TW201835202A - 黏著劑膜與黏著劑基材 - Google Patents

黏著劑膜與黏著劑基材 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種黏著劑膜，其包括：光熱轉換層，該光熱轉換層包括光吸收劑與熱可分解樹脂；及黏著劑層，其中該熱可分解樹脂具有-COOH或-OH官能基並且包括具有不同重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂，以及關於一種黏著劑基材，其包括該黏著劑膜與一待處理的基材。在根據本發明的該黏著劑膜與該黏著劑基材中，簡化基材的處理程序並且降低成本與時間，並且防止損壞基材與形成在基材上的電路或元件係可行的。

Description

黏著劑膜與黏著劑基材
本發明係關於一種黏著劑膜與一種黏著劑基材，且更具體地，係關於包括使用在基材的處理程序中的待處理的基材之一種黏著劑基材，以及設置在待處理的基材與支撐件之間的一種黏著劑膜。
在各種領域中，通常較佳的是使用薄基材或可撓基材。在形成薄基材或使用可撓基材的程序中，提供了一種程序，其在基材黏附至硬支撐件之後，將基材從硬支撐件分離，且然後完成基材的處理。
作為一實例，在石英裝置的領域中，較佳的是減小石英晶圓的厚度，以增加振盪頻率。具體地，在半導體工業中，為了藉由晶片層壓技術來製造高密度的半導體，並且減小半導體封裝的厚度，正在努力的是進一步減小半導體晶圓的厚度。
藉由在與包括圖案形成的電路的表面相對的表面上的所謂的半導體晶圓的後側研磨，來執行厚度減小。為了減小厚度，提供了一種方法，在該方法中，當晶圓藉由黏著劑牢固地固定在硬支撐件上時，研磨晶圓的後側並且輸送，且然後從硬支撐件分離晶圓。藉由 使用硬支撐件來支撐晶圓，從而在研磨後側以及輸送時防止晶圓破裂，並且以小厚度的位準處理晶圓。
同時，作為另一實例，已經開發了一種可撓顯示器，其能夠增強美感功能並給予使用中的各種功能，且在此情況下，較佳的是使用可撓基材。期待可撓顯示器作為下一代的顯示器，來取代可攜式電腦、電子報紙或智能卡、與印刷媒體，諸如書本、報紙、雜誌、及類似者。根據美學功能的增強、薄型化、與輕量化，此類顯示器需要具有各種材料，並且應用與使用各種可撓基材。例如，薄膜金屬片、塑料、及類似者可使用在可撓基材上。
然而，歸因於彎曲特性，很難將可撓基材應用至以玻璃或石英基材為目標所設計的現有顯示器之製造設備。例如，存在有限制：難以藉由軌道設備或機器人來輸送可撓基材或接收可撓基材在盒中。
因此，在元件形成之前，可撓基材黏附至硬支撐件上，當元件形成在可撓基材上時，支撐件支撐可撓基材，且在元件形成在基材上之後，將支撐件從可撓基材剝離。結果，即使使用可撓基材，也可提供元件穩定地形成的可撓顯示器。
然而，此類程序進一步包括在基材與硬支撐件之間塗佈黏著劑、固化黏著劑、及類似者，且因此，問題在於，該程序被複雜化，而且增加成本與時間。此外，在處理基材之後將基材從硬基材分離的程序中，問題在於，晶圓或基材本身會受損，或者，晶圓的電路與可撓基材的元件會受損。
揭露
本發明的一目的是提供一種黏著劑膜與一種黏著劑基材，使得固定在支撐件上的基材可容易地從支撐件剝離。結果，當基材從支撐件分離時，可防止物理力損壞與破壞基材以及基材上所形成的元件或電路。
此外，本發明的另一目的是具體地提供一種黏著劑膜與一種黏著劑基材，其具有優異的耐熱性與優異的遮光效果，以防止損壞待處理的基材以及形成在基材上的元件或電路。
本發明的又一目的是提供一種黏著劑膜與一種黏著劑基材，其藉由將待處理的基材固定在支撐件上並簡化剝離程序而能夠減少成本與時間。
本發明的又另一目的是提供一種黏著劑基材，其藉由省略在基材的處理程序中將黏著劑膜附接至待處理的基材之程序、藉由提供包括待處理的基材之黏著劑基材，而能夠簡化程序並且減少時間與成本。
用於解決相關技術中的問題之本發明的黏著劑膜包括：光熱轉換層，該光熱轉換層包括光吸收劑與熱可分解樹脂；及黏著劑層，其中該熱可分解樹脂具有-COOH或-OH官能基並且包括具有不同 重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂。結果，光熱轉換層可具有具有足夠厚度的膜形狀，且當光熱轉換層用於稍後的基材的處理程序時，黏著劑膜可容易地接合至支撐件。此外，在完成基材的處理之後，藉由雷射照射可容易地分離基材，以防止損壞基材以及形成在基材上的電路或元件。
光吸收劑可係碳黑。碳黑吸收要施加的輻射能量，以將輻射能量轉換成熱能，且所產生的熱能導致熱可分解樹脂的分解，且因此光熱轉換層可分割成兩部分。
兩種丙烯酸樹脂可係高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂，且該高分子量丙烯酸樹脂可具有大於該低分子量丙烯酸樹脂的一分子量，該高分子量丙烯酸樹脂的該重量平均分子量可係400,000g/mol至15,000,000g/mol，且該低分子量丙烯酸樹脂的該重量平均分子量可係50,000g/mol至600,000g/mol。高分子量丙烯酸樹脂允許光熱轉換層具有優異的耐熱性，且低分子量丙烯酸樹脂用於改善光熱轉換層的黏著性並且有利於膜形成。
該高分子量丙烯酸樹脂與該低分子量丙烯酸樹脂的一重量比可係1：4至4：1。以適當的比率使用高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂，以形成具有優異的層壓性能與膜形成性的光熱轉換層，同時具有優異的耐熱性。
該兩種丙烯酸樹脂可包括單體，該等單體選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、羥乙基丙烯酸甲酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及其組合所組成之群組。
該-COOH或-OH官能基的酸值可係1mgKOH/g或更高。結果，當用於稍後的基材的處理程序時，黏著劑膜可容易地接合至支撐件。
光熱轉換層可進一步包含無機填料。在光熱轉換層分割之後，無機填料可防止再次黏附。
該無機填料可選自由SiO2、Al2O3、TiO2、與其組合所組成之群組。
光熱轉換層可進一步包括分散劑。分散劑可改善光吸收劑與無機填料的分散。
該光熱轉換層可具有1μm至15μm之一厚度。結果，可使光熱轉換層的殘留物最少化，防止雷射對基材的損傷，並且有助於基材與支撐件的分離。
黏著劑膜可進一步包括一第一襯墊與一第二襯墊；其中該第一襯墊、該黏著劑層、該光熱轉換層、與該第二襯墊可依次層壓。也就是說，根據本發明的黏著劑膜是膜形式，且藉由移除與使用稍後使用的第一襯墊與第二襯墊，可更加簡化黏著劑膜的使用程序。
同時，一種方法，其用於處理使用本發明的黏著劑膜之基材，該方法包括：提供根據本發明的該黏著劑膜；附接該黏著劑膜的該光熱轉換層至一支撐件，且附接該黏著劑層至待處理的基材；藉由處理該待處理的基材而形成一經處理的基材；藉由從該支撐件側照射一雷射至該光熱轉換層來分割該光熱轉換層，且從該經處理的基材 分離該支撐件；及藉由使用一移除膠帶或一移除溶液，從該經處理的基材移除該黏著劑層。
該待處理的基材的該處理可包括研磨該待處理的基材的未黏附該黏著劑之一相對表面。
