CN109906517B - 光学隔离系统和电路以及具有延伸横向p-n结的光子检测器 - Google Patents

光学隔离系统和电路以及具有延伸横向p-n结的光子检测器 Download PDF

Info

Publication number
CN109906517B
CN109906517B CN201780066981.1A CN201780066981A CN109906517B CN 109906517 B CN109906517 B CN 109906517B CN 201780066981 A CN201780066981 A CN 201780066981A CN 109906517 B CN109906517 B CN 109906517B
Authority
CN
China
Prior art keywords
junction
circuit
sensor
front side
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780066981.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109906517A (zh
Inventor
B·J·马莱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US15/395,584 external-priority patent/US10074639B2/en
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of CN109906517A publication Critical patent/CN109906517A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109906517B publication Critical patent/CN109906517B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/80—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water
    • H04B10/801—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections
    • H04B10/802—Optical aspects relating to the use of optical transmission for specific applications, not provided for in groups H04B10/03 - H04B10/70, e.g. optical power feeding or optical transmission through water using optical interconnects, e.g. light coupled isolators, circuit board interconnections for isolation, e.g. using optocouplers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

所公开的实例包含横向光伏传感器(100)和系统，其具有：一或多个半导体结构(101、103)，所述一或多个半导体结构单独地包含横向传感器表面(107b)以接收给定波长(λ)的光子；以及延伸横向结区，其具有大于5乘以对应于所述给定波长(λ)的所述半导体结构的吸收深度的有效结距离(D)，以促进高电流传送比率以供用于低噪声、高效率电力供应应用以及光学隔离数据传送或光子检测器应用。

