WO2019131448A1 - 研磨用組成物 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a polishing composition.
- Polishing of a semiconductor wafer by CMP realizes high-precision smoothing and planarization by performing multistage polishing in three or four stages.
- the final polishing process performed at the final stage mainly aims to reduce micro defects and haze (surface haze).
- the polishing composition used in the final polishing step of a semiconductor wafer generally contains a water-soluble polymer such as hydroxyethyl cellulose (HEC).
- HEC hydroxyethyl cellulose
- the water-soluble polymer plays a role of hydrophilizing the surface of the semiconductor wafer, and suppresses damage to the semiconductor wafer due to adhesion of abrasive grains to the surface, excessive chemical etching, aggregation of abrasive grains, and the like. It is known that this can reduce micro defects and haze.
- HEC is made of natural cellulose, it may contain water-insoluble impurities derived from cellulose. Therefore, in the polishing composition containing HEC, a slight defect may occur due to the influence of the impurity.
- HEC having a molecular weight of several hundred thousand to one million is often used, but as the molecular weight is higher, clogging of the filter is more likely to occur, and it is difficult to flow the filter with a small pore diameter. Therefore, when a water-soluble polymer having a large molecular weight is used, it becomes difficult to remove coarse particles.
- aggregation of the abrasive grains is also likely to occur, there is also concern in the long-term stability of the polishing composition.
- JP 2012-216723 A discloses a polishing composition containing at least one water-soluble polymer selected from vinyl alcohol resins having a 1,2-diol structural unit.
- a vinyl alcohol resin having a 1,2-diol structural unit in the polishing composition, micro defects and surface roughness of the semiconductor wafer after polishing can be reduced. This is considered to be because crystallization of polyvinyl alcohol is suppressed by introducing a modified group having a steric hindrance (1,2-diol structure).
- An object of the present invention is to provide a polishing composition which can further reduce micro defects and haze of a semiconductor wafer after polishing.
- the polishing composition according to one embodiment of the present invention comprises abrasive grains, a basic compound, and a vinyl alcohol resin having a 1,2-diol structural unit represented by the following general formula (1),
- the molar concentration of the structural unit represented by the following general formula (2) is 2 mol% or more in all the structural units.
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an organic group
- X represents a single bond or a linked chain
- R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom Or an organic group.
- minute defects and haze of a semiconductor wafer after polishing can be further reduced.
- the present inventors made various studies in order to solve the above-mentioned problems. As a result, the following findings were obtained.
- a water soluble polymer is added to hydrophilize the surface of the semiconductor wafer.
- the vinyl alcohol resin added to the polishing composition is generally a completely saponified product (having a degree of saponification of at least 98 mol%, since it is considered more preferable for this purpose as the number of hydrophilic hydroxyl groups is larger. ) Are used.
- the polishing composition according to one embodiment of the present invention comprises abrasive grains, a basic compound, and a vinyl alcohol resin having a 1,2-diol structural unit (hereinafter referred to as “modified PVA”).
- abrasive those conventionally used in this field can be used, and examples thereof include colloidal silica, fumed silica, colloidal alumina, fumed alumina and ceria, and colloidal silica or fumed silica is particularly preferable.
- the particle size of the abrasive is not particularly limited, for example, one having a secondary average particle size of 30 to 100 nm can be used.
- the content of the abrasive is not particularly limited, and is, for example, 0.10 to 20% by mass of the entire polishing composition.
- the polishing composition is used diluted 10 to 40 times at the time of polishing.
- the polishing composition according to the present embodiment is preferably used by diluting so that the concentration of abrasive grains is 100 to 5000 ppm (mass ppm, hereinafter the same). As the concentration of the abrasive grains is higher, micro defects and haze tend to be reduced.
- the lower limit of the concentration of abrasive grains after dilution is preferably 1000 ppm, and more preferably 2000 ppm.
- the upper limit of the concentration of abrasive grains after dilution is preferably 4000 ppm, and more preferably 3000 ppm.
- the basic compound etches and chemically polishes the surface of the semiconductor wafer.
- the basic compound is, for example, an amine compound, an inorganic alkali compound or the like.
- the amine compound is, for example, a primary amine, a secondary amine, a tertiary amine, a quaternary ammonium and its hydroxide, a heterocyclic amine or the like.
- ammonia tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH), tetrabutylammonium hydroxide (TBAH), methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, hexylamine, Cyclohexylamine, ethylenediamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N- ( ⁇ -aminoethyl) ethanolamine, anhydrous piperazine , Piperazine hexahydrate, 1-
- the inorganic alkali compound examples include hydroxides of alkali metals, salts of alkali metals, hydroxides of alkaline earth metals, salts of alkaline earth metals and the like.
- the inorganic alkali compound is potassium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydrogencarbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium carbonate or the like.
- the above-mentioned basic compounds may be used alone or in combination of two or more.
- hydroxides of alkali metals, salts of alkali metals, ammonia, amines, ammonium salts and quaternary ammonium hydroxides are particularly preferable.
- the content of the basic compound is not particularly limited.
- the mass ratio of the basic compound to the abrasive particles is as follows: It is .10.
- the polishing composition according to the present embodiment is preferably used by diluting so that the concentration of the basic compound is 5 to 200 ppm.
- the modified PVA is a vinyl alcohol resin having a 1,2-diol structural unit represented by the following general formula (1).
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an organic group
- X represents a single bond or a linked chain
- R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom Or an organic group.
- the "vinyl alcohol-based resin” refers to a water-soluble polymer containing the structural units represented by the following formulas (2) and (3).
- the modified PVA has a 1,2-diol structural unit represented by the formula (1) in addition to the structural units represented by the formulas (2) and (3). Thereby, crystallization of polyvinyl alcohol is suppressed, and micro defects and haze of the semiconductor wafer after polishing can be further reduced.
- the modification amount of the 1,2-diol structural unit in the polymer is not particularly limited, and is, for example, 1 to 20 mol%.
- R 1 to R 3 and R 4 to R 6 in the 1,2-diol structural unit represented by the general formula (1) are hydrogen atoms and X is a single bond.
- the average degree of polymerization of the modified PVA is not particularly limited, and is, for example, 200 to 3,000.
- the average degree of polymerization of the modified PVA can be measured in accordance with JIS K 6726.
- the lower limit of the mass ratio of the modified PVA to the abrasive grains is preferably 0.0050, and more preferably 0.0070.
- the polishing composition according to the present embodiment is preferably used by diluting it to a concentration of 10 to 200 ppm of modified PVA.
- concentration of denatured PVA after dilution is higher, micro defects and haze tend to be reduced.
- the lower limit of the concentration of modified PVA after dilution is preferably 20 ppm, more preferably 50 ppm.
- the modified PVA is produced, for example, by saponifying a copolymer of a vinyl ester monomer and a compound represented by the following general formula (4).
- R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an organic group
- X represents a single bond or a linked chain
- R 4 , R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom
- R 7 and R 8 each independently represent a hydrogen atom or R 9 -CO- (R 9 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
- the molar concentration of the structural unit represented by the following general formula (2) is 2 mol% or more in all the structural units.
- the molar concentration of the structural unit represented by Formula (2) in the modified PVA is higher, it is possible to further reduce microdefects and haze of the semiconductor wafer after polishing.
- the lower limit of the molar concentration of the structural unit represented by the formula (2) in the modified PVA is preferably 5 mol%, more preferably 10 mol%.
- the upper limit of the molar concentration of the structural unit represented by the formula (2) in the modified PVA is preferably 30 mol%, more preferably 20 mol%.
- the molar concentration (mol%) of the structural unit represented by the formula (2) in the modified PVA may be regarded as equal to 100 mol% minus the degree of saponification (mol%) of the modified PVA.
- the saponification degree of modified PVA shall be measured according to JISK6726 like PVA.
- the polishing composition according to the present embodiment may further contain a nonionic surfactant.
- a nonionic surfactant By including the nonionic surfactant, minute defects and haze can be further reduced.
- the nonionic surfactant suitable for the polishing composition according to the present embodiment is, for example, ethylenediaminetetrapolyoxyethylene polyoxypropylene (poloxamine), poloxamer, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyalkylene fatty acid ester, polyoxyalkylene alkyl Amine, polyoxyalkylene methyl glucoside and the like.
- polyoxyalkylene alkyl ether examples include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether and the like.
- polyoxyalkylene fatty acid esters include polyoxyethylene monolaurate and polyoxyethylene monostearate.
- polyoxyalkylene alkylamines examples include polyoxyethylene laurylamine and polyoxyethylene oleylamine.
- polyoxyalkylene methyl glucosides include polyoxyethylene methyl glucoside and polyoxypropylene methyl glucoside.
- the content of the nonionic surfactant is not particularly limited.
- the mass ratio of the abrasive to the abrasive grains abrasive grains: nonionic surfactant 1: 0 And .0001 to 1: 0.015.
- the polishing composition according to the present embodiment is preferably used by diluting so that the concentration of the nonionic surfactant is 0.5 to 30 ppm.
- the polishing composition according to the present embodiment may further contain a pH adjuster.
- the pH of the polishing composition according to the present embodiment is preferably 8.0 to 12.0.
- the polishing composition according to the present embodiment may optionally contain other compounding agents generally known in the field of polishing compositions, in addition to the above.
- the polishing composition according to the present embodiment is prepared by appropriately mixing abrasive grains, a basic compound, modified PVA and other compounding materials and adding water.
- the polishing composition according to the present embodiment is produced by sequentially mixing abrasives, a basic compound, modified PVA and other compounding materials with water.
- means commonly used in the technical field of polishing compositions such as homogenizers, ultrasonic waves and the like are used.
- the polishing composition described above is used for polishing a semiconductor wafer after being diluted with water so as to have an appropriate concentration.
- the polishing composition according to the present embodiment can be particularly suitably used for finish polishing of a silicon wafer.
- Polishing compositions of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 4 shown in Table 1 were produced.
- the contents in Table 1 are all after dilution.
- the “particle size” in Table 1 represents the average secondary particle size of the abrasive grains.
- "NH 4 OH” represents an aqueous ammonia solution.
- Modified PVAs A to D represent butenediol vinyl alcohol polymers having different degrees of polymerization and saponification, respectively.
- PVA A and B represent polyvinyl alcohols having different degrees of saponification.
- the polishing compositions of these Examples and Comparative Examples were used to polish a 12-inch silicon wafer.
- the conductivity type of the silicon wafer was P-type, and the resistivity was at least 0.1 ⁇ cm and less than 100 ⁇ cm.
- the polished surface was a ⁇ 100> surface.
- the polishing apparatus used was SPP 800 S single-side polishing apparatus manufactured by Okamoto Machine Tool Mfg. Co., Ltd.
- the polishing pad suede pad.
- the polishing composition was diluted 31 times and fed at a feed rate of 1 L / min.
- the polishing speed was 40 rpm, the rotation speed of the carrier was 39 rpm, and the polishing load was 100 gf / cm 2 , and polishing was performed for 2 minutes.
- preliminary polishing for 3 minutes was carried out using a polishing slurry NP7050S (manufactured by Nitta Hearth Co., Ltd.).
- the minute defects and the haze of the silicon wafer after polishing were measured.
- the minute defects were measured using a wafer surface inspection apparatus MAGICS M5640 (manufactured by Lasertec).
- the haze was measured using a wafer surface inspection apparatus LS6600 (manufactured by Hitachi Engineering Co., Ltd.). The results are shown in the column of "Defect" and "Haze” in Table 1 above.
- Example 2 From the comparison between Example 2 and Example 4, and the comparison of Examples 7, 9 and 10, it is understood that the higher the concentration of the modified PVA, the smaller the tendency of micro defects is, if the other conditions are constant. .
- Example 2 From the comparison between Example 2 and Example 3, and the comparison between Example 7 and Example 8, it is found that the micro defects tend to be reduced as the concentration of the abrasive grains becomes higher, if the other conditions are constant. I understand.
- Polishing compositions of Examples 11 to 26 and Comparative Examples 5 to 8 shown in Tables 2 and 3 were produced.
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Abstract
研磨後の半導体ウェーハの微少欠陥及びヘイズをさらに低減することができる研磨用組成物を提供する。研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、下記一般式（１）で表される１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含み、ビニルアルコール系樹脂は、下記一般式（２）で表される構造単位のモル濃度が、全構成単位中２モル％以上である。 但し、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Ｘは単結合又は結合鎖を示し、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。
Description
本発明は、研磨用組成物に関する。
ＣＭＰによる半導体ウェーハの研磨は、３段階又は４段階の多段階の研磨を行うことで、高精度の平滑化・平坦化を実現している。最終段階で行われる仕上げ研磨工程は、微小欠陥やヘイズ（表面曇り）の低減を主な目的としている。
半導体ウェーハの仕上げ研磨工程で使用される研磨用組成物は、一般に、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）等の水溶性高分子を含有する。水溶性高分子は、半導体ウェーハ表面を親水化させる役割があり、表面への砥粒の付着、過度なケミカルエッチング、砥粒の凝集等による半導体ウェーハへのダメージを抑制する。これによって、微小欠陥やヘイズを低減できることが知られている。
ＨＥＣは天然原料のセルロースを原料としているため、セルロース由来の水不溶性の不純物が含まれる場合がある。そのため、ＨＥＣを含有する研磨用組成物では、この不純物の影響で微少欠陥が発生する場合がある。また、ＨＥＣは分子量が数十万から百万程度の分子量のものがよく用いられるが、分子量が高くなるほどフィルターの目詰まりが起こりやすく、孔径が小さいフィルターでは通液が困難になる。そのため、分子量の大きい水溶性高分子を使用した場合、粗大粒子を除去することが困難になる。また、砥粒の凝集も起こりやすくなるため、研磨用組成物の長期安定性においても懸念がある。
特開２０１２－２１６７２３号公報には、１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂から選ばれた少なくとも１種類以上の水溶性高分子を含む研磨用組成物が開示されている。研磨用組成物に１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂を含有させることで、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥や表面粗さを低減できる。これは、立体障害生を持つ変性基（１，２－ジオール構造）を導入することによって、ポリビニルアルコールの結晶化が抑制されるためと考えられる。
近年、半導体デバイスのデザインルールの微細化が進んでいることにともなって、半導体ウェーハの表面の微小欠陥やヘイズについても、より厳しい管理が求められている。
本発明の目的は、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥及びヘイズをさらに低減することができる研磨用組成物を提供することである。
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、下記一般式（１）で表される１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含み、前記ビニルアルコール系樹脂は、下記一般式（２）で表される構造単位のモル濃度が、全構成単位中２モル％以上である。
但し、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Ｘは単結合又は結合鎖を示し、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。
本発明によれば、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥及びヘイズをさらに低減することができる。
本発明者らは、上記の課題を解決するため、種々の検討を行った。その結果、以下の知見を得た。
上述のとおり、水溶性高分子は、半導体ウェーハの表面を親水化するために添加される。この目的のためには親水基である水酸基の数が多いほど好ましいと考えられることから、研磨用組成物に添加されるビニルアルコール系樹脂は、通常は完全けん化品（けん化度が９８モル％以上のもの）が使用される。
しかし本発明者らの調査の結果、１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂の場合、完全けん化品よりも部分けん化品を用いた方が、微小欠陥やヘイズをより低減できることが分かった。
このメカニズムは明らかではないが、一つ要因としては、部分けん化品を用いることで水酸基同士での水素結合が減り、分子同士の結合が弱まることによって高分子が水に溶けやすくなり、未溶解物やゲル状異物の生成が抑制されることが考えられる。他の要因としては、疎水基である酢酸ビニル基の含有量が多くなることで半導体ウェーハとの疎水性相互作用が強くなり、半導体ウェーハへの保護性が大きくなることが考えられる。
本発明は、これらの知見に基づいて完成された。以下、本発明の一実施形態による研磨用組成物を詳述する。
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂（以下「変性ＰＶＡ」という。）とを含む。
砥粒は、この分野で常用されるものを使用することができ、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナ及びセリア等が挙げられ、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカが特に好ましい。砥粒の粒径は、特に限定されないが、例えば二次平均粒子径で３０～１００ｎｍのものを用いることができる。
砥粒の含有量は、特に限定されないが、例えば研磨用組成物全体の０．１０～２０質量％である。研磨用組成物は、研磨時に１０～４０倍に希釈されて使用される。本実施形態による研磨用組成物は、砥粒の濃度が１００～５０００ｐｐｍ（質量ｐｐｍ。以下同じ。）になるように希釈して用いることが好ましい。砥粒の濃度が高いほど、微小欠陥やヘイズが低減する傾向がある。希釈後の砥粒の濃度の下限は、好ましくは１０００ｐｐｍであり、さらに好ましくは２０００ｐｐｍである。希釈後の砥粒の濃度の上限は、好ましくは４０００ｐｐｍであり、さらに好ましくは３０００ｐｐｍである。
塩基性化合物は、半導体ウェーハの表面をエッチングして化学的に研磨する。塩基性化合物は、例えば、アミン化合物、無機アルカリ化合物等である。
アミン化合物は、例えば、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム及びその水酸化物、複素環式アミン等である。具体的には、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ピペラジン塩酸塩、炭酸グアニジン等が挙げられる。
無機アルカリ化合物は、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の塩、アルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ土類金属の塩等が挙げられる。無機アルカリ化合物は、具体的には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等である。
上述した塩基性化合物は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を混合して使用してもよい。上述した塩基性化合物の中でも、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の塩、アンモニア、アミン、アンモニウム塩、及び第四級アンモニウム水酸化物類が特に好ましい。
塩基性化合物の含有量（二種以上含有する場合は、その総量）は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒：塩基性化合物＝１：０．００１～１：０．１０である。本実施形態による研磨用組成物は、塩基性化合物の濃度が５～２００ｐｐｍになるように希釈して用いることが好ましい
変性ＰＶＡは、下記一般式（１）で表される１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂である。
但し、Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Ｘは単結合又は結合鎖を示し、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。
「ビニルアルコール系樹脂」とは、下記式（２）及び（３）で表される構造単位を含む水溶性高分子をいう。
変性ＰＶＡは、式（２）及び（３）で表される構造単位に加えて、式（１）で表される１，２－ジオール構造単位を有する。これによって、ポリビニルアルコールの結晶化が抑制され、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥やヘイズをより低減できる。高分子中の１，２－ジオール構造単位の変性量は、特に限定されないが、例えば１～２０モル％である。
一般式（１）で表される１，２－ジオール構造単位中のＲ１～Ｒ３、及びＲ４～Ｒ６がすべて水素原子であり、Ｘが単結合であるものが最も好ましい。
変性ＰＶＡの平均重合度は、特に限定されないが、例えば２００～３０００である。変性ＰＶＡの平均重合度は、ＪＩＳ Ｋ ６７２６に準拠して測定することができる。
変性ＰＶＡの含有量（二種以上含有する場合は、その総量）は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒：変性ＰＶＡ＝１：０．００１～１：０．４０である。砥粒に対する変性ＰＶＡの質量比の下限は、好ましくは０．００５０であり、さらに好ましくは０．００７０である。
本実施形態による研磨用組成物は、変性ＰＶＡの濃度が１０～２００ｐｐｍになるように希釈して用いることが好ましい。希釈後の変性ＰＶＡの濃度が高いほど、微小欠陥やヘイズが低減する傾向がある。希釈後の変性ＰＶＡの濃度の下限は、好ましくは２０ｐｐｍであり、さらに好ましくは５０ｐｐｍである。
変性ＰＶＡは例えば、ビニルエステル系モノマーと下記一般式（４）で示される化合物との共重合体をけん化することで製造される。
本実施形態による研磨用組成物では、変性ＰＶＡは、下記一般式（２）で表される構造単位のモル濃度が、全構成単位中２モル％以上である。
変性ＰＶＡ中における式（２）で表される構造単位のモル濃度が高いほど、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥やヘイズをより低減することができる。変性ＰＶＡ中における式（２）で表される構造単位のモル濃度の下限は、好ましくは５モル％であり、さらに好ましくは１０モル％である。一方、変性ＰＶＡ中における式（２）で表される構造単位のモル濃度が高いほど、半導体ウェーハを親水化する力が弱くなる。変性ＰＶＡ中における式（２）で表される構造単位のモル濃度の上限は、好ましくは３０モル％であり、さらに好ましくは２０モル％である。
変性ＰＶＡ中における式（２）で表される構造単位のモル濃度（モル％）は、１００モル％から変性ＰＶＡのけん化度（モル％）を差し引いた値と等しいとみなしてよい。なお、変性ＰＶＡのけん化度は、ＰＶＡと同様にＪＩＳ Ｋ ６７２６に準じて測定するものとする。
本実施形態による研磨用組成物は、非イオン性界面活性剤をさらに含んでいてもよい。非イオン性界面活性剤を含むことで、微小欠陥やヘイズをさらに低減することができる。
本実施形態による研磨用組成物に好適な非イオン性界面活性剤は例えば、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン（ポロキサミン）、ポロキサマー、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンメチルグルコシド等である。
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルとしては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等が挙げられる。ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルとしては、例えば、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオキシエチレンモノステアレート等が挙げられる。ポリオキシアルキレンアルキルアミンとしては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン等が挙げられる。ポリオキシアルキレンメチルグルコシドとしては、例えば、ポリオキシエチレンメチルグルコシド、ポリオキシプロピレンメチルグルコシド等が挙げられる。
非イオン性界面活性剤の含有量（二種以上含有する場合は、その総量）は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒：非イオン性界面活性剤＝１：０．０００１～１：０．０１５である。本実施形態による研磨用組成物は、非イオン性界面活性剤の濃度が０．５～３０ｐｐｍになるように希釈して用いることが好ましい。
本実施形態による研磨用組成物は、ｐＨ調整剤をさらに含んでいてもよい。本実施形態による研磨用組成物のｐＨは、好ましくは８．０～１２．０である。
本実施形態による研磨用組成物は、上記の他、研磨用組成物の分野で一般に知られた配合剤を任意に配合することができる。
本実施形態による研磨用組成物は、砥粒、塩基性化合物、変性ＰＶＡその他の配合材料を適宜混合して水を加えることによって作製される。本実施形態による研磨用組成物は、あるいは、砥粒、塩基性化合物、変性ＰＶＡその他の配合材料を、順次、水に混合することによって作製される。これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。
以上で説明した研磨用組成物は、適当な濃度となるように水で希釈した後、半導体ウェーハの研磨に用いられる。
本実施形態による研磨用組成物は、シリコンウェーハの仕上げ研磨に特に好適に用いることができる。
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されない。
［研磨例１］
表１に示す実施例１～１０、及び比較例１～４の研磨用組成物を作製した。
表１に示す実施例１～１０、及び比較例１～４の研磨用組成物を作製した。
表１の含有量は、すべて希釈後の含有量である。砥粒は、コロイダルシリカを使用した。表１の「粒径」は、砥粒の平均二次粒子径を表す。「ＮＨ４ＯＨ」はアンモニア水溶液を表す。変性ＰＶＡ Ａ～Ｄは、それぞれ重合度及びけん化度の異なるブテンジオールビニルアルコールポリマーを表す。ＰＶＡ Ａ及びＢは、けん化度の異なるポリビニルアルコールを表す。
これら実施例及び比較例の研磨用組成物を使用して、１２インチのシリコンウェーハの研磨を行った。シリコンウェーハの導電型はＰ型で、抵抗率が０．１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ未満のものを使用した。研磨面は＜１００＞面とした。研磨装置は、株式会社岡本工作機械製作所製のＳＰＰ８００Ｓ片面研磨装置を使用した。研磨パッドは、スエードパッドを使用した。研磨用組成物を３１倍に希釈して、１Ｌ／分の供給速度で供給した。定盤の回転速度は４０ｒｐｍ、キャリアの回転速度は３９ｒｐｍ、研磨荷重は１００ｇｆ／ｃｍ２として、２分間の研磨を行った。なお、実施例及び比較例の研磨用組成物で研磨する前に、研磨スラリーＮＰ７０５０Ｓ（ニッタハース株式会社製）を用いて３分間の予備研磨を実施した。
研磨後のシリコンウェーハの微少欠陥及びヘイズを測定した。微少欠陥は、ウェーハ表面検査装置ＭＡＧＩＣＳ Ｍ５６４０（Ｌａｓｅｒｔｅｃ社製）を用いて測定した。ヘイズは、ウェーハ表面検査装置ＬＳ６６００（日立エンジニアリング株式会社製）を用いて測定した。結果を前掲の表１の「Ｄｅｆｅｃｔ」、「Ｈａｚｅ」の欄に示す。
実施例１と比較例１との比較、実施例３と比較例２との比較から、他の条件が一定であれば、式（２）で表される構造単位のモル濃度が高い程、微小欠陥及びヘイズが低減する傾向があることが分かる。
実施例２と実施例４との比較、実施例７、９及び１０の比較から、他の条件が一定であれば、変性ＰＶＡの濃度が高いほど、微小欠陥が低減する傾向があることが分かる。
実施例２と実施例３との比較、実施例７と実施例８との比較から、他の条件が一定であれば、砥粒の濃度が高くなる程、微小欠陥が低減する傾向があることが分かる。
実施例４～６の比較から、他の条件が一定であれば、塩基性化合物の濃度が低くなるほど、微小欠陥及びヘイズが低減する傾向があることが分かる。
比較例３と比較例４との比較から、通常のＰＶＡでは、変性ＰＶＡの場合と異なり、式（２）で表される構造単位のモル濃度が高くなることで微小欠陥及びヘイズが増加することが分かる。
［研磨例２］
表２及び表３に示す実施例１１～２６、及び比較例５～８の研磨用組成物を作製した。
表２及び表３に示す実施例１１～２６、及び比較例５～８の研磨用組成物を作製した。
表２及び表３の含有量は、すべて希釈後の含有量である。「ポロキサミン」は重量平均分子量７２４０のエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン、「多価アルコールＡ」は重量平均分子量７７５のポリオキシプロピレンメチルグルコシド、「多価アルコールＢ」は重量平均分子量１０７５のポリオキシエチレンメチルグルコシドを表す。他は表１と同様である。
実施例１１～２６、及び比較例５～８の研磨用組成物を用いて、研磨例１と同様にシリコンウェーハの研磨を行い、微小欠陥及びヘイズを測定した。
実施例１１、実施例１２及び比較例５の比較の比較から、他の条件が一定であれば、式（２）で表される構造単位のモル濃度が高い程、微小欠陥及びヘイズが低減する傾向があることが分かる。
実施例１～１０と実施例１１～２６との比較から、非イオン性界面活性剤を含有することで、微小欠陥及びヘイズを顕著に低減できることが分かる。
以上、本発明の実施の形態を説明した。上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
Claims (3)
- 砥粒と、
塩基性化合物と、
下記一般式（１）で表される１，２－ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含み、
前記ビニルアルコール系樹脂は、下記一般式（２）で表される構造単位のモル濃度が、全構成単位中２モル％以上である、研磨用組成物。
- 請求項１に記載の研磨用組成物であって、
非イオン性界面活性剤をさらに含む、研磨用組成物。 - 請求項１又は２に記載の研磨用組成物であって、
前記塩基性化合物は、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属塩、アンモニア、アミン、アンモニウム塩、及び第四級アンモニウム水酸化物類からなる群から選択される１種以上である、研磨用組成物。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021162978A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| WO2021162980A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A, Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| CN114846109A (zh) * | 2019-12-24 | 2022-08-02 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物 |
| CN114846110A (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-02 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物及硅晶片的研磨方法 |
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Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012216723A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物 |
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| WO2017069253A1 (ja) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN103563130B (zh) * | 2011-06-02 | 2017-03-15 | 日本合成化学工业株式会社 | 电池电极或隔板用涂布剂组合物 |
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-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012216723A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物 |
| WO2014084091A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨組成物 |
| JP2016124943A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| WO2017069253A1 (ja) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114846109A (zh) * | 2019-12-24 | 2022-08-02 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物 |
| EP4083152A4 (en) * | 2019-12-24 | 2023-04-05 | NITTA DuPont Incorporated | POLISHING COMPOSITION |
| CN114846109B (zh) * | 2019-12-24 | 2024-06-07 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物 |
| CN114846110A (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-02 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物及硅晶片的研磨方法 |
| EP4083153A4 (en) * | 2019-12-27 | 2023-04-19 | NITTA DuPont Incorporated | POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SILICON WAFER |
| CN114846110B (zh) * | 2019-12-27 | 2024-05-28 | 霓达杜邦股份有限公司 | 研磨用组合物及硅晶片的研磨方法 |
| WO2021162978A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| WO2021162980A1 (en) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A, Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| US11414568B2 (en) | 2020-02-13 | 2022-08-16 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
| CN114945648A (zh) * | 2020-02-13 | 2022-08-26 | 富士胶片电子材料美国有限公司 | 抛光组合物及其使用方法 |
| US11851585B2 (en) | 2020-02-13 | 2023-12-26 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polishing compositions and methods of use thereof |
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