該待處理的基材可係可撓基材，且該待處理的基材的該處理可包括形成一元件層在該待處理的基材上。
同時，本發明的黏著劑基材包括上述的黏著劑膜；以及一待處理的基材，其設置在該黏著劑膜的該黏著劑層上。也就是說，本發明的黏著劑基材可具有一結構，其中光熱轉換層、黏著劑層、與待處理的基材係依次層壓。結果，在基材的處理程序中，可省略黏著劑膜至待處理的基材之附接，以簡化程序並減少時間與成本。
該黏著劑基材可進一步包括一襯墊，該襯墊設置在該黏著劑膜的該光熱轉換層上。根據本發明的該黏著劑基材包括一待處理的基材，且可藉由在稍後的基材處理程序中的使用時間僅移除一襯墊且將黏著劑基材附接至支撐件來使用，從而更簡化基材處理程序。
同時，一種方法，其用於處理使用本發明的黏著劑基材之基材，該方法包括：提供根據本發明的該黏著劑基材；附接該黏著劑基材的該光熱轉換層至一支撐件；藉由處理該待處理的基材而形成一經處理的基材；藉由從該支撐件側照射一雷射至該光熱轉換層來分割該光熱轉換層，且從該經處理的基材分離該支撐件；及藉由使用一移除膠帶或一移除溶液，從該經處理的基材移除該黏著劑層。
根據本發明的黏著劑膜可容易地將固定在支撐件上的基材從支撐件分離，並且具有優異的耐熱性與優異的遮光效果。結果，當基材從支撐件分離時，可防止損壞與破壞基材以及基材上所形成的元件或電路。此外，根據本發明，可簡化將待處理的基材固定至支撐件上的程序，從而減少成本與時間。
110‧‧‧第一襯墊
120‧‧‧黏著劑層
130‧‧‧光熱轉換層
140‧‧‧第二襯墊
150‧‧‧襯墊
200‧‧‧待處理的基材
210‧‧‧經處理的基材
300‧‧‧支撐件
400‧‧‧雷射
500‧‧‧移除膠帶
600‧‧‧待處理的基材
610‧‧‧經處理的基材
700‧‧‧移除溶液
800‧‧‧容器
圖1是根據本發明的黏著劑膜的截面圖。
圖2是繪示根據本發明之黏著劑膜的製造程序的圖。
圖3A至3C是繪示使用根據本發明的黏著劑膜的基材的處理程序的圖。
圖4是根據本發明的黏著劑基材的截面圖。
圖5A至5C是繪示使用根據本發明的黏著劑基材的基材的處理程序的圖。
圖6是繪示耐熱性測試結果的圖。
圖7是繪示接合性能測試結果的圖。
最佳模式
從參照附圖之例示性實施例的以下描述，本發明的各種優點與特徵以及實現其的方法將變得顯而易見。然而，本發明不限於下文之例示性實施例，並且可依許多不同形式實施。例示性實施例僅提供用以完成本發明的發明，並且完全地提供本發明的範疇給與本發明相關之所屬技術領域中具有通常知識者，且本發明將由所附申請專利範圍來界定。
用於描述本發明的例示性實施例之附圖中繪示的形狀、大小、比例、角度、數量、及類似者僅是實例，且本發明不限於此。貫穿本說明書中，類似的元件符號表示類似的元件。此外，在以下的描述中，當判定本發明的要旨可能不必要地模糊時，將省略對已知的相關技術的詳細描述。
在本說明書中，當使用「包括(include)」、「具有(have)」、及類似者時，除了上述的細節以外，可添加其他細節，除非使用措辭「僅(only)」。對單數的任何提及都可包括複數，除非另有明確說明。
即使沒有明確說明，組件也解釋為包括尋常的誤差範圍。
當使用用語諸如「上(on)」、「上方(above)」、「下方(below)」、與「旁邊(next)」描述兩個部件之間的位置關係時，一或多 個部件可位於兩個部件之間，除非用語使用了用語「緊接著(immediately)」或「直接(directly)」。
本發明的例示性實施例的特徵可部分地或全部地彼此連接或組合，並且技術上各種互鎖與驅動係可行的。
在下文中，將參考附圖來描述本發明的例示性實施例。以下的例示性實施例將提供作為實例，使得本發明的精神將完全傳達給所屬技術領域中具有通常知識者。因此，本發明不限於下面要描述的例示性實施例，並且可以用各種不同的方式來實現。
圖1是根據本發明之例示性實施例之黏著劑膜的截面圖。參照圖1，根據本發明的例示性實施例的黏著劑膜包括依次層壓的第一襯墊110、黏著劑層120、光熱轉換層130、與第二襯墊140。
本發明的黏著劑膜具有膜形狀，並且可藉由層壓形成為膜形狀的黏著劑層120與形成為膜形狀的光熱轉換層130來組態。在稍後處理待處理的基材的程序中，黏著劑層120黏附至待處理的基材，且光熱轉換層130黏附至硬支撐件。
更具體地說，藉由照射諸如雷射的輻射能量來分割光熱轉換層130，使得基材或基材上的元件或電路可從支撐件分離而不受損傷。
光熱轉換層130包括光吸收劑與熱可分解樹脂。以諸如雷射及類似者的形式施加至光熱轉換層130的輻射能係由光吸收劑吸收，並轉換成熱能。所產生的熱能使光熱轉換層130的溫度迅速升高，且該溫度達到光熱轉換層130中的熱可分解樹脂(有機成分)的 熱分解溫度，以導致樹脂的熱分解。熱分解所產生的氣體在光熱轉換層130中形成空隙層(例如，空間)，且光熱轉換層130經分割成兩部分，以將支撐件與基材彼此分開。
光吸收劑可吸收輻射能，並將吸收的輻射能轉換成熱能。此外，光吸收劑用於阻擋光，以防止待處理的基材受到雷射及類似者的損壞。
雖然光吸收劑根據雷射的波長而變化，但是可用的光吸收劑的實例包括碳黑、石墨粉末、微粒金屬粉末(諸如，鐵、鋁、銅、鎳、鈷、錳、鉻、鋅、與碲)、金屬氧化物粉末(諸如，黑色氧化鈦)、以及染料與顏料(諸如，芳族基於二胺基之金屬錯合物、脂族基於二胺之金屬錯合物、芳族基於二硫醇之金屬錯合物、基於巰基酚之金屬錯合物、基於方酸菁之化合物、基於花青素之染料、基於次甲基之染料、基於萘醌之染料、與基於蒽醌之染料。光吸收劑可係包括氣相沉積的金屬膜之膜的形式。
在此等光吸收劑中，碳黑是特別有用的，且原因在於，在照射之後，碳黑顯著降低了從支撐件分離基材所需的力，並且加速分離。
光熱轉換層130中的光吸收劑的粒子大小可係約20nm至約2000nm，較佳約50nm至約1000nm，且更佳約100nm至約350nm。當光吸收劑的粒子大小小於約20nm時，難以使光吸收劑分散，且因為粒子大小較小，可能無法裝載大量，歸因於表面積高，且裝載量有限制。另外，當光吸收劑的粒子大小超過約2000nm時，雷 射阻擋性能會降低，且雷射將光熱轉換層130分割的性能會降低。另外，隨著光吸收劑的粒子大小增大，膜形成性會降低，分散之後的分散穩定性會下降，且需要縮短直到製備與塗佈液體的時間。
光熱轉換層130中的光吸收劑的含量以光熱轉換層130的總重量計是約5wt%至約80wt%，較佳約10wt%至約60wt%，且更佳約20wt%至約50wt%。當光吸收劑的含量小於約5wt%時，雷射的分離是困難的。此外，當光吸收劑的含量大於約80wt%時，由雷射分割的光熱轉換層130的一部分在藉由雷射分割光熱轉換層130之後仍留在黏著劑層120的表面上，且在此情況下，歸因於高碳含量，所以黏著性太低。在此情況下，在稍後藉由移除膠帶來移除黏著劑層120的程序中，因為黏著劑層120沒有很好地黏附至移除膠帶，所以存在難以移除黏著劑層120的問題。此外，當光吸收劑的含量增加，光熱轉換層130的表面上的黏著性太低，且因此難以與支撐件層壓，且光吸收劑的分散不均勻。
光熱轉換層130中的熱可分解樹脂包括丙烯酸樹脂。較佳地，丙烯酸樹脂包括單體，該等單體選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、羥乙基丙烯酸甲酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及其組合所組成之群組。較佳地，丙烯酸樹脂可選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、羥乙基丙烯酸甲酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)的三或更多個組合所組成之群組。丙烯酸樹脂可具有合適的分子量、Tg、耐熱性、與官能基。
丙烯酸樹脂的含量以光熱轉換層130的總重量計可係約5wt%至約80wt%，較佳約15wt%至約60wt%，且更佳約40wt%至約60wt%。當丙烯酸樹脂的含量小於約5wt%時，膜形成減少，並且難以調整光熱轉換層130的厚度，且光熱轉換層130的表面的黏著性變得太低，且因此難以與支撐件層壓。此外，當丙烯酸樹脂的含量大於約80wt%時，在雷射照射之後，需要物理力來分割光熱轉換層130，且難以將基材從支撐件分離，且可能發生待處理的基材與形成在基材上的元件或電路之損壞。
丙烯酸樹脂較佳地包括具有不同重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂，且更佳的是高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂。高分子量丙烯酸樹脂允許光熱轉換層130具有優異的耐熱性，且低分子量丙烯酸樹脂用於改善光熱轉換層130的黏著性並且有利於膜形成。
此時，高分子量丙烯酸樹脂的玻璃轉移溫度Tg可係0℃至10℃，且低分子量丙烯酸樹脂的Tg可係-10℃至0℃。當高分子量丙烯酸樹脂的Tg高於10℃且低分子量丙烯酸樹脂的Tg高於0℃時，可改善光熱轉換層130的耐熱性，但是表面黏著性可能降低。當光熱轉換層130的表面具有低黏著性時，使用移除膠帶來剝離黏著劑層140時可能發生釋離失敗。在另一方面，當高分子量丙烯酸樹脂的Tg低於0℃且低分子量丙烯酸樹脂的Tg低於-10℃時，可改善接合性能，但是耐熱性可能減少。
高分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量係約400,000g/mol至約15,000,000g/mol，較佳約500,000g/mol至約1,200,000g/mol，且更佳約700,000g/mol至約1,000,000g/mol。當高分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量小於約400,000g/mol時，光熱轉換層130的耐熱性劣化，且當高分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量大於約15,000,000g/mol時，塗佈光熱轉換層130並混合液體是不容易的。
低分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量可係約50,000g/mol至約600,000g/mol，較佳約100,000g/mol至約500,000g/mol，且更佳約400,000g/mol至約500,000g/mol。當低分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量小於約50,000g/mol時，光熱轉換層130的耐熱性劣化，且當低分子量丙烯酸樹脂的重量平均分子量大於約600,000g/mol時，光熱轉換層130的層壓性能劣化。
低分子量丙烯酸樹脂與高分子量丙烯酸樹脂的重量比可係約1：4至約4：1，較佳約1：3至約3：1，且更佳約1：2至約2：1。當低分子量丙烯酸樹脂的含量顯著小於高分子量丙烯酸樹脂的含量時，光熱轉換層130的層壓性能劣化。此外，當高分子量丙烯酸樹脂的含量顯著小於低分子量丙烯酸樹脂的含量時，光熱轉換層130的耐熱性劣化，且在雷射照射之後，光熱轉換層130的分割表面上的黏著性是強的，且因此需要大的物理力來分離。
熱可分解樹脂具有-COOH或-OH官能基。較佳地，熱可分解樹脂包括具有-COOH或-OH官能基的丙烯酸樹脂。包含具有-COOH或-OH官能基的熱可分解樹脂之光熱轉換層130不是壓敏黏著 劑類型。光熱轉換層130具有-COOH或-OH官能基，以藉由氫鍵結來接合至支撐件，且例如，可氫鍵結至玻璃製成的支撐件的玻璃表面上的矽醇基。在此情況下，氫鍵提供了黏著劑層與支撐件之間的接合的初始黏著性，且歸因於在接合程序之後的程序中產生的熱，光熱轉換層130與支撐件之間的黏著性大大增加。
-COOH或-OH官能基可具有約1mgKOH/g或更高的酸值，且較佳約5mgKOH/g或更高。光熱轉換層130的層壓性能係基於COOH或-OH官能基，且當COOH或-OH官能基的酸值小於約1mgKOH/g時，層壓性能劣化。COOH或-OH官能基的酸值的上限則不成問題。然而，歸因於化學結構，COOH或-OH官能基可具有較佳約1mgKOH/g至約50mgKOH/g的酸值，更佳約1mgKOH/g至約30mgKOH/g，且最佳約10mgKOH/g至約20mgKOH/g。
光熱轉換層130可進一步包括無機填料。歸因於熱可分解樹脂的熱分解所導致之空隙層的形成，在光熱轉換層130經分割之後，無機填料作用於防止光熱轉換層130的再黏附。因此，在處理基材之後，當藉由照射雷射來分割光熱轉換層130時，可進一步減小將基材與支撐件分離所需的物理力。
該無機填料可選自由SiO2、Al2O3、TiO2、與其組合所組成之群組。具體地，在TiO2的情況下，在待處理的基材上有額外的遮光效果。
光熱轉換層130中的無機填料的粒子大小可係約20nm至約2000nm，較佳約50nm至約1000nm，且更佳約100nm至約 350nm。當無機填料的粒子大小小於約20nm時，在膜的製造中，無機填料的分散不容易，且對裝載的無機填料的量有限制。而且，當無機填料的粒子大小大於約2000nm時，膜形成性下降，且分散之後的分散耐久性劣化。
光熱轉換層130中的無機填料的含量以光熱轉換層130的總重量計可係約4wt%至約60wt%，較佳約5wt%至約50wt%，且更佳約5wt%至約30wt%。當無機填料的含量小於約4wt%時，光熱轉換層130可隨時間再次再接合，因為在雷射照射的分離程序之後，已分離的表面的黏著性是大的。此外，當無機填料的含量大於約60wt%時，光熱轉換層130的黏著性太低，且因此難以將光熱轉換層130層壓在支撐件上，膜形成性降低，且分散不均勻。
光熱轉換層130可進一步包括分散劑。分散劑的含量以光熱轉換層130的總重量計可係約0.1wt%至約10wt%，較佳約0.1wt%至約7wt%，且更佳約0.1wt%至約5wt%。當分散劑的含量小於約0.1wt%時，光熱轉換層130中的光吸收劑與無機填料的分散性可能劣化，且分散之後的分散耐久性也可能劣化。另外，當分散劑的含量大於約10wt%時，光熱轉換層130的耐熱性劣化，所添加的添加劑在高溫下分解，且重量損失增加。
光熱轉換層130可如下形成為膜形狀。將諸如碳黑的光吸收劑添加至諸如甲基乙基酮(MEK)或乙酸乙酯(EA)的溶劑中，且此時，可將分散劑與無機填料一起加入，且然後通過超音波分散。將具有不同重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂在室溫下藉由攪拌器攪拌達 30分鐘，且然後將光吸收劑分散在其中的溶液加入至經攪拌的混合物，且在相同的狀況下再次攪拌該混合物。之後，加入該溶劑，以將黏度與固體含量調整至有利於塗佈的狀態，且藉由具有逗號輥頭、狹縫模具、或唇式模頭的塗佈機，用適當的厚度將溶劑施加至離型聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，且然後在約90℃至約130℃的溫度下乾燥達2分鐘或更多，以形成膜型的光熱轉換層。
光熱轉換層130的厚度係約1μm至約15μm，較佳約2μm至約10μm，且更佳約3μm至約6μm。當光熱轉換層130的厚度小於約1μm，黏著劑層120的一部分在光熱轉換層130的分離期間可能留在待處理的基材上，且光吸收劑的雷射遮蔽性能可能劣化。此外，當光熱轉換層130的厚度超過約15μm時，在雷射照射之後需要大的物理力來分離光熱轉換層130。
此類光熱轉換層130形成為膜形狀。當光熱轉換層130以液體形式直接施加在支撐件上時，黏度低，厚度小於約1μm，且厚度可能無法形成為足夠大。結果，難以充分使用能夠阻擋雷射的光吸收劑，且難以防止雷射對待處理的基材的損傷。根據本發明的光熱轉換層130形成為膜形狀，且因此，其厚度容易調整，且更有利於保護待處理的基材與形成在其上的電路或元件。此外，此類光熱轉換層130可具有對於支撐件之150gf/25mm至1600gf/25mm的黏著性。
黏著劑層120用於通過光熱轉換層130將待處理的基材固定至支撐件。黏著劑層120可形成為直接接觸光熱轉換層130。
在藉由分解光熱轉換層130來分離基材與支撐件之後，獲得具有黏著劑層120在其上的基材。因此，黏著劑層120需要藉由剝離或類似者容易地從基材分離，且黏著劑層120具有足夠高的黏附強度來將基材固定至支撐件，但是足夠低，以允許從基材分離。此類黏著劑層120具有膜形狀，並且不是光可固化黏著劑。
黏著劑層120可係丙烯酸黏著劑層。較佳地，黏著劑層120可包括2-乙基己醇(2-EHA)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸環氧丙酯(GMA)、與基於異氰酸酯之固化劑。在此情況下，基於異氰酸酯之固化劑可包括固化劑，該固化劑選自由甲苯二異氰酸酯(TDI)、亞甲基二苯基二異氰酸酯(MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)、二甲苯二異氰酸酯(XDI)、及其組合所組成之群組。
黏著劑層120的厚度係約5μm至約100μm，較佳約5μm至約70μm，且更佳約10μm至約60μm。當黏著劑層120的厚度小於約5μm時，當裝置的變形歸因於低黏著性而是嚴重的時，可能發生分層。另外，當待處理的基材的處理完成之後移除黏著劑層120時，黏著劑層可能撕裂並且殘留物可能保留。此外，當黏著劑層120的厚度大於約100μm時，溶劑可能保留，因為黏著劑層120形成時乾燥效率降低，且黏著劑層120的內聚性可能降低，且因此殘留物可能保留。
第一襯墊110與第二襯墊140分別用於支撐與保護黏著劑層120與光熱轉換層130。當使用黏著劑膜時，移除第一襯墊110與第二襯墊140。
第一襯墊110與第二襯墊140可係塗佈矽的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，但不限於此，且任何能夠支撐與保護黏著劑層120與光熱轉換層130的材料都是足夠的。
圖2是繪示根據本發明之例示性實施例之黏著劑膜的製造程序的圖。參照圖2，藉由卷對卷方法，將膜狀光熱轉換層130層壓在形成在第一襯墊110上的膜狀黏著劑層120上。之後，類似地，可藉由卷對卷方法，將第二襯墊140層壓在光熱轉換層130上。
然而，本發明的黏著劑膜的製造程序不限於此，且其中膜狀黏著劑層120與膜狀光熱轉換層130經層壓彼此接觸的任何方法都是足夠的。
在待處理的基材與支撐件之間使用液體黏著劑材料與液體光熱轉換材料的情況下，分別需要藉由將光熱轉換材料施加與固化在支撐件上來形成光熱轉換層之程序，以及藉由將黏著劑材料施加與固化在待處理的基材上來形成黏著劑層之程序。之後，需要在真空中接合黏著劑層與光熱轉換層之程序。也就是說，當使用液體材料時，需要塗佈時間、固化時間、與接合時間。
另一方面，在使用根據本發明的膜型黏著劑膜的情況下，移除第一襯墊、將黏著劑層附接至待處理的基材、移除第二襯墊、及將光熱轉換層附接至支撐件之程序就足夠了。因此，本發明可顯著減少程序所需的時間，並且降低施加程序、固化程序、真空程序、及類似者所需的成本及類似者。
圖3A至3C是繪示使用根據本發明的黏著劑膜的基材的處理程序的圖。
參照圖3A，在本發明的黏著劑膜中，移除第二襯墊、將光熱轉換層130附接至支撐件300、移除第一襯墊、並且將黏著劑層120附接至待處理的基材200。在此情況下，該程序較佳在約40℃至約80℃下執行，使得光熱轉換層130與支撐件300之間的黏著性增加。
支撐件300是能夠透射輻射能量的材料，諸如本發明中使用的雷射，且需要該材料來將待處理的基材200保持為平坦狀態並且防止待處理的基材200在處理與輸送期間破損。支撐件300較佳是硬的且透射的。
除非支撐件的透射率防止輻射能量透射至光熱轉換層130中，否則支撐件300的透射率不受限制，以使得光熱轉換層130能夠分解。然而，透射率可係例如約50%或者更高。
為了防止待處理的基材在處理期間變形，較佳地，支撐件300具有足夠高的剛性，且支撐件300的彎曲強度較佳為2×10-3(Pa．m3)或更大，且更佳為3×10-2(Pa．m3)或更大。
此外，較佳的是，支撐件300具有足夠的耐熱性，以防止歸因於在待處理的基材上執行的程序可能發生的熱經歷而損壞，且支撐件300的熱變形溫度較佳為550℃或更高，且更佳為700℃或更高。
支撐件300可係例如玻璃。另外，為了改善至相鄰層(例如，光熱轉換層130)的黏著強度，(若需要)也可用接合劑或類似者來對支撐件300進行表面處理。
之後，使用包括光熱轉換層130與黏著劑層120插置在其間的黏著劑膜，將待處理的基材200與支撐件300彼此固定，且然後處理待處理的基材200。
待處理的基材200是固定並處理至支撐件300且然後從支撐件300分離之基材，且例如，可係用於可撓顯示器的晶圓或基材。
作為實例，待處理的基材200可包括諸如矽與砷化鎵的半導體晶圓、石英晶圓、藍寶石、或玻璃。待處理的基材200的電路表面可黏附至黏著劑層120。之後，未黏附至黏著劑層120之待處理基材200的表面可藉由研磨機或類似者來研磨，以處理成減薄的基材。
作為另一實例，待處理的基材200可係環氧樹脂模製晶圓。待處理的基材200的模製表面可黏附至黏著劑層120，且之後，藉由執行用於將電路連接至待處理的基材200的表面(其未黏附至黏著劑層120)之預定程序，可將待處理的基材200處理成完成的基材。
同時，作為又另一實例，待處理的基材200可係塑料基材、金屬薄膜或類似者，作為可撓基材。例如，待處理的基材200可係PI。然而，待處理的基材200不限於此，且作為具有可撓特性的材料，能夠用作可撓顯示器的基材之材料就足夠了。
例如，「處理(processing)」可包括在待處理的基材200上形成元件層之程序。雖然未圖示，但是元件層可包含複數個薄膜層與電氣元件，且更具體而言，元件層可包括薄膜電晶體，薄膜電晶體包括閘極電極、半導體層、源極電極、與汲極電極。
可撓顯示器可係選自由有機發光二極體顯示器、液晶顯示器、與電泳顯示器所組成之群組之任一者。然而，本發明不限於此，且可撓顯示器可包括使用可撓基材的所有可撓顯示器。
參照圖3B，在所欲的處理位準之後，藉由照射雷射400來執行支撐件300與經處理的基材210之分離。從支撐件300側照射雷射400。
光熱轉換層130的光吸收劑吸收雷射400的輻射能量，以將輻射能量轉換為熱能。產生的熱能使光熱轉換層130的溫度迅速升高，且溫度導致光熱轉換層130中的熱可分解樹脂的分解。熱分解所產生的氣體在光熱轉換層130中形成空隙層，且光熱轉換層130經分割成兩部分，以將支撐件300與經處理的基材210彼此分開。
光熱轉換層130中的熱可分解樹脂藉由雷射400的照射而分解，以在層內部形成裂紋，從而分離光熱轉換層自身。由樹脂分解所產生的氣體最終經引入兩層之間，以將兩層自彼此分離。因此，為了促進氣體的引入，較佳從光熱轉換層130的邊緣部分執行將雷射400照射至光熱轉換層130中。
為了從光熱轉換層130的邊緣部分使用雷射400，可使用施加雷射400同時從邊緣部分線性往復運動之方法，或替代地，從邊緣部分螺旋地照射雷射400至中心之方法(像留聲機一樣)。
雷射400通常是具有約300至約11000nm的波長的雷射，且較佳約300至約2000nm，且作為具體的實例，雷射400包括YAG雷射(發射波長1064nm的光)、第二諧波產生YAG雷射(532nm的波長)、與半導體雷射(具有780至1300nm的波長)。
參照圖3C，支撐件300移除之後，移除經處理的基材210上的黏著劑層120。為了移除黏著劑層120，較佳使用移除膠帶500，移除膠帶具有比經處理的基材210與黏著劑層120之間的黏著性更強之至黏著劑層120的黏著性。此類膠帶500可設置成黏附至黏著劑層120上，且之後，與黏著劑層120一起剝離，以從經處理的基材210移除黏著劑層120。雖然在圖中未繪示，光熱轉換層130在黏著劑層120上經分割之後，光熱轉換層130的一部分可保留。
同時，雖然在圖中未繪示，支撐件300移除之後，可使用移除溶液來移除經處理的基材210上的黏著劑層120。較佳地，黏著劑層120(其中光熱轉換層的部分殘留)可浸入於移除溶液中，以移除黏著劑層120。較佳地，黏著劑層120可浸入在移除溶液中達約10秒至60秒。另外，移除溶液可包括反-1,2-二氯乙烯與氫氟醚。
當經處理的基材210的大小或面積是大的時，可能難以用移除膠帶500一次就移除黏著劑層120。然而，當使用移除溶液時， 移除具有大面積的黏著劑層120是有利的。此外，不需要額外的外部物理力，且黏著劑層120可在短時間內移除，而沒有殘留物。
根據本發明的處理基材的方法是生態友善的，因為當處理基材時藉由使用預先製備的黏著劑膜，就不需要溶劑。此外，在使用預先製備的黏著劑膜的情況下，可在基材的處理時間中減少支撐件與基材暴露於熱、UV、及類似者，從而防止額外的損傷。
另外，由於直接施加並固化黏著劑材料或光熱轉換材料在支撐件或待處理的基材上之程序可省略，該程序可簡化，且處理成本與時間可減少。此外，形成黏著劑層與光熱轉換層的均勻厚度是有利的，且該程序還可甚至使用在大面積基材的處理中。
接下來，將參照圖4敘述根據本發明之黏著劑基材。與上述黏著劑膜重複的內容可省略，且相似的元件符號表示相似的組成元件。圖4是根據本發明的黏著劑基材的截面圖。
參照圖4，根據本發明的例示性實施例的黏著劑基材包括依次層壓的襯墊150、光熱轉換層130、黏著劑層120、與待處理的基材600。黏著劑層120與光熱轉換層130可層壓在待處理的基材600上。在稍後的待處理的基材600的處理程序的時間時，光熱轉換層130黏附至硬支撐件。
黏著劑基材的黏著劑層120與光熱轉換層130相同於上述的黏著劑膜的黏著劑層與光熱轉換層。也就是說，根據本發明的黏著劑基材可包括上述的黏著劑膜與待處理的基材。然而，襯墊150可僅設置在黏著劑基材中的光熱轉換層130上。
待處理的基材600可係用於可撓顯示器的基材。
例如，待處理的基材600可係使用塑料基材、金屬薄膜、或類似者，作為可撓基材。然而，待處理的基材600不限於此，且作為具有可撓特性的材料，能夠用作可撓顯示器的基材之材料就足夠了。較佳地，待處理的基材600可係PI膜。
待處理的基材600可處理成在其上形成元件層的基材。元件層可包含複數個薄膜層與電氣元件，且更具體而言，元件層可包括薄膜電晶體，薄膜電晶體包括閘極電極、半導體層、源極電極、與汲極電極。例如，薄膜電晶體與有機層形成在待處理的基材600上，且封裝層形成在薄膜電晶體與有機層上，以製造經處理的基材。
可撓顯示器可係選自由有機發光二極體顯示器、液晶顯示器、與電泳顯示器所組成之群組之任一者。然而，本發明不限於此，且可撓顯示器可包括使用可撓基材的所有可撓顯示器。
襯墊150用於支撐與保護光熱轉換層130。當光熱轉換層130附接至支撐件時，移除襯墊150，以處理待處理的基材600。襯墊150可係塗佈聚矽氧的聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，但不限於此，且能夠支撐與保護光熱轉換層130的材料都是足夠的。
藉由卷對卷方法，膜型的光熱轉換層130層壓在形成在待處理的基材600上的膜型黏著劑層120上，且之後，藉由卷對卷方法，以相同的方式，襯墊150可層壓在光熱轉換層130上，以形成黏著劑基材。
然而，本發明的黏著劑基材的製造程序不限於此，且其中黏著劑層120與膜型光熱轉換層130層壓在待處理的基材600上而彼此接觸的任何方法都是足夠的。
相較於使用液體材料的情況來說，本發明的黏著劑基材使用膜型的光熱轉換層130，從而顯著降低程序所需的時間，且降低施加程序、固化程序、真空程序、及類似者需要的成本及類似者。此外，由於本發明的黏著劑基材包括待處理的基材600，可省略在基材的處理程序中將黏著劑膜黏附至待處理的基材之步驟，從而簡化了程序，且降低了時間與成本。
圖5A至5C是繪示使用根據本發明的黏著劑基材的基材的處理程序的圖。
參照圖5A，在根據本發明的黏著劑基材中，移除襯墊，且光熱轉換層130附接至支撐件300。在此情況下，該程序較佳在約40℃至約80℃下執行，使得光熱轉換層130與支撐件300之間的黏著性增加。
支撐件300是能夠透射輻射能量的材料，諸如本發明中使用的雷射，且需要該材料來將待處理的基材600保持為平坦狀態並且防止待處理的基材600在處理與輸送期間破損。支撐件300較佳是硬的且透射的。
除非支撐件的透射率防止輻射能量透射至光熱轉換層130中，否則支撐件300的透射率不受限制，以使得光熱轉換層130能夠分解。然而，透射率可係例如約50%或者更高。
另外，為了防止待處理的基材在處理期間變形，較佳地，支撐件300具有足夠高的剛性，且支撐件300的彎曲強度較佳為2×10-3(Pa．m3)或更大，且更佳為3×10-2(Pa．m3)或更大。
此外，較佳的是，支撐件300具有足夠的耐熱性，以防止歸因於在待處理的基材上執行的程序可能發生的熱經歷而損壞，且支撐件300的熱變形溫度較佳為550℃或更高，且更佳為700℃或更高。
支撐件300可係例如玻璃。另外，為了改善至相鄰層(例如，光熱轉換層130)的黏著強度，(若需要)也可用接合劑或類似者來對支撐件300進行表面處理。
之後，使用包括光熱轉換層130與黏著劑層120插置在其間的黏著劑膜，將待處理的基材600與支撐件300彼此固定，且然後處理待處理的基材600。待處理的基材600是固定並處理至支撐件300且然後從支撐件300分離之基材。
待處理的基材600是用於可撓顯示器的基材，且可處理成具有形成在待處理的基材600上的元件層之基材。
參照圖5B，在所欲的處理位準之後，藉由照射雷射400來執行支撐件300與經處理的基材610之分離。從支撐件300側照射雷射400。
光熱轉換層130的光吸收劑吸收雷射400的輻射能量，以將輻射能量轉換為熱能。產生的熱能使光熱轉換層130的溫度迅速升高，且溫度導致光熱轉換層130中的熱可分解樹脂的分解。熱分解 所產生的氣體在光熱轉換層130中形成空隙層，且光熱轉換層130經分割成兩部分，以將支撐件300與經處理的基材610彼此分開。
光熱轉換層130中的熱可分解樹脂藉由雷射400的照射而分解，以在層內部形成裂紋，從而分離光熱轉換層自身。由樹脂分解所產生的氣體最終經引入兩層之間，以將兩層自彼此分離。因此，為了促進氣體的引入，較佳從光熱轉換層130的邊緣部分執行將雷射400照射至光熱轉換層130中。
為了從光熱轉換層130的邊緣部分使用雷射400，也可使用施加雷射400同時從邊緣部分線性往復運動之方法，或替代地，從邊緣部分螺旋地照射雷射400至中心之方法(像留聲機一樣)。
雷射400通常是具有約300至約11000nm的波長的雷射，且較佳約300至約2000nm，且作為具體的實例，雷射400包括YAG雷射(發射波長1064nm的光)、第二諧波產生YAG雷射(532nm的波長)、與半導體雷射(具有780至1300nm的波長)。
參照圖5C，支撐件300移除之後，移除經處理的基材610上的黏著劑層120。移除溶液700可用於移除黏著劑層120。雖然在圖中未清楚繪示，光熱轉換層在黏著劑層120上經分割之後，光熱轉換層的一部分可保留。黏著劑層120(其中光熱轉換層的部分殘留)可浸入於移除溶液700中，以移除黏著劑層120。
較佳地，藉由將黏著劑層120浸入在容器800中含有的移除溶液700中達約10秒至60秒，可移除黏著劑層120。此類移除溶液700可包括反-1,2-二氯乙烯與氫氟醚。
具體地，當經處理的基材610具有大尺寸或大面積時，或者當經處理的基材610由薄且脆弱的材料製成時，在移除黏著劑層120的時間時使用移除溶液700是有利的。使用移除溶液700不需要額外的外部物理力，且黏著劑層120可在短時間內移除，而沒有殘留物。
同時，雖然未在附圖中繪示，為了移除黏著劑層120，可使用移除膠帶，移除膠帶具有比經處理的基材610與黏著劑層120之間的黏著性更強之至黏著劑層120的黏著性。當黏著劑層120或經處理的基材610的大小或面積是小的時，黏著劑層120可容易地藉由使用此類移除膠帶來移除。
根據本發明的處理基材的方法是生態友善的，且可防止對基材的額外損傷。此外，該程序經簡化，從而降低了處理成本與時間。
以下，通過實驗性實例，更詳細地說明本發明，但是下面的實驗性實例只是為了驗證本發明，且本發明不限於此。即，本發明之實例可修改成多種形式，且本發明之範疇不應詮釋為受限於將於下文描述之實驗性實例。
實例1
將6wt%的碳黑(Cancarb Corporation)(具有240nm的粒子大小)、4wt%的二氧化鈦(Huntsman)(具有240nm的粒子大小)、與1wt%的分散劑(BYK Chemie Japan Co.,Ltd.)加入至75wt% 的甲基乙基酮(MEK，Samchun Chemical Co.,Ltd.)，且藉由使用超音波分散器分散達30分鐘，以製備其中有光吸收劑分散的溶液。PSA以外之7wt%的高分子量丙烯酸聚合物彈性體(具有1,000,000g/mol的重量平均分子量與10mgKOH/g或更高的COOH/OH官能基)以及PSA以外之7wt%的低分子量丙烯酸聚合物彈性體(具有500,000g/mol的重量平均分子量與5mgKOH/g或更高的COOH/OH官能基)彼此混合，並用攪拌器攪拌達30分鐘，以製備熱可分解樹脂。將熱可分解樹脂加入其中有光吸收劑分散的溶液中，且然後再次攪拌達20分鐘。之後，加入甲基乙基酮(MEK)，使得混合物具有適合塗佈之200CPS至5,000CPS的黏度。完成的混合物藉由具有逗號輥頭的塗佈機以5μm的厚度施加至離型聚對苯二甲酸乙二酯(PET)(SG-31)，且然後在110℃至130℃的溫度下乾燥達2分鐘，以形成膜型的光熱轉換層。
藉由此類方法製備的光熱轉換層包括24wt%的碳黑、16wt%的二氧化鈦、4wt%的分散劑、28wt%的高分子量丙烯酸聚合物彈性體、與28wt%的低分子量丙烯酸聚合物彈性體(以光熱轉換層的總重量計)。
形成在先前製備的第一襯墊上的黏著劑層(3M Company,ATT4025)與形成在第二襯墊上的光熱轉換層透過卷對卷程序層壓，來製備最終的黏著劑膜。
之後，先移除第二襯墊，以接合支撐件至光熱轉換層，並移除第一襯墊，以接合待處理的基材與黏著劑層，以形成玻璃板、 黏著劑膜、與晶圓的層壓體。以層壓黏著劑膜至支撐件與待處理的基材耗時約3分鐘，且所有接合程序都在70℃的熱板上執行。
203mm(直徑)×0.7mm的圓形玻璃板(Corning)用作透射支撐件，且203mm(直徑)×750μm(厚度)的圓形矽晶圓用作待處理的基材。
之後，玻璃板、黏著劑膜、與晶圓的層壓體放置於研磨裝置上，且藉由接觸旋轉的砂輪同時供應水至層壓體，來執行研磨。執行研磨，以提供50μm的晶圓厚度。
在研磨完成後，使用YAG雷射(波長：1064nm)(具有15瓦的雷射輸出，100μm的雷射直徑與掃描間距，與1.0m/s的雷射照射速度)，執行雷射照射。雷射藉由從層壓體的邊緣部分以切線方向線性往復運動照射至層壓體與層壓體的整個表面。之後，玻璃板容易地從經研磨的晶圓分離，且獲得在其上具有黏著劑層的晶圓。
為了從晶圓剝離黏著劑層，壓敏移除膠帶(3M；SCOTCHTM #3305)在40℃的溫度下附接至黏著劑層的表面，且以180°的方向剝離，以獲得具有50μm的厚度而沒有晶圓損傷之矽晶圓。
實例2至8
包括根據實例2至8之膜型光熱轉換層的層壓膜以相同於實例1的方式製備，除了各組分的含量之外。在各實例中的光熱轉換層的組分的含量繪示在下面的表1中。
隨後，支撐件與光熱轉換層接合至彼此，且待處理的基材與黏著劑層接合至彼此，以形成玻璃板、黏著劑膜、與晶圓的層壓體。之後，以相同於實例1的方式，執行晶圓的研磨，且照射雷射至層壓體，以分離支撐件。之後，使用壓敏移除膠帶將黏著劑層剝離。該程序以相同於實例1的方式執行。
在根據實例2至8的層壓體中，當將玻璃板容易地從經研磨的晶圓分離時，支撐件可容易地分離，且可無損傷地獲得在其上具有黏著劑層的晶圓。此外，在用移除膠帶剝離黏著劑層的情況下，可證實對晶圓沒有損壞。
比較例1
藉由旋塗法將液體光熱轉換材料(3M LTHC油墨)塗佈在支撐件(Dow corning玻璃(8吋))上。塗佈後，在150℃至180 ℃的溫度下熱固化光熱轉換材料達2hrs，以製備塗佈有厚度約0.9μm的光熱轉換材料之支撐件。
黏著劑材料(3M；LC-5320)藉由旋塗法而塗佈在待處理的基材上(裸鏡面晶圓，8吋，750um)。一次塗佈所需的黏著劑材料的量為至少2g至至多10g。藉由調整兩個步驟中的旋轉速度來實施旋塗，且在第一步驟中以500RPM旋轉，且在第二步驟中以1200RPM旋轉。通過旋塗法在待處理的基材上形成黏著劑層，且然後將塗佈有光熱轉化材料的支撐件與塗佈有黏著劑材料的待處理的基材在10-5至10-9(Torr)的真空下接合至彼此。之後，用強度1200mJ/cm2的UV照射黏著劑材料並且光固化，以製備塗佈有黏著劑材料之待處理的基材。
藉由形成支撐件與待處理的基材之間的黏著劑材料與光熱轉換材料來製備層壓體，花了約125分鐘。
比較例2
以相同於實例的方式執行測試，不同的是，由矽晶圓、壓敏移除膠帶、與玻璃基材所組成的層壓體係藉由使用雙面壓敏膠移除膠帶(SCOTCHTM #9415，高黏附/低黏附)來製備，而非接觸於晶圓的接合層(在黏著劑具有比晶圓的黏附性更低的黏附性之狀態下)，沒有使用任何的光熱轉換層。矽晶圓不能剝離。
實驗實例1-耐熱性測試
使用熱重分析儀(TGA)評估實例1、實例6至8、與比較例1中的膜樣本的耐熱性。切開10毫克的每種樣本，且在特定的溫度(200℃與250℃)與時間間隔(1hr)在氮氣氛圍下，測量樣本的重量損失。結果繪示於下面的表2中。
參照上面的表2，在200℃下，在實例與比較例1中觀察到類似的重量損失，但是重量損失在250℃下顯著不同。因此，可確認實例1與實例6至8具有比比較例1更優異的耐熱性。
此外，根據實例1所製備的層壓體與根據比較例1所製備的層壓體分別在300℃下在氮氣氛圍中老化達1小時。結果，參照圖6，在接合程序之後，在室溫下，根據實例1所製備的層壓體與根據比較例1所製備的層壓體兩者都無損傷，但是在300℃下老化達1小時後，視覺上可確認根據比較例1所製備的層壓體發生損傷。
因此，可確認使用膜型黏著劑膜的實例有優異的耐熱性，就像本發明。
實驗實例2-遮光性測試
為了評估遮光性，實例1至5與比較例1中的膜樣本層壓在兩個滑動的玻璃之間。將製備的層壓體放入雷射指示器(來自 OPHIR Photonics Corporation的NOVA II)的感測器部分中，且然後使用YAG雷射(SS16-716，波長：1064nm，雷射直徑：0.4mm，頻率：25KHz，照射速度：1100mm/s，艙口：0.05mm)，以20W的雷射輸出，用雷射照射。
結果，分別地，根據比較例1製備的層壓體具有19%的光透射率(藉由3.7W的光所測量)，且根據實例1至5所製備的層壓體具有1%的光透射率(藉由0.2W的光所測量)。
因此，可確認使用膜型黏著劑膜的實例在遮光效果上比比較例1更優異，就像本發明。
實驗實例3-黏著性測試
在根據實例2至5的黏著劑膜的光熱轉換層接合至玻璃板之後，分別測量在接合之後與在220℃下老化達1小時之後之玻璃板與光熱轉換層之間的黏著性。
此外，在根據實例2至5的黏著劑膜的黏著劑層接合至晶圓之後，分別測量在接合之後與在220℃下老化達1小時之後之晶圓與黏著劑層之間的黏著性。
結果繪示於下面的表3中。
參照表3，實例2(丙烯酸樹脂的含量高)在接合之後具有最高的黏著性。然而，可確認當執行熱處理時，在所有的實例中的黏著性都是高的，且在雷射照射之前，黏著劑膜與玻璃板並沒有彼此分離，且玻璃板與黏著劑膜之間的黏著性在程序期間是優異的。
同時，黏著劑層與晶圓之間的起始黏著性為400gf/25mm或更高，但是，當施加恆定的熱時，減少至約180gf/25mm。因此，歸因於熱減少了黏著性，在該程序之後，很容易剝離黏著劑層與晶圓，且可能沒有殘餘物留下。
實驗實例4-碳黑與丙烯酸樹脂的含量的最佳化
根據實例9至27之層壓膜以相同於實例1的方式製備，除了各組分的含量之外。另外，在實例25至27中，使用氧化鋁(Denka)來代替二氧化鈦。在實例9至27中，可形成所有的膜型光熱轉換層，且可製備含有光熱轉換層的層壓膜。
接著，測試根據實例9至27的層壓膜的光熱轉換層的玻璃板的接合性能、雷射照射後的去接合性能、與剝離性能。
當使用輥在70℃下將所製備的黏著劑膜接合至切割成寬度1吋的玻璃板時，執行接合性能測試，將PET附接至與玻璃板接合的黏著劑膜，且然後使用UTM將包括PET的黏著劑膜從玻璃板剝離，且測量黏著性(剝離速度：300mm/min，剝離角度：180)，且用肉眼觀察接合狀態。根據以下的標準對結果進行分類。
◎：良好地接合至玻璃板的前表面，△：在玻璃板的整個表面上觀察到空隙，X：接合並非部分或完全執行良好。
當所製備的黏著劑膜在70℃下接合至玻璃板且然後在40℃下再將接合有黏著劑膜的玻璃板接合至晶圓上時，執行雷射照射後的去接合性能測試，且之後，通過雷射照射的去接合來確認去接合度。根據以下的標準對結果進行分類。
◎：無需任何外部刺激，可易於移除，
○：需要施加微弱的力，以將光熱轉換層與玻璃板分離，
△：藉由施加強的力與升舉(無可處理性)，來促成去接合
X：沒有去接合(無可處理性)
當玻璃板在雷射照射後去接合時執行剝離性能測試，使用壓敏移除膠帶(3M；SCOTCHTM #3305)將留在晶圓上的黏著劑層移除(在40℃下)，且然後用肉眼檢查殘留物。根據以下的標準對結果進行分類。
◎：可移除，無任何殘留物，○：沿著玻璃板的邊緣發現少量的殘留物，△：在該邊緣的範圍之外發現少量的殘留物，X：有許多部分未整體一起剝離。
在各實例中的光熱轉換層的組分的含量與實驗結果繪示在下面的表4中，且各值以wt%表示。
參照表4，在實例9至27中，可形成膜型光熱轉換層。具體地，可確認的是，當丙烯酸樹脂的含量(高分子量丙烯酸聚合物彈性體與低分子量丙烯酸聚合物彈性體的含量的總和)係40wt%或更高，且填料的總含量(碳黑、二氧化鈦、與氧化鋁的含量的總和)係60wt%或更少時，接合性能、剝離性能、及類似者是優異的。
實驗實例5-丙烯酸樹脂的最佳化
包括根據比較例3與4以及實例28之膜型光熱轉換層的層壓膜以相同於實例1的方式製備，除了各組分的含量之外。在比較例3與4以及實例28中的光熱轉換層的組分的含量繪示在下面的表5中。
隨後，測試根據比較例3與4以及實例28的層壓膜的光熱轉換層的玻璃板的接合性能與耐熱性。
當使用輥在70℃下將所製備的黏著劑膜接合至切割成寬度1吋的玻璃板時，執行接合性能測試，且然後用肉眼觀察接合狀態，且將PET附接至與玻璃板的上部接合的黏著劑膜，且然後使用 UTM將包括接合的PET的黏著劑膜從玻璃板剝離(剝離速度：300mm/min，剝離角度：180)，且測量剝離強度。
通過肉眼觀察到的空隙的結果繪示在圖7中。參照圖7，可確認的是，當僅使用高分子量聚合物彈性體時，關於空隙方面較差。因此，可確認實例28的接合性能顯著優於比較例3的接合性能。
同時，作為藉由UTM測量剝離強度的結果，比較例3具有120gf/25mm的黏著性，比較例4具有1730gf/25mm的黏著性，且實例28具有1600gf/25mm的黏著性。
即，當僅使用高分子量聚合物彈性體時，黏著劑膜至支撐件的黏著性非常低，且因此，很難接合黏著劑膜至支撐件，且因此在程序期間可能發生缺陷。因此，可確認實例28的剝離性能顯著優於比較例3的剝離性能。
當在特定的溫度(200℃與250℃)與時間間隔(1hr)在氮氣氛圍下測量製備的黏著劑膜的樣本的重量損失時，執行耐熱性測試。結果繪示於下面的表6中。
參照表6，在僅使用低分子量丙烯酸聚合物彈性體的比較例4中，可確認的是，重量損失明顯很大，且耐熱性差。因此，可確認實例28的耐熱性顯著優於比較例4的耐熱性。
因此，可確認的是，當使用包括兩種具有不同重量平均分子量的丙烯酸樹脂之黏著劑膜時(就像本發明)，接合性能、剝離性能、與耐熱性是完全優異的。
實例29
以與實例1相同的方式，製備膜型光熱轉換層，其包括44wt%的丙烯酸聚合物彈性體(22wt%的高分子量丙烯酸聚合物彈性體與22wt%的低分子量丙烯酸聚合物彈性體)、44wt%的碳黑、10.5wt%的二氧化鈦、與1.5wt%的分散劑。
通過卷對卷程序，將形成在第二襯墊上的光熱轉換層層壓在形成在預先製備的第一襯墊上的黏著劑層(3M Company,ATT 4025)上，來製備黏著劑膜，且移除第一襯墊，將聚醯亞胺膜層壓在黏著劑層上，以製備最終的黏著劑基材。
實驗實例6-化學抗性測試
測試根據實例29的黏著劑基材的化學抗性。黏著劑基材在下表7中所示的測試條件下浸入化學材料中，測量浸沒後的重量變化，並目視檢查表面上的損傷。結果繪示於下面的表7中。
通常，當元件層形成在待處理的基材上時，在矽蝕刻程序或類似者中使用化學材料。因此，為了穩定地執行基材的處理程序，黏著劑膜需要具有化學抗性。
參照表7，可確認的是，根據本發明的黏著劑基材在大多數化學材料中具有化學抗性。具體地，在老化程序的情況下，可確認在所有測試的化學物質中都沒有問題，且黏著劑基材具有優異的化學抗性。
實驗實例7-移除溶液的剝離性能測試
用雷射照射根據實例29的黏著劑基材，以分離支撐件，且然後測試黏著劑層的剝離性能。當使用移除溶液(3M；Novec 73DE)移除黏著劑層時，執行剝離性能測試，且然後目視確認殘留物。根據以下的標準對結果進行分類。
◎：可移除，無任何殘留物，○：沿著玻璃板的邊緣發現少量的殘留物，△：在該邊緣的範圍之外發現少量的殘留物，X：有許多部分未整體一起剝離。
將剝離性能測試的結果繪示在下表8中。
參照上表8，藉由移除溶液來移除黏著劑層的性能非常優異。當使用移除溶液時，無論樣本的熱處理，黏著劑層係完全移除。使用此類移除溶液來移除黏著劑層對於具有大螢幕的可撓顯示器是特別合適的，因為不需要物理外力。
如上述，描述本發明的例示性實施例，但只是實例化，且所屬技術領域中具有通常知識者應理解到，可做出各種修改與均等物。因此，應解釋的是，本發明的範圍不僅包括以下的申請專利範圍，而且也包括其均等物。
參考數字與符號的說明
110：第一襯墊；120：黏著劑層；130：光熱轉換層；140：第二襯墊；150：襯墊；200：待處理的基材；210：經處理的基材；300： 支撐件；400：雷射；500：移除膠帶；600：待處理的基材；610：經處理的基材；700：移除溶液；800：容器

Claims (22)

  1. 一種黏著劑膜，其包含：光熱轉換層，其包括光吸收劑與熱可分解樹脂，該熱可分解樹脂具有-COOH或-OH官能基；及黏著劑層，其中該熱可分解樹脂包括具有不同重量平均分子量的兩種丙烯酸樹脂。
  2. 如請求項1之黏著劑膜，其中該光吸收劑係碳黑。
  3. 如請求項1之黏著劑膜，其中該兩種丙烯酸樹脂係高分子量丙烯酸樹脂與低分子量丙烯酸樹脂，且該高分子量丙烯酸樹脂具有大於該低分子量丙烯酸樹脂的分子量，該高分子量丙烯酸樹脂的該重量平均分子量係400,000g/mol至15,000,000g/mol，且該低分子量丙烯酸樹脂的該重量平均分子量係50,000g/mol至600,000g/mol。
  4. 如請求項3之黏著劑膜，其中該高分子量丙烯酸樹脂與該低分子量丙烯酸樹脂的一重量比係1：4至4：1。
  5. 如請求項1之黏著劑膜，其中該兩種丙烯酸樹脂包括單體，該等單體選自由甲基丙烯酸甲酯(MMA)、羥乙基丙烯酸甲酯(HEMA)、丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯腈(AN)、以及其組合所組成之群組。
  6. 如請求項1之黏著劑膜，其中該-COOH或-OH官能基的酸值係1mgKOH/g或更高。
  7. 如請求項1之黏著劑膜，其中該光熱轉換層進一步包括無機填料。
  8. 如請求項7之黏著劑膜，其中該無機填料係選自由SiO 2、Al 2O 3、TiO 2、及其組合所組成之群組。
  9. 如請求項1之黏著劑膜，其中該光熱轉換層進一步包括分散劑。
  10. 如請求項1之黏著劑膜，其中該光熱轉換層具有1μm至15μm之一厚度。
  11. 如請求項1之黏著劑膜，其進一步包含：一第一襯墊與一第二襯墊，其中該第一襯墊、該黏著劑層、該光熱轉換層、與該第二襯墊依次層壓。
  12. 一種處理一基材之方法，其包含：提供如請求項1至10中任一項之黏著劑膜；附接該黏著劑膜的該光熱轉換層至一支撐件，且附接該黏著劑層至該基材；藉由處理該基材而形成一經處理的基材；藉由從該支撐件側照射一雷射至該光熱轉換層來分割該光熱轉換層，且從該經處理的基材分離該支撐件；及藉由使用一移除膠帶或一移除溶液，從該經處理的基材移除該黏著劑層。
  13. 如請求項12之處理一基材之方法，其中該基材的該處理包括研磨該基材的未黏附該黏著劑之一相對表面。
  14. 如請求項12之處理一基材之方法，其中該基材的該處理包括形成一元件層在該基材上。
  15. 如請求項12之處理一基材之方法，其中該移除溶液包括反-1,2-二氯乙烯與氫氟醚。
  16. 一種黏著劑基材，其包含：如請求項1至10中任一項之黏著劑膜；及一待處理的基材，其設置在該黏著劑膜的該黏著劑層上。
  17. 如請求項16之黏著劑基材，其進一步包含：一襯墊，其設置在該黏著劑膜的該光熱轉換層上。
  18. 如請求項16之黏著劑基材，其中該待處理的基材係一可撓基材。
  19. 如請求項18之黏著劑基材，其中該可撓基材係PI膜。
  20. 一種處理一基材之方法，其包含：提供如請求項16之黏著劑基材；附接該黏著劑基材的該光熱轉換層至一支撐件；藉由處理該基材而形成一經處理的基材；藉由從該支撐件側照射一雷射至該光熱轉換層來分割該光熱轉換層，且從該經處理的基材分離該支撐件；及藉由使用一移除膠帶或一移除溶液，從該經處理的基材移除該黏著劑層。
  21. 如請求項20之處理一基材之方法，其中該基材的該處理包括形成一元件層在該基材上。
  22. 如請求項20之處理一基材之方法，其中該移除溶液包括反-1,2-二氯乙烯與氫氟醚。
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