JP2002050615A - ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置 - Google Patents
ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異常放電を誘起させることなく、所望の電界
放射分布を得られるようにする。 【解決手段】 複数のスロット３６が形成された第１の
導電板３１と、マイクロ波導入口３５を有し第１の導電
板３１に対向配置された第２の導電板３２と、第１及び
第２の導電板３１，３２の周縁を接続するリング部材３
４と、第１及び第２の導電板３１，３２により形成され
るラジアル導波路３３内の第２の導電板３２上に設けら
れ第１の導電板３１までの距離ｄ１，ｄ２を調整する導
電性の調整部材３７を備える。
放射分布を得られるようにする。 【解決手段】 複数のスロット３６が形成された第１の
導電板３１と、マイクロ波導入口３５を有し第１の導電
板３１に対向配置された第２の導電板３２と、第１及び
第２の導電板３１，３２の周縁を接続するリング部材３
４と、第１及び第２の導電板３１，３２により形成され
るラジアル導波路３３内の第２の導電板３２上に設けら
れ第１の導電板３１までの距離ｄ１，ｄ２を調整する導
電性の調整部材３７を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ラジアルアンテナ
及びそれを用いたプラズマ装置に関する。
及びそれを用いたプラズマ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、酸化膜の形
成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシング
などの処理を行うために、プラズマ装置が多用されてい
る。これらのプラズマ装置の中に、ラジアルアンテナを
介してマイクロ波を処理容器内に導入して高密度プラズ
マを発生させるマイクロ波プラズマ装置がある。このマ
イクロ波プラズマ装置は比較的低い圧力でも安定してプ
ラズマを生成することができるので、用途が広いという
特色がある。
成や半導体層の結晶成長、エッチング、またアッシング
などの処理を行うために、プラズマ装置が多用されてい
る。これらのプラズマ装置の中に、ラジアルアンテナを
介してマイクロ波を処理容器内に導入して高密度プラズ
マを発生させるマイクロ波プラズマ装置がある。このマ
イクロ波プラズマ装置は比較的低い圧力でも安定してプ
ラズマを生成することができるので、用途が広いという
特色がある。
【０００３】図７は、このようなマイクロ波プラズマ装
置に従来から用いられているラジアルアンテナの一構成
例及び電界放射の分布を示す図である。ここで、図７
（ａ）はラジアルアンテナの放射面を示す概念図、図７
（ｂ）は図７（ａ）におけるVIIb−VIIb′線方向の断面
図、図７（ｃ）はラジアルアンテナによる放射電界の分
布を示す概念図である。図７（ｃ）において、横軸はラ
ジアルアンテナの中心から径方向への距離であり、縦軸
はラジアルアンテナから放射される電界の強度である。
また、図８は、図７に示したラジアルアンテナの放射面
に形成されるスロットの形状を示す図である。
置に従来から用いられているラジアルアンテナの一構成
例及び電界放射の分布を示す図である。ここで、図７
（ａ）はラジアルアンテナの放射面を示す概念図、図７
（ｂ）は図７（ａ）におけるVIIb−VIIb′線方向の断面
図、図７（ｃ）はラジアルアンテナによる放射電界の分
布を示す概念図である。図７（ｃ）において、横軸はラ
ジアルアンテナの中心から径方向への距離であり、縦軸
はラジアルアンテナから放射される電界の強度である。
また、図８は、図７に示したラジアルアンテナの放射面
に形成されるスロットの形状を示す図である。
【０００４】プラズマ装置に従来から用いられているラ
ジアルアンテナ２３０は、図７（ｂ）に示すように、ラ
ジアル導波路２３３を形成する互いに平行な２枚の導電
板２３１，２３２と、これらの導電板２３１，２３２の
周縁を接続するリング部材２３４とから構成される。導
電板２３２の中央部には、マイクロ波発生器（図示せ
ず）からのマイクロ波が導入されるマイクロ波導入口２
３５が開口している。また、導電板２３１には、ラジア
ル導波路２３３内を伝搬するマイクロ波を処理容器（図
示せず）に放射するためのスロット２３６が多数形成さ
れている。ラジアル導波路２３３内の電磁界への影響を
考慮するとスロット２３６の幅Ｗ２は狭いほどよいが、
狭すぎると異常放電の原因ともなるので、通常２ｍｍ程
度に設定される（ラジアル導波路２３３内におけるマイ
クロ波の波長をλg とすると、Ｗ２≦λg/４）。
ジアルアンテナ２３０は、図７（ｂ）に示すように、ラ
ジアル導波路２３３を形成する互いに平行な２枚の導電
板２３１，２３２と、これらの導電板２３１，２３２の
周縁を接続するリング部材２３４とから構成される。導
電板２３２の中央部には、マイクロ波発生器（図示せ
ず）からのマイクロ波が導入されるマイクロ波導入口２
３５が開口している。また、導電板２３１には、ラジア
ル導波路２３３内を伝搬するマイクロ波を処理容器（図
示せず）に放射するためのスロット２３６が多数形成さ
れている。ラジアル導波路２３３内の電磁界への影響を
考慮するとスロット２３６の幅Ｗ２は狭いほどよいが、
狭すぎると異常放電の原因ともなるので、通常２ｍｍ程
度に設定される（ラジアル導波路２３３内におけるマイ
クロ波の波長をλg とすると、Ｗ２≦λg/４）。
【０００５】マイクロ波導入口２３５から導入されたマ
イクロ波は、ラジアル導波路２３３の中央部から周縁部
に向かって放射状に伝搬してゆく。このときマイクロ波
は多数のスロット２３６から少しずつ放射されてゆくの
で、ラジアル導波路２３３内の電力密度は周縁部に近づ
くにしたがって徐々に低下する。一方、スロット２３６
の電界放射効率は、スロット２３６の長さすなわちスロ
ット長Ｌ２が０（ゼロ）から長くなるにしたがって徐々
に大きくなり、スロット長Ｌ２がλg/２に相当する長さ
のときに極大となる。
イクロ波は、ラジアル導波路２３３の中央部から周縁部
に向かって放射状に伝搬してゆく。このときマイクロ波
は多数のスロット２３６から少しずつ放射されてゆくの
で、ラジアル導波路２３３内の電力密度は周縁部に近づ
くにしたがって徐々に低下する。一方、スロット２３６
の電界放射効率は、スロット２３６の長さすなわちスロ
ット長Ｌ２が０（ゼロ）から長くなるにしたがって徐々
に大きくなり、スロット長Ｌ２がλg/２に相当する長さ
のときに極大となる。
【０００６】このような条件の下で、例えば図７（ｃ）
に示すような放射電界分布を得るために、従来はスロッ
ト長Ｌ２を調整することで放射電界強度を制御してい
た。つまり、図７（ａ）に示すように導電板２３１の中
心から離れるにしたがってスロット長Ｌ２を長くして、
電力密度が小さい周縁部におけるスロット長Ｌ２をλg/
２に相当する長さに近づけることにより、図７（ｃ）に
示すような放射電界分布を実現していた。
に示すような放射電界分布を得るために、従来はスロッ
ト長Ｌ２を調整することで放射電界強度を制御してい
た。つまり、図７（ａ）に示すように導電板２３１の中
心から離れるにしたがってスロット長Ｌ２を長くして、
電力密度が小さい周縁部におけるスロット長Ｌ２をλg/
２に相当する長さに近づけることにより、図７（ｃ）に
