CN110036086A

CN110036086A - 研磨用组合物

Info

Publication number: CN110036086A
Application number: CN201780075054.6A
Authority: CN
Inventors: 松田修平; 杉田规章; 松下隆幸
Original assignee: Nitta Haas Inc
Current assignee: Nitta DuPont Inc
Priority date: 2016-12-28
Filing date: 2017-12-27
Publication date: 2019-07-19
Anticipated expiration: 2037-12-27
Also published as: KR20190098142A; WO2018124230A1; JP7077236B2; TWI755467B; TW201829717A; JPWO2018124230A1; CN110036086B

Abstract

本发明提供一种维持研磨速度及表面平滑性，并且可获得良好的晶片形状的研磨用组合物。本发明的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、及两种以上的水溶性高分子，磨粒与两种以上的水溶性高分子各自之间的重量％浓度比为磨粒∶水溶性高分子＝1∶0.0001～1∶0.0010，两种以上的水溶性高分子中的一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量低于10的水溶性高分子，两种以上的水溶性高分子中的另一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量为10以上的水溶性高分子。

Description

研磨用组合物

技术领域

本发明涉及一种研磨用组合物。

背景技术

利用CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)进行的硅晶片的研磨通过进行3阶段或4阶段的多阶段研磨，由此实现高精度的平滑化、平坦化。近年来，伴随着对晶片的表面质量的要求变严格，在二次研磨中也要求获得更高水平的平滑性、平坦性。

已知通过在研磨用组合物中添加水溶性高分子，可降低晶片的表面粗糙度(例如参照日本专利第5505987号公报)。

发明内容

若在研磨用组合物中添加水溶性高分子，则虽可降低表面粗糙度，但存在研磨速度降低的问题。另外，不仅对于研磨速度或表面粗糙度，对于晶片形状也要求更加严格的控制。

本发明的目的在于提供一种维持研磨速度及表面平滑性，并且可获得良好的晶片形状的研磨用组合物。

本发明的一个实施方式的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、及两种以上的水溶性高分子，磨粒与两种以上的水溶性高分子各自之间的重量％浓度比为磨粒∶水溶性高分子＝1∶0.0001～1∶0.0010，上述两种以上的水溶性高分子中的一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量低于10的水溶性高分子，上述两种以上的水溶性高分子中的另一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量为10以上的水溶性高分子。

本发明的一个实施方式的研磨用组合物中，两种以上的水溶性高分子中的一种可以为包含下述通式(1)所示的具有2个氮的亚烷基二胺结构，且在该亚烷基二胺结构的2个氮上键合有至少1个嵌段型聚醚的二胺化合物，并且该嵌段型聚醚是氧亚乙基与氧亚丙基键合而成。

[化学式1]

(式中，n表示1以上的整数)

本发明的一个实施方式的研磨用组合物中，两种以上的水溶性高分子中的另一种可以为羟乙基纤维素。

本发明的一个实施方式的研磨用组合物中，优选的是，两种以上的水溶性高分子中的一种为上述二胺化合物，两种以上的水溶性高分子中的另一种为羟乙基纤维素。

根据本发明，维持研磨速度及表面平滑性，并且可获得良好的晶片形状。

附图说明

图1是用于对差量GBIR进行说明的图。

图2是用不含水溶性高分子的研磨用组合物进行研磨时的研磨量(磨削量)的分布。

图3是用含有泊洛沙胺(Poloxamine)的研磨用组合物进行研磨时的研磨量(磨削量)的分布。

图4是用含有HEC(Hydroxyethyl Cellulose，羟乙基纤维素)的研磨用组合物进行研磨时的研磨量(磨削量)的分布。

图5是用含有泊洛沙胺及HEC的研磨用组合物进行研磨时的研磨量(磨削量)的分布。

具体实施方式

本发明人等为了解决上述问题而进行了各种研究。其结果为获得了以下见解。

为了控制研磨后的晶片的形状，有效的是使研磨用组合物中适量含有两种以上的水溶性高分子。两种以上的水溶性高分子通过与晶片的亲和性的不同，而分别作用于晶片的相对内侧的区域与相对外侧的区域。进而，通过适当控制两种以上的水溶性高分子各自与磨粒的浓度比，可不使研磨速度降低而以更高水平控制晶片的形状。

本发明是基于上述见解而完成的。以下，对本发明的一个实施方式的研磨用组合物进行详细叙述。

本发明的一个实施方式的研磨用组合物包含磨粒、碱性化合物、及两种以上的水溶性高分子。本实施方式的研磨用组合物可适合地用于硅晶片的二次研磨。

磨粒可使用该领域中常用的磨粒。磨粒例如为胶体二氧化硅、气相二氧化硅、胶体氧化铝、气相氧化铝、氧化铈、碳化硅、氮化硅等。这些当中，可适合地使用胶体二氧化硅。

磨粒的含量并无特别限定，例如为研磨用组合物整体的0.1～15重量％。关于磨粒的含量，就使研磨速度变大的观点而言以多为佳，就减少研磨损伤或异物残留的观点而言以少为佳。磨粒的含量的下限优选为0.5重量％，进一步优选为1重量％。磨粒的含量的上限优选为12重量％，进一步优选为10重量％。

碱性化合物对晶片的表面进行蚀刻而进行化学研磨。碱性化合物例如为胺化合物、无机碱性化合物等。

胺化合物例如为伯胺、仲胺、叔胺、季铵及其盐、杂环式胺等。具体而言可列举：氨、四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丁基氢氧化铵(TBAH)、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、己胺、环己胺、乙二胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺(DETA)、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-(β-氨基乙基)乙醇胺、无水哌嗪、哌嗪六水合物、1-(2-氨基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪、哌嗪盐酸盐、碳酸胍等。

无机碱性化合物例如可列举：碱金属的氢氧化物、碱金属的碳酸盐、碱金属的碳酸氢盐、碱土金属的氢氧化物、碱土金属的碳酸盐、碱土金属的碳酸氢盐等。无机碱性化合物具体而言为氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠、碳酸氢钾、碳酸钾(K₂CO₃)、碳酸氢钠、碳酸钠等。

碱性化合物可适合地使用上述列举的物质组中的碱金属的氢氧化物、碱金属的碳酸盐、碱土金属的氢氧化物、碱土金属的碳酸盐、季铵、或季铵的盐。如上所述，本实施方式的研磨用组合物可适合地用于硅晶片的二次研磨。对于精加工研磨(最终研磨)用的研磨用组合物而言，纯度的要求非常高，因此碱金属等的含量受到限制，与此相对，二次研磨用的研磨用组合物相比于精加工研磨用的研磨用组合物，要求研磨速率。因此，二次研磨用的研磨用组合物优选使用化学研磨作用较强的碱性化合物。

上述碱性化合物可单独使用一种，也可混合使用两种以上。碱性化合物的合计含量并无特别限定，例如为研磨用组合物整体的0.1～5重量％。碱性化合物的含量的下限优选为0.5重量％。碱性化合物的含量的上限优选为3重量％。

本实施方式的研磨用组合物包含两种以上的水溶性高分子。水溶性高分子吸附在晶片的表面，将晶片的表面改性。由此，可提升研磨的均匀性，降低表面粗糙度。

水溶性高分子例如可列举：羟乙基纤维素(HEC)、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、乙酸纤维素、甲基纤维素等纤维素类；聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)等乙烯聚合物；配醣体(糖苷)、聚乙二醇、聚丙二醇、聚甘油、泊洛沙胺、泊洛沙姆、聚氧亚烷基烷基醚、聚氧亚烷基脂肪酸酯、聚氧亚烷基烷基胺、甲基葡萄糖苷的环氧烷衍生物(下文叙述)、多元醇环氧烷加成物、多元醇脂肪酸酯等。

研磨时，上述两种以上的水溶性高分子通过与晶片的亲和性的不同而分别作用于晶片的相对内侧的区域与相对外侧的区域。由此，可以更高水平控制晶片的形状。

在本实施方式的研磨用组合物中，两种以上的水溶性高分子各自与磨粒的重量％浓度比为磨粒∶水溶性高分子＝1∶0.0001～1∶0.0010。

若水溶性高分子变得较磨粒∶水溶性高分子＝1∶0.0001少，则无法充分获得该水溶性高分子的作用，无法充分获得通过含有两种以上的水溶性高分子所得的效果。其结果为，无法获得目标晶片形状。另一方面，若水溶性高分子变得较磨粒∶水溶性高分子＝1∶0.0010多，则研磨速度降低。另外，无法充分获得通过含有两种以上的水溶性高分子所得的效果，仍然无法获得目标晶片形状。两种以上的水溶性高分子各自与磨粒的重量％浓度比的上限优选为以水溶性高分子/磨粒计为0.0009，进一步优选为以水溶性高分子/磨粒计为0.0007。

水溶性高分子中的一种优选为包含下述通式(1)所示的具有2个氮的亚烷基二胺结构，且在该亚烷基二胺结构的2个氮上键合有至少1个嵌段型聚醚的二胺化合物，并且该嵌段型聚醚是氧亚乙基与氧亚丙基键合而成(以下称为“键合有嵌段型聚醚的二胺化合物”)。

[化学式1]

(式中，n表示1以上的整数)

嵌段型聚醚可使用选自下述通式(2)～(5)所示的醚基中的至少一种。

-[(EO)_a-(PO)_b]_x-H···(2)

-[(PO)_b-(EO)_a]_x-H···(3)

-(EO)_a-[(PO)_b-(EO)_a]_x-H···(4)

-(PO)_b-[(EO)_a-(PO)_b]_x-H···(5)

式中，EO表示氧亚乙基，PO表示氧亚丙基，a、b、x为1以上的整数。优选的是，氧亚乙基的数量a为1～500，氧亚丙基的数量b为1～200。优选的是，氧亚乙基与氧亚丙基的质量比为EO∶PO＝10∶90～80∶20。

作为键合有嵌段型聚醚的二胺化合物的具体例，可列举N，N，N′，N′-四-聚氧亚乙基-聚氧亚丙基-乙二胺(泊洛沙胺)。

水溶性高分子中的一种优选为HEC。

作为研磨用组合物所含有的两种以上的水溶性高分子，从不对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子中选择一种以上，从对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子中选择一种以上。

不对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子是指一分子中的羟基或内酰胺结构的数量低于10(在存在羟基及内酰胺结构两者的情况下，其合计低于10)的水溶性高分子。作为不对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子，例如除了上述泊洛沙胺以外，还可列举：泊洛沙姆、聚氧亚烷基烷基醚、聚氧亚烷基脂肪酸酯、聚氧亚烷基烷基胺、及下述通式(6)所示的甲基葡萄糖苷的环氧烷衍生物、多元醇环氧烷加成物、多元醇脂肪酸酯、聚乙二醇、聚丙二醇等。

[化学式2]

(式中，AO表示环氧烷，另外，a～d表示整数)

具体而言，聚氧亚烷基烷基醚为聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯硬脂基醚等。具体而言，聚氧亚烷基脂肪酸酯为聚氧乙烯单月桂酸酯、聚氧乙烯单硬脂酸酯等。具体而言，聚氧亚烷基烷基胺为聚氧乙烯月桂基胺、聚氧乙烯油基胺等。甲基葡萄糖苷的环氧烷衍生物例如为聚氧乙烯甲基葡萄糖苷、聚氧丙烯甲基葡萄糖苷等。具体而言，多元醇环氧烷加成物可列举甘油、季戊四醇、乙二醇等的环氧烷加成物等。

对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子是指一分子中的羟基或内酰胺结构的数量为10以上(在存在羟基及内酰胺结构两者的情况下，其合计为10以上)的水溶性高分子。对晶片表面赋予润湿性的水溶性高分子例如可列举：羟乙基纤维素(HEC)、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、乙酸纤维素、甲基纤维素等纤维素类；聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯啶酮(PVP)等乙烯聚合物、配醣体(糖苷)、聚甘油等。

研磨用组合物所含有的两种以上的水溶性高分子优选为从由泊洛沙胺、泊洛沙姆、聚氧乙烯甲基葡萄糖苷、聚氧丙烯甲基葡萄糖苷所组成的组中选择一种，且从由HEC、PVA、PVP、聚甘油所组成的组中选择另一种。研磨用组合物所含有的两种以上的水溶性高分子进一步优选为将一种设为泊洛沙胺，另一种设为HEC。

本实施方式的研磨用组合物也可除上述外还包含螯合剂。螯合剂例如为氨基羧酸系螯合剂、有机磺酸螯合剂等。

作为氨基羧酸系螯合剂，具体而言可列举：乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠、次氮基三乙酸、次氮基三乙酸钠、次氮基三乙酸铵、羟乙基乙二胺三乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸钠、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、二亚乙基三胺五乙酸钠、三亚乙基四胺六乙酸、三亚乙基四胺六乙酸钠等。

作为有机膦酸系螯合剂，具体而言可列举：2-氨基乙基膦酸、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸、氨基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、乙烷-1，1，-二膦酸、乙烷-1，1，2-三膦酸、乙烷-1-羟基-1，1-二膦酸、乙烷-1-羟基-1，1，2-三膦酸、乙烷-1，2-二羧基-1，2-二膦酸、甲烷羟基膦酸、2-膦酰基丁烷-1，2-二羧酸、1-膦酰基丁烷-2，3，4-三羧酸、α-甲基膦酰基琥珀酸等。

本实施方式的研磨用组合物也可进一步包含pH调整剂。本实施方式的研磨用组合物的pH优选为8.0～12.0。

本实施方式的研磨用组合物除上述以外，还可任意配合研磨用组合物的领域中通常已为人所知的添加剂。

本实施方式的研磨用组合物是通过将磨粒、碱性化合物、两种以上的水溶性高分子及其它配合材料适当混合并加水而制成的。或者，本实施方式的研磨用组合物是通过将磨粒、碱性化合物、两种以上的水溶性高分子及其它配合材料依次混合至水中而制成的。作为混合这些成分的方法，可使用均质器、超声波等在研磨用组合物的技术领域中常用的方法。

以上说明的研磨用组合物以成为适当浓度的方式以水稀释后，用于硅晶片的研磨。

实施例

以下，通过实施例对本发明更具体地进行说明。本发明不限于这些实施例。

[研磨例1]

制作表1所示的实施例1～4、及表2所示的比较例1～4的研磨用组合物。

[表1]

[表2]

实施例1的研磨用组合物含有粒径70nm的胶体二氧化硅作为磨粒，含有DTPA作为螯合剂，含有KOH及K₂CO₃作为碱性化合物，且含有泊洛沙胺及HEC作为水溶性高分子。研磨用组合物的剩余部分为水。磨粒、DTPA、KOH、K₂CO₃、泊洛沙胺、及HEC的含量分别设为3重量％、0.01重量％、0.3重量％、1重量％、0.0004重量％、及0.0004重量％。磨粒与泊洛沙胺的重量％浓度比、及磨粒与HEC的重量％浓度比均为1∶0.0001。

实施例2～4的研磨用组合物是在实施例1的研磨用组合物的基础上，改变泊洛沙胺及HEC的含量，且将磨粒与各水溶性高分子的重量％浓度比设为1∶0.0003、1∶0.0007、1∶0.001而成的。

比较例1的研磨用组合物是在实施例1的研磨用组合物的基础上，未添加水溶性高分子而成的。

比较例2的研磨用组合物是在实施例1的研磨用组合物的基础上，改变泊洛沙胺及HEC的含量，且将磨粒与各水溶性高分子的重量％浓度比设为1∶0.0013而成的。比较例3的研磨用组合物是在实施例4的研磨用组合物的基础上，未添加HEC而成的。比较例4的研磨用组合物是在实施例4的研磨用组合物的基础上，未添加泊洛沙胺而成的。

使用这些实施例及比较例的研磨用组合物，进行直径300mm的P型硅晶片(100)面的研磨。研磨装置使用冈本工作机械制作所股份有限公司制作的SPP800S。研磨垫使用绒面(suede)的研磨垫。将研磨用组合物稀释至10倍，以0.6L/分钟的供给速度进行供给。压盘的转速设为43rpm，研磨头的转速设为40rpm，研磨负荷设为0.012MPa，进行4分钟的研磨。

研磨结束后，使用非接触表面粗糙度测定机(WycoNT9300，Veeco公司制造)，测定硅晶片的表面粗糙度Ra。

晶片形状的评价使用以下说明的“差量GBIR”进行。

图1是用于对差量GBIR进行说明的图。首先，测定研磨前的硅晶片的厚度(距背面基准平面的距离)的分布P1。同样地，测定研磨后的硅晶片的厚度的分布P2。取研磨前的分布P1与研磨后的分布P2的差量，求出“通过研磨而去除的厚度(磨削量)”的分布ΔP。将除特定边缘区域以外的区域中的磨削量的分布ΔP的最大值ΔP_max与最小值ΔP_min之差定义为”差量GBIR”。

使用差量GBIR对晶片形状进行评价，由此与通常的使用GBIR的情况相比，由研磨前的硅晶片的不均及意外因素所造成的影响得到缓和，可更准确地进行研磨步骤本身的评价。

研磨前后的硅晶片的厚度的分布使用晶片用平坦度检查装置(Nonometro 300TT-A，黑田精工股份有限公司制造)测定。另外，将磨削量的平均厚度除以研磨时间，作为研磨速率。

将研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR示于上述表1及表2。表1及表2的研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR的数值为将比较例1(不含水溶性高分子的研磨用组合物)的值设为100时的相对值。在本评价中，将研磨速率为90以上，表面粗糙度Ra为110以下，差量GBIR为70以下作为目标。

如表1所示，在实施例1～5中，研磨速率维持在与比较例1同等，表面粗糙度Ra及差量GBIR大幅度地改善。若将实施例1～4进行比较，则获得大致相同的质量，但水溶性高分子相对于磨粒的浓度比比较小的实施例1及2的情况下可见差量GBIR变小的倾向。

如表2所示，比较例2虽然与比较例1相比表面粗糙度Ra改善，但研磨速率下降。另外，差量GBIR未改善。可认为其原因在于水溶性高分子相对于磨粒的浓度比过高。

比较例3、4虽然与比较例1相比，研磨速率变大，但差量GBIR的改善不充分。可认为其原因在于这些研磨用组合物仅含有一种水溶性高分子。

[研磨例2]

继而，制作表3所示的比较例5～10的研磨用组合物。

[表3]

比较例5的研磨用组合物是与比较例1同样地在实施例1的研磨用组合物的基础上，未添加水溶性高分子而成的。

比较例6～8的研磨用组合物是在比较例4的研磨用组合物的基础上，改变HEC的含量，且将磨粒与HEC的重量％浓度比设为1∶0.0013、1∶0027、1∶0.005而成的。比较例9的研磨用组合物是在比较例3的研磨用组合物的基础上，改变泊洛沙胺的含量，且将磨粒与泊洛沙胺的重量％浓度比设为1∶0.0013而成的。比较例10的研磨用组合物是将磨粒与泊洛沙胺的重量％浓度比、及磨粒与HEC的重量％浓度比均设为1∶0.0013而成的。

使用这些研磨用组合物，在与研磨例1类似的条件下进行研磨。然后，与研磨例1同样地求出研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR。将结果示于上述表3。表3的研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR的数值是将比较例5(不含水溶性高分子的研磨用组合物)的值设为100时的相对值。

比较例6与比较例5相比，差量GBIR的改善不充分。比较例7及8虽然差量GBIR改善，但研磨速率大幅度地降低。比较例9与比较例5相比差量GBIR恶化。如此，在水溶性高分子为一种的情况下，即便调整含量，也无法获得均衡地满足研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR这3个指标的条件。

图2～图5分别为利用比较例5(无水溶性高分子)、比较例9(仅泊洛沙胺)、比较例6(仅HEC)、及比较例10(并用泊洛沙胺与HEC)的研磨用组合物进行了研磨的硅晶片的磨削量的分布。

根据图2与图3的比较可知，泊洛沙胺不使晶片中心的磨削量变化，且使晶片最外周的磨削量变小。

根据图2与图4的比较可知，HEC使晶片中心的磨削量变小，且使晶片最外周的磨削量变大。

如图5所示，通过并用泊洛沙胺与HEC，晶片中心至外周附近的磨削量的变化变少，在晶片的中心与距中心100mm的位置之间使磨削量基本恒定。

[研磨例3]

继而，制作表4所示的实施例5～8、表5所示的实施例10、11、比较例11～13的研磨用组合物。

[表4]

[表5]

实施例5～7的研磨用组合物是在实施例2的研磨用组合物的基础上，将HEC替换为其它水溶性高分子而成的。具体而言，实施例5～7的研磨用组合物是将HEC分别替换为PVA、PVP、及聚甘油而成的。实施例8～10的研磨用组合物是在实施例2的研磨用组合物的基础上，将泊洛沙胺替换为其它水溶性高分子而成的。具体而言，实施例8～10的研磨用组合物是将泊洛沙胺分别替换为泊洛沙姆、聚氧乙烯甲基葡萄糖苷、及聚氧丙烯甲基葡萄糖苷而成的。

比较例11的研磨用组合物是与比较例1同样地在实施例1的研磨用组合物的基础上，未添加水溶性高分子而成的。

比较例12的研磨用组合物是在比较例4的研磨用组合物的基础上，改变HEC的含量，且将磨粒与HEC的重量％浓度比设为1∶0.002而成的。比较例13的研磨用组合物是在比较例3的研磨用组合物的基础上，改变泊洛沙胺的含量，且将磨粒与泊洛沙胺的重量％浓度比设为1∶0.002而成的。

使用上述研磨用组合物，在与研磨例1类似的条件下进行研磨。然后，与研磨例1同样地求出研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR。将结果示于上述表4及表5。表4及表5的研磨速率、表面粗糙度Ra、差量GBIR的数值为将比较例11(不含水溶性高分子的研磨用组合物)的值设为100时的相对值。

在实施例5～10中，研磨速率及表面粗糙度Ra与比较例11为同等或同等以上，差量GBIR大幅度地改善。尤其，实施例5(水溶性高分子为泊洛沙胺与PVA)、实施例7(水溶性高分子为泊洛沙胺与聚甘油)中，研磨速率也显著提升。

比较例12、13中，差量GBIR的改善不充分。可认为其原因在于这些研磨用组合物仅含有一种水溶性高分子。

根据以上的结果确认到，通过使研磨用组合物中适量含有两种以上的水溶性高分子，可以高水平控制研磨后的晶片的形状。

以上，对本发明的实施方式进行了说明。上述实施方式仅为用于实施本发明的例示。因此，本发明并不限于上述实施方式，可在不脱离其主旨的范围内将上述实施方式适当变化后实施。

Claims

1.一种研磨用组合物，其包含：磨粒、

碱性化合物、及

两种以上的水溶性高分子，

所述两种以上的水溶性高分子各自与所述磨粒的重量％浓度比为磨粒：水溶性高分子＝1∶0.0001～1∶0.0010，

所述两种以上的水溶性高分子中的一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量低于10的水溶性高分子，

所述两种以上的水溶性高分子中的另一种为一分子中的羟基或内酰胺结构的数量为10以上的水溶性高分子。

2.如权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述两种以上的水溶性高分子中的一种为包含下述通式(1)所示的具有2个氮的亚烷基二胺结构，且在该亚烷基二胺结构的2个氮上键合有至少1个嵌段型聚醚的二胺化合物，并且该嵌段型聚醚是氧亚乙基与氧亚丙基键合而成，

式(1)中，n表示1以上的整数。

3.如权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述两种以上的水溶性高分子中的另一种为羟乙基纤维素。

4.如权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述两种以上的水溶性高分子中的一种为包含下述通式(1)所示的具有2个氮的亚烷基二胺结构，且在该亚烷基二胺结构的2个氮上键合有至少1个嵌段型聚醚的二胺化合物，并且该嵌段型聚醚是氧亚乙基与氧亚丙基键合而成，

所述两种以上的水溶性高分子中的另一种为羟乙基纤维素，

式(1)中，n表示1以上的整数。