JP2010510619A - カラー光電子デバイス - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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Abstract
有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイスは、基板上に形成されたデバイスのサブピクセル10、12、14をアドレス指定するための能動回路16を含む該基板と、金属アノード層18と、少なくとも発光層を含む有機層22と、カソード層26と、封入用層28とを含む。デバイスは、異なる色の光を放射するように配置された各サブピクセルに対して十分に範囲を規定された異なる格子面間隔を有する少なくとも1つの光格子24を含む。デバイスは、少なくとも1つの光格子24に完全に依存して、各サブピクセルから外部結合された光の色を決定するようになっている。
Description
本発明は、有機発光ダイオード(OLED)ピクセルを含むマイクロディスプレイに関するものである。
全てのLEDデバイスに光取出しの問題がある。この問題の根源は、従来の光学部品および内部全反射の概念にある。全てのLEDデバイス(OLEDおよび無機LED)は、高屈折率材料製薄膜積層体から成るので、デバイスから光子が漏れる可能性は、実際にはかなり低いため、LEDの外部効率は極めて制限される。従来の表示器LEDでは、この問題は、半球のプラスチック・シェルでデバイスを覆い、光の通過を可能にすることができる角度の数を増やすことによって解決される。OLEDデバイスでは、通常、このLEDデバイスが、情報ディスプレイとしての用途では平面状であることを要求されるため、解決策はより複雑である。
デバイス構造内に、または、デバイスに近接して、可視光線波長の大きさ程度の空間的寸法を有する1Dまたは2Dの格子構造体を挿入することにより、OLEDデバイスの外部光結合の大きさ(マグニチュード)を制御可能であることが広く知られている。2D格子の場合は、光格子として既知である。効果がある程度波長に左右されることが示されている(M.Kitamura、S.Iwamoto、Y.Arakawa、「Enhanced Luminance Efficiency of Organic Light−Emitting Diodes with Two−Dimensional Photonic Crystals」、日本応用物理学会誌、第44巻、No.4B、2005年、2844〜2848頁)。
既知のOLEDマイクロディスプレイでは、発光は、高反射性のアノード金属(AlまたはTi)および部分反射性のカソード層によるマイクロキャビティ(微細凹所)の存在によって、既に1Dに限定されている。このキャビティの細かさと厚さは、発光色および外部結合の大きさを制御する。
取出す必要のある光の波長と同等の長さスケールでデバイス内に物理構造体を導入することにより、干渉効果によって、光の各種波長の外部結合を増大または減少させることができる。
マイクロキャビティにおける干渉効果は、2つの反射鏡または半反射鏡の間の発光制限によるものである。MicroEmissive Displays Limited社製の既知のデバイスでは、反射鏡は、実際にはOLEDデバイスの電極である。
本発明は、光格子構造体を利用する。光格子における干渉効果は、特定波長の光の伝播を許さない周期性の物理構造体の形成によるものである。光結晶の効果を極大化するために、周期構造体が、デバイスの発光領域内に理想的に配置される。
本発明では、赤色、緑色および青色のピクセル(画素)の発光色を制御するのに光工学を用いる。
配列体である赤色、緑色および青色のサブピクセルのそれぞれの内部に、異なる格子面間隔を有する2Dの光構造体を挿入することによって、ディスプレイの彩度を制御するために、放射光の光度と色を用いることができる。さらに、ピクセルの前方放射が促進されることになるので、光クロストークを減らし、より小さなピクセルサイズを使用可能にすることもできるだろう。
本発明は、請求項1に記載されたOLEDマイクロディスプレイ・デバイスを提供する。本発明の選択的特徴は、従属請求項で規定されている。
以下、添付図面を見ながら、単なる例示として、本発明の説明を行う。
図1aは、発光領域2内に絶縁材料の支柱1を用いて構成された光格子を示す。図1bは、絶縁材料の壁4で閉じ込められた発光孫ピクセル(=サブ・サブピクセル)3を有する代替格子を示す。図1cは、支柱5のより高密度の行列から形成された格子を示し、図1dは、フォトリソグラフィによって製作された支柱5’についてのより現実的な形状を示す。
そのような光格子構造体をマイクロディスプレイ・デバイスとして設計することができる。というのは、半導体パターニング技術、特にCMOS技術は、非常に高い分解能(<0.5μm)で金属(典型例はアルミニウム)および絶縁体(酸化シリコンまたは窒化シリコン)にパターン付与できるからである。
光格子の間隔を入念に設計すれば、光の特定の波長が強化された外部結合をもたらすことになる。諸RGBサブピクセルが差異および適切な格子面間隔を有するように設計することによって、各サブピクセルからの特定波長の外部結合を強化することができる。
したがって、図2a〜図2cは、図1aに基づく格子ではあるが、図2aでは青色光の外部結合が強化され、図2bでは緑色光の外部結合が強化され、図2cでは赤色光の外部結合が強化されるように異なる格子面間隔を有する格子を示す。
同様に、図3a〜図3cは、図1dに基づく格子ではあるが、図3aでは青色光の外部結合が強化され、図3bでは緑色光の外部結合が強化され、図3cでは赤色光の外部結合が強化されるように異なった格子面間隔を有する格子を示す。
光格子は、ディスプレイの彩度を向上させるだけでなく、各ピクセルの前方放射発光を増大させる。
図4は、緑色サブピクセル10、赤色サブピクセル12、青色サブピクセル14から形成されたピクセルを備えるデバイスを示す。このデバイスは、CMOS能動回路16を備え、その上に金属アノード18が形成されている。ピクセル壁20は、アノード18を貫通して有機層22中に延在している。これらは、正孔および/または電子のトランスポート層、および発光層を含む。サブピクセル領域内のアノード18上に、十分に範囲を規定された格子面間隔と格子深さを有する光格子要素24が、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンから形成される。図2a〜図2cおよび図3a〜図3cに示されるように、格子面間隔は光の所望の色に対して最適である。また、デバイスは、順に、金属カソード層26、封入用層28および接着剤30を有する。パターン付与によって、封入用層28上に光格子要素34を形成することもできる。図4のデバイスは、色フィルタを必要とせず、光格子に完全に依存して、各サブピクセルから外部結合される光の色を決定することに留意すべきである。
代替デバイス(図示せず)は、光格子層を1つだけ有する。
図5は、既知の2素子の白色OLEDの正規化されたエレクトロルミネセンス・スペクトルを示す。
図6は、本発明による光格子を有するRGBピクセルからの予測される外部結合関数を示す。
図7a〜図7cは、青色、緑色および赤色のサブピクセルについて、図5および図6のスペクトルをそれぞれ組み合わせたものであり、格子がこれらのRGBサブピクセルの彩度をどのように増大させ得るかを示す。
Claims (7)
