CN109994368B - 半导体器件及其形成方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 47
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 45
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 20
- -1 sulfur ions Chemical class 0.000 description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28229—Making the insulator by deposition of a layer, e.g. metal, metal compound or poysilicon, followed by transformation thereof into an insulating layer
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66787—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel
- H01L29/66795—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a gate at the side of the channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
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Abstract
一种半导体器件及其形成方法,其中方法包括:提供基底;对基底表面进行第一表面处理,第一表面处理采用的气体包括含硫气体;进行第一表面处理后,对基底表面进行氧化处理,在基底表面形成氧化物层;在所述氧化物层表面形成栅介质层。所述方法提高了半导体器件的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
背景技术
MOS晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。MOS晶体管的基本结 构包括:半导体衬底;位于半导体衬底表面的栅极结构;位于栅极结构一侧 半导体衬底内的源区;位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。
MOS晶体管的工作原理是:通过在栅极结构施加电压,调节栅极结构底 部沟道的电流来产生开关信号。
然而,现有技术形成的MOS晶体管构成的半导体器件的性能较差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法,以提高半导体 器件的性能。
为解决上述问题,本发明提供一种半导体器件的形成方法,包括:提供 基底;对基底表面进行第一表面处理,第一表面处理采用的气体包括含硫气 体;进行第一表面处理后,对基底表面进行氧化处理,在基底表面形成氧化 物层;在所述氧化物层表面形成栅介质层。
可选的,所述含硫气体包括H2S。
可选的,所述第一表面处理的过程包括:等离子体化所述含硫气体,形 成等离子气体;采用所述等离子气体对基底表面进行处理。
可选的,等离子体化所述含硫气体的源射频功率为500瓦~1200瓦。
可选的,所述第一表面处理的过程包括:采用所述含硫气体直接对基底 表面进行处理。
可选的,所述第一表面处理的参数还包括:含硫气体的流量为 40sccm~120sccm,腔室压强为0.5mtorr~20mtoor,温度为500℃~1050℃,处 理时间为60秒~150秒。
可选的,所述氧化处理包括湿法氧化处理。
可选的,所述湿法氧化处理的参数包括:采用的溶液为含臭氧的水溶液, 臭氧的浓度为10ppm~100ppm,氧化时间为30秒~120秒。
可选的,所述氧化物层的厚度为8埃~12埃。
可选的,还包括:在形成所述栅介质层之前,对所述氧化物层进行第二 表面处理,第二表面处理采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。
可选的,所述第二表面处理的参数包括:四甲基氢氧化铵的质量百分比 浓度为1%~4%,处理时间为30秒~120秒。
可选的,四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为2.38%。
可选的,所述栅介质层的材料为高K介质材料。
可选的,所述高K介质材料为Al2O3或HfO2。
可选的,所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部;所述第 一表面处理作用于鳍部表面;所述氧化处理作用于鳍部表面;所述栅介质层 横跨所述鳍部。
可选的,所述鳍部的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。
可选的,所述基底为平面式半导体衬底;所述平面式半导体衬底的材料 为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。
可选的,还包括:形成栅电极层,所述栅电极层位于栅介质层上。
