CN110010705A - 光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串。光电转换装置(10)包括：配置在半导体基板(1)的背面侧的p型扩散层(11)及n型扩散层(12)，电极(4，5)，以及配线基板(8)。电极(4)配置在p型扩散层(11)上，电极(5)配置在n型扩散层(12)上。配线基板(8)的配线群(82)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(4，6)，配线群(83)利用导电性粘接层(7)而连接于电极(5)。而且，光电转换装置(10)具有第一构成与第二构成中的至少一个构成，所述第一构成是多个电极(50)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线，所述第二构成是多个电极(40)的相邻的电极的至少一组连接于一条配线。

Description

光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串
技术领域
本发明涉及一种光电转换装置以及具备该光电转换装置的太阳能电池串。
背景技术
国际公开第2009/025147号手册中公开了一种作为光电转换装置的背面接合型太阳能电池。光电转换装置具备第一导电型区域、第二导电型区域、第一导电型用电极、第二导电型用电极、第一非连接区域、及第二非连接区域。
第一导电型区域及第二导电型区域交替地配置在半导体基板的一表面。第一导电型用电极配置在第一导电型区域上，第二导电型用电极配置在第二导电型区域上。而且，第一非连接区域是在第一导电型区域与第二导电型区域的排列方向上相邻的第二导电型用电极之间阻碍与第一导电型用电极的电连接的区域。第二非连接区域是在第一导电型区域与第二导电型区域的排列方向上相邻的第一导电型用电极之间阻碍与第二导电型用电极的电连接的区域。
发明内容
国际公开第2009/025147号手册的图3中公开了箭头201的方向上具备多个电极的构成。而且，图3中公开了一条配线131在箭头201的方向上连接着一个电极的构成。而且，图4中公开了在箭头201的方向上排列多个电极的结构中，一条配线在箭头201的方向上连接着一个电极的串构成。该情况下，有时会观察到由箭头201的方向上邻接的电极间的特性差异引起的特性下降。而且，当连接部的一部分粘接不良时，可以看到特性下降。
因此，根据本发明的实施方式，提供具有在电极由多个电极群构成的情况下获得良好特性的配线连接的光电转换装置。
而且，根据本发明的实施方式，提供具备光电转换装置的太阳能电池串，该光电转换装置具有在电极由多个电极群构成的情况下获得良好特性的配线连接。
(构成1)
根据本发明的实施方式，光电转换装置具备半导体基板、第一半导体层、第二半导体层、多个第一电极、多个第二电极、第一配线群、第二配线群、第一非连接区域、及第二非连接区域。半导体基板具有第一导电型。第一半导体层包含在第一方向上隔开地配置在半导体基板的一面的区域，且具有第一导电型。第二半导体层包含在第一方向上与第一半导体层交替地配置在半导体基板的一面的区域，且具有与第一导电型相反的第二导电型。多个第一电极在第一方向上隔开地配置在第一半导体层上，将与第一方向正交的第二方向作为长度方向。多个第二电极在第一方向上隔开地配置在第二半导体层上，将第二方向作为长度方向。第一配线群在第一方向上与多个第一电极电连接，且排列在第二方向上。第二配线群在第一方向上与多个第二电极电连接，且排列在第二方向上。第一非连接区域配置在第一方向上相邻的第二电极间，阻碍第一电极与第二配线群的电连接。第二非连接区域配置在第一方向上相邻的第一电极间，阻碍第二电极与第一配线群的电连接。第一电极包含在第二方向上排列的第一电极群，第二电极包含在第二方向上排列的第二电极群。而且，光电转换装置具有第一构成与第二构成中的至少一个构成，所述第一构成是第一电极群的相邻的电极的至少一组连接于第一配线群的一条配线，所述第二构成是第二电极群的相邻的电极的至少一组连接于第二配线群的一条配线。
(构成2)
构成1中，具有第三构成与第四构成中的至少一个构成，所述第三构成是第一电极群的至少一个电极与第一配线群的多条配线连接，所述第四构成是第二电极群的至少一个电极与第二配线群的多条配线连接。
(构成3)
构成1或构成2中，第一电极群的电极间的间隙配置在与第二电极群的电极间的间隙不同的位置。
(构成4)
构成1至构成3的任一构成中，具有第五构成与第六构成中的至少一个构成，所述第五构成是第一电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于第一配线群的相同的配线，所述第六构成是第二电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于第二配线群的相同的配线。
(构成5)
构成1至构成3的任一构成中，具有第七构成与第八构成中的至少一个构成，所述第七构成是第一电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于第一配线群的相同的配线，所述第八构成是第二电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于第二配线群的相同的配线，导电粘接剂跨第一电极群的相邻的至少一组电极之间或第二电极群的相邻的至少一组电极之间，连接于一组电极的双方。
(构成6)
而且，根据本发明的实施方式，太阳能电池串具备第一及第二光电转换装置。第一及第二光电转换装置各自由构成1至构成5中的任一个光电转换装置构成。第一配线群被第二光电转换装置相间隔地连接，第二配线群被第一光电转换装置相间隔地连接。
(构成7)
进而，根据本发明的实施方式，太阳能电池串包括第一及第二光电转换装置。第一及第二光电转换装置各自由构成1至构成5中的任一个光电转换装置构成。第一配线群包含一部分相互连接的部分，且被第二光电转换装置连接，第二配线群包含一部分相互连接的部分，且被第一光电转换装置连接。
附图说明
图1A是实施方式1的光电转换装置的第一俯视图。
图1B是实施方式1的光电转换装置的第二俯视图。
图1C是实施方式1的光电转换装置的第三俯视图。
图2是图1A～图1C所示的线II－II间的光电转换装置的剖视图。
图3是图1A～图1C所示的线III－III间的光电转换装置的剖视图。
图4是表示图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置的制造步骤的第一步骤图。
图5是表示图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置的制造步骤的第二步骤图。
图6是表示图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置的制造步骤的第三步骤图。