Description

光学隔离系统和电路以及具有延伸横向P-N结的光子检测器
背景技术
隔离电路用于跨越电隔离屏障的数据和/或电力传送以互连由并不共享共用接地连接的不同电源供电的电气系统。变压器隔离方法涉及开关电路和磁场，并且所引起的电磁干扰(EMI)在某些应用中可能是不期望的。另外，变压器隔离通常需要额外的变压器组件并且这些解决方案需要大量的电路面积并且是昂贵的。电容耦合或交流耦合可用于提供用于数据发射的隔离，但是基于电容器的隔离解决方案通常涉及吸收信号能量并且引起不佳电力效率的寄生电容。另外，由于厚层的表面介电质的需要，使用电容耦合实施高压崩溃电压额定值是昂贵的。光学隔离避免了与变压器隔离相关联的EMI和电路面积问题，方法是使用光经由光子发射器(例如，发光二极管或LED)、接收器或例如光伏二极管(PVD)的传感器和光学耦合材料在电隔离电路之间传送电力/信号。光学耦合装置或光耦合器通常在PV二极管上方堆叠LED光源，具有在两者之间的玻璃或其它透明材料以将光子能量垂直地向下发射到PVD传感器的顶部。此外，高崩溃电压隔离额定值可以仅通过增大LED与PVD之间的距离获得，引起有时不可接受的垂直装置高度。一些高隔离电压光耦合器使用将光从LED反射到光电二极管的反射拱顶，所述反射拱顶是并排放置的以用于通过LED的向上发射和通过光电二极管的向下接收。在这些常规的光电耦合器方法中，光子路径垂直于硅装置的表面。LED光源通常在红外波长处或附近提供光信号，并且光耦合器通常遭受不佳电力效率(例如，电流传送比或表示输入电流与输出电流的比率的CTR)。另外，由于发射器与检测器之间的电容耦合，在垂直构造中遭受普通模式瞬态隔离(CMTI)。相应地，常规的光学隔离技术并不提供用于许多电力传送应用的足够的解决方案。
发明内容
所公开的实例包含横向光伏传感器和系统，以及具有包含横向传感器表面以接收给定波长的光子的半导体结构的光学隔离电路，及具有超过对应于给定波长的半导体材料的吸收深度的有效结距离以促进跨越电隔离屏障的高效率的数据和/或电力传输的延伸横向结区。在某些实例中，横向延伸p-n结通过p掺杂区中的多个经扩散的或植入的n掺杂区形成以形成贯穿横向有效结距离安置的一系列p-n结。延伸单一或分割p-n结与垂直光电二极管结构相比提供了显著增大光子俘获概率以促进多种应用中的高效率和电流传送比率。用于高速信号信息的光学隔离的进一步所公开的实例包含光学传感器电路以沿横向光学路径使用具有施加偏压的猝灭电路以向横向延伸p-n结施加偏压到接近雪崩的横向延伸p-n结阵列感测给定波长的光信号。在此应用中单个光子的俘获引起p-n结传导电流的雪崩引起直接放大。
附图说明
图1是根据实施例的光学隔离集成电路的截面侧视图，所述光学隔离集成电路包含LED光源和横向光受体二极管传感器，所述横向光受体二极管传感器具有半导体结构，所述半导体结构具有在模制封装结构的内部腔室中贯穿延伸有效p-n结距离的多个横向地间隔开的p-n结提供用于电隔离的光学路径。
图2是具有LED光源和横向光电二极管传感器的另一光学隔离IC实施例的截面侧视图，包含形成于封装腔室的凹形表面上的反射涂层。
图3是具有放置在LED光源与横向光电二极管传感器之间的玻璃或塑料光传输介质的另一光学隔离IC实施例的截面侧视图。
图4是具有包含两个垂直堆叠的横向光电二极管半导体结构的光传感器的另一光学隔离IC实施例的截面侧视图，所述半导体结构单独地包含多个p-n结以形成横向多级光伏(LMSPV)光传感器。
图5是图4的光传感器中的光学接收的部分截面侧视图。
图6是具有包含四个垂直堆叠的横向光电二极管半导体结构的光传感器的另一光学隔离IC实施例的截面侧视图，所述半导体结构单独地包含单个延伸p-n结。
图7是图6的光传感器中的光学接收的部分截面侧视图。
图8是包含具有抛物线形聚焦镜子和光电二极管半导体结构的红外或近红外光源的另一实例隔离电路的截面侧视图，所述半导体结构包含单个延伸p-n结。
图9是包含具有实例输出电流分支的横向延伸结光电二极管半导体结构的实例的顶部平面图的部分示意性光学隔离系统。
图10是作为图9的半导体结构中的有效结距离的函数的所收集的分支电流的曲线图。
图11是作为硅的光子波长的函数的实例吸收深度曲线的曲线图。
图12是包含LMSPV pv偏压产生器阵列的实例隔离低跌落电压(LDO)调节器的简化示意图。
图13是包含LMSPV pv偏压产生器阵列的实例固态继电器(SSR)的简化示意图。
图14是包含LMSPV光传感器的实例隔离闭锁SSR的简化示意图。
图15和16是包含光源和LMSPV光传感器的延长的隔离电路的部分示意性截面侧视图和截面俯视平面图。通过光纤连接。
图17是包含通过光纤耦合的光源IC和LMSPV光传感器的光学隔离系统的部分示意性截面俯视平面图。
图18是包含LMSPV光传感器的实例LDO调节器的部分示意性俯视平面图，所述LMSPV光传感器具有形成在LMSPV光传感器与可以用于图17的系统中的其它电路之间的黑色聚合物光学屏障。
图19是具有通过黑色聚合物屏障分隔开的多个LMSPV光传感器通道的实例LDO调节器的部分示意性俯视平面图。
图20是具有多个LMSPV光传感器通道的实例LDO调节器的部分示意性俯视平面图，所述多个LMSPV光传感器通道通过黑色聚合物屏障分隔开并且单独地包含在LMSPV光传感器通道周围填充有反射材料的弯曲沟槽。
图21是示出在p掺杂区中单独地包含多个n掺杂区以形成多个横向地间隔开的p-n结的若干实例互连半导体结构的另外细节的实例LMSPV光传感器半导体结构的部分示意性俯视平面图。
图22是包含横向光传感器半导体结构的实例光子传感器的部分示意图，所述横向光传感器半导体结构具有沿延伸有效p-n结距离安置的多个p-n结，以及猝灭电路以提供光子倍增器电路。
图23是包含横向光传感器半导体结构的另一实例光子传感器的部分示意图，所述横向光传感器半导体结构具有沿延伸有效p-n结距离安置的单个p-n结，以及猝灭电路以提供光子倍增器电路。
具体实施方式
在图式中，相同参考数字贯穿全文指代相同元件，且各种特征不必按比例绘制。在以下论述和权利要求书中，术语“包含(including、includes)”、“具有(having、has)”、“带有(with)”或其变化形式意图以类似于术语“包括(comprising)”的方式是包含性的，并且因此应被解译为意味着“包含，但不限于……”。并且，术语“耦合(couple、coupled或couples)”意图包含间接或直接电气或机械连接或其组合。举例来说，如果第一装置耦合到第二装置或与第二装置耦合，那么所述连接可以是通过直接电气连接或通过经由一或多个介入装置和连接的间接电气连接。
首先参考图1，公开了具有包含横向传感器表面以从光源接收光子的一或多个半导体结构的横向光伏传感器和系统。半导体结构包含延伸横向结区，所述延伸横向结区具有大于对应于所接收的光信号的波长的半导体材料的吸收深度的有效结距离。各种实施例提供了光学隔离装置和系统，所述光学隔离装置和系统包含光源和具有光源与光接收器之间的间隔距离的此类横向光传感器以形成装置的高水平的崩溃或隔离电压额定值。另外，延伸有效结距离有助于光传感器所产生的电流中的源电流之间的高电流传送比率，并且提供穿过电隔离屏障的更高效率的电力传送的解决方案。各种实例包含具有在传感器通道周围的光学边界的传感器电路以减少串扰并且使得内部反射能够用于在来源与传感器之间的电力和/或数据信号的高效传送。多通道数据发射实施方案以及单通道或多通道电力传送实施例是可能的。所公开的实例也可以用于光子传感器，例如，光子倍增器和其它检测器电路。在各种实例中，p-n结的延伸横向长度有助于高光子俘获概率以获得高效率。某些实例包含半导体结构中的单个延伸p-n结。其它实例提供跨越延伸有效结距离横向地安置的多个p-n结。在某些实例中，此外，多个延伸结半导体结构互连以形成横向多级光伏(LMSPV)光传感器以提供多种不同输出电流和/或电压用于电力传送应用。LMSPV结构也可以用于数据传送应用。所公开的实例有利地促进光学隔离的使用以避免或减少上文所描述的用于电力和/或数据传送的磁性和电容隔离技术和设备的缺点，同时与通过先前光耦合器和光学隔离装置可能的相比有助于更高的效率。在某些实施方案中，偏压电路和猝灭电路与延伸结半导体结构组合以形成具有集成放大的或如同通常被称为硅光子倍增器(SiPM)装置的光子检测器。
图1示出了光学隔离集成电路(IC)100，所述集成电路包含具有一或多个电导体结构104的模制结构102以形成包含LED光源108和横向光传感器106的集成电路封装。光信号沿从光源108的横向信号输出表面107a到光传感器106的横向传感器表面107b的光学路径114行进穿过集成电路封装结构102的腔室110。在一个实例中，光源108是在第一GaAs半导体裸片或其它电路结构105中制造的LED，然而激光器、硅基光子发射器或其它光源可以用于其它实施例。传感器106包含通过p掺杂区101和一或多个n掺杂区103形成的半导体结构以形成贯穿延伸有效结距离D的多个横向地间隔开的p-n结。在所说明的实例中，光传感器106被制造为第二装置或电路结构，具有形成面向光学路径114以接收光信号的横向传感器表面107b的垂直前侧。光传感器106提供沿延伸有效结距离D的一或多个p-n结，在图1中示意性地表示为二极管111。电路结构105和106单独地包含通过接合线124连接到引线框结构的对应的电导体104a、104b的接合垫122。在一个实例中导体104a和104b是可以焊接到主机印刷电路板(PCB，未示出)的IC引脚或衬垫。在一个实例中，外部电路(未示出)经由一对输入导体104a将电信号提供到光源108，并且光源108响应于接收到的电信号沿光学路径114产生光信号。在此实例中，IC 100也包含通过对应的接合线124电连接到在图1中示意性地示出的第二对引线框电导体104b的接合垫122以提供来自光传感器106的电输出信号。所说明的实例中的导体104b提供可以焊接到主机PCB的IC 100的衬垫或引脚以从传感器106传递与在导体104a处的源信号隔离的电信号。在此实例中隔离器IC 100的隔离电压额定值或崩溃电压通过跨越电隔离边界分隔电路结构105和106的间隔距离或间隙距离116设置。
