CN110036089A - 陶瓷组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种以高水平保持光学特性、同时能够赋予光散射功能的陶瓷组合物。陶瓷组合物由下述物质构成：由荧光材料构成的荧光相与由镧氧化物构成的光散射相。镧氧化物例如可以是选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。荧光材料(或荧光相)与镧氧化物(或光散射相)的比例可以为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～50/50。

Description

陶瓷组合物
技术领域
本发明涉及一种将由镧氧化物构成的光散射剂及镧氧化物作为光散射相的陶瓷组合物(陶瓷材料)。
背景技术
白色LED(发光二极管)通过将蓝色LED与黄色荧光体组合而制造。
例如，在专利文献1(日本特开2000-208815号公报)中公开了一种能够发出白色系的光的发光二极管，其特征在于，该发光二极管具有：具备形成在基板上的由氮化镓类化合物半导体构成的发光层的、能够发蓝色光的发光元件；设置在该发光元件上的涂布部；及保护该涂布部的铸型构件(mold member)，所述涂布构件含有吸收由所述发光元件发出的蓝色光的至少一部分并进行波长转换从而发出荧光的黄色的光致发光荧光体，同时，所述铸型构件含有使铸型构件成为乳白色的扩散材料。
然而，这样的白色发光二极管中必须使用环氧树脂、有机硅树脂等透光性树脂来构成铸型构件，难以确保荧光体粉末与树脂的混合状态的均匀性以及控制涂布膜的厚度的稳定化等，容易产生白色LED的颜色不均〃偏差(バラツキ)。
此外，为了封入或涂布荧光体粉末、或者使光源的一部分蓝色光透过涂布膜而不进行光转换，需要具有透光性的树脂，由于该具有透光性的树脂的耐热性差，因此容易因由来自发光元件的热造成的改性而引起透过率下降。因此，其成为了白色LED的高输出化的瓶颈。
在这样的背景下，正在推进不使用树脂的白色LED的开发。例如，专利文献2(日本专利第5862841号公报)中公开了一种光转换用陶瓷复合材料，其由萤光相与透光相构成，其特征在于，所述萤光相为含有Ln3Al5O12:Ce(Ln为选自Y、Lu及Tb中的至少一种元素，Ce为活化元素)的相，所述透光相为含有LaAl11O18的相。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-208815号公报
专利文献2：日本专利第5862841号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种新型的光散射材料。
本发明的另一目的在于提供一种具有光散射功能(光散射性)的新型的陶瓷组合物。
解决技术问题的技术手段
蓝色LED的光的指向性大，若荧光体的透过率高，则在出射光中反射出背面的LED光源或基板的像或者影，导致颜色不均或偏差。
专利文献1欲通过设置透光相来改善这样的颜色不均或偏差，但存在内量子效率变低等问题。另外，专利文献1中得到的陶瓷复合材料的空孔多，存在因无意的散射导致效率降低的可能性。
另一方面，为了改善这样的颜色不均或偏差的技术问题，本申请的发明人基于与专利文献1完全不同的思路，尝试了将荧光相与散射相进行组合，但是由于设置了散射相，依然产生了内量子效率下降、或者荧光波长变动而无法得到所期望的发光色等问题，能够解决这样的问题并改善颜色不均或偏差的陶瓷的探索极其困难。
在这样的背景下，为了解决上述技术问题，本申请的发明人进一步进行了认真研究，结果发现，通过以特定的成分(即，镧氧化物)构成散射相，尽管设置散射相，也极其意外地可维持荧光波长、可得到所期望的荧光波长，可得到较高的内量子效率等，进一步经过反复研究，从而完成了本发明。
即，本发明包括以下发明等。
[1]一种光散射剂，其由镧氧化物构成。
[2]根据[1]所述的光散射剂，其中，镧氧化物为选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。
[3]根据[1]或[2]所述的光散射剂，其用于与荧光材料(荧光体)组合而形成陶瓷组合物。
[4]一种陶瓷组合物，其具有由荧光材料构成的荧光相与由镧氧化物构成的光散射相。
[5]根据[4]所述的组合物，其中，荧光材料(荧光相)具有石榴石结构(石榴石相)。
[6]根据[4]或[5]所述的组合物，其中，相对于镧氧化物(或光散射相)整体，镧氧化物(或光散射相)含有50质量％以上的选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。
[7]根据[4]～[6]中任一项所述的组合物，其中，荧光相的平均粒径与光散射相的平均粒径的比例为前者/后者＝100/1～1/1。
[8]根据[4]～[7]中任一项所述的组合物，其中，荧光材料(或荧光相)与镧氧化物(或光散射相)的比例为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～50/50。
[9]根据[4]～[8]中任一项所述的组合物，其具有荧光相与光散射相，所述荧光相由含有掺杂了活化剂的钇类石榴石化合物的荧光材料构成，所述光散射相由相对于镧氧化物(或光散射相)整体而言含有80质量％以上的选自LaAlO3及La2O3中的至少一种的镧氧化物构成，
荧光材料与镧氧化物的比例为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～70/30，
荧光相的平均粒径与光散射相的平均粒径的比例为前者/后者＝15/1～1.2/1。
[10]根据[4]～[9]中任一项所述的组合物，其在厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为5％以下。
[11]根据[4]～[10]中任一项所述的组合物，其中，在将不含镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A2时，荧光主波长的差A2-A1为-5nm～5nm。