示すような放射電界分布を実現していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、スロット２３
６の電界放射効率が極大となるＬ２＝λg/２のときに
は、マイクロ波の共振が起こり、特にスロット２３６の
幅Ｗ２が２ｍｍと狭い場合には異常放電が誘起される。
この放電によってスロット２３６の周囲が加熱される
と、スロット２３６の周囲が歪み、あるいは溶け出すと
いう問題があった。本発明はこのような課題を解決する
ためになされたものであり、その目的は、異常放電を誘
起させることなく、所望の電界放射分布を得られるよう
にすることにある。
６の電界放射効率が極大となるＬ２＝λg/２のときに
は、マイクロ波の共振が起こり、特にスロット２３６の
幅Ｗ２が２ｍｍと狭い場合には異常放電が誘起される。
この放電によってスロット２３６の周囲が加熱される
と、スロット２３６の周囲が歪み、あるいは溶け出すと
いう問題があった。本発明はこのような課題を解決する
ためになされたものであり、その目的は、異常放電を誘
起させることなく、所望の電界放射分布を得られるよう
にすることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のラジアルアンテナは、複数のスロッ
トが形成された第１の導電板と、マイクロ波導入口を有
し第１の導電板に対向配置された第２の導電板と、第１
及び第２の導電板の周縁を接続するリング部材と、第１
及び第２の導電板により形成されるラジアル導波路内の
第２の導電板上に設けられ第１の導電板までの距離を調
整する導電性の調整部材を備えたことを特徴とする。第
２の導電板から第１の導電板までの距離を小さくするこ
とにより、第１及び第２の導電板間における電力密度を
大きくすることができる。このため第１の導電板に形成
されるスロットのスロット長をλg/２に相当する長さよ
りも十分短くしても、放射電界強度を大きくすることが
できる。
るために、本発明のラジアルアンテナは、複数のスロッ
トが形成された第１の導電板と、マイクロ波導入口を有
し第１の導電板に対向配置された第２の導電板と、第１
及び第２の導電板の周縁を接続するリング部材と、第１
及び第２の導電板により形成されるラジアル導波路内の
第２の導電板上に設けられ第１の導電板までの距離を調
整する導電性の調整部材を備えたことを特徴とする。第
２の導電板から第１の導電板までの距離を小さくするこ
とにより、第１及び第２の導電板間における電力密度を
大きくすることができる。このため第１の導電板に形成
されるスロットのスロット長をλg/２に相当する長さよ
りも十分短くしても、放射電界強度を大きくすることが
できる。
【０００９】ここで、複数の調整部材を平面視放射状に
配設してもよいし、１つ又は複数の調整部材を第２の導
電板の周縁に沿って配設してもよい。また、導電部材の
高さを、第２の導電板の中心から離れるにしたがって高
くなるように設定してもよい。これにより、ラジアル導
波路内の径方向における電力密度を変えることができ
る。また、上述したラジアルアンテナでは、スロットを
略矩形状又は円弧状とした場合、スロット長をλg/３に
相当する長さよりも短くすることが望ましい。これによ
り、スロットの幅が狭くても、異常放電の誘起を効果的
に防止することができる。
配設してもよいし、１つ又は複数の調整部材を第２の導
電板の周縁に沿って配設してもよい。また、導電部材の
高さを、第２の導電板の中心から離れるにしたがって高
くなるように設定してもよい。これにより、ラジアル導
波路内の径方向における電力密度を変えることができ
る。また、上述したラジアルアンテナでは、スロットを
略矩形状又は円弧状とした場合、スロット長をλg/３に
相当する長さよりも短くすることが望ましい。これによ
り、スロットの幅が狭くても、異常放電の誘起を効果的
に防止することができる。
【００１０】また、本発明のプラズマ装置は、プラズマ
が生成される容器内にマイクロ波を供給するアンテナ手
段として、上述したラジアルアンテナが用いられること
を特徴とする。
が生成される容器内にマイクロ波を供給するアンテナ手
段として、上述したラジアルアンテナが用いられること
を特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明による
ラジアルアンテナを用いたプラズマ装置をエッチング装
置に適用した場合を例に説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態であるエッチング装置の構成図である。この図１で
は、一部構成について断面構造が示されている。
実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明による
ラジアルアンテナを用いたプラズマ装置をエッチング装
置に適用した場合を例に説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態であるエッチング装置の構成図である。この図１で
は、一部構成について断面構造が示されている。
【００１２】図１に示したエッチング装置は、上部が開
口した円筒形状の処理容器１１を有している。この処理
容器１１は、アルミニウムなどの導電部材で形成されて
いる。処理容器１１の底部には、真空ポンプ（図示せ
ず）に連通する排気口１４が設けられており、処理容器
１１内部を所望の真空度にすることができる。また、処
理容器１１の側壁には、処理容器１１内にＡｒなどのプ
ラズマガスを導入するためのプラズマガス供給ノズル１
５と、エッチングガスを導入するための処理ガス供給ノ
ズル１６とが上下に設けられている。これらのノズル１
５，１６は石英パイプなどで構成されている。
口した円筒形状の処理容器１１を有している。この処理
容器１１は、アルミニウムなどの導電部材で形成されて
いる。処理容器１１の底部には、真空ポンプ（図示せ
ず）に連通する排気口１４が設けられており、処理容器
１１内部を所望の真空度にすることができる。また、処
理容器１１の側壁には、処理容器１１内にＡｒなどのプ
ラズマガスを導入するためのプラズマガス供給ノズル１
５と、エッチングガスを導入するための処理ガス供給ノ
ズル１６とが上下に設けられている。これらのノズル１
５，１６は石英パイプなどで構成されている。
【００１３】処理容器１１内には、エッチング対象の基
板（被処理体）２１が上面に載置される載置台２２が収
容され、処理容器１１の底部に絶縁板２４を介して固設
された支持台２３上に固定されている。この載置台２２
はまた、マッチングボックス２５を介してバイアス用の
高周波電源２６に接続されている。処理容器１１の上部
開口には、平板状に成形された誘電板１３が水平に配置
されている。この誘電板１３には、厚さ２０〜３０ｍｍ
程度の石英ガラス又は（Ａｌ2Ｏ3又はＡｌＮなどの）セ
ラミックなどが用いられる。処理容器１１と誘電板１３
との接合部はＯリングなどのシール部材１２を介在させ
ており、これにより処理容器１１内部の気密性を確保し
ている。
板（被処理体）２１が上面に載置される載置台２２が収
容され、処理容器１１の底部に絶縁板２４を介して固設
された支持台２３上に固定されている。この載置台２２
はまた、マッチングボックス２５を介してバイアス用の
高周波電源２６に接続されている。処理容器１１の上部
開口には、平板状に成形された誘電板１３が水平に配置
されている。この誘電板１３には、厚さ２０〜３０ｍｍ
程度の石英ガラス又は（Ａｌ2Ｏ3又はＡｌＮなどの）セ
