JP2009272165A - プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁２１の先端部に放電生成部３０を設け、基端側空間２１ａと処理空間１０ａを隔壁２１で仕切る。第１電極３１を収容する筒状の誘電部材３３の基端部３３ｂの外周に環状閉塞部３６を一体に接合する。第２電極３２の基端部に設けた環状の連結部３５を隔壁２１の取り付け穴２４ａの周辺に連結する。環状閉塞部３６と環状連結部３５の間に第１シール部材９１を挟み、これら環状閉塞部３６及び環状連結部３５を第１ボルト８１で連結する。
【選択図】図３

Description

この発明は、処理ガスを放電空間でプラズマ化し、放電空間に連なる処理空間に配置した被処理物に吹き付けて表面処理を行なうプラズマ処理装置に関し、特に、処理空間の内圧を放電空間より基端側の空間の圧とは異なる圧力にして表面処理を行なうのに適したプラズマ処理装置に関する。

例えば特許文献１では、同心筒状の電極構造を有する処理ユニットがチャンバーの内部の処理空間に挿入されている。この処理ユニットの筒状の放電空間の先端部が処理空間に連なっている。筒状放電空間でプラズマ化した処理ガスを処理空間内の被処理物に吹き付け、表面処理を行っている。放電空間は、大気圧近傍（１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａ）になっている。処理ユニットの中央の電極を包む誘電部材の基端部には雄ネジが形成されている。外側の電極の基端部にはフランジが設けられ、このフランジの内周面に雌ネジが形成されている。誘電部材の雄ネジがフランジの雌ネジにねじ込まれている。誘電部材とフランジのネジ結合部分の放電空間側の端部にはＯリングが設けられている。
特許文献２では、プラズマ生成室を形成する壁部とマイクロ波導波管との間に導電性のシール材を設けている。
特開２００７−３２３９００号公報 実開平５−９４９９９号公報

特許文献１の装置では、処理ユニットの内部が処理空間と隔離されていない。したがって、処理空間を大気圧から少し減圧すると、処理ユニットの内部も少し減圧される。一方、放電空間は、処理ガスの流れ方向に沿って処理空間の上流側に位置するため、処理空間より圧が高い。また、誘電部材のフランジへのねじ込み量によっては、誘電部材とフランジのネジ結合部分の放電空間側の端部に段差ができ、そうするとＯリングの気密性が損なわれる。そのため、放電空間に導入した処理ガスが誘電部材とフランジのネジ結合部分に入り込みやすくなる。更に、誘電部材とフランジのネジ結合部分内に異常放電が発生するおそれがある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、処理ガスが放電空間より基端側に漏れたり、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じたりするのを防止することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、処理ガスを、軸線を一方向に向けた筒状の放電空間に導入し、前記放電空間の軸線方向の先端側に連なる処理空間に吹出し、前記処理空間内の配置部に配置された被処理物の表面をプラズマ処理する装置において、
前記放電空間より軸線方向の基端側の、前記処理空間とは圧が異なる基端側空間を前記処理空間から仕切り、かつ前記配置部と軸線方向に対向する箇所に取り付け穴が形成された隔壁と、前記取り付け穴を塞ぐようにして前記隔壁に取り付けられた放電生成部と、を備え、
前記放電生成部が、前記軸線に沿って延びる第１電極と、前記第１電極を収容する筒状の固体誘電体からなる誘電部材と、前記誘電部材を前記放電空間を介して囲む筒状の第２電極と、を含み、
前記第２電極の前記軸線方向の基端部には、前記隔壁の前記取り付け穴の周辺部に連結されて支持される環状の連結部が設けられ、この環状連結部の内周側の部分が前記取り付け穴の周縁より径方向の内側に突出し、
前記誘電部材の基端部は、前記環状連結部より前記軸線方向の基端側に突出し、この誘電部材の基端部の外周には、前記環状連結部の前記内周側部分と前記軸線方向に重ねられる環状の閉塞部が設けられ、前記環状閉塞部と前記環状連結部の内周側部分とが、互いの間に環状の第１シール部材を挟み、かつ前記軸線方向を向く第１ボルトで連結されていることを特徴とする。
これによって、放電空間より基端側の空間を処理空間及び放電空間から隔離でき、処理空間及び放電空間の圧力に関わらず、処理ガスが放電空間より基端側に漏れたり、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じたりするのを防止できる。

