CN110117807A - 一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法 - Google Patents
一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110117807A CN110117807A CN201910563956.5A CN201910563956A CN110117807A CN 110117807 A CN110117807 A CN 110117807A CN 201910563956 A CN201910563956 A CN 201910563956A CN 110117807 A CN110117807 A CN 110117807A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transition metal
- dimensional material
- hetero
- transition
- junctions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- -1 transition-metal cation Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000138 intercalating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical group CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 claims description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 claims 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 11
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 abstract 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 5
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NNSIWZRTNZEWMS-UHFFFAOYSA-N cobalt titanium Chemical compound [Ti].[Co] NNSIWZRTNZEWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynecobalt Chemical compound [Co]#P SIBIBHIFKSKVRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- OSNIIMCBVLBNGS-UHFFFAOYSA-N 1-(1,3-benzodioxol-5-yl)-2-(dimethylamino)propan-1-one Chemical compound CN(C)C(C)C(=O)C1=CC=C2OCOC2=C1 OSNIIMCBVLBNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 3
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;prop-1-ene Chemical compound CC=C.OC(O)=O SIXOAUAWLZKQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- WMMGRPSGJRRNLN-UHFFFAOYSA-N 1-$l^{1}-phosphanylbutane Chemical compound CCCC[P] WMMGRPSGJRRNLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O butylazanium Chemical compound CCCC[NH3+] HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明提供一种简易、快捷地制备二维材料‑过渡金属异质结纳米片的方法，在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片，同时在薄片上修饰过渡金属异质结。该方法将块状二维晶体作为工作电极，另外的惰性材料作为其他极，所有电极与导线相连，并都浸泡在电解液中，持续通电，在含插层剂的溶剂中使块状二维材料分层。一段时间后，再在相同装置中加入过渡金属阳离子，继续持续通电，得到二维材料‑过渡金属异质结纳米片，将得到的产物收集，清洗，超声，得到二维材料‑过渡金属异质结。本发明利用电化学，得到过渡金属修饰的薄层二维片，该方法条件简单、成本低、重复性好、且对环境友好。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法。
背景技术
二维材料以其独特的物理化学性质成为纳米科学最活跃的研究领域之一，在环保、能源、纳米电子学等领域有着广阔的应用前景。但其常需要与过渡金属构成异质结来改变其电子状态，进而提升二维材料的性能。目前，制备二维材料过渡金属异质结的普遍方法为先将二维材料剥离成薄片，再在薄片上通过水热法、气相沉积法等构建过渡金属异质结。在预先剥离、存储及转移中，会带来二维材料结构的退化，性能衰减，且过程复杂，损耗很大。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种简单易行，安全可靠，易于大规模工业化推广的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法。本发明电化学的制备方法，用于快速制备大量的高质量二维薄片-过渡金属异质结，所述的制备方法包括以下步骤：
（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。
（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。
（三）：往溶剂中再加入过渡金属及辅助剂，继续通电一段时间，得到过渡金属修饰的二维材料。
（四）：收集上面获得的过渡金属修饰的分层的二维材料，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料-过渡金属异质结薄片。