ラミックなどが用いられる。処理容器１１と誘電板１３
との接合部はＯリングなどのシール部材１２を介在させ
ており、これにより処理容器１１内部の気密性を確保し
ている。
【００１４】また、誘電板１３上部にはラジアルアンテ
ナ３０が放射面（後述する導電板３１）を下にして配設
されている。このラジアルアンテナ３０は、誘電板１３
を介して処理容器１１内にマイクロ波ＭＷを供給するア
ンテナ手段である。誘電板１３は、ラジアルアンテナ３
０の放射面に対向配置され、この放射面全域を覆うこと
により、処理容器１１内で生成されるプラズマからラジ
アルアンテナ３０を保護する。また、誘電板１３および
ラジアルアンテナ３０の周囲はシールド材１７によって
覆われている。
ナ３０が放射面（後述する導電板３１）を下にして配設
されている。このラジアルアンテナ３０は、誘電板１３
を介して処理容器１１内にマイクロ波ＭＷを供給するア
ンテナ手段である。誘電板１３は、ラジアルアンテナ３
０の放射面に対向配置され、この放射面全域を覆うこと
により、処理容器１１内で生成されるプラズマからラジ
アルアンテナ３０を保護する。また、誘電板１３および
ラジアルアンテナ３０の周囲はシールド材１７によって
覆われている。
【００１５】図２は、ラジアルアンテナ３０の構成及び
電界放射の分布を示す図である。ここで、図２（ａ）は
ラジアルアンテナ３０の放射面を示す平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）におけるIIｂ−IIｂ′線方向の断面
図、図２（ｃ）はラジアルアンテナ３０による放射電界
の分布を示す概念図である。なお、図２（ａ）は本発明
の特徴が明確になるように概念的に示されている。ま
た、図２（ｃ）において、横軸はラジアルアンテナ３０
の中心から径方向への距離であり、縦軸はラジアルアン
テナ３０から放射される電界の強度である。
電界放射の分布を示す図である。ここで、図２（ａ）は
ラジアルアンテナ３０の放射面を示す平面図、図２
（ｂ）は図２（ａ）におけるIIｂ−IIｂ′線方向の断面
図、図２（ｃ）はラジアルアンテナ３０による放射電界
の分布を示す概念図である。なお、図２（ａ）は本発明
の特徴が明確になるように概念的に示されている。ま
た、図２（ｃ）において、横軸はラジアルアンテナ３０
の中心から径方向への距離であり、縦軸はラジアルアン
テナ３０から放射される電界の強度である。
【００１６】ラジアルアンテナ３０は、図２（ｂ）に示
すように、上記放射面を構成する第１の導電板３１と、
この導電板３１に対して上方位置に対向配置された第２
の導電板３２と、導電板３１，３２の周縁を接続するリ
ング部材３４とから構成される。リング部材３４によ
り、導電板３１と導電板３２との間隔はｄ１に保持され
る。このような構成のラジアルアンテナ３０は中空円筒
形状をしており、２枚の導電板３１，３２によりマイク
ロ波ＭＷを導くラジアル導波路３３が構成される。導電
板３１，３２及びリング部材３４は、銅又はアルミニウ
ムなどの導電体により形成される。
すように、上記放射面を構成する第１の導電板３１と、
この導電板３１に対して上方位置に対向配置された第２
の導電板３２と、導電板３１，３２の周縁を接続するリ
ング部材３４とから構成される。リング部材３４によ
り、導電板３１と導電板３２との間隔はｄ１に保持され
る。このような構成のラジアルアンテナ３０は中空円筒
形状をしており、２枚の導電板３１，３２によりマイク
ロ波ＭＷを導くラジアル導波路３３が構成される。導電
板３１，３２及びリング部材３４は、銅又はアルミニウ
ムなどの導電体により形成される。
【００１７】導電板３２の中央部には、マイクロ波ＭＷ
が導入されるマイクロ波導入口３５が開口している。ま
た、放射面を構成する導電板３１には、図２（ａ）に示
すように周方向に延びるスロット３６が同心円状に多数
形成されている。図３は、スロット３６の形状の例を示
す図である。スロット３６の形状は図３（ａ）に示すよ
うな矩形状でも、図３（ｃ）に示すような円弧状でもよ
い。また、図３（ａ），（ｃ）に示すスロット３６の４
つの角を、図３（ｂ），（ｄ）に示すように丸めてもよ
い。図３（ａ）〜（ｄ）に示すスロット３６において、
長め方向の長さすなわちスロット長をＬ１、短め方向の
長さすなわち幅をＷ１とする。
が導入されるマイクロ波導入口３５が開口している。ま
た、放射面を構成する導電板３１には、図２（ａ）に示
すように周方向に延びるスロット３６が同心円状に多数
形成されている。図３は、スロット３６の形状の例を示
す図である。スロット３６の形状は図３（ａ）に示すよ
うな矩形状でも、図３（ｃ）に示すような円弧状でもよ
い。また、図３（ａ），（ｃ）に示すスロット３６の４
つの角を、図３（ｂ），（ｄ）に示すように丸めてもよ
い。図３（ａ）〜（ｄ）に示すスロット３６において、
長め方向の長さすなわちスロット長をＬ１、短め方向の
長さすなわち幅をＷ１とする。
【００１８】図２（ａ）に示すように、各スロット３６
のスロット長Ｌ１は、原則として導電板３１の中心から
離れるにしたがって長くなる。ただし、径方向におい
て、後述するリッジ３７に対向しない領域Ａ１と対向す
る領域Ａ２との境界の前後で不連続となっている。ラジ
アル導波路３３内におけるマイクロ波ＭＷの波長をλg
とすると、スロット長Ｌ１を最大でもλg/２に相当する
長さよりも十分短くする。このラジアルアンテナ３０で
は、最大のスロット長Ｌ１をλg/３とする。
のスロット長Ｌ１は、原則として導電板３１の中心から
離れるにしたがって長くなる。ただし、径方向におい
て、後述するリッジ３７に対向しない領域Ａ１と対向す
る領域Ａ２との境界の前後で不連続となっている。ラジ
アル導波路３３内におけるマイクロ波ＭＷの波長をλg
とすると、スロット長Ｌ１を最大でもλg/２に相当する
長さよりも十分短くする。このラジアルアンテナ３０で
は、最大のスロット長Ｌ１をλg/３とする。
【００１９】各スロット３６の幅Ｗ１は、ラジアル導波
路３３内の電磁界への影響などを考慮して、２ｍｍ程度
に設定される。径方向におけるスロット３６間のピッチ
はλg に基づいて設定される。図４（ａ）に示すような
放射型のアンテナを実現する場合には、上記ピッチをλ
g に相当する長さ程度に設定する。また、図４（ｂ）に
示すようなリーク型のアンテナを実現する場合には、上
記ピッチをλg/20〜λg/30に相当する長さ程度に設定す
る。
路３３内の電磁界への影響などを考慮して、２ｍｍ程度
に設定される。径方向におけるスロット３６間のピッチ
はλg に基づいて設定される。図４（ａ）に示すような
放射型のアンテナを実現する場合には、上記ピッチをλ
g に相当する長さ程度に設定する。また、図４（ｂ）に
示すようなリーク型のアンテナを実現する場合には、上
記ピッチをλg/20〜λg/30に相当する長さ程度に設定す
る。
【００２０】図１に示すように、ラジアルアンテナ３０
の中央部には、同軸線路４１が接続されている。この同
軸線路４１の外部導体４１Ａは導体板３２のマイクロ波
導入口３５に接続されている。また、同軸線路４１の中
心導体４１Ｂの先端は円錐状に成形され、この円錐の底
部が導体板３１の中心に接続されている。このようにラ
ジアルアンテナ３０に接続された同軸線路４１は、矩形
・同軸変換器４２及び矩形導波管４３を介して、マイク
ロ波発生器４５に接続されている。このマイクロ波発生
器４５は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波ＭＷを発