信号输出表面107a和传感器表面107b位于大体上平行的平面中，通过腔室110中的距离116彼此间隔开。在其它可能的实例中，表面107不必是平行的。可以使用任何相对配置，其中传感器表面107b至少部分面向光源108以便接收光信号。传感器表面107b允许光进入结构106以产生对应于光信号的强度的输出电信号。传感器电路106可进一步包含接口电路(未示出)以在传感器信号上操作。如图1中所示，表面107a和107b的大部分暴露在腔室110内，然而不是全部可能实施例的严格的要求。在图1的实例中，光源108和光传感器106在模制封装结构102的内部腔室110中彼此间隔开以在其间提供电隔离。在此实例中腔室110提供不含固体的(即，无固体的)光学路径114。在其它实例中(例如，下文的图3和4)，玻璃或其它光学地透射性的固体结构可以提供在光源108与光传感器106之间。在一个实例中腔室110是密封的，并且包含空气或其它光学地透射性的气体，其可有利地具有与玻璃或其它透明的固体材料相比更低的介电常数，由此减少光源108与传感器106之间的电容耦合。在图1的实例中，腔室110包含凹形的上表面112，然而不是全部可能实施方案的严格的要求。在一个实例中在模制结构102的形成期间可以使用沉积的牺牲升华材料形成腔室110，随后是穿过端口118蒸发或升华以形成无固体的腔室110。端口118可以随后通过胶带或其它闭合结构120关闭以形成腔室110的密封。在某些实例中的隔离间隙或间隔116受到裸片或电路结构105、106中的一个上的机械特征的控制，例如，在裸片105和106之间延伸的氧化物凸块(未示出)以设置间隙距离116。在一些实例中间隙116通过混合特定大小的填充物材料与用于形成腔室110的牺牲材料受到控制。在所说明的实例中，封装结构102的内部表面包含凹形部分，其可以通过在制造期间作为一个滴或一或多个滴形成牺牲材料提供，例如，使用打印过程。此沉积牺牲材料因此形成部分凸形结构，并且在模制封装结构材料102的形成之后材料稍后升华或蒸发，留下凹形内部表面。如在图1中以虚线113所示，腔室内部表面的凹形形状可以延伸超出裸片105和106的边缘以允许一些光从LED光源105的上部部分传送出来并且进入到传感器裸片106的上部部分中。
在一个实例中IC 100是光学隔离电路以将来自连接到光源108的电路的数据或电力传送到连接到传感器106的电路(未示出)。光源108沿光学路径114产生给定波长λ的光信号。在一个实例中，光源是提供在约950nm的波长λ处的信号的横向LED。可使用任何其它合适的光源波长λ。如本文中所使用，给定波长λ的光信号意味着指定波长和在指定值附近的可能地其它波长，例如在指定值的百分之几内或与LED或用于光学隔离装置的其它光源相关联的任何合适的波长容限。在一个实例中，来源108提供具有恰好在硅的带隙能量上方的能量的长波长信号以最大化光传感器106的半导体结构101、103中的吸收深度。具有小于硅的带隙能量的能级的波长λ将微弱地与硅相互作用，然而具有大于硅的带隙或比硅的带隙大的多的能级的λ将被强有力的吸收，但是大于带隙的能量部分随着电子快速地热化下来而被浪费。在某些实例中，横向装置对于在其中硅长度可以增大以获得最大俘获的带隙能量处的波长是最优的。
光传感器106被设计用于在接收和俘获给定波长λ的横向地接收的光子中的操作。在图1的实例中的光传感器106包含半导体结构，所述半导体结构具有顶部T和底部B以及至少部分面向光学路径114的前侧以提供传感器表面107b以从来源108接收光信号。半导体结构进一步包含与前侧间隔开的后侧，以及垂直地在顶部T与底部B之间且水平地在前侧与后侧之间延伸的横向侧。在所说明的实例中，半导体结构是大体上矩形的，具有大体上平行的前侧和后侧，并且顶部和底部是大体上平面的并且彼此平行。另外，所说明的实例提供大体上平面的横向侧。然而，可使用其它半导体结构形状。可以使用任何合适的半导体结构。在某些实例中，半导体结构是硅(Si)。在其它实例中，可使用砷化镓(GaAs)或其它合适的半导体材料。
半导体结构包含具有硼或其它p型掺杂剂的p掺杂部分101。在某些实施方案中p掺杂部分101沿着底部B的至少一部分延伸，如图1中所示。在一个实例中，半导体结构的制造从p掺杂硅衬底形成部分101开始。p型部分从底部B电连接出来到封装电连接器104b。在其它实例中，p型掺杂剂通过植入和/或扩散以形成p掺杂部分101被引入到半导体衬底。半导体结构还包含一或多个n掺杂部分103(包含磷)或至少部分邻近于p掺杂部分101的其它n型掺杂剂。n掺杂部分从顶部T电连接出来到电连接122和124到另一封装电连接器(未示出)。n掺杂部分103在半导体结构中形成至少一个p-n结。所得的p-n结通过半导体结构的前侧与后侧之间的有效的结距离D延伸。在某些实例中有效结距离D大于常数K乘以对应于给定波长λ的半导体结构的吸收深度，其中K大于一。
如本文中所使用，半导体结构101、103的吸收深度是距离值(例如，从传感器表面107b向右延伸到图1中的半导体结构中)，其中入射辐射强度以1/e或近似36％减小。在此距离，通过电子/空穴对的形成通过硅101、103吸收的光子能量的量将近似地是在横向传感器表面107b处接收的给定波长λ的64％。在一个实例中，K大于或等于5。在其它实例中，K大于或等于10。在进一步的实施方案中，K大于或等于20。结距离D可以是给定最终用途应用的实际物理限制内的任何合适的大小，例如，其中K小于1000。在一个实例中n掺杂部分沿着顶部T的至少一部分延伸，然而不是全部可能实施方案的要求。延伸有效p-n结距离D有助于在横向传感器表面107b处接收的高百分比的入射光子的吸收。举例来说，如下文结合图9和10所说明和进一步描述，光子俘获和所引起的载波产生在半导体结构的传感器表面107b处的入口处或附近是高度可能的，并且光子俘获的概率随着距离半导体结构的前方的距离的增大而减小。在所公开的横向装置中，横向尺寸是标准厚度硅晶片的平面(水平)距离。在许多制造过程中，硅晶片是到约10密耳厚的背景，并且标准垂直光伏传感器将仅具有约254微米的路径长度。此外，在此路径长度，仅顶部20微米左右可用于光子俘获。长结可通过建造垂直硅的非常厚的多结件并且在其侧面上放置组装好的裸片堆叠而构建。然而，与横向装置构造相比这将是非常不标准且不切实际的方法。
将半导体结构制造为包含延伸或分布贯穿基本上全部的有效p-n结距离D的一或多个n掺杂部分103有助于通过使D相对于对应于特定半导体材料的吸收深度和对应的给定波长λ较大的高效率光子俘获概率。举例来说，高效LED光源108可用于在近似地950nm的波长λ下发射光子。使用具有合适掺杂p部分101和n部分103的硅半导体结构，近似地64％的接收到的光子能量在950nm来源的行进的第一80um中被吸收。发明人已经理解针对大于或等于5的K获得高吸收百分比，并且通过使用大于或等于10的K获得进一步的改进。此外，针对大于或等于20的K可以获得接近彻底的(例如，接近100％)吸收。在图1的实例中，通过经由在p掺杂部分101的顶部中植入和/或扩散的对应的n掺杂区103形成多个p-n结实施有效的p-n结距离D。虽然图1的实例示出了五个此类n掺杂区103以形成贯穿基本上全部的距离D的p-n结，但是大量的n掺杂区103可用于形成对应的大量的p-n结。虽然在横向半导体结构的前方和后方之间所说明的n掺杂区103基本上均匀地间隔开，但是均匀间隔并不是全部可能实施方案的严格的要求，并且多个间隔和特征大小可以用于各种实施例。
所得的结构101、103提供沿大体上平直的廊道的多个p-n结以促进高收集概率。在各种实施例中，可采用多个此类半导体结构(例如，图4)，并且对应的光学廊道可以是电隔离的。互连电路可以提供于IC 100中以便以任何所期望的串联和/或并联配置连接所得的p-n延伸结单元。此外，个体半导体结构可包含上部和下部(例如，顶部和底部)反射材料或结构109以提供内部反射以促进大部分的接收到的光子能量的俘获，并且光学地隔离每个通道与邻近光学电路。此外，此多通道概念可以延伸到在电力传送以及数据传送应用中使用，其中不同通道的光学隔离有助于通信应用的串扰的最小化。此外，如图1中所示，并且光学反射材料109可以提供在半导体结构101、103的后侧以便引起在后侧遇到的任何光子朝向传感器表面107b反射回来，由此进一步改进收集效率。类似地，在某些实施例中，光学反射材料可以提供在半导体结构101、103的横向侧(未示出)上，并且排序以进一步增强通过传感器结构收集的给定入射光子的概率。
如先前所提及，在某些实例中可以包含多个半导体结构101、103，并且这些单元可以任何合适的串联和/或并联方式堆叠或以其它方式互连以获得所期望的输出电压和/或电流。在某些实例中(例如，图6到8和23)，在个体半导体结构101、103中提供单个延伸的p-n结以通过使用单个n掺杂部分103形成具有结距离D的单个p-n结。在其它实例中(例如，图1到5和12到22)，每个半导体结构101、103包含多个n掺杂部分103(包含n型掺杂剂)以形成基本上贯穿前侧与后侧之间的整个有效结距离D的多个p-n结。在某些应用中，所得的光传感器106可用于数据和/或电力传送。另外，延伸结横向传感器结构106也可以用于光子倍增器应用中，例如，在下文结合图22和23进一步论述的光子检测器系统中。不同于常规的光耦合器，本发明的延伸结装置和系统促进电力供应应用中的高电流传送比率(CTR)，因此有助于通过电隔离屏障分隔开的电路的高效施加偏压。此外，可以根据用于给定应用的任何所期望的崩溃电压或隔离电压额定值设定图1中的距离114的大小。此外，此隔离水平可调节性并不涉及如同常规的经垂直定向的光耦合器的情况的IC 100的垂直高度的增大。