所述步骤（一）中，选用的二维晶体为含层状结构的块体，包括但不限于石墨烯、黑磷、h-BN、g-C3N4、过渡金属硫属化物(TMD)、二维过渡金属碳化物或碳氮化物（MXene）、过渡金属氧化物、过渡金属氢氧化物。TMD由MX2表示，其中“M”表示过渡金属，为过渡金属Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc和Re中的一种或几种，“X”表示硫属元素，为S、Se或Te中的一种或几种。备选地，硫属化物可以不由MX2表示。在这种情况下，例如，硫属化物包括CuS，其是过渡金属Cu和硫属元素S的化合物。备选地，硫属化物可以是包括非过渡金属的硫属化物材料。该非过渡金属可以包括例如Ga、In、Sn、Ge或Pb。在这种情况下，硫属化物可以包括非过渡金属诸如Ga、In、Sn、Ge或Pb和硫属元素诸如S、Se或Te的化合物。例如，硫属化物可以包括SnSe2、GaS、GaSe、GaTe、GeSe、In2Se3或InSnS2。MXene由Mn+1XnTx表示，其中n=1、2、3，M为过渡金属元素，X为碳或/和氮元素，Tx为-OH/O/-F。
所述步骤（一）中，选用的工作电极可为多个层状二维块体电极并联。
所述步骤（一）中，选用的其他电极为惰性电极，其形状为片状，网状或圆柱形，包括但不限于所有作为工作电极的二维块体，金、铂、银、钛及其合金，导电碳布，导电玻璃，玻碳电极等。其中，若为片状或网状电极，则尺寸大小为0.1-10cm2，若为圆柱形电极，则直径为0.01-20mm，长度为5-20cm。
所述步骤（一）中，选用的溶剂为有机溶剂或者水。有机溶剂包括但不限于N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基咪唑烷-2-酮（DMI）中的一种或几种。
所述步骤（一）中，选用的电解池为H型或者三电极型，用导电膜隔离电解池的每个部分，避免每个电极相互之间因反应而可能的带来的影响，导电膜包括但不限于NR211，NR117，NR210。
所述步骤（一）中，所有电极，电解液，电解池共同组装成反应体系，当选用H型电解池时，块体层状二维材料为工作电极，另一个惰性电极作对电极，构成两电极体系。当选用三电极型电解池，层状晶体为工作电极，另两个电极为辅助电极及参比电极，构成三电极体系。任何两个电极之间的距离为0.2-20cm。
所述步骤（二）中，选用的插层剂为含有机阳离子的可溶性盐，有机阳离子包括但不限于，季铵阳离子，季磷阳离子等，辅助剂的浓度为0.1-15 M。
所述步骤（二）中，持续通电的仪器为直流电源通电或电化学工作站，使块体二维材料得到电子。直流电源可给两电极体系供电，电化学工作站能给两电极或三电极体系供电。
所述步骤（二）中，持续通电的方式为恒电流、恒电压、循环伏安、脉冲法、多电位阶跃方法、多电流阶跃法中的一种或几种的混合。
所述步骤（二）中，持续通电的电压为负0.1-60V，电流为0.1-250mA,通电时间为10s-10h。
所述步骤（三）中，选用的过渡金属阳离子为不同价态的所有过渡金属阳离子，过渡金属包括但不限于Co，Ni，Fe，Cu，Mo，W，价态包括但不限于2+，3+，5+。过渡金属阳离子的浓度为0.1-15 M。
所述步骤（三）中，持续通电的电压为负0.1-60V，电流为0.1-250mA,通电时间为10s-10h。
所述步骤（三）中，得到过渡金属修饰的二维材料为的分层的二维材料。
所述步骤（四）中，清洗采用的试剂为水，N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、二甲基亚砜、乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或几种。
所述步骤（四）中，超声的有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、二甲基亚砜、乙醇、丙酮、异丙醇中的一种或几种。二维材料与有机溶剂的质量比为1：1-1：50，声振荡处理的功率为100-2000W，时间为0.01-2h。
所述步骤（四）中，离心的转速为100-50000rpm，时间为0.01-10h。
本发明制备得到的二维薄片-过渡金属异质结的厚度为2-100nm，横向尺寸为10nm-50μm，过渡金属颗粒的大小为2nm-100nm。
本发明技术中，并不是简单将电化学插层剥离技术与电化学沉积技术相结合。进行合理调整时，得到新的有益效果。
当只进行电化学插层技术剥离时，得到二维材料薄片。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。（三）：收集上面获得的膨胀体，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料薄片。
当只是进行电化学沉积技术时，得到过渡金属修饰的块体二维材料。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含过渡金属阳离子的溶剂中，持续通电一段时间，得到仍然是块体二维材料。（三）：收集上面获得的块体，清洗数次后，超声，离心，得到过渡金属修饰的块体。
当简单将电化学插层剥离技术与电沉积技术结合起来，得到的是含过渡金属颗粒杂质的过渡金属异质结，且，颗粒大小在2微米左右。即步骤转变为（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系。（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片。（三）：将所有电极浸入含过渡金属阳离子的溶剂中，持续通电一段时间。（四）：收集上面获得的样品，清洗数次后，超声，离心，得到含过渡金属颗粒杂质的过渡金属异质结。
本发明的有益效果：
1.本发明采用电化学技术提供电流或电压，以块状二维晶体作为电极，在含有辅助剂及过渡金属阳离子的电解质中，让块状二维晶体变为少层的薄片，并同时修饰上过渡金属；通过本发明的工艺方法可以有效控制异质结的厚度及过渡金属颗粒的大小；
2.在本发明中，二维材料的分层工序与还原过渡金属工序在同一电解液中进行，且多个二维材料可并联，一起作为工作电极，大幅度简化了制备工序，节约成本，提高效率，能规模化生产。
附图说明
图1为实施例1制得的石墨烯-镍纳米片的扫描电镜图；
图2为实施例2制得的黑磷-钴纳米片的扫描电镜图；
图3为实施例3制得的硒化钛-钴纳米片的扫描电镜图。
具体实施方式
实施例1
一种制备石墨烯-镍纳米片的方法，包括如下步骤：
（1）0.01g的块状石墨晶体作为工作电极，碳布为对电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.025M四丁基磷阳离子的N-甲基吡咯烷酮作为电解液，置于H型电解池中，构成两电极体系。
