CN104081883A - 等离子处理装置和等离子处理方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 62
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 51
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 39
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3326—Problems associated with coating high speed
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种等离子处理装置，针对大尺寸的基板，能够在改善用VHF频带那样的高频激励的等离子的密度的均匀性的同时实现小型化及降低制造成本。等离子处理装置具有：波导路构件(401)，其用于形成波导路(WG)；第一电极(450A)和第二电极(450B)，其配置为面对等离子形成空间，与波导路构件(401)协作来形成波导路(WG)，并且与波导路构件(401)电连接；同轴管(225)，其用于向该波导路内供给电磁能；电介质板(420)，其配置于波导路(WG)内，并沿着长度方向(A)延伸；以及第一导电体(430A)和第二导电体(430B)，其在波导路(WG)内相对于电介质板(420)配置于波导路的宽度方向(B)上的至少一侧，且沿着电介质板(420)延伸，并且分别与第一电极和第二电极电连接。
Description
技术领域
本发明涉及在基板上实施等离子处理的等离子处理装置和等离子处理方法。
背景技术
在平板显示器、太阳能电池、半导体装置等的制造工序中，在薄膜的形成、蚀刻等中使用有等离子。等离子是例如通过将气体导入到真空腔内，并向设置在真空腔内的电极施加数MHz～数百MHz的高频而生成的。为了提高生产率，平板显示器、太阳能电池用的玻璃基板的尺寸年年增大，目前用超过2m四方形的玻璃基板进行批量生产。
在等离子CVD(Chemical Vapor Deposition)等的成膜工艺中，为了提高成膜速度，要求更高密度的等离子。此外，为了将向基板表面入射的离子能量抑制得较低来降低离子照射伤害并抑制气体分子的过剩离解，要求电子温度较低的等离子。通常，当提高等离子激励频率时，等离子密度增加且电子温度下降。因而，为了利用较高的总生产能力成膜高品质的薄膜，需要提高等离子激励频率。因此，在等离子处理中使用比通常的高频电源的频率13.56MHz高的、30MHz～300MHz的VHF(Very High Frequency)带的高频率来进行生产(例如，参照专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9－312268号公报
专利文献2：日本特开2009－021256号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，当要处理的玻璃基板的尺寸例如像2m四方形那样大时，在利用上述那样的VHF带的等离子激励频率进行等离子处理的情况下，由于在被施加了高频的电极内所产生的表面波的驻波，导致等离子密度的均匀性下降。通常，当被施加了高频的电极的尺寸比自由空间的波长的1/20大时，在不进行任何对策的情况下，不能激励均匀的等离子。
本发明提供一种等离子处理装置，针对比超过2m四方形那样更大尺寸的基板，能够改善利用VHF频带那样的高频所激励的等离子的密度的均匀性。
用于解决问题的方案
本发明的等离子处理装置的特征在于，其具有：波导路构件，其用于形成与长度方向正交的方向上的截面呈矩形的波导路；电场形成用的第一电极和第二电极，其配置为面对等离子形成空间，与上述波导路构件协作来形成上述波导路，并且与该波导路构件电连接；传送路，其从上述长度方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电介质板，其配置于上述波导路内，并沿着上述长度方向延伸；以及至少一个导电体，其在上述波导路内相对于上述电介质板配置在该波导路的宽度方向上的至少一侧，且沿着上述电介质板延伸，并且与上述第一电极和第二电极中的一者电连接。
发明的效果
根据本发明，针对更大尺寸的被处理体(基板)，能够在波导路的长度方向上改善利用VHF频带所激励的等离子的等离子密度的均匀性。此外，根据本发明，能够实现装置的小型化和制造成本的降低。
附图说明
图1是表示等离子处理装置的一例的剖视图。
图2是图1的等离子处理装置的II－II剖视图。
图3A是表示处于截止状态的导波管的立体剖视图。