图7A是实施方式2的光电转换装置的第一俯视图。
图7B是实施方式2的光电转换装置的第二俯视图。
图7C是实施方式2的光电转换装置的第三俯视图。
图8是图7A～图7C所示的线VIII－VIII间的光电转换装置的剖视图。
图9是图7A～图7C所示的线IX－IX间的光电转换装置的剖视图。
图10是表示图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置的制造步骤的第一步骤图。
图11是表示图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置的制造步骤的第二步骤图。
图12是表示图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置的制造步骤的第三步骤图。
图13A是实施方式3的光电转换装置的第一俯视图。
图13B是实施方式3的光电转换装置的第二俯视图。
图13C是实施方式3的光电转换装置的第三俯视图。
图14A是实施方式4的光电转换装置的第一俯视图。
图14B是实施方式4的光电转换装置的第二俯视图。
图14C是实施方式4的光电转换装置的第三俯视图。
图15是表示本发明的实施方式的光电转换装置的变形例的俯视图。
图16是表示本发明的实施方式的光电转换装置的另一变形例的俯视图。
图17是表示本发明的实施方式的光电转换装置的又一变形例的俯视图。
图18是实施方式5的太阳能电池串的俯视图。
图19是实施方式5的另一太阳能电池串的俯视图。
图20是实施方式5的又一太阳能电池串的俯视图。
具体实施方式
一边参照附图一边对本发明的实施方式进行详细说明。另外，对图中相同或相当的部分附上相同附图标记，且不再重复其说明。
[实施方式1]
图1A～图1C分别是实施方式1的光电转换装置的第一至第三俯视图。图2是图1A～图1C所示的线II－II间的光电转换装置的剖视图。图3是图1A～图1C所示的线III－III间的光电转换装置的剖视图。另外，图1A是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层及电极的俯视图。图1B是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的导电粘接层及非连接区域的俯视图。图1C是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的配线、绝缘性基板的俯视图。该图中，绝缘性基板81透明，且配线可见。而且，图1A～图1C、图2及图3中，规定了x轴、y轴及z轴。
参照图1A～图1C、图2及图3，实施方式1的光电转换装置10具备半导体基板1、抗反射膜2、钝化膜3、电极4～6、导电性粘接层7、配线基板8、非连接区域15、16。
半导体基板1例如由n型单晶硅基板构成，具有100～200μm的厚度。而且，半导体基板1例如具有(100)的面方位及1～10Ωcm的电阻率。而且，半导体基板1在光入射侧的表面具有纹理结构。
半导体基板1在与光入射侧的表面为相反侧的表面(与形成着纹理结构的面为相反侧的面)侧具有p型扩散层11及n型扩散层12。p型扩散层11以在x-y平面包围n型扩散层12的方式配置。
半导体基板1在光入射侧的表面和相反侧的表面具有下述区域，该区域包含在y轴方向上隔开配置的多个p型扩散层。另外，半导体基板1在光入射侧的表面和相反侧的表面具有下述区域，该区域包含在y轴方向上与多个p型扩散层交替地配置的多个n型扩散层。
p型扩散层11在x轴方向上，向比n型扩散层12的两端靠半导体基板1的端侧延伸配置。
p型扩散层11例如包含硼(B)作为p型杂质。硼的浓度例如为1×1019cm-3～1×1020cm-3。而且，p型扩散层11的深度例如为0.1μm～0.5μm。
n型扩散层12例如包含磷(P)作为p型杂质。磷的浓度例如为1×1019cm-3～1×1020cm-3。而且，n型扩散层12的深度例如为0.1μm～0.5μm。
抗反射膜2配置在半导体基板1的光入射侧的表面。抗反射膜2例如由氧化硅及氮化硅的叠层结构构成。该情况下，氧化硅与半导体基板1接触配置，氮化硅与氧化硅接触配置。而且，抗反射膜2例如具有100～1000nm的膜厚。
钝化层3在半导体基板1的与光入射侧的表面相反的表面侧，与p型扩散层11及n型扩散层12接触地配置在p型扩散层11及n型扩散层12上。
钝化膜3由氧化硅、氮化硅及氧化铝等构成。而且，钝化膜3例如具有50nm～100nm的膜厚。
电极4经由设置于钝化膜3的多个开口而与p型扩散层11接触配置。而且，电极4包含多个电极40。多个电极40在y轴方向上隔开配置且在x轴方向上以规定的间隔隔开而排列在p型扩散层11上(参照图1A、3)。
这样，在形成着扩散层的情况下，隔开地配置电极的构成因电极面积减小，所以电极与钝化膜的界面引起的光吸收损耗减少，特性提高，因而优选。
x轴方向上，电极4配置成从电极5延伸到半导体基板1的端部侧。而且，电极4优选延伸到距半导体基板1的端部1mm以内处。
电极5经由设置于钝化膜3的多个开口而与n型扩散层12接触配置。而且，电极5包含多个电极50。多个电极50在y轴方向上隔开配置且在x轴方向上以规定的间隔隔开排列在n型扩散层12上(参照图1A、图2)。
x轴方向上，多个电极40的相邻的电极40间的间隙配置在与多个电极50的相邻的电极50间的间隙不同的位置(参照图1A)。这样，电极40、40间与电极50、50间的间隙的位置不同的构成中，使与配线群的连接位置成为彼此不同的位置，配线连接变得容易，因而优选。
电极6在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧，配置在x轴方向上的n型扩散层12的延长线上且y轴方向上邻接的电极4间(参照图1A、图2)。而且，电极6经由设置于钝化膜3的开口而与p型扩散层11及钝化膜3接触配置。电极6的端部优选配置在距半导体基板1的端部1mm以内的位置。
电极4～6各自例如由银构成，具有100～3000nm的厚度。电极6的宽度比电极5的宽度窄。
导电性粘接层7与电极4、5接触地配置在x轴方向上的电极4、5的两端部上，且与电极6接触地配置在电极6上。(参照图1B)。而且，电极4、6上的导电性粘接层7与构成配线基板8的配线群82的配线821电连接，电极5上的导电性粘接层7与构成配线基板的配线群83的配线831电连接(参照图1B、图2、3)。而且，导电性粘接层7例如由低熔点焊料、导电性粘接剂及导电膏等构成。
配线基板8包含绝缘性基板81、配线群82、83。配线群82具有一部分相互连接的部分82A，配线群83具有一部分相互连接的部分83A。配线群82、83配置在绝缘性基板81上。配线群82、83具有梳形的平面形状(参照图1C)。而且，配线群82在y轴方向上延伸，且利用导电性粘接层7电连接于电极4、6。而且，配线群83在y轴方向上延伸，且利用导电性粘接层7电连接于电极5。