(2)采用直流电源持续恒电压通电10s-10h, 本实施例中优选通电30min，通恒电流0.1-50 mA, 本实施例中优选通电5mA，块状石墨的体积变大。
(3)往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005 M Ni2+，采用直流电源持续恒电压通电30min，通恒电流5mA，石墨的体积维持。
（4）收集体积变大的石墨，用N-甲基吡咯烷酮清洗三次，在110mLN-甲基吡咯烷酮甲酰胺中对膨胀后的石墨进行超声振荡处理，功率为200W，时间为5min，得到分散均匀的石墨-镍纳米片溶液；将其在1000转/分钟的转速下离心6min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为5nm，侧向尺寸为5μm的石墨烯-镍纳米片，镍颗粒的大小为30nm。
实施例2
一种制备黑磷-钴纳米片的方法，包括如下步骤：
（1）0.01g的块状黑磷晶体作为工作电极，碳布为对电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.05M四丁基铵阳离子的N,N-二甲基甲酰胺为电解液，置于H型电解池中，构成两电极体系。
（2）采用直流电源持续恒电压通电10s-10h, 本实施例中优选通电3min，通电0.1-30 V, 本实施例中优选通电20V，块状二维黑磷晶体的体积变大。
（3）往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005 M Co2+，采用直流电源持续恒电压通电3min，通电20V，黑磷的体积维持。
(4)收集体积变大的黑磷，用N,N-二甲基甲酰胺清洗三次，在98mLN,N-二甲基甲酰胺中对膨胀后的黑磷进行超声振荡处理，功率为300W，时间为2min，得到分散均匀的黑磷-钴纳米片溶液；将其在500转/分钟的转速下离心3min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为10nm，侧向尺寸为2μm的黑磷-钴纳米片，钴颗粒的大小为20nm。
实施例3
一种制备硒化钛-钴纳米片的方法，包括如下步骤：
（1）0.01g的块状硒化钛晶体作为工作电极，铂片为对电极，铂丝为辅助电极，与导线相连，浸入在有机溶剂中，有机溶剂为DMF，NMP，DMSO，DMI中的一种或几种混合物，有机溶剂里面包含插层剂，插层剂为任意季铵阳离子及季磷阳离子中的一种或几种混合物，本实施条例里优选含0.025M四戊基铵阳离子的1,3-二甲基咪唑烷-2-酮为电解液，置于三电极电解池中，构成三电极体系。
（2）采用工作站供电10s-10h, 本实施例中优选通电30min，采用循环伏安法，以5mVs-1的扫描速度在电势范围为0.1-30V之间任意范围循环任意圈，本实施条例中优选0-3V里循环10圈，块状硒化钛晶体的体积变大。
（3）往电解液中加入不同价态的过渡金属阳离子如Co2+，Ni2+，Fe2+，Cu2+，Mo2+，W2+，Co3+，Ni3+，Fe3+，Cu3+，Mo3+，W3+，Mo5+，W5+，本实施例中优0.005 M Co2+，采采用工作站供电30min，采用循环伏安法，以5 mVs-1的扫描速度在电势范围为0-3V里循环10圈，硒化钛的体积维持。
（4）收集体积变大的硒化钛，用1,3-二甲基咪唑烷-2-酮清洗三次，在130mL1,3-二甲基咪唑烷-2-酮中对膨胀后的硒化钛进行超声振荡处理，功率为200W，时间为5min，得到分散均匀的硒化钛-钴纳米片溶液；将其在1000转/分钟的转速下离心6min，离心完成后取上层清液，得到约厚度为5nm，侧向尺寸为3μm的硒化钛-钴纳米片，钴颗粒的大小为10nm。
Claims (10)
1.一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（一）：将块体二维材料作为工作电极，另外的惰性材料为其他的电极，所有电极与导线相连，与电解池一起，构成两电极或三电极体系；
（二）：所有电极浸入含插层剂的溶剂中，持续通电一段时间，得到膨胀体，其为相互连接的二维材料薄片；
（三）：往溶剂中再加入过渡金属阳离子，继续通电一段时间，得到过渡金属修饰的二维材料；
（四）：收集上面获得的过渡金属修饰的二维材料，清洗数次后，超声，离心，得到二维材料-过渡金属异质结薄片。
2.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述的二维材料为含层状结构的块体，包括但不限于石墨、黑磷、h-BN、g-C3N4，过渡金属硫属化物(TMD)，二维过渡金属碳化物或碳氮化物（MXene），过渡金属氧化物，过渡金属氢氧化物；TMD由MX2表示，其中“M”表示过渡金属，为过渡金属Mo、W、Nb、V、Ta、Ti、Zr、Hf、Tc和Re中的一种或几种，“X”表示硫属元素，为S、Se或Te中的一种或几种；MXene由Mn+1XnTx表示，其中n=1、2、3，M为过渡金属元素，X为碳或/和氮元素，Tx为-OH/O/-F。
3.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）的工作电极可为多个层状二维块体电极并联。
4.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）选用的溶剂为有机溶剂或者水；有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚砜（DMSO）、1,3-二甲基咪唑烷-2-酮（DMI）中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在所述步骤（一）中的电解池，通过导电离子交换膜将电极隔离开。
6.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，所述步骤（二）辅助剂为含有机阳离子的可溶性盐，有机阳离子包括但不限于，季铵阳离子，季磷阳离子等，辅助剂的浓度为0.1-15M。
7.根据权利要求1所述的制备二维材料-过渡金属纳米片的方法，其特征在于，步骤（二）所述持续通电的电压为负0.1-30V，电流为0.1-50mA,通电时间为10s-10h。
8.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在步骤（三）中所述的过渡金属阳离子为不同价态的所有过渡金属阳离子，过渡金属包括但不限于Co，Ni，Fe，Cu，Mo，W，价态包括但不限于2+，3+，5+；过渡金属阳离子的浓度为0.1-15M。
