CN110024088B - 活性气体生成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供能够生成优质的活性气体的活性气体生成装置。本发明通过在活性气体生成用电极组(301)的高压侧电极构成部(1A)与接地侧电极构成部(2A)之间形成的放电空间(66)的放电，将供给的原料气体活性化而生成活性气体。罩(31、32)的组合构造具有原料气体供给路径用的原料气体流路(31h、32h)，该原料气体流路(31h、32h)将放电空间(66)与交流电压施加空间(R31)完全分离，且与交流电压施加空间(R31)独立，将从外部供给的原料气体引导至放电空间(66)。形成在金属框体(34)与罩(31、32)及电极构成部设置台(33)之间的框体接触空间(R34)与交流电压施加空间(R31)、放电空间(66)分别完全分离。

Description

活性气体生成装置
技术领域
本发明涉及一种活性气体生成装置，该活性气体生成装置平行地设置有2个电极，利用在两电极间施加高电压而产生放电的能量得到活性气体。
背景技术
就平行地设置2个电极、利用在两电极间施加高电压而在两电极间的放电空间中产生放电现象的能量来获得活性气体的活性气体生成装置而言，通常来讲，一方的电极被施加交流的高电压，另一方的电极被设定为接地电平等基准电压。
这样的活性气体生成装置对成为高电压的供电部的一方的电极施加数kVrms(Root Mean Square)的高电压。另外，在形成于一对电极间的放电空间以外的空间中，为了避免存在于其中的气体发生绝缘破坏而使供电部与接地部(另一方的电极及与其电连接的部件部位)之间的距离充分分离。然而，从微观的视点来看，足以因供电部的金属部件的形状或表面状态引起周边气体层的绝缘破坏的电场强度集中无论如何都无法避免。
而且，在放电空间以外发生了绝缘破坏的情况下，产生导致附近部件的构成元素蒸发的现象，在附近部件为金属制的情况下，上述现象在半导体成膜工序中成为金属污染的主要原因。
作为考虑了这样的金属污染的活性气体生成装置，例如有在专利文献1中公开的等离子体发生装置、专利文献2中公开的等离子体处理装置。
专利文献1所公开的等离子体发生装置是如下的装置：利用设置于对置的高压侧电极构成部与接地侧电极构成部之间的放电部进行电介质阻挡放电，通过使原料气体流过该放电部来生成活性气体。在该装置中，放电部与交流电压施加部不分离，存在于同一空间，原料气体在流过交流电压施加部后被供给至放电空间，最终被供给至处理腔室。
专利文献2所公开的等离子体处理装置采用在对置的电极构成部的外缘部插入绝缘体并将其密闭的构造。通过设为这样的构造，意欲抑制从放电部向设置有电极构成部的框体(包括接地极)的异常放电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5694543号公报
专利文献2：日本专利第5328685号公报(图10)
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1所公开的等离子体发生装置中，由原料气体的绝缘破坏引起的放电未必仅在放电部发生。从宏观的观点来看，设计为通过充分确保绝缘距离来抑制放电部以外的不需要的放电。作为不需要的放电，例如可以想到施加交流电压的高压侧电极构成部的金属电极和收纳电极构成部的金属框体之间的异常放电。
但是，从微观的观点来看，在施加交流电压的电流导入端子、与其连接的金属部件等的表面必然形成有凹凸，在该凸部周边，有的场所会形成强电场区域，其结果是，非常难使发生气体的绝缘破坏即异常放电的可能性为“0”。
因此，专利文献1所公开的等离子体发生装置存在如下问题点：因上述的绝缘破坏而引发设置于附近的部件构成元素的蒸发，蒸发物混入原料气体而被向放电部、处理腔室供给，由此导致半导体的金属污染。
另外，专利文献2所公开的等离子体处理装置中也是，作为发生异常放电时的金属污染混入防止处置是不充分的。这是因为，就放电部和交流电压施加部依然存在于同一空间内、经由交流电压施加部后的原料气体向放电部前进而生成活性气体的构造而言，专利文献2与专利文献1并无相异。即，专利文献2所公开的等离子体处理装置与专利文献1所公开的等离子体发生装置同样，无法避免金属污染的产生，因此存在相应地导致生成的活性气体的品质劣化的问题。
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种能够生成优质的活性气体的活性气体生成装置。
用于解决课题的手段
本发明的活性气体生成装置具备：具备：活性气体生成用电极组(301)，具有第1电极构成部和设置在所述第1电极构成部的下方的第2电极构成部；交流电源部，以使所述第1电极构成部成为高电压的方式对所述第1及第2电极构成部施加交流电压，并且，通过所述交流电源部施加所述交流电压，从而在所述第1及第2电极构成部之间形成放电空间，通过使供给到所述放电空间的原料气体活性化而得到的活性气体被从设置于所述第2电极构成部的气体喷出口喷出；第1辅助部件，设置成在与所述第1电极构成部之间与所述放电空间分离地形成交流电压施加空间；第2辅助部件，由非金属材料构成，从所述第2电极构成部侧支承所述活性气体生成用电极组，并且，所述第1辅助部件具有供从所述气体喷出口喷出的活性气体流过的辅助部件用气体排出口；以及金属制的框体，收容所述活性气体生成用电极组及所述第2辅助部件的全部、以及所述第1辅助部件的至少一部分，并且，具有将流过辅助部件用气体排出口的活性气体向外部排出的框体用气体排出口，在所述框体与所述第1及第2辅助部件之间设置有与所述放电空间分离的框体接触空间；所述第1辅助部件以与所述交流电压施加空间及所述框体接触空间分别独立的方式具有将从外部供给的原料气体引导至所述放电空间的、原料气体供给路径用的原料气体流路，由此，将所述放电空间与所述交流电压施加空间之间的气体的流动分离，而且将所述放电空间与所述框体接触空间之间的气体的流动分离。
