CN109873089A - 发光二极管显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光二极管显示面板，发光二极管显示基板包括衬底、像素界定层和多个发光二极管，像素界定层形成在衬底上，像素界定层上形成有多个像素开口，发光二极管的第一电极的侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个反射面沿远离衬底的方向依次排列，出射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角小于反射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角，其中，侧壁部的外表面为侧壁部背离像素开口的侧壁内表面的表面。本发明还提供一种发光二极管显示面板及其制造方法。发光二极管显示面板具有较高的发光率。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备领域，具体地，涉及一种发光二极管显示面板和该发光二极管显示面板的制作方法。
背景技术
发光二极管显示面板由于自发光、响应时间短、清晰度高、对比度高等优点得到了广泛的应用。
但是，目前的发光二极管显示面板仍然存在发光率低、能耗高的缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管显示面板以及该发光二极管显示面板的制造方法，发光二极管显示面板具有加高的发光率。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种发光二极管显示面板，所述发光二极管显示面板包括发光二极管显示基板和封装所述发光二极管显示基板的封装层，
所述发光二极管显示基板包括衬底、像素界定层和多个发光二极管；所述像素界定层形成在所述衬底上，所述像素界定层上形成有多个像素开口，所述像素开口都对应有所述发光二极管；
所述发光二极管包括位于所述发光二极管的背离所述衬底一侧的透明的第一电极，所述第一电极包括底部和侧壁部，所述底部与所述衬底相对设置，所述侧壁部环绕所述底部设置，且与所述像素开口的侧壁相对设置；
所述封装层包括覆盖所述发光二极管的第一电极的第一封装层，其中，
所述侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个所述反射面沿远离所述衬底的方向依次排列，所述出射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角小于所述反射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角，其中，所述侧壁部的外表面为所述侧壁部背离所述像素开口的侧壁的表面，所述第一封装的材料的折射率大于所述第一电极的材料的折射率。
优选地，所述出射面平行于所述衬底朝向所述像素界定层的表面。
优选地，所述像素界定层包括沿远离所述衬底的方向层叠设置的多层像素界定子层，所述像素开口包括多个分别贯穿各个像素界定子层的像素子开口，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远的像素子开口的开口面积越大。
优选地，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远，所述像素子开口的侧壁与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角越大。
优选地，各层像素界定子层的材料均包括含有感光剂的负性光刻胶，距离所述衬底越远的像素界定子层中感光剂含量越高。
优选地，所述像素界定层包括三层所述像素界定子层，距离所述衬底最近的像素界定子层中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％，距离所述衬底最远的像素界定子层中感光剂的含量为4wt％至5wt％，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
作为本发明的第二个方面，提供一种发光二极管显示面板的制作方法，其中，所述制造方法包括：
提供衬底；
形成像素界定层，所述像素界定层上形成有多个像素开口；
形成多个发光二极管，以获得发光二极管显示基板，每个所述像素开口中形成有所述发光二极管，所述发光二极管包括位于所述发光二极管的背离所述衬底一侧的第一电极，所述第一电极包括与底部和侧壁部，所述底部朝向所述衬底，所述侧壁部环绕所述底部设置，且朝向所述像素开口的侧壁，所述侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个所述反射面沿远离所述衬底的方向依次排列，所述出射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角小于所述反射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角，其中，所述侧壁部的外表面为所述侧壁部背离所述像素开口的侧壁内表面的表面；