生するものである。なお、マイクロ波ＭＷの周波数は１
ＧＨｚ〜１０数ＧＨｚの範囲内であればよい。また、矩
形導波管４３の途中にインピーダンスのマッチングを行
うマッチング回路４４を設けることにより、電力の使用
効率を向上できる。
の中央部には、同軸線路４１が接続されている。この同
軸線路４１の外部導体４１Ａは導体板３２のマイクロ波
導入口３５に接続されている。また、同軸線路４１の中
心導体４１Ｂの先端は円錐状に成形され、この円錐の底
部が導体板３１の中心に接続されている。このようにラ
ジアルアンテナ３０に接続された同軸線路４１は、矩形
・同軸変換器４２及び矩形導波管４３を介して、マイク
ロ波発生器４５に接続されている。このマイクロ波発生
器４５は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波ＭＷを発
生するものである。なお、マイクロ波ＭＷの周波数は１
ＧＨｚ〜１０数ＧＨｚの範囲内であればよい。また、矩
形導波管４３の途中にインピーダンスのマッチングを行
うマッチング回路４４を設けることにより、電力の使用
効率を向上できる。
【００２１】また、図２（ｂ）に示すように、ラジアル
導波路３３内において導電板３２の下面に複数のリッジ
３６が固設されている。これらのリッジ３７は、銅又は
アルミニウムなどの導電体により形成され、導電板３６
側からビス止めされている。リッジ３７は高さｈがｄ１
より低い四角柱状の部材であり、導電板３１の上面まで
の距離を調整する調整手段として作用する。なお、各リ
ッジ３７のエッジのうちラジアル導波路３３の中心に最
も近いエッジ３７Ｅは、図２（ｂ）に示すように面取り
されている。各リッジ３７は、図２（ａ）に示すよう
に、導電板３２の中心から所定距離以上離れた放射電界
強度を大きくしたい領域Ａ２に、放射状に配設される。
このとき、リッジ３７はスロット３６と対向する領域に
配設される。なお、図４（ａ），（ｂ）に示すように導
電板３１の中央部を除く全域にスロット３６Ａ，３６Ｂ
が形成される場合には、各リッジ３７は周方向に連続配
置される。
導波路３３内において導電板３２の下面に複数のリッジ
３６が固設されている。これらのリッジ３７は、銅又は
アルミニウムなどの導電体により形成され、導電板３６
側からビス止めされている。リッジ３７は高さｈがｄ１
より低い四角柱状の部材であり、導電板３１の上面まで
の距離を調整する調整手段として作用する。なお、各リ
ッジ３７のエッジのうちラジアル導波路３３の中心に最
も近いエッジ３７Ｅは、図２（ｂ）に示すように面取り
されている。各リッジ３７は、図２（ａ）に示すよう
に、導電板３２の中心から所定距離以上離れた放射電界
強度を大きくしたい領域Ａ２に、放射状に配設される。
このとき、リッジ３７はスロット３６と対向する領域に
配設される。なお、図４（ａ），（ｂ）に示すように導
電板３１の中央部を除く全域にスロット３６Ａ，３６Ｂ
が形成される場合には、各リッジ３７は周方向に連続配
置される。
【００２２】リッジ３７が配設されていない領域Ａ１で
は、ラジアル導波路３３の高さは導電板３２から導電板
３１までの距離ｄ１となる。これに対して、リッジ３７
が配設されている領域Ａ２では、ラジアル導波路３３の
高さはリッジ３７から導電板３１までの距離ｄ２＝ｄ１
−ｈ（＜ｄ１）となる。リッジ３７を設けることにより
ラジアル導波路３３の高さが低くなった領域Ａ２におい
ては、電力密度が大きくなる。このためリッジ３７が設
けられている領域Ａ２では、スロット長Ｌ１をλg/２に
相当する長さよりも十分短くしても、放射電界強度を大
きくすることができる。
は、ラジアル導波路３３の高さは導電板３２から導電板
３１までの距離ｄ１となる。これに対して、リッジ３７
が配設されている領域Ａ２では、ラジアル導波路３３の
高さはリッジ３７から導電板３１までの距離ｄ２＝ｄ１
−ｈ（＜ｄ１）となる。リッジ３７を設けることにより
ラジアル導波路３３の高さが低くなった領域Ａ２におい
ては、電力密度が大きくなる。このためリッジ３７が設
けられている領域Ａ２では、スロット長Ｌ１をλg/２に
相当する長さよりも十分短くしても、放射電界強度を大
きくすることができる。
【００２３】スロット長Ｌ１をλg/２に相当する長さよ
りも十分短くすれば共振が抑えられるので、スロット３
６の幅Ｗ１が２ｍｍと狭くても、異常放電の誘起を防止
することができる。より好ましくは、Ｌ１＜λg/３とす
ることにより、異常放電の誘起を効果的に防止すること
ができる。さらに、導電板３２の中心からの距離に応じ
て各スロット３６のスロット長Ｌ１を調整して放射電界
強度を制御することにより、異常放電の誘起させること
なく、例えば図２（ｃ）に示すような電界放射分布を得
ることができる。なお、ラジアル導波路３３内に、セラ
ミックなどの比誘電率が１より大きい誘電体材料からな
る遅延部材を配置するようにしてもよい。この遅延部材
を用いることにより、電界放射効率を向上させることが
できる。
りも十分短くすれば共振が抑えられるので、スロット３
６の幅Ｗ１が２ｍｍと狭くても、異常放電の誘起を防止
することができる。より好ましくは、Ｌ１＜λg/３とす
ることにより、異常放電の誘起を効果的に防止すること
ができる。さらに、導電板３２の中心からの距離に応じ
て各スロット３６のスロット長Ｌ１を調整して放射電界
強度を制御することにより、異常放電の誘起させること
なく、例えば図２（ｃ）に示すような電界放射分布を得
ることができる。なお、ラジアル導波路３３内に、セラ
ミックなどの比誘電率が１より大きい誘電体材料からな
る遅延部材を配置するようにしてもよい。この遅延部材
を用いることにより、電界放射効率を向上させることが
できる。
【００２４】次に、図１に示したエッチング装置の動作
を説明する。基板２１を載置台２２の上面に載置した状
態で、処理容器１１内を例えば０．０１〜１０Ｐａ程度
の真空度にする。次に、この真空度を維持しつつ、プラ
ズマガス供給ノズル１５からプラズマガスとしてＡｒを
供給し、処理ガス供給ノズル１６からＣＦ4 などのエッ
チングガスを流量制御して供給する。処理容器１１内に
プラズマガス及びエッチングガスが供給された状態で、
マイクロ波発生器４５からのマイクロ波ＭＷを矩形導波
管４３、矩形・同軸変換器４２及び同軸線路４１を介し
てラジアルアンテナ３０に供給する。
を説明する。基板２１を載置台２２の上面に載置した状
態で、処理容器１１内を例えば０．０１〜１０Ｐａ程度
の真空度にする。次に、この真空度を維持しつつ、プラ
ズマガス供給ノズル１５からプラズマガスとしてＡｒを
供給し、処理ガス供給ノズル１６からＣＦ4 などのエッ
チングガスを流量制御して供給する。処理容器１１内に
プラズマガス及びエッチングガスが供給された状態で、
マイクロ波発生器４５からのマイクロ波ＭＷを矩形導波
管４３、矩形・同軸変換器４２及び同軸線路４１を介し
てラジアルアンテナ３０に供給する。
【００２５】ラジアルアンテナ３０に供給されたマイク
ロ波ＭＷは、導電板３１，３２により形成されるラジア
ル導波路３３の中央部から周縁部に向かって放射状に伝
搬してゆく。このときマイクロ波ＭＷは各スロット３６
から少しずつ放射されてゆくので、ラジアル導波路３３
内を伝搬するマイクロ波ＭＷの電力は周縁部に近づくに
したがって徐々に低下してゆく。しかし、導電板３２の
中心から所定距離以上離れたリッジ３７が配設された領
域Ａ２では、ラジアル導波路３３の高さがｄ１からｄ２
となり、リッジ３７の高さｈだけ低くなるので、ラジア
ル導波路３３内の電力密度は従来ほど小さくならない。
したがって、スロット長Ｌ１がλg/３に相当する長さよ
り短い場合でも、すべてのスロット３６から放射される
マイクロ波ＭＷの電界強度は十分大きくなる。その一
方、Ｌ１＜λg/３であるので、スロット３６の幅Ｗ１が
２ｍｍと狭くても、異常放電は誘起されない。このた
め、従来のように放電によるスロット３６の周囲の歪み
及び溶解は生じない。
ロ波ＭＷは、導電板３１，３２により形成されるラジア
ル導波路３３の中央部から周縁部に向かって放射状に伝
搬してゆく。このときマイクロ波ＭＷは各スロット３６
から少しずつ放射されてゆくので、ラジアル導波路３３
内を伝搬するマイクロ波ＭＷの電力は周縁部に近づくに
したがって徐々に低下してゆく。しかし、導電板３２の
中心から所定距離以上離れたリッジ３７が配設された領
域Ａ２では、ラジアル導波路３３の高さがｄ１からｄ２
となり、リッジ３７の高さｈだけ低くなるので、ラジア
ル導波路３３内の電力密度は従来ほど小さくならない。
したがって、スロット長Ｌ１がλg/３に相当する長さよ
り短い場合でも、すべてのスロット３６から放射される
マイクロ波ＭＷの電界強度は十分大きくなる。その一
方、Ｌ１＜λg/３であるので、スロット３６の幅Ｗ１が
２ｍｍと狭くても、異常放電は誘起されない。このた
め、従来のように放電によるスロット３６の周囲の歪み
及び溶解は生じない。
【００２６】ラジアルアンテナ３０から放射されたマイ
クロ波ＭＷは、誘電板１３を透過して、処理容器１１内
に導入される。このマイクロ波ＭＷは、処理容器１１内
に電界を形成してＡｒを電離させることにより、処理対
象の基板１１の上部空間Ｓ１にプラズマを生成する。こ
のエッチング装置では、載置台２２に負電位がバイアス
されているので、生成されたプラズマからイオンが引き
出されて、基板２１に対してエッチング処理が行われ
る。
クロ波ＭＷは、誘電板１３を透過して、処理容器１１内
に導入される。このマイクロ波ＭＷは、処理容器１１内
に電界を形成してＡｒを電離させることにより、処理対
象の基板１１の上部空間Ｓ１にプラズマを生成する。こ
のエッチング装置では、載置台２２に負電位がバイアス
されているので、生成されたプラズマからイオンが引き
出されて、基板２１に対してエッチング処理が行われ
る。
【００２７】なお、図２に示したラジアルアンテナ３０
では一定の高さｈのリッジ３７を用いているが、図５に
示すラジアルアンテナ３０Ａように、高さが径方向に連
続的に変化するリッジ３７Ａを導電板３２の下面に配設
して、導電板３１と対向する下面が傾斜するようにして
もよい。このとき、ラジアルアンテナ３０Ａ内外のイン
ピーダンスマッチングを考慮して、リッジ３７Ａの傾斜
を設計するとよい。
では一定の高さｈのリッジ３７を用いているが、図５に
示すラジアルアンテナ３０Ａように、高さが径方向に連
続的に変化するリッジ３７Ａを導電板３２の下面に配設
して、導電板３１と対向する下面が傾斜するようにして
もよい。このとき、ラジアルアンテナ３０Ａ内外のイン
ピーダンスマッチングを考慮して、リッジ３７Ａの傾斜
を設計するとよい。
【００２８】（第２の実施の形態）図２に示したラジア
ルアンテナ３０ではリッジ３７が放射状に配設されてい
るが、リッジが導電板３２の周縁に沿って配設されても
よい。図６は、このようにリッジが配設されたラジアル
アンテナの構成図である。ここで、図６（ａ）はラジア
ルアンテナの放射面を示す平面図、図６（ｂ）は図６
（ａ）におけるVIｂ−VIｂ′線方向の断面図である。な
お、図６（ａ）は本発明の特徴が明確になるように概念
的に示されている。また、図６において、図２と同一部
分を同一符号をもって示し、適宜その説明を省略する。
ルアンテナ３０ではリッジ３７が放射状に配設されてい
るが、リッジが導電板３２の周縁に沿って配設されても
よい。図６は、このようにリッジが配設されたラジアル
アンテナの構成図である。ここで、図６（ａ）はラジア
ルアンテナの放射面を示す平面図、図６（ｂ）は図６
（ａ）におけるVIｂ−VIｂ′線方向の断面図である。な
お、図６（ａ）は本発明の特徴が明確になるように概念
的に示されている。また、図６において、図２と同一部
分を同一符号をもって示し、適宜その説明を省略する。
【００２９】図６に示すように、ラジアル導波路１３３
内における導電板３２の下面に、調整手段として作用す
る３個のリッジ１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃが周縁に
沿って固設されている。これらのリッジ１３７Ａ〜１３
７Ｃは導電板３２の周縁に沿う同心円形状をしており、
この順に内側から配設されている。また、各リッジ１３
７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃの高さをそれぞれｈ１，ｈ
２，ｈ３とすると、ｈ１＜ｈ２＜ｈ３となっている。つ
まり、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃの高さは、導電板３２
の中心から離れるにしたがって高くなる。したがって、
ラジアル導波路１３３の高さは、ラジアル導波路１３３
の中心から離れるにしたがって低くなる。これにより、
ラジアル導波路１３３内の径方向における電力密度を変
えることが可能となる。
内における導電板３２の下面に、調整手段として作用す
る３個のリッジ１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃが周縁に
沿って固設されている。これらのリッジ１３７Ａ〜１３
７Ｃは導電板３２の周縁に沿う同心円形状をしており、
この順に内側から配設されている。また、各リッジ１３
７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃの高さをそれぞれｈ１，ｈ
２，ｈ３とすると、ｈ１＜ｈ２＜ｈ３となっている。つ
まり、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃの高さは、導電板３２
の中心から離れるにしたがって高くなる。したがって、
ラジアル導波路１３３の高さは、ラジアル導波路１３３
の中心から離れるにしたがって低くなる。これにより、
ラジアル導波路１３３内の径方向における電力密度を変
えることが可能となる。
【００３０】したがって、図２に示したラジアルアンテ
ナ３０と同様に、スロット長Ｌ１をλg/２に相当する長
さよりも十分短い長さ、例えばλg/３に相当する長さよ
りも短くしても、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃを設けるこ
とにより、放射電界強度を大きくすることができる。ま
た、スロット３６の幅Ｗ１が２ｍｍと狭くても、異常放
電の誘起を防止することができる。なお、ここでは３個
のリッジ１３７Ａ〜１３７Ｃが同心円状に配設された例
を示したが、リッジの個数は３個には限定されない。ま
た、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃの高さｈ１，ｈ２，ｈ３
はそれぞれ一定であるが、図５に示したリッジ３７と同
様に、高さが径方向に連続的に変化していてもよい。
ナ３０と同様に、スロット長Ｌ１をλg/２に相当する長
さよりも十分短い長さ、例えばλg/３に相当する長さよ
りも短くしても、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃを設けるこ
とにより、放射電界強度を大きくすることができる。ま
た、スロット３６の幅Ｗ１が２ｍｍと狭くても、異常放
電の誘起を防止することができる。なお、ここでは３個
のリッジ１３７Ａ〜１３７Ｃが同心円状に配設された例
を示したが、リッジの個数は３個には限定されない。ま
た、リッジ１３７Ａ〜１３７Ｃの高さｈ１，ｈ２，ｈ３
はそれぞれ一定であるが、図５に示したリッジ３７と同
様に、高さが径方向に連続的に変化していてもよい。
【００３１】以上では本発明によるラジアルアンテナを
用いたプラズマ装置をエッチング装置に適用した場合を
例に説明したが、例えばプラズマＣＶＤ装置などの他の
プラズマ装置に適用してもよいことは言うまでもない。
また、本発明によるラジアルアンテナの用途は上述した
プラズマ装置に限定されるものではない。例えば本発明
によるラジアルアンテナを通信用アンテナに使用しても
よく、特にアレイアンテナの送受信信号を分配合成する
分配合成器に利用してもよい。
用いたプラズマ装置をエッチング装置に適用した場合を
例に説明したが、例えばプラズマＣＶＤ装置などの他の
プラズマ装置に適用してもよいことは言うまでもない。
また、本発明によるラジアルアンテナの用途は上述した
プラズマ装置に限定されるものではない。例えば本発明
によるラジアルアンテナを通信用アンテナに使用しても
よく、特にアレイアンテナの送受信信号を分配合成する
分配合成器に利用してもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のラジアル
アンテナでは、ラジアル導波路を形成する第２の導電板
から第１の導電板までの距離を調整する調整部材を備え
る。したがって、従来電力密度が小さくなるラジアル導
波路の周縁部分において、ラジアル導波路の高さを低く
することにより電力密度を大きくすることができるの
で、スロット長をλg/２に相当する長さよりも十分短く
しても、放射電界強度を大きくすることができる。した
がって、放射電界強度を大きくしたい領域に対応して調
整部材を設けることにより、異常放電を誘起させること
なく、所望の電界放射分布を得ることができる。
アンテナでは、ラジアル導波路を形成する第２の導電板
から第１の導電板までの距離を調整する調整部材を備え
る。したがって、従来電力密度が小さくなるラジアル導
波路の周縁部分において、ラジアル導波路の高さを低く
することにより電力密度を大きくすることができるの
で、スロット長をλg/２に相当する長さよりも十分短く
しても、放射電界強度を大きくすることができる。した
がって、放射電界強度を大きくしたい領域に対応して調
整部材を設けることにより、異常放電を誘起させること
なく、所望の電界放射分布を得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態であるエッチング
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図２】 ラジアルアンテナの一構成例及び電界放射の
分布を示す図である。
分布を示す図である。
【図３】 図２に示したラジアルアンテナに形成される
スロットの形状を示す図である。
スロットの形状を示す図である。
【図４】 放射面を構成する導電板の構成例を示す平面
図である。
図である。
【図５】 リッジの変形例を示す断面図である。
【図６】 ラジアルアンテナの他の構成例及び電界放射
の分布を示す図である。
の分布を示す図である。
【図７】 マイクロ波プラズマ装置に従来から用いられ
ているラジアルアンテナの一構成例及び電界放射の分布
を示す図である。
ているラジアルアンテナの一構成例及び電界放射の分布
を示す図である。
【図８】 図７に示したラジアルアンテナに形成される
スロットの形状を示す図である。
スロットの形状を示す図である。
【符号の説明】 １１…処理容器、２１…被処理体、２２…載置台、３
０，３０Ａ，１３０…ラジアルアンテナ、３１，３２，
１３１…導電板、３３，１３３…ラジアル導波路、３
７，３７Ａ，１３７Ａ〜１３７Ｃ…リッジ、３６，１３
６…スロット、Ｌ１…スロット長、ＭＷ…マイクロ波、
ｈ，ｈ１〜ｈ３…リッジの高さ。
０，３０Ａ，１３０…ラジアルアンテナ、３１，３２，
１３１…導電板、３３，１３３…ラジアル導波路、３
７，３７Ａ，１３７Ａ〜１３７Ｃ…リッジ、３６，１３
６…スロット、Ｌ１…スロット長、ＭＷ…マイクロ波、
ｈ，ｈ１〜ｈ３…リッジの高さ。
フロントページの続き (72)発明者 篠原 己拔 神奈川県横浜市緑区中山町1119 日本高周 波株式会社内 Ｆターム(参考） 4G075 AA24 BC01 BC04 BC05 BC06 CA26 CA47 CA65 DA02 EB01 EB41 EC06 EC30 FB02 FC11 FC15 5F004 BA20 BB13 BB14 BB29 BC01 CA06 DA23 5F045 AA09 DP03 EB10 EF05 EH02 EH03 EH04 EH05 EH20
Claims (6)
- 【請求項１】 複数のスロットが形成された第１の導電
板と、マイクロ波導入口を有し前記第１の導電板に対向
配置された第２の導電板と、前記第１及び第２の導電板
の周縁を接続するリング部材とを備えたラジアルアンテ
ナにおいて、 前記第１及び第２の導電板により形成されるラジアル導
波路内の前記第２の導電板上に設けられ、前記第１の導
電板までの距離を調整する導電性の調整部材を備えたこ
とを特徴とするラジアルアンテナ。 - 【請求項２】 請求項１記載のラジアルアンテナにおい
て、 複数の前記調整部材が平面視放射状に配設されているこ
とを特徴とするラジアルアンテナ。 - 【請求項３】 請求項１記載のラジアルアンテナにおい
て、 前記調整部材は、前記第２の導電板の周縁に沿って配設
されていることを特徴とするラジアルアンテナ。 - 【請求項４】 請求項１〜３いずれか１項記載のラジア
ルアンテナにおいて、 前記調整部材の高さは、前記第２の導電板の中心から離
れるにしたがって高くなるように設定されていることを
特徴とするラジアルアンテナ。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載のラジア
ルアンテナにおいて、 前記スロットは、略矩形状又は円弧状をしており、 前記スロットのスロット長は、前記ラジアル導波路内を
伝搬するマイクロ波の波長の１／３に相当する長さより
も短いことを特徴とするラジアルアンテナ。 - 【請求項６】 被処理体を載置する載置台が内部に配置
された気密な処理容器と、前記載置台の上方位置に配設
され前記処理容器内にマイクロ波を供給するアンテナ手
段とを備えたプラズマ装置において、 前記アンテナ手段は、請求項１〜５いずれか１項記載の
ラジアルアンテナであることを特徴とするプラズマ装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236716A JP4598247B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置 |
| TW090118910A TWI281365B (en) | 2000-08-04 | 2001-08-02 | Radial antenna and plasma device using the same |
| AU2001276725A AU2001276725A1 (en) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | Radial antenna and plasma device using it |
| US10/343,221 US7296533B2 (en) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | Radial antenna and plasma device using it |
| PCT/JP2001/006698 WO2002013250A1 (fr) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | Antenne radiale et dispositif à plasma l'utilisant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000236716A JP4598247B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050615A true JP2002050615A (ja) | 2002-02-15 |
| JP4598247B2 JP4598247B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000236716A Expired - Fee Related JP4598247B2 (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP4598247B2 (ja) |
| AU (1) | AU2001276725A1 (ja) |
| TW (1) | TWI281365B (ja) |
| WO (1) | WO2002013250A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077302A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma et procede de production de plasma |
| WO2004032219A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| US6998565B2 (en) | 2003-01-30 | 2006-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2006324693A (ja) * | 2006-08-10 | 2006-11-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ生成方法 |
| JP2007311668A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| US7445690B2 (en) | 2002-10-07 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2009041499A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びそのガス排気方法 |
| JP2009224455A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2014089976A (ja) * | 2013-12-24 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板 |
| CN107454732A (zh) * | 2016-05-16 | 2017-12-08 | 三星电子株式会社 | 天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置 |
| JP2017228354A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波供給装置、プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3974553B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2007-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用アンテナおよびプラズマ処理方法 |
| US7493869B1 (en) | 2005-12-16 | 2009-02-24 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Very large area/volume microwave ECR plasma and ion source |
| JP2008059991A (ja) | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Canon Inc | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| DE102008057947A1 (de) * | 2008-11-19 | 2010-05-20 | Mitec Automotive Ag | Ausgleichswelle für einen Hubkolbenmotor |
| GB201021870D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| GB201021913D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture |
| GB201021860D0 (en) * | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for diamond synthesis |
| GB201021855D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Microwave power delivery system for plasma reactors |
| MY173889A (en) | 2010-12-23 | 2020-02-26 | Element Six Ltd | Controlling doping of synthetic diamond material |
| GB201021853D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| GB201021865D0 (en) | 2010-12-23 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material |
| WO2013098795A1 (en) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Selex Galileo S.P.A. | Slotted waveguide antenna for near-field focalization of electromagnetic radiation |