发明效果
在技术方案1所述的本申请发明的活性气体生成装置中，交流电压施加空间与放电空间分离地设置，第1辅助部件通过与交流电压施加空间独立地具有将从外部供给的原料气体引导至所述放电空间的原料气体供给路径用的原料气体流路，由此将放电空间与交流电压施加空间之间的气体的流动分离。
因此，能够可靠地避免在交流电压施加空间中发生异常放电时生成的、第1电极构成部的构成材料等的蒸发物质直接或经由原料气体供给路径混入到放电空间中的第1混入现象。
此外，在技术方案1所述的本申请发明中，框体接触空间与放电空间分离地设置，第1辅助部件通过与框体接触空间独立地具有原料气体供给路径用的原料气体流路，由此将放电空间与框体接触空间之间的气体的流动分离。
因此，也能够可靠地避免在框体接触空间生成的蒸发物质混入到放电空间的第2混入现象。
其结果是，技术方案1所述的本申请发明的活性气体生成装置能够可靠地避免上述的第1和第2混入现象，起到能够将优质的活性气体排出到外部的效果。
本发明的目的、特征、方面及优点通过以下的详细说明和附图变得更加明确。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式1的活性气体生成装置的截面构造的说明图。
图2是以分解的状态表示实施方式1的活性气体生成装置的主要构成部的说明图。
图3是示意性地表示本发明的实施方式2的活性气体生成装置的截面构造的说明图。
图4是示意性地表示现有的活性气体生成装置的一般构造的说明图。
具体实施方式
<活性气体生成装置的概要>
以下对所述的实施方式1～实施方式3中共通的活性气体生成装置的特征部位进行说明。通过将高压侧电极构成部与接地侧电极构成部隔开间隙长度而对置地配置一对，来作为电介质阻挡放电的活性气体生成用电极组。在活性气体生成用电极组中，在高压侧电极构成部与接地侧电极构成部之间形成的空间成为放电空间。
该活性气体生成用电极组收纳在金属制的框体内，包含活性气体生成用电极组及框体的活性气体生成装置设置在对硅晶片进行成膜处理的处理腔室的正上方。在活性气体生成用电极组的电介质电极表面的一部分，金属化处理出有金属电极，由此，电介质电极与金属电极一体形成。金属化处理使用印刷烧结方法、溅射处理、蒸镀处理等形成。
在金属电极部连接有高频电源。接地侧电极构成部与框体一起接地，被固定于基准电位。通过从高频电源向活性气体生成用电极组施加10kHz～100kHz、2～10kV的交流电压V0p(0峰值)，从而在活性气体生成用电极组的放电空间中产生电介质阻挡放电。
从外部经由气体供给口(原料气体流路)向活性气体生成装置供给氮、氧及稀有气体类、氢及氟类的原料气体。这些原料气体经由设置于活性气体生成用电极组的外周部的原料气体供给路径进入电极内部的放电空间，在内部的放电空间中被活性化，含有该活性气体的气体从设置于接地侧电极构成部的气体喷出口向框体外部的处理腔室喷出，进行成膜处理。
<实施方式1>
图1是示意性地表示本发明的实施方式1的活性气体生成装置的截面构造的说明图。图2是以分解的状态表示实施方式1的活性气体生成装置的主要构成部的说明图。另外，在图1及图2、以及后述的图3及图4中分别示出了XYZ正交坐标系。
如图2的(b)和(c)所示，活性气体生成用电极组301具有高压侧电极构成部1A(第1电极构成部)和设置在高压侧电极构成部1A的下方的接地侧电极构成部2A(第2电极构成部)。
接地侧电极构成部2A具有电介质电极211和金属电极201H及201L，电介质电极211呈以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向的长方形状的平板构造。
电介质电极211在中央沿X方向设有多个气体喷出口55。多个气体喷出口55分别从电介质电极211的上表面贯通至下表面而设置。
进而，楔形台阶形状部51形成为俯视时不与多个气体喷出口55重叠，形成为俯视观察时随着靠近多个气体喷出口55的每个而Y方向的形成宽度变短。具体而言，在5个气体喷出口55之间形成为俯视菱形状，由相互离散的4个菱形单体部51s和在5个气体喷出口55中的两端的气体喷出口55的外侧设置的俯视大致等腰三角形状的2个三角单体部51t的集合体形成楔形台阶形状部51。
此外，电介质电极211还在X方向的两端侧具有向上方突出地形成的直线形台阶形状部52A及52B。直线形台阶形状部52A及52B在俯视时在电介质电极211的短边方向的整个长度上沿Y方向延伸而形成，直线台阶形状部52A及52B的形成高度与楔形台阶形状部51的形成高度一起来规定放电空间66中的间隙长度。
如图2的(b)所示，金属电极201H及201L形成在电介质电极211的下表面上，俯视时隔着电介质电极211的中央区域而相互对置地配置。金属电极201H及201L俯视呈大致长方形，将X方向作为长边方向，将与X方向垂直交叉的Y方向作为相互对置的方向。
另外，金属电极201H及201L通过在电介质电极211的下表面进行金属化处理而形成，其结果是，电介质电极211与金属电极201H及201L一体形成而构成接地侧电极构成部2A。作为金属化处理，考虑使用印刷烧结方法、溅射处理、蒸镀处理等处理。