形成第一封装层，以对所述发光二极管显示基板进行第一次封装。
优选地，所述出射面平行于所述衬底朝向所述像素界定层的表面。
优选地，形成像素界定层的步骤包括：
依次形成多层界定材料层，每层所述界定材料层的材料均包括负性光刻胶和感光剂，距离所述衬底越远的界定材料层中感光剂的含量越高；
利用同一个掩膜板对多层界定材料层形成的组合结构进行曝光；
显影，获得多个所述像素开口，每个所述像素开口都包括依次贯穿各个像素界材料层的像素子开口，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远的像素子开口的开口面积越大。
优选地，在依次形成多层界定材料层的步骤中，形成三层所述界定材料层，距离所述衬底最近的界定材料层中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％，距离所述衬底最远的界定材料层中感光剂的含量为4wt％至5wt％，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是现有技术中发光二极管显示面板中的发光二极管的发光示意图；
图2是本发明所提供的发光二极管显示面板中，发光二极管处的结构示意图；
图3是本发明所提供的发光二极管显示面板中，发光二极管处的结构示意图；
图4是本发明所提供的发光二极管显示面板的制造方法的流程图；
图5是在衬底上形成了一层界定材料层后的示意图；
图6是在衬底上形成了两层界定材料层后的示意图；
图7是在衬底上形成了三层界定材料层后的示意图；
图8是对三层界定材料层进行曝光显影后获得的像素界定层的示意图。
附图标记说明
100：衬底 200：像素界定层
300：发光二极管 310：第一内封装部
320：第二封装层 330：第一电极
331：反射面 332：出射面
340：第二电极 350：发光功能层
210、220、230：像素界定子层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
经本发明的发明人反复研究发现，造成发光二极管显示面板发光效率低的一个原因如下：
发光二极管显示面板包括衬底100、形成在衬底100上的驱动电路层400、形成在驱动电路能够400上的像素界定层200、发光二极管300和封装层，其中，发光二极管300包括第一电极330、发光功能层350和第二电极层340。封装层包括与多个发光二极管的第一电极330贴合的第一封装层和覆盖第一封装层的第二封装层320。通常，第一封装层由无机材料制成，第二封装层320由有机材料制成。
其中，像素界定层200包括多个像素开口，第一封装层包括位于像素开口内、且朝向像素开口的侧壁的第一内封装部310。在本发明中所提到的“像素开口的侧壁”是指围成像素开口的表面，通过该表面可以限定出像素开口。
形成发光二极管的第一极330的材料为透明电极材料ITO，形成第一封装层的材料多为硅的氮化物，形成第二封装层的材料为树脂。ITO的折射率为1.7～2.0，硅的氮化物的折射率为1.9～2.1，树脂的折射率通常在1.5至1.6之间。相对于第一电极330而言，第一内封装部310属于光密介质，相对于第二封装层320而言，第一内封装部310同样属于光密介质。
如图1中所示，第一内封装部310与像素开口的侧壁相对的部分的倾斜角α(即，第一内封装部310与像素开口的侧壁相对的部分与像素界定层200的厚度方向的角度)是不变的，而发光二极管300的发光层发出的光的方向是不确定的，其中存在一些光线，其照射在第一内封装部310上与像素开口的侧壁相对的部分与第二封装层之间的界面处会发生全反射，随后被反射至第一内封装部310朝向像素开口的部分与第一电极330之间的界面处，仍然会发生全反射，该部分光被称为全反射光(如图1中的实线箭头所示)，全反射光只有在第一封装层位于像素开口外部的部分方能出射，从而使得发光二极管的发光率降低。
有鉴于此，作为本发明的一个方面，提供一种发光二极管显示面板，发光二极管显示面板包括发光二极管显示基板和封装该发光二极管显示基板的封装层。如图2所示，发光二极管显示基板包括衬底100、像素界定层200和多个发光二极管300，像素界定层200形成在衬底100上，像素界定层200上形成有多个像素开口，每个像素开口内都设置有发光二极管300。每个发光二极管300都包括位于该发光二极管的背离衬底一侧的透明的第一电极330，如图2中所示，第一电极330包括底部和环绕该底部设置的侧壁部。第一电极330的底部与衬底100相对设置，第一电极330的侧壁部位于像素界定层200上且与像素开口的侧壁相对设置。需要指出的是，两者“相对”设置是一者在另一者上的正投影与另一者之间具有较大的重叠。封装层包括覆盖发光二极管的第一电极330的第一封装层。