在光传感器106的操作中，横向地穿过传感器表面107b接收的入射光子在通过掺杂区101和103形成的延伸p-n结处或附近被吸收。在操作的一个形式中，传感器106及其对应的延伸p-n结充当光伏模式中的光电二极管以产生载波和对应的电流流动以产生电输出信号以用于电力供应施加偏压和/或用于数据传送。具体地说，一旦接收到足够能量的光子，则通过半导体结构101、103中的内部光电效应形成电子/空穴对。如果吸收发生在延伸p-n结的耗尽区处或附近，那么根据耗尽区的电场载波从结移走，其中空穴朝向阳极(p掺杂区101)移动并且电子朝向阴极(n掺杂区103)移动。此载波移动产生电流流动，其可用于产生电信号到连接到传感器106的相关联的电路。举例来说，低跌落电压(LDO)调节器或其它电力供应电路可以使用光产生电流以将电力供应到连接到传感器106的外部电路。在其它实例中，通过传感器106产生的电流流动可以用作通过连接到传感器的外部电路接收到的数据信号。如下文结合图22和23所论述，从传感器电路106所产生的信号可用于指示个体接收到的光子的检测，例如，在硅光子倍增器电路中。
图2示出了具有如上文所描述的LED光源108和延伸结横向光传感器106的另一实例隔离IC实施例100。在此实例中，腔室110的内部表面包含朝向光传感器106反射来自光源108的光的反射涂层200，例如，沿光学路径202。在一个实例中在形成模制封装结构材料102的模制过程之前反射涂层材料200沉积在凸形牺牲升华材料之上。在模制过程之后牺牲材料层的升华留下至少部分通过剩余的反射材料层200的凹形表面限定的腔室110。可使用有助于通过光源108产生的全部或部分的光信号朝向光传感器106的反射的任何合适的非导电材料200。如图2中所示，来自来源108的光信号可以沿光学路径114行进穿过腔室110直接地到传感器裸片106的感测表面107b，和/或信号也可以经由凹形表面112上的反射涂层200沿反射路径202行进。在其它可能的实例中，腔室112的凹形表面112和任何对应的反射涂层200可以横向地延伸以暴露光传感器半导体结构的顶部的至少一部分，由此允许反射光子进入半导体结构的顶部以用于在传感器106中的潜在的俘获。
图3示出了具有如上文所描述的光源108和光传感器106的另一非限制性实例隔离IC 100。在此实例中，光透射结构300沿光学路径114安置在光源108的表面107a与光传感器106的表面107b之间。可使用任何合适的材料300，例如，玻璃、聚合物等。
还参考图4和5，图4示出了另一光学隔离IC实施例100。在此实例中，光传感器106包含多个串联连接的二极管，每个二极管包含如上文所描述的对应的半导体结构401、402的p和n掺杂部分。在此实例中光传感器111包含通过两个(例如，下部和上部)衬底或裸片401和402形成的两个串联连接的光电二极管，然而可使用任何数量2或更多的此类堆叠裸片。在一个实例中，裸片401、402各自包含上部反射涂层材料，例如，通过在对应的半导体结构的顶部T上的氧化层502和上部钝化层504形成。在半导体结构中的每一个的底部B上使用含反射银的环氧树脂以便形成底部反射表面以在个体半导体结构内含有光子，并且将上部半导体结构/裸片402接合到下部裸片401。在此实例中，光传感器结构106还包含具有半导体衬底的底座裸片400，所述半导体衬底包含任何所期望的放大器、滤光器或其它接口电路(未示出)，具有使用含光学反射银的环氧树脂安装到底座裸片400的顶部的下部传感器裸片401以用于附接并且还用于裸片401中的光子反射。在一个实例中裸片401和402是回接地的以具有与底座裸片400相比较小的垂直高度。在一个实例中，堆叠裸片401和402各自包含金属化物结构以提供到n掺杂部分103的上部电气连接，并且用于将裸片401和402接合在一起的含银环氧树脂可以提供从下部裸片401的n掺杂部分到上部裸片402的p掺杂部分的电气连接以有效地连接彼此串联的对应的二极管。在一个实例中，个体裸片401和402各自产生近似地0.5V的电压信号，并且堆叠裸片401和402可以串联互连以提供到外部电路的更高的输出电压信号(例如，1.0V)。具有大于2个堆叠裸片的实施例可以任何所期望的串联和/或并联配置互连，以响应于来自光源108的光信号获得所期望的输出信号水平。
图6和7示出在光学传感器106中使用多个堆叠二极管的另一隔离IC实例100。在图6中的第二电路结构106是具有单独地包含单个p掺杂部分和单个延伸n掺杂部分的垂直二极管的多裸片结构。如同上文所描述的实施例，此实例提供具有长于对应于给定波长λ的半导体结构的吸收深度的有效结距离D的延伸横向p-n结结构。图6和7中的传感器结构包含形成在底座裸片600上的四个堆叠裸片601、602、603和604，然而可使用任何数目的裸片。图7示出了在各种裸片601到604中的若干实例光行进路径。
现在参考图8到10，图8示出了实例光学隔离电路800，其包含配备有抛物线形反射器镜子结构802的LED光源108。在一个实例中，光源108是在50mW在100mA下额定的OSRAMSFH-4441 940nm LED。光耦合器结构804提供在LED/镜子组件108、802与包含如先前所描述的单个p掺杂部分101和单个延伸长度n掺杂部分103的半导体结构的传感器表面107b之间。在此实例中，K近似地是7。此实例包含在半导体结构的顶部T上的反射涂层材料109，例如，氧化物，以及在底部B上的反射材料109(例如，反射环氧树脂)以促进如图8中的简化形式中所示的光子反射以用于提高俘获概率。半导体结构101、103经由环氧树脂109安装到基座808，并且来源和传感器结构以间隔开的关系安装到底座806以界定间隔或间隙距离116以设置隔离电路800的隔离水平。在某些实例中，在顶部侧T对n和p区进行电连接(未示出)。
图9示出了沿图8中的线9-9获取的半导体结构101、103的俯视图。结构包含连接到n掺杂部分103的对应的区域的一或多个导电分支904以基于进入传感器表面107b的光子的俘获收集光产生的电流。
图10提供了示出表示在图9中的分支位置904处的以μa计的分支电流作为距离传感器表面107b的距离的函数的曲线1002的曲线图1000。如先前所论述，光子俘获的概率以及因此光子产生分支电流的幅值在传感器表面107b处或附近最高，并且随着在半导体结构中的增大的距离而衰减。在此实例中，近似地64％的总产生的分支电流贯穿距离传感器表面107b的初始距离902产生，对应于给定半导体材料和给定波长λ的吸收距离。
图11示出了包含实例吸收深度曲线1102作为硅半导体结构101、103的波长λ(μm)的函数的曲线图1100。在此实例中，在940nm的光子波长处的传入光子的64％的吸收的深度近似地是95um。使用此原理，给定光传感器106可以设计有足够的有效结距离D以获得用于给定光源波长λ和半导体材料的所期望的收集效率目标。
还参考图12到21，可以使用延伸结光传感器106形成多种不同电路结构和装置。如上文所提及，某些实例包含潜在地大量的个体传感器单元，各自包含具有p掺杂部分和一或多个n掺杂部分的半导体结构以形成具有横向传感器表面107b和长于给定光源波长λ的对应的半导体材料的吸收深度的延伸有效结距离D的单元。在串联和/或并联配置中互连的多个横向单元的组合在本文中被称作多级光伏(LMSPV)传感器结构106。
图12说明包含在集成电路裸片或封装多裸片装置1201上实施的传感器结构的实例隔离式低跌落电压(LDO)调节器装置1200。在此实例中，传感器电路106形成为LMSPV结构以如先前描述从横向传感器表面107b接收光。LMSPV 106的n和p掺杂部分电连接到开关电路1202以电互连LMSPV 106的多个半导体结构101、103的p-n结。在一个实例中，开关电路1202是可编程或以其它方式可配置的以允许变为串联和/或并联互连，使得装置1201将提供具有可配置电压和电流值的输出信号(例如，在图12中的输出电压VO)。从LMSPV 106提供的电信号穿过开关电路1202传递到LDO调节器电路1204。调节器电路1204提供输出信号VO以驱动负载(未示出)。装置1200在匹配光源(未示出)与LMSPV光传感器106之间有利地提供高电流传送比以实施具有跨越电隔离屏障的光学隔离的更高效率的电力供应。
图13说明包含具有传感器表面107b的LMSPV 106的隔离式固态继电器(SSR)装置1300以接收光信号脉冲开启或关闭以选择性地开启负载的电力。在一个实例中，装置1300封装在单个集成电路裸片或封装多裸片结构1301中，包含LMSPV 106、如上文所描述的串联/并联开关电路1202、用于实施热交换功能性的应用特定的模拟电路1302，以及电力开关1304。在一个实例中，装置1300用于隔离式电力开关。装置1300有利地有助于从与电力供应电路的次级侧电隔离的信号源穿过LMSPV 106供应开启或关闭控制信令。
图14示出了隔离式闭锁SSR装置1400，所述装置封装在单个集成电路裸片或具有多个LMSPV电路106和对应的横向传感器表面107b以及上部和下部容纳电容器1402及栅极驱动电路1404和直流或交流电力开关1304以控制负载的封装多裸片结构1401中。如先前所描述装置1401从LED光源105、108在传感器表面107b接收光。容纳电容器1402提供从LMSPV结构106获得的输出信号的闭锁以允许接收光信号以致动和闭锁电力开关1304。