另一方面，高压侧电极构成部1A的电介质电极111与电介质电极211同样，呈以X方向为长边方向、以Y方向为短边方向的长方形状的平板构造。另外，电介质电极111和电介质电极211例如以陶瓷作为构成材料。
另外，金属电极101H及101L形成在电介质电极111的上表面上，俯视时隔着与电介质电极211的中央区域对应的相同形状的中央区域而相互对置地配置。此时，金属电极101H及101L与金属电极201H及201L同样，俯视呈大致长方形，将X方向作为长边方向，将与X方向垂直交叉的Y方向作为相互对置的方向。金属电极101H及101L也能够与金属电极201H及201L同样通过金属化处理而形成在电介质电极111的上表面上。
然后，如图2的(c)所示，通过在接地侧电极构成部2A上配置高压侧电极构成部1A，能够组装活性气体生成用电极组301。此时，以使高压侧电极构成部1A中的电介质电极111的中央区域与接地侧电极构成部2A中的电介质电极211的中央区域俯视时重叠的方式进行定位、并将高压侧电极构成部1A叠放在接地侧电极构成部2A上而进行组合，由此能够最终完成活性气体生成用电极组301。
另外，在活性气体生成用电极组301的沿X方向延伸的两侧面的直线形台阶形状部52A及52B之间设有一对间隔件37。一对间隔件37设置在高压侧电极构成部1A、接地侧电极构成部2A之间，与上述的楔形台阶形状部51、直线形台阶形状部52A及52B一起，通过其形成高度来规定放电空间66中的间隙长度。间隔件37由非金属材料构成，优选由与电介质电极111及211相同的材质形成。
并且，在一对间隔件37设置有沿Y方向延伸的多个贯通口37h，能够从活性气体生成用电极组301的外部经由多个贯通口37h向高压侧电极构成部1A及接地侧电极构成部2A间的放电空间66内供给原料气体。
在构成活性气体生成用电极组301的电介质电极111与电介质电极211所对置的电介质空间内，将金属电极101H及101L与金属电极201H及201L俯视时重叠的区域规定为放电空间。
金属电极101H及101L、金属电极201H及201L与(高压)高频电源5(交流电源部)连接。具体而言，接地侧电极构成部2A的金属电极201H及201L经由选择性地设置于金属框体34及电极构成部设置台33的内部的金属部件(未图示)接地，在本实施方式中，从高频电源5向金属电极101H及101L间、金属电极201H及201L间施加0峰值固定为2～10kV且频率设定为10kHz～100kHz的交流电压。另外，电极构成部设置台33除了上述金属部件之外由具有绝缘性的构成材料形成，例如将陶瓷作为构成材料。另外，作为上述金属部件的设置方式，可以考虑如下等方式：设置多个如后述的活性气体排出口33k那样上下贯通电极构成部设置台33的卯孔，在多个卯孔内分别设置金属部件以将接地侧电极构成部2A的金属电极201H及201L与金属框体44电连接。
并且，实施方式1的活性气体生成装置如图1所示，上述构成的活性气体生成用电极组301(包含高压侧电极构成部1A、接地侧电极构成部2A)在金属框体34内，使用罩31、罩32及电极构成部设置台33而被收容。
如上所述，设置有对活性气体生成用电极组301以高压侧电极构成部1A成为高电压的方式施加交流电压的高频电源5(交流电源部)。通过由高频电源5施加交流电压，从而，在高压侧电极构成部1A及接地侧电极构成部2A之间形成放电空间66，通过使供给至该放电空间66的原料气体活性化而得到的活性气体被从设置于接地侧电极构成部2A的多个气体喷出口55向下方喷出。
由罩31及32的组合构造构成的第1辅助部件以与高压侧电极构成部1A一起形成与放电空间66分离的交流电压施加空间R31的方式设置在高压侧电极构成部1A的上方。
另一方面，作为第2辅助部件的电极构成部设置台33在其主面33b(参照图2的(d))上配置接地侧电极构成部2A的下表面整面，从接地侧电极构成部2A侧支承活性气体生成用电极组301。另外，电极构成部设置台33的外周部具有从主面33b向上方(+Z方向)突出的外周突出部33x，通过外周突出部33x包围活性气体生成用电极组301整体，外周突出部33x与间隔件37之间成为侧面空间R33(参照图1、图2的(c))。
另外，如图1及图2的(d)所示，电极构成部设置台33具有使从多个气体喷出口55喷出的活性气体流过并向下方引导的多个活性气体流过口33i及多个活性气体排出口33k。多个活性气体流过口33i以俯视时与多个气体喷出口55一致的方式配置，在多个活性气体流过口33i的下方分别设置有多个活性气体排出口33k。通过活性气体流过口33i及活性气体排出口33k的组合，构成供从对应的气体喷出口55喷出的活性气体流过的辅助部件用气体排出口。
构成一部分第1辅助部件的罩32如图2(a)所示，俯视时形成为矩形环状，配置在高压侧电极构成部1A的端部及电极构成部设置台33的外周突出部33x上。罩32的内周区域即中空区域32c以俯视时比高压侧电极构成部1A的形状小、且落入高压侧电极构成部1A内的方式配置在高压侧电极构成部1A上。另一方面，电极构成部设置台33的外周区域以俯视时大于高压侧电极构成部1A且将高压侧电极构成部1A整体包含在内的方式配置。
并且，罩32如图1和图2的(a)所示，具有沿上下方向(Z方向)贯通罩32的原料气体流路32h。原料气体流路32h在罩32的沿X方向延伸的长边区域中，在中央部沿X方向延伸而形成为直线状。并且，侧面空间R33位于原料气体流路32h的下方。