在配线群82利用导电性粘接层7电连接于电极4的情况下，例如，x轴方向上相邻的两个电极40、40利用导电性粘接层7在两个部位连接于构成配线群82的配线821(参照图1B、图1C)。而且，在配线群83利用导电性粘接层7电连接于电极5的情况下，例如，x轴方向上相邻的两个电极50、50利用导电性粘接层7在两个部位连接于构成配线群83的配线831(参照图1B、图1C)。这种构成中，相邻的一组电极40、40中，经由一电极40收集的电荷与经由另一电极40收集的电荷大致相等，相邻的一组电极40、40间的特性差异减少。关于相邻的一组电极50、50，也相同。结果，能够实现具有良好特性的配线连接。
而且，x轴方向上，相邻的一组电极40、40利用设置在相邻的一组电极40、40的端部附近的导电性粘接层7而连接于相同的配线821，相邻的一组电极50、50利用设置在相邻的一组电极50、50的端部附近的导电性粘接层7而连接于相同的配线831。这样，在端部附近连接的构成中，能够有效地将电极4、5、6中收集的电流收集到配线中。此外，能够容易地将相邻的一组电极40、40连接于配线821、相邻的一组电极50、50连接于配线831，因而优选。
而且，构成电极4的一个电极40连接于构成配线群82的多条配线821，构成电极5的一个电极50连接于构成配线群83的多条配线831。这种构成因即便发生电极与配线的连接不良或配线的断线，也能够维持电极与其他配线的连接，所以能够将特性的下降限制为最小限度，因而优选。
绝缘性基板81由绝缘性材料构成，例如由聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯及聚酰亚胺等的薄膜构成。
配线群82、83各自是由导电性材料构成，例如由叠层着铝、铜、银、锡及锌等的导电材料构成。
非连接区域15配置在y轴方向上的相邻的电极4间的电极5与配线群82之间(参照图1B、图2)。非连接区域15阻碍y轴方向上的相邻的电极4间的配线群82与电极5电连接。而且，非连接区域15优选包含形成于电极5的表面的一部分的绝缘层。该情况下，绝缘层由绝缘性的树脂或氮化硅等无机物构成。
非连接区域16配置在y轴方向上的相邻的电极5间的电极4与配线群83之间(参照图1B、图3)。非连接区域16阻碍y轴方向上的相邻的电极5间的配线群83与电极4电连接。而且，非连接区域16优选包含形成于电极4的表面的一部分的绝缘层。该情况下，绝缘层由绝缘性的树脂或氮化硅等无机物构成。
如所述那样，电极4、6利用导电性粘接层7电连接于配线基板8的配线群82，电极5利用导电性粘接层7电连接于配线基板8的配线群83，电极4、6与配线群82的电连接及电极5与配线群83的电连接是压接等取得电连接的方法即可。
另外，图1A中，电极4、电极5及n型扩散层12在y轴方向上配置着多个，但其数量不作限定。
而且，图1A中，电极6在y轴方向上配置着多个，电极6在y轴方向上至少配置一个即可，其数量不作限定。
进而，图1C中，配线群82、83各自在x轴方向上配置着多个，配线群82、83的各自的数量不作限定。
进而，光电转换装置10中，也可不设置电极6。
图4至图6是分别表示图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置10的制造步骤的第一至第三步骤图。另外，图4至图6所示的步骤图使用图1A～图1C所示的线II－II间的剖视图来表示。
参照图4，当开始制造光电转换装置10时，准备半导体基板1’(图4的步骤(a))。另外，半导体基板1’具有与半导体基板1相同的面方位、电阻率、导电型及厚度。
然后，在半导体基板1’的一面形成保护膜20(图4的步骤(b))。保护膜20例如由氧化硅及氮化硅构成，例如通过溅射而形成。
然后，使用NaOH及KOH等碱性溶液(例如KOH：1～5wt％，异丙醇：1～10wt％的水溶液)对形成着保护膜20的半导体基板1’进行蚀刻。由此，对形成着保护膜20的半导体基板1’的面的相反侧的表面进行各向异性蚀刻，形成棱锥形状的纹理结构。而且，通过去除保护膜20获得半导体基板1(参照图4的步骤(c))。
然后，在半导体基板1的形成着纹理结构的表面形成抗反射膜2(图4的步骤(d))。更具体来说，例如，利用溅射法将氧化硅及氮化硅依次堆积在半导体基板1上，由此形成抗反射膜2。
步骤(d)后，在半导体基板1的与形成纹理结构的表面为相反侧的表面(＝背面)的一部分形成BSG(Boron Silicate Glass：硼硅玻璃)膜21(图4的步骤(e))。该情况下，BSG膜21的膜厚例如为300～1000nm。
然后，通过以850～900℃对BSG膜21进行热处理，使硼(B)从BSG膜21向半导体基板1扩散，并由氟化氢水溶液将残留的BSG膜21去除。由此，p型扩散层11形成于半导体基板1的背面侧(图5的步骤(f))。
然后，在半导体基板1的背面的一部分形成PSG(Phosphorus Silicate Glass：磷硅酸盐玻璃)膜22(图5的步骤(g))。该情况下，PSG膜22的膜厚例如为300～1000nm。
然后，通过以850～900℃对PSG膜22进行热处理，使磷(P)从PSG膜22向半导体基板1扩散，并由氟化氢水溶液将残留的PSG膜22去除。由此，n型扩散层12形成于半导体基板1的背面侧(图5的步骤(h))。
然后，在p型扩散层11及n型扩散层12上形成钝化膜3(图5的步骤(i))。该情况下，例如通过溅射法形成氧化硅，由此将钝化膜3形成于p型扩散层11及n型扩散层12上。
接下来，将抗蚀剂涂布于钝化膜3上，使用光刻法将抗蚀剂图案化，将该图案化的抗蚀剂作为遮罩对钝化膜3进行蚀刻，由此在钝化膜3形成开口23(图6的步骤(j))。
然后，例如，通过蒸镀法使金属(例如银)形成在具有开口23的钝化膜3的整个面，使用抗蚀剂与光刻法将该形成的金属(例如银)图案化，由此形成电极5、6(图6的步骤(k))。另外，图6的步骤(k)中虽未图示，但电极4也与电极5、6同时地形成。
步骤(k)后，利用印刷等将作为导电性粘接层7的低熔点焊膏以点状形成在电极5、6上的多个部位(图6的步骤(l))。另外，此时，作为导电性粘接层7的低熔点焊膏也以点状形成在电极4上。
接下来，准备厚度为150μm左右的绝缘性基板81，以配线群82、83分别与电极4、6及电极5大致正交的方式，且以在规定的位置取得电连接的方式调整位置，使半导体基板1与配线基板8贴合。然后，通过对贴合的半导体基板1及配线基板8从两面施加压力并进行加热等而电接合。由此，光电转换装置10完成(图6的步骤(m))。
另外，配线基板8是通过在绝缘性基板81的整个面形成铜等金属，并将该形成的金属的一部分利用蚀刻等去除且图案化而形成。
光电转换装置10中，在在半导体基板1的一表面，包含在y轴方向上隔开配置的多个p型扩散层的p型扩散层11以包围n型扩散层12的周围的方式配置。
