CN109891614A - 用于制备光敏有机电子器件的溶剂体系 - Google Patents

Abstract

本发明涉及包含p型和n型有机半导体和溶剂混合物的配制物，所述溶剂混合物包含取代有一个或多个选自烷基和烷氧基的取代基的芳族烃以及未取代或取代的苯并噻唑，例如2‑甲基苯并噻唑。该配制物可用于形成光敏有机电子器件例如有机光检测器的光活性层(3)，所述光敏有机电子器件包括阳极(2)、阴极(4)以及在阳极与阴极之间的光活性层。

Description

用于制备光敏有机电子器件的溶剂体系

发明领域

本发明涉及包含p型和n型有机半导体和溶剂体系的配制物，其用于制造光敏有机电子器件的用途，并且涉及通过使用所述配制物制备的光敏有机电子器件，特别是有机光检测器(photodetector)。

发明背景

对于作为无机光电子器件的替代物的新型有机光敏电子器件的开发越来越感兴趣，因为它们提供高的柔性并且可以通过使用低温真空沉积或溶液加工技术以相对低的成本制造和加工。

作为有机光敏电子器件的实例，可提及有机光伏器件(OPV)、光电池和光检测器。通常，这种有机光敏电子器件包括作为光活性层的p-n结，其通过从溶液中薄膜沉积供体/受体共混物而制备，并使得该器件能够将入射辐射转变成电流。

p型材料的典型实例是共轭有机低聚物或聚合物(例如噻吩、亚苯基、芴、聚乙炔、苯并噻二唑的低聚物或聚合物及其组合)，而已知富勒烯和富勒烯衍生物(例如C₆₀PCBM和C₇₀PCBM)为n型材料(参见例如EP 1 447 860 A1和US 2012/205596)。

WO2013/029733公开了含p型有机半导体、n型有机半导体和溶剂的配制物，所述溶剂选自烷基化四氢化萘、烷基化萘和烷基化苯甲醚。

在有机光检测器器件的情形中，在没有任何光子入射到器件上的情况下，流过器件的电流(称为暗电流)可能影响器件的检测极限。

本发明的一个目的是提供用于形成高效有机光敏电子器件的配制物。

本发明的另一个目的是提供用于形成具有低的暗电流的有机光检测器器件的配制物。

发明概述

本发明利用本文所定义的权利要求书的主题来解决这些目的。在下面的部分中将进一步详细说明本发明的优点。

本发明人出乎意料地发现，在包含n型和p型有机半导体的配制物中使用特定溶剂混合物允许以优异的效率形成有机光敏器件，并且在光检测器器件的情形中，具有低的暗电流。

在第一方面，本发明提供一种配制物，其包含n型有机半导体、p型有机半导体和溶剂混合物，其中所述溶剂混合物包含烷基化芳族烃以及未取代或取代的苯并噻唑。

在第二方面，本发明涉及一种制造有机光敏电子器件的方法，该有机光敏电子器件包含阳极、阴极以及在阴极和阳极之间的光活性层，该方法包括：在阳极和阴极之一上方施加第一方面的配制物以形成湿膜；干燥所述湿膜以提供光活性层；和在所述光活性层上方形成阳极和阴极中的另一个。

本文所用的在下层的“上方”形成一个层是指在下层之上直接形成该层或者在如此形成的层和下层之间的居间层之上形成该层。可以没有居间层或者存在一个或多个居间层。

本发明的第三方面涉及一种有机光敏电子器件，该器件包括阳极、阴极和通过第二方面的上述方法制造的光活性层。

在以下说明书和权利要求中描述了根据本发明的配制物和本发明其它方面的优选实施方案。

附图简述

图1示意性地说明了光检测器器件；

图2A是使用含有苯甲酸苄酯溶剂的对比配制物形成的对比器件和使用含有2-甲基苯并噻唑溶剂的本发明实施方案的配制物形成的器件的外部量子效率对波长的坐标图；

图2B是图2A的器件的电流密度对电压的坐标图；

图3A是使用含有4-叔丁基吡啶溶剂的对比配制物形成的对比器件和使用含有2-甲基苯并噻唑溶剂的本发明实施方案的配制物形成的器件的外部量子效率对波长的坐标图；

图3B是图3A的器件的电流密度对反向偏置电压的坐标图；和

图4是使用含有苯甲酸苄酯、苯甲酸丁酯、苯甲酸丙酯或苯甲酸己酯溶剂的对比配制物形成的对比器件的外部量子效率对波长的坐标图。

发明详述

为了更全面理解本发明，现在参考其说明性实施方案的以下描述。

半导体配制物

第一方面，本发明涉及包含n型有机半导体、p型有机半导体和溶剂混合物的配制物，其中所述溶剂混合物包含取代有一个或多个取代基的芳族烃以及未取代或取代的苯并噻唑，所述取代基选自烷基和烷氧基。