并且，在罩32上配置罩31。罩31的下部在俯视时形成为与罩32相同的矩形环状，上部在俯视形成为矩形形状，上部的端部配置在金属框体34的上表面上。罩31的内周区域即中空区域31c在俯视时呈与罩32的中空区域32c相同的形状。并且，罩31的上部的端部使用螺栓等固定构件固定于金属框体34的上表面。
如图1所示，罩31具有沿上下方向贯通的原料气体流路31h，原料气体流路31h形成为圆柱状，原料气体流路32h的一部分位于原料气体流路31h的下方。另外，原料气体流路31h也可以与原料气体流路32h同样地，在罩31的沿X方向延伸的长边区域中，在中央部沿X方向延伸而形成为直线状，原料气体流路32h的整体位于原料气体流路31h的下方。
并且，罩31在上部具有原料气体以外的第2气体即清洗气体用的、沿上下方向贯通的第2气体供给口即清洗气体供给口31p和第2气体排出口即清洗气体排出口31e。清洗气体供给口31p及清洗气体排出口31e分别设置为圆柱状。清洗气体供给口31p及清洗气体排出口31e均以下方到达中空区域31c的方式设置。另外，清洗气体供给口31p及清洗气体排出口31e与原料气体流路31h独立地设置，清洗气体和原料气体不会混合存在。另外，作为从清洗气体供给口31p供给的清洗气体，使用氮或惰性气体。另外，清洗气体供给口31p及清洗气体排出口31e也与放电空间66及后述的框体接触空间R34独立地形成。
通过由罩31和32的组合构造构成的第1辅助部件，在高压侧电极构成部1A的上方设置由罩31的中空区域31c和罩32的中空区域32c构成的交流电压施加空间R31。
如上所述，由于罩31及32均在俯视时形成为矩形环状，因此交流电压施加空间R31成为通过高压侧电极构成部1A、罩31及32而与其他的空间完全分离的独立的空间。侧面空间R33也通过罩32的底面、电极构成部设置台33的主面33b的端部区域和外周突出部33x，相对于除放电空间66及原料气体流路31h及32h以外的其他空间被完全分离。
此外，通过原料气体流路31h、原料气体流路32h、侧面空间R33及设置于间隔件37的多个贯通口37h，形成从作为原料气体流路31h的上方的外部与放电空间66相连的原料气体供给路径。此时，原料气体流路31h及32h与中空区域31c及32c独立地设置。
因此，通过原料气体流路31h及32h、侧面空间R33及间隔件37的多个贯通口37h，从而，从原料气体流路31h的上方引导至放电空间66的原料气体供给路径相对于交流电压施加空间R31独立地形成。
其结果，交流电压施加空间R31与放电空间66未经由原料气体供给路径而在空间上相连，因此交流电压施加空间R31能够与放电空间66的气体的流动完全分离。
另外，罩32将非金属材料作为构成材料。罩32优选以与电介质电极111及211的构成材料相同的材料作为构成材料，以便即使在原料气体流路32h内发生异常放电也能够应对。另外，罩31是以金属材料为构成材料的金属制。为了将罩31设置在电场强度低的区域，罩32的形成高度被设定为与作为高电压施加区域的金属电极101H及101L之间确保充分距离的高度。
另外，也可以将由活性气体生成的即使混入生成设备也没有问题的绝缘物质例如石英、氮化硅等作为罩32的构成材料。在该情况下，假设在原料气体供给路径(例如罩32、间隔件37)发生异常放电而其构成元素蒸发，即使混入到原料气体中，成膜处理方面也完全没有问题。
这样，通过从设置在与作为强电场区域的高压侧电极构成部1A比较靠近的位置的原料气体供给路径将金属材料完全排除掉，能够防止来自金属部件的金属污染。
作为金属制的框体的金属框体34将活性气体生成用电极组301(高压侧电极构成部1A、接地侧电极构成部2A)、罩32及电极构成部设置台33全部、以及罩31的下部收容在内部的空洞部内。
在金属框体34的空洞部的底面34b上配置有电极构成部设置台33，此时，活性气体排出口34k(框体用气体排出口)位于活性气体排出口33k的下方。因此，从气体喷出口55喷出的活性气体沿着气体的流动8，经由活性气体流过口33i、活性气体排出口33k及活性气体排出口34k向设置于下方的外部的处理腔室等喷出。
另外，在金属框体34的空洞部的侧面34d与电极构成部设置台33、罩32、以及罩31的下部的侧面区域、以及罩31的上部的底面区域的一部分之间设置有框体接触空间R34。这样，在罩31及32及电极构成部设置台33的外部，与金属框体34之间设置有框体接触空间R34。框体接触空间R34主要是为了确保与活性气体生成用电极组301的金属电极101H及101L之间的绝缘距离而设置的。
如上所述，交流电压施加空间R31构成为通过高压侧电极构成部1A、罩31及32而成为相对于其他空间完全独立的内部空间，放电空间66也构成为除了原料气体供给路径以外成为相对于其他空间独立的内部空间。因此，框体接触空间R34与交流电压施加空间R31及放电空间66分离地设置。
而且，通过将原料气体供给路径用的原料气体流路31h、32h与框体接触空间R34独立地设置，从而，通往到放电空间66的上述原料气体供给路径也构成为相对于其他空间独立的内部空间，因此将放电空间66与框体接触空间R34的气体的流动完全分离。
这样，包含交流电压施加空间R31、放电空间66及原料气体流路31h及32h在内的原料气体供给路径分别以气体的流动与框体接触空间R34之间分离的方式相对于框体接触空间R34独立地设置。