图3B是与图3A的导波管处于等价关系的波导路的立体剖视图。
图4是表示图1的等离子处理装置中的基本类型的等离子发生机构的构造的立体剖视图。
图5是表示本发明的第一实施方式的等离子发生机构的构造的立体剖视图。
图6是表示图5的波导路与同轴管之间的连接关系的剖视立体图。
图7是表示本发明的第二实施方式的等离子发生机构的构造的立体剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。另外，在本说明书和附图中，针对实质上具有相同功能结构的结构要素，通过标注相同的附图标记来省略重复说明。
(等离子处理装置的基本结构)
首先，参照图1和图2对本发明可应用的类型的等离子处理装置的一例进行说明。图1是图2的I－I剖视图，图2是图1的II－II剖视图。图1及图2所示的等离子处理装置10具有如下结构：利用以被供给的电磁波共振的方式设计的波导路向电极供给电磁能，从而能够沿着波导路的长度方向激励均匀密度的等离子。
在此，对波导路的共振进行说明。首先，如图3A所示，考虑矩形波导管GT的管内波长，该波导管GT具有长边长度为a、短边长度为b的截面。管内波长λg由式(1)表示。
(式1)
在此，λ是自由空间的波长，εr是波导管内的相对介电常数，μr是波导管内的相对磁导率。根据式(1)，得知在εr＝μr＝1时波导管GT的管内波长λg始终比自由空间的波长λ长。当λ＜2a时，在长边长度a变短时管内波长λg变长。当λ＝2a时，即当长边长度a等于自由空间的波长λ的1/2时，分母为0，管内波长λg变为无限大。此时，波导管GT变为截止状态，在波导管GT内传送的电磁波的相位速度变为无限大，群速度变为0。而且，当λ＞2a时，虽然电磁波不能在波导管内传送，但能够进入某程度的距离。另外，虽然一般该状态也称作截止状态，但在此处，将λ＝2a时设为截止状态。例如，在等离子激励频率为60MHz时，在中空波导管内，a变为250cm，在氧化铝波导管内，a变为81cm。
图3B表示等离子处理装置10所使用的基本类型的波导路。形成该波导路WG的波导路构件GM由导电性构件形成，并具有在波导方向(长度方向)A、宽度方向B上相互面对的侧壁部W1、W2和在侧壁部W1、W2的高度方向H的下端部呈法兰状延伸的第一电极部EL1、第二电极部EL2。此外，在侧壁部W1和W2之间所形成的间隙内插入有板状的电介质DI。该电介质DI发挥防止在波导路WG内激励等离子的作用。图3B所示的波导路WG的宽度w被设定为与波导路的短边长度b相等的值，高度h被设定为比λ/4(a/2)小的最佳值，以使与处于截止状态的波导管GT电等效。在波导路WG内，形成由L(电感)和C(电容)构成的LC共振电路，通过变成截止状态，所供给的电磁波共振。如果将在波导路WG中沿波导方向A传播的高频波长设为无限大，则沿着电极EL1及电极EL2的长度方向形成均匀的高频电场，并在长度方向上激励密度均匀的等离子。另外，当将从波导路WG观察等离子侧而得到的阻抗假设为无限大时，波导路WG能够当作在长度方向上将矩形波导管恰好二等分的传送路。因而，当波导路WG的高度h为λ/4时，管内波长λg变得无限大。然而，实际上从波导路WG观察等离子侧而得到的阻抗是电容性的，因此使管内波长λg为无限大的波导路WG的高度h比λ/4小。
等离子处理装置10具有用于在内部载置基板G的真空容器100，在内部对玻璃基板(以下称作基板G)进行等离子处理。真空容器100的截面为矩形，由铝合金等金属形成并接地。真空容器100的上部开口被顶棚部105覆盖。基板G被载置在载置台115上。另外，基板G是被处理体的一例，并不限定于此，也可以是硅晶圆等。
在真空容器100的底部，设置有用于载置基板G的载置台115。在载置台115的上方，隔着等离子形成空间PS设置有多个(两个)等离子发生机构200。等离子发生机构200被固定在真空容器100的顶棚部105。
各个等离子发生机构200具有由铝合金形成的同尺寸的两个波导路构件201A、201B；同轴管225；以及插入到在两个面对的波导路构件201A、201B之间所形成的波导路WG内的电介质板220。
波导路构件201A、201B分别具有为了形成波导路WG而彼此以规定间隙面对的平板部201W；以及在该平板部201W的下端部被形成为法兰状的、用于激励等离子的电场形成用的电极部201EA、201EB。波导路构件201A、201B的上端部与由导电性材料形成的顶棚部105连接，波导路构件201A、201B的上端部彼此电连接。
电介质板220由氧化铝或石英等电介质形成，从波导路WG的下端朝向上方并延伸至该波导路WG的中途。由于波导路WG的上部短路，因此波导路WG的上侧电场比下侧电场弱。因而，如果利用电介质板220堵塞电场较强的波导路WG的下侧，则波导路WG的上部也可以是空的。不言而喻，也可以利用电介质板220填充至波导路WG的上部。