前記環状閉塞部が、前記誘電部材とは別の部材で構成され、前記誘電部材の外周面の全周にロウ付け又は接着にて一体に接合されていることが好ましい。
これによって、誘電部材と環状閉塞部との接合面に異常放電が形成されるのを一層確実に防止できる。

前記環状連結部と前記隔壁とが、互いの間に前記第１シール部材より大径の環状の第２シール部材を挟み、かつ前記軸線方向を向く第２ボルトで連結されていることが好ましい。
これによって、処理空間と基端側空間とを確実に隔離できる。

前記隔壁が、前記処理空間を画成するチャンバーの壁面から前記軸線に沿って前記配置部へ延びる筒状をなし、この筒状隔壁の内部が前記基端側空間となり、筒状隔壁の先端部に前記放電生成部が設けられていることが好ましい。
これによって、筐体の内部に給電ライン、処理ガスの供給ライン、電極を冷却するための冷媒流通ライン等を配置することができる。

前記放電空間は、大気圧近傍にするのが好ましい。ここで、大気圧近傍（略常圧、略大気圧）とは、１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａ（１００〜８００Ｔｏｒｒ）が好ましく、９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａ（７００〜７８０Ｔｏｒｒ）がより好ましい。

本発明によれば、放電空間より基端側の空間を処理空間及び放電空間から隔離でき、処理空間及び放電空間の圧力に関わらず、処理ガスが放電空間より基端側に漏れたり、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じたりするのを防止できる。

以下、本発明の第１実施形態を説明する。
図１は、プラズマ処理装置Ｍを示したものである。装置Ｍは、チャンバー１０と、このチャンバー１０に着脱可能に設けられた処理ユニット２０とを備えている。チャンバー１０の内部は処理空間１０ａになっている。処理空間１０ａにステージ１１（配置部）が設けられている。このステージ１１に半導体基板やガラス基板等の被処理物Ｗが配置されている。図示は省略するが、チャンバー１０には真空ポンプが接続されている。この真空ポンプによってチャンバー１０の内圧が、上述した略常圧（１．０１３×１０⁴〜５０．６６３×１０⁴Ｐａ、好ましくは１．３３３×１０⁴〜１０．６６４×１０⁴Ｐａ、より好ましくは９．３３１×１０⁴〜１０．３９７×１０⁴Ｐａ）に調整されている。

チャンバー１０の上側の壁には、コラム１２が上に突出するように設けられている。コラム１２は、軸線を上下に向けた両端開口の筒状をなしている。コラム１２の内部空間が下端の開口を介してチャンバー１０の内部空間１０ａに連なっている。コラム１２の上端部の外周には環状の支持フランジ１３が一体に固定されている。

コラム１２に処理ユニット２０が支持されている。処理ユニット２０は、ステージ１１の真上に離れて配置されている。処理ユニット２０は、筐体２１（筒状の隔壁）と、放電生成部３０とを備えている。筐体２１は、筐体本体２２と、外端キャップ２３と、内端キャップ２４とを有している。筐体本体２２は、軸線を上下に向けた筒状になっている。筐体本体２２の上側部分がコラム１２の内部に挿通されている。筐体本体２２の下側部分は、コラム１２の下端ひいてはチャンバー１０の壁面より下に突出し、ステージ１１に向かって垂直に延びている。

筐体本体２２の上端部に外端キャップ２３が設けられている。外端キャップ２３は、筐体本体２２の上端部を塞ぎ、筐体本体２２より径方向外側に突出されている。この外端キャップ２３が、支持フランジ１３の上に重ねられ、支持フランジ１３にボルト締めにて連結されている。

筐体本体２２の下端部に内端キャップ２４が設けられている。内端キャップ２４は、環状になっている。内端キャップ２４の外径は、筐体本体２２の外径と等しく、内端キャップ２４の外周面が、筐体本体２２の外周面の下方に段差なく連続している。図３に示すように、内端キャップ２４の中央には取り付け穴２４ａが形成されている。

筐体２１の内部は、処理ユニット２０の内部空間のうち後記放電空間３０ａより軸線方向の基端側の空間２１ａになっている。筐体内部空間すなわち基端側空間２１ａは、処理空間１０ａとは圧が異なっている。例えば、基端側空間２１ａは、減圧された処理空間１０ａより高圧の大気圧になっている。筐体２１は、処理空間１０ａと基端側空間２１ａを仕切る隔壁を構成している。

図３に示すように、放電生成部３０は、中央の第１電極３１と、これを囲む第２電極３２とを有している。第１電極３１は、ニッケル等の金属にて構成され、軸線Ｌを上下に向けて直線状に延びる棒形状をなしている。第１電極３１の軸線Ｌは、筐体２１の軸線と一致している。

第１電極３１の上端部（基端部）は、給電ソケット４３を介して給電線４１に接続されている。給電線４１は、セラミックス、ガラス、樹脂等の絶縁体からなる絶縁チューブ４４にて被覆されている。図１に示すように、給電線４１の上端部は、外端キャップ２３に設けられた給電端子４２を介して電源４０に接続されている。これにより、第１電極３１が高圧電極になっている。

図３に示すように、第１電極３１には誘電部材３３が被せられている。誘電部材３３は、セラミックスやガラス等の誘電体で構成されている。誘電部材３３を構成する誘電体材料は、使用するガス種や電圧等に応じて選択するとよい。比較的低い電圧で放電を発生させたい場合には誘電率の大きな誘電体を用いるのが好ましい。耐プラズマ性を考慮すると、例えばアルミナやイットリア等のセラミックスを用いるとよい。処理ガスとして純窒素を用い、窒素プラズマにて表面処理を行なう場合、窒化アルミニウムや窒化珪素等のセラミックスを用いるとよい。耐熱性や成形の容易性を考慮すると、石英等のガラスを用いるとよい。

誘電部材３３は、被覆部３３ａと、その上側（基端側）に連なる基部３３ｂとを一体に有している。被覆部３３ａは、有底（上端開口、下端閉塞）の筒状をなし、上下に延びている。基部３３ｂは、被覆部３３ａと同一軸線上に配置されるとともに、被覆部３３ａより外径が大きい筒状をなしている。基部３３ｂの中心孔が被覆部３３ａの有底の中心孔に一直線に連なっている。この誘電部材３３の中心孔に第１電極３１が差し入れられている。これにより、第１電極３１の外周面と下端面（先端面）が誘電部材３３で被覆されている。誘電部材３３の被覆部３３ａは、第１電極３１の表面における安定放電を得るための固体誘電体層を構成している。誘電部材３３の下端部（先端部）が閉塞されることにより、第１電極３１から被処理物Ｗへアーク等の異常放電が飛ぶのを防止できる。

誘電部材の基部３３ｂは、取り付け穴２４ａに挿入されている。誘電部材３３の基部３３ｂの内周面には、雌ネジ３３ｃが形成されている。第１電極３１の上端部（基端部）の外周面には、雄ネジ３１ａが形成されている。誘電部材３３の雌ネジ３３ｃに第１電極３１の雄ネジ３１ａが螺合されている。

第２電極３２は、軸線を上下に向けた両端開口の筒状をなしている。第２電極３２の内径は、誘電部材３３の被覆部３３ａの外径より大きい。この第２電極３２の内部に誘電部材３３の被覆部３３ａひいては第１電極３１が同軸をなすようにして収容されている。第２電極３２は、後記筒状空間３０ａを介して誘電部材３３の被覆部３３ａを囲んでいる。

第２電極３２の内周面には、安定放電を得るための固体誘電体層３４が被膜されている。固体誘電体層３４は、例えばアルミナ等の溶射膜、またはセラミックス管もしくはガラス管などにて構成されている。固体誘電体層３４の内周面と誘電部材３３の外周面との間に、軸線を上下に向けた筒状の空間３０ａが形成されている。筒状空間３０ａの下端部（先端部）は、開口され、処理空間１０ａに連なっている。この筒状空間３０ａの下端開口の直下にステージ１１ひいては被処理物Ｗが位置している。筒状空間３０ａの内圧は、略大気圧であり、処理空間１０ａの内圧以上であり、筐体内部空間２１ａの内圧以下になっている。なお、処理ガス供給前の筒状空間３０ａの内圧は、処理空間１０ａの内圧と等しい。

上記第１電極３１が高圧電極を構成するのに対し、第２電極３２は、図示しない接地線を介して電気的に接地され、接地電極を構成している。
電源４０から第１電極３１への電圧供給により、第１電極３１と第２電極３２との間に略大気圧のグロー放電が形成され、筒状空間３０ａが放電空間になる。

第２電極３２の上端（基端）には、第２電極３２より径方向外側に大きく突出する環状の連結部３５（フランジ）が一体に設けられている。環状連結部３５の中央の孔部は、第２電極３２の内部空間と一体に連通している。環状連結部３５の外径は、筐体２１の外径と等しく、環状連結部３５の内径は、筐体２１の取り付け穴２４ａの内径より小さい。

環状連結部３５の外周面は、筐体２１の外周面の下方に段差なく連続している。環状連結部３５の外周側（取り付け穴２４ａより径方向外側）の部分３５ａは、筐体２１の内端キャップ２４の下面に重ねられている。環状連結部３５の外周側部分３５ａと内端キャップ２４とは、互いの間にＯリング９２（環状の第２シール部材）を挟み、かつ第２ボルト８２によって連結されている。内端キャップ２４の下面には環状のシール溝２４ｂが形成されている。このシール溝２４ｂにＯリング９２が収容されている。Ｏリング９２の径方向外側の直近にボルト８２が配置されている。ボルト８２は、頭部を下にし、環状連結部３５の外周側部分３５ａを通して内端キャップ２４にねじ込まれている。このボルト８２のねじ込みによって、Ｏリング９２が圧縮され、シール溝２４ｂの内周面と環状連結部３５の外周側部分３５ａの上面に押し当てられている。

環状連結部３５の内周側の部分３５ｂは、内端キャップ２４の取り付け穴２４ａより径方向内側に突出している。
環状連結部３５の中央孔部から上（基端側）に誘電部材基部３３ｂが突出し、この誘電部材基部３３ｂの外周に環状の閉塞部３６が設けられている。環状閉塞部３６は、誘電部材３３とは別の部材で構成されている。環状閉塞部３６の材質は、金属でもよく、樹脂でもよく、誘電部材３３と同様のセラミックスでもよい。

環状閉塞部３６は、誘電部材基部３３ｂの外周面の全周にロウ付けにて一体に接合されている。環状閉塞部３６と誘電部材基部３３ｂとの接合手段として、ロウ付けに代えて、接着剤を用いてもよい。

環状閉塞部３６は、取り付け穴２４ａの内部に配置され、環状連結部３５の内周側部分３５ｂの上面に重ねられている。環状閉塞部３６の外径は、取り付け穴２４ａの内径とほぼ等しい。環状閉塞部３６の外周面と取り付け穴２４ａの内周面との間には、環状閉塞部３６を差し入れ可能なクリアランスが形成されている。環状閉塞部３６によって、取り付け穴２４ａの内周面と誘電部材基部３３ｂの外周面との間が略閉塞されている。さらに、環状閉塞部３６は、後述するように環状連結部３５の内周側部分３５ｂ及び後記Ｏリング９１と協働して放電空間３０ａの基端側の部分を確実に閉塞している。

誘電部材基部３３ｂ及び環状閉塞部３６の上側には、二段筒状の絶縁ブロック３７が被せられている。絶縁ブロック３７は、セラミックや樹脂等の絶縁体にて構成されている。この絶縁ブロック３７によって、第１電極３１の上端部と筐体２１が絶縁されている。絶縁ブロック３７は、筐体２１の内部に位置され、その上端部は、上記絶縁チューブ４４の下端部と連結されている。絶縁ブロック３７の下端部は、内端キャップ２４の取り付け穴２４ａに挿し入れられ、環状閉塞部３６の上面に載せられている。

絶縁ブロック３７と環状閉塞部３６と環状連結部３５とが、第１ボルト８１によって連結されている。ボルト８１は、頭部を上に向け、絶縁ブロック３７及び環状閉塞部３６を貫通して環状連結部３５の内周側部分３５ｂにねじ込まれている。このボルト８１のねじ込みによって、環状閉塞部３６が環状連結部３５の内周側部分３５ｂに強く押し当てられている。

環状連結部３５の内周側部分３５ｂの上面には、シール溝３５ｃが形成されている。シール溝３５ｃは、環状連結部３５の内周面に達している。誘電部材基部３３ｂの外周面がシール溝３５ｃに面している。シール溝３５ｃにＯリング９１（環状の第１シール部材）が収容されている。Ｏリング９１は、上記Ｏリング９２より小径である。Ｏリング９１は、環状閉塞部３６と環状連結部３５とによって上下から挟まれている。Ｏリング９１の径方向外側の直近に上記ボルト８１が配置されている。Ｏリング９１は、ボルト８１のねじ込みによって圧縮され、環状閉塞部３６の下面と、環状連結部３５のシール溝３５ｃの内周面と、誘電部材基部３３ｂの外周面に押し当てられている。

さらに、処理ユニット２０には、処理ガスの供給ラインと、冷媒の流通ラインとが設けられている。
処理ガス供給ラインは、次のように構成されている。
図１に示すように、筐体２１の内部には、処理ガス導入管６１が収容されている。処理ガス導入管６１の基端部は、外端キャップ２３から引き出され、処理ガス供給源６０に連なっている。処理ガス供給源６０には、処理目的に応じた種類の処理ガスが蓄えられている。

図３に示すように、処理ガス導入管６１の先端部（下端部）は、内端キャップ２４を貫通し、環状連結部３５の内部に差し入れられている。図２及び図３に示すように、環状連結部３５の内部には、処理ガス導入路６２が形成されている。処理ガス導入路６２は、環状連結部３５の径方向に延びている。処理ガス導入路６２の径方向の外端部に処理ガス導入管６１が連なっている。処理ガス導入路６２の径方向の内端部は、環状連結部３５の内周面に達し、筒状放電空間３０ａの上端部に連なっている。

処理ガス供給源６０からの処理ガスが、処理ガス導入管６１、処理ガス導入路６２を順次経て、筒状空間３０ａに導入される。併行して、電源４０から第１電極３１に電圧を供給し、筒状空間３０ａ内に略大気圧の放電を形成する。これにより、筒状空間３０ａに導入された処理ガスをプラズマ化（ラジカル化、活性化、イオン化を含む）することができる。このプラズマ化された処理ガスｇが、筒状空間３０ａの下端開口（吹出し口）から下方へ吹き出され、被処理物Ｗの表面にスポット的に接触し、反応が起きる。これにより、所望の表面処理を行なうことができる。

冷媒流通ラインは、次のように構成されている。
図１に示すように、筐体２１の内部には、冷媒導入管５１と冷媒排出管５６５５（図２）が収容されている。冷媒導入管５１は、処理ガス導入管６１から９０度離れて配管されている。
なお、図１において、冷媒導入管５１を含む処理ユニット２０の左側の断面と、処理ガス導入管６１を含む処理ユニットの右側の断面は、角度が互いに９０度をなしている。

冷媒導入管５１の基端部は、外端キャップ２３から引き出され、冷媒供給源５０に接続されている。冷媒供給源５０は、冷媒として例えば水を供給するようになっている。

図３に示すように、冷媒導入管５１の先端部（下端部）は、内端キャップ２４を貫通し、環状連結部３５の内部に差し入れられている。図２及び図３に示すように、環状連結部３５の内部には、冷媒導入路５２が形成されている。冷媒導入路５２は、処理ガス導入管６１から９０°ずれて配置され、環状連結部３５の径方向に延びている。冷媒導入路５２の径方向の外端部に冷媒導入管５１が連なっている。図３に示すように、冷媒導入路５２の径方向の内端部は、環状連結部３５の下面に達して開口している。

第２電極３２の外周部には、カップ形状の外殻３８が設けられている。外殻３８の上端部は、環状連結部３５の下面に接合されている。この外殻３８の上端部の接合部は、冷媒導入路５２の径方向の内端部より径方向の外側に位置している。外殻３８と第２電極３２の外周面との間に冷却路５３（温調路）が形成されている。この冷却路５３に冷媒導入路５２の径方向の内端部が連なっている。

図２に示すように、環状連結部３５の内部には、冷媒排出路５４が形成されている。冷媒排出路５４は、環状連結部３５の周方向に冷媒導入路５２から１８０度離れて配置されている。冷媒排出路５４は、環状連結部３５の中心軸に関して冷媒導入路５２と１８０度回転対称をなし、環状連結部３５の径方向に延びている。冷媒排出路５４の径方向の内端部が、冷却路５３に連なっている。冷媒排出路５４の径方向の外端部に冷媒排出管５５の下端部が連なっている。図示は省略するが、冷媒排出管５５は、内端キャップ２４を貫通し、筐体２１の内部を通過し、更に外端キャップ２３を貫通して外部に引き出されている。

冷媒供給源５０からの冷却水が、冷媒導入管５１、冷媒導入路５２を順次経て、冷却路５３に導入される。これによって、第２電極３２を冷却（温調）でき、第２電極３２の熱歪みを抑制することができる。その後、冷却水は、冷媒排出路５４、冷媒排出管５５を順次経て排出される。
第１電極３１の内部にも冷却路５３（温調路）を形成することにしてもよい。なお、電極３１，３２の冷却（温調）は必須ではない。

プラズマ処理装置Ｍによれば、筐体２１（隔壁）によって放電生成部３０の基端側（上側）の空間２１ａを処理空間１０ａから隔離できる。したがって、処理空間１０ａを減圧しても、基端側空間２１ａまでもが減圧されるのを防止でき、空間２１ａ内を例えば大気圧等の所望の圧力に維持できる。これによって、処理ガスが放電空間３０ａから基端側空間２１ａに漏れたり、放電空間３０ａより基端側の部分で異常放電が生じたりするのを防止できる。さらに、Ｏリング９１を環状閉塞部３６と環状連結部３５と誘電体基部３３ｂの外周面とに確実に押し当ててシールでき、これによって放電空間３０ａと基端側空間２１ａとを確実に遮断できる。よって、処理ガスが放電空間３０ａから基端側空間２１ａに漏れるのを確実に防止でき、放電空間３０ａより基端側の部分で異常放電が生じるのを確実に防止できる。さらには、誘電部材３３と環状閉塞部３６とがロウ付け等で一体に接合されているため、これら誘電部材３３と環状閉塞部３６との接合面に異常放電が形成されるのを一層確実に防止できる。この結果、処理ユニット２０の各構成部材の損傷を防止でき、装置の耐久性を向上できる。さらには、プラズマを効率よく生成でき、良好な表面処理を行うことができる。

Ｏリング９２によって、処理空間１０ａと基端側空間２１ａとを確実に隔離できる。
筐体２１の内部には、給電線４１、冷媒導入管５１、冷媒排出管５５、処理ガス導入管６１等を配置することができる。

この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
例えば、筐体２１が省略され、チャンバー１０に放電生成部３０が直接取り付けられ、チャンバー１０の外部が基端側空間となり、チャンバー１０が、基端側空間を処理空間１０ａから仕切る隔壁となっていてもよい。
誘電部材３３の外周部に環状閉塞部３６を一体成形してもよい。
第１シール部材９１を収容する溝が、環状連結部３５に代えて、環状閉塞部３６に形成されていてもよい。
第２シール部材９２を収容する溝が、内端キャップ２４に代えて、環状連結部２５に形成されていてもよい、
本発明は、洗浄、表面改質、エッチング、アッシング、成膜等の種々のプラズマ表面処理に遍く適用可能である。

本発明は、液晶パネル等のフラットパネル用ガラス基板や半導体製造におけるシリコン基板のプラズマ表面処理に利用可能である。

本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を、図２のＩ−Ｉ折曲線に沿って部分的に断面で示した正面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う平面断面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ折曲線に沿う断面図である。

符号の説明

Ｍ プラズマ処理装置
Ｗ 被処理物
１０ チャンバー
１０ａ 処理空間
１１ ステージ（配置部）
２０ 処理ユニット
２１ 筐体（隔壁）
２１ａ 筐体内部空間（基端側空間）
２４ａ 取り付け穴
３０ 放電生成部
３０ａ 筒状空間（放電空間）
３１ 第１電極
３２ 第２電極
３３ 誘電部材
３３ｂ 誘電部材基部（誘電部材の基端部）
３５ 環状連結部
３５ａ 環状連結部の外周側部分
３５ｂ 環状連結部の内周側部分
３６ 環状閉塞部
８１ 第１ボルト
８２ 第２ボルト
９１ Ｏリング（第１シール部材）
９２ Ｏリング（第２シール部材）

Claims (4)

1. 処理ガスを、軸線を一方向に向けた筒状の放電空間に導入し、前記放電空間の軸線方向の先端側に連なる処理空間に吹出し、前記処理空間内の配置部に配置された被処理物の表面をプラズマ処理する装置において、
   前記放電空間より軸線方向の基端側の、前記処理空間とは圧が異なる基端側空間を前記処理空間から仕切り、かつ前記配置部と軸線方向に対向する箇所に取り付け穴が形成された隔壁と、前記取り付け穴を塞ぐようにして前記隔壁に取り付けられた放電生成部と、を備え、
   前記放電生成部が、前記軸線に沿って延びる第１電極と、前記第１電極を収容する筒状の固体誘電体からなる誘電部材と、前記誘電部材を前記放電空間を介して囲む筒状の第２電極と、を含み、
   前記第２電極の前記軸線方向の基端部には、前記隔壁の前記取り付け穴の周辺部に連結されて支持される環状の連結部が設けられ、この環状連結部の内周側の部分が前記取り付け穴の周縁より径方向の内側に突出し、
   前記誘電部材の基端部は、前記環状連結部より前記軸線方向の基端側に突出し、この誘電部材の基端部の外周には、前記環状連結部の前記内周側部分と前記軸線方向に重ねられる環状の閉塞部が設けられ、前記環状閉塞部と前記環状連結部の内周側部分とが、互いの間に環状の第１シール部材を挟み、かつ前記軸線方向を向く第１ボルトで連結されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記環状閉塞部が、前記誘電部材とは別の部材で構成され、前記誘電部材の外周面の全周にロウ付け又は接着にて一体に接合されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記環状連結部と前記隔壁とが、互いの間に前記第１シール部材より大径の環状の第２シール部材を挟み、かつ前記軸線方向を向く第２ボルトで連結されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記隔壁が、前記処理空間を画成するチャンバーの壁面から前記軸線に沿って前記配置部へ延びる筒状をなし、この筒状隔壁の内部が前記基端側空間となり、筒状隔壁の先端部に前記放電生成部が設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理装置。

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