图15到17说明使用图12的实例LDO调节器装置1200结合光学带或光纤1508的光学隔离电力供应解决方案。图15和16相应地示出封装在模制化合物材料1502中的隔离式电力供应装置1500的侧视图和俯视图。来源侧电路1501包含具有引线1504和1506的引线框结构，例如，可以焊接到主机印刷电路板(未示出)的引脚或衬垫，具有光源(例如，侧面或横向发射LED)105、108和连接到光学带或光纤1508的输入侧的光学耦合材料804。光学带或光纤1508的输出端经由对应的光学耦合材料804连接到LMSPV结构106的横向传感器表面107b。电力供应装置1500还包含负载或输出侧电路1511，所述电路包含如上文结合图12所描述的LDO调节器装置1200。在此实例中调节器装置1200安装到包含引线1510和1512的输出侧引线框结构以提供电输出信号(例如，输出电压或电流)到连接到主机印刷电路板的驱动负载电路。图15和16中的装置1500在单个装置中有利地提供光学电力供应隔离解决方案，并且有利地使用LMSPV结构或结构106的高电流传送比和高效率优点以跨越电隔离屏障传送电力而没有用于电力传送的变压器隔离技术的空间、成本和电磁干扰缺点。
图17示出了用于在两个单独的系统之间的电力传送的另一光学隔离系统1700。在此实例中，来源侧电路1501封装在第一集成电路裸片或包含具有引线1504和1506的引线框结构的封装多裸片结构1701中。光纤或带1508将第一结构1701连接到第二IC裸片或包含具有引线1510和1512的第二引线框结构和上文所描述的调节器装置1200的封装多裸片结构1702。光学隔离系统1700提供集成解决方案以跨越隔离屏障通过裸片结构1701和1702之间的光学带或光纤1508的简单连接向负载施加偏压或供电。
图18示出了实施LDO调节器系统1800的负载侧电路1511的另一实例。在此实例中负载侧电路1511包含具有LMSPV结构106的调节器结构1200以及如上文所描述的开关电路1202和调节器电路1204。在此实例中电路以及结构106、1202和1204是在单个半导体裸片1200上制造的。此实例进一步包含光学隔离屏障结构1802。在一个实例中，光学隔离屏障结构1802包含黑色聚合物或形成于半导体裸片的沟槽中的其它光阻挡材料。在一个实例中，包含p掺杂部分101和n掺杂部分103的LMSPV半导体结构106连同开关电路1202和调节器电路1204一起形成硅结构中。沟槽经形成为分离LMSPV结构106与开关电路1202，并且沟槽填充有黑色聚合物。之后，裸片回接地以暴露沟槽中的聚合物。所得的结构通过聚合物固持在一起，并且聚合物形成光学屏障以隔离LMSPV结构106与开关电路1202和LDO电路1204。
现在参考图19和20，光学隔离技术和图18的屏障结构1802可以用于其中期望光学地隔离不同通道或不同电路的其它实施例。图19示出了包含多个光学通道的另一调节器系统1900。在此实例中每个通道包含通过对应的光纤或带1508接收光信号的LMSPV堆叠结构106。在此实例黑色聚合物填充沟槽隔离结构1802沿LMSPV传感器结构106中的每一个的上部和下部边缘形成。这有效地防止了LMSPV区段或单元106之间的光学串扰，并且还防止了与形成于装置1200中的开关电路1202和/或LDO调节器电路1204的光学干涉。
图20示出了包含上文所描述的黑色聚合物填充光学隔离结构1802以限制两个所说明的LMSPV部分106内的光信号的另一实例。在此实例中，反射材料填充结构2002形成在光学通道中的每一个的LMSPV部分106周围。如先前所论述，反射材料的使用通过有助于在半导体材料和延伸p-n结内的光子俘获的进一步机会而提高了LMSPV结构106的俘获效率。在一个实施方案中，反射器结构2002包含贯穿LMSPV结构106的大部分的长度的平直部分，并且LMSPV结构的后侧包含弓形部分，例如，抛物线形部分。在一个实例中，结构2002通过类似于在形成光学隔离结构1802中使用的过程的选择性深度蚀刻过程形成。在LMSPV组件106的制造之后深沟槽形成于半导体结构中，并且沟槽填充有光学反射材料，例如，玻璃。裸片随后回接地以暴露玻璃，留下具有横向地围绕半导体结构的三个侧面及其延伸p-n结的反射结构2002的增强型LMSPV结构106。此外，在邻近光学通道之间，黑色聚合物填充结构1802提供光学隔离以缓解或避免光学通道之间的光学串扰。此外，如先前所论述，反射材料可以被添加到个体LMSPV结构106的顶部和底部，例如，在底部B上的反射环氧树脂和形成在顶部侧T上的氧化层或材料(例如，图1中的109)。
现在参考图21到23，示出了硅光倍增器装置(SiPMD)的独特构造。本发明提供了不以其中光子进入硅阵列的顶部表面的常规的方式使用的SiPMD。替代地，如同上文所描述的实例装置，SiPMD装置具有在侧面或边缘进入到延伸收集距离中的光子。SiPMD倍增单个输入光子到阵列的PN小区中的电子的雪崩中，其中产生电子-空穴对。在图21的实例中，每个阵列单元与下一个单元隔离，因此雪崩并不跨越整个结构传播。雪崩的发生是因为单元在其雪崩崩溃附近操作，因此一个光子足以引起雪崩电流流动。这在每个单元中形成高增益放大形成此敏感检测器。一旦跳脱到雪崩中，则单元需要重置，因此存在用于如图22和23中所示的每个单元的串联猝灭电阻器R。猝灭电阻器R允许单元电压降低的足以允许它从雪崩中离开。所有这些单元和猝灭电阻器是并联的，因此组合的输出电流表示为光子密度乘以非常大的增益因数，并且电路使用偏压来操作。此外，横向构造提高了检测器的灵敏度。
图21说明包含形成于阵列中的多个光传感器半导体结构的实例LMSPV阵列结构2100。LMSPV结构2100包含如上文所描述的横向传感器表面107b和具有延伸影响结距离D的大量个体P-N单元的矩阵或阵列。在此实例中，阵列的个体单元包含形成于隔离p掺杂区101中的单个n掺杂部分103以形成基本上贯穿延伸影响结距离D安置的p-n结的个体的阵列。图21进一步说明在一个实例中阵列单元的两个列和若干行的一部分的剖面视图。另外，如下文结合图22和23所述，也可以在光子传感器应用中采用LMSPV结构2100。
如图22和23中示意性地示出，LMSPV结构106可以用于光子感测系统和电路中，不论具有多个单元的阵列还是具有p掺杂部分101和一或多个n掺杂部分103的单个半导体结构106以形成延伸结。图22示出了具有如上文所描述的包含安置在p掺杂部分101内的多个n掺杂部分103的半导体结构101、103的实例光子检测器电路2200。结构形成具有横向传感器表面107b的延伸结光传感器106以沿光学路径114接收光子，其中传感器结构106具有有效结距离D，所述距离是常数K乘以对应于入射光信号的给定波长λ的半导体结构的吸收深度。图23中的电路2300示出了使用具有单个n掺杂部分103的延伸结光传感器电路106的类似布置。图22和23中的检测器电路2200和2300中的光传感器包含在阵列的每个二极管单元中的等效寄生电容器、二极管和电阻器，它们与在p掺杂部分101与n掺杂部分103之间的传感器电路二极管111并联耦合的电容器C形成猝灭电路，以及耦合在偏压电压VBIAS与n掺杂部分103之间的电阻器R。所得结构形成猝灭电路以检测少量光子，或甚至接收横向传感器结构106中的单个光子。在操作中，将偏压电压应用到电阻器R为电容器C充电，同时传感器电路二极管111是逆向施加偏压的。偏压电压VBIAS被设置到对应于传感器电路二极管111的特性的水平以便将电容器C充电(同时二极管111并不导电)到恰好低于二极管111的雪崩额定值的水平。通过寄生电容器C充电，电路2200准备好在传感器表面107b处沿光学路径114接收一或多个光子。传感器结构106中的入射光子的成功俘获使得p-n结传导雪崩电流以使寄生电容器C放电。一旦寄生电容器C放电到低于二极管111的雪崩阈值的水平，则二极管111中断导电，并且寄生电阻器R再次为电容器C充电。寄生电容器C的放电/充电形成表示通过检测器电路2200、2300的光子的俘获的信号。电流感测阈值比较可用于基于此增大的电流流动形成检测器输出信号。感测电阻器RS从比较器2202的+输入端连接到接地电路参考以响应于接收到的电流尖峰建立电压信号。在图22和23中，p掺杂部分101连接到电压比较器2202的非反相(+)输入端以接收信号电压。比较器2202比较信号电压与阈值电压VTH以响应于电流尖峰产生检测器输出信号DETECT OUT。因为通过电容器C的放电/充电所产生的电流信号与在传感器结构106中通过电子/空穴对的形成产生的载波电流相比大的多，所以电路2200、2300提供可以用于光子检测或其它有用的应用的光子倍增器电路。因为检测器阵列可以检测个体光子，所以它也可能使用低效率发射器用于光子来源。这允许替代于GaAsLED的具有正向施加偏压的硅PN结发射器用于低强度IR辐射的标准的硅的使用。逆向施加偏压的雪崩或齐纳结也可以用于发射低强度可见光。
所公开的实例高效率横向PV单元具有进入延伸长度有效p-n结的横向光子。在某些实例中，有效横向结距离D被设置成给定波长λ的光子的吸收深度的倍数以促进高收集效率。这极大地提高了光传感器106的半导体结构中的电子/空穴对产生的机会。所公开的实例提供跨越光学通道的低功率信号传送中的优点，并且能够实现跨越电隔离屏障的电力的高效率光学传送。另外，所公开的概念在光子检测器或光子倍增器中发现实用性。在某些配置中，大量传感器单元106互连以用于更高水平的电力输送，并且每个单元是低成本构造。低成本堆叠配置是可能的，其中个体光伏单元106可在顶部T、底部B、后侧和横向侧上经由氧化物和/或反射环氧树脂包含光学反射材料109，具有通过顶部T上的一或多个接合垫连接的负(N型)节点和底部B上的半导体材料中的正(P型)。此实例构造使得简单裸片能够与导电环氧树脂堆叠以按任何所期望的方式互连所得光敏二极管。所公开的实例相对于常规的光学隔离技术和装置提供了光子到电力传送的潜在地大效率的改进。此外，横向光子传送通过控制光源108与光传感器106之间的间隔轻易地适应于不同隔离电压额定值，具有提供任何合适的光传输介质(例如，玻璃、空气、聚合物)的能力并且极其大的电压分离额定值可以通过使用光纤或光带以大距离分离来源和传感器来实现。
上述实例仅说明本发明的各种方面的若干可能的实施例，其中在阅读和理解本说明书和附图之后所属领域的其它技术人员将构想出等效变化和/或修改。在权利要求书的范围内，对所描述的实施例的修改是可能的，并且其它实施例是可能的。