如图2所示，同轴管225被连接到波导路WG的长度方向A的大致中央位置上，该位置变为馈电位置。同轴管225的外部导体225b由波导路构件201B的一部分构成，内部导体225a1穿过外部导体225b的中心部。内部导体225a1的下端部与相对于该内部导体225a1垂直配置的内部导体225a2电连接。内部导体225a2贯穿在电介质板220上开的孔，与波导路构件201A侧的电极部201EA电连接。
同轴管225的内部导体225a1、225a2与等离子发生机构200的一个电极部201EA电连接，同轴管225的外部导体225b与等离子发生机构200的另一个电极部201EB电连接。高频电源250经由匹配器245被连接在同轴管225的上端。从高频电源250供给的高频电力经由同轴管225从长度方向A的中央位置朝向波导路WG的两端部传递。
内部导体225a2贯穿电介质板220。分别被设于相邻的等离子发生机构200的内部导体225a2贯穿各个等离子发生机构200的电介质板220的朝向为相互反向。在此，当分别向两个等离子发生机构200的同轴管225馈电同振幅、同相位的高频时，如图4所示，在两个等离子发生机构200的电极部201EA、201EB分别施加有振幅相等且反相位的高频。另外，在本说明书中，高频是指10MHz～3000MHz的频带，是电磁波的一例。此外，同轴管225是供给高频的传送路的一例，替代同轴管225，也可以使用同轴电缆、矩形波导管等。
如图1所示，为了防止在电极部201EA、201EB的侧面放电以及等离子向上部侵入，电极部201EA、201EB的在宽度方向B上的侧面被第一电介质罩221覆盖。如图2所示，将波导路WG的长度方向A的端面设为开放状态，并且为了防止在两侧面的放电，平板部201W的长度方向A的两侧面被第二电介质罩215覆盖。
电极部201EA、201EB的下表面形成为与电介质板220的下端面位于大致同一面，但电介质板220的下端面也可以相对于电极部201EA、201EB的下表面突出或凹陷。电极部201EA、201EB兼作喷淋板(シャワープレート)。具体而言，在电极部201EA、201EB的下表面形成凹陷，喷淋板用的电极盖270嵌入到该凹陷内。在电极盖270上设置有多个气体放出孔，穿过气体流路的气体从该气体放出孔向基板G侧放出。在气体流路的下端设置有由氧化铝等的电绝缘体构成的气体喷嘴(参照图4)。
为了进行均匀的处理，仅等离子的密度均匀是不够的。由于气体压力、原料气体的密度、反应生成气体的密度、气体的停滞时间、基板温度等对处理带来影响，因此这些在基板G上必须均匀。在通常的等离子处理装置中，在与基板G面对的部分上设置有喷淋板，用于朝向基板供给气体。气体从基板G的中央部朝向外周部流动，并从基板的周围排气。基板中央部的压力必然比外周部的压力高，基板外周部的停滞时间必然比中央部的停滞时间长。当基板尺寸变大时，因该压力和停滞时间的均匀性恶化，不能进行均匀的处理。为了对大面积基板进行均匀的处理，需要从基板G的正上方供给气体，同时从基板正上方排气。
在等离子处理装置10中，在相邻的等离子发生机构200之间设置有排气狭缝C。即，从气体供给器290输出的气体经由在等离子发生机构200内形成的气体流路而从等离子发生机构200的下表面向处理室内供给，并从设于基板G的正上方的排气狭缝C向上方排气。穿过排气狭缝C的气体在利用相邻的等离子发生机构200而在排气狭缝C的上部形成的第一排气通路281内流动，并被引导至设于第二电介质罩215和真空容器100之间的第二排气通路283。而且，在设于真空容器100的侧壁的第三排气通路285内向下方流动，并利用设于第三排气通路285下方的真空泵(未图示)排出。
在顶棚部105形成有制冷剂流路295a。从制冷剂供给器295输出的制冷剂在制冷剂流路295a中流动，由此，经由等离子发生机构200，将从等离子流入的热向顶棚部105侧传递。
在等离子处理装置10内，为了电气性改变波导路WG的有效高度h，设置有阻抗变换电路380。除了设置在电极长度方向中央部的、供给高频的同轴管225之外，在电极长度方向两端附近，设置有分别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。为了不妨碍第一气体排气通路281的气体流动，同轴管385的内部导体385a2设置在比同轴管225的内部导体225a2靠上方的位置。
作为阻抗变换电路380的结构例，可以考虑仅为可变电容器的结构、将可变电容器和线圈并联连接的结构、将可变电容器和线圈串联连接的结构等。
