CN110061035A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括：衬底、驱动电路和N行发光单元，所述驱动电路设于所述衬底，N行发光单元设于所述驱动电路远离所述衬底的一侧；驱动电路包括：N行驱动电路单元和多条第一扫描信号线，一所述第一扫描信号线在所述衬底上的投影位于一第一区，所述第一区为N行所述发光单元中任意相邻两行所述发光单元中的第一行发光单元所述衬底上的投影和第二行发光单元在所述衬底上的投影之间的区域，所述第一行驱动电路的第二晶体管的栅极和所述第二行驱动电路的第一晶体管的栅极连接于一所述第一扫描信号线。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着技术的发展和进步，OLED显示装置已广泛应用于各类电子产品中，电子产品对显示装置的显示品质和占屏比的要求越来越高。在显示装置中通常通过驱动电路驱动像素单元发光进而显示画面，驱动电路中包括大量信号线，比如源极线和栅极线等。
驱动电路中大量的信号线需要较多的布线空间，导致阵列基板中用于布置像素单元的空间减少，降低了像素区内单位面积的像素数量，影响显示品质。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，进而至少在一定程度上克服由于相关技术中存在的信号线占据大量空间，导致像素区内单位面积的像素数量较少的问题。
根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
衬底；
驱动电路，设于所述衬底；
N行发光单元，设于所述驱动电路远离所述衬底的一侧；
所述驱动电路包括：
N行驱动电路单元，N行所述驱动电路单元中的每行所述驱动电路单元对应驱动一行所述发光单元发光，所述驱动电路单元包括第一晶体管和第二晶体管；
多条第一扫描信号线，一所述第一扫描信号线在所述衬底上的投影位于一第一区，所述第一区为N行所述发光单元中任意相邻两行所述发光单元中的第一行发光单元和第二行发光单元在所述衬底上的投影，所述第一行驱动电路的第二晶体管的栅极和所述第二行驱动电路的第一晶体管的栅极连接于一所述第一扫描信号线；
其中，扫描时所述第一行驱动电路单元先于所述第二行驱动电路单元，N≥2。
根据本公开的一实施方式，所述驱动电路还包括：
第二扫描信号线，其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第一侧，连接于扫描起始行的所述驱动电路单元的第一晶体管的栅极；
第三扫描信号线，其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第二侧，连接于扫描结束行的所述驱动电路单元的第二晶体管的栅极，其中，第一侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描起始行的一侧，第二侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描结束行的一侧。
根据本公开的一实施方式，所述驱动电路单元包括：
驱动晶体管，包括栅极、源极和漏极，其源极连接第一电源信号，所述发光单元的像素电极连接于驱动晶体管的漏极；
第一晶体管，栅极连接第n行第一扫描信号，源极连接数据信号，漏极连接所述驱动晶体管的栅极，用于响应所述扫描信号而导通以将所述数据信号传输至所述驱动晶体管的栅极；
第二晶体管，栅极连接连接第n+1行第一扫描信号，源极连接于所述驱动晶体管的漏极，漏极连接于第一节点，用于响应复位控制信号而导通以将第一节点的信号传输至所述驱动晶体管的漏极；
储能单元，第一端连接于所述驱动晶体管的栅极，第二端连接于所述驱动晶体管的漏极。
根据本公开的一实施方式，所述阵列基板还包括：
参考电压子电路，连接于所述第一节点用于提供参考电压；
补偿检测子电路，连接于所述第一节点，用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
根据本公开的一实施方式，所述参考电压子电路包括：
参考电压端，用于输出参考电压；
第一开关单元，第一端连接于所述参考电压端，第二端连接于所述第一节点；
所述补偿检测子电路包括：
检测单元；
第二开关单元，第一端连接于所述检测单元，第二端连接于所述第一节点，所述检测单元用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
根据本公开的一实施方式，所述驱动电路包括：
第一导电层，所述第一扫描信号线设于所述第一导电层；
第二导电层，所述第二导电层中设有数据信号线、第一电源线、第二电源线和检测信号线，所述第一晶体管的源极连接于所述数据信号线，所述驱动晶体管源极连接于所述第一电源线，所述第二晶体管的漏极连接于检测信号线。
根据本公开的一实施方式，所述第一导电层和所述第二导电层之间设有绝缘层。
根据本公开的一实施方式，所述第一扫描信号线沿第一方向设置，所述数据信号线沿第二方向设置，所述第一方向和第二方向相交。
根据本公开的一实施方式，所述第一电源线在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；
所述驱动电路还包括第一源极连接线，第一源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述第一电源信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述第一电源信号线连接，所述驱动晶体管的源极连接于所述第一源极连接线。
根据本公开的一实施方式，所述数据信号线在所述衬底上的投影位于和其对应的一列所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；
所述驱动电路还包括第二源极连接线，第二源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述数据信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述数据信号线连接，所述第一晶体管的源极连接于所述第二源极连接线。
根据本公开的一实施方式，所述检测信号线在所述衬底上的投影位于和其对应的一列所述发光单元在所述衬底上的投影的一侧；
所述驱动电路还包括漏极连接线，所述漏极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述检测信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述检测信号线连接，所述第二晶体管的漏极和所述漏极连接线连接。
根据本公开的一实施方式，所述发光单元包括：
像素电极，连接于所述驱动晶体管的漏极；
公共电极，连接于所述第二电源线；
发光层，位于所述像素电极和所述公共电极之间。
根据本公开的另一个方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
本公开提供的阵列基板，通过多行驱动电路单元中相邻两行驱动电路单元中一行驱动电路单元的复位信号和另一行电路单元的扫描信号共用一条扫描信号线，减少了扫描信号线数量，节省了布线空间，提高了单位面积内像素单元的数量，提升了显示品质；并且两个晶体管共用栅极线，有利于减小栅极驱动电路的面积，进而减小显示装置的边框。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开示例性实施方式提供的一种阵列基板的示意图。
图2为本公开示例性实施方式提供的一种像素电路的示意图。
图3为本公开示例性实施方式提供的一种像素电路显示模式的时序图。
图4为本公开示例性实施方式提供的一种像素电路补偿模式的时序图。
图5为本公开示例性实施方式提供的一种移位寄存器的电路示意图。
图6为本公开示例性实施方式提供的一种移位寄存器的电路时序图。
图7为本公开示例性实施方式提供的一种移位寄存器的级联示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本示例实施方式中首先提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底、驱动电路和N行发光单元；驱动电路设于所述衬底；N行发光单元设于所述驱动电路远离所述衬底的一侧；
其中，如图1所示，驱动电路包括N行驱动电路单元和多条第一扫描信号线，N行所述驱动电路单元中的每行所述驱动电路单元对应驱动一行所述发光单元发光，所述驱动电路单元包括第一晶体管T1和第二晶体管T2；一所述第一扫描信号线Gn在所述衬底上的投影位于一第一区，所述第一区为N行所述发光单元中任意相邻两行所述发光单元中的第一行发光单元Pn在所述衬底上的投影和第二行发光单元Pn+1在所述衬底上的投影之间的区域，所述第一行驱动电路的第二晶体管的栅极和所述第二行驱动电路的第一晶体管的栅极连接于一所述第一扫描信号线，扫描时所述第一行驱动电路单元先于所述第二行驱动电路单元，N≥2，且N为整数。
本公开提供的阵列基板，通过多行驱动电路单元中相邻两行驱动电路单元中一行驱动电路单元的复位信号和另一行电路单元的扫描信号共用一条扫描信号线，减少了扫描信号线数量，节省了布线空间，提高了单位面积内像素单元的数量，提升了显示品质；并且两个晶体管共用栅极线，有利于减小栅极驱动电路的面积，进而减小显示装置的边框。
进一步的，所述驱动电路还包括第二扫描信号线和第三扫描信号线；第二扫描信号线在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第一侧，连接于扫描起始行的所述驱动电路单元的第一晶体管的栅极；第三扫描信号线在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第二侧，连接于扫描结束行的所述驱动电路单元的第二晶体管的栅极，其中，第一侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描起始行的一侧，第二侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描结束行的一侧。第二扫描信号线、第三扫描信号线和第一扫描信号线可以平行设置，第一扫描信号线位于相邻两行发光单元之间，第二扫描信号线连接于第一行驱动电路单元中的第一晶体管的栅极，第三扫描信号连接于最后一行驱动电路单元的第二晶体管的栅极。
比如，一阵列基板仅包括如图1所示的两行发光单元，扫描顺序从上至下，则Gn为第一扫描信号线，Gn-1为第二扫描信号线，Gn+1为第三扫描信号线。
如图2所示，本公开实施例所述的所述驱动电路单元包括：驱动晶体管T3、第一晶体管T1、第二晶体管T2和储能单元Cst；驱动晶体管T3包括栅极、源极和漏极，其源极连接第一电源信号VDD，发光单元OLED的像素电极连接于驱动晶体管T3的漏极；第一晶体管T1的栅极连接第n行第一扫描信号，源极连接数据信号，漏极连接所述驱动晶体管T3的栅极，用于响应所述扫描信号而导通以将所述数据信号传输至所述驱动晶体管T3的栅极；第二晶体管T2的栅极连接第n+1行第一扫描信号，源极连接于所述驱动晶体管T3的漏极，漏极连接于第一节点，用于响应复位控制信号而导通以将第一节点的信号传输至所述驱动晶体管T3的漏极；储能单元Cst的第一端连接于所述驱动晶体管T3的栅极，第二端连接于所述驱动晶体管T3的漏极。其中，第n行第一扫描信号为当前行驱动电路单元的扫描信号，第二n+1行第一扫描信号为下一行驱动电路单元的扫描信号。
进一步的，所述阵列基板还可以包括：参考电压子电路100和补偿检测子电路200，参考电压子电路100连接于所述第一节点用于提供参考电压；补偿检测子电路200连接于所述第一节点，用于检测所述驱动晶体管T3漏极S的信号。
其中，所述参考电压子电路可以包括：参考电压端Vref和第一开关单元K1，参考电压端Vref用于输出参考电压；第一开关单元K1第一端连接于所述参考电压端Vref，第二端连接于所述第一节点；所述补偿检测子电路200可以包括：检测单元和第二开关单单元K2，第二开关单元K2第一端连接于所述检测单元，第二端连接于所述第一节点，所述检测单元用于检测所述驱动晶体管T3漏极S的信号。
参考电压子电路100和补偿检测子电路200可以设置于阵列基板上或者设于阵列基板之外，本公开实施例对此不做具体限定。比如，第一开关单元K1和第二开关单元K2可以是晶体管，设于阵列基板，参考电压端Vref和补偿检测子电路设于阵列基板外部。
本公开实施例所提供的驱动电路单元可以具有两种工作模式：显示模式和补偿模式。在显示模式下，第一开关单元K1导通，第二开关单元K2关断，参考图3所示的时序图，可以包括数据写入阶段和发光阶段，以晶体管均为N型晶体管为例：
数据写入阶段t1：扫描信号和复位信号均为高电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2导通，数据电压和参考电压被写入储能单元Cst。
发光阶段t3：扫描信号和复位信号均为低电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2关断，储能单元中的信号控制驱动晶体管T3导通，发光元件发光。其中，在t1和t3之间可以设置有保持阶段t2。
在补偿模式下，参考图4所示的时序图，可以包括如下阶段：
复位阶段t1：第一开关单元K1导通，第二开关单元K2关断，上一行驱动电路单元的扫描信号和复位信号均为高电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2导通，驱动晶体管T3的栅极和漏极写入校正电平(低电平)，驱动晶体管T3关断。
写入阶段t2：第一开关单元K1导通，第二开关单元K2关断，本行驱动电路单元的扫描信号和复位信号均为高电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2导通，数据电压和参考电压被写入储能单元Cst。
充电阶段t3：本行驱动电路单元的扫描信号和复位信号均为低电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2关断，对驱动晶体管T3的栅极充电。
检测阶段t4：第一开关单元K1关断，第二开关单元K2导通，第二晶体管T2导通，通过检测补偿模块200检测驱动晶体管漏极的信号；
恢复写入阶段t5：第一开关单元K1导通，第二开关单元K2关断，本行驱动电路单元的扫描信号和复位信号均为高电平，第一晶体管T1和第二晶体管T2导通，数据电压和参考电压被再次写入储能单元Cst。
图5为本公开实施例提供的栅极驱动电路，结合图6所示的时序，示例的，一帧画面中在显示阶段针对于第11行具体的工作过程如下，
第一阶段：CRN-4为高电平，图中CRN+8，CLKA,CLKE,CLKD,CLKF都为低电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个为高或者其中一个工作。初始时M18导通使得QB_B为高电平，M14,M15导通使得Q为低电平，Q11,Q12点被置为低电平；CRN-4为高电平使得M8,M33导通，Q11,Q12点写入高电压并保持为高电平，M19,M44的栅极电平被置高，M19,M44导通把QB_A,QB_B点拉低。输出端CLKD,CLKE为低电平使得输出的CR和OUT都为低电平。
第二阶段：CLKD_1,CLKE_1为高电平，STU,CLKA,OE,TRST都为低电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个高电平或者其中一个工作。此时Q11点因为C2,C3的存在保持为高电平，M23，M26导通，CLKD_1,CLKE_1为高电平使得CR11和OUT1<11>输出高电平。
第三阶段：CLKE_2为高电平，STU，CLKA,OE,TRST都为低电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个为高或者其中一个工作。此时Q12点因为C4,C5的存在保持为高电平，M48导通，CLKE_2为高电平使得Q点进行第二次自举进一步提高电平，OUT1<11>输出高电平。
第四阶段：CLKD_1,CLKE_1,STU,CLKA都为低电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个为高或者其中一个工作。此时，Q11点因为C2,C3仍保持高电平，此时CLKD_1,CLKE_1变为低电平，使得CR<11>和OUT1<11>输出低电平。
第五阶段：CLKE_2，STU,CLKA都为低电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个为高或者其中一个工作。此时，Q12点因为C4,C5仍保持高电平，此时CLKE_2变为低电平，使得OUT1<11>输出低电平。
第六阶段：CRN+8(CR19)为高电平，VDD_A和VDD_B始终保持一个为高或者其中一个工作。此时CR19为高电平使得M12,M13,M37,M38导通，Q11,Q12点被拉低，复位完成。
依次移位完成显示阶段的所有行的显示，接着进入消隐阶段。在此过程中，针对第12行的SENSE，OE信号与CR<7>的波形脉宽相同，所以在CR7输出时，会对H11,H13充电，在OE信号为低电平后H11,H13的高电平会一直保持到消隐阶段。
此过程中M7一直处于关断状态。隔离了检测预存电压点H对于显示的影响。Q点呈现塔状波形，对于输出的CR和OUT的上升沿和下降沿共用了一个大的驱动管M26,M48大大减小了版图的面积。
以上第11行的显示过程，接着依次传递直至最后一行显示完成，一帧画面的显示阶段结束。
图7为公开示例性实施方式提供的一种移位寄存器的级联示意图，本公开实施例提供的栅极驱动电路和驱动电路单元在进行驱动晶体管漏极检测时工作原理如下：
第一阶段：在第一帧的显示期间，第7行输出时,OE信号为高，使得H11,H13写入了高电平信号(此处因为CLK之间的overlap使得H13为高，如果检测单元四行共用则只需要一个H11)
第二阶段：CLKA为高电平使得第11、12、13、14行的M4，M7,M32导通，Q点写入高电平。
第三阶段：CLKA关断，CLKE_1,CLKE_2导通使得Q11,Q12因为C2,C3的存在进行第二次自举抬高电平，接着第11行的G1,G2为高，第11行写入校正电平DATA,VREF。
第四阶段：接着CLKE_2,CLKE_3导通使得输出OUT112为高电平。
第五阶段：CLKE_2,CLKE_3变为低电平，输出端OUT112变为低电平。
第六阶段：OE TRST导通使所有行的H点和Q点复位为低电平，如此完成显示和补偿检测。。
需要说明的是，图中的所有电容可以为TFT的寄生电容也可以为外接电容。
利用第N行的G2和第N+1行的G1共用方法可以减少GOA的边框，同时利用G2<N>和G1<N+1>在像素内共用可以将原两条线的负载减小为一条线产生的负载。同时节省了一条栅线的负载，减小了因为两条栅线产生的不良数目。
示例的，以子像素R为例，数据信号Data接到第一晶体管T1的源极,第一晶体管T1的漏极接到G点同时与驱动晶体管T3的栅极相连，驱动晶体管T3的源极连接VDD，漏极连接S点，由G点连出来的第二导电层金属作为电容的一极，由S点连出来的ACTIVE层作为电容的另一极。第二晶体管T2的源极接到S点，漏极连接到检测线上。第N行第二晶体管T2的栅线也是第N+1行第一晶体管T1的栅线。这样第N行的T2与第N+1行的T1共用了栅极线，减少了栅极线交叉带来的不良，同时节省出了一条栅极线的空间，有力于高PPI像素设计。
需要说明的是：在上述具体的实施例中，所有晶体管均为N型晶体管；但本领域技术人员容易根据本公开所提供的像素驱动电路得到所有晶体管均为P型晶体管的像素驱动电路。在本公开的一种示例性实施方式中，所有晶体管可以均为P型晶体管。采用全P型薄膜晶体管具有以下优点：例如对噪声抑制力强；例如由于是低电平导通，而充电管理中低电平容易实现；例如P型薄膜晶体管制程简单，相对价格较低；例如P型薄膜晶体管的稳定性更好等等。当然，本公开所提供的像素驱动电路也可以改为CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)电路等，并不局限于本实施例中所提供的像素驱动电路，这里不再赘述。
驱动电路可以包括第一导电层和第二导电层，所述第一扫描信号线和第二扫描信号线设于所述第一导电层；第二导电层中设有数据信号线Data、第一电源线VDD、第二电源线VSS和检测信号线SE，所述第一晶体管T1的第一端连接于所述数据信号线Data，所述驱动晶体管T3源极连接于所述第一电源线VDD，漏极连接于像素电极；所述第二晶体管T2的漏极连接于检测信号线。所述第一导电层和所述第二导电层之间可以设有绝缘层。
如图2所示，第一扫描信号线沿第一方向设置，数据信号线Data沿第二方向设置，所述第一方向和第二方向相交，比如垂直设置，当然，在实际应用中，第一方向和第二方向也可以是平行设置或者交叉设置，本公开实施例并不以此为限。
进一步的，驱动电路还可以包括第一源极连接线、第二源极连接线和漏极连接线，所述第一电源信号线VDD在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；第一源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述第一电源信号线VDD在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述第一电源信号线VDD连接，所述驱动晶体管的源极连接于所述第一源极连接线。第一源极连接线和第一电源信号线VDD以及驱动晶体管T3源极之间设置有绝缘层，第一源极连接线和驱动晶体管T3源极通过导电过孔连接。
数据信号线Data在所述衬底上的投影位于和其对应的一列所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；第二源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述数据信号线Data在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述数据信号线连接，所述第一晶体管T1的源极连接于所述第二源极连接线。第二源极连接线和数据信号线Data以及第一晶体管T1源极之间设置有绝缘层，第二源极连接线和第一晶体管T1源极通过导电过孔连接。
检测信号线SE在所述衬底上的投影位于一列所述发光单元在所述衬底上的投影的一侧；所述漏极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述检测信号线SE在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述检测信号线连接，所述第二晶体管T2的漏极和所述漏极连接线连接。漏极连接线和检测信号线SE以及第二晶体管图漏极之间设置有绝缘层，漏极连接线和第二晶体管T2漏极通过导电过孔连接。
示例的，对于第N行像素单元，第N-1条第一栅极线Gn-1横向设置于发光单元的一侧，第N条第一栅极线Gn横向设置于发光单元的另一侧，数据信号线Data、第一电源线VDD和检测信号线SE垂直于第一扫描信号线Gn设置，也即是数据信号线Data、第一电源线VDD和检测信号线SE纵向设置，第一电源线VDD位于像素单元的一侧，数据信号线Data位于像素单元的另一侧。第一晶体管T1设于像素单元靠近数据信号线Data的一侧，源极连接于数据信号线，栅极连接于第一数据信号线Gn-1；驱动晶体管T3设于像素单元靠近第一电源线VDD的一侧，栅极连接于第一晶体管T1的漏极，源极连接于第一电源线VDD，漏极连接于像素电极；第二晶体管T2设于像素单元靠近第一栅极线Gn的一侧，栅极连接于第一栅极线Gn，源极连接驱动晶体管T3的漏极(像素电极)，漏极连接于检测信号线SE。
需要说明的是，在上述示例中，所述的位置关系为像素单元、第一导电层和第二导电层等的投影的位置关系，在实际应用中其位于不同的层级中，不同层级的器件和连接线的连接可以通过导电过孔实现。
进一步的，所述驱动电路还可以包括有源层，第一导电层可以设于有源层远离衬底的一侧，有源层可包括例如多晶硅，并且例如可包括沟道区、源极区和漏极区。沟道区可不掺杂有杂质，并因此具有半导体特性。源极区和漏极区在沟道区的分别侧上，并且掺杂有杂质，并因此具有导电性。杂质可根据TFT是N型还是P型晶体管而变化。
第一导电层中的栅电极可具有单层或多堆叠层结构，例如考虑到相邻层的粘附性、堆叠目标层的表面的平坦化、可成形性等，单层或多堆叠层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钦(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、铿(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种。为了使相应的有源层与相应的栅电极绝缘，绝缘层包括位于有源层与栅电极之间的无机材料(例如，氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。
发光单元包括可以像素电极、公共电极和发光层，像素电极连接于所述驱动晶体管的漏极；公共电极连接于所述第二电源线；发光层位于所述像素电极和所述公共电极之间。像素层被像素定义层划分为多行发光单元，每行发光单元中包括多个发光单元，也即是发光单元呈阵列式分布。
本示例实施方式还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。其中，所述显示装置例如可以包括手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开提供的显示装置，包括阵列基板，该阵列基板通过多行驱动电路单元中相邻两行驱动电路单元中一行驱动电路单元的复位信号和另一行电路单元的扫描信号共用一条扫描信号线，减少了扫描信号线数量，节省了布线空间，提高了单位面积内像素单元的数量，提升了显示品质；并且两个晶体管共用栅极线，有利于减小栅极驱动电路的面积，进而减小显示装置的边框。
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的设备的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施方式可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施方式的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是CD-ROM，U盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、移动终端、或者网络设备等)执行根据本公开实施方式的方法。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底；
驱动电路，设于所述衬底；
N行发光单元，设于所述驱动电路远离所述衬底的一侧；
所述驱动电路包括：
N行驱动电路单元，N行所述驱动电路单元中的每行所述驱动电路单元对应驱动一行所述发光单元发光，所述驱动电路单元包括第一晶体管和第二晶体管；
多条第一扫描信号线，所述多条第一扫描信号线中的一条第一扫描线在所述衬底上的投影位于一第一区，所述第一区为N行所述发光单元中任意相邻两行所述发光单元中的第一行发光单元在所述衬底上的投影和第二行发光单元在所述衬底上的投影之间的区域，所述第一行驱动电路的第二晶体管的栅极和所述第二行驱动电路的第一晶体管的栅极连接于一所述第一扫描信号线；
其中，扫描时所述第一行驱动电路单元先于所述第二行驱动电路单元，N≥2。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路还包括：
第二扫描信号线，其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第一侧，连接于扫描起始行的所述驱动电路单元的第一晶体管的栅极；
第三扫描信号线，其在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影的第二侧，连接于扫描结束行的所述驱动电路单元的第二晶体管的栅极，其中，第一侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描起始行的一侧，第二侧为N行所述发光单元在所述衬底上投影靠近扫描结束行的一侧。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路单元包括：
驱动晶体管，包括栅极、源极和漏极，其源极连接第一电源信号，所述发光单元的像素电极连接于驱动晶体管的漏极；
第一晶体管，栅极连接第n行第一扫描信号，源极连接数据信号，漏极连接所述驱动晶体管的栅极，用于响应所述扫描信号而导通以将所述数据信号传输至所述驱动晶体管的栅极；
第二晶体管，栅极连接连接第n+1行第一扫描信号，源极连接于所述驱动晶体管的漏极，漏极连接于第一节点，用于响应复位控制信号而导通以将第一节点的信号传输至所述驱动晶体管的漏极；
储能单元，第一端连接于所述驱动晶体管的栅极，第二端连接于所述驱动晶体管的漏极。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
参考电压子电路，连接于所述第一节点用于提供参考电压；
补偿检测子电路，连接于所述第一节点，用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述参考电压子电路包括：
参考电压端，用于输出参考电压；
第一开关单元，第一端连接于所述参考电压端，第二端连接于所述第一节点；
所述补偿检测子电路包括：
检测单元；
第二开关单元，第一端连接于所述检测单元，第二端连接于所述第一节点，所述检测单元用于检测所述驱动晶体管漏极的信号。
6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括：
第一导电层，所述第一扫描信号线设于所述第一导电层；
第二导电层，所述第二导电层中设有数据信号线、第一电源线、第二电源线和检测信号线，所述第一晶体管的源极连接于所述数据信号线，所述驱动晶体管源极连接于所述第一电源线，所述第二晶体管的漏极连接于检测信号线。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层之间设有绝缘层。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一扫描信号线沿第一方向设置，所述数据信号线沿第二方向设置，所述第一方向和第二方向相交。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电源信号线在所述衬底上的投影位于N行所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；
所述驱动电路还包括第一源极连接线，第一源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述第一电源信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述第一电源信号线连接，所述驱动晶体管的源极连接于所述第一源极连接线。
10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述数据信号线在所述衬底上的投影位于和其对应的一列所述发光单元在所述衬底上投影沿所述第二方向的一侧；
所述驱动电路还包括第二源极连接线，第二源极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述数据信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述数据信号线连接，所述第一晶体管的源极连接于所述第二源极连接线。
11.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述检测信号线在所述衬底上的投影位于和其对应的一列所述发光单元在所述衬底上的投影的一侧；
所述驱动电路还包括漏极连接线，所述漏极连接线的一端在所述衬底上的投影和所述检测信号线在所述衬底上的投影重合，并且通过导电过孔和所述检测信号线连接，所述第二晶体管的漏极和所述漏极连接线连接。
12.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元包括：
像素电极，连接于所述驱动晶体管的漏极；
公共电极，连接于所述第二电源线；
发光层，位于所述像素电极和所述公共电极之间。
13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12任一所述的阵列基板。
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