CN110041911A - 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法 - Google Patents

一种CdSe/CdS量子棒的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110041911A
CN110041911A CN201910465588.0A CN201910465588A CN110041911A CN 110041911 A CN110041911 A CN 110041911A CN 201910465588 A CN201910465588 A CN 201910465588A CN 110041911 A CN110041911 A CN 110041911A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cdse
cdo
obtains
mixed solution
preparation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910465588.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王恺
孙小卫
刘皓宸
周子明
刘培朝
郝俊杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Paracetamol Creative Technology Ltd
Original Assignee
Shenzhen Paracetamol Creative Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Paracetamol Creative Technology Ltd filed Critical Shenzhen Paracetamol Creative Technology Ltd
Priority to CN201910465588.0A priority Critical patent/CN110041911A/zh
Publication of CN110041911A publication Critical patent/CN110041911A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明提供了一种CdSe/CdS量子棒的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将CdSe量子点分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体溶液,得到混合溶液;(2)将CdO、正己基膦酸、长链膦酸配体和三正辛基氧膦混合,加热溶解得到混合溶液;(3)将步骤(1)得到的混合溶液与步骤(2)得到的混合溶液加热反应得到所述CdSe/CdS量子棒。本发明提供的制备方法制备得到的CdSe/CdS量子棒的荧光量子产率(PLQY)可达到75%,在显示技术中具有广阔的应用前景。

Description

一种CdSe/CdS量子棒的制备方法
技术领域
本发明属于纳米材料领域,涉及一种CdSe/CdS量子棒的制备方法。
背景技术
量子棒技术是一种新型的显示技术,它兼具有超高色域和偏振特性。由于核/壳结构的量子棒是先形成核心量子点再包覆棒状壳层得到量子棒的,而在包覆棒状壳层的过程中,荧光波长会发生较大红移,不能得到绿色且产率高的量子棒。所以目前该技术的难点是不能实现高产率的绿色波段的量子棒,限制了该技术在显示技术中的应用。
CN108048094A公开了一种核壳结构CdSe/CdS量子点及其合成方法和用途,以氧化镉和硒粉为前驱体,油酸为配体,液体石蜡为有机溶剂,将镉源快速注入硒源中合成得到CdSe量子点。然后将硫化钠溶液和稀硫酸反应在线生成硫化氢气体为前驱体,并可控导入所合成的CdSe量子点溶液中,在CdSe表面进一步包覆CdS壳形成核壳结构的CdSe/CdS量子点。此方法制备的量子点产物纯净、CdSe量子点和CdSe/CdS量子点荧光量子产率高;易操作。但是其仅仅为核壳结构的量子点,并不是量子棒结构,无法产生绿色的效果。
CN101781557A公开了一种CdSe/CdS核-壳结构量子点的制备方法,包括:取硒脲水溶液与烷基羧酸镉的正庚烷溶液混合得到第一混合液,在40℃~70℃搅拌所述第一混合液进行反应,从反应后的有机相溶液中分离出CdSe量子点;取所述CdSe量子点加入到所述烷基羧酸镉的正庚烷溶液中;取硫脲水溶液与所述含有CdSe量子点的烷基羧酸镉的正庚烷溶液混合得到第二混合液,在40℃~70℃搅拌所述第二混合液进行反应得到CdSe/CdS核-壳结构的量子点;所述烷基羧酸镉的正庚烷溶液由烷基羧酸镉、有机包覆剂和正庚烷组成。此方法制备的量子点也无法产生绿色的效果。
CN108329913A公开了一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途,所述铝掺杂半导体量子棒具有核壳结构,核为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe或ZnMnSe中的任意一种或至少两种的混合物,壳层为Al掺杂的壳基材,所述壳基材为CdS、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe中的任意一种或至少两种的混合物。此方法不改变核材料的结构和组成,而是铝原子融入量子棒壳材料的晶格中,在量子棒表面形成一层钝化层,提高量子棒的光稳定性,不仅稳定性更高,而且不易引起猝灭。但是,这种方法制备的量子棒并不能产生绿色效果。
因此,如何减小荧光波长会发生红移,得到绿色且产率高的量子棒,对于量子棒技术在显示技术中应用具有重要意义。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种CdSe/CdS量子棒的制备方法,以达到减小荧光波长发生红移现象的目的,得到绿色且产率高的量子棒。
为达到此发明目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供了一种CdSe/CdS量子棒的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将CdSe量子点分散于三正辛基膦(TOP)中,得到CdSe前驱体溶液(CdSe-TOP),然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体(S-TOP)溶液,得到混合溶液;
(2)将CdO、正己基膦酸(HPA)、长链膦酸配体和三正辛基氧膦(三正辛基氧膦)混合,加热溶解得到混合溶液;
(3)将步骤(1)得到的混合溶液与步骤(2)得到的混合溶液加热反应得到所述CdSe/CdS量子棒。
本发明提供的制备方法,通过使用适宜配体,合适的反应时间和反应温度,制备得到CdSe蓝色核心量子点;再进一步包覆棒状壳层,使用特定的反应时间和温度,制备得到CdSe/CdS绿色量子棒,经过提纯后的CdSe/CdS量子棒的荧光量子产率(PLQY)可达到75%。
优选地,步骤(1)中所述CdSe量子点由以下步骤制备得到:
(a)将CdO、十八烷基膦酸(ODPA)和三正辛基氧膦混合,加热溶解得到混合溶液;
(b)向步骤(a)中得到的混合溶液中加入三正辛基膦,加热后再加入硒前驱体(Se-TOP)溶液反应得到CdSe量子点。
在本发明中,CdSe量子点的制备过程中,使用特定的配体十八烷基膦酸,十八烷基碳链更长,对核心量子点的亲和力更强,核心量子点生长速度更慢,从而可以制备出更小的核心,波长更短,使得制备得到的CdSe核心量子点在进行包覆时,荧光红移到绿光波段,能够达到产生绿色的效果。而使用其他配体则无法达到红移到绿光波段的效果。
在本发明中,合成核心量子点或者是包壳过程中,Cd的前驱体都需要在反应(注射)前得到透明的前驱体,再注入TOP,再注射最后的前驱体。
步骤(a)中CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:1~20,例如可以是1:1、1:5、1:8、1:10、1:13、1:15、1:17或1:20等。
在步骤(a)中,CdO与三正辛基氧膦的质量比一般大于1:10即可,例如可以是1:1、1:2、1:3、1:4、1:5、1:6、1:7、1:8、1:9或1:10等。
优选地,步骤(a)所述混合在保护性气体保护下进行。
在步骤(a)中,三正辛基膦的用量一般没有特别的限制,本领域技术人员可根据实际的溶解效果选择合适用量的溶剂。
优选地,步骤(a)中所述混合的温度为120~160℃,例如可以是120℃、125℃、130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃或160℃等。
在步骤(b)中,一般1mL用量的三正辛基膦,CdO的用量为5~100mg。
优选地,步骤(b)中所述加热的温度为250~450℃;例如可以是250℃、280℃、290℃、300℃、320℃、330℃、350℃、380℃、400℃、430℃或450℃等,优选为280~350℃。
优选地,步骤(b)中所述反应的时间为0~1min;例如可以是0、2s、4s、5s、20s、25s、30s、40s、55s或1min,优选为0~5s,不包括0。
在本发明中,步骤(b)中反应的温度和反应的时间会影响CdSe核心量子点的性能,在上述反应条件下反应制备CdSe核心量子点更有利于形成绿色的量子棒。
优选地,步骤(1)中所述CdSe量子点在分散之前,还包括经过有机溶剂洗涤的步骤;
优选地,所述有机溶剂为氯仿和甲苯。
优选地,所述洗涤方法为首先使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点。
在本发明中,通过上述方法纯化后的CdSe量子点,纯度更高,便于后续包覆处理。
优选地,步骤(2)中所述长链膦酸配体为十四烷基膦酸(TDPA)和/或十八烷基膦酸。
优选地,步骤(2)中CdO与正己基膦酸的质量比为1:0.2~5,例如可以是1:0.2、1:0.6、1:1、1:2、1:2.7、1:3、1:3.5、1:4、1:4.3、1:4.8或1:5等。
优选地,步骤(2)中CdO与长链膦酸配体的质量比为1:1~20,例如可以是1:1、1:5、1:7、1:10、1:13、1:16、1:18或1:20等。
在步骤(2)中,CdO与三正辛基氧膦的质量比一般大于1:10即可。
在本发明中,通过特定配比的反应物,能够更好的实现合成绿色量子棒。
优选地,步骤(2)中所述混合在加热条件下进行。
优选地,所述加热的温度为130~160℃,例如可以是130℃、135℃、140℃、145℃、150℃、155℃或160℃等。
优选地,加热之后,还包括继续将混合溶液升温至280~300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液。
优选地,步骤(2)中所述混合在保护性气体保护的气氛下进行。
本发明所述保护性气体为本领域技术人员常用的保护性气体,例如可以是氮气、氦气、氖气等等。
优选地,步骤(3)中所述加热反应的温度为300~330℃;优选为320℃。
本发明中,温度在控制在320℃时,反应的效果可以达到最佳。
优选地,步骤(3)中所述加热反应的时间为2~20min;优选为8min。
在本发明中,反应时间控制在8min时,可以达到最佳的包覆效果。
优选地,步骤(1)中所述硫前驱体溶液由硫粉溶解于三正辛基膦中制备得到。
优选地,步骤(b)中所述硒前驱体溶液由硒粉溶解于三正辛基膦中制备得到。
优选地,步骤(3)中得到所述CdSe/CdS量子棒后,还包括提纯CdSe/CdS量子棒。
优选地,所述提纯的方法为:将CdSe/CdS量子棒加热融化,加入氯仿溶解,然后加入乙醇混匀,离心后去除上清液得到提纯后的CdSe/CdS量子棒。
优选地,所述CdSe/CdS量子棒最终分散于有机溶剂中。
优选地,所述有机溶剂为正己烷。
有机溶剂优选使用正己烷,但不仅限于使用正己烷。
优选地,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,其中CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:1~20,加热至120~160℃溶解得到混合溶液;向混合溶液中加入三正辛基膦,加热至340~390℃后再加入硒前驱体溶液反应0~1min,不包括0,得到CdSe量子点;
(2)将CdSe量子点使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点后,分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体溶液,得到混合溶液;
(3)将CdO、正己基膦酸、长链膦酸配体和三正辛基氧膦混合,其中CdO与正己基膦酸的质量比为1:0.2~5,CdO与长链膦酸配体的质量比为1:1~20,加热至130~160℃,然后继续升温至280~300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液;
(4)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至300~330℃反应2~20min得到所述CdSe/CdS量子棒。
相对于现有技术,本发明具有以下有益效果:
本发明提供的制备方法,通过使用适宜配体,合适的反应时间和反应温度,制备得到CdSe蓝色核心量子点;再进一步包覆棒状壳层,使用特定的反应时间和温度,制备得到CdSe/CdS绿色量子棒,经过提纯后的CdSe/CdS量子棒的荧光量子产率(PLQY)可达到75%,可拓展其在显示技术中的应用范围。
附图说明
图1是实施例1中CdSe量子点的吸收光谱和荧光光谱曲线图。
图2是实施例1中CdSe/CdS绿色量子棒的TEM图(标尺50nm)。
图3是实施例1中CdSe/CdS绿色量子棒的吸收光谱和荧光光谱曲线图。
图4是实施例2中CdSe/CdS绿色量子棒的TEM图(标尺50nm)。
图5是实施例3中CdSe/CdS绿色量子棒的TEM图(标尺50nm)。
图6是不同包覆壳层时间得到的CdSe/CdS绿色量子棒荧光光谱曲线图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
以下实施例中使用的S-TOP由以下方法制备:将硫粉溶解于三正辛基膦,配制浓度为0.2~10mol/L,加热、搅拌溶解到溶液呈透明状态。
Se-TOP由以下方法制备:将硒粉溶解于三正辛基膦,配制的浓度为0.1~5mol/L,加热、搅拌溶解到溶液呈透明状态。
实施例1
本实施例通过以下步骤制备CdSe/CdS绿色量子棒
(1)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:5,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:5,加热至150℃溶解得到混合溶液,重复进行抽真空和充氩气的操作,得到保护性气体氛围,除去溶液中的气泡,然后升温至300℃,使得CdO完全溶解至透明,向混合溶液中加入三正辛基膦,加热至380℃后再加入Se-TOP溶液反应4s得到CdSe量子点。
(2)将CdSe量子点使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点后,分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入S-TOP溶液,得到混合溶液。
(3)将CdO、正己基膦酸、十四烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与正己基膦酸的质量比为1:3,CdO与十四烷基膦酸的质量比为1:10,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:5,加热至150℃,然后继续升温至300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液。
(4)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至320℃反应8min得到CdSe/CdS绿色量子棒。
将步骤(1)中得到的CdSe量子点进行吸收光谱和荧光光谱的测试。结果如图1所示,由图1中结果可知,CdSe量子点第一激子吸收峰为466nm,荧光波长为486nm。
将步骤(4)中制备得到的CdSe/CdS绿色量子棒进行透射电子显微镜观察(TEM),具体如图2所示,由图中可以清晰看出呈规则的棒状结构。
将CdSe/CdS绿色量子棒测试吸收光谱和荧光光谱,如图3所示。得到其荧光波长为646nm,PLQY为75%。
实施例2
本实施例通过以下步骤制备CdSe/CdS绿色量子棒
(1)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:10,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:4,加热至160℃溶解得到混合溶液,重复进行抽真空和充氩气的操作,得到保护性气体氛围,除去溶液中的气泡,然后升温至350℃,使得CdO完全溶解至透明,向混合溶液中加入三正辛基膦,加热至390℃后再加入Se-TOP溶液反应5s得到CdSe量子点。
(2)将CdSe量子点使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点后,分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入S-TOP溶液,得到混合溶液。
(3)将CdO、正己基膦酸、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与正己基膦酸的质量比为1:4,CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:1,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:2,加热至160℃,然后继续升温至300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液。
(4)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至330℃反应2min得到CdSe/CdS绿色量子棒,PLQY为70%。
得到CdSe/CdS绿色量子棒TEM图如图4所示。
实施例3
本实施例通过以下步骤制备CdSe/CdS绿色量子棒
(1)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:20,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:8,加热至120℃溶解得到混合溶液,重复进行抽真空和充氩气的操作,得到保护性气体氛围,除去溶液中的气泡,然后升温至250℃,使得CdO完全溶解至透明,向混合溶液中加入三正辛基膦,加热至340℃后再加入Se-TOP溶液反应1s得到CdSe量子点。
(2)将CdSe量子点使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点后,分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入S-TOP溶液,得到混合溶液。
(3)将CdO、正己基膦酸、十四烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与正己基膦酸的质量比为1:0.2,CdO与十四烷基膦酸的质量比为1:1,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:8,加热至130℃,然后继续升温至280℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液。
(4)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至300℃反应20min得到CdSe/CdS绿色量子棒。
得到CdSe/CdS绿色量子棒TEM图如图5所示。
将实施例1-3中得到的CdSe/CdS绿色量子棒的荧光光谱进行对比,如图6所示,由图6可知,包覆时间越长,波长越红移,无法达到绿光的效果。
实施例4
本实施例通过以下步骤制备CdSe/CdS绿色量子棒
(1)将CdSe量子点分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入S-TOP溶液,得到混合溶液。
(2)将CdO、正己基膦酸、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,CdO与正己基膦酸的质量比为1:5,CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:20,CdO与三正辛基氧膦的质量比为1:5,加热至150℃,然后继续升温至300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液。
(3)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至320℃反应8min得到CdSe/CdS绿色量子棒。
实施例5
本实施例与实施例1的区别仅在于,步骤(1)将十八烷基膦酸替换为十四烷基膦酸,其他均与实施例1相同制备CdSe/CdS绿色量子棒,波长发生红移,不能实现绿光。
实施例6
本实施例与实施例1的区别仅在于,步骤(1)中不包括十八烷基膦酸,其他均与实施例1相同制备CdSe/CdS绿色量子棒,波长发生红移,不能实现绿光。
实施例7
本实施例与实施例1的区别仅在于,步骤(3)中不包括十四烷基膦酸,其他均与实施例1相同制备CdSe/CdS绿色量子棒,波长发生红移,不能实现绿光。
实施例8
本实施例与实施例1的区别仅在于,步骤(4)中反应温度为350℃,其他均与实施例1相同制备CdSe/CdS绿色量子棒,波长发生红移,不能实现绿光。
实施例9
本实施例与实施例1的区别仅在于,步骤(4)中反应温度为270℃,其他均与实施例1相同制备CdSe/CdS绿色量子棒,波长发生红移,不能实现绿光。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的CdSe/CdS量子棒的制备方法,但本发明并不局限于上述工艺步骤,即不意味着本发明必须依赖上述工艺步骤才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种CdSe/CdS量子棒的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将CdSe量子点分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体溶液,得到混合溶液;
(2)将CdO、正己基膦酸、长链膦酸配体和三正辛基氧膦混合得到混合溶液;
(3)将步骤(1)得到的混合溶液与步骤(2)得到的混合溶液加热反应得到所述CdSe/CdS量子棒。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述CdSe量子点由以下步骤制备得到:
(a)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,加热溶解得到混合溶液;
(b)向步骤(a)中得到的混合溶液中加入三正辛基膦,加热后再加入硒前驱体溶液反应得到CdSe量子点。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(a)中CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:1~20;
优选地,步骤(a)所述混合在保护性气体保护下进行;
优选地,步骤(a)中所述混合的温度为120~160℃;
优选地,步骤(b)中所述加热的温度为250~450℃;优选为280~350℃;
优选地,步骤(b)中所述反应的时间为0~1min;优选为0~5s,不包括0。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述CdSe量子点在分散之前,还包括经过有机溶剂洗涤的步骤;
优选地,所述有机溶剂为氯仿和甲苯;
优选地,所述洗涤方法为首先使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述长链膦酸配体为十四烷基膦酸和/或十八烷基膦酸;
优选地,步骤(2)中CdO与正己基膦酸的质量比为1:0.2~5;
优选地,步骤(2)中CdO与长链膦酸配体的质量比为1:1~20;
优选地,步骤(2)中所述混合在加热条件下进行;
优选地,所述加热的温度为130~160℃;
优选地,加热之后,还包括继续将混合溶液升温至280~300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液;
优选地,步骤(2)中所述混合在保护性气体保护的气氛下进行。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述加热反应的温度为300~330℃;优选为320℃;
优选地,步骤(3)中所述加热反应的时间为2~20min;优选为8min。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述硫前驱体溶液由硫粉溶解于三正辛基膦中制备得到。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(b)中所述硒前驱体溶液由硒粉溶解于三正辛基膦中制备得到。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中得到所述CdSe/CdS量子棒后,还包括提纯CdSe/CdS量子棒;
优选地,所述提纯的方法为:将CdSe/CdS量子棒加热融化,加入氯仿溶解,然后加入乙醇混匀,离心后去除上清液得到提纯后的CdSe/CdS量子棒;
优选地,所述CdSe/CdS量子棒最终分散于有机溶剂中;
优选地,所述有机溶剂为正己烷。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
(1)将CdO、十八烷基膦酸和三正辛基氧膦混合,其中CdO与十八烷基膦酸的质量比为1:1~20,加热至120~160℃溶解得到混合溶液;向混合溶液中加入三正辛基膦,加热至340~390℃后再加入硒前驱体溶液反应0~1min,不包括0,得到CdSe量子点;
(2)将CdSe量子点使用氯仿洗涤,加入乙醇使得CdSe量子点沉淀后,去掉上清液,再将CdSe量子点沉淀分散于甲苯中,加入乙醇,离心后去除上清液,得到洗涤后的CdSe量子点后,分散于三正辛基膦中,得到CdSe前驱体溶液,然后向CdSe前驱体溶液中加入硫前驱体溶液,得到混合溶液;
(3)将CdO、正己基膦酸、长链膦酸配体和三正辛基氧膦混合,其中CdO与正己基膦酸的质量比为1:0.2~5,CdO与长链膦酸配体的质量比为1:1~20,加热至130~160℃,然后继续升温至280~300℃,至CdO完全溶解至透明状态,加入三正辛基膦得到混合溶液;
(4)将步骤(2)得到的混合溶液与步骤(3)得到的混合溶液加热至300~330℃反应2~20min得到所述CdSe/CdS量子棒。
CN201910465588.0A 2019-05-30 2019-05-30 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法 Pending CN110041911A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910465588.0A CN110041911A (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910465588.0A CN110041911A (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110041911A true CN110041911A (zh) 2019-07-23

Family

ID=67284300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910465588.0A Pending CN110041911A (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110041911A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113322070A (zh) * 2021-07-01 2021-08-31 南通大学 一种具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点及其制备方法
CN113429973A (zh) * 2021-06-08 2021-09-24 南通大学 一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法
CN115608382A (zh) * 2022-10-24 2023-01-17 上海科技大学 一种半导体纳米晶聚集体及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103055954A (zh) * 2013-01-16 2013-04-24 中国科学院理化技术研究所 对量子点/棒进行表面修饰改性的方法、光合成催化剂的制备及体系与方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103055954A (zh) * 2013-01-16 2013-04-24 中国科学院理化技术研究所 对量子点/棒进行表面修饰改性的方法、光合成催化剂的制备及体系与方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CARBONE LUIGI等: "Synthesis and micrometer-scale assembly of colloidal CdSe/CdS nanorods prepared by a seeded growth approach", 《NANO LETTERS》 *
CUNNINGHAM, PATRICK D等: "Assessment of Anisotropic Semiconductor Nanorod and Nanoplatelet Heterostructures with Polarized Emission for Liquid Crystal Display Technology", 《ACS NANO》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113429973A (zh) * 2021-06-08 2021-09-24 南通大学 一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法
CN113429973B (zh) * 2021-06-08 2022-04-05 南通大学 一种无机配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点的制备方法
CN113322070A (zh) * 2021-07-01 2021-08-31 南通大学 一种具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点及其制备方法
CN113322070B (zh) * 2021-07-01 2022-03-15 南通大学 一种具有核/壳结构的CdS/CdSe异质结量子点及其制备方法
CN115608382A (zh) * 2022-10-24 2023-01-17 上海科技大学 一种半导体纳米晶聚集体及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110041911A (zh) 一种CdSe/CdS量子棒的制备方法
CN111348674B (zh) Cs3Cu2X5(X=Cl、Br、I)纳米晶的制备方法及产物
CN103265949B (zh) 一种单核AgInS2量子点的制备方法
CN1403379A (zh) CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法
CN108502927A (zh) 一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法
CN111117602B (zh) 具有梯度核壳结构的大尺寸磷化铟量子点的制备方法
CN101786609B (zh) 一种棒形ZnSe荧光纳米晶的合成方法
CN109233802A (zh) 核壳结构量子点及其制备方法及偏振薄膜
CN113563885B (zh) 一种Gd2O2S:Tb超细荧光粉的激光液相烧蚀制备方法
CN109777414A (zh) 一种尺寸可控的高荧光量子效率钙钛矿量子点材料的制备方法
CN116875314A (zh) 一种InP/ZnSexS1-x/ZnS量子点的制备方法
CN111909682B (zh) 核壳结构量子点的制备方法及由其制备的产品
Yao et al. Advances in green colloidal synthesis of metal selenide and telluride quantum dots
CN102965113A (zh) ZnS包覆ZnSe:Cu量子点的水相制备方法
CN108728099A (zh) 一种核壳结构量子点材料及其制备方法
WO2021082960A1 (zh) 一种溶质非完全溶解方式超声辅助制备氧化锌量子点的方法
CN109370594A (zh) 一种高荧光量子产率且近似球形CdZnS/CdSe/CdZnS量子阱的制备方法
JP7104170B2 (ja) 量子ドットの製造方法
CN110078116B (zh) 一种钙钛矿CsPbBr3量子点及其制备方法和应用
CN109385272B (zh) 硫化镓量子点材料及其制备方法
CN111185245A (zh) 一种氧化石墨烯负载钒酸铋纳米复合材料及其制备方法
CN113233498B (zh) 一种氟化物调节钙钛矿发光波长的方法
CN107055594A (zh) 一种硫化铅纳米晶体及其制备方法
CN103601157B (zh) 一种乙二胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法
CN113861984A (zh) 一种双发射量子点的制备方法及其生物成像的应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190723