CN110072959B - 粘合剂膜和粘合剂基底 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种粘合剂膜，所述粘合剂膜包括光热转换层，所述光热转换层包含光吸收剂和可热分解树脂；以及粘合剂层，其中所述可热分解树脂具有‑COOH或‑OH官能团并包括具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂，以及包括粘合剂膜和待处理基底的粘合剂基底。在根据本发明的所述粘合剂膜和所述粘合剂基底中，可能简化所述基底的处理过程并降低成本和时间，并且防止对基底和形成在所述基底上的电路或元件的损坏。

Description

粘合剂膜和粘合剂基底
本发明涉及粘合剂膜和粘合剂基底，并且更具体地，涉及粘合剂基底，其包括在基底的处理过程中使用的待处理基底和设置在待处理基底与载体之间的粘合剂膜。
背景技术
在各种领域中，通常优选使用薄基底或柔性基底。在形成薄基底或使用柔性基底的过程中，提供了在基底粘附到硬支撑物上并然后完成基底的处理之后将基底与遮光物支撑物分离的过程。
例如，在石英设备领域中，优选减小石英晶片的厚度以增加振荡频率。具体地，在半导体工业中，为了通过芯片层压技术制造高密度的半导体并减小半导体封装的厚度，正在努力进一步减小半导体晶片的厚度。
通过在与包括图案形成电路的表面相反的表面上进行半导体晶片的所谓后侧研磨来执行厚度的减小。为了减小厚度，提供了一种方法，其中当晶片通过粘合剂牢固地固定在硬载体上时，晶片的后侧被研磨并传送，并且然后晶片与硬载体分离。通过使用硬载体来支撑晶片，由此在后侧被研磨和传送时防止晶片的破裂并且以小厚度水平处理晶片。
同时，作为另一个示例，开发了一种能够增强美学功能并在使用中提供各种功能的柔性显示器，并且在这种情况下，优选使用柔性基底。柔性显示器有望成为下一代显示器，其取代便携式计算机、电子报纸或智能卡，以及诸如书籍、报纸、杂志等的打印介质。根据美学功能的增强、薄度和重量要求这种显示器具有各种材料，并且应用和使用各种柔性基底。例如，可以在柔性基底上使用薄膜金属板、塑料等。
然而，由于弯曲特性，柔性基底难以应用于通过以玻璃或石英基底为目标而设计的现有显示器的制造设备。例如，存在一个限制，即难以通过轨道设备或机器人传送柔性基底或者将柔性基底接收在盒子中。
因此，柔性基底在形成元件之前粘附到硬载体上，载体支撑柔性基底，同时元件在柔性基底上形成，并且在元件在基底上形成之后将载体从柔性基底上剥离。因此，即使使用柔性基底，也可以提供其中元件稳定地形成的柔性显示器。
然而，这种方法还包括在基底与硬质载体之间涂覆粘合剂、固化粘合剂等，并且因此存在的问题是该过程被复杂化并且增加了成本和时间。此外，在处理基底后将基底与硬质基底分离的过程中，存在的问题是晶片或基底本身被损坏，或者晶片的电路和柔性基底的元件被损坏。
公开内容
本发明的目的是提供一种粘合剂膜和粘合剂基底，使得固定在载体上的基底可以容易地从载体上剥离。因此，当基底与载体分离时，可以防止通过物理力对基底和在基底上形成的元件或电路的损坏和破损。
此外，本发明的另一个目的具体是提供一种粘合剂膜和粘合剂基底，其具有优异的耐热性和优异的遮光效果以防止对待处理基底以及在基底上形成的元件或电路的损坏。
本发明的又一个目的是提供一种粘合剂膜和粘合剂基底，其能够通过将待处理基底固定在载体上并简化剥离过程来降低成本和时间。
本发明的又一个目的是提供一种能够通过省略在基底的处理过程中将粘合剂膜附接到待处理基底的过程，通过提供包括待处理基底的粘合剂基底来简化过程并减少时间和成本的粘合剂基底。
技术解决方案
用于解决相关技术中的问题的本发明的粘合剂膜包括：光热转换层，光热转换层包含光吸收剂和可热分解树脂；以及粘合剂层，其中可热分解树脂具有-COOH或-OH官能团并包括具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂。因此，光热转换层可以具有带足够厚度的膜形状，并且当光热转换层用于后面的基底的处理过程时，粘合剂膜可以容易地粘结到载体。此外，在完成基底的处理之后，通过激光照射容易地分离基底，以防止损坏基底和在基底上形成的电路或元件。
光吸收剂可以是炭黑。炭黑吸收施加的辐射能量以将辐射能量转换成热能，并且所产生的热能引起可热分解树脂的分解，并且因此光热转换层可以分成两部分。
两种丙烯酸类树脂可以是高分子量丙烯酸类树脂和低分子量丙烯酸类树脂，并且高分子量丙烯酸类树脂的分子量可以大于低分子量丙烯酸类树脂的分子量，高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量可以为400,000g/mol至15,000,000g/mol，并且低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量可以为50,000g/mol至600,000g/mol。高分子量丙烯酸类树脂允许光热转换层具有优异的耐热性并且低分子量丙烯酸类树脂用于改善光热转换层的粘附性并有利于成膜。
高分子量丙烯酸类树脂与低分子量丙烯酸类树脂的重量比可以为1:4至4:1。以适当的比例使用高分子量丙烯酸类树脂与低分子量丙烯酸类树脂以形成具有优异的层压性能和成膜性并同时具有优异的耐热性的光热转换层。
两种丙烯酸类树脂可以包括选自以下项的单体：甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及它们的组合。
-COOH或-OH官能团的酸值可以为1mgKOH/g或更高。因此，当用于后面的基底的处理过程时，粘合剂膜可以容易地粘结到载体。
光热转换层还可以包含无机填料。在光热转换层被分割之后，无机填料可以防止再粘附性。
无机填料可以选自SiO2、Al2O3、TiO2、以及它们的组合。
光热转换层还可以包括分散剂。分散剂可以改善光吸收剂和无机填料的分散。
光热转换层的厚度可以为1μm至15μm。由此，可以使光热转换层的残留物最小化，防止激光对基底的损坏，并且有利于基底和载体的分离。
粘合剂膜还可以包括第一衬垫和第二衬垫，其中第一衬垫、粘合剂层、光热转换层和第二衬垫依次层压。也就是说，根据本发明的粘合剂膜是膜形式，并且在以后使用中可以通过移除和使用第一衬垫和第二衬垫来更加简化粘合剂膜的使用过程。
同时，使用本发明的粘合剂膜处理基底的方法包括提供根据本发明的粘合剂膜；将粘合剂膜的光热转换层附接到载体并将粘合剂层附接到待处理基底；通过处理待处理基底来形成已处理的基底；通过从载体侧向光热转换层照射激光并将载体与已处理的基底分离来分割光热转换层；以及通过使用移除带或移除溶液来从已处理的基底移除粘合剂层。
待处理基底的处理可以包括研磨其中粘合剂未粘附的待处理基底的相反表面。
待处理基底可以是柔性基底，并且待处理基底的处理可以包括在待处理基底上形成元件层。
同时，本发明的粘合剂基底包括上述粘合剂膜；以及设置在粘合剂膜的粘合剂层上的待处理基底。也就是说，本发明的粘合剂基底可具有其中光热转换层、粘合剂层和待处理基底依次层压的结构。因此，在基底的处理过程中，可以省略将粘合剂膜附接到待处理基底以简化过程并减少时间和成本。
