CN109887853B - SiC外延晶片的评价方法及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。该SiC外延晶片的评价方法包括：准备具有杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片的步骤；对所述杂质浓度为1×1018cm‑3以上的高浓度外延层照射激发光的步骤；以及经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面的第1观察步骤。

Description

SiC外延晶片的评价方法及制造方法
技术领域
本发明涉及SiC外延晶片的评价方法及制造方法。
本申请基于2017年12月6日在日本申请的专利申请2017-234586号要求优先权，将其内容援引至此。
背景技术
碳化硅(SiC)与硅(Si)相比，绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍，热导率高3倍左右。因此，期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。
为了促进SiC器件的实用化，正在谋求高品质的SiC外延晶片及高品质的外延生长技术的建立。
SiC器件形成于SiC外延晶片，该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠在该基板上的外延层。SiC基板对采用升华再结晶法等生长出的SiC的块单晶进行加工而得到。外延层通过化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition：CVD)等制备，成为器件的活性区域。
更具体而言，外延层在将从(0001)面向<11-20>方向具有偏离角(日语：オフ角)的面作为生长面的SiC基板上形成。外延层在SiC基板上进行台阶流生长(step flow growth)(从原子台阶开始的横向生长)，成为4H-SiC。
在SiC外延晶片中，作为对SiC器件引起致命的缺陷的器件致命缺陷(killerdefect)之一，已知有基底面位错(Basal plane dislocation：BPD)。例如，由于向双极器件施加了正向电流时流动的少数载流子的复合能量，从SiC基板延续到外延层的BPD扩展而成为高阻抗的堆垛层错(stacking fault)。并且，在器件内产生高阻抗部时，器件的可靠性会降低。因此，到目前为止已经进行了这样延续到外延层的BPD的减少。
SiC基板中的BPD的大多数能够转换成在形成外延层时不产生缺陷扩展的穿透刃型位错(Threading edge dislocation：TED)。该转换率目前能实现99.9％以上，外延层中因BPD导致的器件不良几乎能够忽略不计。另一方面，最近，已经明确了转换成TED的SiC基板中的BPD在向正向流动了大电流时会在外延层中形成堆垛层错。如果对此不加抑制，即便提高了向TED的转换率，也不能说完全消除了因BPD导致的器件不良。于是，作为该抑制手段，想到了不使少数载流子在基板中的BPD附近进行复合是有效的。
在专利文献1以及2中记载了通过在SiC基板上层叠被进行杂质掺杂成高浓度的外延层，能够抑制在向器件施加了正向电流时少数载流子向基板中的BPD的到达概率，能够防止因其扩展而导致的高阻抗堆垛层错的形成。
现有技术文献
专利文献1：国际公开第2017/094764号
专利文献2：国际公开第2017/104751号
发明内容
发明要解决的课题
外延层内的BPD的确定，一般而言通过光致发光法(PL法)进行。例如，向SiC外延晶片照射313nm的激发光，经由供660nm以上的波段通过的带通滤光器(band pass filter)来观测照射面。在照射面内存在BPD的情况下，该部位会发光。
另一方面，在使用了高浓度外延层的情况下，对于高浓度外延层内的BPD而言，由于在该波段中周围的发光比BPD的发光强，因此会看不见。
即，无法确定在高浓度外延层内存在的BPD。
通过使用在上述那样的SiC基板上层叠了高浓度外延层的晶片，能够防止在向双极器件那样的产生少数载流子的传导的器件施加了正向电流时BPD扩展而成为高阻抗的堆垛层错。但是，由于该高浓度外延层而无法确定未转换成TED的BPD，这在品质管理的方面成为问题。
本发明鉴于上述问题而完成，其目的在于得到能够评价高浓度外延层内的基底面位错(BPD)的SiC外延晶片的评价方法以及制造方法。
用于解决课题的技术方案
本发明人们，经过深入研究，结果发现了在经由430nm以下的波段的带通滤光器观测激发光的照射面时，BPD与其他的区域相比看上去较黑。相对于在现有的方法中通过发光确定BPD，在本发明中将BPD作为黑线来确定。这些BPD的检测过程不同，仅通过变更带通滤光器的波段这一构想是无法实现的。
本发明为了解决上述课题而提供以下的技术方案。