在等离子处理装置10中，以当变为截止状态时从同轴管225观察到的反射变为最小的方式调节波导路WG的有效高度。此外，优选的是，即使在处理中，也可以调节波导路的有效高度。因此，在等离子处理装置10中，将反射计300安装在匹配器245和同轴管225之间，监控从同轴管225观察到的反射状态。向控制部305发送由反射计300得到的检测值。控制部305根据检测值进行指示，以调整阻抗变换电路380。由此，调整波导路WG的有效高度，使从同轴管225观察到的反射最小。另外，如果进行以上控制，由于能够将反射系数抑制得相当小，因此也能够省略匹配器245的设置。
如果向相邻的两个等离子发生机构200供给反相位的高频，则如图4所示，在相邻的两个电极部201EA、201EA施加有同相位的高频。在该状态下，由于不向等离子发生机构200之间的排气狭缝C施加高频电场，因此在该部分不产生等离子。
为了不在排气狭缝C处产生电场，将分别向相邻的等离子发生机构200的波导路WG传递的高频的相位错开180°，使高频的电场反向地施加。
如图1所示，配置于左侧的等离子发生机构200的同轴管的内部导体225a2和配置于右侧的等离子发生机构200的同轴管的内部导体225a2反向地配置。由此，从高频电源250供给的同相位的高频经由同轴管被传递至波导路WG时变为反相。
另外，在将内部导体225a2配置为相同朝向的情况下，通过从高频电源250向相邻的电极对分别施加反相的高频，能够使在等离子发生机构200的所有的电极部201EA、201EB的下表面形成的高频电场成为相同朝向，能够使排气狭缝C中的高频电场变为0。
第一实施方式
在上述结构的等离子发生机构200中，通过将波导路WG设为截止状态，能够在例如长度2m以上的电极上激励均匀的等离子。然而，为了将波导路WG设为截止状态，例如，在等离子激励频率为60MHz的情况下，需要将波导路WG的高度h设为380mm左右，其结果，波导路构件201形成为在长度方向A上具有2000mm以上的尺寸、在高度方向H上具有400mm左右的尺寸的构件。因此，导致装置的制造成本增高，并且包含真空容器100的装置的大小变得非常大。在本实施方式中，对既能够在长度为2m以上的电极上激励均匀的等离子又小型化从而能够抑制制造成本的等离子处理装置进行说明。
图5是本实施方式的等离子发生机构400的立体剖视图。图6是表示图5的等离子发生机构400中的波导路与同轴管之间的连接关系的立体剖视图。另外，等离子发生机构400分别对应于图1和图4所示的两个等离子发生机构200。即，本实施方式的等离子处理装置是利用图5所示的等离子发生机构400分别替换图1和图4所示的两个等离子发生机构200而成的装置。本实施方式的等离子处理装置设有即使载荷变化也始终将波导路设为截止状态用的调整机构，即，上述两个阻抗变换电路380和分别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。此外，图5所示的等离子发生机构400实质上与上述等离子发生机构200等效，发挥相同的功能。
等离子发生机构400具有波导路构件401。波导路构件401由铝合金等导电性材料沿着长度方向A形成为管状，形成与长度方向A正交的方向上的截面呈矩形的波导路WG。具体而言，波导路构件401具有上壁部401t和侧壁部401w1、401w2，该侧壁部401w1、401w2从该上壁部401t的宽度方向B上的两端部朝向下方延伸。
在波导路构件401下设有第一电极450A和第二电极450B。第一电极450A和第二电极450B是由铝合金等导电性材料形成的板材，具有矩形的外形，并且沿着长度方向A延伸。第一电极450A配置为面对等离子形成空间PS并且相对于侧壁部401w1垂直，沿着长度方向A延伸，并与侧壁部401w1的下端部电连接。第一电极450A配置为面对等离子形成空间PS并且相对于侧壁部401w1垂直，沿着长度方向A延伸，并与侧壁部401w1的下端部电连接。第二电极450B以隔开规定间隙的方式与第一电极450A并列，并配置为面对等离子形成空间PS并且相对于侧壁部401w2垂直，且与侧壁部401w2的下端部电连接。
在波导路WG内配置有由氧化铝等电介质形成的电介质板420。电介质板420具有矩形的外形，并且沿着长度方向A延伸。电介质板420在波导路WG的宽度方向B的大致中央处配置为实质上与侧壁部401w、401w2平行。此外，电介质板420的高度方向H上的上端部与上壁部401t的下表面相接触。电介质板420的下端部夹设在第一电极450A和第二电极450B之间的间隙处，从而使第一电极450A和第二电极450B之间电分离。
在电介质板420的两面形成有沿着长度方向A延伸的、由镀铜－镍等的金属膜构成的第一导电体430A和第二导电体430B。导电体430A、430B的高度方向H上的上端处于离开上壁部401t的下表面的位置处，下端部分别与第一电极450A和第二电极450B连接。