而且，光电转换装置10中配置着：多个电极40，配置在多个p型扩散层11上且以x轴方向为长度方向；以及多个电极50，配置在多个n型扩散层12上，以x轴方向为长度方向。
进而，光电转换装置10中设置着多个电极6，该多个电极6配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端与x轴方向上的半导体基板1的端部之间。
进而，光电转换装置10中形成着：非连接区域15，配置在y轴方向上相邻的电极4间，且阻碍与电极5的电连接；以及非连接区域16，配置在y轴方向上相邻的电极5间，且阻碍与电极4的电连接。
而且，配线基板8包含y轴方向上配置的配线群82、83，配线群82电连接于电极4、6，配线群83电连接于电极5。
而且，构成电极4的多个电极40中，相邻的一组电极40、40连接于一条配线821，构成电极5的多个电极50中，相邻的一组电极50、50连接于一条配线831。
因此，相邻的一组电极40、40中，经由一电极40收集的电荷与经由另一电极40收集的电荷大致相等，相邻的一组电极40、40间的特性差异减少。关于相邻的一组电极50、50，也相同。结果，能够实现具有良好特性的配线连接。
进而，电极4包围电极5且不连续，由x轴方向上排列的多个电极40构成。因此，通过图案化不易受到配线的断开等的影响。而且，电极40是简单形状，因而可容易地制作图案化遮罩。
进而，因电极4朝向半导体基板1的端部延长，因而能够进一步收集该部分产生的载流子。而且，半导体基板的端部中，与电极4包围电极5且连续的情况相比，不易受到半导体基板的端部附近的形状变化的影响，图案化遮罩的设计及图案化的位置对准变得容易，能够减少图案化的不良。
进而，当在y轴方向上的电极4间设置电极6时，能够进一步收集在该部分产生的载流子。通过独立地设置电极6，图案化的形状的稳定性进一步增加，并且位置对准的容易性增加，即便电极6的形状稍微变化，也能够良好地进行载流子的收集。
进而，在电极与配线平行设置的情况下，不与电极5接触地将电极6与配线群82连接是相对困难的，但通过将y轴方向作为长度方向来设置多条配线821，在电极4间设置独立的电极6，能够将电极6与配线群82连接。尤其可以在半导体基板1的端部获得电极6与配线群82的良好连接。结果，光电转换装置10中获得稳定的特性。而且，提高光电转换装置10的产量。进而，减少了长期使用光电转换装置10时的特性下降，并且能够提高可靠性。
在以上描述中，已说明了半导体基板1由n型单晶硅基板构成，但实施方式1中不限于此，半导体基板1可以由n型多晶硅基板、p型单晶硅基板及p型多晶硅基板中的任一个构成。
在半导体基板1由p型单晶硅基板或p型多晶硅基板构成的情况下，所述说明中的p型扩散层11及n型扩散层12互换即可。
而且，在以上描述中，已说明了构成电极4的多个电极40的相邻的电极40、40连接于一条配线821，构成电极5的多个电极50的相邻的电极50、50连接于一条配线831，但实施方式1中不限于此，光电转换装置10具备构成1与构成2中的至少一个构成即可，所述构成1是构成电极4的多个电极40的相邻的电极的至少一组电极40、40连接于一条配线821，所述构成2是构成电极5的多个电极50的相邻的电极的至少一组电极50、50连接于一条配线831。如果具备这种构成，则能够减少邻接的电极间的特性差异，与不是所述构成的情况相比，能够实现具有良好特性的配线连接。
进而，在以上描述中，已说明了电极6配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧的n型扩散层12与半导体基板1的端部之间，但实施方式1中不限于此，电极6配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一端部侧，配置在n型扩散层12的至少一端部与半导体基板1的端部之间即可。
进而，光电转换装置10中，p型扩散层11可由在x轴方向上隔开排列的多个p型扩散层构成，n型扩散层12可由在x轴方向上隔开排列的多个n型扩散层构成。
[实施方式2]
图7A至图7C分别是实施方式2的光电转换装置的第一至第三俯视图。图8是图7A～图7C所示的线VIII－VIII间的光电转换装置的剖视图。图9是图7A～图7C所示的线IX－IX间的光电转换装置的剖视图。另外，图7A是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的第一非晶质半导体层、第二非晶质半导体层及电极的俯视图。图7B是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的导电粘接层及非连接区域的俯视图。图7C是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的配线、绝缘性基板的俯视图。该图中，绝缘性基板81透明，且配线可见。而且，图7A～图7C、图8及图9中，规定了x轴、y轴及z轴。
参照图7A～图7C、图8及图9，实施方式2的光电转换装置10A中，用半导体基板1A代替图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置10的半导体基板1，用多个第一非晶质半导体层31及多个第二非晶质半导体层32代替钝化膜3，其他与光电转换装置10相同。
半导体基板1A例如由n型单晶硅基板构成，具有100～200μm的厚度。而且，半导体基板1A例如具有(100)的面方位及1～10Ωcm的电阻率。而且，半导体基板1A在光入射侧的表面具有纹理结构。
多个第一非晶质半导体层31隔开地配置在半导体基板1A的与光入射侧的表面为相反侧的表面。该情况下，多个第一非晶质半导体层31以包围多个第二非晶质半导体层32的周围的方式配置在x-y平面。而且，多个第一非晶质半导体层31各自包含i型非晶质半导体层311、p型非晶质半导体层312。
i型非晶质半导体层311与半导体基板1A接触地配置在半导体基板1A上。i型非晶质半导体层311例如由i型非晶质硅、i型非晶质碳化硅、i型非晶质氮化硅、i型非晶质氧化硅或i型非晶质氮氧化硅等构成。而且，i型非晶质半导体层311例如具有5～30nm的膜厚。
“i型”不仅是指完全本征的状态，只要浓度充分低(n型杂质浓度小于1×1015个/cm3且p型杂质浓度小于1×1015个/cm3)，还指包含混入n型或p型杂质的状态。
而且，本发明的实施方式中，“非晶质硅”不仅包括硅原子的悬键(dangling-bond)不以氢封端的非晶质硅，还包括氢化非晶质硅等的硅原子的悬键以氢等封端的非晶质硅。
p型非晶质半导体层312与i型非晶质半导体层311接触地配置在i型非晶质半导体层311上。p型非晶质半导体层312例如由p型非晶质硅、p型非晶质碳化硅、p型非晶质氮化硅、p型非晶质氧化硅及p型非晶质氮氧化硅等构成。而且，p型非晶质半导体层312例如具有5～30nm的膜厚。