(1)第1技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，包括：准备SiC外延晶片的步骤，该SiC外延晶片具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层；对所述杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的表面照射激发光的步骤；以及第1观察步骤，在该第1观察步骤中，经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面。
上述第1技术方案优选包括以下的特征。将下述特征相互进行组合也是优选的。
(2)也可以是，在上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法的所述第1观察步骤中，观测在偏离方向上延伸且纵横比大于1的缺陷。
(3)也可以是，上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，还包括：第2观察步骤，在该第2观察步骤中，经由比430nm大的波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面；和第1判定步骤，在该第1判定步骤中，对所述第1观察步骤的观测结果和所述第2观察步骤的评价结果进行比较。
(4)也可以是，上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，还包括：第3观察步骤，在该第3观察步骤中，对照射激发光前的面进行表面观察，所述面与所述激发光的照射面为同一面；和第2判定步骤，在该第2判定步骤中，对所述第1观察步骤的观测结果和所述第3观察步骤的评价结果进行比较。
(5)也可以是，上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，通过所述第1观察步骤检测所述晶片有无基底面位错及其位置。
(6)也可以是，上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，还具有第3判定步骤，在该第3判定步骤中，对所述第1观察步骤、所述第2观察步骤以及所述第3观察步骤的评价结果进行比较，在所述第3判定步骤中，将仅在所述第1观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面位错。
(7)也可以是，上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，在所述第3判定步骤中，将在所述第1观察步骤至所述第3观察步骤的全部观察步骤中观察到的缺陷判断为棱柱面(日语：プリズム面)堆垛层错，将仅在所述第1观察步骤和所述第2观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面堆垛层错。
(8)第2技术方案涉及的SiC外延晶片的制造方法，包括：在SiC基板的一个面层叠杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的步骤；使用上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，评价所述高浓度外延层的步骤；以及在所述高浓度外延层上层叠漂移层(drift layer)的步骤。
上述第2技术方案优选包括以下的特征。将下述特征相互进行组合也是优选的。
(9)也可以是，在上述技术方案涉及的SiC外延晶片的制造方法中，还包括：在所述SiC基板与所述高浓度外延层之间层叠杂质浓度比所述高浓度外延层低的缓冲层的步骤。
(10)也可以是，在上述技术方案涉及的SiC外延晶片的制造方法中，还包括：在评价所述高浓度外延层的步骤之后判断在所述步骤中得到的第1观察步骤的结果是否满足合格基准的步骤，在层叠所述漂移层的步骤中，在已满足所述合格基准的高浓度外延层上层叠漂移层。
发明效果
根据上述技术方案涉及的SiC外延晶片的评价方法，能够评价高浓度外延层内的基底面位错(BPD)。
附图说明
图1是在相同位置观测高浓度外延层而得到的图，(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的表面而得到的图，(b)是经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果，(c)是经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果。
图2是在相同位置观测杂质浓度为1×1016cm-3左右的外延层而得到的图，(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的表面而得到的图，(b)是经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果，(c)是经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果。
图3是对经由420nm波段的带通滤光器在相同位置观测激发光的照射面而得到的结果和对高浓度外延层的表面进行KOH蚀刻后用共焦显微镜进行表面观察而得到的结果进行比较的图。
图4是对改变带通滤光器的波段在相同位置观测激发光的照射面而得到的结果进行汇总的图。
图5是经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果，是表示改变了高浓度外延层的杂质浓度的结果的图。
图6是表示通过第1观察步骤在两个位置测定在外延层内转换为TED的情况下的BPD而得到的结果的图。
图7是在相同位置观测棱柱面堆垛层错而得到的图，(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的表面而得到的图，(b)是经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果，(c)是经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果。
图8是在相同位置观测基底面堆垛层错而得到的图，(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的表面而得到的图，(b)是经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果，(c)是经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果。
具体实施方式
以下，适当地参照附图对本实施方式详细进行说明。在以下的说明中使用的附图，存在为了使本发明的特征容易理解而方便起见将成为特征的部分放大地进行图示的情况，有时各构成要素的尺寸比率等与实际不同。在以下的说明中例示的材质、尺寸等都是一例，本发明不受其限定，能够在不变更其主旨的范围内以适当变更的方式进行实施。
[SiC外延晶片的制造方法]
本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法包括：在SiC基板上层叠杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的步骤、使用预定SiC外延晶片的评价方法来评价高浓度外延层的步骤、以及在高浓度外延层上层叠漂移层的步骤。
(高浓度外延层的层叠步骤)
首先准备SiC基板。SiC基板的制备方法不特别限定。例如，通过对采用升华法等得到的SiC锭(ingot)进行切片而得到。在本说明书中，SiC外延晶片指形成外延膜后的晶片，SiC基板指形成外延膜前的晶片。
在SiC基板，BPD以沿着(0001)面(c面)的方式存在。优选在SiC基板的生长面露出的BPD的个数少，但不特别限定。在现阶段的技术水准下，存在于6英寸的SiC基板的表面(生长面)的BPD的个数是每1cm2500～5000个的程度。
接着，使高浓度外延层在SiC基板上进行外延生长。进行掺杂的杂质能够使用氮、硼、钛、钒、铝、镓、磷等。高浓度外延层是通过外延生长形成的层，且是杂质浓度为1.0×1018cm-3以上的层。通过层叠该层，能够防止在向具有BPD的双极器件的正向流动了电流的情况，其少数载流子到达存在于基板的BPD。结果，形成肖克莱(Shockley)型的堆垛层错，能够抑制该缺陷放大。即，能够抑制器件的正向特性劣化。
高浓度外延层的厚度优选为0.1μm以上，更优选为1μm以上，进一步优选为3μm以上。
另外，也可以在SiC基板与所述高浓度外延层之间，层叠具有与高浓度外延层同等或比其低的杂质浓度的缓冲层。缓冲层是用于缓和高浓度外延层与SiC基板的载流子浓度差异的层。
(高浓度外延层的评价步骤：第1观察步骤)
接着，作为高浓度外延层的评价步骤(第1观察步骤)，评价在高浓度外延层内是否存在BPD。在第1观察步骤中，对杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的表面照射激发光，经由430nm以下波段的带通滤光器，观察激发光的照射面。
激发光的光源优选能够使用水银灯。其照射时间能够根据需要来选择，优选为10msec以上且100sec以下，更优选为200msec以上且10sec以下。在充分地照射激发光时，BPD和其他区域的对比度会变得清晰。但是，另一方面，会产生因激发光而导致的“烧伤(日语：焼け)”，同时也会引起检测灵敏度的降低。因此，优选将照射的激发光的强度抑制为低。具体而言，激发光的强度优选为1Wcm-2以下，更优选为500mWcm-2以下。照射的激发光优选为280nm以上且375nm以下的波长。在不使用激光器而使用水银灯时，照射的激发光的强度能够抑制为低。以下要说明的观察例中的照射，使用了水银灯。
图1是观测SiC外延晶片的杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层而得到的图。图1的(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的预定位置的表面而得到的图，图1的(b)是经由660nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果，图1的(c)是经由420nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果。
如图1所示，在高浓度外延层的情况下，即便经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面，也无法确定BPD。另外用共焦显微镜进行表面观察，也无法确定BPD。与此相对，在经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面时，BPD被观测为黑。
另一方面，图2是对SiC外延晶片的杂质浓度为1×1016cm-3左右的外延层进行观测而得到的图。图2的(a)是通过共焦显微镜对高浓度外延层的预定位置的表面进行拍摄而得到的图，图2的(b)是经由660nm波段的带通滤光器在所述位置对激发光的照射面进行观测而得到的结果，图2的(c)是经由420nm波段的带通滤光器在所述位置对激发光的照射面进行观测而得到的结果。
如图2所示，在杂质浓度与漂移层同等(1×1016cm-3左右)的外延层的情况下，在经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面时，BPD发光(光致发光)而被观测到。
如图2所示，在杂质浓度为1×1016cm-3左右的外延层中，也经由420nm波段的带通滤光器观测了激发光的照射面。
在该情况下，BPD也被观测为黑。即，BPD的观测状态在发光和吸收时不同，但能够确认在经由420nm波段的带通滤光器的观测中确定出的是BPD。此外，在该层中，用共焦显微镜也无法确定BPD。
另外，图3是对在相同部位经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果和在对高浓度外延层的表面进行KOH蚀刻后用共焦显微镜进行表面观察而得到的结果进行比较的图。在用KOH对具有BPD的外延层进行蚀刻时，在存在BPD的位置产生蚀坑。如图3所示，经由420nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面而得到的结果和在对高浓度外延层的表面进行KOH蚀刻后用共焦显微镜进行表面观察而得到的结果，具有对应关系。即，根据该点也能够确认在经由420nm波段的带通滤光器的观测中确定出的是BPD。
在图1中，使用420nm波段的带通滤光器确定出BPD。但是，在第1观察步骤中使用的带通滤光器不限于该波段，能够使用430nm以下的波段的带通滤光器。
图4是汇总了对具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的SiC外延晶片改变带通滤光器的波段来观测激发光的照射面而得到的结果的图。如图4所示，在使用420nm以下的波段的带通滤光器时能够确定BPD，但在使用比420nm大的波段的带通滤光器时无法确定BPD。其中，特定波长的带通滤光器能够通过特定波长±10nm左右的波段的光。即，如果能够用420nm波段的带通滤光器确定BPD，则也能够用430nm波段的带通滤光器确定BPD。因此，在第1观察步骤中，能够使用430nm以下波段的带通滤光器。
另外，高浓度外延层的杂质浓度优选为1×1018cm-3以上且2×1019cm-3以下，更优选为1×1019cm-3以下。在高浓度外延层的杂质浓度过高时，BPD以外的缺陷的产生概率提高。
图5是对具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的3个SiC外延晶片经由420nm波段的带通滤光器观察激发光的照射面而得到的结果。示出分别改变了高浓度外延层的杂质浓度的SiC外延晶片的评价结果。如图5所示，在1×1018cm-3至1×1019cm-3中的任意的杂质浓度下，通过进行第1观察步骤都能够确定BPD。
另外，存在通过该方法也能够确定BPD以外的缺陷的情况。只要能够判断有无BPD就能够达成目的。但是，更优选能够确定BPD的位置。因此，更优选能够区分BPD和其他的缺陷。
区分方法之一是以被确定的缺陷的形状进行区分的方法(第1区分方法)。
BPD是存在于SiC基板的基底面即(0001)面(c面)的位错。一般地，SiC基板将从(0001)向<11-20>方向具有偏离(offset)角的面作为生长面。因此，BPD以在偏离(offset)方向上延伸的方式被观测。即，BPD是以<11-20>方向为基准、在45°以内的倾角内具有长轴的缺陷。
于是，将在偏离方向上延伸且纵横比大于1的缺陷判断为BPD，优选对缺陷进行区分。另外，根据缺陷的区分精度，既可以将纵横比设为1.5以上，也可以设为2.0以上。其中，纵横比是用被测定的缺陷的长轴的长度除以短轴的长度而得到的值。
如图1所示，在从SiC基板延续到外延层内的BPD延伸至外延层表面的情况下的纵横比为2.0以上。另一方面，有时在外延层内转换为TED的情况下的纵横比为小于2.0。图6是通过第1观察步骤测定在外延层内转换为TED的情况下的BPD而得到的结果。图6的(a)的BPD的纵横比为1.67，图6的(b)的BPD的纵横比为1.85。
另外，作为将BPD与其他的缺陷进行区分的其他区分方法，有与其他的评价结果进行比较的方法。例如，在第2区分方法中，还包括：经由430nm以上波段的带通滤光器观测激发光的照射面的第2观察步骤和对第1观察步骤的观测结果与第2观察步骤的评价结果进行比较的第1判定步骤。另外，例如在第3区分方法中，还包括：用显微镜等对与激发光的照射面为同一面的面进行表面观察的第3观察步骤和对第1观察步骤的观测结果与第3观察步骤的评价结果进行比较的第2判定步骤。
作为看上去形状与BPD类似的缺陷，有棱柱面堆垛层错(胡萝卜缺陷)、基底面堆垛层错等。图7是观测棱柱面堆垛层错而得到的图。图7的(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的预定位置的表面而得到的图，图7的(b)是经由660nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果，图7的(c)是经由420nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果。另外，图8是观测基底面堆垛层错而得到的图。图8的(a)是通过共焦显微镜拍摄高浓度外延层的预定位置的表面的得到的图，图8的(b)是经由660nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果，图8的(c)是经由420nm波段的带通滤光器在所述位置观测激发光的照射面而得到的结果。
如图7所示，棱柱面堆垛层错能够用共焦显微镜确定。另外，棱柱面堆垛层错，在经由660nm波段的带通滤光器观测激发光的照射面的情况下，不发光而看上去较黑。即，通过进行第2观察步骤和第3观察步骤中的至少一方，进行第1判定步骤和第2判定步骤中的至少一方，能够区分棱柱面堆垛层错和BPD。即，通过不经由带通滤光器的照射前的表面观察、660nm波段的带通滤光器的使用能够确认的不是BPD。
如图8所示，基底面堆垛层错无法用共焦显微镜确定。
另一方面，基底面堆垛层错，在经由660nm波段的带通滤光器观测了激发光的照射面的情况下，不发光而看上去较黑。即，通过进行第2观察步骤，并进行第1判定步骤，能够区分基底面堆垛层错。
也可以是，进行对第1观察步骤、第2观察步骤以及第3观察步骤的评价结果进行比较的第3判定步骤，将仅在所述第1观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面位错，将在所述第1观察步骤至第3观察步骤的全部观察步骤中观察到的缺陷判断为棱柱面堆垛层错，将仅在所述第1观察步骤和第2观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面堆垛层错。
如上所述，如果使用本实施方式涉及的SiC外延晶片的评价方法，在层叠了高浓度外延层的情况下也能够对基底面位错(BPD)进行评价。
另外，通过该评价方法测定出的BPD能够使用图像解析软件进行自动检测，并且能够定量地进行计数。
(漂移层的层叠步骤)
最后，优选在高浓度外延层上层叠漂移层。漂移层用已知的方法进行层叠。漂移层的杂质浓度比高浓度外延层低且比1×1017cm-3小。漂移层是形成SiC器件的层。在漂移层包含BPD时，成为SiC器件的正向特性的劣化要因。对此，通过在基板与外延层的界面向TED进行转换，能够减少漂移层所含的BPD。另外，由于漂移层层叠在高浓度外延层上，因此，还能抑制因基板中的BPD而导致的特性劣化。
此外，也可以是，在评价所述高浓度外延层的步骤中，对于存在于高浓度外延层内的BPD，关于BPD的有无、BPD的位置和/或BPD的数量等，设置预定合格基准。例如，也可以是，设置判断第1观察步骤的结果是否满足预定合格基准的步骤，仅在满足了所述合格基准的高浓度外延层上层叠漂移层。或者，也可以是，在不满足预定合格基准的情况下，进行补偿不满足的基准的追加的步骤，之后层叠漂移层。
如上所述，根据本实施方式涉及的SiC外延晶片的制造方法，能够抑制由BPD引起器件的特性劣化。另外，尽管具有高浓度外延层，也能够确定BPD的有无、位置，能够简便地进行SiC外延晶片的品质管理。
根据本发明，能够得到能够评价高浓度外延层内的基底面位错(BPD)的优异的SiC外延晶片的评价方法及制造方法。
以上，对于本发明的优选的实施方式进行了详述，但是，本发明不限定于特定的实施方式，在权利要求范围内所记载的本发明的主旨的范围内能够进行各种变形和/或变更。

Claims (12)

1.一种SiC外延晶片的评价方法，包括：
准备SiC外延晶片的步骤，该SiC外延晶片具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层；
对所述杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的表面照射激发光的步骤；
第1观察步骤，在该第1观察步骤中，经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面；
第2观察步骤，在该第2观察步骤中，经由比430nm大的波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面；和
第1判定步骤，在该第1判定步骤中，对所述第1观察步骤的观测结果和所述第2观察步骤的评价结果进行比较。
2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的评价方法，
在所述第1观察步骤中，观测在偏离方向上延伸且纵横比大于1的缺陷。
3.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的评价方法，还包括：
第3观察步骤，在该第3观察步骤中，对照射激发光前的面进行表面观察，所述面与所述激发光的照射面为同一面；和
第2判定步骤，在该第2判定步骤中，对所述第1观察步骤的观测结果和所述第3观察步骤的评价结果进行比较。
4.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的评价方法，
所述SiC外延晶片包括SiC基板和层叠于所述基板上的所述外延层，通过所述第1观察步骤检测所述晶片有无基底面位错及其位置。
5.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的评价方法，
还包括第3观察步骤，在该第3观察步骤中，对照射激发光前的面进行表面观察，所述面与所述激发光的照射面为同一面，
还具有第3判定步骤，在该第3判定步骤中，对所述第1观察步骤、所述第2观察步骤以及所述第3观察步骤的评价结果进行比较，
在所述第3判定步骤中，
将仅在所述第1观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面位错。
6.根据权利要求5所述的SiC外延晶片的评价方法，
在所述第3判定步骤中，
将在所述第1观察步骤至所述第3观察步骤的全部观察步骤中观察到的缺陷判断为棱柱面堆垛层错，
将仅在所述第1观察步骤和所述第2观察步骤的观测结果中观察到的缺陷判断为基底面堆垛层错。
7.一种SiC外延晶片的评价方法，包括：
准备SiC外延晶片的步骤，该SiC外延晶片具有杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层；
对所述杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的表面照射激发光的步骤；
第1观察步骤，在该第1观察步骤中，经由430nm以下波段的带通滤光器观测所述激发光的照射面；
第3观察步骤，在该第3观察步骤中，对照射激发光前的面进行表面观察，所述面与所述激发光的照射面为同一面；和
第2判定步骤，在该第2判定步骤中，对所述第1观察步骤的观测结果和所述第3观察步骤的评价结果进行比较。
8.根据权利要求7所述的SiC外延晶片的评价方法，
在所述第1观察步骤中，观测在偏离方向上延伸且纵横比大于1的缺陷。
9.根据权利要求7所述的SiC外延晶片的评价方法，
所述SiC外延晶片包括SiC基板和层叠于所述基板上的所述外延层，通过所述第1观察步骤检测所述晶片有无基底面位错及其位置。
10.一种SiC外延晶片的制造方法，包括：
在SiC基板的一个面层叠杂质浓度为1×1018cm-3以上的高浓度外延层的步骤；
使用权利要求1～9中任一项所述的SiC外延晶片的评价方法，评价所述高浓度外延层的步骤；以及
在所述高浓度外延层上层叠漂移层的步骤。
11.根据权利要求10所述的SiC外延晶片的制造方法，还包括：
在所述SiC基板与所述高浓度外延层之间层叠杂质浓度比所述高浓度外延层低的缓冲层的步骤。
12.根据权利要求10所述的SiC外延晶片的制造方法，
还包括：在评价所述高浓度外延层的步骤之后判断在所述步骤中得到的第1观察步骤的结果是否满足合格基准的步骤，
在层叠所述漂移层的步骤中，在已满足所述合格基准的高浓度外延层上层叠漂移层。
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