[12]根据[4]～[11]中任一项所述的组合物，其中，在将不含镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B2时，内量子效率的比B2/B1为0.93以上。
[13]根据[4]～[12]中任一项所述的组合物，其在厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5％以下(例如，3％以下)，
在将不含镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A2时，荧光主波长的差A2-A1为-3nm～3nm，
在将不含镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B2时，内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
[14]一种发光装置，其具备发光元件与[4]～[13]中任一项所述的陶瓷组合物(所构成的发光部、光转换部)。
发明效果
本发明能够提供一种新型的光散射材料(光散射剂、光扩散剂)。
此外，本发明能够提供一种具有光散射功能(光散射性)的新型的陶瓷组合物(复合陶瓷组合物)。
这样的陶瓷组合物(或光散射材料)由作为基底的陶瓷(例如，荧光材料)与镧氧化物(或光散射剂)构成，具有光散射性。因此，能够使入射光以广视角扩散、向外部射出，能够抑制或防止由LED(例如，蓝色LED)的光等造成的颜色不均或偏差。
并且，尽管这样的陶瓷组合物被赋予了光散射功能，但通常也能够以高水平保持作为基底的陶瓷的功能而不损害光学特性。例如，可能由于本发明的陶瓷组合物的荧光相与散射相不互相侵入，因此能够维持荧光相(荧光材料)的荧光波长，能够效率良好地得到所期望的颜色的光。
此外，本发明的陶瓷组合物中尽管设置了散射相，但极其意外地仍能够抑制发光效率的下降，甚至能够将内量子效率保持在同一水平或进一步提高内量子效率。
进一步，本发明的组合物为陶瓷，不需要使用树脂等，没有透光性的变动等。
具体实施方式
[光散射剂]
本发明的光散射剂(光散射材料、光扩散剂)由镧氧化物构成。
作为镧氧化物，只要是含有镧(La)的氧化物即可，也可含有其他元素[例如，第13族元素(铝等)、稀土类元素(例如，Y、Lu等)等]。在镧氧化物中，可含有一种其他元素或组合含有两种以上的其他元素。
作为具体的镧氧化物，例如可列举出LaAlO3、含有镧的石榴石(例如，La3Al5O12)、La2O3、LaAl11O18等。镧氧化物可单独使用或组合使用两种以上。
优选的镧氧化物为LaAlO3(LAP)、La2O3，特别优选为LaAlO3。因此，镧氧化物尤其可含有选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。
在这样的情况下，选自LaAlO3及La2O3中的至少一种相对于镧氧化物整体的比例例如可为30质量％以上，优选为50质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别是可为85质量％以上，特别优选为90质量％以上，也可实质上仅为选自LaAlO3及La2O3中的至少一种(例如，95质量％以上)。
另外，镧氧化物根据用途也可以为煅烧的状态。
镧氧化物的平均粒径虽然因作为光散射剂的使用目的等而不同，但例如可以为0.001～100μm，优选为0.01～50μm，进一步优选为0.05～20μm，特别是可以为0.1～10μm左右，也可以为0.05～5μm(例如，0.1～1μm)左右。
另外，平均粒径可以为二次粒径。此外，平均粒径例如可通过激光散射法等测定。例如，平均粒径可以为湿式粒度分布的累积50％的粒径。
镧氧化物的比表面积(BET比表面积)例如可以为0.1～100m2/g，优选为0.5～60m2/g，进一步优选为1～50m2/g(例如，3～30m2/g)。
作为镧氧化物，可使用市售品，也可使用制备物。镧氧化物的制备方法能够根据镧氧化物的种类等适当选择，没有特别限定，能够使用惯用的方法。
例如，可通过在氧气存在下，对镧氧化物源(例如，镧盐、镧盐与铝盐的组合、镧的碳酸盐等)进行热处理(烧成、煅烧)而得到。
另外，热处理温度例如可以为500℃以上(例如，600～2000℃)，优选为800℃以上(例如，900～1800℃)，进一步优选为1000℃以上(例如，1100～1500℃)。
光散射剂只要由镧氧化物构成即可，在不损害本发明的效果的范围内，可含有其他成分。当光散射剂含有其他成分时，光散射剂相对于光散射剂整体的比例例如可以为50质量％以上，优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别是可以为90质量％以上，也可以实质上仅为镧氧化物(例如，95质量％以上)。
本发明的光散射剂(或镧氧化物)的用途只要是能够在光散射用途中使用则没有特别限定，例如可列举出形成陶瓷的用途、与发光材料(荧光材料等)一同分散于适宜的粘结剂(例如，环氧树脂等粘结剂树脂)中而形成分散体的用途等。
作为代表，本发明的光散射剂可用作用于与作为基底的陶瓷(或陶瓷原料，例如，荧光材料)组合而形成陶瓷组合物(陶瓷复合材料、多相陶瓷组合物)的光散射剂(添加剂)。
特别是，本发明的光散射剂通过与荧光材料组合而构成陶瓷，由此可得到如上所述的效果，故而优选。因此，以下对将这样的荧光材料作为基底陶瓷的陶瓷组合物进行详细说明。
[陶瓷组合物]
本发明的陶瓷组合物(复合陶瓷、陶瓷复合材料)具有荧光材料与镧氧化物(或光散射剂)。
(荧光材料)
作为荧光材料(荧光体)，没有特别限定，可根据所期望的颜色等进行适当选择。
例如，荧光材料可以是黄色荧光材料(黄色光的发光材料)。若使用这样的黄色荧光材料，则能够在与蓝色光(蓝色LED)的组合中，效率良好地得到白色光。
荧光材料也可含有具有石榴石结构的无机化合物(石榴石化合物、石榴石类化合物)。
石榴石结构例如以A3B5O12的组成来表示。A及B分别为三价的元素。在这样的石榴石结构中，作为A，例如可列举出稀土类元素(例如，Y、Gd、Lu、Tb等)等。作为B，可列举出周期表第13族元素(例如，Al、Ga、In等)等。
A及B可以分别单独构成石榴石类化合物，或者组合两种以上构成石榴石类化合物。