任选地，所述芳族烃是苯，优选式(I)的化合物：

其中R¹在每次出现时独立地表示C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基，并且n为至少1，任选地为1、2或3。在n为2或更大的情形中，两个基团R¹可以连接以形成环，所述环可以是未取代的或取代有一个或多个C_1-5烷基。在n为2或更大的情形中，优选没有R¹基团连接形成环。所述或每个R¹优选为甲基。

作为根据式(I)的化合物的具体实例，可提及1,2-二烷基苯(例如邻二甲苯)、1,2,4-三烷基苯(例如1,2,4-三甲基苯、1,2,4-三乙基苯、1,2-二甲基-4-乙基苯)、1,2,3-三烷基苯(例如1,2,3-三甲基苯、1,2,3-三乙基苯)、二氢化茚及其烷基取代的衍生物、以及四氢化萘和其烷基取代的衍生物。

任选地，未取代或取代的苯并噻唑由式(II)表示：

其中R²在每次出现时独立地表示C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基；R³表示H、C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基，并且m为0、1、2、3或4。优选地，m为0。优选地，R³为C₁-C₆烷基，更优选为甲基。

任选地，未取代或取代的苯并噻唑的沸点在200-300℃的范围内，任选在200-250℃的范围内。

任选地，取代的芳族烃以如下含量范围存在：50-99.5体积％，优选70-99体积％，基于溶剂混合物的总体积。

任选地，未取代或取代的苯并噻唑以如下含量范围存在：0.5至50体积％，优选1-20体积％，基于溶剂混合物的总体积。

任选地，取代的芳族烃:未取代的或取代的苯并噻唑的体积比在如下范围内：70:30至99.5:0.5或者70:30至99:1或者70:30至98:2。

虽然可优选溶剂混合物由取代的芳族烃和未取代的或取代的苯并噻唑组成，但溶剂混合物可包含一种或多种其它溶剂。所述或每种其它溶剂可选自在25℃和1atm下为液体的材料，并且n型OSC和p型OSC中的一者或两者以0.2mg/ml以上的溶解度可溶于其中。这些附加溶剂没有特别限制，并且可以由技术人员适当选择。示例性的其它溶剂包括但不限于萘、线性或环状酮(例如环己酮)、脂族醚、脂族醇或芳族醇、任选取代的噻吩和氯化的溶剂(例如氯苯、三氯苯、二氯苯或氯仿)及其混合物。然而，从环境友好的观点来看，优选溶剂混合物不包含任何氯化溶剂。如果存在，另外的溶剂任选地具有如下总含量：小于3体积％，更优选小于2体积％，相对于溶剂总体积而言。

任选地，溶剂混合物不包含苯甲酸芳基酯，例如苯甲酸苄酯。任选地，溶剂混合物不包含苯甲酸烷基酯。

p型OSC没有特别限制，并且可以适当地选自本领域技术人员已知的和在文献中描述的标准给电子材料，包括有机聚合物、低聚物和小分子。在优选实施方案中，p型OSC包括有机共轭聚合物，其可以是均聚物或共聚物，包括交替、无规或嵌段的共聚物。优选的是非结晶或半结晶的共轭有机聚合物。进一步优选地，p型有机半导体是具有低带隙的共轭有机聚合物，所述带隙典型在2.1eV和1.1eV之间，优选在1.9eV和1.1eV之间，并且最优选在1.7eV和1.1eV之间。作为示例性的p型OSC聚合物，可以提及选自共轭的烃或杂环聚合物的聚合物，包括多并苯、聚苯胺，聚薁、聚苯并呋喃、聚芴、聚呋喃、聚茚并芴、聚吲哚、聚亚苯基，聚吡唑啉、聚芘、聚哒嗪、聚吡啶、聚三芳基胺、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚(3-取代的噻吩)、聚(3,4-二取代的噻吩)、聚硒吩、聚(3-取代的硒酚)、聚(3,4-二取代的硒吩)、聚(二硫酚)、聚(三噻吩)、聚(二硒酚)、聚(三硒吩)、聚噻吩并[2,3-b]噻吩、聚噻吩并[3,2-b]噻吩、聚苯并噻吩、聚苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩、聚异硫茚、聚(单取代的吡咯)、聚(3,4-二取代的吡咯)、聚-1,3,4-噁二唑、聚异硫茚、其衍生物和共聚物。p型OSC的优选实例是：聚芴和聚噻吩(它们各自可以被取代)的共聚物，以及包含基于苯并噻二唑和基于噻吩的重复单元(它们各自可以被取代)的聚合物。应当理解，该p型OSC也可以由多种给电子材料的混合物组成。

p型OSC优选包含式(III)的重复单元：

其中R³在每次出现时独立地为H或取代基。

任选地，每个R³独立地选自：C_1-20烷基，其中该烷基的一个或多个非相邻的非末端碳原子可以被O、S或C＝O替换，并且其中该C_1-20烷基的一个或更多H原子可以被F替换；芳基或杂芳基，优选苯基，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；和氟。

芳基或杂芳基的取代基任选地选自F、CN、NO₂和C_1-20烷基，其中该烷基的一个或多个非相邻的非末端碳原子可以被O、S或C＝O替换。

本文所用的“非末端”是指除直链烷基(正烷基)链的甲基和支化烷基链的甲基以外的碳原子。

优选地，每个R³是氟。

包含式(I)重复单元的聚合物优选是包含一种或多种共聚重复单元的共聚物。所述一种或多种共聚重复单元可包含下列中的一种或多种或者由下列中的一种或多种组成：C_6-20单环或多环亚芳基重复单元，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；5-20元单环或多环杂亚芳基重复单元，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基。

所述一种或多种共聚重复单元可具有式(IV)：

其中Ar¹在每次出现时是亚芳基或杂亚芳基；x为至少1；R¹⁷在每次出现时独立地为取代基；y在每次出现时独立地为0或正整数，任选为0、1、2、3或4；并且两个基团R¹⁷可以连接形成环。

任选地，每个R¹⁷独立地选自直链、支化或环状C_1-20烷基，其中该C_1-20烷基的一个或多个非相邻的非末端C原子可以被O、S、COO或CO替换。

两个基团R¹⁷可以连接以形成C_1-10亚烷基，其中该亚烷基的一个或多个非相邻C原子可以被O、S、COO或CO替换。

任选地，x为2。

任选地，每个Ar¹独立地是5元或6元杂亚芳基，任选为选自噻吩、呋喃、硒吩、吡咯、二唑、三唑、吡啶、二嗪和三嗪的杂亚芳基，优选为噻吩。

任选地，式(IV)的重复单元具有式(IVa)：

任选地，基团R¹⁷连接形成2-5元桥接基团。任选地，该桥接基团具有式-O-C(R¹⁸)₂-，其中R¹⁸在每次出现时独立地为H或取代基。取代基R¹⁸任选地选自C_1-20烷基。优选地，每个R¹⁸是H。

本文所述的聚合物p型OSC可具有在如下范围内的通过凝胶渗透色谱法测量的聚苯乙烯当量数均分子量(Mn)：约1×10³至1×10⁸，并且优选为1×10³至5×10⁶。本文所述聚合物的聚苯乙烯当量重均分子量(Mw)可以是1×10³至1×10⁸，并且优选为1×10⁴至1×10⁷。

n型OSC也没有特别限制并且可以适当地选自本领域技术人员已知的电子接受材料，并且可以由多种电子接受材料的混合物组成。作为其实例，可提及n型共轭聚合物、富勒烯和富勒烯衍生物。优选地，n型OSC是富勒烯和/或富勒烯衍生物的单一类型或混合物，包括C60、C70、C76、C78、C84、C96、PCBM型富勒烯衍生物(包括苯基-C61-丁酸甲酯)(C₆₀PCBM)、TCBM型富勒烯衍生物(例如甲苯基-C61-丁酸甲酯(C₆₀TCBM))、ThCBM型富勒烯衍生物(例如噻吩基-C61-丁酸甲酯(C₆₀ThCBM))。

富勒烯衍生物可具有式(V)：

其中A与富勒烯的C-C基团一起形成单环或稠环基团，该基团可以是未取代的或取代有一个或多个取代基。

示例性的富勒烯衍生物包括式(Va)、(Vb)和(Vc)：

其中R⁴-R¹⁵各自独立地为H或取代基。

取代基R⁴-R¹⁵在每次出现时任选且独立地选自：芳基或杂芳基，任选为苯基，其可以是未取代的或取代有一个或多个取代基；以及C_1-20烷基，其中一个或多个非相邻的非末端C原子可以被O、S、CO或COO替换并且一个或多个H原子可以被F替换。

芳基或杂芳基的取代基，当存在时，任选地选自C_1-12烷基，其中一个或多个非相邻的非末端C原子可以被O、S、CO或COO替换，并且一个或多个H原子可以被F替换。

作为富勒烯衍生物的其它实例，可提及WO 2004/073082A1、US2011/0132439A1、WO2015/036075A1和US2011/0132439A1中公开的那些，通过引用将其内容并入本文。

配制物中存在的p型材料与n型材料的重量比任选地在10:1至1:10的范围内，更优选地在4:1至1:4的范围内，特别优选地在1:1至1:3的范围内。

优选地，墨汁浓度，即溶剂混合物中n-型材料和p-型材料的浓度，在如下范围内：0.1-10.0w/v％，更优选1.0-6w/v％。

除了n型有机半导体、p型有机半导体和溶剂混合物之外，配制物可以包含其它组分。作为这些组分的实例，可提到粘合剂、消泡剂、脱气剂、粘度增强剂、稀释剂、助剂、流动改进剂、着色剂、染料或颜料、敏化剂、稳定剂、纳米颗粒、表面活性化合物、润滑剂、润湿剂、分散剂和抑制剂。

将理解，除了其中至少一些特征相互排斥的组合之外，上面所述的优选特征可以按任何组合进行组合。

上面限定的配制物用作有机光敏器件的光活性层的溶液沉积的起始材料，特别是具有优异性能的光检测器。

有机光敏电子器件及其制造方法

在第二实施方案中，本发明涉及一种制造有机光敏电子器件的方法，该有机光敏电子器件包括阳极、阴极以及在阴极和阳极之间的光活性层，该方法包括：在阳极和阴极之一上方施加根据上述第一实施方案的配制物以形成湿膜；干燥所述湿膜以提供光活性层；和在所述光活性层上方形成阳极和阴极中的另一个。

在图1中示意描绘了根据本发明的有机光敏电子器件的典型一般结构。这里，通常由高功函数材料组成的阳极2沉积在由对可见光透明的材料制成的基底1上。典型的阳极材料包括导电金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)，氧化铝锌(AlZnO)和金属(例如金)，而玻璃或塑料通常用作基底材料。在可以由金属(例如Ag，Ag:Mg)或金属氧化物制成的阴极4和阳极2之间是通过溶液沉积根据第一实施方案的配制物形成的包含本体异质结的光活性层3，该本体异质结包含n型OSC和p型OSC的混合物或由该混合物组成。在阳极2和阴极4之间提供触部5，其可以包括用于向器件施加反向偏置电压的电压源和检测器(例如电流计或读取器件，与所述反向偏置电压源串联连接，作为检测电路)，例如用以测量产生的光电流。

应理解，图1仅用于说明目的，并且器件中可存在一个或多个其它层，例如电子阻挡层(EBL)、空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、激子阻挡层(XBL)、间隔层、连接层、空穴阻挡层(HBL)和电极改性层用以改变电极的功函数。

将理解的是，阳极可以支承在基底上，如图1所示，并且配制物可以沉积在阳极上方以形成光活性层，然后形成阴极，或者阴极可以支承在基底上，在这种情形中，可以将配制物沉积在阴极上方以形成光活性层，然后形成阳极。

可以通过任何合适的溶液沉积方法施加根据本发明的配制物，包括但不限于旋涂、浸涂、辊涂、喷涂、刮刀涂布、线棒涂布、狭缝涂布、喷墨印刷、凸版印刷、分配印刷、丝网印刷、凹版印刷、胶版印刷和柔版印刷。

OPD的活性层的分配印刷是向用于将OPD与其它部件集成的简单加成制造工艺的步骤。这里，从位于距基底限定距离的喷嘴沉积墨汁的连续流。通过喷嘴和基底的相对运动产生所需的图案。

通过控制喷嘴分配速率(溶液流速)、图案密度(线间距)、喷嘴移动速度(线速度)以及墨汁浓度，可以调节光活性层膜的均匀性。

在将配制物溶液沉积以形成湿膜之后，干燥溶剂混合物。可以通过如下方式从湿膜中蒸发溶剂：通过在环境温度和压力下干燥，通过加热沉积的湿膜，任选地加热到50-200℃的温度，和/或通过施加减压，任选地在0.01至0.1毫巴范围内的压力，优选在形成湿膜后立即进行。

除去溶剂后产生的光活性层的厚度优选为10nm至3μm，更优选为20nm至2μm。

光活性层可以是均质的或相分离的，并且可以包含不同的相，该相可以在p型材料与n型材料的比例方面不同。光活性层在整个光活性层的厚度上可以具有基本均匀的比例，或者p型材料与n型材料的比例可以在光活性层的整个厚度上逐渐地或逐步地变化。

在第三方面，本发明涉及一种有机光敏电子器件，其包含阳极、阴极以及在阴极和阳极之间的光活性层，该光活性层由根据第一实施方案的配制物形成，或者是通过根据第二方面的方法形成。

图1中描绘了本发明的有机光敏器件的说明性实例。

有机光敏电子器件可以是光伏器件或太阳能电池、光导电池或光检测器，例如，根据期望的目的，其中每一个可以作为单个器件或以阵列运行。在光检测器的情形中，可以使用光检测器的阵列，每个光检测器与一个或多个光源相关联。为了充分利用本发明的益处，本发明的有机光敏电子器件优选是有机光电二极管，其以光导模式运行(其中施加外部电压，即所谓的反向偏压)从而充当光导电池或光检测器，这与以光伏模式(具有零偏压)运行的太阳能电池相反。

如本文所述的有机光检测器可用于广泛的应用，包括但不限于：检测环境光的存在和/或亮度，以及在包括至少一个如本文所述的有机光检测器和至少一个光源的传感器中。可以配置该光电检测器使得从光源发射的光入射在该光检测器上，并且可以检测光的波长和/或亮度的变化。可以配置如本文所述的光检测器阵列以检测从单个光源或从两个或更多个光源发射的光。传感器可以是但不限于气体传感器、生物传感器、X射线成像或运动传感器(例如安全应用中使用的运动传感器)、接近传感器或指纹传感器。

实施例

配制物实施例

制备包含如下成分的配制物：富勒烯C70-IPH或C70-IPB作为n型有机半导体(63重量％)和具有结构式(1)的p型有机半导体聚合物(37重量％)，或者富勒烯C70-PCBM作为n型有机半导体(67重量％)和具有结构式(1)的p型有机半导体聚合物(33重量％)，在1,2,4-三甲基苯(溶剂A)和表1中列出的溶剂(溶剂B)的溶剂混合物中。

表1

器件实施例1-3

制备具有以下结构的器件：

阴极/供体:受体层/阳极

通过如下方式形成器件实施例1-3：通过线棒涂覆将配制物实施例1-3分别涂覆到涂有氧化铟锡(ITO)层和聚(乙烯亚胺)(PEIE)层的玻璃基底上以形成厚度约900nm的光活性层。通过旋涂可获自Heraeus公司的空穴传输材料在光活性层上方形成阳极。

对比器件1

除了使用对比配制物1代替配制物实施例1之外，按关于器件实施例1-3所述方式制备器件。

参考图2A，使用含1,2,4-三甲基苯(TMB)和苯甲酸苄酯(BB)的对比配制物1形成的对比器件1的外部量子效率类似于分别使用含2-甲基苯并噻唑(2MBT)的配制物实施例1-3形成的器件实施例1-3的效率。然而，参考图2B，对比器件1的暗电流显著高于器件实施例1-3任一个的暗电流。

器件实施例4

制备具有以下结构的器件：

阴极/供体:受体层/空穴传输层/阳极

通过旋涂将配制物实施例4沉积到涂有氧化铟锡(ITO)层和聚(乙烯亚胺)(PEIE)层的玻璃基底上，以形成厚度约350nm的光活性层。通过旋涂可获自Solvay的空穴传输材料在光活性层上方形成空穴传输层。通过旋涂银纳米线形成阳极。

对比器件2

除了使用对比配制物2代替配制物实施例4之外，按关于器件实施例4所述方式制备器件。

与器件实施例4相比，用于形成对比器件2的低沸点溶剂4-叔丁基吡啶导致非常低的外部量子效率，如图3A所示，并且如图3B所示，在3V的反向偏压下具有更高的暗电流，并且当施加正向偏压时具有较低的导电率。

对比器件3-6

除了使用分别含有苯甲酸丙酯(PB)、苯甲酸丁酯(BuB)、苯甲酸己酯(HB)和苯甲酸苄酯(BB)的对比配制物3-6代替配制物实施例4之外，按关于器件实施例4所述方式制备对比器件3-6。

参考图4，尽管代替2-甲基苯并噻唑使用的溶剂具有与2-甲基苯并噻唑类似的溶解度和沸点，但对比器件3-5的外部量子效率低。对比配制物6含有苯甲酸苄酯。虽然由该配制物形成的对比器件6的外部量子效率相对较高，但如图2B所示，使用苯甲酸苄酯代替2-甲基苯并噻唑导致相对高的暗电流。

出乎意料地，与其中溶剂具有相似沸点和汉森溶解度的对比配制物相比，示例性配制物提供更好的外量子效率和低的暗电流。

虽然已经关于具体的示例性实施方案描述了本发明，然而应理解的是，在不偏离以下权利要求书所述的本发明范围的情况下，本文所公开特征的各种修改、改变和/或组合对本领域技术人员而言将是明显的。

附图标记

1：基底层

2：阳极

3：光活性层

4：阴极

5：接触部

Claims (15)

1.一种配制物，其包含n型有机半导体、p型有机半导体和溶剂混合物，其中所述溶剂混合物包含取代有一个或多个取代基的芳族烃以及未取代或取代的苯并噻唑，所述取代基选自烷基和烷氧基。

2.根据权利要求1所述的配制物，其中所述芳族烃是苯。

3.根据权利要求2所述的配制物，其中取代有一个或多个取代基的芳族烃由式(I)表示：

其中R¹在每次出现时独立地表示C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基，并且n为至少1。

4.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述未取代或取代的苯并噻唑由式(II)表示：

其中R²在每次出现时独立地表示C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基；R³表示H、C₁-C₆烷基或C₁-C₆烷氧基，并且m为0、1、2、3或4。

5.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述未取代或取代的苯并噻唑的沸点在200-300℃的范围内。

6.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中取代的芳族烃以50-99.5体积％的含量范围存在，基于溶剂混合物的总体积。

7.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述未取代或取代的苯并噻唑以0.5至50体积％的含量范围存在，基于溶剂混合物的总体积。

8.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中取代的芳族烃:未取代的或取代的苯并噻唑的体积比在70:30至99.5:0.5的范围内。

9.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述溶剂混合物不包含选自苯甲酸烷基酯和苯甲酸芳基酯的溶剂。

10.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述溶剂混合物由取代的芳族烃以及未取代或取代的苯并噻唑组成。

11.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述p型有机半导体是共轭的有机聚合物。

12.根据前述权利要求任一项所述的配制物，其中所述n型有机半导体是富勒烯或富勒烯衍生物。

13.一种制造有机光敏电子器件的方法，该有机光敏电子器件包含阳极、阴极以及在阴极和阳极之间的光活性层，该方法包括：

通过溶液沉积方法施加根据前述权利要求任一项所述的配制物以形成湿膜；

干燥所述湿膜以提供光活性层；和

在所述光活性层上方形成阳极和阴极中的另一个。

14.一种有机光敏电子器件，其包含阳极、阴极和光活性层，该有机光敏电子器件是通过权利要求13所述的方法制造。

15.根据权利要求14所述的有机光敏电子器件，其中所述有机光敏电子器件是有机光检测器。