RU2201017C2 - Оптрон - Google Patents
Оптрон Download PDFInfo
- Publication number
- RU2201017C2 RU2201017C2 RU2000126909A RU2000126909A RU2201017C2 RU 2201017 C2 RU2201017 C2 RU 2201017C2 RU 2000126909 A RU2000126909 A RU 2000126909A RU 2000126909 A RU2000126909 A RU 2000126909A RU 2201017 C2 RU2201017 C2 RU 2201017C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optically transparent
- photodetector
- chips
- hemisphere
- light
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Техническим результатом изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника. Сущность: кристаллы светодиода и фотоприемника расположены планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина. Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины. 1 ил.
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах.
В качестве прототипа выбран оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри, сформированной жидким компаундом, оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие [1].
Целью изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника.
Поставленная цель достигается тем, что в оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина.
На чертеже представлена предлагаемая конструкция оптрона. Оптрон содержит кристаллы светодиода 1 и фотоприемника 2, расположенные на подложке 3 планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачного компаунда 4, на поверхность которого нанесено отражающее покрытие 5. Внутри оптически прозрачного компаунда 4 над кристаллами светодиода 1 и фотоприемника 2 расположена оптически прозрачная диэлектрическая пластина 6.
Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины и могут быть подобраны так, чтобы обеспечить эффективную без многократного отражения от элементов конструкции оптическую связь между кристаллами светодиода и фотоприемника.
Источники информации
1. Европейский патент 0048146, кл. Н 03 К 17/78, опубл. 23.07.86.
1. Европейский патент 0048146, кл. Н 03 К 17/78, опубл. 23.07.86.
Claims (1)
- Оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, отличающийся тем, что внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина, геометрические размеры оптически прозрачной полусферы определяются эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000126909A RU2201017C2 (ru) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | Оптрон |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2000126909A RU2201017C2 (ru) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | Оптрон |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2000126909A RU2000126909A (ru) | 2002-10-10 |
| RU2201017C2 true RU2201017C2 (ru) | 2003-03-20 |
Family
ID=20241414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2000126909A RU2201017C2 (ru) | 2000-10-26 | 2000-10-26 | Оптрон |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2201017C2 (ru) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018126161A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral p-n junctions |
| US10074639B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
| US10121847B2 (en) | 2017-03-17 | 2018-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolation device |
| US10179730B2 (en) | 2016-12-08 | 2019-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Electronic sensors with sensor die in package structure cavity |
| RU187273U1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-02-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" | Оптоэлектронное устройство |
| US10424551B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit wave device and method |
| US10861796B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Floating die package |
| US11211305B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components |
| RU2799113C1 (ru) * | 2022-03-18 | 2023-07-04 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" (КБНЦ РАН) | Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем |
-
2000
- 2000-10-26 RU RU2000126909A patent/RU2201017C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11211305B2 (en) | 2016-04-01 | 2021-12-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method to support thermal management of semiconductor-based components |
| US10861796B2 (en) | 2016-05-10 | 2020-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Floating die package |
| US10179730B2 (en) | 2016-12-08 | 2019-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Electronic sensors with sensor die in package structure cavity |
| WO2018126161A1 (en) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral p-n junctions |
| US10411150B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Optical isolation systems and circuits and photon detectors with extended lateral P-N junctions |
| US10424551B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit wave device and method |
| US10636778B2 (en) | 2016-12-30 | 2020-04-28 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
| US10074639B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
| US11264369B2 (en) | 2016-12-30 | 2022-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods |
| US10529796B2 (en) | 2017-03-17 | 2020-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolation device |
| US10121847B2 (en) | 2017-03-17 | 2018-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Galvanic isolation device |
| RU187273U1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-02-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет" | Оптоэлектронное устройство |
| RU2799113C1 (ru) * | 2022-03-18 | 2023-07-04 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК" (КБНЦ РАН) | Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6164789A (en) | Illumination sources and systems | |
| TW516228B (en) | Optoelectronic component with many luminescent diode-chips | |
| CN101788703B (zh) | 光器件 | |
| CN105229806B (zh) | 发光模块 | |
| JP5878305B2 (ja) | 発光素子パッケージ及び照明システム | |
| RU2201017C2 (ru) | Оптрон | |
| RU2010126475A (ru) | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления | |
| DE60315606D1 (de) | Optische lichtleitervorrichtung | |
| WO2001080285A3 (en) | Top illuminated opto-electronic devices integrated with micro-optics and electronic integrated circuits | |
| EP1361461A4 (en) | SELECTIVE WAVE LENGTH DIFFRACTION ELEMENT AND OPTICAL HEAD DEVICE | |
| GB2383681B (en) | High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate | |
| WO2003010832A1 (en) | Light emitting device using led | |
| KR950019785A (ko) | 도파관형 광학 디바이스용 수광 구조체 | |
| DE60035856D1 (de) | Lichtemittierende diodenvorrichtung mit einem phosphoreszierenden substrat | |
| TW200610201A (en) | Chip type light-emitting device and its wiring board | |
| WO2003065091A3 (en) | Optical circuit including hollow core optical waveguides | |
| EP1256987A3 (en) | Semiconductor LED flip-chip with high reflectivity dielectric coating on the mesa | |
| ATE346410T1 (de) | Siliziumwafer mit monolithischen optoelektronischen komponenten | |
| WO2004007241A3 (en) | White led headlight | |
| TW200719027A (en) | Backlight module structure for LED chip holder | |
| CN105023999B (zh) | 光电子半导体构件 | |
| DE60128055D1 (de) | Multichipmodul mit einer mehrzahl Halbleiterchips auf einem Halbleitersubstrat | |
| JP2012533840A5 (ru) | ||
| WO2002089217A3 (de) | Halbleiterchip für die optoelektronik | |
| US7805048B2 (en) | Methods and apparatus for directing light emitting diode output light |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20061027 |