本发明还提供一种采用上述任意一项方法形成的半导体器件。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明技术方案提供的半导体器件的形成方法中,所述氧化物层作为栅 介质层和基底之间的界面层,避免栅介质层和基底直接接触而引起栅介质层 和基底之间界面缺陷较高。采用含硫气体处理基底表面,以降低基底表面材 料的缺陷。由于含硫气体呈气体状态,这样含硫气体中的硫离子能够渗透至 基底表面材料一定的厚度,使得基底表面材料内在一定厚度范围内均存在硫 离子,这样基底表面材料内在一定厚度范围内的缺陷较少。氧化物层为氧化 在所述一定厚度范围内均存在硫离子的基底表面材料而形成,因此氧化物层 的内部缺陷较少,氧化物层的质量较高。栅介质层在质量较高的氧化物层表 面形成,因此使得栅介质层的质量较高,缺陷较少,介质常数较高。综上, 降低了栅介质层和基底之间的漏电流,提高了半导体器件的性能。
其次,含硫气体中的硫原子和基底表面的悬挂键结合,减少基底表面的 悬挂键,减少基底表面缺陷,进一步提高了氧化物层的质量和栅介质层质量, 进一步降低了栅介质层和基底之间的漏电流。
进一步,在形成栅介质层之前,对所述氧化物层进行第二表面处理,第 二表面处理采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。四甲基氢氧化铵溶液与所 述氧化物层表面材料作用,使氧化物层表面具有OH键基团。且由于氧化物 层内部整个厚度范围内均具有硫离子,因此利于OH键基团的形成,氧化物 层表面具有较多的OH键基团。栅介质层在具有OH键基团导电氧化物层表面 形成,OH键基团利于提高栅介质层的质量。
附图说明
图1至图4是本发明一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有技术形成的半导体器件的性能较差。
一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底,所述基底的材料为Ⅲ-Ⅴ 族化合物材料;对基底进行表面处理,所述表面处理采用的溶液为(NH4)2S溶 液;进行表面处理后,氧化所述基底表面材料,在基底表面形成氧化物层; 在所述氧化物层表面形成高K介质层。
所述氧化物层作为高K介质层和基底之间的界面层,避免高K介质层和 基底介质接触引起高K介质层和基底之间界面缺陷较多的问题。对基底表面 进行表面处理的目的为降低基底表面材料的缺陷,进而提高氧化物层的质量。
然而,上述方法形成的半导体器件的性能较差,经研究发现,原因在于:
采用(NH4)2S溶液对基底进行表面处理,(NH4)2S溶液中的硫离子仅附着 在基底,(NH4)2S溶液中的硫离子难以渗透至基底表面材料的一定厚度中。这 样基底表面一定厚度范围内的材料内部的缺陷难以得到减少,导致氧化物层 的质量的改善程度较小,氧化物层中还是具有较多的缺陷,氧化物层的质量 不能满足工艺的需要。高K介质层在氧化物层表面形成,导致高K介质层的 质量也受到氧化物层质量的影响,高K介质层的质量较差,高K介质层中缺 陷较多,高K介质层和基底之间的漏电较大,导致半导体器件的性能较差。
在此基础上,本发明提供一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底; 对基底表面进行第一表面处理,第一表面处理采用的气体包括含硫气体;进 行第一表面处理后,对基底表面进行氧化处理,在基底表面形成氧化物层; 在所述氧化物层表面形成栅介质层。所述方法提高了半导体器件的性能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图 对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图4是本发明一实施例中半导体器件形成过程的结构示意图。
参考图1,提供基底100。
本实施例中,以所述半导体器件为鳍式场效应晶体管为示例进行说明, 相应的,基底100包括半导体衬底101和位于半导体衬底101上的鳍部102。
本实施例中,所述半导体衬底101的材料为单晶硅。所述半导体衬底101 还可以是多晶硅或非晶硅。所述半导体衬底101的材料还可以为锗、锗化硅、 砷化镓等半导体材料。
本实施例中,所述鳍部102通过图形化所述半导体衬底101而形成。在 其它实施例中,可以是:在所述半导体衬底上形成鳍部材料层,然后图形化 所述鳍部材料层,从而形成鳍部。
所述鳍部102的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。
本实施例中,所述鳍部102的材料为Ⅲ-Ⅴ族化合物材料,好处包括:Ⅲ-Ⅴ 族化合物材料的导电性较好,优于单晶硅的导电性,使得沟道中载流子迁移 率提高。
在其它实施例中,所述半导体器件为平面式的MOS晶体管,相应的,基 底为平面式的半导体衬底,所述平面式半导体衬底的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ 族化合物材料。
参考图2,对基底100表面进行第一表面处理,第一表面处理采用的气体 包括含硫气体。
所述含硫气体包括H2S。
所述第一表面处理作用于鳍部102表面。
第一表面处理的作用包括:采用含硫气体处理基底100表面,以降低基 底100表面材料的缺陷;由于含硫气体呈气体状态,这样含硫气体中的硫离 子能够渗透至基底100表面材料一定的厚度,使得基底100表面材料内在一 定厚度范围内均存在硫离子,这样基底100表面材料内在一定厚度范围内的 缺陷较少;其次,含硫气体中的硫原子和基底100表面的悬挂键结合,减少 基底100表面的悬挂键,减少基底100表面缺陷,具体的,使鳍部102表面 的悬挂键结合硫原子,减少鳍部102表面的悬挂键,进而降低鳍部102表面 的表面态。
所述第一表面处理的过程包括:等离子体化所述含硫气体,形成等离子 气体;采用所述等离子气体对基底表面进行处理,具体的,采用所述等离子 气体对鳍部102表面进行处理。
等离子体化所述含硫气体的源射频功率为500瓦~1200瓦。
在其它实施例中,含硫气体不被等离子体化,所述第一表面处理的过程 包括:采用所述含硫气体直接对基底表面进行处理。
所述第一表面处理的参数还包括:含硫气体的流量为40sccm~120sccm, 腔室压强为0.5mtorr~20mtoor,温度为500℃~1050℃,处理时间为60秒~150 秒。