其中，第一电极330的侧壁部的外表面包括多个反射面331和连接在相邻两个反射面331之间的出射面332。出射面332与衬底100朝向像素界定层200的表面之间的夹角小于反射面331与衬底100朝向像素界定层200的表面之间的夹角。
为了便于描述，在本发明中，将第一电极330的侧壁部上背离像素开口的侧壁的表面称之为侧壁部的外表面。
需要指出的是，除了第一电极330之外，发光二极管300还包括发光功能层350和第二电极340。在沿背离衬底基板100的方向上，第一电极340、发光功能层350和第一电极330。并且，衬底100上还形成有用于驱动发光二极管发光的驱动电路层。
封装层中的第一封装层覆盖第一电极330，对发光二极管显示基板进行封装后可以获得图3中所示的发光二极管显示面板。并且，该第一封装层的折射率大于第一电极的折射率。通常，可以采用化学气相沉积的方式获得第一封装层。容易理解的是，通过化学气相沉积的方式可以获得厚度均匀的第一封装层。如图3中所示，厚度均匀的第一封装层贴附在第一电极330的外表面上。其中，第一封装层落入像素开口内的部分(即，第一内封装部310)的侧壁形成为阶梯型的侧壁。
对于发光二极管显示面板而言，存在以下两种情况：第一封装层外部设置有由有机物制成的第二封装层；第二种，第一封装层外部不设置第二封装层(即，第一封装层外侧为空气)。无论上述两种情况中的哪一种情况，第一封装层相对于该第一封装层两侧的介质都是光密介质。为了便于描述，将第一内封装部310与第一电极330之间的界面称为第一界面，将第一内封装部310与该第一内封装部310外侧的光疏介质(第二封装层或者空气)之间的界面称为第二界面。由于第一封装层是厚度均匀的膜层，因此，第一界面和第二界面均不是平面。具体地，第一界面包括朝向反射面331的第一反射界面和朝向出射面332的第一出射界面。第二界面包括与反射面331为同一表面的第二反射界面和与出射面332为同一表面的第二出射界面。
当发光二极管300发出的光在第二反射界面处发生全反射时(如图3中实心箭头所示)，无法从第二反射界面处出射，而是被反射至第一界面。当在第二反射界面处发生全反射的光被反射至第一界面的第一反射界面上时，该部分光会继续发生全反射；当在第二反射界面处发生全反射的光照被反射在第二出射界面上时，全反射条件被破坏，光线直接从第二出射界面处出射，依次类推。由此可知，发光二极管显示面板在发光时，发生全反射的光在传播的过程中全反射条件被破坏，不会继续在第一封装层内发生全反射，而是直接出射，提高了发光二极管显示面板的出光率，降低了发光二极管显示面板的能耗。
对于发光二极管300而言，通常利用透明电极材料制成第一电极330。对于发光二极管显示面板而言，通常使用硅的氮化物(例如，SiNx)制成第一封装层。相对于透明电极材料而言，硅的氮化物属于光密介质。
多个发光二极管的第一电极电连接，形成布满整个发光二极管显示基板的第一电极层。作为一种优选实施方式，可以利用ITO材料制成第一电极层。
在本发明中，对出射面332与衬底100朝向像素界定层200的表面之间的夹角不做特殊的限定，为了确保光发生全反射的条件在出射面332处被破坏并从该出射面332处出射，优选地，出射面332平行于衬底100朝向像素界定层200的表面，即，出射面332与衬底100朝向像素界定层200的表面之间的夹角为0°。
在本发明中，对如何形成具有包括出射面332和反射面331的表面的第一电极330不做特殊的限定。例如，可以先形成一层初始电极层，然后通过刻蚀的方式在初始电极层位于像素开口内部的部分的外表面形成反射面和出射面。
为了降低制造发光二极管显示面板的难度并降低制造成本，优选地，如图3所示，像素界定层200包括沿远离衬底100的方向层叠设置的多层像素界定子层，像素开口包括多个分别贯穿各个像素界定子层的像素子开口，并且，在多个像素子开口中，距离衬底100越远的像素子开口的开口面积越大。
在图3中所示的实施方式中，像素界定层200包括三层像素界定子层，这三层像素界定子层分别为像素界定层210、像素界定层220和像素界定层230。其中，像素界定子层210中的像素子开口面积最小，像素界定子层230中的像素子开口的面积最大。当然，本发明并不限于像素界定层200包括三层像素界定子层的情况，像素界定层200也可以包括两层像素界定子层或者三层以上的像素界定子层。