另外，在罩31与罩32的接触面以包围原料气体流路31h及32h的方式设置有O型环70。同样地，在罩32与电极构成部设置台33的接触面以包围原料气体流路32h及侧面空间R33的方式设置有O型环70。通过这些O型环70来提高原料气体供给路径与其他空间之间的密封程度。
另外，在接地侧电极构成部2A与电极构成部设置台33的接触面以包围活性气体流过口33i的方式设置有O型环70，在电极构成部设置台33与金属框体34的接触面以包围活性气体排出口33k及34k的方式设置有O型环70。通过这些O形环70来提高活性气体流过口33i、活性气体排出口33k及活性气体排出口34k与其他空间之间的密封程度。另外，在图1中，小圆圈均表示O型环70。
图4是示意性地表示现有的活性气体生成装置的一般构造的说明图。如该图所示，在金属框体84内收纳有由高压侧电极构成部81及接地侧电极构成部82构成的活性气体生成用电极组。高压侧电极构成部81在电介质电极811上设置于金属电极801而形成，接地侧电极构成部82在电介质电极下设置于金属电极而形成。
并且，在高压侧电极构成部81的金属电极801与金属框体84之间设置有高频电源5，接地电平经由金属框体84与接地侧电极构成部82的金属电极电连接。
通过由高频电源5施加高电压，从而，在高压侧电极构成部81与接地侧电极构成部82之间形成放电空间86。从设置于接地侧电极构成部82的气体喷出口85向下方喷出活性气体。
另外，在金属框体84的空洞部的底面具有主面84b和沿着主面84b的外周从主面84b向上方(+Z方向)突出的外周突出部84x。在主面84b上配置有接地侧电极构成部82，在外周突出部84x上配置有高压侧电极构成部81的电介质电极812的端部。
另外，在金属框体84的上部设置有原料供给口84h，在下部设置有位于气体喷出口85的下方的活性气体排出口84k。因此，从气体喷出口55喷出的活性气体沿着气体的流动88，经由活性气体排出口84k向外部排出。
另一方面，由高压侧电极构成部81和金属框体84形成交流电压施加空间R81，交流电压施加空间R81经由设置于外周突出部84x的流路84y而与放电空间86相连。
以下，对于实施方式1的活性气体生成装置的效果，与图4所示的现有的活性气体生成装置进行对比来进行说明。
在实施方式1的活性气体生成装置中，交流电压施加空间R31与放电空间66分离地设置，由罩31和32构成的第1辅助部件通过与交流电压施加空间R31独立地具有将从外部供给的原料气体向放电空间66引导的原料气体供给路径用的原料气体流路31h及32h，由此将放电空间66与交流电压施加空间R31的气体的流动完全分离。
因此，能够可靠地避免在交流电压施加空间R31产生异常放电D2的情况下生成的、高压侧电极构成部1A(特别是金属电极101H及101L)的构成材料等的蒸发物质直接或经由原料气体供给路径混入到放电空间66中的第1混入现象。
另一方面，在图4所示的以往的活性气体生成装置中，交流电压施加空间R81与放电空间86经由流路84y而在空间上相连，因此，无法避免在交流电压施加空间R81生成的上述蒸发物质混入到作为原料气体供给路径的流路84y中的第1混入现象。
此外，在实施方式1的活性气体生成装置中，框体接触空间R34相对于放电空间66分离地设置，由罩31和32构成的第1辅助部件与框体接触空间R34独立地具有原料气体供给路径用的原料气体流路31h及32h，从而使放电空间66与框体接触空间R34的气体的流动完全分离。
因此，还能够可靠地避免由框体接触空间R34中的异常放电D3等生成的蒸发物质混入到放电空间66中的第2混入现象。
另一方面，在以往的活性气体生成装置中，考虑流过高压侧电极构成部81及接地侧电极构成部82而从交流电压施加空间R81朝向金属框体84发生了异常放电D4的情况。在该情况下，接地侧电极构成部82未配置在上部，无法避免在上部露出的主面84b上的空间(与实施方式1的框体接触空间R34相当的空间)中生成的蒸发物质混入到放电空间86中的第2混入现象。
其结果是，实施方式1的活性气体生成装置能够可靠地避免以往的活性气体生成装置无法避免的上述的第1及第2混入现象，因此起到能够将优质的活性气体排出到外部的效果。
并且，实施方式1的活性气体生成装置能够将清洗气体作为原料气体以外的第2气体从清洗气体供给口31p供给到交流电压施加空间R31内。因此，能够将在交流电压施加空间R31内发生了异常放电的情况下生成的蒸发物质从清洗气体排出口31e向外部去除。
另外，上述原料气体供给路径与交流电压施加空间R31独立地设置，因此原料气体不会因清洗气体的供给而受到影响。
<实施方式2>
图3是示意性地表示本发明的实施方式2的活性气体生成装置的截面构造的说明图。
包含高压侧电极构成部1A、接地侧电极构成部2A及间隔件37在内的活性气体生成用电极组的构成与实施方式1的活性气体生成用电极组301相同。
另外，构成第1辅助部件的罩41及气体密封单元罩42对应于实施方式1的罩31及罩32。形成于罩41的原料气体流路41h、清洗气体供给口41p(第2气体供给口)及清洗气体排出口41e(第2气体排出口)对应于形成于罩31的原料气体流路31h、清洗气体供给口31p及清洗气体排出口31e。
另外，形成于气体密封单元罩42的原料气体流路42h对应于形成于罩32的原料气体流路32h。
作为第2辅助部件的电极构成部设置台43对应于实施方式1的电极构成部设置台33，活性气体流过口43i及活性气体排出口43k对应于活性气体流过口33i及活性气体排出口33k。由活性气体流过口43i及活性气体排出口44k构成辅助部件用气体排出口。
金属框体44对应于实施方式1的金属框体34，活性气体排出口44k对应于活性气体排出口34k。
另外，交流电压施加空间R41对应于交流电压施加空间R31，框体接触空间R44对应于框体接触空间R34。
以下，以实施方式2的特征部分为中心进行说明。另外，具有相同标号或上述对应关系的部位除了以下说明的内容以外，具有与实施方式1相同的特征，因此省略说明。
气体密封单元罩42对高压侧电极构成部1A及接地侧电极构成部2A各自的外周部以从上下夹着的方式进行保持。即，气体密封单元罩42作为单独地保持活性气体生成用电极组301的电极组保持部件发挥功能。
另外，在气体密封单元罩42中，原料气体流路42h在中途向间隔件37的方向弯曲地设置，以与间隔件37的多个贯通口37h直接连结的方式设置。
电极构成部设置台43通过在上部的主面43s上配置接地侧电极构成部2A、并且在设置于主面43s的外周区域且形成高度比主面43s低的台阶部43d上配置气体密封单元罩42的一部分，从而对包含气体密封单元罩42的活性气体生成用电极组301从接地侧电极构成部2A侧进行支承。
这样，作为第2辅助部件的电极构成部设置台43与气体密封单元罩42一起从接地侧电极构成部2A侧支承活性气体生成用电极组301。
与实施方式1的罩31及32同样地，利用作为罩41与气体密封单元罩42的组合构造的第1辅助部件，在高压侧电极构成部1A的上方设置交流电压施加空间R41。
另外，在实施方式2中，利用原料气体流路41h、原料气体流路42h及设置于间隔件37的多个贯通口37h，形成从作为原料气体流路41h的上方的外部与放电空间66相连的原料气体供给路径。
因此，实施方式2的活性气体生成装置为，从原料气体流路41h的上方引导至放电空间66的上述原料气体供给路径相对于交流电压施加空间R41独立地形成。即，将放电空间66与交流电压施加空间R41的气体的流动完全分离。
另外，在金属框体44的空洞部的侧面44d与电极构成部设置台43、气体密封单元罩42及罩41的下部的侧面区域、以及罩41的上部的底面区域的一部分之间设置有框体接触空间R44。
交流电压施加空间R41与实施方式1的交流电压施加空间R31相同，由高压侧电极构成部1A、罩41及气体密封单元罩42构成为相对于其他空间完全独立的空间，通往到放电空间66的原料气体供给路径也相对于其他空间完全分离。因此，框体接触空间R44与交流电压施加空间R41及放电空间66完全分离。即，将放电空间66与框体接触空间R44的气体的流动完全分离。
因此，实施方式2的活性气体生成装置与实施方式1相同，能够可靠地避免第1及第2混入现象，因此起到能够将优质的活性气体排出到外部的效果。
并且，实施方式2的活性气体生成装置与实施方式1相同，能够将清洗气体从清洗气体供给口41p供给至交流电压施加空间R41，因此能够将在交流电压施加空间R41内发生异常放电时生成的蒸发物质从清洗气体排出口41e向外部去除。
另外，在实施方式2中，作为原料气体供给路径，不像实施方式1那样设置侧面空间R33，相应地，能够在原料气体供给路径与交流电压施加空间R41及框体接触空间R44之间提高原料气体的屏蔽功能。
进而，实施方式2的活性气体生成装置的特征在于，具有作为单独地保持活性气体生成用电极组301的电极组保持部件而发挥功能的气体密封单元罩42。
实施方式2通过具有上述特征，在维护等中需要更换活性气体生成用电极组301时，能够将活性气体生成用电极组301与气体密封单元罩42的组合构造体作为必要最小构成进行搬运，因此能够实现便利性的提高。
另一方面，在实施方式1的活性气体生成装置中需要更换活性气体生成用电极组301的情况下，需要单独搬运活性气体生成用电极组301，或者将“电极构成部设置台33+活性气体生成用电极组301+罩31及32”一起作为1个组合构造体进行搬运。
在前者的搬运的情况下，需要分别单独搬运高压侧电极构成部1A及接地侧电极构成部2A，很繁琐，且不容易固定，因此具有陶瓷为主材料的高压侧电极构成部1A或接地侧电极构成部2A的破损风险升高的问题点。另一方面，在后者的搬运的情况下，具有组合构造体作为最小构成单位过大的问题。
另一方面，在实施方式2的活性气体生成装置中，能够将活性气体生成用电极组301和气体密封单元罩42的组合构造体作为必要最小结构进行搬运，因此不会产生上述的实施方式1的问题。
<实施方式3>
在实施方式3中，基本的结构与图1和图2所示的实施方式1或图3所示的实施方式2相同。即，放电空间66、交流电压施加空间R31(R41)和框体接触空间R34(R44)相互完全分离，在一方的空间产生的气体不会混入到另一方的空间中。
在实施方式3中，放电空间66的压力设定为大致10kPa～30kPa左右的比较弱的弱大气压。另外，作为上述压力设定下的原料气体，例如可以考虑氮气100％。
在放电空间66中，由于是产生放电D1而使原料气体活性化的空间，因此优选以更低的电压开始放电。若电场强度超过某值，则放电D1自身会因气体产生的绝缘破坏而引起。
引起绝缘破坏的电场强度由原料气体的种类和压力决定，在大气压附近压力越低，达到绝缘破坏的电场强度也越低。从以上的观点出发，在放电空间66中设定为上述的压力设定。
另一方面，优选在交流电压施加空间R31(R41)、框体接触空间R34(R44)中尽量不发生放电。不发生不希望的放电即异常放电的最可靠的方法是充分确保绝缘距离，但由于活性气体生成用电极组301的设置空间的问题导致该距离有限度，因此在实施方式3中采用通过提高压力来进一步提高绝缘破坏电场强度的方法。但是，由于压力的上限值根据构成部件的强度大致决定，所以交流电压施加空间R31及框体接触空间R34的压力优选为100kPa～300kPa(绝对压力)左右。