作为p型非晶质半导体层312中所含的p型杂质，例如能够使用硼(B)。而且，本发明的实施方式中，“p型”是指p型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
多个第二非晶质半导体层32在半导体基板1A的与光入射侧的表面为相反侧的表面，在第一非晶质半导体层31的宽度方向(y轴方向)上与多个第一非晶质半导体层31交替地配置。而且，多个第二非晶质半导体层32各自包含i型非晶质半导体层321、n型非晶质半导体层322。
i型非晶质半导体层321与半导体基板1A接触地配置在半导体基板1A上。i型非晶质半导体层321例如由i型非晶质硅、i型非晶质碳化硅、i型非晶质氮化硅、i型非晶质氧化硅及i型非晶质氮氧化硅等构成。而且，i型非晶质半导体层321例如具有5～30nm的膜厚。
n型非晶质半导体层322与i型非晶质半导体层321接触地配置在i型非晶质半导体层321上。n型非晶质半导体层322例如由n型非晶质硅、n型非晶质碳化硅、n型非晶质氮化硅、n型非晶质氧化硅及n型非晶质氮氧化硅等构成。而且，n型非晶质半导体层322例如具有5～30nm的膜厚。
另外，作为n型非晶质半导体层322中包含的n型杂质，例如能够使用磷(P)。而且，本发明的实施方式中，“n型”是指n型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
电极4、5、6的设置及与配线基板8的连接能够与实施方式1同样地实施。
图10至图12分别是表示图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置10A的制造步骤的第一至第三步骤图。另外，图10至图12所示的步骤图使用图7A～图7C所示的线VIII－VIII间的剖视图来表示。
参照图10，当开始制造光电转换装置10A时，依次执行与图4所示的步骤(a)～步骤(d)相同的步骤。由此，获得半导体基板1A(图10的步骤(c))，抗反射膜2形成于半导体基板1A的光入射侧的表面(图10的步骤(d))。
步骤(d)后，在半导体基板1A的与形成纹理结构的表面为相反侧的表面依次形成i型非晶质半导体层24及p型非晶质半导体层25(图10的步骤(e))。i型非晶质半导体层24及p型非晶质半导体层25的形成方法不作特别限定，例如可使用等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法。
在i型非晶质半导体层24由i型非晶质硅、i型非晶质碳化硅、i型非晶质氮化硅、i型非晶质氧化硅及i型非晶质氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子体CVD法形成i型非晶质半导体层24时的条件为公知，因而能够使用该公知的条件形成i型非晶质半导体层24。
而且，在p型非晶质半导体层25由p型非晶质硅、p型非晶质碳化硅、p型非晶质氮化硅、p型非晶质氧化硅及p型非晶质氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子体CVD法形成p型非晶质半导体层25时的条件为公知，因而能够使用该公知的条件形成p型非晶质半导体层25。
步骤(e)后，在p型非晶质半导体层25上涂布蚀刻膏26(图11的步骤(f))。此处，作为蚀刻膏26，只要能够对i型非晶质半导体层24及p型非晶质半导体层25的叠层体进行蚀刻即可，不作特别限定。
接下来，通过对蚀刻膏26进行加热，将i型非晶质半导体层24及p型非晶质半导体层25的叠层体的一部分在厚度方向上进行蚀刻(图11的步骤(g))。由此，使半导体基板1A的背面(与形成着纹理结构的面为相反侧的表面)的一部分露出。而且，形成着包含i型非晶质半导体层311及p型非晶质半导体层312的多个第一非晶质半导体层31。
然后，以与半导体基板1A的背面的露出面及p型非晶质半导体层312接触的方式形成i型非晶质半导体层27，然后，以与i型非晶质半导体层27的整个面接触的方式形成n型非晶质半导体层28(图11的步骤(h))。i型非晶质半导体层27及n型非晶质半导体层28的形成方法不作特别限定，例如使用等离子体CVD法。
在i型非晶质半导体层27由i型非晶质硅、i型非晶质碳化硅、i型非晶质氮化硅、i型非晶质氧化硅及i型非晶质氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子体CVD法形成i型非晶质半导体层27时的条件为公知，因而能够使用该公知的条件形成i型非晶质半导体层27。
而且，在n型非晶质半导体层28由n型非晶质硅、n型非晶质碳化硅、n型非晶质氮化硅、n型非晶质氧化硅及n型非晶质氮氧化硅等构成的情况下，使用等离子体CVD法形成n型非晶质半导体层28时的条件为公知，因而能够使用该公知的条件形成n型非晶质半导体层28。
步骤(h)后，在n型非晶质半导体层28上涂布蚀刻遮罩29(图11的步骤(i))。作为蚀刻遮罩29，只要在对i型非晶质半导体层27及n型非晶质半导体层28的叠层体进行蚀刻时能够作为遮罩发挥功能，则不作特别限定。
接下来，将蚀刻遮罩29用作遮罩进行蚀刻，将i型非晶质半导体层27及n型非晶质半导体层28的叠层体的一部分在厚度方向上蚀刻，然后，去除蚀刻遮罩29。由此，使p型非晶质半导体层312的表面的一部分露出(图12的步骤(j))。而且，形成着包含i型非晶质半导体层321及n型非晶质半导体层322的多个第二非晶质半导体层32。
然后，在p型非晶质半导体层312上形成电极6，在n型非晶质半导体层322上形成电极5(图12的步骤(k))。另外，步骤(k)中虽未图示，但与电极5、6的形成同时地，电极4形成于p型非晶质半导体层312上。此处，电极4～6能够使用金属遮罩等遮罩并通过溅射或蒸镀来形成。金属遮罩在欲形成电极的部位开口，为了维持金属遮罩的机械强度，有开口与未开口的部分的比率、最小开口宽度及形状等限制，因而开口理想的是矩形等简单的形状。而且，比起开口位于各部位，将开口排列更能容易维持机械强度。而且，这样形成的电极4～6有时根据开口宽度与形成条件，膜厚从周边部朝向中心部增厚。
步骤(k)后，利用印刷等将作为导电性粘接层7的低熔点焊膏以点状形成在电极4～6上的多个部位(图12的步骤(l))。
接下来，准备厚度为150μm左右的绝缘性基板81，以配线群82、83分别与电极4、6及电极5大致正交的方式，且以在规定的位置取得电连接的方式调整位置，使半导体基板1A与配线基板8贴合。然后，通过对贴合的半导体基板1A及配线基板8从两面施加压力并进行加热等而电接合。由此，光电转换装置10A完成(图12的步骤(m))。
光电转换装置10A中也可获得与所述光电转换装置10相同的效果。另外，在形成着半导体层的情况下，电极与半导体层接触，电极与半导体层的界面引起的光吸收损耗大。隔开地配置电极的构成中，电极面积减小，电极与半导体层的界面引起的光吸收损耗减少，而且，抑制因半导体层的膜厚不均等引起的电极下的半导体层的钝化效果的减少的影响，特性提高，因而为更优选的构成。此处，电极间的间隙优选为所收集的载流子在半导体基板内的扩散长度程度以下。