Claims (18)

1.一种隔离电路，其包括：
光源，其经配置以沿光学路径产生给定波长的光信号；以及
光传感器，其与所述光源间隔开光学通道距离，所述光传感器包括：
半导体结构，其包含：
顶部，
底部，
前侧，其至少部分面向所述光学路径，
后侧，其与所述前侧间隔开，以及
多个横向侧，其在所述顶部与所述底部之间垂直地延伸，所述横向侧在所述前侧与所述后侧之间水平地延伸；以及
p-n结，其形成于所述半导体结构中，所述p-n结以大于常数K乘以对应于所述给定波长的所述半导体结构的吸收深度的有效结距离在所述前侧与所述后侧之间延伸，K大于或等于5。
2.根据权利要求1所述的隔离电路，其中K大于或等于10。
3.根据权利要求1所述的隔离电路，其中K大于或等于20。
4.根据权利要求1所述的隔离电路，其中所述半导体结构包含硅。
5.根据权利要求1所述的隔离电路，其中所述光传感器包括多个半导体结构，每个半导体结构包含：
顶部；
底部；
前侧，其至少部分面向所述光学路径以提供传感器表面以接收所述光信号；
后侧，其与所述前侧间隔开；
多个横向侧，其在所述顶部与所述底部之间垂直地延伸，所述横向侧在所述前侧与所述后侧之间水平地延伸；
p掺杂部分，其包含p型掺杂剂，所述p掺杂部分沿所述底部的至少一部分延伸；以及
n掺杂部分，其包含至少部分邻近于所述p掺杂部分的n型掺杂剂以形成以有效结距离在所述前侧与所述后侧之间延伸的至少一个p-n结，所述n掺杂部分沿所述顶部的至少一部分延伸，所述有效结距离大于常数K乘以对应于所述给定波长的所述半导体结构的吸收深度，K大于或等于5。
6.根据权利要求1或权利要求5所述的隔离电路，其中每个半导体结构包含多个n掺杂部分，所述多个n掺杂部分包含n型掺杂剂以形成基本上贯穿所述前侧与所述后侧之间的所述整个有效结距离的多个p-n结。
7.根据权利要求1或权利要求5所述的隔离电路，其中每个半导体结构进一步包含在所述顶部、所述底部、所述后侧和所述横向侧中的至少一个上的反射材料。
8.根据权利要求5所述的隔离电路，其进一步包括开关电路以电互连所述多个半导体结构的所述p-n结。
9.根据权利要求1所述的隔离电路，其包括调节器电路以基于来自所述光传感器的电信号提供电力供应信号。
10.根据权利要求1所述的隔离电路，其进一步包括：
引线框结构，其包含多个电导体，所述光源与所述引线框结构的所述第一对电导体电耦合，并且所述光传感器与所述引线框结构的所述第二对电导体电耦合；以及
模制封装结构，其包围所述光源、所述光传感器和所述引线框结构的部分，所述模制封装结构暴露所述第一对和第二对电导体的部分以允许到所述光源和所述光传感器的外部连接。
11.根据权利要求10所述的隔离电路，其进一步包括沿所述光学路径安置在所述光源与所述光传感器之间的光传输介质。
12.根据权利要求1所述的隔离电路，其中所述光传感器进一步包含：
电容器，其耦合在所述p掺杂部分与所述n掺杂部分之间；以及
电阻器，其耦合在偏压电压与所述n掺杂部分之间以将所述电容器充电到一定电压以向所述p-n结施加偏压到接近雪崩电压以允许通过所述p-n结俘获光子以使得所述p-n结传导雪崩电流以使所述电容器放电以产生表示所述光子的俘获的信号。
13.一种沿光学路径感测给定波长的光信号的光学传感器电路，其包括：
半导体结构，其包含：顶部；底部；前侧，其至少部分面向所述光学路径；后侧，其与所述前侧间隔开；以及多个横向侧，其在所述顶部与所述底部之间垂直地延伸，所述横向侧在所述前侧与所述后侧之间水平地延伸；以及
p-n结，其形成于所述半导体结构中，所述p-n结以大于常数K乘以对应于所述给定波长的所述半导体结构的吸收深度的有效结距离在所述前侧与所述后侧之间延伸，K大于或等于5。
14.根据权利要求13所述的光学传感器电路，其中所述p-n结包含：
p掺杂部分，其包含p型掺杂剂，所述p掺杂部分沿所述底部的至少一部分延伸；以及
n掺杂部分，其包含至少部分邻近于所述p掺杂部分沿所述顶部的至少一部分延伸的n型掺杂剂以形成所述p-n结。
15.根据权利要求13所述的光学传感器电路，其进一步包括多个n掺杂部分，所述多个n掺杂部分包含n型掺杂剂以形成基本上贯穿所述前侧与所述后侧之间的所述整个有效结距离的多个p-n结。
16.根据权利要求13所述的光学传感器电路，其包括调节器电路以基于来自所述p-n结的电信号提供电力供应信号。
17.根据权利要求13所述的光学传感器电路，其进一步包括：
电容器，其耦合在所述p-n结的p掺杂部分与所述p-n结的n掺杂部分之间；以及
电阻器，其耦合在偏压电压与所述n掺杂部分之间以将所述电容器充电到一定电压以向所述p-n结施加偏压到接近雪崩电压以允许通过所述p-n结俘获光子以使得所述p-n结传导雪崩电流以使所述电容器放电以产生表示所述光子的俘获的信号。
18.一种横向多级光伏传感器系统，其包括：
多个硅结构，其单独地包含：顶部；底部；前侧，以提供传感器表面以接收给定波长的光子；后侧，其与所述前侧间隔开；多个横向侧，其在所述顶部与所述底部之间垂直地延伸；以及结区，其在所述前侧与所述后侧之间以大于常数K乘以对应于所述给定波长的硅的吸收深度的有效结距离延伸，K大于或等于5，所述结区包含在所述硅结构中的p掺杂部分和形成于所述p掺杂部分中的多个n掺杂部分以提供在所述前侧与所述后侧之间基本上贯穿所述整个有效结距离的多个p-n结；以及
电路，以电互连所述多个半导体结构的所述p-n结以提供指示在所述p-n结处或附近的所述光子的俘获的电信号。
CN201780066981.1A 2016-12-30 2017-12-29 光学隔离系统和电路以及具有延伸横向p-n结的光子检测器 Active CN109906517B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/395,584 US10074639B2 (en) 2016-12-30 2016-12-30 Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US15/395,584 2016-12-30
US15/612,327 US10411150B2 (en) 2016-12-30 2017-06-02 Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions
US15/612,327 2017-06-02
PCT/US2017/068997 WO2018126161A1 (en) 2016-12-30 2017-12-29 Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral p-n junctions