同轴管225连接于波导路WG的长度方向A的大致中央位置，如图6所示，外部导体225b穿过形成于上壁部401t的孔并借助连接构件431与第一导电体430A电连接，内部导体225a穿过形成于上壁部401t的孔而与第二导电体430B电连接。
在此，在第一导电体430A和第二导电体430B之间需要以地面为基准平衡地施加高频电场。另一方面，高频电源、匹配器的输出部通常是同轴线路等不平衡线路。因而，需要在高频电源和波导路400之间设置平衡－不平衡转换部。作为平衡－不平衡转换部的一例，列举有supertop型。即，如图6所示，在同轴管225的外侧设有自由空间的波长λ(在60MHz下为5m)的1/4的长度的金属管250。金属管250在其上端部250e1与外部导体225b相连接。金属管250和外部导体225b构成分布常数线路。对于使具有波长λ的1/4的长度的一端短路的分布常数线路，当从另一端观察时，可看到阻抗无限大。因而，从下端观察的外部导体225b与地面之间的阻抗变得非常大，高频被平衡地供电。
本实施方式的等离子发生机构400能够将波导路WG的高度h设为165mm，与基本类型的等离子发生机构200相比，能够大幅度地削减高度h。其结果，使等离子处理装置的制造成本的降低和等离子处理装置的小型化成为可能。
第二实施方式
图7是第二实施方式的等离子发生机构500的立体剖视图。另外，本实施方式的等离子发生机构500分别对应于图1和图4所示的两个等离子发生机构200。即，本实施方式的等离子处理装置是利用图7所示的等离子发生机构500分别替换图1和图4所示的两个等离子发生机构200而成的装置。本实施方式的等离子处理装置设有即使载荷变化也始终将波导路设为截止状态的调整机构，即，上述两个阻抗变换电路380和分别与两个阻抗变换电路380连接的两个同轴管385。此外，图7所示的等离子发生机构500实质上与上述等离子发生机构200等效，发挥相同的功能。
等离子发生机构500具有波导路构件501。波导路构件501由铝合金等导电性材料沿着长度方向A形成为管状，形成与长度方向A正交的方向上的截面呈矩形的波导路WG。具体而言，波导路构件501具有上壁部501t和侧壁部501w1、501w2，该侧壁部501w1、501w2从该上壁部501t的宽度方向B上的两端部朝向下方延伸。
在波导路构件501下设有第一电极550A和第二电极550B。第一电极550A和第二电极550B是由铝合金等导电性材料形成的板材，具有矩形的外形，并且沿着长度方向A延伸。第一电极550A配置为面对等离子形成空间PS并且相对于侧壁部501w1垂直，沿着长度方向A延伸，并与侧壁部501w1的下端部电连接。第二电极550B以隔开规定间隙的方式与第一电极550A并列，并配置为面对等离子形成空间PS并且相对于侧壁部501w2垂直，且与侧壁部501w2的下端部电连接。
在波导路WG内配置有由氧化铝等电介质形成的电介质板520。电介质板520具有矩形的外形，并且沿着长度方向A延伸。电介质板520与一侧壁部501w2相接触，并且电介质板520的高度方向H上的上端部与上壁部501t的下表面相接触。电介质板520的下端部夹设于第一电极550A和第二电极550B之间的间隙处，从而使第一电极550A和第二电极550B之间电分离。
在电介质板520的靠侧壁部501w1侧设有与电介质板520相接触的、由以铝合金等导电性材料形成的板材构成的导电体530。导电体530沿着长度方向A延伸，并且其上端部与上壁部501T的下表面分离，下端部位于第一电极550A上，并与第一电极550A电连接。
同轴管225沿着高度方向H配置，在中途呈直角弯曲，沿着宽度方向B延伸的外部导体225b2连接于侧壁部501w2，沿着宽度方向B延伸的内部导体225a2贯穿电介质板520而连接于导电体530。另外，同轴管225也可以连接于波导路WG的上部，即，连接于上壁部501t侧。
本实施方式的等离子发生机构500能够将波导路WG的高度h设为190mm左右，与基本类型的等离子发生机构200相比，能够将高度h削减大致一半。其结果，使等离子处理装置的制造成本的降低和等离子处理装置的小型化成为可能。
在上述第一实施方式和第二实施方式中，针对在波导路内形成有空洞的情况进行了说明，但并不限定于此，也可以利用电介质填充波导路内的空洞。
在上述第一实施方式和第二实施方式中，将导电体配置为与设于波导路内的电介质板420、520相接触，但并不限定于此，在于电介质板420、520的附近未产生等离子的情况下，也可以将导电体配置为与电介质板420、520分离。
在上述第一实施方式和第二实施方式中，将馈电位置设为波导路的长度方向的中央位置，但是并不限定于此，能够根据需要进行变更。
以上，参照附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但本发明并不限定于此例。不言而喻，只要是具有本发明所属技术领域的通常的知识的人员，在权利要求书记载的技术思想的范围内，能够想到各种变更例或修正例，这些当然也属于本发明的技术范围内。
附图标记说明
225、同轴管；400、500、等离子发生机构；401、501、波导路构件；420、520、电介质板；430A、430B、导电体；530、金属板；450A、450B、560A、550B、电极；PS、等离子形成空间；WG、波导路。
Claims (9)
1.一种等离子处理装置，其特征在于，具有：
波导路构件，其用于形成与长度方向正交的方向上的截面呈矩形的波导路；
电场形成用的第一电极和第二电极，其配置为面对等离子形成空间，与上述波导路构件协作来形成上述波导路，并且与该波导路构件电连接；
传送路，其从上述长度方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；
电介质板，其配置于上述波导路内，并沿着上述长度方向延伸；以及
至少一个导电体，其在上述波导路内相对于上述电介质板配置在该波导路的宽度方向上的至少一侧，且沿着上述电介质板延伸，并且与上述第一电极和第二电极中的一者电连接。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述至少一个导电体包含形成于上述电介质板的表面的金属膜。
3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述至少一个导电体包含与上述电介质分开配置的金属板。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述电介质板的一部分配置于上述第一电极和第二电极之间，使该第一电极和第二电极之间电分离。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述传送路包含同轴管，
上述至少一个导电体具有配置在上述电介质板的两侧、并且分别与上述第一电极和第二电极电连接的第一导电体和第二导电体，
上述同轴管的内部导体在上述长度方向上的规定位置处连接于第一导电体和第二导电体中的一者，上述同轴管的外部导体在上述长度方向上的规定位置处连接于第一导电体和第二导电体中的另一者。
6.根据权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，
还具有供上述同轴管的一部分插入的规定长度的金属管，
上述金属管连接于基准电位，并且其一端部连接于上述波导路构件，其另一端部连接于上述同轴管的外部导体。
7.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于，
上述传送路包含同轴管，
上述至少一个导电体仅设于上述电介质板的一侧，
上述同轴管的外部导体连接于上述波导路构件，内部导体贯穿上述电介质板而连接于上述至少一个导电体。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的等离子处理装置，其特征在于，
以从上述传送路供给的规定的等离子激励频率的高频共振的方式构成上述波导路。
9.一种等离子处理方法，其特征在于，具有：
将被处理体设置于在内部设有等离子发生机构的容器内的与上述等离子形成空间面对的位置处的步骤；以及
利用上述等离子发生机构激励等离子以对上述被处理体进行等离子处理的步骤，
该等离子发生机构具有：波导路构件，其用于形成与长度方向正交的方向上的截面呈矩形的波导路；电场形成用的第一电极和第二电极，其配置为面对等离子形成空间，与上述波导路构件协作来形成上述波导路，并且与该波导路构件电连接；传送路，其从上述长度方向上的规定的馈电位置向该波导路内供给电磁能；电介质板，其配置于上述波导路内，并沿着上述长度方向延伸；以及至少一个导电体，其在上述波导路内相对于上述电介质板配置在该波导路的宽度方向上的至少一侧，且沿着上述电介质板延伸，并且与上述第一电极和第二电极中的一者电连接。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2012/001304 WO2013124906A1 (ja) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104081883A true CN104081883A (zh) | 2014-10-01 |
Family