而且，光电转换装置10A中，第一非晶质半导体层31可由在x轴方向上隔开排列的多个第一非晶质半导体层构成，第二非晶质半导体层32可由在x轴方向上隔开排列的多个第二非晶质半导体层构成。
实施方式2中的其他说明与实施方式1中的说明相同。
[实施方式3]
图13A至图13C分别是实施方式3的光电转换装置的第一至第三俯视图。另外，图13A是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层及电极的俯视图。图13B是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的导电粘接层及非连接区域的俯视图。图13C是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的配线、绝缘性基板的俯视图。该图中，绝缘性基板81透明，且配线可见。而且，图13A～图13C中，规定了x轴、y轴及z轴。
参照图13A～图13C，实施方式3的光电转换装置10B中，将图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置10的电极6代替为电极6A，其他与光电转换装置10相同。
电极6A配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧的n型扩散层12与半导体基板1的端部之间。而且，电极6A优选配置在x轴方向上的n型扩散层12的延长线上。
电极6A包含电极61、62。电极61、62各自具有与所述电极6相同的尺寸及厚度，由与电极6相同的材料构成。
电极61、62各自利用导电性粘接层7而连接于配线群82。
光电转换装置10B中，电极6A包含两个电极61、62，配置在y轴方向上相邻的电极4间，因而在靠近半导体基板1的端部的区域能够收集更多的载流子。结果，光电转换装置10B中，比起光电转换装置10更能够提高特性。
光电转换装置10B根据图4至图6所示的步骤(a)～步骤(m)而制造。
另外，实施方式3的光电转换装置可以是将与从光电转换装置10到光电转换装置10B的变更相同的变更应用于图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置10A的光电转换装置。
在以上描述中，说明了电极6A配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧的n型扩散层12与半导体基板1的端部之间，但实施方式3中不限于此，电极6A配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一端部侧的n型扩散层12的至少一端部与半导体基板1的端部之间即可。
实施方式3中的其他说明与实施方式1、2中的说明相同。
[实施方式4]
图14A至图14C分别是实施方式4的光电转换装置的第一至第三俯视图。另外，图14A是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的p型扩散层、n型扩散层及电极的俯视图。图14B是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的导电粘接层及非连接区域的俯视图。图14C是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置的配线、绝缘性基板的俯视图。该图中，绝缘性基板81透明，且配线可见。而且，图14A～图14C中，规定了x轴、y轴及z轴。
参照图14A～图14C，实施方式4的光电转换装置10C中，将图1A～图1C、图2及图3所示的光电转换装置10的电极6代替为电极6B，其他与光电转换装置10相同。
电极6B配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧的n型扩散层12与半导体基板1的端部之间。而且，电极6B优选配置在x轴方向上的n型扩散层12的延长线上。
电极6B的y轴方向上的长度(＝宽度)比电极6的宽度宽，且与电极5的宽度实质相同。此处，电极6B的宽度与电极5的宽度实质相同是y轴方向上的主要部分的大致的宽度，是指通过目视能够视作相同程度的一致性。通过这样做，例如，即便在通过使用金属遮罩的制膜形成电极的情况下，也不易受到金属遮罩的强度设计的限制，并且关于电极宽度或电极的形状的最佳的电极设计成为可能。
电极6B具有与所述电极6相同的厚度，由与电极6相同的材料构成。而且，电极6B利用导电性粘接层7连接于配线群82。
光电转换装置10C中，电极6B的宽度比电极6宽，配置在y轴方向上相邻的电极4间，因而在靠近半导体基板1的端部的区域能够收集更多的载流子。结果，光电转换装置10C中，比起光电转换装置10更能够提高特性。
光电转换装置10C根据图4至图6所示的步骤(a)～步骤(m)而制造。
另外，实施方式4的光电转换装置可以是将与从光电转换装置10到光电转换装置10C的变更相同的变更应用于图7A～图7C、图8及图9所示的光电转换装置10A的光电转换装置。
在以上描述中，说明了电极6B配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端侧的n型扩散层12与半导体基板1的端部之间，但实施方式4中不限于此，电极6B配置在x轴方向上的n型扩散层12的两端的至少一端部侧的n型扩散层12的至少一端部与半导体基板1的端部之间即可。
实施方式4中的其他说明与实施方式1、2中的说明相同。
[变形例]
图15是表示本发明的实施方式的光电转换装置的变形例的俯视图。图15所示的光电转换装置10D是所述实施方式1的光电转换装置10的变形例。另外，图15中，以导电性粘接层71、72透明而下部可见的方式图示。
参照图15，光电转换装置10D是对光电转换装置10追加了导电性粘接层71、72而成，其他与光电转换装置10相同。
导电性粘接层71以跨x轴方向上相邻的电极40、40间的间隙的方式配置在相邻的电极40、40上。导电性粘接层72以跨x轴方向上相邻的电极50、50间的间隙的方式配置在相邻的电极50、50上。导电性粘接层71、72各自是由与导电性粘接层7相同的材料构成。而且，导电性粘接层71连接于配线821，导电性粘接层72连接于配线831。
通过设置导电性粘接层71，x轴方向上相邻的一组电极40、40与配线821的连接变得更好，通过设置导电性粘接层72，x轴方向上相邻的一组电极50、50与配线831的连接变得更好。因此，能够进一步抑制x轴方向上相邻的一组电极40、40间的特性差异引起的特性下降，及x轴方向上相邻的一组电极50、50间的特性差异引起的特性下降，能够实现更良好的配线连接。
另外，光电转换装置10D中，可在导电性粘接层71的下侧的一组电极40、40间配置阻碍与下部接触的层，可在导电性粘接层72的下侧的一组电极50、50间配置阻碍与下部接触的层。阻碍与下部接触的层例如是指由绝缘性的树脂或氮化硅等无机物等绝缘材料构成的绝缘层。由此，能够容易地以跨x轴方向上相邻的电极40、40间的间隙的方式地在相邻的电极40、40上形成导电性粘接层71，能够容易地以跨x轴方向上相邻的电极50、50间的间隙的方式在相邻的电极50、50上形成导电性粘接层72。
另外，变形例的光电转换装置可以是将导电性粘接层71、72追加到光电转换装置10A～10C中的任一个而成的光电转换装置。
图16是表示本发明的实施方式的光电转换装置的另一变形例的俯视图。图16所示的光电转换装置10E是所述实施方式1的光电转换装置10的变形例。而且，图16是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置10E的p型扩散层、n型扩散层、电极、导电性粘接层及配线的俯视图。该图为了表示连接状态而未图示出非连接区域15、16。而且，配线821、831透明而可见。
参照图16，光电转换装置10E是在光电转换装置10中，以x轴方向上的相邻的电极40、40间的间隙的位置与x轴方向上的相邻的电极50、50间的间隙的位置相同的方式配置多个电极40及多个电极50，将导电性粘接层7配置在x轴方向上的电极40的中央部上而成，其他与光电转换装置10相同。
光电转换装置10E中，配线821经由导电性粘接层7连接于电极4(多个电极40)，配线831经由导电性粘接层7连接于电极5(多个电极50)。结果，x轴方向上相邻的一组电极50、50连接于一条配线831。而且，一个电极50经由配置在x轴方向的两端部上的两个导电性粘接层7而连接于两条配线831、831。而且，一个电极40经由配置在x轴方向的中央部上的两个导电性粘接层7而连接于一条配线821。
光电转换装置10E可具备如下构成，即，将导电性粘接层7配置在x轴方向上的电极40的两端部上，将导电性粘接层7配置在x轴方向上的电极50的中央部上。该情况下，x轴方向上相邻的一组电极40、40连接于一条配线821。而且，一个电极40经由配置在x轴方向的两端部上的两个导电性粘接层7而连接于两条配线821、821。而且，一个电极50经由配置在x轴方向的中央部上的两个导电性粘接层7而连接于一条配线831。
因此，光电转换装置10E中，x轴方向上相邻的一组电极40、40及一组电极50、50中的任一个连接于一条配线(配线821及配线831的任一个)即可。
图17是表示本发明的实施方式的光电转换装置的又一变形例的俯视图。图17所示的光电转换装置10F是所述实施方式1的光电转换装置10的变形例。而且，图17是从光入射侧的相反侧观察的光电转换装置10F的p型扩散层、n型扩散层、电极、导电性粘接层及配线的俯视图。该图为了表示连接状态而未图示出非连接区域15、16。而且，配线821、831透明而可见。
参照图17，光电转换装置10F将光电转换装置10的电极4、5分别代替为电极4A、5A，其他与光电转换装置10相同。
电极4A包含多个电极40、电极41。多个电极40及电极41在x轴方向上以所期望的间隔配置成一列。而且，电极41的x轴方向上的长度比电极40短，配置在x轴方向上光电转换装置10F的一端。
电极5A包含多个电极50、电极51。多个电极50及电极51在x轴方向上以所期望的间隔配置成一列。而且，电极51的x轴方向上的长度比电极50短，配置在x轴方向上光电转换装置10F的另一端(即，x轴方向上与电极41为相反侧的端部)。
而且，配线821经由导电性粘接层7连接于多个电极40及电极41，配线831经由导电性粘接层7连接于多个电极50及电极51。
[实施方式5]
图18是实施方式5的太阳能电池串的俯视图。另外，图18是从光入射侧的相反侧观察的太阳能电池串的俯视图。该图为了表示连接状态而未图示出非连接区域15、16。而且，配线群110、120、130、140透明而可见。
参照图18，实施方式5的太阳能电池串100具备光电转换装置10-1、10-2、配线群110、120、130、140。光电转换装置10-1、10-2各自是由图1A～1C、图2及图3所示的光电转换装置10构成。配线群110、130各自是由所述配线群82构成，配线群120、140各自是由所述配线群83构成。配线群110连接于光电转换装置10-1的电极4，配线群120连接于光电转换装置10-1的电极5。配线群130连接于光电转换装置10-2的电极4，配线群140连接于光电转换装置10-2的电极5。结果，由配线群110、120构成的配线群连接于光电转换装置10-1，由配线群130、140构成的配线群连接于光电转换装置10-2。而且，配线群110连接于配线群140。因此，光电转换装置10-1、10-2串联连接。
另外，太阳能电池串100中，光电转换装置10-1、10-2各自可由所述光电转换装置10A～10D中的任一个构成。
图19是实施方式5的另一太阳能电池串的俯视图。另外，图19是从光入射侧的相反侧观察的太阳能电池串的俯视图。该图为了表示连接状态而未图示出非连接区域15、16。而且，配线群150、160、170透明而可见。
参照图19，太阳能电池串100A具备光电转换装置10-3、10-4、配线群150、160、170。配线群150、160、170各自是由与所述配线群82、83相同的材料构成。
光电转换装置10-3由图16所示的光电转换装置10E构成，光电转换装置10-4由如下光电转换装置构成，即，在光电转换装置10E中，将导电性粘接剂7配置在x轴方向上的电极40的两端部上，且，将导电性粘接剂7配置在x轴方向上的电极50的中央部上。
配线群150连接于光电转换装置10-3的电极4(多个电极40)，并且连接于光电转换装置10-4的电极5(多个电极50)。配线群160连接于光电转换装置10-3的电极5(多个电极50)。配线群170连接于光电转换装置10-4的电极4(多个电极40)。因此，光电转换装置10-3、10-4串联连接。
图20是实施方式5的又一太阳能电池串的俯视图。另外，图20是从光入射侧的相反侧观察的太阳能电池串的俯视图。
参照图20，太阳能电池串100B具备光电转换装置10-5、10-6、配线群180、190、200。配线群180、190、200各自是由与所述配线群82、83相同的材料构成。该图为了表示连接状态而未图示出非连接区域15、16。而且，配线群180、190、200透明而可见。
光电转换装置10-5由图17所示的光电转换装置10F构成，光电转换装置10-6由在x-y平面内使光电转换装置10F旋转180度而成的光电转换装置构成。
配线群180连接于光电转换装置10-5的电极5A(多个电极50)，并且连接于光电转换装置10-6的电极4A(多个电极40)。配线群190连接于光电转换装置10-5的电极4A(多个电极40及电极41)。配线群200连接于光电转换装置10-6的电极5A(多个电极50及电极51)。因此，光电转换装置10-5、10-6串联连接。
光电转换装置10-5中，多条配线群180经由电极5A而电连接，多条配线群190经由电极4A而电连接。光电转换装置10-6中，多条配线群180经由电极4A而电连接，多条配线群200经由电极5A而电连接。因此，即便因局部的阴影等产生特性差异，太阳能电池串100B的特性也得以平均化，且能够减小特性差异引起的特性下降的影响。
本发明的实施方式中，y轴方向构成“第一方向”，x轴方向构成“第二方向”。
而且，本发明的实施方式中，y轴方向上配置的多个n型扩散层12或多个第二非晶质半导体层32构成“多个第一半导体层”，y轴方向上配置的多个p型扩散层11或多个第一非晶质半导体层31构成“多个第二半导体层”。
进而，本发明的实施方式中，x轴方向上配置的多个电极50(或多个电极50及电极51)构成“多个第一电极”及“第一电极群”，x轴方向上配置的多个电极40(或多个电极40及电极41)构成“多个第二电极”及“第二电极群”。
进而，本发明的实施方式中，多条配线831构成“第一配线群”，多条配线821构成“第二配线群”。
应当认为此次公开的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。本发明的范围不是由所述实施方式的说明而是由权利要求表示，并且旨在包含与权利要求均等的含义及范围内的所有变更。
[产业上的可利用性]
本发明可应用于光电转换装置及具备该光电转换装置的太阳能电池串。
附图标记说明
1、1’、1A 半导体基板
2 抗反射膜
3 钝化膜
4、4A、5、5A、6、6A、6B、40、41、50、51、61、62 电极
7、71、72 导电性粘接层
8 配线基板
10、10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6、10A、10B、10C、10D、
10E、10F 光电转换装置
11 p型扩散层
12 n型扩散层
15、16 非连接区域
20 保护膜
21 BSG膜
22 PSG膜
23 开口
24、27、311、321 i型非晶质半导体层
25、312 p型非晶质半导体层
26 蚀刻膏
28、322 n型非晶质半导体层
29 蚀刻遮罩
31 第一非晶质半导体层
32 第二非晶质半导体层
81 绝缘性基板
82、83、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200配线群
100 太阳能电池串
821、831 配线
x、y、z 轴

Claims (7)

1.一种光电转换装置，其特征在于，包括：
半导体基板，具有第一导电型；
多个第一半导体层，在第一方向上隔开地配置在所述半导体基板的面内区域，且具有所述第一导电型；
多个第二半导体层，在所述第一方向上与所述第一半导体层交替地配置在所述半导体基板的面内区域，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
多个第一电极，在所述第一半导体层上，将与所述第一方向正交的第二方向作为长度方向配置；
多个第二电极，在所述第二半导体层上，将所述第二方向作为长度方向配置；
第一配线群，与所述多个第一电极电连接；
第二配线群，与所述多个第二电极电连接；
多个第一非连接区域，阻碍所述多个第一电极与所述第二配线群的电连接；以及
多个第二非连接区域，阻碍所述多个第二电极与所述第一配线群的电连接；
所述第一电极包含在所述第一方向上隔开地配置且所述第二方向上排列的第一电极群，
所述第二电极包含在所述第一方向上隔开地配置且所述第二方向上排列的第二电极群，
所述第一配线群在所述第二方向上排列，
所述第二配线群在所述第二方向上排列，
所述多个第一非连接区域配置在所述第一方向上相邻的所述第二电极间，
所述多个第二非连接区域配置在所述第一方向上相邻的所述第一电极间，
所述光电转换装置具有第一构成与第二构成中的至少一个构成，所述第一构成是所述第一电极群内的相邻的电极的至少一组连接于所述第一配线群的一条配线，所述第二构成是所述第二电极群内的相邻的电极的至少一组连接于所述第二配线群的一条配线。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
具有第三构成与第四构成中的至少一个构成，所述第三构成是所述第一电极群的至少一个电极与所述第一配线群的多条配线连接，所述第四构成是所述第二电极群的至少一个电极与所述第二配线群的多条配线连接。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第一电极群的电极间的间隙配置在与所述第二电极群的电极间的间隙不同的位置。
4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
具有第五构成与第六构成中的至少一个构成，所述第五构成是所述第一电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于所述第一配线群的相同的配线，所述第六构成是所述第二电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于所述第二配线群的相同的配线。
5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
具有第七构成与第八构成中的至少一个构成，所述第七构成是所述第一电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于所述第一配线群的相同的配线，所述第八构成是所述第二电极群的相邻的至少一组电极在各自的端部附近利用导电性粘接剂连接于所述第二配线群的相同的配线，
所述导电粘接剂跨所述第一电极群的相邻的至少一组电极之间或所述第二电极群的相邻的至少一组电极之间，连接于所述一组电极的双方。
6.一种太阳能电池串，其特征在于，
包括第一及第二光电转换装置，
所述第一及第二光电转换装置各自由根据权利要求1至5中任一权利要求所述的光电转换装置构成，
所述第一配线群被所述第二光电转换装置相间隔地连接，
所述第二配线群被所述第一光电转换装置相间隔地连接。
7.一种太阳能电池串，其特征在于，包括：
第一及第二光电转换装置，
所述第一及第二光电转换装置各自由根据权利要求1至5中任一权利要求所述的光电转换装置构成，
所述第一配线群包含一部分相互连接的部分，且被所述第二光电转换装置连接，
所述第二配线群包含一部分相互连接的部分，且被所述第一光电转换装置连接。
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