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109906517A CN109906517A (zh) 2019-06-18
CN109906517B true CN109906517B (zh) 2022-11-08

Family

ID=62710085

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780066981.1A Active CN109906517B (zh) 2016-12-30 2017-12-29 光学隔离系统和电路以及具有延伸横向p-n结的光子检测器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10411150B2 (zh)
EP (1) EP3563424A4 (zh)
JP (2) JP2020507203A (zh)
CN (1) CN109906517B (zh)
WO (1) WO2018126161A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10128400B1 (en) 2017-07-26 2018-11-13 Harris Corporation Optocoupler for the control of high voltage
JP2020534709A (ja) * 2017-09-22 2020-11-26 ローレンス リバモア ナショナル セキュリティ リミテッド ライアビリティ カンパニー 光伝導性の電荷トラップ装置
GB202003507D0 (en) * 2020-03-11 2020-04-29 Spencer Peter Opto-electronic assemblies
DE102021210621A1 (de) 2021-09-23 2023-03-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung
DE102021210618A1 (de) * 2021-09-23 2023-04-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische vorrichtung
CN114068755A (zh) * 2021-12-29 2022-02-18 上海集成电路研发中心有限公司 雪崩光电二极管及其制作方法

Family Cites Families (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3363155A (en) * 1964-08-19 1968-01-09 Philips Corp Opto-electronic transistor with a base-collector junction spaced from the material heterojunction
US3969746A (en) * 1973-12-10 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vertical multijunction solar cell
US4007978A (en) 1974-01-18 1977-02-15 Texas Instruments Incorporated Integrated optical circuits
US3952265A (en) * 1974-10-29 1976-04-20 Hughes Aircraft Company Monolithic dual mode emitter-detector terminal for optical waveguide transmission lines
US4272753A (en) 1978-08-16 1981-06-09 Harris Corporation Integrated circuit fuse
US4210923A (en) * 1979-01-02 1980-07-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Edge illuminated photodetector with optical fiber alignment
US4267484A (en) 1979-08-28 1981-05-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Parallel multi-electrode spark gap switch
US4996577A (en) 1984-01-23 1991-02-26 International Rectifier Corporation Photovoltaic isolator and process of manufacture thereof
GB2154820B (en) * 1984-01-23 1988-05-25 Int Rectifier Corp Photovoltaic relay
US4757210A (en) * 1987-03-02 1988-07-12 Rockwell International Corporation Edge illuminated detector arrays for determination of spectral content
US4916506A (en) 1988-11-18 1990-04-10 Sprague Electric Company Integrated-circuit lead-frame package with low-resistance ground-lead and heat-sink means
US4891730A (en) 1989-05-10 1990-01-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Monolithic microwave integrated circuit terminal protection device
US5340993A (en) 1993-04-30 1994-08-23 Motorola, Inc. Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier
JPH0715030A (ja) 1993-06-07 1995-01-17 Motorola Inc 線形集積光結合素子およびその製造方法
US6728113B1 (en) 1993-06-24 2004-04-27 Polychip, Inc. Method and apparatus for non-conductively interconnecting integrated circuits
US5389578A (en) 1994-01-04 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Optical coupler
US5514892A (en) 1994-09-30 1996-05-07 Motorola, Inc. Electrostatic discharge protection device
US5796570A (en) 1996-09-19 1998-08-18 National Semiconductor Corporation Electrostatic discharge protection package
US6111305A (en) * 1997-10-09 2000-08-29 Nippon Telegraph And Telephone Corporation P-I-N semiconductor photodetector
DE19800459A1 (de) 1998-01-08 1999-07-22 Siemens Ag Oszillatorstruktur mit wenigstens einem Oszillator-Schaltkreis und wenigstens einem Resonator
JPH11274196A (ja) 1998-03-26 1999-10-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置
US5929514A (en) 1998-05-26 1999-07-27 Analog Devices, Inc. Thermally enhanced lead-under-paddle I.C. leadframe
US5990519A (en) 1998-11-27 1999-11-23 United Microelectronics Corp. Electrostatic discharge structure
US6351011B1 (en) 1998-12-08 2002-02-26 Littlefuse, Inc. Protection of an integrated circuit with voltage variable materials
JP2000311959A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
RU2169962C2 (ru) 1999-07-13 2001-06-27 Минг-Тунг ШЕН Модуль с полупроводниковыми микросхемами и способ его изготовления
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6509574B2 (en) 1999-12-02 2003-01-21 Texas Instruments Incorporated Optocouplers having integrated organic light-emitting diodes
US6507264B1 (en) 2000-08-28 2003-01-14 Littelfuse, Inc. Integral fuse for use in semiconductor packages
US6538299B1 (en) * 2000-10-03 2003-03-25 International Business Machines Corporation Silicon-on-insulator (SOI) trench photodiode
JP4565727B2 (ja) 2000-10-10 2010-10-20 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
RU2201017C2 (ru) 2000-10-26 2003-03-20 Зао "Синтэк" Оптрон
US6801114B2 (en) 2002-01-23 2004-10-05 Broadcom Corp. Integrated radio having on-chip transformer balun
JP2003282935A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Sharp Corp 光結合素子、その製造方法、及び電子機器
US20030183916A1 (en) 2002-03-27 2003-10-02 John Heck Packaging microelectromechanical systems
US6879004B2 (en) 2002-11-05 2005-04-12 Silicon Labs Cp, Inc. High voltage difference amplifier with spark gap ESD protection
US6977468B1 (en) 2003-02-03 2005-12-20 Auburn University Integrated spark gap device
RU2263999C1 (ru) 2004-02-02 2005-11-10 ЗАО "Синтез электронных компонентов" Интегральный оптрон
US7196313B2 (en) 2004-04-02 2007-03-27 Fairchild Semiconductor Corporation Surface mount multi-channel optocoupler
US7180098B2 (en) * 2004-04-05 2007-02-20 Legerity, Inc. Optical isolator device, and method of making same
US7508644B2 (en) 2004-06-30 2009-03-24 Research In Motion Limited Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection
US7015587B1 (en) 2004-09-07 2006-03-21 National Semiconductor Corporation Stacked die package for semiconductor devices
JP5011115B2 (ja) 2004-10-18 2012-08-29 スタッツ・チップパック・インコーポレイテッド マルチチップリードフレーム半導体パッケージ
JP4724488B2 (ja) 2005-02-25 2011-07-13 日立オートモティブシステムズ株式会社 集積化マイクロエレクトロメカニカルシステム
KR100833017B1 (ko) 2005-05-12 2008-05-27 주식회사 엘지화학 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법
US7902453B2 (en) * 2005-07-27 2011-03-08 Rensselaer Polytechnic Institute Edge illumination photovoltaic devices and methods of making same
US7787230B2 (en) 2005-09-14 2010-08-31 University of Wirwatersrand, Johannesburg Spark gap protection device
JP4594205B2 (ja) 2005-10-05 2010-12-08 本田技研工業株式会社 車両用方向指示灯
JP5001564B2 (ja) 2006-03-17 2012-08-15 日本電波工業株式会社 表面実装用の水晶発振器とその製造方法
US7732892B2 (en) 2006-11-03 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fuse structures and integrated circuit devices
US7834435B2 (en) 2006-12-27 2010-11-16 Mediatek Inc. Leadframe with extended pad segments between leads and die pad, and leadframe package using the same
US20080217759A1 (en) 2007-03-06 2008-09-11 Taiwan Solutions Systems Corp. Chip package substrate and structure thereof
US20080266730A1 (en) 2007-04-25 2008-10-30 Karsten Viborg Spark Gaps for ESD Protection
JP2008277469A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Hitachi Ltd 感光性ｓａｍ膜の露光方法および半導体装置の製造方法
US8436460B1 (en) 2007-05-04 2013-05-07 Cypress Semiconductor Corporation Multiple die paddle leadframe and semiconductor device package
DE102007037020B3 (de) * 2007-08-06 2008-08-21 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Avalanche-Photodiode
JP5076725B2 (ja) 2007-08-13 2012-11-21 富士電機株式会社 絶縁トランスおよび電力変換装置
JP4912275B2 (ja) 2007-11-06 2012-04-11 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ
US7847387B2 (en) 2007-11-16 2010-12-07 Infineon Technologies Ag Electrical device and method
US7842542B2 (en) 2008-07-14 2010-11-30 Stats Chippac, Ltd. Embedded semiconductor die package and method of making the same using metal frame carrier
US8148781B2 (en) 2008-07-28 2012-04-03 MCube Inc. Method and structures of monolithically integrated ESD suppression device
US8072770B2 (en) 2008-10-14 2011-12-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with a mold material encapsulating a chip and a portion of a lead frame
JP5590814B2 (ja) 2009-03-30 2014-09-17 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
JP2010245337A (ja) 2009-04-07 2010-10-28 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
EP2252077B1 (en) 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
US8183593B2 (en) 2009-10-16 2012-05-22 Oracle America, Inc. Semiconductor die with integrated electro-static discharge device
GB2475099B (en) * 2009-11-06 2012-09-05 Toshiba Res Europ Ltd A photon source for producing entangled photons
US8410463B2 (en) 2009-11-12 2013-04-02 Fairchild Semiconductor Corporation Optocoupler devices
US8368232B2 (en) 2010-03-25 2013-02-05 Qualcomm Incorporated Sacrificial material to facilitate thin die attach
JP5663740B2 (ja) * 2010-12-01 2015-02-04 日本電信電話株式会社 太陽光発電装置
TWI412149B (zh) * 2010-12-16 2013-10-11 Univ Nat Central Laser energy conversion device
US8260098B1 (en) 2011-02-17 2012-09-04 Nxp B.V. Optocoupler circuit
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9154103B2 (en) 2012-01-30 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Temperature controlled acoustic resonator
US9279946B2 (en) 2012-05-23 2016-03-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Premolded cavity for optoelectronic device
DE102012208730A1 (de) 2012-05-24 2013-11-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Bauelementevorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Bauelementevorrichtung
US8674509B2 (en) 2012-05-31 2014-03-18 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit die assembly with heat spreader
US9011176B2 (en) 2012-06-09 2015-04-21 Apple Inc. ESD path for connector receptacle
US8704370B2 (en) 2012-06-29 2014-04-22 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor package structure having an air gap and method for forming
US8633551B1 (en) 2012-06-29 2014-01-21 Intel Corporation Semiconductor package with mechanical fuse
JP6084401B2 (ja) * 2012-08-30 2017-02-22 浜松ホトニクス株式会社 側面入射型のフォトダイオードの製造方法
US9184012B2 (en) 2012-12-19 2015-11-10 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit fuse and method of fabricating the integrated circuit fuse
DE102013101262A1 (de) 2013-02-08 2014-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Leuchtmodul, optoelektronische Leuchtvorrichtung und Kfz-Scheinwerfer
US20150380353A1 (en) 2013-02-12 2015-12-31 Freescale Semiconductor, Inc. Method of fabricating an integrated circuit device, and an integrated circuit device therefrom
US9349616B2 (en) 2013-03-13 2016-05-24 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming WLCSP with semiconductor die embedded within interconnect structure
JP6256933B2 (ja) 2013-05-23 2018-01-10 木村　光照 濃縮機能を有する水素ガスセンサとこれに用いる水素ガスセンサプローブ
ITTO20130651A1 (it) 2013-07-31 2015-02-01 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo incapsulato, in particolare un sensore micro-elettro-meccanico incapsulato, dotato di una struttura accessibile, quale un microfono mems e dispositivo incapsulato cosi' ottenuto
US20150069537A1 (en) 2013-09-08 2015-03-12 Wai Yew Lo Package-on-package semiconductor sensor device
GB2521619A (en) 2013-12-23 2015-07-01 Nokia Technologies Oy An apparatus and associated methods for flexible carrier substrates
US9818665B2 (en) 2014-02-28 2017-11-14 Infineon Technologies Ag Method of packaging a semiconductor chip using a 3D printing process and semiconductor package having angled surfaces
US9863828B2 (en) 2014-06-18 2018-01-09 Seiko Epson Corporation Physical quantity sensor, electronic device, altimeter, electronic apparatus, and mobile object
JP2016003977A (ja) 2014-06-18 2016-01-12 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー装置、高度計、電子機器および移動体
TWI691036B (zh) 2014-06-23 2020-04-11 澳大利亞商西拉娜集團私人有限公司 具有隔離部的接合晶粒
US9472788B2 (en) 2014-08-27 2016-10-18 3M Innovative Properties Company Thermally-assisted self-assembly method of nanoparticles and nanowires within engineered periodic structures
US20160167089A1 (en) 2014-12-11 2016-06-16 Palo Alto Research Center Incorporation Forming sacrificial structures using phase-change materials that sublimate
US20160209285A1 (en) 2015-01-20 2016-07-21 Seiko Epson Corporation Pressure sensor, method of manufacturing pressure sensor, altimeter, electronic apparatus, and moving object
US9419075B1 (en) 2015-01-28 2016-08-16 Texas Instruments Incorporated Wafer substrate removal
JP2017067463A (ja) 2015-09-28 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2017092698A (ja) 2015-11-10 2017-05-25 セイコーエプソン株式会社 発振器、電子機器、及び、移動体
US10861796B2 (en) 2016-05-10 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Floating die package
US9929110B1 (en) 2016-12-30 2018-03-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit wave device and method
CN107180883A (zh) * 2017-05-04 2017-09-19 南京邮电大学 基于InGaN光子单片集成的多维空间可见光通信系统