本实施例中,含硫气体被等离子体化后形成的等离子气体对基底100表 面材料处理,硫离子渗透至更深厚度的基底100表面材料内,且基底100表 面材料在一定厚度范围内有较多的硫离子,进一步降低基底表面材料在一定 厚度范围内的缺陷。
需要说明的是,当基底100材料为Ⅲ-Ⅴ族化合物材料时,为了有效降低 基底100表面材料的缺陷,需要采用含硫物质,本实施例中,采用含硫气体 对基底100表面进行第一表面处理。
所述含硫气体还可以对单晶硅材料的基底100进行表面处理,以降低单 晶硅材料的基底100表面材料的缺陷。参考图3,进行第一表面处理后,对基 底100表面进行氧化处理,在基底100表面形成氧化物层120。
由于基底100表面材料内在一定厚度范围内的缺陷较少,而氧化物层120 为氧化基底表面材料而形成,因此氧化物层120的内部缺陷较少,氧化物层 120的质量较高。
具体的,所述氧化处理作用于鳍部102表面,氧化处理后,鳍部102表 面具有氧化物层120。
所述氧化物层120的厚度为8埃~12埃。所述氧化物层120的厚度选择此 范围的意义包括:若所述氧化物层120的厚度过小,导致后续栅介质层和基 底100之间漏电改善程度较小;若所述氧化物层120的厚度过大,导致半导 体器件的驱动电压过大。
所述氧化处理包括湿法氧化处理。
本实施例中,所述氧化处理为湿法氧化处理,所述湿法氧化处理的参数 包括:采用的溶液为含臭氧的水溶液,臭氧的浓度为10ppm~100ppm,氧化时 间为30秒~120秒。
在其它实施例中,所述氧化处理为干法氧化处理。
参考图4,在所述氧化物层120表面形成栅介质层130。
所述栅介质层130横跨鳍部102、且覆盖鳍部102的部分顶部表面和部分 侧壁表面。
所述栅介质层130的材料为高K介质材料。所述高K介质材料为Al2O3或HfO2。
本实施例中,还包括:形成栅电极层140,所述栅电极层140位于栅介质 层130上。
栅介质层130在质量较高的氧化物层120表面形成,因此使得栅介质层 130的质量较高,缺陷较少,介质常数较高。综上,降低了栅介质层130和基 底100之间的漏电流,提高了半导体器件的性能。
在一个实施例中,形成栅介质层和栅电极层后,在栅介质层和栅电极层 两侧的基底中分别形成源漏掺杂区,具体的,在栅介质层和栅电极层两侧的 鳍部中分别形成源漏掺杂区。
在另一个实施例中,在基底上形成伪栅极结构;在伪栅极结构两侧基底 中分别形成源漏掺杂区;在基底和源漏掺杂区上形成介质层,所述介质层覆 盖伪栅极结构的侧壁且暴露出伪栅极结构的顶部表面;形成介质层后,去除 伪栅极结构,在介质层中形成栅开口,所述栅开口底部暴露出基底表面,具 体的,所述栅开口底部暴露出鳍部表面;对栅开口底部的基底表面进行第一 表面处理,第一表面处理采用的气体包括含硫气体;进行第一表面处理后, 对栅开口底部的基底表面进行氧化处理,在栅开口底部的基底表面形成氧化 物层;形成氧化物层后,在栅开口中形成栅介质层和栅电极层,所述栅介质 层位于栅开口的侧壁和底部,所述栅电极层位于栅介质层上,且氧化物层位 于栅介质层和基底之间。
相应的,本实施例还提供一种采用上述方法形成的半导体器件。
本发明另一实施例还提供一种半导体器件的形成方法,本实施例和前一 实施例的区别在于:在形成栅介质层之前,对所述氧化物层进行第二表面处 理,第二表面处理采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。关于本实施例中与 前一实施例中相同的内容,不再详述。
四甲基氢氧化铵溶液与所述氧化物层表面材料作用,使氧化物层表面具 有OH键基团。且由于氧化物层内部整个厚度范围内均具有硫离子,因此利 于OH键基团的形成,氧化物层表面具有较多的OH键基团。栅介质层在具有 OH键基团导电氧化物层表面形成,OH键基团利于提高栅介质层的质量。
所述第二表面处理的参数包括:四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为 1%~4%,如2.38%,处理时间为30秒~120秒。
相应的,本实施例还提供一种采用上述方法形成的半导体器件。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员, 在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保 护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (17)
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底;
对基底表面进行第一表面处理,第一表面处理采用的气体包括含硫气体;
进行第一表面处理后,对基底表面进行氧化处理,在基底表面形成氧化物层;
在所述氧化物层表面形成栅介质层;
所述第一表面处理的过程包括:采用所述含硫气体直接对基底表面进行处理;
在形成所述栅介质层之前,对所述氧化物层进行第二表面处理,第二表面处理采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述含硫气体包括H2S。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第一表面处理的过程包括:等离子体化所述含硫气体,形成等离子气体;采用所述等离子气体对基底表面进行处理。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,等离子体化所述含硫气体的源射频功率为500瓦~1200瓦。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第一表面处理的参数还包括:含硫气体的流量为40sccm~120sccm,腔室压强为0.5mtorr~20mtoor,温度为500℃~1050℃,处理时间为60秒~150秒。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述氧化处理包括湿法氧化处理。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述湿法氧化处理的参数包括:采用的溶液为含臭氧的水溶液,臭氧的浓度为10ppm~100ppm,氧化时间为30秒~120秒。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述氧化物层的厚度为8埃~12埃。