此外，荧光材料(荧光材料的晶体结构)也可具有钙钛矿结构。
作为具体的荧光材料，例如可列举出Y3Al5O12(YAG)、(Y、Gd)3Al5O12、(Y、Tb)3Al5O12、(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12、LuAl5O12、(Sr、Ca、Ba)2SiO4、Ca3Sc2Si3O12、Ba3MgSi2O8、BaMgAl10O17、La2O2S、SrGa2S4、CaAlSiN3、Ca2Si5N8、CaSiAlON等。
其中，石榴石化合物例如优选为Y3Al5O12(YAG)、(Y、Gd)3Al5O12、(Y、Tb)3Al5O12、(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12等含有钇的石榴石化合物(例如，含有钇(Y)且不含镧(La)的石榴石化合物)。
荧光材料也可含有活化剂(掺杂有活化剂)。作为活化剂(杂质)，例如可列举出稀土类元素(Ce、Pr、Nd、Eu、Tb、Ho、Er、Tm、Yb等)、其他过渡元素(Cr等)。活化剂可单独使用或组合使用两种以上。
作为具体的含有活化剂的荧光材料，可列举出在所述荧光材料中掺杂有活化剂(稀土类元素)的荧光材料，例如可列举出Y3Al5O12:Ce[或(Y、Ce)3Al5O12，以下相同]、(Y、Gd)3Al5O12:Ce、(Y、Tb)3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12:Ce、LuAl5O12:Ce、(Sr、Ca、Ba)2SiO4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、Ba3MgSi2O8:Eu、BaMgAl10O17:Eu、La2O2S:Eu、SrGa2S4:Eu、CaAlSiN3:Eu、Ca2Si5N8:Eu、CaSiAlON:Eu等。
其中，石榴石类荧光材料例如优选为Y3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3Al5O12:Ce、(Y、Tb)3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12:Ce等含有活化剂的钇类石榴石化合物(例如，含有钇(Y)且不含镧(La)的石榴石类化合物)。
在含有Y的石榴石类化合物(荧光材料)中，稀土类元素整体(例如，Y占所述组成中的A的比例)例如可以为50摩尔％以上，优选为70摩尔％以上(例如，80摩尔％以上)，进一步优选为90摩尔％以上。
当含有Y的石榴石类化合物(荧光材料)含有Y与其他稀土类元素(例如，Gd等)时，它们的比例可以为前者/后者(摩尔比)＝99.99/0.01～50/50，优选为99.9/0.1～70/30，进一步优选为99.5/0.5～80/20(例如，99/1～85/15)左右。
在含有活化剂的荧光材料中，相对于荧光材料的全部构成元素，活化剂(稀土类元素等)的比例例如可以为3摩尔％以下(例如，0.00001～2.5摩尔％)，优选为2摩尔％以下(例如，0.0001～1.5摩尔％)，进一步优选为1摩尔％以下(例如，0.001～0.9摩尔％)，特别是可以为0.5摩尔％以下，特别优选为0.1摩尔％以下。
特别是在含有(掺杂了)活化剂的石榴石化合物中，活化剂占稀土类元素整体的比例(例如，在Y3Al5O12:Ce中Ce相对于Y及Ce的总量的比例等)例如可以为5摩尔％以下(例如，0.00001～4摩尔％)，优选为3摩尔％以下(例如，0.0001～2.5摩尔％)，进一步优选为1摩尔％以下(例如，0.001～0.9摩尔％)，特别是可以为0.5摩尔％以下。
荧光材料可单独使用或组合使用两种以上。
(镧氧化物(或光散射剂))
作为镧氧化物(或光散射剂)，可使用上文中所例示的镧氧化物(例如，含有选自LaAlO3及La2O3中的至少一种的镧氧化物等)。
在本发明的陶瓷组合物中，荧光材料(或后述的荧光相)与镧氧化物(或后述的光散射相)的比例例如可在前者/后者(体积比)＝99.99/0.01～20/80(例如，99.95/0.05～20/80)左右的范围中选择，可以为99.9/0.1～20/80(例如，99.5/0.5～30/70)，优选为99/1～40/60(例如，99/1～50/50)，进一步优选为98/2～60/40(例如，97/3～70/30)，通常可以为99.9/0.1～70/30左右。
在本发明中，即使为极少量的镧氧化物[例如，将荧光材料/镧氧化物(体积比)＝99.9/0.1、99.8/0.2、99.5/0.5、99/1、98/2、97/3、96.5/3.5、96/4、95/5等设为上限值的镧氧化物的比例等]，也能够得到光散射特性。
此外，从得到充分的光散射特性的角度出发，可将镧氧化物的比例设为规定量[例如，将荧光材料/镧氧化物(体积比)＝99.9/0.1、99.5/0.5、99/1、98/2、97/3、96.5/3.5、96/4、95/5等设为下限值的镧氧化物的比例等]。
(相结构等)
在本发明的陶瓷组合物中，荧光材料与镧氧化物(或光散射剂)的存在形态没有限定，但通常可以是具有由荧光材料构成的相(荧光相)与由镧氧化物构成的相(光散射相)的多相结构(多晶体、多晶结构)。
在这样的陶瓷组合物中，通常，由镧氧化物构成的相以具有光散射(光扩散)功能的形态存在。
另外，在本发明的陶瓷组合物(或所述光散射剂)中，光散射(功能)例如可以是指使入射光(对陶瓷组合物的入射光)和/或荧光(由荧光材料发出的荧光)散射或扩散(以更广的视角进行散射或扩散)、射出[向外部(陶瓷组合物的外部)射出]。如此，光散射相具有与专利文献1等中的透光相完全不同的功能。
在具有荧光相与光散射相的陶瓷组合物中，荧光相与光散射相的比例可以从与所述相同的范围中选择，例如可以为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～20/80(例如，99.5/0.5～30/70)，优选为99/1～40/60(例如，99/1～50/50)，进一步优选为98/2～60/40(例如，97/3～70/30)，通常可以为99/1～70/30。
荧光相及光散射相可以各自以颗粒状(岛状、结晶、晶粒)存在。
此外，可在一种相的颗粒间(颗粒的间隙)存在另一种相的颗粒。在本发明的陶瓷组合物中，作为代表，光散射相(颗粒状的光散射相)可位于荧光相(颗粒状的荧光相)之间。
另外，也可在颗粒间具有间隙(空洞、空隙、空孔)，但对于本发明的陶瓷组合物而言，颗粒间的间隙较少的情况较多。此外，颗粒间的间隙狭窄的情况较多。即，本发明的陶瓷组合物具有颗粒紧密聚集的结构，颗粒界面(颗粒界面)的间隙少的情况较多。
例如，空孔(或除荧光相及光散射相以外的部分)所占的面积相对于本发明的陶瓷组合物的截面积整体的比例可以为10％以下(例如，5％以下)，优选为3％以下(例如，2％以下)，进一步优选为1％以下(例如，0.5％以下)，特别是可以为0.1％以下(例如，0.05％以下)。
此外，在本发明的陶瓷组合物中，各颗粒间(晶界、结晶晶界)的平均距离(平均宽度)可以极窄，例如可以为10nm以下，优选为5nm以下，进一步优选为1nm以下。
颗粒状的相(荧光相及光散射相)的平均粒径(平均晶粒直径)没有特别限定，但例如可以分别为0.001μm以上(例如，0.01～100μm)，优选为0.05μm以上(例如，0.1～60μm)，进一步优选为0.3μm以上(例如，0.5～50μm)左右，通常可以为0.1～30μm(例如，0.5～10μm，优选为1～5μm)。
荧光相的平均粒径(平均晶粒直径)与光散射相的平均粒径(平均晶粒直径)的比例(粒径比)例如可以为前者/后者(荧光相的平均粒径/光散射相的平均粒径)＝500/1～0.1/1(例如，50/1～0.5/1)，优选为30/1～0.7/1，进一步优选为10/1～1/1(例如，8/1～1.2/1)，特别是可以为5/1～1.3/1(例如，4/1～1.5/1)左右，通常可以是100/1(例如，50/1～1/1，优选为30/1～1.1/1，进一步优选为15/1～1.2/1)。
另外，平均粒径(平均晶粒直径)例如能够通过下述式等来规定(定义)。
平均粒径＝1.56C/(MN)
式中，C表示在SEM等高分辨率图像上任意画出的线(直线)的长度，N表示该线上的颗粒数，M表示倍率。
本发明的陶瓷组合物只要含有荧光材料(或荧光相)及镧氧化物(或光散射相)即可，在不损害本发明效果的范围内，也可含有其他成分[不属于荧光材料及镧氧化物中的任一种概念的成分]。这样的其他成分可存在于荧光材料(或荧光相)中和/或镧氧化物(光散射相)中，也可独立存在，也可以以将它们进行组合的形态存在。
另外，当含有这样的其他成分时，陶瓷组合物中的其他成分的比例例如可以为10体积％以下，优选为5体积％以下，进一步优选为1体积％以下，也可以为0.1体积％以下。
本发明的陶瓷组合物的厚度(平均厚度)可根据用途(所期望的颜色等)等进行适当选择，例如可以为1μm～10mm，优选为10μm～5mm，进一步优选为20～3000μm(例如，50～2000μm)左右，可以为1000μm以下(例如，1～500μm，优选为10～300μm，进一步优选为30～200μm)。
本发明的陶瓷组合物通常具有光散射功能，因此光的直线透过性低。例如，陶瓷组合物的厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率例如可以为10％以下(例如，7％以下)，优选为5％以下(例如，4％以下)，进一步优选为3％以下(例如，2％以下)，特别是可以为1％以下(例如，0.5％以下、0.4％以下、0.35％以下、0.3％以下等)，通常可以为3.5％以下(例如，3.3％以下)。
另外，直线透过率例如可使用分光光度计进行测定。
本发明的陶瓷组合物尽管含有荧光材料与镧氧化物，但通常它们之间的侵食较少，能够以高精度反映荧光波长。例如，在本发明的陶瓷组合物中，在将不含镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的荧光主波长设为A2时，荧光主波长的差A2-A1可以为-7nm～7nm，优选为-5nm～5nm，进一步优选为-3nm～3nm，特别是可以为-2nm～2nm(例如，-1nm～1nm)，特别优选为-0.5nm～0.5nm，也可以为0nm。
另外，本发明的陶瓷组合物的荧光波长可根据所期望的颜色等进行适当选择，例如以荧光主波长计，可以为400nm以上(例如，450～600nm)左右，特别是可以为520～590nm(例如，530～580nm)左右。
本发明的陶瓷组合物尽管含有镧氧化物作为光散射剂，但仍能够以高水平实现发光效率。例如，在本发明的陶瓷组合物中，在将不含镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物(或光散射相)时的内量子效率设为B2时，内量子效率的比B2/B1可以为0.90以上(例如，0.91以上)，优选为0.92以上(例如，0.93以上)，进一步优选为0.94以上(例如，0.95以上)，特别是可以为0.96以上(例如，0.97以上)，特别优选为0.98以上(例如，0.99以上)左右，也可以设为1以上[例如，超过1(例如，1.0005以上，优选为1.001以上)]。
(制备方法)
本发明的陶瓷组合物的制备方法没有特别限定，但例如可通过对含有荧光材料与镧氧化物的组合物(前体组合物、陶瓷前体组合物)进行烧成处理(烧结处理)而得到。
荧光材料可利用市售品，也可使用制备物。荧光材料的制备方法能够根据荧光材料的种类进行适当选择，没有特别限定，能够使用惯用的方法。
例如，可通过在氧气存在下，对荧光材料源[例如，钇盐、铝盐及根据需要的稀土类元素的盐(铈盐等)等]进行热处理(烧成、煅烧)而得到。
另外，热处理温度例如可以为500℃以上(例如，600～2000℃)，优选为800℃以上(例如，900～1800℃)，进一步优选为1000℃以上(例如，1100～1500℃)。
另外，荧光材料(供于烧成的荧光材料、荧光材料的原料粉末、荧光材料的前体)根据用途也可以为煅烧的状态。
荧光材料(供于烧成的荧光材料)的平均粒径例如可以为0.001～100μm，优选为0.01～50μm，进一步优选为0.05～20μm，特别是可以为0.1～10μm左右，也可以为0.05～5μm(例如，0.1～1μm)左右。
另外，平均粒径可以为二次粒径。此外，平均粒径例如可通过激光散射法等测定。例如，平均粒径可以为湿式粒度分布的累积50％的粒径。
荧光材料(供于烧成的荧光材料)的比表面积(BET比表面积)例如可以为0.1～100m2/g，优选为0.5～60m2/g，进一步优选为1～50m2/g(例如，3～30m2/g)。
此外，镧氧化物(供于烧成的镧氧化物、陶瓷组合物中的镧氧化物的原料粉末或前体)可利用市售品，也可使用通过在所述光散射源一项中记载的方法等制备的镧氧化物。如上所述，镧氧化物可以为煅烧的状态，镧氧化物的平均粒径或BET比表面积也可从与所述相同的范围中进行选择。即，可以将所述光散射剂用作本发明的陶瓷组合物的原料或前体。
陶瓷前体组合物也可含有其他成分[例如，粘结剂(树脂)、分散剂、烧结助剂等]。其他成分可单独使用或组合使用两种以上。
另外，陶瓷前体组合物可通过将荧光材料与镧氧化物(根据需要与其他成分)进行混合而得到。混合可在溶剂(水等)的存在下进行，也可与粉碎处理同时进行。
陶瓷前体组合物可根据用途等成型为适宜的形状(片状等)。作为成型法，没有特别限定，例如可列举出CIP(冷静水压加压)成型、挤压成型等。这些成型法可组合两种以上。
陶瓷前体组合物可在烧成前进行脱脂处理。脱脂处理例如可通过在氧气存在下、以规定的温度(例如，300～1000℃、优选为500～900℃，进一步优选为600～850℃)进行加热处理而进行。
烧成处理也可在非活性气氛下(例如，真空下)进行。在烧成处理中，烧成温度，例如可以为800℃以上(例如，900～3000℃)，优选为1000℃以上(例如，1100～2500℃)，进一步优选为1200℃以上(例如，1300～2200℃)，特别是可以为1500℃以上(例如，1600～2000℃)左右。
在烧成处理中，能够适当选择升温速度或真空度。焙烧时间也能够适当选择，例如可以为30分钟以上(例如，40分钟～12小时)，优选为1小时以上(例如，1.5～6小时)。
烧结后，还可进一步根据需要进行退火处理。
[发光装置]
本发明的陶瓷组合物例如能够作为发光装置的构成要素而使用。这样的发光装置例如可具备发光元件与所述陶瓷组合物(或由所述陶瓷组合物构成的发光部、光转换部)。
作为发光元件，没有特别限定，但作为代表，可以为发光二极管元件。发光二极管元件能够根据所期望的颜色等进行选择，例如可以为蓝色二极管元件。另外，发光元件的峰波长能够根据荧光材料的种类或所期望的颜色进行选择，例如可以为550nm以下(例如，400～520nm，优选为420～500nm)。
实施例
接着，举出实施例进一步具体地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例的任何限定，本领域技术人员能够在本发明的技术构思内进行多种变形。
另外，以如下所述的方式测定或评价各种结构、物性(特性)。
＜结晶相＞
通过使用X射线衍射装置(Rigaku Corporation制造的RINT-2500V)而得到的X射线衍射光谱，对烧结体的结晶相进行鉴定。
＜直线透过率＞
通过机械加工使得到的烧结体的厚度为1mm，使用钻石研磨液(diamond slurry)进行双面镜面研磨。
对于该研磨品的透过率，使用分光光度计(Hitachi,Ltd.制造的U-4100)测定波长为530nm时的直线透过率。
＜比表面积＞
使用Macsorb HM Model-1208(Mountech Co.,Ltd.制造)等作为BET比表面积测定装置，利用氮气吸附法对测定试样(原料粉末)进行测定，所述测定试样使用八连式预热装置(Mountech Co.,Ltd.制造)，在氮气气氛下、于约130℃进行了约30分钟的前处理。
＜平均粒径(原料的平均二次粒径)＞
作为前处理，向100ml烧杯中添加2.0g试样粉末，加入SOLMIX至总量为50ml，使用超声波均化器(Tomy seiko co.,ltd.制造的UD-201)使其分散3分钟。分散结束后，立刻将总量加入至循环器(MicrotracBEL Corp.制造的Microtrac VSR)中，使用粒度分析仪(MicrotracBEL Corp.制造的Microtrac HRA)求出湿式粒度分布。将湿式粒度分布的累积50％的粒径作为平均粒径。
＜平均粒径(烧结体)＞
通过机械加工使烧结体平坦后，使用钻石研磨液进行双面镜面研磨。
在空气中将经过镜面研磨的烧结体于1300℃热处理2小时，使其发生晶间腐蚀。
在具有多相结构的烧结体中，观察到了具有不同衬度(contrast)的晶粒结构，在单一相结构的烧结体中，观察到了单一的晶粒结构。
使用元素分析，鉴定出在具有多相结构的烧结体中，衬度更亮的晶粒为散射材料的相(LAP相)，衬度更暗的晶粒为荧光材料的相(石榴石相)，在单一相结构的烧结体中鉴定出了荧光材料的相(石榴石相)。
然后，获得平均粒径的SEM图像，通过下述式求出平均粒径(平均晶粒直径)。
平均粒径＝1.56C/(MN)
式中，C表示在SEM图像上任意画出的线(直线)的长度，N表示该线上的颗粒数，M表示倍率。
＜内量子效率＞
使用OTSUKA ELECTRONICS Co.,LTD制造的QE-2000固体量子效率测定装置，以如下所述的方式测定、计算荧光材料的荧光的主波长及内量子效率。
将烧结体的一部分加工成10×10×0.2mm后，设置于装置内，测定激发波长为460nm时的激发光光谱与荧光光谱，同时测定内量子效率。
实施例1：Ce:YAG+散射源LAP
[荧光材料(Ce 0.15％:YAG)]
将14.98L的0.5mol/L的高纯度(稀土类元素为99.99％以上，以下相同)氯化钇水溶液、0.02L的0.5mol/L的高纯度硝酸铈水溶液、25L的0.5mol/L的高纯度氯化铝水溶液混合，制成石榴石(YAG)组成的混合溶液。
以1.5L/min的速度，向40L的使用氨水将pH调节为了8.2的、2mol/L的碳酸氢铵水溶液中滴加YAG组成的混合溶液。此时，将YAG组成的混合溶液与碳酸氢铵水溶液同时维持在32℃。
滴加结束后，以32℃熟化48小时后，重复6次过滤、水洗，得到YAG前体。在大气中、以1200℃对得到的YAG前体进行5小时煅烧，进行粉碎，得到原料粉末。
该粉末的BET比表面积为12.2m2/g，基于激光散射法的平均粒径(2次粒径)为0.26μm。此外，未确认到2μm以上的凝聚颗粒。
[光散射剂(LAP)]
将15L的0.5mol/L的高纯度氯化镧水溶液与15L的0.5mol/L的高纯度氯化铝水溶液混合，制成LAP(LaAlO3)组成的混合溶液。
以1.5L/min的速度，向40L的使用氨水将pH调节为了8.2的、2mol/L的碳酸氢铵水溶液中滴加LAP组成的混合溶液。此时，将LAP组成的混合溶液与碳酸氢铵水溶液同时维持在32℃。
滴加结束后，以32℃熟化48小时后，重复6次过滤、水洗，得到LAP前体。在大气中、以1200℃对得到的LAP前体进行5小时煅烧，进行粉碎，得到原料粉末。
该粉末的BET比表面积为11.9m2/g，基于激光散射法的平均粒径(2次粒径)为0.20μm。此外，未确认到2μm以上的凝聚颗粒。
[成型]
与有机成分[CHUKYO YUSHI CO.,LTD.制造，“selna D305”(分散剂)、“selna WF-804”(粘结剂)及“Maxelon A”(改性剂)]一起，以体积比为80:20的比例加入Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末，使用尼龙釜及尼龙球粉碎混合约20小时，得到水系浆料。
在干燥机中干燥得到的浆料，使用乳钵进行充分粉碎。然后使用的模具进行一次成型后，以2t的压力进行CIP成型。
[烧成]
在氧气气流中，以30℃/hr的升温速度、以750℃对得到的成型体进行100小时脱脂。脱脂后的成型体密度与理论密度的比为61.2％。
使用真空炉、以1700℃的温度对脱脂后的成型体进行2小时烧成，得到烧结体(陶瓷)。另外，将升温速度设为400℃/hr，真空度设为10-3Torr以下。
利用SEM及TEM对得到的烧结体进行确认，其结果，呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例2：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了在实施例1中使用通过下述方法得到的荧光材料(Ce:(Y，Gd)AG)作为荧光材料以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
[荧光材料(Ce 0.15％Gd 7％YAG)]
将13.93L的0.5mol/L的高纯度氯化钇水溶液、0.02L的0.5mol/L的高纯度硝酸铈水溶液、1.05L的0.5mol/L的高纯度氯化钆水溶液、25L的0.5mol/L的高纯度氯化铝水溶液混合，制成石榴石组成的混合溶液。
以1.5L/min的速度，向40L的使用氨水将pH调节为了8.2的、2mol/L的碳酸氢铵水溶液中滴加YAG组成的混合溶液。此时，将YAG组成的混合溶液与碳酸氢铵水溶液同时维持在32℃。
滴加结束后，以32℃熟化48小时后，重复6次过滤、水洗，得到YAG前体。在大气中、以1200℃对得到的YAG前体进行5小时煅烧，进行粉碎，得到原料粉末。
该粉末的BET比表面积为11.6m2/g，基于激光散射法的平均粒径(2次粒径)为0.28μm。此外，未确认到2μm以上的凝聚颗粒。
实施例3：Ce:YAG+散射源La2O3
除了在实施例1中使用通过下述方法得到的光散射剂(La2O3)作为光散射剂以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
[光散射剂(La2O3)]
准备30L的0.5mol/L的高纯度氯化镧水溶液。
以1.5L/min的速度，向40L的使用氨水将pH调节为了8.2的、2mol/L的碳酸氢铵水溶液中滴加高纯度氯化镧水溶液。此时，将高纯度氯化镧水溶液与碳酸氢铵水溶液同时维持在32℃。
滴加结束后，以32℃熟化48小时后，重复6次过滤、水洗，得到La2O3前体。在大气中、以1200℃对得到的La2O3前体进行5小时煅烧，进行粉碎，得到原料粉末。
该粉末的BET比表面积为10.8m2/g，基于激光散射法的平均粒径(2次粒径)为0.18μm。此外，未确认到2μm以上的凝聚颗粒。
实施例4：Ce:(Y，Gd)AG+散射源La2O3
除了在实施例2中将实施例3中得到的光散射剂(La2O3)用作光散射剂以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例5：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例6：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例7：Ce:YAG+散射源La2O3
除了将Ce:YAG原料粉末与La2O3原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与实施例3相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例8：Ce:(Y，Gd)AG+散射源La2O3
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与La2O3原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与实施例4相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例9：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例10：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例11：Ce:YAG+散射源La2O3
除了将Ce:YAG原料粉末与La2O3原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与实施例3相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例12：Ce:(Y，Gd)AG+散射源La2O3
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与La2O3原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与实施例4相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例13：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.9:0.1的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例14：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.9:0.1的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例15：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.8:0.2的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)精密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例16：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.8:0.2的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例17：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.5:0.5的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例18：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.5:0.5的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例19：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.0:1.0的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例20：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为99.0:1.0的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例21：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为98.0:2.0的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例22：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为98.0:2.0的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例23：Ce:YAG+散射源LAP
除了将Ce:YAG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为96.5:3.5的比例以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
实施例24：Ce:(Y，Gd)AG+散射源LAP
除了将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与LAP原料粉末的体积比替换为96.5:3.5的比例以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
与实施例1相同地，得到的烧结体呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
比较例1：Ce:YAG无散射源
除了在实施例1中未使用光散射源以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
比较例2：Ce:(Y，Gd)AG无散射源
除了在实施例2中未使用光散射源以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例1：Ce:YAG+YAP
除了在实施例1中使用通过下述方法得到的YAP来代替光散射剂(LAP)以外，以与实施例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
[YAP]
将15L的0.5mol/L的高纯度氯化钇水溶液与15L的0.5mol/L的高纯度氯化铝水溶液混合，制成YAP(YAlO3)组成的混合溶液。
以1.5L/min的速度，向40L的使用氨水将pH调节为了8.2的、2mol/L的碳酸氢铵水溶液中滴加YAP组成的混合溶液。此时，将YAP组成的混合溶液与碳酸氢铵水溶液同时维持在32℃。
滴加结束后，以32℃熟化48小时后，重复6次过滤、水洗，得到YAP前体。在大气中、以1200℃对得到的YAP前体进行5小时煅烧，进行粉碎，得到原料粉末。
该粉末的BET比表面积为12.8m2/g，基于激光散射法的平均粒径(2次粒径)为0.22μm。此外，未确认到2μm以上的凝聚颗粒。
参考例2：Ce:(Y，Gd)AG+YAP
除了在实施例2中使用在参考例1中得到的YAP来代替光散射剂(LAP)以外，以与实施例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例3：Ce:YAG+YAP
除了在参考例1中将Ce:YAG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与参考例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例4：Ce:(Y，Gd)AG+YAP
除了在参考例2中将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为95:5的比例以外，以与参考例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例5：Ce:YAG+YAP
除了在参考例1中将Ce:YAG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与参考例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例6：Ce:(Y，Gd)AG+YAP
除了在参考例2中将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为90:10的比例以外，以与参考例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例7：Ce:YAG+YAP
除了在参考例1中将Ce:YAG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为98.0:2.0的比例以外，以与参考例1相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
参考例8：Ce:(Y，Gd)AG+YAP
除了在参考例2中将Ce:(Y，Gd)AG原料粉末与YAP原料粉末的体积比替换为98.0:2.0的比例以外，以与参考例2相同的方式进行成型及烧成，得到烧结体(陶瓷)。
针对实施例、比较例及参考例中的烧结体(陶瓷)，在调查结晶相的同时，测定直线透过率、平均粒径、内量子效率。
将这些结果综合示于表1、表2及表3。
由上述表的结果可知，镧氧化物在与荧光材料的组合中形成多相结构，并作为光散射剂而发挥作用(低直线透过率)。
并且，意外的是，即使使用镧氧化物，荧光主波长也没有变化。因此可知，根据镧氧化物，可得到所期望的荧光波长。
进一步，意外的是，即使组合镧氧化物，内量子效率仍显示相同或其以上的值，可知能够维持甚至提高发光效率。
此外，即使改变荧光材料(石榴石相)的种类(组成)，也能够与上述实施例相同地得到陶瓷，该陶瓷作为光散射剂而发挥作用、荧光主波长没有变化、内量子效率显示相同或其以上的值。
具体而言，对于实施例1、3、5、7、9及11，将荧光材料分别变更为下述表4的A1～A4所示的荧光材料，对于实施例2、4、6、8、10及12，将荧光材料分别变更为下述表4的B1～B4所示的荧光材料，对得到的各烧结体(陶瓷)进行评价。
[表4]
此时，所有烧结体均呈微米单位的各颗粒(单晶颗粒)紧密聚集的结构(晶界的宽度小于1nm)，几乎未确认到空孔，晶界中不存在杂质。此外，确认到一部分晶粒变成衬度不同的颗粒，由两种不同物质构成。
进一步，在蓝色LED上配置得到的烧结体，使用亮度计对垂直方向与45度角的亮度进行比较，而亮度为相同程度。由此确认到，确实能够改善颜色不均或偏差。
并且，各烧结体均具有与上述表1相同的直线透过率、荧光主波长及内量子效率。
工业实用性
根据本发明，能够得到新型的光散射剂及陶瓷组合物。

Claims (14)

1.一种光散射剂，其由镧氧化物构成。
2.根据权利要求1所述的光散射剂，其中，镧氧化物为选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的光散射剂，其用于与荧光材料组合而形成陶瓷组合物。
4.一种陶瓷组合物，其具有由荧光材料构成的荧光相与由镧氧化物构成的光散射相。
5.根据权利要求4所述的组合物，其中，荧光材料具有石榴石结构。
6.根据权利要求4或5所述的组合物，其中，相对于镧氧化物整体，镧氧化物含有50质量％以上的选自LaAlO3及La2O3中的至少一种。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的组合物，其中，荧光相的平均粒径与光散射相的平均粒径的比例为前者/后者＝100/1～1/1。
8.根据权利要求4～7中任一项所述的组合物，其中，荧光材料与镧氧化物的比例为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～50/50。
9.根据权利要求4～8中任一项所述的组合物，其具有荧光相与光散射相，所述荧光相由含有掺杂了活化剂的钇类石榴石化合物的荧光材料构成，所述光散射相由相对于镧氧化物整体而言含有80质量％以上的选自LaAlO3及La2O3中的至少一种的镧氧化物构成，
荧光材料与镧氧化物的比例为前者/后者(体积比)＝99.9/0.1～70/30，
荧光相的平均粒径与光散射相的平均粒径的比例为前者/后者＝15/1～1.2/1。
10.根据权利要求4～9中任一项所述的组合物，其在厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为5％以下。
11.根据权利要求4～10中任一项所述的组合物，其中，在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时，荧光主波长的差A2-A1为-5nm～5nm。
12.根据权利要求4～11中任一项所述的组合物，其中，在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时，内量子效率的比B2/B1为0.93以上。
13.根据权利要求4～12中任一项所述的组合物，其在厚度为2mm、波长为530nm时的直线透过率为3.5％以下，
在将不含镧氧化物时的荧光主波长设为A1、将含有镧氧化物时的荧光主波长设为A2时，荧光主波长的差A2-A1为-3nm～3nm，
在将不含镧氧化物时的内量子效率设为B1、将含有镧氧化物时的内量子效率设为B2时，内量子效率的比B2/B1为0.95以上。
14.一种发光装置，其具备发光元件与权利要求4～13中任一项所述的陶瓷组合物。
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