| NL2017575B1 (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-13 | Draka Comteq Bv | A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method |
| CN107611580B (zh) * | 2017-08-17 | 2018-09-07 | 北京遥感设备研究所 | 一种基于固体等离子体的极化可重构天线 |
| CN114792618A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-26 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 等离子体设备的下电极结构和等离子体设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164394A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3233575B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2001-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5698036A (en) * | 1995-05-26 | 1997-12-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JPH1167492A (ja) * | 1997-05-29 | 1999-03-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP3539613B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2004-07-07 | 株式会社日立製作所 | ループ飛び出し文を含むループに対する配列サマリ解析方法 |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000236716A patent/JP4598247B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-02 TW TW090118910A patent/TWI281365B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-03 WO PCT/JP2001/006698 patent/WO2002013250A1/ja active Application Filing
- 2001-08-03 AU AU2001276725A patent/AU2001276725A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-03 US US10/343,221 patent/US7296533B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000164394A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003077302A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma et procede de production de plasma |
| CN100440448C (zh) * | 2002-03-12 | 2008-12-03 | 东京威力科创股份有限公司 | 等离子体处理设备和等离子体产生方法 |
| US7445690B2 (en) | 2002-10-07 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2004032219A1 (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-15 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置 |
| US8163128B2 (en) | 2002-10-07 | 2012-04-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US6998565B2 (en) | 2003-01-30 | 2006-02-14 | Rohm Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2007311668A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| WO2007136043A1 (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Tokyo Electron Limited | 平面アンテナ部材及びこれを用いたプラズマ処理装置 |
| TWI392015B (zh) * | 2006-05-22 | 2013-04-01 | Tokyo Electron Ltd | A planar antenna member and a plasma processing apparatus using the same |
| JP4486068B2 (ja) * | 2006-08-10 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ生成方法 |
| JP2006324693A (ja) * | 2006-08-10 | 2006-11-30 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ生成方法 |
| WO2009041499A1 (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置及びそのガス排気方法 |
| JP2009088185A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びそのガス排気方法 |
| JP2009224455A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Tokyo Electron Ltd | 平面アンテナ部材およびこれを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2014089976A (ja) * | 2013-12-24 | 2014-05-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びこれに用いる遅波板 |
| CN107454732A (zh) * | 2016-05-16 | 2017-12-08 | 三星电子株式会社 | 天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置 |
| JP2017228354A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波供給装置、プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法 |
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