Also Published As

Publication number Publication date
EP3563424A1 (en) 2019-11-06
JP2020507203A (ja) 2020-03-05
CN109906517A (zh) 2019-06-18
EP3563424A4 (en) 2020-01-29
US20180190855A1 (en) 2018-07-05
WO2018126161A1 (en) 2018-07-05
JP2023182806A (ja) 2023-12-26
US10411150B2 (en) 2019-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109906517B (zh) 光学隔离系统和电路以及具有延伸横向p-n结的光子检测器
CN207250518U (zh) 盖革模式雪崩光电二极管阵列、光电子器件和检测系统
CN108140660B (zh) 高速感光设备
US10347670B2 (en) Photodetection element
US20170236852A1 (en) Semiconductor Photomultiplier
US7667400B1 (en) Back-illuminated Si photomultipliers: structure and fabrication methods
CN108140656B (zh) 宽频谱光学传感器
US6710376B2 (en) Opto-coupler based on integrated forward biased silicon diode LED
KR101947088B1 (ko) 애벌란시 광검출기
US4213138A (en) Demultiplexing photodetector
US20060081768A1 (en) Multicolor photodiode array and method of manufacturing
WO2018031093A2 (en) Photodiode array structure for cross talk suppression
US8766339B2 (en) Highly efficient CMOS technology compatible silicon photoelectric multiplier
CN116075944A (zh) 具有增强特性的光电二极管器件
KR101762431B1 (ko) 크로스톡 방지 구조를 가지는 실리콘 광전자 증배센서
EP2793273A1 (en) Silicon photomultiplier with very low optical cross-talk and improved readout
WO2011071483A1 (en) Back-illuminated si photomultipliers: structure and fabrication methods
US20240097052A1 (en) Systems and methods for stacked sensors with electrical insulation
US11978814B2 (en) Superlattice photo detector
KR101762430B1 (ko) 이면 조사형 실리콘 광전자 증배센서 및 그 제조방법
Liou et al. Monolithically GaN-based Optocoupler with Chip Scaling
CN114551412A (zh) 无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法
TW202333372A (zh) 光電裝置
CN110870070A (zh) 高速光感测设备ii
Marwick Seeing the light: Design and characterization of photodetectors with internal gain fabricated in standard CMOS technologies

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant