料在同一图案化工艺中一起形成);第二绝缘层52可以与显示区域中的像素界定层64同层布置(即由相同材料在同一图案化工艺中一起形成);第三绝缘层53可以与显示区域中的其他绝缘层(例如图9B中所示出的隔离柱(PS)层68)同层布置(即由相同材料在同一图案化工艺中一起形成)。上述的凸起或凹陷可以设置在第一绝缘层51、第二绝缘层52和第三绝缘层53中至少一者与薄膜封装的接触表面上,或者由第二绝缘层52和第三绝缘层53共同形成凸起或凹陷,例如图9A中,第三绝缘层的横截面的宽度d1小于第二绝缘层52的横截面的宽度d2,依靠上述两者的宽度差形成凹凸结构,可以节省额外形成凹凸结构的步骤,进一步简化工艺。而在该实施例中,第二阻挡墙302仅包括与平坦化层63同层布置的第一绝缘层51和与像素界定层64同层布置的第二绝缘层52。构成第一阻挡墙301和第二阻挡墙302的第一绝缘层51、第二绝缘层52和第三绝缘层53与显示区域中的其他膜层一起形成,有利于简化工艺,避免为阻挡墙30的制作增加额外成本。图9B所示的结构与图9A的区别在于示出了隔离柱(PS)层68。
如上所述,在一些实施例中,每个阻挡墙30包括基板60上的一个或更多个绝缘层。在每个绝缘层与所述薄膜封装接触的表面上设置有一个或更多个凸起或凹陷。需要说明的是,在本公开的实施例中,构成阻挡墙30的所有绝缘层可以均与所述薄膜封装接触,也可以只有其中一部分绝缘层与薄膜封装接触。在本公开的实施例中,阻挡墙30可以直接置于基板60上,也可以位于基板60上的其他膜层上,例如,在图9所示的实施例中,第一阻挡墙301和第二阻挡墙302位于基板60上的层间介质层61上。
在一些实施例中,所述显示面板可以为有机发光二极管显示面板。但本公开的实施例不限于此。
需要说明的是,在一些实施例中,除去开口区域20周边处(即在开口区域20和显示区域10之间)的阻挡墙30之外,在显示面板上的其他位置还可以设置另外的阻挡墙70。例如,如图1和图2所示,在显示区域10的外周,也可以设置与阻挡墙30类似的阻挡墙70。该阻挡墙70也可以用于支撑和保护显示面板100上的各种膜层结构。在一些实施例中,该阻挡墙70可以在其与薄膜封装40的接触表面上具有如上所述的凸凹结构,也可以不具有这样的凸凹结构。该阻挡墙70可以与设置在开口区域20周边处(即在开口区域20和显示区域10之间)的阻挡墙30由相同的工艺形成,以简化工艺。
本公开的实施例还提供了一种显示面板的制作方法。如图10所示,该方法包括:
步骤S1:在基板上制作阻挡墙,所述阻挡墙至少部分地围绕所述显示面板的开口区域布置;以及
步骤S2:在基板上形成覆盖所述阻挡墙和显示面板上的显示区域的薄膜封装。
其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
在阻挡墙30由多层绝缘层形成时,步骤S1也可以包括多个子步骤,以逐一形成构成阻挡墙30的各个绝缘层。如前所述,阻挡墙30可以与显示区域10中的各种功能层一起形成,以简化工艺,节约成本。阻挡墙30上的凸凹结构例如可以通过对阻挡墙30的图案进行设计来获得,可以在诸如光刻等图案化工艺中在掩模板上设置与凸凹结构对应的图形来实现。
上述显示面板的制作方法仅仅是示例性的,本公开的实施例不限于此。
虽然结合附图对本公开进行了说明,但是附图中公开的实施例旨在对本公开的实施例进行示例性说明,而不能理解为对本公开的一种限制。附图中的尺寸比例仅仅是示意性的,并不能理解为对本公开的限制。
上述实施例仅例示性的说明了本公开的原理及构造,而非用于限制本公开,本领域的技术人员应明白,在不偏离本公开的总体构思的情况下,对本公开所作的任何改变和改进都在本公开的范围内。本公开的保护范围,应如本申请的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (16)
1.一种显示面板,包括:
显示区域;以及
开口区域,所述开口区域至少部分地被所述显示区域所围绕,
其中,在所述显示区域与所述开口区域之间设置有至少一个阻挡墙,所述显示面板在第一侧上具有薄膜封装,所述薄膜封装覆盖所述阻挡墙与所述显示区域,且
其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述显示面板还具有基板,所述基板位于显示面板的与所述第一侧相反的第二侧,所述阻挡墙具有背对所述基板的第一表面、面对所述基板的第二表面、位于所述第一表面和第二表面之间的、背对所述开口区域的外周表面以及位于所述第一表面和第二表面之间的、面对所述开口区域的内周表面,所述凸凹结构包括设置于所述阻挡墙的第一表面、第二表面、外周表面和内周表面中的至少一者上的凸起或凹陷。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述凸凹结构包括多个凸起,所述多个凸起在所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上沿着所述开口区域的周向间隔地设置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述多个凸起中的相邻两个凸起之间的间隔在3微米至50微米之间。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其中,位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的所述多个凸起的根部的宽度大于顶部的宽度。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述阻挡墙在与基板平行的横截面中具有平直段和拐角段,在所述平直段中位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的两个相邻凸起之间的间隔小于在所述拐角段中位于所述阻挡墙的外周表面和内周表面中的至少一者上的两个相邻凸起之间的间隔。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述凸凹结构包括在所述阻挡墙的第一表面上设置的一个或更多个所述凹陷。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板,其中,所述至少一个阻挡墙包括:
围绕所述开口区域布置的第一阻挡墙;以及
位于所述第一阻挡墙的背对所述开口区域的一侧上、围绕所述第一阻挡墙布置的第二阻挡墙。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述阻挡墙包括沿着所述开口区域的周向间隔布置的多个分段。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板,其中,每个阻挡墙包括基板上的一个或更多个绝缘层,在每个绝缘层与所述薄膜封装接触的表面上设置有凸起或凹陷。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述显示区域包括层间介质层、平坦化层、像素界定层,所述一个或更多个绝缘层包括:
第一绝缘层,所述第一绝缘层与所述平坦化层同层设置且由相同材料构成;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层与所述像素界定层同层设置且由相同材料构成。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述显示区域还包括隔离柱层,所述一个或更多个绝缘层还包括:
第三绝缘层,所述第二绝缘层与所述隔离柱层同层设置且由相同材料构成。
13.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板,其中,所述薄膜封装包括有机封装层和一个或更多个无机封装层,所述一个或更多个无机封装层覆盖所述阻挡墙且包覆所述有机封装层。
14.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板,其中,所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
15.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板,其中,所述开口区域具有封闭的开口,所述开口区域完全被所述阻挡墙所围绕。
16.一种显示面板的制作方法,包括:
在基板上制作阻挡墙,所述阻挡墙至少部分地围绕所述显示面板的开口区域布置;以及
在基板上形成覆盖所述阻挡墙和显示面板上的显示区域的薄膜封装,其中,所述阻挡墙在与所述薄膜封装接触的至少一个表面上具有凸凹结构。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110718640A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、制备方法和显示装置 |
CN111326674A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-06-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111403624A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板 |
CN111463361A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
WO2020238379A1 (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US20230098291A1 (en) * | 2020-07-07 | 2023-03-30 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device, display panel, and manufacturing method thereof |
US12133406B2 (en) * | 2020-07-07 | 2024-10-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel including ring-shaped retaining walls, display device, display panel, and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110444681B (zh) * | 2019-07-22 | 2020-12-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光面板及显示设备 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007250298A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011060442A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 光学装置、および光学装置の製造方法 |
CN106601781A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-04-26 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN106783926A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及其装置 |
CN107452894A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN207676946U (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-31 | 昆山国显光电有限公司 | 一种封装结构和有机发光器件 |
CN109494242A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
CN109585676A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-05 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101480005B1 (ko) | 2008-02-25 | 2015-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TW201145493A (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-16 | Chipmos Technologies Inc | Silicon wafer structure and multi-chip stack structure |
KR20180089608A (ko) | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115734679A (zh) * | 2017-11-30 | 2023-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
CN109742133B (zh) | 2019-02-28 | 2021-04-30 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN110148683B (zh) | 2019-05-31 | 2022-11-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
-
2019
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- 2020-03-27 US US17/058,352 patent/US11569315B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007250298A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2011060442A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Seiko Epson Corp | 光学装置、および光学装置の製造方法 |
CN106783926A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-31 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及其装置 |
CN106601781A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-04-26 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
CN107452894A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置 |
CN207676946U (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-31 | 昆山国显光电有限公司 | 一种封装结构和有机发光器件 |
CN109494242A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
CN109585676A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-04-05 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020238379A1 (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
US11569315B2 (en) | 2019-05-31 | 2023-01-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
CN110718640A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、制备方法和显示装置 |
CN111326674A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-06-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111326674B (zh) * | 2019-12-18 | 2022-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN111403624A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板 |
CN111463361A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
US20230098291A1 (en) * | 2020-07-07 | 2023-03-30 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device, display panel, and manufacturing method thereof |
US12133406B2 (en) * | 2020-07-07 | 2024-10-29 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel including ring-shaped retaining walls, display device, display panel, and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110148683B (zh) | 2022-11-22 |
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WO2020238379A1 (zh) | 2020-12-03 |
US11569315B2 (en) | 2023-01-31 |
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