由于在多个像素子开口中，距离衬底越远的像素子开口的开口面积越大，因此，像素开口的侧壁形成为阶梯型的表面。因此，形成了像素界定层200后，形成厚度均匀的各个膜层以及形成厚度均匀的第一电极，第一电极落入像素开口内部的第一电极的侧壁部的表面自然而然的就包括反射面和出射面。
像素子开口的侧壁与衬底100朝向像素界定层200的表面之间的夹角越大，则该像素子开口的侧壁上所贴附的第一电极的反射面与衬底之间的夹角越大，相应地，第一封装层上朝向该反射面的部分与衬底100之间的夹角越大。而第一封装层上朝向该反射面的部分与衬底之间的夹角越大、则射入第一封装层中该部分的光越不容易形成全反射，而是越容易从该部分出射。优选地，在多个像素子开口中，距离衬底100越远，像素子开口的侧壁与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角越大。这样，后续形成的第一封装层的位于像素开口内、且与像素子开口的侧壁相对的部分中，距离衬底100越远、与衬底100所在平面之间的夹角越大，在该部分中传播的光在界面处的入射角越小，也相应地越不容易出现全反射，并越容易直接出射。
在本发明中，对如何形成多层像素界定子层不做特殊的限定。例如，可以通过利用半色调掩膜板对像素界定层进行曝光显影的方式获得多层像素界定子层。
为了减少半色调掩膜板的数量，优选地，各层像素界定子层的材料均包括具有感光剂的负性光刻胶，在多层像素界定子层中，距离衬底越远的像素界定子层中感光剂含量越高，以使得像素开口的侧壁为阶梯状的表面。
容易理解的是，感光剂的含量越高、则负性光刻胶中被曝光的部分越不容易出现交联。例如，为了形成一个贯穿光刻胶层的孔，需要利用掩膜板对光刻胶层进行曝光。掩膜板上与孔对应的部分为透光部，其余为遮光部。如负性光刻胶的感光剂含量高，那么，与孔对应的部分精确地被曝光，其余部分均未被曝光。显影时，只有被曝光的部分被溶解掉，其余部分均不能被溶解，孔的侧壁也是竖直壁。如果负性光刻胶中感光剂含量低，那么，光刻胶层越深、曝光度越低，显影后形成的通孔的孔壁则不是竖直壁而是倾斜壁(即，光刻胶上厚度越深的位置形成的孔的孔径越小)。
“距离衬底越远的像素界定子层中感光剂含量越高”这种设置，不仅可以使得像素开口的侧壁为阶梯状，还可以获得上文中所述的“在多个像素子开口中，距离衬底越远，像素子开口的侧壁与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角越大”这种结构。
下面简单介绍如何形成包括多层像素界子层：
依次形成多层像素界定材料层，每一层像素界定材料层都包括负性光刻胶和感光剂，距离衬底越远的像素界定材料层的感光及含量越高；
利用同一个掩膜板对多层像素界定材料层形成的组合结构进行曝光；
显影。
由于多层像素界定子材料层的感光剂含量不同，感光剂含量越高的像素界定子材料层的感光度越高，显影后形成的像素子开口的面积越大、像素子开口的侧壁越陡，从而获得阶梯形的像素开口，侧壁部位于阶梯形的像素开口的阶梯平台上的部分的表面形成为出射面。
在本发明中，对像素界定子层的层数不做特殊的限定，像素既定子层的层数越多、阶梯平台的数量越多、像素内封装部的出射面数量越多，全反射光在像素内封装部内传播过程中被打断的次数越多，发光二极管的出光率越高。
从图2中可以看出，包括多层像素界定子层的发光二极管显示基板中，像素开口为阶梯孔，最顶部的像素开口的面积最大，从而可以使得发光二极管显示基板具有更高的开口率，有利于提高包括发光二极管显示面板的显示效果。
在图2中所示的实施方式中，像素界定层包括沿远离衬底100的方向依次层叠设置的三层像素界定子层，分别为像素界定子层210、像素界定子层220和像素界定子层230。其中，像素界定子层210中的像素子开口面积最小，像素界定子层230中的像素子开口的面积最大。
相应地，三层像素界定子层中，最靠近衬底100的像素界定子层210中感光剂含量最低，而距离衬底100最远的像素界定子层230中感光剂含量最高。
作为本发明的一种优选实施方式，距离衬底100最近的像素界定子层210中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％。
优选地，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
优选地，距离衬底100最远的像素界定子层210中感光剂的含量为4wt％至5wt％。
如上文中所述，每个发光二极管还包括第二电极340与发功能光层350，该第二电极340设置在于像素开口的底部，发光功能层350位于第一电极330和第二电极340之间。
在本发明中，对发光二极管的具体类型不做特殊的限定，例如，所述发光二极管可以是有机发光二极管，也可以是量子点发光二极管。
