CN110073595A - 混合玻璃上无源(pog)声学滤波器 - Google Patents

混合玻璃上无源(pog)声学滤波器 Download PDF

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Abstract

一种集成射频(RF)电路组合无源器件和声学滤波器的互补特征，并且包括第一裸片、第二裸片和第三裸片。第一裸片包括具有一个或多个无源器件的衬底。第二裸片包括第一声学滤波器。第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。第三裸片包括第二声学滤波器。第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。

Description

混合玻璃上无源(POG)声学滤波器
技术领域
本公开一般地涉及集成电路(IC)。更具体地，本公开的一个方面涉及一种集成射频电路，该集成射频电路组合玻璃上无源(POG)器件和声学滤波器的特征以实现窄带元件以及宽带元件。
背景技术
低通滤波器和高通滤波器可以用于抑制通信信号中的谐波。低通滤波器和高通滤波器也可以使用在载波聚合系统中，载波聚合系统组合多个分量载波以在无线通信中实现高数据传输速率。然而，在载波聚合应用中，低通滤波器和高通滤波器指定非常低的损耗(例如，非常低的插入损耗水平)，这对于常规技术(例如，低温共烧陶瓷器件)非常难以实现。插入损耗是一种度量，通常以分贝(dB)来测量，其表达由于将器件(例如，低通滤波器或高通滤波器)插入传输系统(例如，无线网络)中而导致的信号功率的损耗。插入损耗越低，器件通过网络高效地传播信号时越稳定和强大。
制造具有低损耗(例如，插入损耗)的高性能滤波器是一种挑战。此外，减小插入损耗同时实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽甚至是更大的挑战。实现低插入损耗同时实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽的滤波器设计将是有益的。
发明内容
一种集成射频电路可以包括具有衬底的第一裸片。衬底可以包括一个或多个无源器件。集成射频电路还可以包括第二裸片，第二裸片包括第一声学滤波器。第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。此外，集成射频电路包括第三裸片，第三裸片包括第二声学滤波器。第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。
一种制造集成射频电路的方法可以包括：制造包括衬底的第一裸片。衬底包括一个或多个无源器件。该方法还可以包括：制造包括第一声学滤波器的第二裸片。该方法还包括：将第二裸片堆叠在第一裸片的第一表面上。第二裸片被通信地耦合到第一裸片。另外，该方法包括：制造包括第二声学滤波器的第三裸片。此外，该方法包括：将第三裸片堆叠到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。第三裸片被通信地耦合到第一裸片。
这已经相当广泛地概述了本公开的特征和技术优点，以便随后的详细描述可以更好地被理解。下文将描述本公开的附加特征和优点。本领域的技术人员应当明白，本公开可以容易地用作修改或设计用于执行本公开的相同目的的其他结构的基础。本领域的技术人员还应当认识到，这种等效构造没有偏离所附权利要求中阐述的本公开的教导。当关于附图来考虑时，从以下描述将更好地理解被认为是本公开的特性的关于其组织和操作方法的新颖特征以及进一步的目的和优点。然而，将明确地理解，附图中的每个附图被提供仅用于说明和描述的目的，而非旨在作为本公开的范围的定义。
附图说明
为了更完整地理解本公开，现在参考结合附图给出的以下描述。
图1是双馈电天线芯片组的示意图。
图2图示了已封装裸片的横截面视图，其包括在印刷电路板上的玻璃上无源(POG)器件或集成无源器件。
图3是图示了不同滤波器实施方式的频率响应图的曲线图。
图4-图5图示了根据本公开的各方面的滤波器，它们减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。
图6A-图6B图示了根据本公开的各方面的滤波器，它们减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。
图7是根据本公开的一方面的滤波器的示意图，该滤波器减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。
图8是图示了根据本公开的一方面的制作集成射频电路或滤波器的方法的过程流程图。
图9是示出了可以在其中有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。
图10是图示了用于半导体组件的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。
具体实施方式
下文关于附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而非旨在表示可以实践本文中描述的概念的仅有配置。详细描述包括具体细节以用于提供对各种概念的透彻理解的目的。然而，对本领域的技术人员将明显的是，这些概念可以没有这些具体细节被实践。在一些实例中，公知的结构和组件以框图形式示出，以避免使这些概念模糊不清。如本文所描述的，术语“和/或”的使用旨在表示“包括性的或”，并且术语“或”的使用旨在表示“排他性的或”。
无源器件制造技术(例如，玻璃上无源(POG)技术)涉及高性能组件，诸如电感器和电容器，它们构建在也可能具有非常低损耗(例如，插入损耗)的衬底(例如，高度绝缘的衬底)上。玻璃上无源器件，包括电感器组件和电容器组件，相对于其他技术具有各种优点，诸如表面贴装技术或多层陶瓷芯片，它们通常使用在移动射频(RF)芯片(例如，移动RF收发器)的制造中。通过玻璃上无源器件的使用，在移动RF收发器中实施载波聚合的设计复杂性被改善。
移动RF收发器中的载波聚合的实施使得无线载波(在特定地理区域中拥有对多个频带(例如，700MHz和2GHz)的权限)能够通过同时使用两个频率用于单个通信流来最大化可用带宽。虽然增大的数据量被提供给最终用户，但是归因于用于数据传输的频率，载波聚合的成功实施被谐波频率处产生的噪声复杂化。例如，700MHz传输可能产生2.1GHz处的谐波，它们干扰2GHz处的数据广播。当无源器件用于处理载波聚合系统中承载的信号时，该噪声减小。
本公开的各方面针对一种集成RF电路，该集成RF电路组合无源器件(例如，玻璃上无源和/或集成无源器件)和声学滤波器的互补特征。集成射频电路包括第一裸片、第二裸片和第三裸片。第一裸片包括具有一个或多个无源器件的衬底。例如，第一裸片包括无源器件层，无源器件层包括玻璃上无源(POG)器件和/或集成无源器件(IPD)。在本公开的一个方面，玻璃上无源器件和/或集成无源器件包括二维(2D)无源器件或三维(3D)无源器件。
第二裸片可以包括第一声学滤波器，其中第二裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。例如，第二裸片直接耦合到第一裸片的无源器件层。第三裸片包括第二声学滤波器。在本公开的一个方面，第二裸片包括体声波(BAW)滤波器或表面声波(SAW)滤波器，并且第三裸片包括BAW滤波器或SAW滤波器。BAW滤波器可以是薄膜体声谐振器(FBAR)滤波器，其是具有优越性能的体声波(BAW)滤波器的形式，该优越性能具有陡峭的抑制曲线。
第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。例如，不同的声学滤波器被布置在玻璃上无源/集成无源器件裸片的相对表面上，其中不同的声学滤波器通过穿过第一裸片的过孔(例如，贯穿玻璃过孔)可通信地耦合。例如，第一裸片由玻璃(例如，玻璃衬底)形成，并且过孔包括贯穿玻璃过孔。
两个不同的声学滤波器可以是独立的滤波器，并且可以在不同的频率下独立地被操作。例如，不同的滤波器中的每个滤波器可以是不同类型的滤波器。一个表面上的第一声学滤波器可以是低通滤波器，而另一表面上的另一声学滤波器可以是高通滤波器。替换地，第一裸片的相对侧上的不同声学滤波器可以通过过孔耦合，以生成不能以其他方式独立地生成的截止频率。例如，当通过第一裸片耦合时，滤波器可以在功能上被配置为单个滤波器。在一个方面，单个滤波器可以被构造为使得一个表面上的声学滤波器在一个频率处提供陡峭的抑制，而另一表面上的声学滤波器在不同的频率处提供抑制。
尽管仅两个裸片被描述位于第一裸片的相对表面上，但是具有声学滤波器的更多裸片可以堆叠在第一裸片的相对表面上。例如，包括第三声学滤波器的第四裸片可以被堆叠并且耦合到第一裸片的第一表面。类似地，包括第四声学滤波器的第五裸片可以被堆叠并且耦合到第一裸片的第二表面。在一个方面，集成电路可以并入复用器中。
图1是双馈电天线芯片组100的示意图。双馈电天线芯片组100包括低通滤波器140和高通滤波器150。双馈电天线芯片组100可以用于载波聚合目的，其中高频带频率和低频带频率两者同时用于无线通信。常规的低通滤波器和高通滤波器具有通常大约为0.3dB的高插入损耗。归因于来自高通滤波器150和低通滤波器140的显著信号功率损耗，该插入损耗水平对于载波聚合应用太高。在本公开的一个方面，双馈电天线芯片组100的低通滤波器140和高通滤波器150可以被设计和实施以实现小于0.2dB的低插入损耗，同时实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。
代表性地，第一天线104耦合到低通滤波器140的输入，并且第二天线108耦合到高通滤波器150的输入。第一天线104和第二天线108传送由低通滤波器140和高通滤波器150处理的信号。第一天线调谐器102耦合到低通滤波器140的一个端口。第二天线调谐器106耦合到高通滤波器150的一个端口。第一天线调谐器102和第二天线调谐器106是可选的，但是如果存在，则它们调节第一天线104或第二天线108的阻抗，以便与电路的其余部分更好地匹配。第一天线调谐器102和第二天线调谐器106也耦合到开关集合110。开关集合110可以用来选择用于无线通信的期望操作频带。开关集合110还可以被划分为低频带频率部分112(例如，1GHz)和高频带频率部分114(例如，2GHz)。低频带频率部分112协调由低通滤波器140处理的具有低频带频率的信号。高频带频率部分114协调由高通滤波器150处理的高频带频率。
在常规的实施方式中，低通滤波器140和高通滤波器150的插入损耗将大约为0.3dB。该插入损耗对于载波聚合应用可能太高，并且导致过量的信号功率损耗和热生成。在图1的双馈电天线芯片组100配置中，低通滤波器140和高通滤波器150可以被配置为具有更低的插入损耗，同时实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽，例如，如图4、图5、图6A和图6B中所示出。
图2图示了集成电路200的横截面视图，集成电路200包括在封装衬底210上的半导体器件(例如，集成无源器件(IPD))220。要指出的是，半导体器件220可以替代地是玻璃上无源器件，在该情况下，封装衬底可以是印刷电路板(PCB)。为了解释的目的，半导体方面将被描述，但是要理解，玻璃上无源方面也被覆盖。术语“玻璃上无源器件”和“半导体器件”在该描述中可以互换使用。此外，术语“裸片”将用于涵盖这两个方面。IC 200的封装衬底(或印刷电路板(PCB)或甚至中介件)210耦合到半导体器件220。封装衬底210支撑半导体器件220。半导体器件220通过接口连接或互连封装(例如，凸块或柱)222附接到封装衬底210的第一侧。接口互连的其他方法也可以用于将半导体器件220附接到封装衬底210，诸如球栅阵列(BGA)封装、引脚栅格阵列(PGA)、或平面栅格阵列(LGA)。封装衬底210还可以包括在封装衬底210的与第一侧相对的第二侧上的球栅阵列(BGA)封装，以促进进一步处理。
半导体器件220的玻璃上无源器件或集成无源器件可以包括一个或多个电容器和/或电感器。另外，一个或多个电容器和/或电感器可以嵌入在封装衬底210中，并且用于半导体器件220的解耦。半导体器件220的一个或多个电容器和/或电感器、和/或封装衬底210的一个或多个电容器和/或电感器可以被配置为形成用于有线通信或无线通信的滤波器。封装衬底210还可以包括一定数目的互连部(未示出)，以支持封装衬底210或IC 200的各种功能。然而，由这些电容器和电感器形成的滤波器可能遭受高插入损耗、以及不急剧的滤波器滚降。
图3是图示了不同滤波器实施方式的频率响应图的曲线图300。曲线图300的x轴表示频率，而y轴表示滤波器的输出的幅度。例如，曲线图300包括玻璃上无源滤波器的第一频率响应图302和声学滤波器的第二频率响应图304。
参考玻璃上无源滤波器的第一频率响应图302，信号在低频(例如，在点306和点308之间)被衰减，直到频率达到下截止频率fL1。输出从与下截止频率fL1相对应的点308继续在最大增益处，直到其在点310处达到上截止频率fH1，在点310处，输出减小以衰减任何高频信号。
参考声学滤波器的第二频率响应图304，信号在低频(例如，在点314和点316之间)被衰减，直到频率达到下截止频率fL2。输出从与下截止频率fL2相对应的点316继续在最大增益处，直到其在点318处达到上截止频率fH2，在点318处，输出相对于第一频率响应图302的输出以较高速率减小以衰减任何高频信号。
如由第一频率响应图302所图示的，相对于由声学滤波器的第二频率响应图304实现的带宽(例如，从fL2-fH2)，玻璃上无源滤波器(例如，在半导体器件220上实施的玻璃上无源滤波器)实现更宽的带宽(例如，从fL1-fH1)。然而，玻璃上无源滤波器的品质(Q)因数(～50)相对低，导致在频带边缘(例如，在点310和点312之间)处的缓慢滚降。然而，声学滤波器(例如，表面声波滤波器、体声波滤波器)实现非常高的品质(Q)因数(>500)，但是具有有限的带宽(例如，从fL2-fH2)。作为结果，相对于玻璃上无源滤波器的第一频率响应图302的滚降(例如，在点310和点312之间)，声学滤波器的第二频率响应图304图示了在频带边缘处的更急剧的滚降(例如，在点318和点320之间)。
本公开的各方面针对的是减轻与独立操作的玻璃上无源(或IPD)滤波器和声学滤波器相关联的缺点。
实现低插入损耗同时实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽的滤波器设计将是有益的，并且在图4、图5、图6A和图6B中图示。
图4图示了根据本公开的各方面的滤波器400，滤波器400减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。滤波器400包括在封装衬底(或印刷电路板)610上的半导体器件(例如，玻璃上无源器件或集成无源器件)620。滤波器400的封装衬底(或印刷电路板(PCB))610通过接口连接622(例如，类似于接口连接222)耦合到半导体器件620。滤波器400还包括第一声学滤波器(例如，体声波(BAW)滤波器)612和第二声学滤波器(例如，表面声波(SAW)滤波器)614。例如，这些声学滤波器可以包括硅衬底或石英衬底。
在本公开的一个方面，半导体器件620是三维(3D)半导体器件。3D半导体器件620包括贯穿过孔624，以使得在3D半导体器件620的任一相对侧上的器件之间的通信成为可能。在一些方面，当3D半导体器件620的衬底是玻璃时，贯穿过孔是贯穿玻璃过孔(TGV)。封装衬底610可以耦合到贯穿过孔中的一个或多个贯穿过孔。例如，封装衬底610与3D半导体器件620之间的接口连接622中的两个接口连接直接耦合到3D半导体器件620中的贯穿过孔624中的两个贯穿过孔。第二声学滤波器614可以在接口连接622减少的区域中耦合到3D半导体器件620的一侧。
在本公开的一些方面，第一声学滤波器612和第二声学滤波器614堆叠在3D半导体器件620的相对侧或表面上，并且分别利用凸块626和628耦合到3D半导体器件620。例如，第一声学滤波器612可以堆叠在半导体器件620的第一表面616上，并且第二声学滤波器614可以堆叠在半导体器件620的第二表面618上。凸块626位于3D半导体器件620与第一声学滤波器612之间，并且凸块626之一直接耦合到3D半导体器件620中的贯穿过孔624之一。类似地，凸块628位于3D半导体器件620与第二声学滤波器614之间，并且凸块628之一直接耦合到3D半导体器件620中的贯穿过孔624之一。
在一些方面，凸块628中的一个或多个凸块可以不耦合到过孔624。替代地，凸块628中的一个或多个凸块可以耦合到半导体器件620的第二表面618，以将第二声学滤波器614通信地耦合到半导体器件620。耦合到过孔624的凸块628将第二声学滤波器614通信地耦合到第一声学滤波器612。
图5图示了根据本公开的各方面的另一滤波器500，滤波器500减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。出于说明性目的，图5的组件和特征的一些或全部标记和编号类似于图4的那些。例如，封装衬底610、第二声学滤波器614、凸块628和接口连接622对于图4和图5是相同的。然而，图5的半导体器件630是二维(2D)半导体器件(例如，没有贯穿过孔)，而图4的半导体器件是3D半导体器件。半导体器件630包括第一表面632和与第一表面632相对的第二表面634，第一表面632上耦合有凸块628、接口连接622和第二声学滤波器614。第二声学滤波器614通过凸块628通信地耦合到半导体器件630。例如，第二声学滤波器614可以在接口连接622减少的区域中耦合到半导体器件630的一侧。第二声学滤波器614可以是体声波滤波器或表面声波滤波器。虽然未示出，但是其他声波滤波器可以耦合到半导体器件630的第一表面632和/或第二表面634。
图6A图示了根据本公开的各方面的滤波器600A，滤波器600A减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。出于说明性目的，图6A的组件和特征的一些或全部标记和编号类似于图4的那些。图6A图示了仅在半导体器件620的一侧的(多个)声学滤波器。例如，第二声学滤波器614耦合到半导体器件620的第二表面618，并且没有声学滤波器耦合到第一表面616。
图6B图示了根据本公开的各方面的滤波器600B，滤波器600B减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。出于说明性目的，图6B的组件和特征的一些或全部标记和编号类似于图4的那些。图6B图示了仅在半导体器件620的一侧的(多个)声学滤波器。例如，第一声学滤波器612耦合到半导体器件620的第一表面616，并且没有声学滤波器耦合到第二表面618。
图7是根据本公开的一方面的滤波器700的示意图，滤波器700减小损耗(例如，插入损耗)并且实现急剧的滤波器滚降和增大的带宽。在本公开的一个方面，滤波器可以是带通滤波器，其包括低频带部分(LB)和高频带部分(HB)。滤波器可以实施在具有非常紧密的频带间隔(例如，100MHz)的双工器中。例如，双工器可以包括与一个或多个声学滤波器集成的LC谐振器。LC谐振器可以包括电感器L4、L5、L6和L7以及电容器C4、C5、C6、C7、C8和C9。例如，LC谐振器的谐振器(例如，由并联LC对构成)可以被替换为声学滤波器(例如，声学滤波器712/714)，以将声学滤波器与LC谐振器集成或组合。
在一个方面，低频带部分的LC组件的至少一部分可以实施在半导体器件(例如，半导体器件620/630)内。第一声学滤波器712(例如，第一声学滤波器612)可以堆叠在半导体器件上。例如，第一声学滤波器712可以体声波(BAW)滤波器，其更好地用于较高频率。在半导体器件内实施的低频带部分可以包括电感器和电容器，诸如玻璃上无源电感器和电容器。例如，低频带部分的电感器和电容器可以包括电容器C4和C5、以及电感器L4和L5。低频带部分的电容器和电感器耦合到第一声学滤波器712，以实现与声学滤波器相关联的非常高的品质(Q)因数和急剧的滚降、以及与玻璃上无源电感器和电容器的低Q特性相关联的增大的带宽。
在一个方面，高频带部分的至少一部分(例如，LC组件)可以实施在半导体器件(例如，半导体器件620/630)和半导体器件上堆叠的第二声学滤波器714(例如，第二声学滤波器614)内。例如，第二声学滤波器714可以是表面声波(SAW)滤波器，其更好地用于较低频率。在半导体器件内实施的高频带部分的LC组件可以包括玻璃上无源电感器和电容器。例如，高频带部分的电感器和电容器可以包括电容器C6、C7、C8和C9以及电感器L6和L7。高频带部分的电容器和电感器与第二声学滤波器714耦合，以实现与声学滤波器相关联的非常高的Q因数和急剧的滚降、以及与玻璃上无源电感器和电容器相关联的增大的带宽。
声学滤波器(例如，712和714)和半导体器件620/630(例如，玻璃上无源器件的电感器和电容器)的组合使得所得到的滤波器能够实现与声学滤波器相关联的非常高的Q因数和急剧的滚降、以及与玻璃上无源器件的低Q特性相关联的增大的带宽。例如，玻璃上无源滤波器的插入损耗可能大于3dB，而与玻璃上无源器件和声学滤波器的组合相关联的插入损耗可以低至1dB。此外，玻璃上无源器件和声学滤波器的组合的抑制(例如，20dB)优于玻璃上无源器件的抑制(例如，19dB)。
本公开的各方面使用多种技术来实现窄带滤波器和宽带滤波器的集成，这些技术包括与声学滤波器组合的玻璃上无源器件的配置。该设计减小了声学滤波器与半导体器件(或玻璃上无源器件)之间的寄生效应(例如，寄生电阻、电容或电感)。声学滤波器可以非常靠近(例如，彼此叠置并且分离小于100微米)半导体器件620/630被定位以减小寄生效应。
图8是图示了根据本公开的一方面的制作集成射频电路或滤波器的方法800的过程流程图。在框802中，包括衬底的第一裸片被形成，衬底包括至少一个无源器件。在框804中，包括第一声学滤波器的第二裸片被形成。在框806中，第二裸片被堆叠在第一裸片的第一表面上。第二裸片被通信地耦合到第一裸片。在框808中，包括第二声学滤波器的第三裸片被形成。在框810处，第三裸片被堆叠并且耦合到第一裸片的与第一表面相对的第二表面。
图9是示出了可以在其中有利地采用本公开的一方面的示例性无线通信系统900的框图。出于说明的目的，图9示出了三个远程单元920、930和950以及两个基站940。将认识到，无线通信系统可以具有许多更多的远程单元和基站。远程单元920、930和950包括IC器件925A、925C和925B，这些IC器件包括所公开的集成射频电路。将认识到，其他设备也可以包括所公开的集成射频电路，诸如基站、交换设备和网络装备。图9示出了从基站940到远程单元920、930和950的前向链路信号980、以及从远程单元920、930和950到基站940的反向链路信号990。
在图9中，远程单元920被示出为移动电话，远程单元930被示出为便携式计算机，并且远程单元950被示出为无线本地环路系统中的固定位置远程单元。例如，远程单元可以是移动电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、GPS使能设备、导航设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、固定位置数据单元(诸如抄表装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的其他设备、或其组合。尽管图9图示了根据本公开的各方面的远程单元，但是本公开不限于这些示例性的所图示的单元。本公开的各方面可以在包括集成射频电路的许多设备中采用。
图10是图示了用于半导体组件(诸如上文公开的集成射频电路)的电路、布局和逻辑设计的设计工作站的框图。设计工作站1000包括硬盘1001，硬盘1001包含操作系统软件、支持文件和设计软件，诸如Cadence或OrCAD。设计工作站1000还包括显示器1002以促进电路1010或半导体组件1012(诸如根据本公开的一方面的集成射频电路)的设计。存储介质1004被提供用于有形地存储电路1010或半导体组件1012的设计。电路1010或半导体组件1012的设计可以按诸如GDSII或GERBER的文件格式存储在存储介质1004上。存储介质1004可以是CD-ROM、DVD、硬盘、闪存、或其他适当的设备。此外，设计工作站1000包括用于接受来自存储介质1004的输入或向其写入输出的驱动装置1003。
存储介质1004上记录的数据可以指定逻辑电路配置、用于光刻掩模的图案数据、或用于串行写入工具(诸如电子束光刻)的掩模图案数据。数据还可以包括逻辑验证数据，诸如与逻辑仿真相关联的时序图或网络电路。在存储介质1004上提供数据通过减少用于设计半导体晶片的工艺数目，来促进电路1010或半导体组件1012的设计。
尽管已经详细描述了本公开及其优点，但是应当理解，不偏离由所附权利要求限定的本公开的技术，可以在本文中进行各种改变、替换和更改。例如，关系术语，诸如“上方”和“下方”关于衬底或电子设备被使用。当然，如果衬底或电子设备被倒置，则上方变为下方，并且反之亦然。另外，如果侧向定向，则上方和下方可以是指衬底或电子设备的侧面。此外，本申请的范围不旨在限于说明书中描述的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法和步骤的特定配置。如本领域的普通技术人员从本公开将容易明白的，当前存在的或以后开发的与本文中描述的对应配置执行基本相同的功能或实现基本相同的结果的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法或步骤可以根据本公开被使用。因此，所附权利要求意图为在它们的范围内包括这样的过程、机器、制造、物质组成、手段、方法、或步骤。
技术人员将进一步明白，关于本文的公开所描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以实施为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性，各种说明性的组件、块、模块、电路和步骤已经在上文一般地按照它们的功能被描述。将这样的功能实施为硬件还是软件取决于特定应用和施加于整个系统的设计约束。技术人员可以针对每个特定应用以不同方式实施所描述的功能，但是这种实施方式决策不应当被解释为导致从本公开的范围的偏离。
关于本文的公开所描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可以利用被设计为执行本文描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或其任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但是在替代方式中，处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以实施为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器、一个或多个微处理器结合DSP核、或任何其他这样的配置。
关于本公开所描述的方法或算法的步骤可以直接具体化在硬件、由处理器执行的软件模块、或两者的组合中。软件模块可以驻留在RAM、闪存、ROM、EPROM、EEPROM、寄存器、硬盘、可移除盘、CD-ROM、或本领域已知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器，使得处理器可以从存储介质读取信息和向存储介质写入信息。在替代方式中，存储介质可以与处理器成为整体。处理器和存储介质可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在用户终端中。在替代方式中，处理器和存储介质可以作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以实施在硬件、软件、固件、或其任何组合中。如果实施在软件中，则这些功能可以作为一个或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或者通过其来传输。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，通信介质包括促进将计算机程序从一个地方传送到另一地方的任何介质。存储介质可以是通用或专用计算机可以访问的任何可用介质。通过示例而非限制的方式，这种计算机可读介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储装置、磁盘存储装置或其他磁存储设备、或者如下的任何其他介质，其可以用于以指令或数据结构的形式携带或存储指定的程序代码部件，并且其可以由通用或专用计算机、或者通用或专用处理器来访问。此外，任何连接恰当地称为计算机可读介质。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线路(DSL)、或者诸如红外、无线电和微波等无线技术从网站、服务器、或其他远程源传输软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或者诸如红外、无线电和微波等无线技术被包括在介质的定义中。如本文中使用的，盘和碟包括紧致碟(CD)、激光碟、光碟、数字通用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘通常磁性地再现数据，而碟利用激光光学地再现数据。上述的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围内。