粘合剂基底还可以包括设置在粘合剂膜的光热转换层上的衬垫。根据本发明的粘合剂基底包括待处理基底并且可以通过在使用后面的基底处理过程时仅移除一个衬垫并将粘合剂基底附接到载体来使用，由此更加简化了基底处理过程。
同时，使用本发明的粘合剂基底处理基底的方法包括提供根据本发明的粘合剂基底；将粘合剂基底的光热转换层附接到载体；通过处理待处理基底来形成已处理的基底；通过从载体侧向光热转换层照射激光并将载体与已处理的基底分离来分割光热转换层；以及通过使用移除带或移除溶液来从已处理的基底移除粘合剂层。
有益效果
根据本发明的粘合剂膜可以容易地将固定在载体上的基底与载体分离，并且具有优异的耐热性和优异的遮光效果。因此，当基底与载体分离时，可以防止对基底和在基底上形成的元件或电路的损坏和破损。此外，根据本发明，可以简化将待处理基底固定到载体上的过程，由此降低成本和时间。
附图说明
图1为根据本发明的粘合剂膜的截面图。
图2为示出根据本发明的粘合剂膜的制造过程的图示。
图3A至图3C为示出使用根据本发明的粘合剂膜的基底的处理过程的图示。
图4为根据本发明的粘合剂基底的截面图。
图5A至图5C为示出使用根据本发明的粘合剂基底的基底的处理过程的图示。
图6为示出耐热性试验结果的图示。
图7为示出粘结性能试验结果的图示。
最佳模式
参考附图，根据示例性实施方案的以下描述，本发明的各种优点和特征以及实现其的方法将变得显而易见。然而，本发明不限于以下示例性实施方案，而是可能以各种不同的形式实现。提供示例性实施方案仅用于完成本发明的发明，并且向本发明所属领域的普通技术人员完全提供本发明的范畴，并且本发明将由所附权利要求限定。
在附图中示出以用于描述本发明的示例性实施方案的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本发明不限于此。在整个本说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。此外，在以下描述中，当确定可能不必要地模糊本发明的主旨时，将省略对已知相关技术的详细描述。
在本说明书中，当使用“包括”、“具有”等时，除了使用表达“仅”之外，还可以添加除了上述细节之外的其他细节。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可包括复数。
即使没有明确说明，组件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于两个部分之间，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
本发明的示例性实施方案的特征可以部分地或完全地彼此连接或组合，并且技术上可以进行各种互锁和驱动。
在下文中，将参考附图描述本发明的示例性实施方案。将提供以下示例性实施方案作为示例，以便向本领域技术人员充分传达本发明的精神。因此，本发明不限于下面要描述的示例性实施方案，并且可以以各种不同的方式实现。
图1为根据本发明的示例性实施方案的示例性粘合剂膜的截面图。参照图1，根据本发明的示例性实施方案的粘合剂膜包括顺序层压的第一衬垫110、粘合剂层120、光热转换层130和第二衬垫140。
本发明的粘合剂膜具有膜形状，并且可以通过层压以膜形状形成的粘合剂层120和以膜形状形成的光热转换层130来配置。在稍后处理待处理基底的过程中，粘合剂层120粘附到待处理基底上，并且光热转换层130粘附到硬质载体上。
更具体地，通过照射诸如激光的辐射能量来分割光热转换层130，使得基底或基底上的元件或电路可以与载体分离而不会损坏。
光热转换层130包含光吸收剂和可热分解树脂。以诸如激光等形式施加到光热转换层130的辐射能量被光吸收剂吸收并转换成热能。所产生的热能迅速增加光热转换层130的温度，并且温度达到光热转换层130中的可热分解树脂(有机成分)的热分解温度以引起树脂的热分解。通过热分解所产生的气体在光热转换层130中形成空隙层(诸如空间)，并且光热转换层130被分成两部分以使载体和基底彼此分离。
光吸收器可以吸收辐射能并将所吸收的辐射能转换成热能。此外，光吸收剂用于阻挡光以防止待处理基底被激光等损坏。
尽管光吸收剂根据激光的波长而改变，但可使用的光吸收剂的示例包括炭黑、石墨粉末、微粒金属粉末(例如铁、铝、铜、镍、钴、锰、铬、锌和碲)、金属氧化物粉末(例如黑氧化钛)和染料以及颜料(例如基于芳族二氨基的金属络合物、基于脂族双胺的金属络合物、基于芳族二硫酚的金属络合物、基于羟基苯硫酚的金属络合物、基于方酸盐的化合物、基于菁的染料、基于次甲基的染料、基于萘醌的染料和基于蒽醌的染料)。光吸收剂可以是膜的形式，包括气相沉积金属膜。
在这些光吸收剂中，炭黑是特别有用的，并且原因是炭黑显著减小在照射后将基底与载体分离所需的力并加速分离。
光热转换层130中的光吸收剂的粒度可为约20nm至约2000nm，优选约50nm至约1000nm，并且更优选约100nm至约350nm。当光吸收剂的粒径小于约20nm时，难以使光吸收剂分散，并且随着粒径变小，由于高表面积而可能不会加载大量并且在装载量方面存在限制。此外，当光吸收剂的粒径超过约2000nm时，激光阻挡性能降低，并且激光对光热转换层130的分割性能降低。此外，随着光吸收剂的粒径增加，成膜性降低，在分散后的分散稳定性降低，并且需要缩短直到制备和涂覆液体的时间。
基于光热转换层130的总重量，光热转换层130中的光吸收剂的含量为约5重量％至约80重量％，优选约10重量％至约60重量％，并且更优选约20重量％至约50重量％。当光吸收剂的含量小于约5重量％时，通过激光的分离是困难的。另外，当光吸收剂的含量大于约80重量％时，在通过激光分割光热转换层130之后，由激光分割的光热转换层130的一部分保留在粘合剂层120的表面上，并且在这种情况下，由于高碳含量，粘附性太低。在这种情况下，在稍后通过移除带来移除粘合剂层120的过程中，存在的问题是粘合剂层120难以移除，因为粘合剂层120未很好地粘附到移除带。另外，随着光吸收剂的含量增加，光热转换层130表面上的粘附性太低，并且因此难以与载体层压并且光吸收剂的分散不均匀。
光热转换层130中的可热分解树脂包括丙烯酸类树脂。优选地，丙烯酸类树脂包括选自以下项的单体：甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及它们的组合。优选地，丙烯酸类树脂可以选自以下项的三种或更多种的组合：甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)。丙烯酸类树脂可以具有合适的分子量、Tg、耐热性和官能团。
基于光热转换层130的总重量，丙烯酸类树脂的含量可以为约5重量％至约80重量％，优选约15重量％至约60重量％，并且更优选约40重量％至约60重量％。当丙烯酸类树脂的含量小于约5重量％时，膜形成减少，并且难以调整光热转换层130的厚度，并且光热转换层130的表面的粘附性变得太低并因此难以与载体层压。此外，当丙烯酸类树脂的含量大于约80重量％时，在激光照射后需要物理力来分割光热转换层130，并且难以将基底与载体分离，并且可能发生对待处理基底和基底上形成的元件或电路的损坏。