第一电极330和第二电极340中的一者为阴极，另一者为阳极。作为一种实施方式，发光二极管为顶发光型发光二极管，第一电极330可以为由ITO材料制成的阴极，第二电极340可以为由金属材料制成的阳极。
如图2和图4所述显示基板还包括形成在衬底100上、用于驱动发光二极管发光的驱动电路400。
在发光二极管显示面板中，第一封装层的作用主要是防止外界水蒸汽和氧气腐蚀发光二极管。在本发明中，对第一封装层的具体材料不做特殊的限定，优选地，可以利用无机材料(例如，硅的氧化物或者硅的氮化物)制成第一封装层。
作为本发明的一种优选实施方式，封装层还包括覆盖第一机封装层310背离衬底100的表面的第二封装层320。该第二机封装层320可以由有机材料(例如，树脂材料)制成。
作为本发明的第二个方面，提供一种发光二极管显示面板的制造方法，如图4所示，制造方法包括：
在步骤S110中，提供衬底；
在步骤S120中，形成像素界定层，像素界定层上形成有多个像素开口；
在步骤S130中，形成多个发光二极管，每个像素开口中形成有发光二极管，发光二极管包括位于发光二极管的背离衬底一侧的第一电极，第一电极包括与底部和侧壁部，底部与衬底相对设置，侧壁部环绕底部设置，且与像素开口的侧壁内表面相对，侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个反射面沿远离衬底的方向依次排列，出射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角小于反射面与衬底朝向像素界定层的表面之间的夹角，其中，侧壁部的外表面为侧壁部背离像素开口的侧壁内表面的表面；
在步骤S140中，形成第一封装层，以对发光二极管显示基板进行第一次封装。
利用本发明所提供的制造方法可以获得本发明所提供的上述发光二极管显示面板。上文中已经对发光二极管显示面板的优点进行了详细的描述，这里不再赘述。
对如何形成具有包括出射面332和反射面331的表面的第一电极不做特殊的限定。例如，可以先形成一层初始第一电极层，然后通过刻蚀的方式在第一电极的外表面形成反射面和出射面。
为了简化构图工艺，优选地，步骤S120可以包括：
依次形成多层界定材料层(如图5至图7所示)，每层界定材料层的材料均包括负性光刻胶和感光剂，距离衬底越远的界定材料层中感光剂的含量越高；
利用同一个掩膜板对多层界定材料层形成的组合结构进行曝光；
显影，获得多个像素开口(如图8所示)，每个像素开口都包括依次贯穿各个像素界材料层的像素子开口，距离衬底越远的像素子开口的开口面积越大。
由于各层界定材料层的感光度不同，因此，利用同一个掩膜板对各层阶层材料层进行曝光时，形成的感光区域的大小也不同，通过显影形成的像素子开口的大小也不同。感光剂含量越高的像素界定子材料层的感光度越高，显影后形成的像素子开口的面积越大。
作为本发明的一种具体实施方式，在依次形成多层界定材料层的步骤中，形成三层界定材料层，距离衬底最近的界定材料层中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％。
优选地，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
优选地，距离衬底最远的界定材料层中感光剂的含量为4wt％至5wt％。
具体地，形成三层界定材料层的步骤包括：
如图5中所示，在衬底100上形成界定材料层210a；
如图6中所示，在界定材料层210a上形成界定材料层220a；
如图7所示，在界定材料层220a上形成界定材料层230a。
随后，对界定材料层210a、界定材料层220a、界定材料层230a形成的组合结构进行曝光显影，可以获得图8中所示的像素界定层200，该像素界定层200包括由界定材料层210a形成的像素界定子层210、由界定材料层220a形成的像素界定子层220和由界定材料层230a形成的像素界定子层230。
作为本发明的一种优选实施方式，制造方法还包括在步骤S140之后进行的：
在步骤S150中，形成第二封装层，第二封装层覆盖第一封装层。
如上文中，第一封装层的材料可以为硅的氮化物，第二封装层的材料可以为硅胶。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种发光二极管显示面板，所述发光二极管显示面板包括发光二极管显示基板和封装所述发光二极管显示基板的封装层，
所述发光二极管显示基板包括衬底、像素界定层和多个发光二极管；所述像素界定层形成在所述衬底上，所述像素界定层上形成有多个像素开口，所述像素开口都对应有所述发光二极管；
所述发光二极管包括位于所述发光二极管的背离所述衬底一侧的透明的第一电极，所述第一电极包括底部和侧壁部，所述底部与所述衬底相对设置，所述侧壁部环绕所述底部设置，且与所述像素开口的侧壁相对设置；
所述封装层包括覆盖所述发光二极管的第一电极的第一封装层，其特征在于，
所述侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个所述反射面沿远离所述衬底的方向依次排列，所述出射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角小于所述反射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角，其中，所述侧壁部的外表面为所述侧壁部背离所述像素开口的侧壁的表面，所述第一封装的材料的折射率大于所述第一电极的材料的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述出射面平行于所述衬底的朝向所述像素界定层的表面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述像素界定层包括沿远离所述衬底的方向层叠设置的多层像素界定子层，所述像素开口包括多个分别贯穿各个像素界定子层的像素子开口，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远的像素子开口的开口面积越大。
4.根据权利要求3所述的发光二极管显示面板，其特征在于，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远，所述像素子开口的侧壁与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角越大。
5.根据权利要求3所述的发光二极管显示面板，其特征在于，各层像素界定子层的材料均包括含有感光剂的负性光刻胶，距离所述衬底越远的像素界定子层中感光剂含量越高。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述像素界定层包括三层所述像素界定子层，距离所述衬底最近的像素界定子层中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％，距离所述衬底最远的像素界定子层中感光剂的含量为4wt％至5wt％，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一封装层由无机材料制成。
8.根据权利要求7所述的发光二极管显示面板，其特征在于，所述封装层还包括覆盖所述第一封装层背离所述衬底的表面的第二封装层，所述第二封装层由有机材料制成。
9.一种发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供衬底；
形成像素界定层，所述像素界定层上形成有多个像素开口；
形成多个发光二极管，以获得发光二极管显示基板，每个所述像素开口中形成有所述发光二极管，所述发光二极管包括位于所述发光二极管的背离所述衬底一侧的第一电极，所述第一电极包括与底部和侧壁部，所述底部朝向所述衬底，所述侧壁部环绕所述底部设置，且朝向所述像素开口的侧壁，所述侧壁部的外表面包括多个反射面和连接在相邻两个反射面之间的出射面，多个所述反射面沿远离所述衬底的方向依次排列，所述出射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角小于所述反射面与所述衬底朝向所述像素界定层的表面之间的夹角，其中，所述侧壁部的外表面为所述侧壁部背离所述像素开口的侧壁内表面的表面；
形成第一封装层，以对所述发光二极管显示基板进行第一次封装。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述出射面平行于所述衬底朝向所述像素界定层的表面。
11.根据权利要求9或10所述的制作方法，其特征在于，形成像素界定层的步骤包括：
依次形成多层界定材料层，每层所述界定材料层的材料均包括负性光刻胶和感光剂，距离所述衬底越远的界定材料层中感光剂的含量越高；
利用同一个掩膜板对多层界定材料层形成的组合结构进行曝光；
显影，获得多个所述像素开口，每个所述像素开口都包括依次贯穿各个像素界材料层的像素子开口，在多个所述像素子开口中，距离所述衬底越远的像素子开口的开口面积越大。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在依次形成多层界定材料层的步骤中，形成三层所述界定材料层，距离所述衬底最近的界定材料层中感光剂的含量为1.5wt％至2.5wt％，距离所述衬底最远的界定材料层中感光剂的含量为4wt％至5wt％，三层所述像素界定子层中位于中间的一层中感光剂的含量为2.8wt％至3.8wt％。
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