9.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，步骤（三）所述持续通电的电压为负0.1-30V，电流为0.1-50mA,通电时间为10s-10h。
10.根据权利要求1所述的二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法，其特征在于，在步骤（三）中，超声振荡处理的功率为100-2000 W，时间为0.01-2h。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2019101776915 | 2019-03-09 | ||
| CN201910177691 | 2019-03-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110117807A true CN110117807A (zh) | 2019-08-13 |
| CN110117807B CN110117807B (zh) | 2021-04-27 |
Family
ID=67524564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910563956.5A Active CN110117807B (zh) | 2019-03-09 | 2019-06-27 | 一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110117807B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110963505A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-07 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 | 一种Li插层H型二维纳米片的制备方法及其在光电固氮中的应用 |
| CN112176372A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-05 | 东北大学 | 一种以二氯化钴和五氯化钽为原料低温制备钴钽合金涂层的方法 |
| CN112611923A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-06 | 安徽大学 | 智能模块、多功能装置及其在无线充电、电场感知、接近感知中的应用 |
| CN112635620A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-09 | 昆明理工大学 | 一种Gr/MX2/Si太阳能电池的制备方法 |
| WO2021243970A1 (zh) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | 深圳先进技术研究院 | 一种复合催化剂及其制备方法 |
| CN114452826A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-05-10 | 长安大学 | 一种光驱动自清洁的Ti3C2@TiO2-C3N4异质结分离膜的制备方法 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169077A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-22 | Toshiba Corp | 燃料電池 |
| CN102701187A (zh) * | 2011-07-13 | 2012-10-03 | 华东理工大学 | 一种石墨烯的制备方法和使用该方法制备的石墨烯 |
| CN102807213A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-12-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电化学制备石墨烯的方法 |
| CN103025655A (zh) * | 2010-06-25 | 2013-04-03 | 新加坡国立大学 | 通过石墨剥离形成石墨烯的方法 |
| CN103215628A (zh) * | 2013-04-17 | 2013-07-24 | 中国石油大学(华东) | 一种电化学复合石墨烯与金属氧化物的方法 |
| CN103466603A (zh) * | 2013-08-09 | 2013-12-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 石墨烯分散液以及石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN104200873A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-10 | 郑州轻工业学院 | 大尺寸石墨烯-金属精细颗粒复合膜及其制法与用途 |
| CN104505497A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-08 | 盐城市新能源化学储能与动力电源研究中心 | 一种石墨烯镍复合材料和使用该材料制备的石墨烯镍碳电极 |
| CN104779380A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-15 | 北京石油化工学院 | 一种利用电化学制备磷烯的方法 |
| CN104846418A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-08-19 | 南京理工大学 | 基于双脉冲电沉积的石墨烯/镍基复合镀层制备工艺 |
| CN105336919A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-17 | 岭南师范学院 | 一种类石墨烯ws2/氮、磷共掺杂石墨烯电化学储钠复合电极的制备方法 |
| CN105699368A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-06-22 | 济南大学 | 一种基于二维复合材料构建的双功能过氧化氢无酶传感器的制备方法及应用 |
| CN105800597A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-07-27 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种机械剥离高导电性复合石墨烯的制备方法 |
| CN107805730A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-03-16 | 广东工业大学 | 自支撑石墨烯纳米片表面修饰铜基复合材料及其制备方法和应用 |
| CN108550866A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-09-18 | 太原理工大学 | 二维材料辅助浸渍法制备固体氧化物燃料电池阳极的方法 |
| CN108862254A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-23 | 西安交通大学 | 一种电化学阴阳双电极剥离制备石墨烯的方法 |
| CN109179351A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 湖北中科墨磷科技有限公司 | 多孔三维磷烯及其制备方法和应用 |
-
2019
- 2019-06-27 CN CN201910563956.5A patent/CN110117807B/zh active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169077A (ja) * | 1983-03-17 | 1984-09-22 | Toshiba Corp | 燃料電池 |
| CN103025655A (zh) * | 2010-06-25 | 2013-04-03 | 新加坡国立大学 | 通过石墨剥离形成石墨烯的方法 |
| CN102701187A (zh) * | 2011-07-13 | 2012-10-03 | 华东理工大学 | 一种石墨烯的制备方法和使用该方法制备的石墨烯 |
| CN102807213A (zh) * | 2012-08-30 | 2012-12-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电化学制备石墨烯的方法 |
| CN103215628A (zh) * | 2013-04-17 | 2013-07-24 | 中国石油大学(华东) | 一种电化学复合石墨烯与金属氧化物的方法 |
| CN103466603A (zh) * | 2013-08-09 | 2013-12-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 石墨烯分散液以及石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN104200873A (zh) * | 2014-09-09 | 2014-12-10 | 郑州轻工业学院 | 大尺寸石墨烯-金属精细颗粒复合膜及其制法与用途 |
| CN104505497A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-04-08 | 盐城市新能源化学储能与动力电源研究中心 | 一种石墨烯镍复合材料和使用该材料制备的石墨烯镍碳电极 |
| CN104779380A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-15 | 北京石油化工学院 | 一种利用电化学制备磷烯的方法 |
| CN104846418A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-08-19 | 南京理工大学 | 基于双脉冲电沉积的石墨烯/镍基复合镀层制备工艺 |
| CN105336919A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-17 | 岭南师范学院 | 一种类石墨烯ws2/氮、磷共掺杂石墨烯电化学储钠复合电极的制备方法 |
| CN105800597A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-07-27 | 成都新柯力化工科技有限公司 | 一种机械剥离高导电性复合石墨烯的制备方法 |
| CN105699368A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-06-22 | 济南大学 | 一种基于二维复合材料构建的双功能过氧化氢无酶传感器的制备方法及应用 |
| CN107805730A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-03-16 | 广东工业大学 | 自支撑石墨烯纳米片表面修饰铜基复合材料及其制备方法和应用 |
| CN108550866A (zh) * | 2018-05-02 | 2018-09-18 | 太原理工大学 | 二维材料辅助浸渍法制备固体氧化物燃料电池阳极的方法 |
| CN108862254A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-11-23 | 西安交通大学 | 一种电化学阴阳双电极剥离制备石墨烯的方法 |
| CN109179351A (zh) * | 2018-08-17 | 2019-01-11 | 湖北中科墨磷科技有限公司 | 多孔三维磷烯及其制备方法和应用 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| THOMAS C. ACHEE等: "High-yield scalable graphene nanosheet production from compressed graphite using electrochemical exfoliation", 《SCIENTIFIC REPORTS》 * |
| 平蕴杰 等: "电化学剥离制备石墨烯及其光电特性研究进展", 《中国激光》 * |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110963505A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-07 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 | 一种Li插层H型二维纳米片的制备方法及其在光电固氮中的应用 |
| CN110963505B (zh) * | 2019-12-06 | 2023-04-28 | 深圳市中科墨磷科技有限公司 | 一种Li插层H型二维纳米片的制备方法及其在光电固氮中的应用 |
