RU2263999C1 - Интегральный оптрон - Google Patents

Интегральный оптрон Download PDF

Info

Publication number
RU2263999C1
RU2263999C1 RU2004102925/28A RU2004102925A RU2263999C1 RU 2263999 C1 RU2263999 C1 RU 2263999C1 RU 2004102925/28 A RU2004102925/28 A RU 2004102925/28A RU 2004102925 A RU2004102925 A RU 2004102925A RU 2263999 C1 RU2263999 C1 RU 2263999C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compound
optically
optically transparent
optocoupler
optically opaque
Prior art date
Application number
RU2004102925/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004102925A (ru
Inventor
Д.М. Барановский (RU)
Д.М. Барановский
Р.В. Ветохин (RU)
Р.В. Ветохин
Original Assignee
ЗАО "Синтез электронных компонентов"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ЗАО "Синтез электронных компонентов" filed Critical ЗАО "Синтез электронных компонентов"
Priority to RU2004102925/28A priority Critical patent/RU2263999C1/ru
Publication of RU2004102925A publication Critical patent/RU2004102925A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2263999C1 publication Critical patent/RU2263999C1/ru

Links

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Сущность: интегральный оптрон содержит внутри оптически непрозрачного компаунда кристаллы излучателя и фотоприемника, оптически прозрачный компаунд, осуществляющий оптическую связь между кристаллами, на поверхность которого может быть нанесен отражающий компаунд. Оптически непрозрачный, оптически прозрачный и отражающий компаунды, приготовленные на основе одного и того же материала путем введения в него соответствующих добавок, образуют монолитный корпус. Преимуществом описанного изобретения является то, что многослойный корпус интегрального оптрона с точки зрения устойчивости к климатическим факторам оказывается монолитным, что обеспечивает высокое напряжение пробоя изоляции. Технический результат: повышение надежности за счет обеспечения высокого значения напряжения пробоя изоляции. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах.
В качестве прототипа выбран интегральный оптрон, содержащий внутри оптически непрозрачного компаунда, приготовленного из материала первого типа, кристаллы излучателя и фотоприемника, оптическая связь между которыми осуществляется через оптически прозрачный компаунд, приготовленный из материала второго типа, на поверхность которого нанесен отражающий компаунд, приготовленный из материала третьего типа. Оптически непрозрачный компаунд образует корпус интегрального оптрона. Кристаллы излучателя и фотоприемника электрически связаны с внешними выводами корпуса [1].
В прототипе оптически непрозрачный компаунд приготовлен из материала на эпоксидной основе, а оптически прозрачный и отражающий компаунды из материалов на кремнийорганической основе. При воздействии на интегральный оптрон климатических факторов напряжение пробоя изоляции между его входом и выходом может уменьшиться из-за расслоения внутри корпуса интегрального оптрона компаундов, приготовленных из разных материалов.
Целью изобретения является повышение надежности оптоэлектронных интегральных схем.
Поставленная цель достигается тем, что в интегральном оптроне, содержащем внутри оптически непрозрачного компаунда кристаллы излучателя и фотоприемника, оптически прозрачный компаунд, осуществляющий оптическую связь между кристаллами, на поверхность которого может быть нанесен отражающий компаунд, оптически непрозрачный, оптически прозрачный и отражающий компаунды, приготовленные на основе одного и того же материала, образуют монолитный корпус. Оптические свойства компаунда могут быть изменены в процессе его приготовления путем введения в него соответствующих добавок. Так, например, введение в первоначально оптически прозрачный компаунд пигмента, содержащего двуокись титана, придает ему отражающие свойства, а введение жирорастворимого нигрозина делает компаунд оптически непрозрачным. Оптически прозрачный, отражающий и оптически непрозрачный компаунды приготавливают отдельными порциями. Кристаллы излучателя и фотоприемника покрывают слоем оптически прозрачного компаунда, на поверхность которого наносят слой отражающего компаунда. Затем формируют корпус интегрального оптрона из оптически непрозрачного компаунда. Полимеризацию оптически прозрачного, отражающего и оптически непрозрачного компаундов проводят в едином цикле. Благодаря тому, что введение в первоначально оптически прозрачный компаунд небольшого количества добавок существенно изменяет оптические свойства материала, не изменяя его структуры, многослойный корпус интегрального оптрона с точки зрения устойчивости к климатическим факторам оказывается монолитным.
На фигуре 1 представлена конструкция одного из вариантов предлагаемого интегрального оптрона.
Интегральный оптрон содержит внутри оптически непрозрачного компаунда 1, расположенные планарно друг относительно друга кристаллы излучателя 2 и фотоприемника 3, оптическая связь между которыми осуществляется через оптически прозрачный компаунд 4, на поверхность которого нанесен отражающий компаунд 5. Оптически непрозрачный компаунд 1, оптически прозрачный компаунд 4, отражающий компаунд 5 образуют монолитный корпус интегрального оптрона 6. Кристаллы излучателя и фотоприемника электрически связаны с внешними выводами корпуса 7.
В некоторых других вариантах конструкции предлагаемого интегрального оптрона, например, в случае, когда оптически непрозрачный компаунд одновременно выполняет функции отражающего компаунда или при расположении кристаллов излучателя и фотоприемника друг над другом, отражающий компаунд на поверхность оптически прозрачного компаунда, как правило, не наносится.
Источники информации
1. Каталог продукции фирмы "Motorola". Капельная сборка оптрона. 1995, стр.2-12.

Claims (1)

  1. Интегральный оптрон, содержащий внутри оптически непрозрачного компаунда кристаллы излучателя и фотоприемника, оптически прозрачный компаунд, осуществляющий оптическую связь между кристаллами, на поверхность которого может быть нанесен отражающий компаунд, отличающийся тем, что оптически непрозрачный, оптически прозрачный и отражающий компаунды, приготовленные на основе одного и того же материала путем введения в него соответствующих добавок образуют монолитный корпус.
RU2004102925/28A 2004-02-02 2004-02-02 Интегральный оптрон RU2263999C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004102925/28A RU2263999C1 (ru) 2004-02-02 2004-02-02 Интегральный оптрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004102925/28A RU2263999C1 (ru) 2004-02-02 2004-02-02 Интегральный оптрон

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004102925A RU2004102925A (ru) 2005-07-10
RU2263999C1 true RU2263999C1 (ru) 2005-11-10

Family

ID=35837923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004102925/28A RU2263999C1 (ru) 2004-02-02 2004-02-02 Интегральный оптрон

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2263999C1 (ru)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018126153A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US10121847B2 (en) 2017-03-17 2018-11-06 Texas Instruments Incorporated Galvanic isolation device
US10179730B2 (en) 2016-12-08 2019-01-15 Texas Instruments Incorporated Electronic sensors with sensor die in package structure cavity
RU187273U1 (ru) * 2018-12-25 2019-02-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" Оптоэлектронное устройство
US10411150B2 (en) 2016-12-30 2019-09-10 Texas Instruments Incorporated Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions
US10424551B2 (en) 2016-12-30 2019-09-24 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit wave device and method
US10861796B2 (en) 2016-05-10 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Floating die package
US11211305B2 (en) 2016-04-01 2021-12-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11211305B2 (en) 2016-04-01 2021-12-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components
US10861796B2 (en) 2016-05-10 2020-12-08 Texas Instruments Incorporated Floating die package
US10179730B2 (en) 2016-12-08 2019-01-15 Texas Instruments Incorporated Electronic sensors with sensor die in package structure cavity
WO2018126153A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US10074639B2 (en) 2016-12-30 2018-09-11 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US10411150B2 (en) 2016-12-30 2019-09-10 Texas Instruments Incorporated Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions
US10424551B2 (en) 2016-12-30 2019-09-24 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit wave device and method
US10636778B2 (en) 2016-12-30 2020-04-28 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US11264369B2 (en) 2016-12-30 2022-03-01 Texas Instruments Incorporated Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods
US10121847B2 (en) 2017-03-17 2018-11-06 Texas Instruments Incorporated Galvanic isolation device
US10529796B2 (en) 2017-03-17 2020-01-07 Texas Instruments Incorporated Galvanic isolation device
RU187273U1 (ru) * 2018-12-25 2019-02-28 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" Оптоэлектронное устройство

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004102925A (ru) 2005-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105679753B (zh) 光学模块、其制造方法及电子装置
JP5340157B2 (ja) オプトエレクロニクスデバイスのためのハウジング、オプトエレクトロニスクデバイスおよびオプトエレクロニクスデバイスのためのハウジングを製造する方法
RU2263999C1 (ru) Интегральный оптрон
EP1744417A4 (en) SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP2011254079A (ja) 発光素子パッケージ及び照明システム
EP2071637A2 (en) Light emitting diode
US20040047151A1 (en) Optoelectronic component and method for the production thereof, module and device comprising a module of this type
TWI268628B (en) Package structure having a stacking platform
US20130126702A1 (en) Optical sensor device
CN103050601A (zh) 发光装置
CN105810793A (zh) 发光元件封装结构及其制造方法
US20220165798A1 (en) Hybrid multispectral device
CN102410492A (zh) 透镜及发光二极管模组
JP2019518331A (ja) オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法およびオプトエレクトロニクスデバイス
TWI513053B (zh) 發光二極體封裝結構
US9543283B2 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing same
US9666568B2 (en) Photoelectric device and method of manufacturing the same
CN103035658A (zh) 光传感器模块和光传感器
US11530987B2 (en) Photonic gas sensor and method for producing a photonic gas sensor
TWM419231U (en) Light emitting diode package structure
JP6886307B2 (ja) 光センサ装置
TWI566439B (zh) 封裝結構及其製法
JPH04107861U (ja) 発光表示装置
TWM436795U (en) Planar light source module
CN103022312A (zh) 发光二极管装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20070510

QB4A Licence on use of patent

Effective date: 20070827

QZ41 Official registration of changes to a registered agreement (patent)

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20070827

Effective date: 20120125

QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20180614

Effective date: 20180614

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210203