CN110021514B - 天线和等离子体成膜装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。

Description

天线和等离子体成膜装置
技术领域
本发明涉及一种天线和等离子体成膜装置。
背景技术
以往以来，已知一种能够供给气体和微波的等离子体成膜装置和等离子体产生用天线(例如参照专利文献1～4)。
专利文献1：日本特开2012-216525号公报
专利文献2：日本特开2011-166740号公报
专利文献3：日本特开2017-5345号公报
专利文献4：日本特开2009-230915号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外，考虑使用频率比微波的频率低且比LF(Low Frequency：低频)、HF(HighFrequency：高频)的高频高的VHF(Very High Frequency：甚高频)的电磁波来进行等离子体处理。
VHF为60MHz～300MHz左右，频率比2MHz～13MHz左右的LF、40MHz～60MHz左右的HF高。因而，使用VHF的高频电力生成的等离子体具有的等离子体密度比使用RF(RadioFrequency：射频)的高频电力生成的等离子体具有的等离子体密度高，能够使等离子体中的离子和电子的温度低。因此，在进行等离子体处理时能够进一步减少对晶圆的损伤。
另外，能够将使用VHF的高频电力的等离子体成膜装置设为平行平板型的腔室构造，能够缩窄用于载置晶圆的载置台与处理容器的顶部之间的间隙。
针对上述课题，本发明的一个方面的目的在于高效地供给VHF的高频电力。
用于解决问题的方案
为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种天线，该天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，所述第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。
发明的效果
根据一个方面，能够高效地供给VHF的高频电力。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的等离子体成膜装置的一例的概要截面图。
图2是表示图1的A-A面的等离子体成膜装置的图。
图3是表示一个实施方式的变形例1所涉及的等离子体成膜装置的一例的概要截面图。
图4是表示一个实施方式的变形例2所涉及的等离子体成膜装置的一例的概要截面图。
附图标记说明
100：等离子体成膜装置；1：处理容器；2：载置台；3：气体喷淋头；4：天线；5：控制部；6：第一供电部；7：第二供电部；12：喷淋板；15：环状构件；16：罩构件；17：金属构件；8：排气部；30：VHF供给部；32、34：高频电源；35：气体供给部；37：气体供给路径；41、42、49：金属反射板；43：同轴波导管；43a：内侧导体；43b：外侧导体；47：供电棒；U：处理空间。
具体实施方式
下面，参照附图来说明用于实施本发明的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。
[等离子体成膜装置]
首先，参照图1来说明本发明的一个实施方式所涉及的等离子体成膜装置100的一例。图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的等离子体成膜装置100的一例的概要截面图。等离子体成膜装置100具有处理容器1、载置台2、气体喷淋头3、天线4以及控制部5。
处理容器1具有圆筒状。处理容器1由铝等金属构成，处理容器1接地。处理容器1的顶部开口，被顶壁1a和天线4封闭。顶壁1a由铝等金属形成。在处理容器1的侧壁形成有用于搬入或搬出晶圆W的搬入搬出口20，搬入搬出口20由闸阀21进行打开和关闭。
载置台2在处理容器1内将作为被处理体的一例的半导体晶圆(以下称作“晶圆W”。)支承为水平。载置台2形成为大小与晶圆W对应的圆板状，被支承构件10支承。载置台2和支承构件10由氧化铝(Al2O3)等电介质形成。
在处理容器1的顶部设置有气体喷淋头3。气体喷淋头3由铝等金属制成，以与载置台2相向的方式设置。气体喷淋头3具有喷淋板12，在喷淋板12的内部形成有气体扩散空间11以及与气体扩散空间11连通的多个气体供给孔11a。在喷淋板12的上部中央设置有气体导入孔12a。
在顶壁1a的下方，以与载置台2相向的方式设置有气体喷淋头3。气体喷淋头3使从气体供给部35输出的处理气体流通到气体供给管36和气体供给路径37，从气体导入孔12a导入到气体扩散空间11，并且从多个气体供给孔11a呈喷淋状导出到处理容器1内。
在喷淋板12的周缘部且处理容器1内设置有向下方突出的环状构件15。在环状构件15的外侧，隔着金属构件17设置有罩构件16。罩构件16和金属构件17的前端以与环状构件15的前端处于相同的高度位置处的方式向下方突出。
环状构件15和罩构件16由氧化铝等电介质形成。金属构件17形成为下侧开口的圆柱状，由铝等金属形成。喷淋板12设置在金属构件17内，在金属构件17与喷淋板12之间，在侧部夹设有环状构件15，在喷淋板12的上部夹设有电介质构件13。电介质构件13由石英等电介质形成，并且形成为在中央具有贯通口的圆板状。由此，不使金属构件17与喷淋板12电连接。
另外，在处理容器1的顶壁1a与金属构件17之间且金属构件17的上部夹设有电介质构件14。电介质构件14由石英等电介质形成，并且形成为在中央具有贯通口的圆板状。在处理容器1的上部侧壁与金属构件17之间设置有罩构件16。罩构件16形成为环状。由此，不使金属构件17与处理容器1电连接。
在处理容器1的顶壁1a的上部设置有天线4。天线4具有第一供电部6和第二供电部7。第一供电部6具有供电棒47。供电棒47与VHF供给部30连接。VHF供给部30输出60MHz～300MHz的频率的VHF(Very High Frequency：甚高频)的电磁波。
从VHF供给部30输出的VHF的电磁波传播到第一供电部6的供电棒47，第一供电部6供给VHF的高频电力。供电棒47由垂直部分47a和水平部分47b形成为L字状，水平部分47b与第二供电部7的同轴波导管43垂直地连接。
供电棒47由铝等金属形成。供电棒47的外侧被特氟纶(注册商标)等电介质44覆盖。电介质44的表面被金属的保护构件46覆盖。供电棒47形成为L字状，在供电棒47的水平部分47b的一个端部连接垂直部分47a，在另一个端部与第二供电部7的外侧导体43b的侧部垂直地连接。供电棒47与VHF供给部30连接。VHF供给部30输出60MHz～300MHz的频率(VHF)的电磁波。
第二供电部7具有沿垂直方向延伸的同轴波导管43。同轴波导管43的外侧且比供电棒47的前端部47c靠上方的位置被特氟纶等电介质44覆盖。在同轴波导管43的外侧且比供电棒47的前端部47c靠下方的位置形成有空间S。电介质44的表面被金属的保护构件45覆盖。另外，空间S由保护构件45形成。同轴波导管43具有同心圆状的内侧导体43a和外侧导体43b，在内侧导体43a与外侧导体43b之间形成有空间。内侧导体43a和外侧导体43b由铝等金属形成。在外侧导体43b的外侧面连接有第一供电部6的水平部分47b。另外，如在图2中示出A-A截面那样，第一供电部6的前端部47c以与外侧导体43b及内侧导体43a呈同心圆状的方式环状地形成在外侧导体43b的外侧。
返回到图1，内侧导体43a经由匹配器31而与高频电源(LF：Low Frequency)32连接。另外，内侧导体43a经由匹配器33而与高频电源(HF：High Frequency)34连接。匹配器31使负载阻抗与高频电源32的内部阻抗匹配。匹配器33使负载阻抗与高频电源(HF)34的内部阻抗匹配。
高频电源32输出0.45MHz～13MHz的频率的高频(以下也称作LF。)。高频电源32例如可以输出0.45MHz、2MHz、13MHz的频率的高频。高频电源32输出40MHz～60MHz的频率的高频(以下也称作HF。)。高频电源34例如可以输出40MHz、60MHz的频率的高频。
在本实施方式中，使LF与HF的高频叠加地传播到内侧导体43a，但不限于此，也可以仅将LF的高频传播到内侧导体43a，还可以仅将HF的高频传播到内侧导体43a。
内侧导体43a贯通处理容器1的顶壁1a、电介质构件13、14，且与喷淋板12的上部中央抵接。由此，从高频电源32、34输出的LF和HF的高频从内侧导体43a传播到气体喷淋头3的喷淋板12中，且被供给到处理空间U。
在内侧导体43a的内部形成的气体供给路径37与贯通喷淋板12的上部中央的气体导入孔12a连通，将连接于气体供给部35的气体供给管36与气体导入孔12a相连，来形成用于向气体扩散空间11运输处理气体的通路。
根据上述结构的天线4，从VHF供给部30输出的VHF的电磁波在供电棒47中按L字状传播，并且自外侧导体43b的侧部起在外侧导体43b中沿垂直方向传播，通过金属构件17而被供给到处理空间U的外周侧。
另外，从高频电源32、34输出的LF和HF的高频在内侧导体43a中沿垂直方向传播，通过气体喷淋头3而供给到处理容器1内的中央侧。由此，从自气体喷淋头3的下表面呈喷淋状导入到气体喷淋头3与载置台2之间的处理空间U的处理气体生成等离子体P。
排气部8对处理容器1的内部进行排气。排气部8具有与排气口1b连接的排气配管18以及与排气配管18连接的排气机构19，该排气机构19具有真空泵、压力控制阀等。在进行处理时，处理容器1内的气体经由载置台2的侧部和下部且通过排气配管18后被排气机构19排出。
控制部5例如为计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、辅助存储装置等。CPU基于ROM或辅助存储装置中保存的程序进行动作，控制等离子体成膜装置100的动作。控制部5可以设置在等离子体成膜装置100的内部，也可以设置在外部。在控制部5设置在等离子体成膜装置100的外部的情况下，控制部5能够通过有线或无线等通信方式来控制等离子体成膜装置100。
[天线]
参照图1和图2来详细地叙述天线4的结构。如图2所示，第一供电部6的前端部47c形成为环状。而且，如图1所示，第二供电部7的同轴波导管43贯通第一供电部6的前端部47c。
天线4使VHF的电磁波传播到第一供电部6的前端部47c和第二供电部7的外侧导体43b，流通到图1所示的前端部47c下方的空间S，进而传播到金属构件17。由此，VHF的高频电力被供给到处理容器1内。另外，天线4使LF和HF的高频传播到第二供电部7的内侧导体43a。由此，LF和HF的高频电力被供给到处理容器1内。
第二供电部7在上方的端部具有金属反射板41，在下方的端部具有金属反射板42和金属反射板49。金属反射板41、42、49为由铝等金属形成的环状的构件。同轴波导管43在前端部47c的上方的位置处贯通金属反射板41，在前端部47c的下方的位置处贯通金属反射板42、49。
将金属反射板41与金属反射板42、49之间的距离设计为λg/4。在此，λg为VHF的电磁波的管内波长。但是，金属反射板41与金属反射板42、49之间的距离不限于此，也可以为相对于λg/4略有的偏差的长度(λg/4+Δ)，还可以为λg/4+λg×n/2(n为0以上的整数)。然而，为了使天线4小型化，优选使金属反射板41与金属反射板42、49之间的距离为λg/4。
根据上述结构的天线4，能够使在第一供电部6的供电棒47中传播来的VHF的电磁波在第二供电部7的两端部的金属反射板41与金属反射板42、49之间进行反射且产生共振。以像这样使VHF产生共振而相互加强到最强程度地进行传播的方式设计同轴波导管43的长度。
由此，能够向处理容器1内供给强的VHF的电磁波。而且，频带比VHF的频带低的LF和HF的高频在金属反射板41与金属反射板42及49之间不产生共振，在第二供电部7的内部传播时发生衰减。根据上述记载，通过使VHF的入射电磁波在金属反射板41与金属反射板42、49之间进行反射来使LF和HF的高频衰减，由此能够防止LF和HF的高频流入到作为VHF的电磁波的传输路径的第一供电部6的供电棒47。其结果是，能够防止由于LF或HF的进入而使得VHF供给部30侧所具备的VHF电源被破坏或者发生故障。由此，能够不对天线4追加LF滤波电路、HF滤波电路，将VHF的电磁波与LF、HF的高频叠加地供给到处理容器1内。由于不在天线4设置LF滤波电路、HF滤波电路，因此能够紧凑地设计以及制造天线4。
如以上所说明的那样，本实施方式所涉及的天线4能够作为如下的滤波天线发挥功能：滤除与主要的VHF的频率的电磁波不同频率的高频，以使VHF的频率的电磁波不被LF或HF等与VHF不同频率的高频所干扰。由此，在本实施方式所涉及的天线4中，不需要用于避免频率与主要的VHF的频率不同的高频的干扰的滤波器，能够减少部件个数。能够使天线4小型化，并且能够实现成本降低。
在本实施方式所涉及的天线4中，例如，将图1所示的金属反射板42的内周侧的直径d设计为λo/10以下。在此，λo为入射电力频率为VHF的波在大气中的波长。
下方的金属反射板42、49的侧方空间的径向宽度比金属反射板42、49的上方空间S的径向宽度窄。由此，能够在VHF的电磁波通过金属反射板42、49时修正电磁波的失真。
在本实施方式所涉及的天线4中，在构造上来讲，VHF的电磁波从横向传播到外侧导体43b中。因而，VHF的电磁波在从横向传播到外侧导体43b时不成为相对于同轴波导管43的中心轴呈同心圆状的波，发生失真，以偏心的状态在外侧导体43b中沿垂直方向传播。
因此，使用金属反射板42、49来缩小其侧方的空间，使金属反射板42、49的侧方的径向宽度比金属反射板42、49的上方空间S的径向宽度窄。由此，能够在VHF的电磁波在金属反射板42、49的侧方传播时将VHF的电磁波修正为相对于同轴波导管43的中心轴呈同心圆状的波。
由此，能够校正从横向传播的VHF的电磁波的失真，使VHF的电磁波呈环状传播。因此，能够向处理容器1内供给TEM模式的电磁波，并且能够将传播的VHF的电磁波中的高阶模式的电磁波去除。
在具备以上所说明的本实施方式所涉及的天线4的等离子体成膜装置100中，使用相比微波而言频率低且波长长并且相比RF的高频而言频率高且波长短的VHF的高频电力，来从气体生成等离子体。由此，能够生成高密度的等离子体。其结果是，能够使离子温度、电子温度低，能够实现对晶圆W的损伤少的工艺。
另外，能够将本实施方式所涉及的等离子体成膜装置100设为能够使用本实施方式所涉及的天线4来安装气体喷淋头3的构造。由此，能够使气体喷淋头3与载置台2相向地配置。另外，由于离子温度、电子温度低，因此即使缩窄气体喷淋头3与载置台2之间的间隙，也能够生成更均匀的等离子体，能够高效地进行对晶圆W的损伤少且均匀的处理。
[变形例1]
接着，参照图3来说明本实施方式的变形例1所涉及的等离子体成膜装置100的一例。图3是表示本实施方式的变形例1所涉及的等离子体成膜装置100的一例的概要截面图。
本实施方式的变形例1所涉及的等离子体成膜装置100的天线4和气体喷淋头3的周边结构与图1的本实施方式所涉及的等离子体成膜装置100的周边结构不同。因而，下面对本实施方式的变形例1所涉及的等离子体成膜装置100的天线4和气体喷淋头3的周边结构进行说明，省略其以外的结构的说明。
在变形例1所涉及的等离子体成膜装置100中，不进行LF和HF的高频电力的供电。第二供电部7具有形成有圆筒状的导体的同轴波导管43，同轴波导管43的导体由铝等金属形成。第一供电部6的供电棒47与同轴波导管43的侧部垂直地连接。
在本变形例1中也是，金属反射板41与金属反射板42、49之间的距离为λg/4+λg×n/2(λg为VHF的电磁波的管内波长，n为0以上的整数)。据此，在供电棒47中传播来的VHF的电磁波在同轴波导管43中传播，在同轴波导管43的两端部的金属反射板41与金属反射板42、49之间进行反射且产生共振而相互加强地进行传播。由此，能够向处理容器1内供给强的VHF的电磁波。
在同轴波导管43的内部形成有气体供给路径37。从气体供给部35供给的处理气体通过同轴波导管43内的气体供给路径37，经由气体喷淋头3内的气体扩散空间11从气体供给孔11a导入到处理容器1内。在喷淋板12的周缘部设置有环状构件15，在气体喷淋头3的上部设置有电介质构件13。环状构件15形成为与气体喷淋头3的下表面齐平。
根据使用上述结构的变形例1的天线4的等离子体成膜装置100，与上述实施方式所涉及的天线4及等离子体成膜装置100同样地，通过使用VHF的高频电力从气体生成等离子体，能够生成高密度的等离子。其结果是，能够使离子温度、电子温度低，能够实现对晶圆W的损伤少的工艺。
另外，在本变形例1所涉及的等离子体成膜装置100中，能够设为能够使用本变形例1所涉及的天线4来安装气体喷淋头3的构造。由此，能够使气体喷淋头3与载置台2相向地配置。另外，由于离子温度、电子温度低，因此即使缩窄气体喷淋头3与载置台2之间的间隙，也能够生成更均匀的等离子体，能够高效地进行对晶圆W的损伤少且均匀的处理。
并且，在本实施方式的变形例1所涉及的天线4和等离子体成膜装置100中，使VHF的供电从同轴波导管43的侧方传播到同轴波导管43的外周，并且将处理气体从气体喷淋头3的正上方的同轴波导管43的内部导入到处理容器1内。由此，能够使VHF的供给路径与气体的供给路径完全地独立。由此，能够避免异常放电。
[变形例2]
接着，参照图4来说明本实施方式的变形例2所涉及的等离子体成膜装置100的一例。图4是表示实施方式的变形例2所涉及的等离子体成膜装置100的一例的概要截面图。
在变形例2所涉及的等离子体成膜装置100中，天线4及气体喷淋头3的周边结构与图1的本实施方式所涉及的等离子体成膜装置100的周边结构不同。因而，下面对本实施方式的变形例2所涉及的等离子体成膜装置100的天线4和气体喷淋头3的周边结构进行说明，省略其以外的结构的说明。
在变形例2所涉及的天线4和等离子体成膜装置100中，不进行LF和HF的高频电力的供电。在变形例2所涉及的天线4中，与VHF供给部30相分别地设置VHF供给部38，使由VHF供给部38输出的VHF的电磁波传播到第二供电部7的内侧导体43a。此外，在变形例2所涉及的天线4中，使VHF的电磁波传播到第二供电部7的外侧导体43b的结构与第一实施方式所涉及的天线4的结构相同。
并且，在变形例2所涉及的等离子体成膜装置100中，环状构件15形成为与气体喷淋头3的下表面齐平。另外，在环状构件15的外侧，隔着金属构件17设置有罩构件16，罩构件16及金属构件17也同样地形成为与气体喷淋头3的下表面齐平。
在本变形例2中也是，金属反射板41与金属反射板42、49之间的距离为λg/4+λg×n/2(λg为VHF的电磁波的管内波长，n为0以上的整数)。据此，在供电棒47中传播来的VHF的电磁波在外侧导体43b中传播，在外侧导体43b的两端部的金属反射板41与金属反射板42、49之间进行反射且产生共振而相互加强地进行传播。由此，能够向处理容器1内供给强的VHF的电磁波。
根据使用上述结构的变形例2的天线4的等离子体成膜装置100，与上述实施方式所涉及的天线4及等离子体成膜装置100同样地，使用VHF的高频电力从气体生成等离子体，由此能够生成高密度的等离子体。其结果是，能够使离子温度、电子温度低，即使缩窄气体喷淋头3与载置台2之间的间隙，也能够高效地进行对晶圆W的损伤少且均匀的处理。
并且，本实施方式的变形例2所涉及的天线4和等离子体成膜装置100进行与经由外侧导体43b及金属构件17将从VHF供给部30输出的VHF的高频电力供给到处理容器1的外周侧的VHF供电相独立的另外的VHF供电。在另外的VHF供电中，经由内侧导体43a和气体喷淋头3的喷淋板12将从VHF供给部38输出的VHF的高频电力供给到处理容器1的中央侧。由此，通过在外周侧和中央侧设置两个VHF的供给路径，能够对处理空间U中的等离子体分布进行控制。其结果是，能够调整等离子体的均匀性。
如以上所说明的那样，根据本实施方式和变形例1、2所涉及的天线4和等离子体成膜装置100，能够高效地供给VHF的高频电力。
此外，本实施方式和变形例1、2所涉及的等离子体成膜装置100具备一个天线4，但不限于此，也可以具备多个天线4，从多处进行VHF等的供电。
以上通过上述实施方式对天线和等离子体成膜装置进行了说明，但本发明所涉及的天线和等离子体成膜装置不限定于上述实施方式，在本发明的范围内能够进行各种变形和改进。上述多个实施方式中所记载的事项能够在不矛盾的范围内进行组合。
本发明所涉及的等离子体成膜装置也能够应用Capacitively Coupled Plasma(CCP：电容耦合等离子体)、Inductively Coupled Plasma(ICP：电感耦合等离子体)、Radial Line Slot Antenna(径向线缝隙天线)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR：电子回旋共振等离子体)、Helicon Wave Plasma(HWP：螺旋波等离子体)等类型。
在本说明书中，作为被处理体的一例，列举半导体晶圆W进行了说明，但被处理体不限于此，也可以为使用于LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、FPD(Flat PanelDisplay：平板显示器)的各种基板、CD基板、印刷基板等。

Claims (11)

1.一种天线，具有：
第一供电部，其供给甚高频的高频电力；以及
第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述甚高频的高频电力，
其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，
所述第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2，其中，λg为甚高频的电磁波的管内波长，n为0以上的整数。
2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，
所述第二供电部使甚高频的电磁波在所述一对金属反射板之间产生共振。
3.根据权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
所述第一供电部的前端部和所述一对金属反射板形成为环状，
设置于所述第二供电部的同轴波导管贯通所述第一供电部的前端部和所述一对金属反射板。
4.根据权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
在所述一对金属反射板之间形成电介质和空间中的至少任一方。
5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，
在所述一对金属反射板中的下方的金属反射板的侧方形成的空间的径向宽度比在该下方的金属反射板的上方形成的空间的径向宽度窄。
6.根据权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
所述第二供电部具有同轴波导管，该同轴波导管的内侧导体和外侧导体形成为同心圆状，
经由所述第一供电部向所述外侧导体传播甚高频的电磁波，
向所述内侧导体传播LF和HF中的至少任一个高频，所述LF为0.45MHz～13MHz的频率的高频，所述HF为40MHz～60MHz的频率的高频。
7.根据权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
所述第二供电部具有形成有圆筒状的导体的同轴波导管，
经由所述第一供电部向所述导体传播甚高频的电磁波，
向所述导体的内部通气体。
8.根据权利要求1或2所述的天线，其特征在于，
所述第二供电部具有同轴波导管，该同轴波导管的内侧导体和外侧导体形成为同心圆状，
经由所述第一供电部向所述外侧导体传播甚高频的电磁波，
向所述内侧导体传播由与输出所述甚高频的电磁波的甚高频供给部不同的甚高频供给部输出的甚高频的电磁波。
9.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，
向所述内侧导体的内部通气体。
10.一种等离子体成膜装置，
具有：天线，其供给甚高频的高频电力；以及处理容器，其使用从所述天线供给的甚高频的高频电力来从气体生成等离子体，并实施成膜处理，
所述天线具有：第一供电部，其供给甚高频的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述甚高频的高频电力，
在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，
所述第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2，其中，λg为甚高频的电磁波的管内波长，n为0以上的整数。
11.根据权利要求10所述的等离子体成膜装置，其特征在于，
在所述处理容器的顶部具有气体喷淋头，
所述第二供电部与所述气体喷淋头连接。
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