实施方式1或实施方式2所示的构造为将放电空间66与交流电压施加空间R31及框体接触空间R34内的气体层相互分离的构造，因此，能够如通过将放电空间66的压力设定得比交流电压施加空间R31及框体接触空间R34的压力低而使放电空间66中的放电D1在更低的施加电压下也会产生、并且通过使交流电压施加空间R31及框体接触空间R34的压力比较高而抑制放电这样，进行对放电空间66、交流电压施加空间R31及框体接触空间R34各自适合的压力设定。
这样，实施方式3的活性气体生成装置起到如下效果：将放电空间66的压力设定得比较低从而放电现象在更低的施加电压下也会产生、并且将交流电压施加空间R31及框体接触空间R34的压力设定得较高从而不会产生放电现象。
对本发明进行了详细说明，上述说明在所有方面都是例示，本发明并不限定于此。在不脱离本发明的范围的情况下能够想到未例示的无数的变形例。
标号说明
1A 高压侧电极构成部
2A 接地侧电极构成部
31、32、41 罩
31h、32h、41h、42h 原料气体流路
31、41e 清洗气体排出口
31p、41p 清洗气体供给口
33、43 电极构成部设置台
37 间隔件
42 气体密封单元罩
301 活性气体生成用电极组。

Claims (4)

1.一种活性气体生成装置，其特征在于，具备：
活性气体生成用电极组(301)，具有第1电极构成部(1A)和设置在所述第1电极构成部的下方的第2电极构成部(2A)；
交流电源部(5)，以使所述第1电极构成部成为高电压且所述第2电极构成部被设定为基准电位的方式对所述第1电极构成部及所述第2电极构成部施加交流电压，并且，通过由所述交流电源部(5)施加所述交流电压，从而在所述第1电极构成部与所述第2电极构成部之间形成放电空间，从设置于所述第2电极构成部的气体喷出口(55)喷出使供给到所述放电空间的原料气体活性化而得到的活性气体；
第1辅助部件(31、32、41、42)，设置成使其与所述第1电极构成部之间形成与所述放电空间分离的交流电压施加空间(R31、R41)；
第2辅助部件(33、43)，由非金属材料构成，从所述第2电极构成部侧支承所述活性气体生成用电极组，并且，所述第2辅助部件具有供从所述气体喷出口喷出的活性气体流过的辅助部件用气体排出口(33i、33k、43i、43k)；以及
金属制的框体(34、44)，收容所述活性气体生成用电极组及所述第2辅助部件的全部、以及所述第1辅助部件的至少一部分，并且，所述框体具有将流过辅助部件用气体排出口的活性气体向外部排出的框体用气体排出口(34k、44k)，在所述框体与所述第1辅助部件及所述第2辅助部件之间设置有与所述放电空间分离的框体接触空间(R34、R44)；
所述第1辅助部件以与所述交流电压施加空间及所述框体接触空间分别独立的方式具有将从外部供给的原料气体引导至所述放电空间的原料气体供给路径用的原料气体流路(31h、32h、41h、42h)，由此，将所述放电空间与所述交流电压施加空间之间的气体的流动分离，而且将所述放电空间与所述框体接触空间之间的气体的流动分离。
2.根据权利要求1所述的活性气体生成装置，其特征在于，
所述第1辅助部件还具有从外部向所述交流电压施加空间供给原料气体以外的第2气体的第2气体供给口(31p、41p)，所述第2气体供给口与所述原料气体流路独立地设置。
3.根据权利要求1或2所述的活性气体生成装置，其特征在于，
与所述放电空间的压力相比，更高地设定所述交流电压施加空间的压力。
4.根据权利要求1或2所述的活性气体生成装置，其特征在于，
所述第1辅助部件包括单独地保持所述活性气体生成用电极组的电极组保持部件(42)，
所述第2辅助部件(43)与所述电极组保持部件一起从所述第2电极构成部侧支承所述活性气体生成用电极组。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112166650B (zh) * 2018-05-30 2023-06-20 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置
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KR102524433B1 (ko) * 2019-11-27 2023-04-24 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
KR20220104228A (ko) * 2020-12-07 2022-07-26 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
CN117426143A (zh) * 2022-05-18 2024-01-19 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0810053A1 (en) * 1995-02-13 1997-12-03 Komatsu Ltd. Plasma torch
WO2008123142A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-16 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
JP2009272165A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
CN101765902A (zh) * 2007-08-31 2010-06-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 介质阻挡放电气体的生成装置
CN102468155A (zh) * 2010-11-04 2012-05-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5139811A (en) 1974-09-30 1976-04-03 Senyo Kiko Kk Norikagokurumanado no futenseigyosochi
JP4151862B2 (ja) * 1998-02-26 2008-09-17 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
KR20050103251A (ko) * 2002-10-07 2005-10-27 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 플라즈마 표면 처리 장치
JP4634138B2 (ja) 2004-12-27 2011-02-16 日本碍子株式会社 プラズマ発生電極及びプラズマ反応器
JP2008269907A (ja) 2007-04-19 2008-11-06 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
WO2008132901A1 (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
FR2921388B1 (fr) * 2007-09-20 2010-11-26 Air Liquide Dispositif et procede de depot cvd assiste par plasma tres haute frequence a la pression atmospherique, et ses applications
JP5088375B2 (ja) * 2007-11-28 2012-12-05 東芝三菱電機産業システム株式会社 誘電体バリア放電装置
JP2009199740A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP4861387B2 (ja) 2008-09-19 2012-01-25 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2010108665A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2010209281A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Kanagawa Acad Of Sci & Technol 基材の被膜形成方法および装置
JP5328685B2 (ja) 2010-01-28 2013-10-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5725993B2 (ja) 2011-06-20 2015-05-27 三菱電機株式会社 表面処理装置
KR101544329B1 (ko) 2011-09-08 2015-08-12 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 플라즈마 발생 장치, cvd 장치 및 플라즈마 처리 입자 생성 장치
CN103766001B (zh) * 2011-09-09 2016-06-29 东芝三菱电机产业系统株式会社 等离子体产生装置及cvd装置
JP6072999B2 (ja) * 2014-09-22 2017-02-01 三菱電機株式会社 オゾン発生システムおよびその運転方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0810053A1 (en) * 1995-02-13 1997-12-03 Komatsu Ltd. Plasma torch
WO2008123142A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-16 Sekisui Chemical Co., Ltd. プラズマ処理装置
CN101765902A (zh) * 2007-08-31 2010-06-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 介质阻挡放电气体的生成装置
JP2009272165A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
CN102468155A (zh) * 2010-11-04 2012-05-23 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置

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