9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述第二表面处理的参数包括:四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为1%~4%,处理时间为30秒~120秒。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,四甲基氢氧化铵的质量百分比浓度为2.38%。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述栅介质层的材料为高K介质材料。
12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述高K介质材料为Al2O3或HfO2。
13.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述基底包括半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部;所述第一表面处理作用于鳍部表面;所述氧化处理作用于鳍部表面;所述栅介质层横跨所述鳍部。
14.根据权利要求13所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述鳍部的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。
15.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述基底为平面式半导体衬底;所述平面式半导体衬底的材料为单晶硅或者Ⅲ-Ⅴ族化合物材料。
16.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,还包括:形成栅电极层,所述栅电极层位于栅介质层上。
17.一种根据权利要求1至16任意一项方法形成的半导体器件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711478125.5A CN109994368B (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 半导体器件及其形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109994368A CN109994368A (zh) | 2019-07-09 |
CN109994368B true CN109994368B (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=67108894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711478125.5A Active CN109994368B (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 半导体器件及其形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109994368B (zh) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5264379A (en) * | 1990-05-14 | 1993-11-23 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Method of making a hetero-junction bipolar transistor |
CN103295891B (zh) * | 2012-03-02 | 2016-03-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法 |
CN204332968U (zh) * | 2014-12-09 | 2015-05-13 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片 |
US9553031B1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-01-24 | Lam Research Corporation | Method for integrating germanides in high performance integrated circuits |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711478125.5A patent/CN109994368B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109994368A (zh) | 2019-07-09 |
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