丙烯酸类树脂优选包括具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂，并且更优选地具有高分子量丙烯酸类树脂和低分子量丙烯酸类树脂。高分子量丙烯酸类树脂允许光热转换层130具有优异的耐热性，并且低分子量丙烯酸类树脂用于改善光热转换层130的粘附性并有利于成膜。
此时，高分子量丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度Tg可以是0℃至10℃，并且低分子量丙烯酸类树脂的Tg可以是-10℃至0℃。当高分子量丙烯酸类树脂的Tg高于10℃并且低分子量丙烯酸类树脂的Tg高于0℃时，可以改善光热转换层130的耐热性，但可以降低表面粘附性。当光热转换层130的表面具有低粘附性时，在使用移除带来剥离粘合剂层140时可能发生释放失败。另一方面，当高分子量丙烯酸类树脂的Tg低于0℃并且低分子量丙烯酸类树脂的Tg低于-10℃时，可以改善粘结性能，但可能降低耐热性。
高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量为约400,000g/mol至约15,000,000g/mol，优选约500,000g/mol至约1,200,000g/mol，并且更优选约700,000g/mol至约1,000,000g/mol。当高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量小于约400,000g/mol时，光热转换层130的耐热性劣化，并且当高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量大于约15,000,000g/mol时，不容易涂覆光热转换层130并混合液体。
低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量可以为约50,000g/mol至约600,000g/mol，优选约100,000g/mol至约500,000g/mol，并且更优选约400,000g/mol至约500,000g/mol。当低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量小于约50,000g/mol时，光热转换层130的耐热性劣化，并且当低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量大于约600,000g/mol时，光热转换层130的层压性能劣化。
低分子量丙烯酸类树脂与高分子量丙烯酸类树脂的重量比可为约1:4至约4:1，优选约1:3至约3:1，并且更优选约1:2至约2:1。当低分子量丙烯酸类树脂的含量显著小于高分子量丙烯酸类树脂的含量时，光热转换层130的层压性能劣化。另外，当高分子量丙烯酸类树脂的含量显著小于低分子量丙烯酸类树脂的含量时，在激光照射后，光热转换层130的耐热性劣化并且在光热转换层130的分割表面上的粘附性强，并且因此分离需要物理上大的力。
可热分解树脂具有-COOH或-OH官能团。优选地，可热分解树脂包括具有-COOH或-OH官能团的丙烯酸类树脂。包含具有-COOH或-OH官能团的可热分解树脂的光热转换层130不是压敏粘合剂类型。光热转换层130具有通过氢键键合粘结到载体上的-COOH或-OH官能团，并且例如可以氢键键合到由玻璃制成的载体的玻璃表面上的硅烷醇基团。在这种情况下，氢键为粘合剂层和载体之间的粘合提供初始粘附性，并且由于在粘结过程之后的过程中产生的热量，光热转换层130与载体之间的粘附大大增加。
-COOH或-OH官能团的酸值可以为约1mgKOH/g或更高，优选约5mgKOH/g或更高。光热转换层130的层压性能基于COOH或-OH官能团，并且当COOH或-OH官能团的酸值小于约1mgKOH/g时，层压性能劣化。COOH或-OH官能团的酸值的上限不是问题。然而，由于化学结构，COOH或-OH官能团的酸值优选为约1mgKOH/g至约50mgKOH/g，更优选约1mgKOH/g至约30mgKOH/g，并且最多优选约10mgKOH/g至约20mgKOH/g。
光热转换层130还可以包含无机填料。由于可热分解树脂的热分解而引起的空隙层的形成，无机填料起到在光热转换层130被分割之后防止光热转换层130的再粘附性的作用。因此，在处理基底之后，当通过照射激光来分割光热转换层130时，可以进一步减小分离基底与载体所需的物理力。
无机填料可以选自SiO2、Al2O3、TiO2、以及它们的组合。具体地，在TiO2的情况下，在待处理基底上存在附加的遮光效果。
光热转换层130中的无机填料的粒度可为约20nm至约2000nm，优选约50nm至约1000nm，并且更优选约100nm至约350nm。当无机填料的粒径小于约20nm时，无机填料的分散在制造薄膜时是不容易的，并且对要加载的无机填料的量有限制。而且，当无机填料的粒径大于约2000nm时，成膜性降低并且分散后的分散耐久性劣化。
基于光热转换层130的总重量，光热转换层130中的无机填料的含量可以为约4重量％至约60重量％，优选约5重量％至约50重量％，并且更优选约5重量％至约30重量％。当无机填料的含量小于约4重量％时，随着时间的推移，光热转换层130可以再次再粘结，因为在通过激光照射的分离过程之后分离表面的粘附性很大。此外，当无机填料的含量大于约60重量％时，光热转换层130的粘附性太低，并且因此难以将光热转换层130层压在载体上，成膜性降低，以及分散不均匀。
光热转换层130还可以包括分散剂。基于光热转换层130的总重量，分散剂的含量可以为约0.1重量％至约10重量％，优选约0.1重量％至约7重量％，并且更优选约0.1重量％至约5重量％。当分散剂的含量小于约0.1重量％时，光吸收剂和无机填料在光热转换层130中的分散性可能劣化，并且分散后的分散耐久性也可能降低。此外，当分散剂的含量大于约10重量％时，光热转化层130的耐热性劣化，添加的添加剂在高温下分解并且重量损失增加。
光热转换层130可以如下形成为膜形状。将诸如炭黑的光吸收剂添加到诸如甲基乙基酮(MEK)或乙酸乙酯(EA)的溶剂中，并且此时，可以将分散剂和无机填料一起加入，并且然后通过超声处理使其分散。将具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂在室温下通过搅拌器搅拌30分钟，并且然后将其中分散有光吸收剂的溶液添加到已搅拌的混合物中，并在相同条件下再次搅拌混合物。此后，添加溶剂以将粘度和固体含量调节至有利的涂覆状态，并且通过具有逗号形辊头、槽模或唇模的涂覆机将溶剂涂覆在具有适当厚度的剥离聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上，并且然后在约90℃至约130℃的温度下干燥2分钟或更长时间以形成膜型光热转换层。
光热转换层130的厚度为约1μm至约15μm，优选约2μm至约10μm，并且更优选约3μm至约6μm。当光热转换层130的厚度小于约1μm时，在光热转换层130的分离过程中，粘合剂层120的一部分可以留在待处理基底上，并且光吸收剂的激光阻挡性能可能劣化。此外，当光热转换层130的厚度超过约15μm时，在激光照射之后需要物理上大的力来分离光热转换层130。
这种光热转换层130形成为膜形状。当光热转换层130以液体形式直接涂覆在载体上时，粘度较低，厚度小于约1μm，并且厚度可能未形成为足够大的。因此，难以充分使用能够阻挡激光的光吸收剂，并且难以防止激光对待处理基底的损害。根据本发明的光热转换层130形成为膜形状，并且因此其厚度易于调整，并且更有利的是保护待处理基底和形成在其上的电路或元件。另外，这种光热转换层130对载体的粘附性可以为150gf/25mm至1600gf/25mm。
粘合剂层120用于通过光热转换层130将待处理基底固定到载体。粘合剂层120可以形成为直接接触光热转换层130。
在通过光热转换层130的分解将基底和载体分离之后，获得其上具有粘合剂层120的基底。因此，粘合剂层120需要通过剥离等容易地与基底分离，并且粘合剂层120的粘合强度足够高以将基片固定在载体上，但足够低以与基片分离。这种粘合剂层120具有膜形状并且不是光固化粘合剂。
粘合剂层120可以是丙烯酸类粘合剂层。优选地，粘合剂层120可包括2-乙基己醇(2-EHA)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)和异氰酸酯基固化剂。在这种情况下，异氰酸酯基固化剂可以包括选自以下项的固化剂：甲苯二异氰酸酯(TDI)、亚甲基二苯基二异氰酸酯(MDI)、六亚甲基二异氰酸酯(HDI)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、二甲苯二异氰酸酯(XDI)、以及它们的组合。
粘合剂层120的厚度为约5μm至约100μm，优选约5μm至约70μm，并且更优选约10μm至约60μm。当粘合剂层120的厚度小于约5μm时，在设备的变形严重时，由于低粘附性可能发生分层。此外，当在完成待处理基底的处理之后移除粘合剂层120时，可能会撕裂粘合剂层并且残留物可能保留。此外，当粘合剂层120的厚度大于约100μm时，溶剂可能保留，因为在形成粘合剂层120时干燥效率降低，并且可以降低粘合剂层120的内聚力并因此可以保留残留物。
第一衬垫110和第二衬垫140分别用于支撑和保护粘合剂层120和光热转换层130。当使用粘合剂膜时，移除第一衬垫110和第二衬垫140。
第一衬垫110和第二衬垫140可以是涂硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，但不限于此，并且任何能够支撑和保护粘合剂层120和光热转换层130的材料都是足够的。
图2是示出根据本发明示例性实施方案的粘合剂膜的制造过程的图示。参考图2，通过卷对卷方法将膜状光热转换层130层压在第一衬垫110上形成的膜状粘合剂层120上。此后，类似地，可以通过卷对卷方法将第二衬垫140层压在光热转换层130上。
然而，本发明的粘合剂膜的制造方法不限于此，并且将膜状粘合剂层120和膜状光热转换层130层压成彼此接触的任何方法都是足够的。
在在待处理基底和载体之间使用液体粘合材料和液体光热转换材料的情况下，分别需要用于通过在载体上施加和固化光热转换材料来形成光热转换层的过程、以及用于通过在待处理基底上施加和固化粘合剂材料来形成粘合剂层的过程。此后，需要在真空中粘结粘合剂层和光热转换层的过程。也就是说，当使用液体材料时，需要涂覆时间、固化时间和粘结时间。
另一方面，在使用根据本发明的膜型粘合剂膜的情况下，移除第一衬垫、将粘合剂层附接到待处理基底、移除第二衬垫、以及将光热转换层附接到载体的过程是足够的。因此，本发明可以显著减少所需的过程时间并降低涂覆过程、固化过程、真空过程等所需的成本等。
图3A至图3C是示出使用根据本发明的粘合剂膜的基底的处理过程的图示。
参考图3A，在本发明的粘合剂膜中，移除第二衬垫，将光热转换层130附接到载体300，移除第一衬垫，并且将粘合剂层120附接到待处理基底200。在这种情况下，该过程优选在约40℃至约80℃下执行，使得光热转换层130与载体300之间的粘附性增加。
载体300是能够传输辐射能量的材料，诸如本发明中使用的激光，并且需要该材料来保持待处理基底200处于平坦状态，并防止待处理基底200在处理和输送过程中被破坏。载体300优选地是坚硬且透射的。
载体300的透射率不受限制，除非它防止辐射能量传输到光热转换层130中，以便使得能够分解光热转换层130。然而，透射率可以是例如约50％或更高。
为了防止待处理基底在处理期间变形，优选载体300具有足够高的刚性，并且载体300的弯曲强度优选为2×10-3(Pa·m3)或更大，并且更优选为3×10-2(Pa·m3)或更大。
此外，优选的是载体300具有足够的耐热性以防止由于在待处理基底上执行的过程中可能发生的热历史而造成的损坏，并且载体300的热变形温度优选为550℃或更高，或者更优选为700℃或更高。
载体300可以是例如玻璃。此外，为了提高与诸如光热转换层130的相邻层的粘附性强度，如果需要，可以用粘结剂等对载体300进行表面处理。
此后，待处理基底200和载体300通过插置在其间的包括光热转换层130和粘合剂层120的粘合剂膜来彼此固定，并且然后处理待处理基底200。
待处理基底200是固定并处理到载体300以及然后与载体300分离的基底，例如，可以是用于柔性显示器的晶片或基底。
作为示例，待处理基底200可以包括诸如硅和砷化镓的半导体晶片、石英晶片、蓝宝石或玻璃。待处理基底200的电路表面可以粘附到粘合剂层120。此后，可以通过研磨机等研磨未粘附到粘合剂层120的待处理基底200的表面，以加工成薄的基底。
作为另一示例，待处理基底200可以是环氧树脂模制晶片。待处理基底200的模制表面可以粘附到粘合剂层120，并且此后，可以通过执行用于将电路连接到待处理基底200的未粘附到粘合剂层120的表面的预定过程，将待处理基底200处理成完整的基底。
同时，作为又一示例，待处理基底200可以是塑料基底，金属薄膜等作为柔性基底。例如，待处理基底200可以是PI。然而，待处理基底200不限于此，并且作为具有柔性特性的材料，可以用作柔性显示器的基底的材料是足够的。
例如，“处理”可以包括在待处理基底200上形成元件层的过程。尽管未示出，但元件层可以由多个薄膜层和电气元件组成，并且更具体地，元件层可以包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。
柔性显示器可以是从有机发光二极管显示器、液晶显示器和电泳显示器中选择的任何一种。然而，本发明不限于此，柔性显示器可以包括使用柔性基底的所有柔性显示器。
参照图3B，在期望的处理水平之后，通过照射激光400来执行载体300和已处理的基底210的分离。从载体300侧照射激光400。
光热转换层130的光吸收剂通过激光400吸收辐射能量，以将辐射能量转换成热能。所产生的热能迅速增加光热转换层130的温度，并且温度引起光热转换层130中的可热分解树脂的分解。通过热分解所产生的气体在光热转换层130中形成空隙层，并且光热转换层130被分成两部分以使载体300和已处理的基底210彼此分离。
光热转换层130中的可热分解树脂通过激光400的照射而分解，以在层内部形成裂缝，从而分离光热转换层本身。由树脂分解产生的气体最终在两层之间引入，以使两层彼此分离。因此，为了促进气体的引入，优选从光热转换层130的边缘部分将激光400照射到光热转换层130中。
为了从光热转换层130的边缘部分使用激光400，可以使用在从边缘部分线性往复运动的同时施加激光400的方法，或者可替代地，如同留声机一样从边缘部分向中心螺旋地照射激光400的方法。
激光400通常是波长为约300至约11,000nm并且优选约300至约2,000nm的激光，并且作为具体示例，激光400包括发射波长为1064nm的光的YAG激光，波长为532nm的二次谐波发生YAG激光，以及波长为780至1,300nm的半导体激光。
参考图3C，在移除载体300之后，移除已处理的基底210上的粘合剂层120。为了移除粘合剂层120，优选使用对粘合剂层120具有比处理后的基底210和粘合剂层120之间的粘附性更强的粘附性的移除带500。可以将这样的移除带500粘附到粘合剂层120上，并且然后与粘合剂层120一起剥离，以从已处理的基底210上移除粘合剂层120。虽然未在图中示出，但在光热转换层130在粘合剂层120上被分割之后，可以保留光热转换层130的一部分。
同时，尽管图中未示出，但在移除载体300之后，可以使用移除溶液来移除处理基底210上的粘合剂层120。优选地，其中保留光热转换层的一部分的粘合剂层120可以浸入移除溶液中以移除粘合剂层120。优选地，粘合剂层120可以浸入移除溶液中持续约10秒至60秒。此外，移除溶液可包括反式-1,2-二氯乙烯和氢氟醚。
当已处理的基底210的尺寸或面积较时，可能难以用移除带500一次移除粘合剂层120。然而，当使用移除溶液时，有利的是移除具有大面积的粘合剂层120。此外，不需要附加的外部物理力，并且可以在短时间内移除粘合剂层120而没有残留物。
根据本发明的处理基底的方法是环保的，因为当通过使用预先制备的粘合剂膜处理基底时不需要溶剂。此外，在使用预先制备的粘合剂膜的情况下，在处理基底时，可以减少载体和基底对热、UV等的暴露，由此防止附加的损坏。
此外，由于可以省略在载体或待处理基底上直接涂覆和固化粘合材料或光热转换材料的过程，因此该过程可以简化，并且可以降低处理成本和时间。此外，有利的是形成均匀厚度的粘合剂层和光热转换层，并且该过程甚至可以用于大面积基底的处理中。
接下来，将参考图4描述根据本发明的粘合剂基底。可以省略与上述粘合剂膜重复的内容，并且相似的附图标记表示相似的构成元件。图4为根据本发明的粘合剂基底的截面图。
参照图4，根据本发明示例性实施方案的粘合剂基底包括顺序层压的衬垫150、光热转换层130、粘合剂层120和待处理基底600。粘合剂层120和光热转换层130可以层压在待处理基底600上。在稍后要处理的基底600的处理过程中，光热转换层130粘附到硬质载体上。
粘合剂基底的粘合剂层120和光热转换层130与上述粘合剂膜的粘合剂层和光热转换层相同。也就是说，根据本发明的粘合剂基底可以包括上述粘合剂膜和待处理基底。然而，衬垫150可以仅设置在粘合剂基底中的光热转换层130上。
待处理基底600可以是用于柔性显示器的基底。
例如，待处理基底600可以用作塑料基底，金属薄膜等作为柔性基底。然而，待处理基底600不限于此，并且作为具有柔性特性的材料，可以用作柔性显示器的基底的材料是足够的。优选地，待处理基底600可以是PI膜。
可以将待处理基底600加工成其上形成有元件层的基底。元件层可以由多个薄膜层和电气元件组成，并且更具体地，元件层可以包括薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。例如，在待处理基底600上形成薄膜晶体管和有机层，并在薄膜晶体管和有机层上形成封装层，以制造处理后的基底。
柔性显示器可以是从有机发光二极管显示器、液晶显示器和电泳显示器中选择的任何一种。然而，本发明不限于此，柔性显示器可以包括使用柔性基底的所有柔性显示器。
衬垫150用于支撑和保护光热转换层130。当光热转换层130附接到载体以处理待处理基底600时，移除衬垫150。衬垫150可以是涂覆有机硅的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，但不限于此，并且能够支撑和保护光热转换层130的材料是足够的。
将薄膜型光热转换层130层压在形成于基底600上的薄膜型粘合剂层120上以通过卷对卷方法进行处理，并且然后，可以通过卷对卷方法以相同的方式将衬垫150层压在光热转换层130上以形成粘合剂基底。
然而，本发明的粘合剂基底的制造过程不限于此，并且将粘合剂层120和膜型光热转换层130层压在待处理基底600上以使其彼此接触的任何方法是足够的。
本发明的粘合剂基底使用膜型光热转换层130，由此与使用液体材料的情况相比显著减少了所需的处理时间，并且降低了施加过程、固化过程、真空过程等所需的成本等。此外，由于本发明的粘合剂基底包括待处理基底600，因此省略了在基底的处理过程中将粘合剂膜粘附到待处理基底上的步骤，从而简化了过程并减少了时间和成本。
图5A至图5C是示出使用根据本发明的粘合剂基底的基底的处理过程的图示。
参照图5A，在根据本发明的粘合剂基底中，移除衬垫并且将光热转换层130附接到载体300。在这种情况下，该过程优选在约40℃至约80℃下执行，使得光热转换层130与载体300之间的粘附性增加。
载体300是能够传输辐射能量的材料，诸如本发明中使用的激光，并且需要该材料来保持待处理基底600处于平坦状态，并防止待处理基底600在处理和输送过程中被破坏。载体300优选地是坚硬且透射的。
载体300的透射率不受限制，除非它防止辐射能量传输到光热转换层130中，以便使得能够分解光热转换层130。然而，透射率可以是例如约50％或更高。
此外，为了防止待处理基底在处理期间变形，优选载体300具有足够高的刚性，并且载体300的弯曲强度优选为2×10-3(Pa·m3)或更大，并且更优选为3×10-2(Pa·m3)或更大。
此外，优选的是载体300具有足够的耐热性以防止由于在待处理基底上执行的过程中可能发生的热历史而造成的损坏，并且载体300的热变形温度优选为550℃或更高，或者更优选为700℃或更高。
载体300可以是例如玻璃。此外，为了提高与诸如光热转换层130的相邻层的粘附性强度，如果需要，可以用粘结剂等对载体300进行表面处理。
此后，待处理基底600和载体300通过插置在其间的包括光热转换层130和粘合剂层120的粘合剂膜来彼此固定，并且然后处理待处理基底600。待处理基底600是固定并处理到载体300以及然后与载体300分离的基底。
待处理基底600是用于柔性显示器的基底，并且可以被加工成具有在待处理基底600上形成的元件层的基底。
参照图5B，在期望的处理水平之后，通过照射激光400来执行载体300和已处理的基底610的分离。从载体300侧照射激光400。
光热转换层130的光吸收剂通过激光400吸收辐射能量，以将辐射能量转换成热能。所产生的热能迅速增加光热转换层130的温度，并且温度引起光热转换层130中的可热分解树脂的分解。通过热分解所产生的气体在光热转换层130中形成空隙层，并且光热转换层130被分成两部分以使载体300和已处理的基底610彼此分离。
光热转换层130中的可热分解树脂通过激光400的照射而分解，以在层内部形成裂缝，从而分离光热转换层本身。由树脂分解产生的气体最终在两层之间引入，以使两层彼此分离。因此，为了促进气体的引入，优选从光热转换层130的边缘部分将激光400照射到光热转换层130中。
为了从光热转换层130的边缘部分使用激光400，也可以使用在从边缘部分线性往复运动的同时施加激光400的方法，或者可替代地，如同留声机一样从边缘部分向中心螺旋地照射激光400的方法。
激光400通常是波长为约300至约11,000nm并且优选约300至约2,000nm的激光，并且作为具体示例，激光400包括发射波长为1064nm的光的YAG激光，波长为532nm的二次谐波发生YAG激光，以及波长为780至1,300nm的半导体激光。
参考图5C，在移除载体300之后，移除已处理的基底610上的粘合剂层120。可以使用移除溶液700来移除粘合剂层120。虽然未在图中清除地示出，但在光热转换层在粘合剂层120上被分割之后，可以保留光热转换层的一部分。其中保留光热转换层的一部分的粘合剂层120可以浸入移除溶液700中以移除粘合剂层120。
优选地，可以通过将粘合剂层120浸入容纳在容器800中的移除溶液700中约10秒至60秒来移除粘合剂层120。这种移除溶液700可包括反式-1,2-二氯乙烯和氢氟醚。
具体地，当已处理的基底610具有大尺寸或大面积时，或者当已处理的基底610由薄且易碎的材料制成时，在移除粘合剂层120时使用移除溶液700是有利的。使用移除溶液700不需要附加的外部物理力，并且可以在短时间内移除粘合剂层120而没有残留物。
同时，尽管图中未示出，但为了移除粘合剂层120，还可以使用对粘合剂层120具有比已处理的基底610与粘合剂层120之间的粘附性更强粘附性的移除带。当粘合剂层120或已处理的基底610的尺寸或面积较小时，可以通过使用这种移除带容易地移除粘合剂层120。
根据本发明的处理基底的方法是环保的并且可以防止对基底的额外损坏。此外，简化了该过程，由此降低了处理成本和时间。
在下文中，将通过实验实施例更详细地描述本发明，但以下实验实施例仅用于验证本发明，并且本发明不限于此。即本发明的实施例可以修改为各种形式，并且本发明的范围不应该被解释为受下面描述的实验实施例的限制。
实施例1
将6重量％的粒径为240nm的炭黑(Cancarb Corporation)、4重量％的粒径为240nm的二氧化钛(Huntsman)、以及1重量％的分散剂(BYK Chemie Japan Co.,Ltd.)添加到75重量％的甲基乙基酮(MEK,Samchun Chemical Co.,Ltd.)中，并通过使用超声波分散器分散持续30分钟以制备其中分散有光吸收剂的溶液。将除PSA以外的7重量％的高分子量丙烯酸类聚合物弹性体(其具有为1,000,000g/mol的重均分子量和10mgKOH/g或以上的COOH/OH官能团)，以及除PSA以外的7重量％的低分子量丙烯酸类聚合物弹性体(其具有为500,000g/mol的重均分子量和5mgKOH/g或以上的COOH/OH官能团)彼此混合并用搅拌器搅拌30分钟以制备可热分解树脂。将可热分解树脂添加到其中分散有光吸收剂的溶液中，并且然后再搅拌20分钟。此后，添加甲基乙基酮(MEK)，使得混合物具有适于200CPS至5,000CPS的涂覆的粘度。通过具有逗号形辊头的涂覆机将完成的混合物涂覆在厚度为5μm的剥离聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(SG-31)上，并且然后在110℃至130℃的温度下干燥2分钟以形成膜型光热转换层。
基于光热转换层的总重量，通过这种方法制备的光热转换层包括24重量％的炭黑、16重量％的二氧化钛、4重量％的分散剂、28重量％的高分子量丙烯酸类聚合物弹性体和28重量％的低分子量丙烯酸类聚合弹性体。
将在先前制备的第一衬垫上形成的粘合剂层(3M公司，ATT4025)和在第二衬垫上形成的光热转换层通过卷对卷过程层压以制备最终的粘合剂膜。
此后，首先移除第二衬垫以将载体粘结到光热转换层上，并且然后移除第一衬垫以将待处理基底和粘合剂层粘结，以便形成玻璃板、粘合剂膜和晶片的层压体。将粘合剂膜层压到载体和待处理基底上花费约3分钟，并且所有粘结过程在70℃的热板上进行。
使用203mm(直径)×0.7mm的圆形玻璃板(Corning)作为透射载体，并且使用203mm(直径)×750μm(厚度)的圆形硅晶片作为待处理基底。
此后，将玻璃板、粘合剂膜和晶片的层压体置于研磨设备上，并且通过在供给水的同时使旋转的砂轮与层压体接触来进行研磨。进行研磨以提供50μm的晶片厚度。
在研磨完成后，使用激光输出为15W、激光直径和扫描间距为100μm，并且激光照射速度为1.0m/s的YAG激光(波长：1,064nm)进行激光照射。通过从层压体的边缘部分沿切线方向线性往复，将激光照射到层压体和层压体的整个表面上。此后，玻璃板容易与接地晶片分离，并在其上获得具有粘合剂层的晶片。
为了从晶片上剥离粘合剂层，将压敏移除带(3M；SCOTCHTM#3305)在40℃的温度下附接到粘合剂层的表面并在180°方向上剥离，以便获得厚度为50μm的硅晶片而没有晶片损坏。
实施例2至8
除了各组分的含量之外，以与实施例1相同的方式制备包含根据实施例2至8的膜型光热转换层的层压膜。在每个实施例中的光热转换层的组分含量示于下表1中。
[表1]
Figure BDA0002093271560000191
Figure BDA0002093271560000201
随后，将载体和光热转换层彼此粘结并将待处理基底和粘合剂层彼此粘结以形成玻璃板、粘合剂膜和晶片的层压体。此后，以与实施例1相同的方式，执行晶片的研磨，并将激光照射到层压体上以分离载体。此后，使用压敏移除带剥离粘合剂层。以与实施例1相同的方式执行该过程。
在根据实施例2至8的层压体中，当玻璃板容易与研磨晶片分离时，可以容易地分离载体，并且可以获得其上具有粘合剂层的晶片而不会损坏。另外，在用移除带剥离粘合剂层的情况下，证实没有损坏晶片。
比较例1
通过旋涂法将液体光热转换材料(3M LTHC油墨)涂覆在载体(陶氏康宁玻璃(8英寸))上。在涂覆后，将光热转换材料在150℃至180℃的温度下热固化2小时，以制备涂覆有厚度为约0.9μm的光热转换材料的载体。
通过旋涂法将粘合剂材料(3M；LC-5320)涂覆在待处理基底(裸镜晶片，8英寸，750μm)上。一次涂覆所需的粘合剂材料的量为至少2g到至多10g。通过以两个步骤调整旋转速度来实现旋涂，并且在第一步骤中以500RPM旋转并在第二步骤中以1200RPM旋转。通过旋涂在待处理基底上形成粘合剂层，并且然后在10-5至10-9(Torr)的真空下将涂有光热转换材料的载体和涂有粘合材料的待处理基底相互粘结。此后，用强度为1200mJ/cm2的UV照射粘合剂材料并光固化，以制备涂覆有粘合剂材料的待处理基底。
花费约125分钟通过在载体与待处理基底之间形成光热转换材料和粘合材料来制备层压体。
比较例2
以与实施例相同的方式进行试验，不同之处在于，在不使用任何光热转换层的情况下，以具有比晶片的粘附性低的粘附性的粘合剂与晶片接触的状态，通过使用双面压敏移除带(SCOTCHTM#9415高附着力/低附着力)代替粘结层，制备由硅晶片、压敏移除带和玻璃基底组成的层压体。硅晶片无法剥离。
实验例1-耐热性试验
使用热重分析仪(TGA)评价实施例1、实施例6至8和比较例1中的膜样品的耐热性。将10mg的各样品分开，并在氮气氛下在特定温度(200℃和250℃)下并经过一段时间(1小时)测量样品的重量损失。在下表2中示出了结果。
[表2]
Figure BDA0002093271560000211
参考上表2，在实施例和比较例1中在200℃下观察到类似的重量损失，但重量损失在250℃下显著不同。因此，可以确认实施例1和实施例6至8具有比比较例1更优异的耐热性。
此外，将根据实施例1制备的层压体和根据比较例1制备的层压体分别在300℃和氮气氛中老化1小时。结果参见图6，在粘结过程后，在室温下根据比较例1制备的层压体和根据实施例1制备的层压体均没有损坏，但在300℃下老化1小时后，目视确认在根据比较例1制备的层压体中发生损坏。
因此，可以确认使用膜型粘合剂膜的实施例如本发明那样具有优异的耐热性。
实验例2-遮光属性试验
为了评价遮光性，将实施例1至5和比较例1中的膜样品层压在两个载玻片之间。将制备的层压体置于激光指示器的传感器部分(来自OPHIR Photonics Corporation的NOVAII)，并且然后使用YAG激光(SS16-716，波长：1,064nm，激光直径：0.4mm，频率：25KHz，照射速度：1100mm/s，口径：0.05mm)以20W的激光输出用激光照射。
因此，分别地，根据比较例1制备的层压体具有通过3.7W的光测量的19％的透光率，并且根据实施例1至5制备的层压体具有通过0.2W的光测量的1％的透光率。
因此，可以确认使用膜型粘合剂膜的实施例的遮光效果比类似本发明的比较例1更优异。
实验例3-粘附性试验
在将根据实施例2至5的粘合剂膜的光热转换层粘结到玻璃板上之后，在粘结后和在220℃下老化1小时后，分别测量玻璃板和光热转换层之间的粘附。
此外，在将根据实施例2至5的粘合剂膜的粘合剂层粘结到晶片上之后，分别测量粘结后和在220℃下老化1小时后晶片和粘合剂层之间的粘附性。
结果如下表3中所示。
[表3]
Figure BDA0002093271560000221
*2000gf/25mm是指用于剥离粘合剂膜的移除带与粘合剂膜之间的粘附性。由于粘合剂膜是柔软的，因此不能通过直接拉伸粘合剂膜来测量粘附性，并且在在粘合剂膜的上部上粘结和剥离另一基底时测量粘附性。此时，由于粘合剂膜和玻璃板之间的粘附性太高，因此粘合剂膜不会分离，并且当粘结到上部的另一基底(移除带)与粘合剂膜彼此分离时，测量到2000gf/25mm。因此，预计粘合剂膜和玻璃板之间的粘附性实际上大于2000gf/25mm。
参照表3，其中丙烯酸类树脂含量高的实施例2在粘结后具有最高的粘附性。然而，证实了当执行热处理时，在所有实施例中粘附性都很高，并且在激光照射之前，粘合剂膜和玻璃板没有彼此分离，并且在该过程期间玻璃板与粘合剂膜之间的粘附性是优异的。
同时，粘合剂层和晶片之间的初始粘附性为400gf/25mm或更高，但在施加恒定热量时降低至约180gf/25mm。因此，由于热量导致的粘附性降低，在处理之后容易剥离粘合剂膜和晶片，并且可能不会留下残留物。
实验实施例4-炭黑和丙烯酸类树脂的含量的优化
除了各组分的含量之外，以与实施例1相同的方式制备根据实施例9至27的层压膜。另外，在实施例25至27中，使用氧化铝(Denka)代替二氧化钛。在实施例9至27中，可以形成所有膜型光热转换层，并且可以制备包含光热转换层的层压膜。
接下来，试验根据实施例9至27的层合膜的粘结性能、激光照射后的脱粘性能、以及光热转换层的玻璃板的剥离性能。
当在70℃下使用辊将制备的粘合剂膜粘合到宽度为1英寸的玻璃板上时，执行粘结性能试验，将PET附接到与玻璃板粘结的粘合剂膜上，并且然后使用UTM从玻璃板上剥离包含PET的粘合剂膜，并且测量粘附性(剥离速度：300mm/min，剥离角度：180)，并且用肉眼观察粘结状态。根据以下标准对结果进行分类。
◎：良好粘结到玻璃板的前表面，
Δ：在玻璃板的整个表面上观察到空隙，
X：粘结不是部分或完全表现良好。
当制备的粘合剂膜在70℃下粘结到玻璃板上时，执行激光照射后的脱粘性能试验，并且然后在40℃下再次将与粘合剂膜粘结的玻璃板粘结到晶片上，并且此后，通过激光照射进行脱粘来确认脱粘度。根据以下标准对结果进行分类。
◎：无需任何外部刺激即可轻松移除
○：需要施加弱力以分离光热转换层和玻璃板，
Δ：通过施加强力和提升(无可加工性)来实现脱粘
X：没有脱粘(无可加工性)
在激光照射后将玻璃板脱粘时进行剥离性能试验，在40℃下使用压敏移除带(3M；SCOTCHTM#3305)移除留在晶片上的粘合剂层，并且然后用肉眼检查残留物。根据以下标准对结果进行分类。
◎：可移除而无任何残留
○：沿玻璃板边缘发现少量残留物，
Δ：在边缘外发现少量残留物，
X：有许多部件没有整体剥离。
每个实施例中的光热转换层的组分含量和实验结果示于下表4中，并且每个值表示重量％。
[表4]
Figure BDA0002093271560000241
参照表4，在实施例9至27中，可以形成膜型光热转换层。具体地，可以确认当丙烯酸类树脂的含量(高分子量丙烯酸类聚合物弹性体和低分子量丙烯酸类聚合物弹性体的含量之和)为40重量％或更多，以及填料的总含量(炭黑、二氧化钛和氧化铝的含量之和)为60重量％或更低时，粘结性能、剥离性能等是优异的。
实验例5-丙烯酸类树脂的优化
除了各组分的含量之外，以与实施例1相同的方式制备包括根据比较例3和4以及实施例28的膜型光热转换层的层压膜。比较例3和4以及实施例28中的光热转换层的组分含量示于下表5中。
[表5]
比较例3 比较例4 实施例28
高分子量丙烯酸类聚合物弹性体 49.2重量％ 0重量％ 24.6重量％
低分子量丙烯酸类聚合物弹性体 0重量％ 49.2重量％ 24.6重量％
炭黑 32.8重量％ 32.8重量％ 32.8重量％
二氧化钛 16.4重量％ 16.4重量％ 16.4重量％
分散剂 1.6重量％ 1.6重量％ 1.6重量％
随后，试验根据比较例3和4以及实施例28的层压膜的光热转换层的玻璃板的粘结性能和耐热性。
当在70℃下使用辊将制备的粘合剂膜粘合到宽度为1英寸的玻璃板上时，执行粘结性能试验，并且然后用肉眼观察粘结状态，并且将PET附接在与玻璃板上部粘结的粘合剂膜上，然后使用UTM(剥离速度：300mm/min，剥离角度：180)从玻璃板上剥离包含粘合PET的粘合剂膜，并且测量剥离强度。
通过肉眼的空隙观察的结果在图7中示出。参考图7，可以确认当仅使用高分子量聚合物弹性体时，其空隙性差。因此，可以确认实施例28的粘结性能明显优于比较例3的粘结性能。
同时，作为通过UTM测量剥离强度的结果，比较例3具有120gf/25mm的粘附性，比较例4具有1730gf/25mm的粘附性，并且实施例28具有1600gf/25mm的粘附性。
也就是说，当仅使用高分子量聚合物弹性体时，粘合剂膜与载体的粘附性非常低，并且因此难以将粘合剂膜粘合到载体上，并且因此在该过程中可能发生缺陷。因此，可以确认实施例28的剥离性能明显优于比较例3的剥离性能。
当在特定温度(200℃和250℃)和氮气氛下经过一段时间(1小时)
测量制备的粘合剂膜样品的重量损失时，执行耐热性试验。结果如下表6中所示。
[表6]
Figure BDA0002093271560000261
参照表6，在仅使用低分子量丙烯酸类聚合物弹性体的比较例4中，可以确认重量损失非常大并且耐热性差。因此，可以确认实施例28的耐热性明显优于比较例4的耐热性。
因此，可以确认，当使用包括如本发明的具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂的粘合剂膜时，粘合性能、剥离性能和耐热性完全优异。
实施例29
以与实施例1相同的方式，制备包括以下的膜型光热转换层：44重量％的丙烯酸类聚合物弹性体(22重量％的高分子量丙烯酸类聚合物弹性体和22重量％的低分子量丙烯酸类聚合物弹性体)、44重量％的炭黑、10.5重量％的二氧化钛和1.5重量％的分散剂。
将在第二衬垫上形成的光热转换层层压在通过卷对卷过程在预先制备的第一衬垫上形成的粘合剂层(3M公司，ATT 4025)上以制备粘合剂膜，并且移除第一衬垫，在粘合剂层上层压聚酰亚胺薄膜以制备最终的粘合剂基底。
实验例6-耐化学性试验
试验根据实施例29的粘合剂基底的耐化学性。在下表7中所示的试验条件下将粘合剂基底浸入化学材料中，测量浸入后的重量变化，并目视检查表面上的损坏。结果如下表7中所示。
[表7]
Figure BDA0002093271560000262
Figure BDA0002093271560000271
通常，当在待处理基底上形成元件层时，在硅蚀刻过程等中使用化学材料。因此，为了稳定地执行基底的处理过程，粘合剂膜需要具有耐化学性。
参照表7，可以确认根据本发明的粘合剂基底在大多数化学材料中具有耐化学性。具体地，在老化过程的情况下，可以确认在所有试验的化学物质中都没有问题，并且粘合剂基底具有优异的耐化学性。
实验例7-移除溶液的剥离性能试验
用激光照射根据实施例29的粘合剂基底以分离载体，并且然后试验粘合剂层的剥离性能。当使用移除溶液(3M；Novec 73DE)移除粘合剂层时，执行剥离性能试验，并且然后目视确认残留物。根据以下标准对结果进行分类。
◎：可移除而无任何残留
○：沿玻璃板边缘发现少量残留物，
Δ：在边缘外发现少量残留物，
X：有许多部件没有整体剥离。
剥离性能试验的结果示于下表8中。
[表8]
Figure BDA0002093271560000272
参考上面的表8，通过移除溶液的对粘合剂层的移除性能非常优异。当使用移除溶液时，无论样品的热处理如何，都完全移除粘合剂层。使用这种移除溶液移除粘合剂层特别适合于具有大屏幕的柔性显示器，因为不需要外部物理力。
如上，描述了本发明的示例性实施方案，但是仅作为示例，并且本领域技术人员应当理解，可以进行各种修改和等同。因此，应该理解，本发明的范围不仅包括以下权利要求，还包括其等同物。
附图标号和符号的说明
110：第一衬垫；120：粘合剂层；130：光热转换层；140：第二衬垫；150：衬垫；200：待处理基底；210：已处理的基底；300：载体；400：激光；500：移除带；600：待处理基底；610：已处理的基底；700：移除溶液；800：容器

Claims (14)

1.一种粘合剂膜，所述粘合剂膜包括：
光热转换层，所述光热转换层包含光吸收剂和具有-COOH或-OH官能团的可热分解树脂；
粘合剂层，
第一可移除衬垫；和
第二可移除衬垫；
其中所述可热分解树脂包括具有不同重均分子量的两种丙烯酸类树脂；并且
其中所述第一可移除衬垫、所述粘合剂层、所述光热转换层和所述第二可移除衬垫以直接接触的方式依次层压。
2.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述光吸收剂为炭黑。
3.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述两种丙烯酸类树脂为高分子量丙烯酸类树脂和低分子量丙烯酸类树脂，并且所述高分子量丙烯酸类树脂的分子量大于所述低分子量丙烯酸类树脂的分子量，
所述高分子量丙烯酸类树脂的重均分子量为400,000g/mol至15,000,000g/mol，并且所述低分子量丙烯酸类树脂的重均分子量为50,000g/mol至600,000g/mol。
4.根据权利要求3所述的粘合剂膜，其中所述高分子量丙烯酸类树脂与所述低分子量丙烯酸类树脂的重量比为1:4至4:1。
5.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述两种丙烯酸类树脂包括选自以下项的单体：甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及它们的组合。
6.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述-COOH或-OH官能团的酸值为1mgKOH/g或更高。
7.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述光热转换层还包含无机填料。
8.根据权利要求7所述的粘合剂膜，其中所述无机填料选自SiO2、Al2O3、TiO2、以及它们的组合。
9.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述光热转换层还包含分散剂。
10.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述光热转换层的厚度为1μm至15μm。
11.一种用于处理基底的方法，所述方法包括：
提供根据权利要求1至10中任一项所述的粘合剂膜；
移除所述第一可移除衬垫，然后将所述粘合剂层附接到所述基底；
移除所述第二可移除衬垫，然后将所述粘合剂膜的所述光热转换层附接到载体；
通过处理所述基底来形成已处理的基底；
通过从载体侧向所述光热转换层照射激光并将所述载体与所述已处理的基底分离来分割所述光热转换层；以及
通过使用移除带或移除溶液来从所述已处理的基底移除所述粘合剂层。
12.根据权利要求11所述的用于处理基底的方法，其中所述基底的处理包括研磨所述粘合剂未粘附到的所述基底的相反表面。
13.根据权利要求11所述的用于处理基底的方法，其中所述移除溶液包括反式-1,2-二氯乙烯和氢氟醚。
14.一种用于形成根据权利要求1至10中任一项所述的粘合剂膜的方法，所述方法包括：
提供在第一衬垫上形成的粘合剂层；
提供在第二衬垫上形成的光热转换层；
将所述在第一衬垫上形成的粘合剂层层压至所述在第二衬垫上形成的光热转换层。
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