| WO2021243970A1 (zh) * | 2020-06-03 | 2021-12-09 | 深圳先进技术研究院 | 一种复合催化剂及其制备方法 |
| CN112176372A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-01-05 | 东北大学 | 一种以二氯化钴和五氯化钽为原料低温制备钴钽合金涂层的方法 |
| CN112176372B (zh) * | 2020-09-27 | 2021-10-15 | 东北大学 | 一种以二氯化钴和五氯化钽为原料低温制备钴钽合金涂层的方法 |
| CN112611923A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-06 | 安徽大学 | 智能模块、多功能装置及其在无线充电、电场感知、接近感知中的应用 |
| CN112635620A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-09 | 昆明理工大学 | 一种Gr/MX2/Si太阳能电池的制备方法 |
| CN114452826A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-05-10 | 长安大学 | 一种光驱动自清洁的Ti3C2@TiO2-C3N4异质结分离膜的制备方法 |
| CN114452826B (zh) * | 2021-12-14 | 2022-11-08 | 长安大学 | 一种光驱动自清洁的Ti3C2@TiO2-C3N4异质结分离膜的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110117807B (zh) | 2021-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110117807A (zh) | 一种二维材料-过渡金属异质结薄片的制备方法 | |
| CN110216279A (zh) | 一种过渡金属掺杂二维薄片的制备方法 | |
| CN113151857B (zh) | 一种二维超薄镍掺杂二硫化钼纳米片及其制备方法和应用 | |
| Wang et al. | Freestanding 3D graphene/cobalt sulfide composites for supercapacitors and hydrogen evolution reaction | |
| CN109306498B (zh) | 一种二维超薄二硫化铌纳米片的制备方法及产品和应用 | |
| EP3199667B1 (en) | Method for producing silicon-plated metal plate | |
| CN108597892B (zh) | 一种纳米多孔铜负载形貌可控铜基氧化物复合材料及其制备方法及应用 | |
| Lee et al. | Highly stable sodium storage in 3-D gradational Sb–NiSb–Ni heterostructures | |
| CN108396329A (zh) | 一种铁掺杂的两相硫化镍纳米阵列材料、其制备方法及用途 | |
| CN106145951A (zh) | 一种多孔二维过渡金属碳化物及其制备方法 | |
| CN105355462B (zh) | 一种δ-MnO2厚膜赝电容器电极的制备方法及其应用 | |
| CN114604864B (zh) | 一种限域电化学法剥离石墨类材料制备石墨烯的方法 | |
| CN103956471B (zh) | 一种电泳-电沉积制备碳/锗叠层复合负极材料的方法 | |
| CN112408368A (zh) | 一种电化学制备低结构缺陷石墨烯的方法 | |
| Sheikh et al. | Recent advances in the rational design of 2D MXenes in energy conversion and storage systems | |
| CN111217361A (zh) | 一种电化学阴极剥离制备石墨烯纳米片的方法 | |
| Radhakrishnan et al. | Electrodeposited partially oxidized Bi & NiCo alloy based thin films for aqueous hybrid high energy microcapacitor | |
| CN112331845B (zh) | 一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法 | |
| CN106981650A (zh) | 一种纳米级单质铋的制备方法 | |
| CN106449141B (zh) | 基于高导电陶瓷表面膜的金属钛网基底制备氢氧化钴/镍超级电容器电极的方法 | |
| CN112047330A (zh) | 一种实现电化学法生产石墨烯的同步剥离收集方法 | |
| CN106158403A (zh) | 金属配位超分子网格与二维碳复合材料及其制备方法与应用 | |
| CN116024583A (zh) | 硫化镍纳米棒阵列电催化材料及其制备方法和应用 | |
| CN108862263A (zh) | 基于电化学氧化还原制备类生物三维微纳米多孔石墨烯的方法 | |
| CN209442654U (zh) | 一种制备二维纳米材料的桶状惰性电极 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231123 Address after: 443007 No. 66-2 Ting Ting Road, Ting Ting District, Yichang, Hubei Patentee after: HUBEI MOPHOS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 518111 602-4, 6th floor, building B, Baoneng zhichuanggu, no.6, Fukang Road, Pinghu street, Longgang District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN ZHONGKE MOPHOS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |