CN110035598A - 无线通信模块、印刷基板以及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种无线通信模块、印刷基板以及制造方法。本发明的一个实施方式提供使受到天线影响的区域变小的无线通信模块。本发明的一个方式的无线通信模块具备基板、至少发送或接收高频信号的半导体芯片、绝缘体、导电膜、供电线、第一至第三导体图案及第一和第二通孔。半导体芯片、供电线、第一和第二导体图案设置于基板的第一布线层。第三导体图案为接地电位,设置于基板的第二布线层。绝缘体包覆半导体芯片。导电膜覆盖绝缘体的侧面的至少一部分。供电线将半导体芯片与导电膜电连接。第一和第二导体图案与导电膜接触。第一通孔将第一导体图案与第三导体图案连接。第二通孔将第二导体图案与第三导体图案电连接。
Description
本申请以日本专利申请2018-002148(申请日:2018年1月10日)为基础,享有该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种无线通信模块、印刷基板以及制造方法。
背景技术
在安装有无线通信模块的印刷基板上,为了提高天线的辐射效率,而设定不能设置电子部件和布线的布线禁止区域。由于该布线禁止区域,无线通信模块的设计的自由度变低。例如,即使为了产品的小型化而想要在与搭载有无线通信模块的面相反的一侧设置电子部件,也需要考虑该布线禁止区域。
发明内容
本发明的一个方式的无线通信模块具备基板、至少发送或接收高频信号的无线通信芯片、绝缘体、导电膜、供电线、第一至第三导体图案以及第一和第二通孔。无线通信芯片、供电线、第一和第二导体图案设置于基板的第一布线层。第三导体图案为接地电位,设置于基板的第二布线层。绝缘体包覆无线通信芯片。导电膜覆盖绝缘体的侧面的至少一部分。供电线将无线通信芯片与导电膜进行电连接。第一和第二导体图案与导电膜接触。第一通孔将第一导体图案与第三导体图案进行连接。第二通孔将第二导体图案与第三导体图案进行电连接。
根据上述结构的无线通信模块,能够使受到天线影响的区域变小。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的无线通信模块的立体图。
图2是表示第一实施方式的无线通信模块中的布线图案的图。
图3是对在第一实施方式中形成的缝隙天线(slot antenna)进行说明的图。
图4是对布线禁止区域进行说明的俯视图。
图5是表示安装有第一实施方式的无线通信模块的印刷基板的一例的垂直截面图。
图6是对第一实施方式中的无线通信模块的制造工序进行说明的图。
图7是对第二实施方式的无线通信模块中的布线图案进行说明的图。
图8是表示在第二实施方式中形成的缝隙天线的立体图。
图9是表示在第三实施方式中形成的开口部的立体图。
(符号说明)
1:无线通信模块;11:内插(interposer)基板;12:半导体芯片;13:绝缘体;14:导电膜;15:供电线;16A、16B:第一层导体图案;17A、17B:通孔;18:第二层导体图案;19:其它电子部件;21:缝隙天线区域;22:电场;23:开口部;3:印刷基板;31:印刷布线板;32:布线禁止区域;33:电池;34:传感器;4:标准的无线通信模块;41:标准的无线通信模块的天线部;51:片状的印刷布线板;52:槽(切口);6:安装标准的无线通信模块的印刷基板;61:安装标准的无线通信模块的印刷布线板;62:安装标准的无线通信模块的印刷布线板的布线禁止区域。
具体实施方式
以下,参照附图,说明本发明的实施方式。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式所涉及的无线通信模块的立体图。图2是表示第一实施方式所涉及的无线通信模块中的布线图案的图。图2的(A)是通过第一布线层的与xy平面平行的截面图。图2的(B)是通过第二布线层的与xy平面平行的截面图。第一实施方式所涉及的无线通信模块1具备内插基板11、半导体芯片12、绝缘体13以及导电膜14。另外,作为内插基板11的布线图案的一部分,具备供电线15、第一层导体图案16、通孔17以及第二层导体图案18。
此外,符号所附带的字母是为了区分相同符号的各个体而附加的。如图2的(A)所示,无线通信模块1具备第一层导体图案16A(第一导体图案)和第一层导体图案16B(第二导体图案)这样的至少两个第一层导体图案16。另外,无线通信模块1具备通孔17A和通孔17B这样的至少两个通孔17。
此外,在本说明中,将从内插基板11观察半导体芯片12时的方向定义为“上”,将相反方向定义为“下”。也就是说,图1和图2所示的正交坐标系的z轴的正方向是上。另外,将正交坐标系的x轴的正方向设为“前”,将负方向设为“后”。另外,将正交坐标系的y轴的正方向设为“右”,将负方向设为“左”。
内插基板11至少具有设置布线图案的第一布线层和第二布线层。也就是说,内插基板11可以是双层基板(双面基板),也可以是多层基板。在内插基板11为双层基板的情况下,第一布线层为绝缘体13侧的表层,内插基板11的电极侧的面为第二布线层。另一方面,在内插基板11为多层基板的情况下,不需要将第一布线层和第二布线层配置于内插基板的表层。
此外,内插基板11使用一般被用作印刷基板的基板即可。例如,内插基板11的基材包括FR-4(Flame Retardant Type-4:玻璃布基材环氧树脂)、陶瓷等绝缘体。另外,设想内插基板11具有多个布线层、阻焊层等。此外,根据实际的使用,在本说明中设想使用内插基板,但是使用内插基板以外的基板也能够获得与无线通信模块1同样的效果。因此,也可以使用内插基板以外的基板。
半导体芯片12是具有用于无线通信的高频电路、模拟·数字变换器等的功能的芯片,至少发送或接收高频信号。另外,半导体芯片有时根据需要而包括CPU等处理器以及随机存取存储器、闪存等。半导体芯片12被安装到内插基板11上。
半导体芯片12例如也可以通过焊球等而被倒装接合到内插基板11上。另外,也可以利用芯片接合(die mount)材料,以面朝上(face up)的方式接合到内插基板11上。此外,在半导体芯片12以面朝上的方式搭载于内插基板11的情况下,通过引线接合将针对半导体芯片12的布线与内插基板11的规定的布线进行电连接。
此外,也可以将半导体芯片12以外的其它电子部件搭载于内插基板11。例如,也可以搭载电容器、电感器、电阻等无源部件、晶体振子。半导体芯片12以外的电子部件也可以通过表面安装而与内插基板11接合。
绝缘体13为了将设置于第一布线层的半导体芯片12等进行密封,而将半导体芯片12等与第一布线层一起包覆起来。例如,可以使用环氧树脂等一般被用作密封树脂的绝缘体来作为绝缘体13。
导电膜14用于防止从半导体芯片12、内插基板11的布线图案等辐射的无用电磁波泄漏到无线通信模块1的外侧。也就是说,导电膜14也可以称为覆盖绝缘体13的屏蔽层。此外,在图1中,导电膜14覆盖绝缘体13的上表面及四个侧面。在这样的情况下,通过使导电膜14在内插基板11的侧面处与接地布线(GND布线)连接,能够进一步提高屏蔽的效果。
此外,不同于图1,导电膜14也可以仅覆盖绝缘体13的面的一部分。也就是说,根据无线通信模块1的规格等,也可以在绝缘体13的外表面存在未被导电膜14覆盖的非覆膜部。
导电膜14由导电率高于规定值的导电体形成。例如,也可以由作为导电率高于1.0×106[S/m]的导电体的金、银或铜形成。另外,也可以由导电率高的合金或导电性膏形成。
另外,为了达到提高绝缘体13与导电膜14的紧贴性或者防止氧化这样的目的,也可以新包覆与导电膜14不同的导电膜。例如,也可以在绝缘体13与导电膜14的界面或在导电膜14上形成由不锈钢(SUS)、钛等形成的膜。
接着,对内插基板11的布线图案进行说明。
如图2的(A)所示,在第一布线层设置有半导体芯片12、供电线15以及第一层导体图案16。另外,在图2的(A)中示出了第一布线层中的通孔17的截面。如图2的(B)所示,在第二布线层设置有第二层导体图案18(第三导体图案)。另外,在图2的(B)中示出了第二布线层中的通孔17的截面。此外,第一布线层在内插基板11的侧面与导电膜14接触。另一方面,第二布线层不与导电膜14接触。
供电线15是第一布线层的布线图案的一部分。供电线15的一端与半导体芯片12的电极连接,另一端与导电膜14连接。这样,供电线15将半导体芯片12与导电膜14进行电连接,将来自半导体芯片12的高频信号传送到导电膜14。
第一层导体图案16是第一布线层的布线图案的一部分。第一层导体图案16的一端与导电膜14连接。另外,各个第一层导体图案16经由对应的通孔17而与第二层导体图案18电连接。在图2的(A)中,第一层导体图案16A经由通孔17A而与第二层导体图案18电连接。第一层导体图案16B经由通孔17B而与第二层导体图案18电连接。
通孔17至少贯通第一布线层与第二布线层之间,将第一层导体图案16与第二层导体图案18电连接。
第二层导体图案18是第二布线层的布线图案的一部分。第二层导体图案18包括通孔17A在第二布线层处的区域和通孔17B在第二布线层处的区域。第二层导体图案18具有沿着内插基板11的至少一个侧面的一部分的端部。在图2的(B)中,第二层导体图案18具有沿着内插基板11的左侧面的端部。内插基板11的端部与第二层导体图案18的端部之间的间隙的长度只要根据半导体芯片12产生的高频信号来进行调整即可。可以任意地决定该端部以外的部分的第二层导体图案18的形状。
设第二层导体图案18为GND布线。也就是说,将第二层导体图案18的电位设为GND电位。由此,导电膜14与第一层导体图案16的连接点也经由第一层导体图案16和通孔17而成为GND电位。
在这样的结构中,当将高频信号经由供电线15从半导体芯片12供给到导电膜14时,在导电膜14内产生电位差。由此,形成由导电膜14、通孔17A、通孔17B以及第二层导体图案18构成的缝隙天线。
图3是对在第一实施方式中形成的缝隙天线进行说明的图。图3的(A)是无线通信模块1的左侧视图。图3的(B)是无线通信模块1的垂直截面图。图3的(B)的截面图中的切割位置由图2的(A)的III-III’线示出。此外,在图3的(A)中,虽然实际上从外部无法看到,但是为了便于说明而用虚线示出了第一层导体图案16、通孔17以及第二层导体图案18。
在图3的(A)中,用粗的虚线示出的区域表示缝隙天线区域21。该区域由导电膜14的端部、通孔17A、第二层导体图案18的端部以及通孔17B构成。在图3的例子中,供电线15与导电膜14在内插基板11的左侧面处被连接,因此在该左侧面侧存在缝隙天线区域21。通过这些构成要素,根据来自供电线15的高频信号而感应缝隙天线区域21中所产生的电场,辐射电磁波。
图3的(A)和(B)所示的箭头表示缝隙天线的电场22的朝向。这样,以与内插基板11的布线层垂直的方向为主要的分量来激励电场22。
此外,缝隙天线的谐振频率主要被缝隙天线的长边方向的长度所影响。因此,通过调整通孔17A与通孔17B的位置,能够调整缝隙天线的谐振频率。例如,在内插基板11的基材的相对介电常数为4.7的情况下,当通孔17A与通孔17B的距离为9.0mm时,缝隙天线以约7.7GHz进行谐振。如果缝隙天线的谐振频率是以高频带为目标的用途,则能够使用由导电膜14覆盖绝缘体13的整个侧面的结构,来配置缝隙天线。
如图3所示,在本实施方式中,在无线通信模块1的侧面产生的与内插基板11的布线层垂直的电场是主要的分量。与布线层水平的电场微弱,从模块向下方辐射的电磁波也微小。由此,在安装有本实施方式的无线通信模块1的印刷基板中设置的布线禁止区域与一般的无线通信模块相比能够形成得较小。
在安装有无线通信模块的印刷基板中,设定用于使天线与印刷基板的导体图案的结合降低并良好地保持天线的辐射特性的、禁止设置电子部件以及布线的布线禁止区域。如果该布线禁止区域变大,则妨碍产品的小型化等。例如,如果与内插基板11或布线层水平的电场强,则从模块向下方辐射的电磁场变强,因此布线禁止区域变宽。但是,如果是本实施方式的无线通信模块1,则由于从模块向下方辐射的电磁波微小,向与无线通信模块1的侧面垂直的方向辐射的电磁场强,因此布线禁止区域能够形成得窄。
图4是对布线禁止区域进行说明的俯视图。安装于图4的(A)的印刷基板6的无线通信模块是标准的无线通信模块4。安装于图4的(B)的印刷基板3的无线通信模块是本实施方式的无线通信模块1。
如图4的(A)所示,在标准的无线通信模块4中,使用曲折天线(meander antenna)等线状天线作为天线部41。天线部41占据布线层的一定区域。布线层中的天线部41的占有面积往往为大致30至50%左右。
标准的无线通信模块4所内置的天线部41具有在周围配置导体时辐射效率降低的性质。因而,如图4的(A)所示,需要设置包括印刷布线板61的在天线部41的正下方的部分的、宽面积的布线禁止区域62。另一方面,如图4的(B)所示,在本实施方式的无线通信模块1中,由于缝隙天线不向印刷布线板31侧较强地辐射,因此不需要在印刷布线板31的无线通信模块1的正下方设置布线禁止区域。因而,能够如布线禁止区域32那样进行配置,本实施方式的无线通信模块1使布线禁止区域更小。另外,在不设为图4那样的配置而是配置成使形成缝隙天线的侧面相距印刷布线板31的外周为1mm以下的距离时,能够使布线禁止区域进一步减小。
图5是表示安装有第一实施方式的无线通信模块的印刷基板的一例的垂直截面图。在印刷布线板31的上表面(第一面)设置有无线通信模块1。另外,作为无线通信模块1以外的电子部件,将电池33和传感器34安装于印刷基板3。电池33被安装于印刷布线板31的底面(第二面)中的无线通信模块1的正下方。
如上所述,无线通信模块1的正下方不同于标准的无线通信模块4,可以不设为布线禁止区域。因此,如图5所示,能够设置成使电子部件位于无线通信模块1的正下方。换言之,关于电子部件,在印刷布线板31的与模块搭载面相反的一侧,能够在无线通信模块1的正下方的位置自由地配置电子部件。因而,在使用无线通信模块1时,与使用标准的无线通信模块4的情况相比,能够提高印刷布线板的布线设计、部件配置的设计自由度。
此外,本实施方式的无线通信模块1的布线图案从内插基板11的小面积化的观点出发也是优良的。从供电效率的观点出发,一般的供电线优选为在缝隙天线的附近与GND电位的布线短路、或者使布线从缝隙天线的附近延伸至约二分之一波长的距离并开路。但是,例如在将供电线经由通孔等而与其它布线层的GND电位进行短路的方法中,通孔周边的焊盘的面积是必须的。另外,在使供电线15延伸并开路的方法中,用于配置供电线15的面积是必须的。因此,在这些方法中,内插基板11的面积增加。
另一方面,本实施方式的供电线15仅以与形成缝隙天线的GND电位的导电膜14短路、即只是与屏蔽件相接的方式配置布线,因此能够缩小供电线15的配置面积。因此,还能够使无线通信模块1自身小型化。
另外,本实施方式中的无线通信模块1的绝缘体13也可以被导电膜14覆盖全部,因此能够使制造工序简单化。图6是对第一实施方式中的无线通信模块的制造工序进行说明的图。按照图6的(A)至(E)的顺序进行处理,来制造无线通信模块1。此外,制造方法使用如下多面提取的方法:针对一片较大的片状的印刷布线板,在并排地装配多个无线通信模块1的构成要素的集合之后,最后进行分割。
首先,针对片状的印刷布线板51进行布线图案以及电子部件的表面安装。图6的(A)表示进行了表面安装的状态。按照焊料的丝网印刷、部件的安装、利用回流方式的焊接(以下简记为回流)的顺序进行表面安装。此外,在半导体芯片12内置芯片尺寸封装的情况下,也可以在回流的工序中将半导体芯片12与印刷布线板51接合。在利用芯片接合材料将半导体芯片12粘接到印刷布线板51并通过引线接合来确保电连接的情况下,在进行表面安装之后,进行芯片接合以及引线接合的工序。这样,如由图6的(A)的虚线的框所示,在一个片状的印刷布线板51上每隔固定的间隔设置无线通信模块1的构成要素的集合。此外,在图6的例子的构成要素的集合中包括半导体芯片12、供电线15、第一层导体图案16A和16B、通孔17A和17B、第二层导体图案18以及其它电子部件19。
接着,通过传递模(transfer mold)或压缩模(compression mold)等的方法使绝缘体13成型,利用绝缘体13密封半导体芯片12等。图6的(B)表示进行了密封的状态。
接着,使用切割机等进行半切(half cut)。半切是指,以片状的印刷布线板51不会被切断的程度设置槽(切口)52。在此,通过半切,对于针对每个构成要素集合设置的区域的每个分界线,形成比片状的印刷布线板51的上表面深的槽52。图6的(C)表示进行了半切的状态。
接着,将导电膜14形成于绝缘体13的上表面和侧面、以及内插基板的侧面的一部分。由此,屏蔽层被成膜。屏蔽层的成膜方法并未特别地限定。例如,考虑使用溅射法、蒸镀、静电喷雾、喷镀、丝网印刷等。例如,在溅射法中,通过等离子体的环绕,在绝缘体13的侧面、内插基板的侧面的一部分也形成屏蔽层。图6的(D)表示屏蔽层被成膜后的状态。
最后,使用切割机等进行全切。在全切中,对准通过半切而形成的槽52,将片状的印刷布线板51切断。由此,切断得到的各个体成为无线通信模块1。
上述的制造方法不包括用于形成缝隙天线的专用的工序、例如用于向导电膜14设置开口部的切削的工序。因此,通过使用本制造方法,能够高效地制造本实施方式的无线通信模块1。
如以上那样,根据本实施方式,即使在屏蔽层将绝缘体的一个侧面全部覆盖的情况下,也能够在该侧面形成缝隙天线。由此,能够缩小印刷基板的布线禁止区域,提高布线的配置自由度。另外,在制造时不存在用于设置开口部的专用的工序,能够高效地制造本实施方式的无线通信模块。
(第二实施方式)
在第一实施方式中,在无线通信模块1的一个侧面形成了缝隙天线。但是,在无线通信模块1的长边方向的长度小于所辐射的电磁波的波长的二分之一的情况下,辐射效率有可能降低。例如,在即使调整通孔17的位置,所形成的缝隙天线的外周的长度也比所辐射的电磁波的波长的二分之一短的情况下,辐射效率降低。因此,在第二实施方式中,为了确保缝隙天线的外周的长度,使缝隙天线横跨多个侧面。
图7是对第二实施方式的无线通信模块中的布线图案进行说明的图。在图7的例子中,形成横跨无线通信模块1的左侧面以及前侧面这两个侧面的缝隙天线。图7的(A)是第一布线层中的与xy平面平行的截面的截面图。与图2同样地,在图7中省略了绝缘体13。图7的(B)是第二布线层中的与xy平面平行的截面的截面图。
在第一实施方式中,第一层导体图案16A以及第一层导体图案16B在同一侧面与导电膜14接触。在第二实施方式中,第一层导体图案16A的位置是相同的,但另一方面,第一层导体图案16B的位置与其它侧面(在图7中为前侧面)接触。通孔17B的位置也与第一层导体图案16B的位置相匹配地被变更。
第二实施方式的第二层导体图案18具有沿着内插基板11的左侧面以及前侧面的端部。这样,第二层导体图案18的端部沿着两个以上的侧面。可以任意地决定该端部以外的部分的形状。如图7的例子那样,第二层导体图案18既可以是L字型,也可以是简单的矩形。该端部以外的部分也可以是复杂的形状。
图8是表示在第二实施方式中形成的缝隙天线的立体图。L字型的缝隙天线横跨无线通信模块1的左侧面以及前侧面而形成。在图8的例子中,与第一实施方式同样地,供电线15在无线通信模块1(绝缘体13)的左侧面与导电膜14连接,但是通孔17B在前侧面与导电膜14连接,因此缝隙天线区域21以横跨左侧面和前侧面的方式存在。
这样,本实施方式中的形成缝隙天线的导电膜14横跨两个侧面而覆盖绝缘体13,第一层导体图案16A以及第一层导体图案16B在该两个侧面的不同的面与导电膜14相接。由此,缝隙天线横跨该两个侧面而形成。因此,即使在一个侧面中缝隙天线的长度不够的情况下,也能够确保足够的缝隙天线的长度,能够调整缝隙天线的可使用的频带。
此外,在上述的例子中,示出了横跨两个侧面的例子,但是调整第一层导体图案16的位置、第二层导体图案18的形状,也能够形成横跨三个以及四个侧面的缝隙天线。
如以上那样,在第二实施方式中,通过形成横跨多个侧面的缝隙天线,能够确保缝隙天线的外周的长度,使可使用的频带变宽。
(第三实施方式)
在第三实施方式中,在缝隙天线的外周的长度较短的情况下,布线图案相对于第一实施方式不变,而对导电膜14设置开口部(非覆膜部)并与内插基板11的侧面的缝隙天线区域21连接,作为一个缝隙天线进行动作。由此,使缝隙天线的长度变长,以比第一实施方式更低的频率来实现辐射效率高的缝隙天线。
图9是表示在第三实施方式中形成的开口部的图。横跨无线通信模块1的左侧面以及上表面而对导电膜14形成有开口部23。并且,将开口部23与内插基板11的侧面的缝隙天线区域21连接。由此,在第三实施方式中形成的缝隙天线是将在没有开口部的情况下形成的缝隙天线与开口部组合而成的。由此,能够使在第三实施方式中形成的缝隙天线的外周变长。
此外,在第三实施方式中,无用电磁波有可能在特定的频带下从开口部漏出。因此,需要考虑从封装内部辐射的噪声的频率、开口部的位置。例如,无用电磁波从开口部的泄漏易于在比缝隙天线的谐振频率更高的频带下发生,但是如果将封装内部的时钟的频率设为比缝隙天线的谐振频率充分低的频率,则时钟的高次谐波的强度也在易于发生无用电磁波的泄漏的频率下充分地降低,无用电磁波的泄漏不会成为问题。另外,只要不在开口部23的正下方配置成为辐射源的半导体芯片12,无用电磁波的泄漏就不会成为问题。
另外,开口部23被设置于无线通信模块1的上部,因此不会与模块下部的印刷基板的布线图案发生干扰。因而,与第一实施方式同样地,在印刷基板上,能够减小布线禁止区域,并且在无线通信模块1的正下方配置电子部件。
如以上那样,在第三实施方式中,设置于无线通信模块的侧面以及上表面中的至少任一面的导电膜14的开口部23与内插基板侧面的缝隙天线区域21连接。由此,能够确保缝隙天线的长度,并使可使用的频带变宽。
以上说明了本发明的一个实施方式,但是这些实施方式是作为例子来呈现的,并非意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种方式实施,在不脱离发明的要旨的范围中能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、要旨,并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。
此外,能够将上述实施方式汇总为以下的技术方案。
【技术方案1】
一种无线通信模块,具备:
基板,至少具有第一布线层和第二布线层;
半导体芯片,设置于所述第一布线层上,至少发送或接收高频信号;
绝缘体,具有与所述第一布线层正交的第一侧面,包覆所述半导体芯片;
导电膜,覆盖所述绝缘体的所述第一侧面的至少一部分;
供电线,设置于所述第一布线层,与所述半导体芯片以及所述导电膜电连接;
第一导体图案以及第二导体图案,设置于所述第一布线层,与所述导电膜接触;
接地电位的第三导体图案,设置于所述第二布线层;
第一通孔,将所述第一导体图案与所述第三导体图案进行电连接;以及
第二通孔,将所述第二导体图案与所述第三导体图案进行电连接。
【技术方案2】
根据上述技术方案1,还具备以下特征:
通过从所述半导体芯片经由所述供电线向所述导电膜传送所述高频信号,从而由所述导电膜的端部、所述第三导体图案的端部、所述第一通孔以及所述第二通孔形成缝隙天线。
【技术方案3】
根据上述技术方案2,还具备以下特征:
以与所述第一布线层的厚度方向平行的方向为主要的分量来激励所述缝隙天线的电场。
【技术方案4】
根据上述技术方案2或3,还具备以下特征:
所述缝隙天线的谐振频率根据所述第一通孔以及所述第二通孔的位置而被调整。
【技术方案5】
根据上述技术方案2至4中的任一项,还具备以下特征:
所述绝缘体具有与所述第一布线层以及所述第一侧面这两方正交的第二侧面,
所述导电膜横跨所述第一侧面以及所述第二侧面而覆盖所述绝缘体的至少一部分,
所述第一导体图案在所述第一侧面与所述导电膜接触,
所述第二导体图案在所述第二侧面与所述导电膜接触,
横跨所述第一侧面以及所述第二侧面地形成所述缝隙天线。
【技术方案6】
根据上述技术方案2至5中的任一项,还具备以下特征:
所述绝缘体具有未被所述导电膜覆盖的非覆膜部,
形成所述缝隙天线的所述导电膜的端部的一部分与所述非覆膜部连接。
【技术方案7】
根据上述技术方案6,还具备以下特征:
在所述绝缘体的所述第一侧面以外的侧面也存在所述非覆膜部。
【技术方案8】
根据技术方案6或7,还具备以下特征:
在所述绝缘体的上表面也存在所述非覆膜部。
【技术方案9】
根据上述技术方案8,还具备以下特征:
在所述绝缘体的所述上表面处存在的所述非覆膜部的正下方,未配置所述半导体芯片。
【技术方案10】
根据上述技术方案6至9中的任一项,还具备以下特征:
所述半导体芯片的时钟的频率低于所述缝隙天线的谐振频率。
【技术方案11】
根据上述技术方案1至10中的任一项,还具备以下特征:
所述导电膜覆盖所述绝缘体的所述第一侧面的全部。
【技术方案12】
一种印刷基板,具备:
印刷布线板,具有第一面以及所述第一面的背面侧的第二面;
技术方案1至11中的任一项所述的无线通信模块,设置于所述第一面;以及
电子部件,设置于所述第二面。
【技术方案13】
根据上述技术方案12,还具备以下特征:
所述电子部件设置于所述无线通信模块的正下方。
【技术方案14】
根据上述技术方案12或13,还具备以下特征:
在所述无线通信模块的正下方,未设置布线禁止区域。
【技术方案15】
根据上述技术方案12至14中的任一项,还具备以下特征:
存在所述第一侧面的所述无线通信模块的侧面被配置成与所述印刷布线板的外周相距1mm以下的距离。
【技术方案16】
一种制造方法,是技术方案1至11中的任一项所述的无线通信模块的制造方法,具备:
针对每隔固定的间隔设置包括所述半导体芯片、所述供电线、所述第一导体图案、所述第二导体图案、所述第三导体图案、所述第一通孔以及所述第二通孔的所述无线通信模块的构成要素的集合而成的一个片状的印刷基板的上表面整体,使绝缘体成型的步骤;
对于针对每个构成要素集合设置的区域的每个分界线,形成横跨所述绝缘体和所述片状的印刷基板的一部分的槽的步骤;
以使所述槽也被成膜的方式从所述绝缘体的上方形成导电膜的步骤;以及
对准所述槽来切断所述片状的印刷基板而进行小片化的步骤。
Claims (16)
1.一种无线通信模块,具备:
基板,至少具有第一布线层和第二布线层;
半导体芯片,设置于所述第一布线层上,至少发送或接收高频信号;
绝缘体,具有与所述第一布线层正交的第一侧面,包覆所述半导体芯片;
导电膜,覆盖所述绝缘体的所述第一侧面的至少一部分;
供电线,设置于所述第一布线层,与所述半导体芯片以及所述导电膜电连接;
第一导体图案以及第二导体图案,设置于所述第一布线层,与所述导电膜接触;
接地电位的第三导体图案,设置于所述第二布线层;
第一通孔,将所述第一导体图案与所述第三导体图案进行电连接;以及
第二通孔,将所述第二导体图案与所述第三导体图案进行电连接。
2.根据权利要求1所述的无线通信模块,其中,
通过从所述半导体芯片经由所述供电线向所述导电膜传送所述高频信号,从而由所述导电膜的端部、所述第三导体图案的端部、所述第一通孔以及所述第二通孔形成缝隙天线。
3.根据权利要求2所述的无线通信模块,其中,
以与所述第一布线层的厚度方向平行的方向为主要的分量来激励所述缝隙天线的电场。
4.根据权利要求2或3所述的无线通信模块,其中,
所述缝隙天线的谐振频率根据所述第一通孔以及所述第二通孔的位置而被调整。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的无线通信模块,其中,
所述绝缘体具有与所述第一布线层以及所述第一侧面这两方正交的第二侧面,
所述导电膜横跨所述第一侧面以及所述第二侧面而覆盖所述绝缘体的至少一部分,
所述第一导体图案在所述第一侧面与所述导电膜接触,
所述第二导体图案在所述第二侧面与所述导电膜接触,
横跨所述第一侧面以及所述第二侧面地形成所述缝隙天线。
6.根据权利要求2至5中的任一项所述的无线通信模块,其中,
所述绝缘体具有未被所述导电膜覆盖的非覆膜部,
形成所述缝隙天线的所述导电膜的端部的一部分与所述非覆膜部连接。
7.根据权利要求6所述的无线通信模块,其中,
在所述绝缘体的所述第一侧面以外的侧面也存在所述非覆膜部。
8.根据权利要求6或7所述的无线通信模块,其中,
在所述绝缘体的上表面也存在所述非覆膜部。
9.根据权利要求8所述的无线通信模块,其中,
在所述绝缘体的所述上表面处存在的所述非覆膜部的正下方,未配置所述半导体芯片。
10.根据权利要求6至9中的任一项所述的无线通信模块,其中,
所述半导体芯片的时钟的频率低于所述缝隙天线的谐振频率。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的无线通信模块,其中,
所述导电膜覆盖所述绝缘体的所述第一侧面的全部。
12.一种印刷基板,具备:
印刷布线板,具有第一面以及所述第一面的背面侧的第二面;
权利要求1至11中的任一项所述的无线通信模块,设置于所述第一面;以及
电子部件,设置于所述第二面。
13.根据权利要求12所述的印刷基板,其中,
所述电子部件设置于所述无线通信模块的正下方。
14.根据权利要求12或13所述的印刷基板,其中,
在所述无线通信模块的正下方,未设置布线禁止区域。
15.根据权利要求12至14中的任一项所述的印刷基板,其中,
存在所述第一侧面的所述无线通信模块的侧面被配置成与所述印刷布线板的外周相距1mm以下的距离。
16.一种制造方法,是权利要求1至11中的任一项所述的无线通信模块的制造方法,具备:
针对每隔固定的间隔设置包括所述半导体芯片、所述供电线、所述第一导体图案、所述第二导体图案、所述第三导体图案、所述第一通孔以及所述第二通孔的所述无线通信模块的构成要素的集合而成的一个片状的印刷基板的上表面整体,使绝缘体成型的步骤;
对于针对每个构成要素集合设置的区域的每个分界线,形成横跨所述绝缘体和所述片状的印刷基板的一部分的槽的步骤;
以使所述槽也被成膜的方式从所述绝缘体的上方形成导电膜的步骤;以及
对准所述槽来切断所述片状的印刷基板而进行小片化的步骤。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102074515A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-25 | 索尼公司 | 半导体装置、其制造方法及使用其的无线传输系统 |
US20120299785A1 (en) * | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Peter Bevelacqua | Dynamically adjustable antenna supporting multiple antenna modes |
CN102986308A (zh) * | 2010-12-03 | 2013-03-20 | 株式会社村田制作所 | 高频信号线路 |
CN206364003U (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 苹果公司 | 封装器件、系统级封装器件和电子设备 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6307520B1 (en) * | 2000-07-25 | 2001-10-23 | International Business Machines Corporation | Boxed-in slot antenna with space-saving configuration |
JP2003234615A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-22 | Nec Corp | スロットアンテナ及び無線lanカード |
JP2003258526A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンテナ、アンテナモジュール及び電子機器 |
US7444734B2 (en) * | 2003-12-09 | 2008-11-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and methods for constructing antennas using vias as radiating elements formed in a substrate |
JP4651359B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-03-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2006135773A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Alps Electric Co Ltd | アンテナ装置 |
JP5556072B2 (ja) * | 2009-01-07 | 2014-07-23 | ソニー株式会社 | 半導体装置、その製造方法、ミリ波誘電体内伝送装置 |
US9362196B2 (en) * | 2010-07-15 | 2016-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and mobile device using the same |
JP5172925B2 (ja) | 2010-09-24 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
US9386688B2 (en) * | 2010-11-12 | 2016-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated antenna package |
JP5726787B2 (ja) | 2012-02-28 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 無線装置、それを備えた情報処理装置および記憶装置 |
JP5710558B2 (ja) | 2012-08-24 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 無線装置、それを備えた情報処理装置及び記憶装置 |
JP2014217014A (ja) | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
US9871299B2 (en) * | 2014-12-04 | 2018-01-16 | Qualcomm Incorporated | Cavity backed aperture antenna |
JP6567475B2 (ja) | 2016-08-05 | 2019-08-28 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
JP6668197B2 (ja) | 2016-08-18 | 2020-03-18 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
JP6659519B2 (ja) | 2016-11-02 | 2020-03-04 | 株式会社東芝 | アンテナ装置 |
US9935065B1 (en) * | 2016-12-21 | 2018-04-03 | Infineon Technologies Ag | Radio frequency device packages and methods of formation thereof |
JP6602324B2 (ja) | 2017-01-17 | 2019-11-06 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
JP6602326B2 (ja) | 2017-02-06 | 2019-11-06 | 株式会社東芝 | 無線装置 |
-
2018
- 2018-01-10 JP JP2018002148A patent/JP6776280B2/ja active Active
- 2018-08-22 CN CN201810957167.5A patent/CN110035598A/zh active Pending
- 2018-09-10 US US16/126,189 patent/US10644388B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102074515A (zh) * | 2009-10-22 | 2011-05-25 | 索尼公司 | 半导体装置、其制造方法及使用其的无线传输系统 |
CN102986308A (zh) * | 2010-12-03 | 2013-03-20 | 株式会社村田制作所 | 高频信号线路 |
US20120299785A1 (en) * | 2011-05-27 | 2012-11-29 | Peter Bevelacqua | Dynamically adjustable antenna supporting multiple antenna modes |
CN206364003U (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 苹果公司 | 封装器件、系统级封装器件和电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6776280B2 (ja) | 2020-10-28 |
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