本公开的之前描述被提供以使得本领域的任何技术人员能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域的技术人员将容易是明显的，并且不偏离本公开的精神或范围，本文定义的一般原理可以应用到其他变型。因此，本公开不旨在限于本文中描述的示例和设计，而是符合与本文公开的原理和新颖特征相一致的最宽范围。

Claims (20)

1.一种集成射频电路，包括：
第一裸片，包括衬底，所述衬底包括至少一个无源器件；
第二裸片，包括第一声学滤波器，所述第二裸片被堆叠并且耦合到所述第一裸片的第一表面；以及
第三裸片，包括第二声学滤波器，所述第三裸片被堆叠并且耦合到所述第一裸片的与所述第一表面相对的第二表面。
2.根据权利要求1所述的集成射频电路，其中所述第一裸片包括集成无源器件(IPD)，并且所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的无源器件层。
3.根据权利要求2所述的集成射频电路，其中所述IPD包括二维(2D)无源器件或三维(3D)无源器件。
4.根据权利要求1所述的集成射频电路，其中所述第一裸片包括玻璃上无源(POG)器件，并且所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的所述POG器件。
5.根据权利要求4所述的集成射频电路，其中所述POG器件包括二维(2D)无源器件或三维(3D)无源器件。
6.根据权利要求1所述的集成射频电路，其中所述第三裸片通过穿过所述第一裸片的过孔耦合到所述第二裸片。
7.根据权利要求6所述的集成射频电路，其中所述第一裸片包括玻璃，并且所述过孔包括贯穿玻璃过孔。
8.根据权利要求1所述的集成射频电路，其中所述第二裸片包括体声波(BAW)滤波器或表面声波(SAW)滤波器，并且所述第三裸片包括BAW滤波器或SAW滤波器。
9.根据权利要求1所述的集成射频电路，还包括第四裸片，所述第四裸片包括第三声学滤波器，所述第三声学滤波器被堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第一表面。
10.根据权利要求1所述的集成射频电路，还包括第五裸片，所述第五裸片包括第四声学滤波器，所述第四声学滤波器被堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第二表面。
11.根据权利要求1所述的集成射频电路，被并入复用器中。
12.一种制造集成射频电路的方法，包括：
制造包括衬底的第一裸片，所述衬底包括至少一个无源器件；
制造包括第一声学滤波器的第二裸片；
将所述第二裸片堆叠在所述第一裸片的第一表面上，所述第二裸片通信地耦合到所述第一裸片；
制造包括第二声学滤波器的第三裸片；以及
将所述第三裸片堆叠到所述第一裸片的与所述第一表面相对的第二表面，所述第三裸片通信地耦合到所述第一裸片。
13.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：将所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的无源器件层。
14.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：将所述第二裸片直接耦合到所述第一裸片的玻璃上无源(POG)器件。
15.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：通过穿过所述第一裸片的过孔，将所述第三裸片耦合到所述第二裸片。
16.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：将第四裸片的第三声学滤波器堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第一表面。
17.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：将第五裸片的第四声学滤波器堆叠并且耦合到所述第一裸片的所述第二表面。
18.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，其中所述第一裸片包括集成无源器件(IPD)。
19.根据权利要求18所述的制造集成射频电路的方法，其中所述IPD包括二维(2D)无源器件和/或三维(3D)无源器件。
20.根据权利要求12所述的制造集成射频电路的方法，还包括：将所述集成射频电路集成到复用器中。
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