ID=49005132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280068769.6A Pending CN104081883A (zh) | 2012-02-24 | 2012-02-24 | 等离子处理装置和等离子处理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140335288A1 (zh) |
| JP (1) | JP5419055B1 (zh) |
| KR (1) | KR20140101871A (zh) |
| CN (1) | CN104081883A (zh) |
| WO (1) | WO2013124906A1 (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN113170568A (zh) * | 2018-12-06 | 2021-07-23 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6527482B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2019-06-05 | 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP7162837B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2022-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、及び、プラズマ処理方法 |
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| WO2021067260A1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Verily Life Sciences Llc | Separable high density connectors for implantable device |
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| CN101601125A (zh) * | 2007-01-15 | 2009-12-09 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质 |
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| JP2012022916A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2012021196A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tohoku Univ | プラズマ処理装置 |
-
2012
- 2012-02-24 CN CN201280068769.6A patent/CN104081883A/zh active Pending
- 2012-02-24 JP JP2013541143A patent/JP5419055B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-02-24 WO PCT/JP2012/001304 patent/WO2013124906A1/ja active Application Filing
- 2012-02-24 US US14/370,299 patent/US20140335288A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-24 KR KR1020147019574A patent/KR20140101871A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140101871A (ko) | 2014-08-20 |
| JPWO2013124906A1 (ja) | 2015-05-21 |
| JP5419055B1 (ja) | 2014-02-19 |
| US20140335288A1 (en) | 2014-11-13 |
| WO2013124906A1 (ja) | 2013-08-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141001 |