- 有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイスにおいて、
該デバイスが、
基板上に形成されたデバイスのサブピクセルをアドレス指定するための能動回路を含む前記基板と、
金属アノード層と、
少なくとも発光層を含む有機層と、
カソード層と、
封入用層とを有し、
前記デバイスは、異なる色の光を放射するように配置された各サブピクセルに対して十分に範囲を規定された異なる格子面間隔を有する少なくとも1つの光格子を含み、また、前記少なくとも1つの光格子に完全に依存して、各サブピクセルから外部結合された光の色を決定するようになされた有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。 - 前記光格子、または、複数の前記光格子のうちの1つが前記アノード層上に形成されている請求項1に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
- 前記光格子、または、複数の前記光格子のうちの1つが前記デバイスの封入用層上に形成されている請求項1または請求項2に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
- 各光格子が、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコンの少なくとも一種で形成されている請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
- 前記少なくとも1つの光格子が、格子材料の支柱から成る請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
- 前記支柱が格子縞模様形態で配設されている請求項6に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
- 前記少なくとも1つの光格子が、交差する格子材料の壁で形成されている請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載された有機発光ダイオードのマイクロディスプレイ・デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB0622998.3A GB0622998D0 (en) | 2006-11-17 | 2006-11-17 | Colour optoelectronic device |
PCT/GB2007/004401 WO2008059278A2 (en) | 2006-11-17 | 2007-11-16 | Colour optoelectronic device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010510619A true JP2010510619A (ja) | 2010-04-02 |
Family
ID=37605510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009536798A Pending JP2010510619A (ja) | 2006-11-17 | 2007-11-16 | カラー光電子デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100283068A1 (ja) |
EP (1) | EP2082429A2 (ja) |
JP (1) | JP2010510619A (ja) |
KR (1) | KR20090107997A (ja) |
CN (1) | CN101569013A (ja) |
GB (1) | GB0622998D0 (ja) |
WO (1) | WO2008059278A2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5284036B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
EP2541637B1 (de) | 2011-06-30 | 2022-01-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer optischen Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
JP5435522B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2014-03-05 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子および有機発光素子の製造方法 |
KR101894333B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2018-09-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
CN104201188B (zh) * | 2014-08-22 | 2017-07-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled像素单元及其制备方法、显示面板和显示装置 |
EP3313587B1 (en) | 2015-06-24 | 2023-06-07 | Red Bank Technologies LLC | Band edge emission enhanced organic light emitting diode with a localized emitter |
CN107170789B (zh) * | 2017-06-06 | 2021-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示器件及制备方法和显示装置 |
CN107369700B (zh) | 2017-07-13 | 2020-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置 |
KR102587009B1 (ko) * | 2021-10-20 | 2023-10-10 | 선문대학교 산학협력단 | 외부 광 추출용 외부 산란층 및 양자점을 포함하는 유기발광소자 |
KR102587011B1 (ko) * | 2021-10-20 | 2023-10-10 | 선문대학교 산학협력단 | 내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층, 외부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자 |
KR102587008B1 (ko) * | 2021-10-20 | 2023-10-10 | 선문대학교 산학협력단 | 내부 광 추출용 광결정 및 내부 산란층을 포함하는 유기발광소자 |
KR102587010B1 (ko) * | 2021-10-20 | 2023-10-10 | 선문대학교 산학협력단 | 내부 광 추출용 광결정, 내부 산란층 및 외부 양자점층을 포함하는 유기발광소자 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9907931D0 (en) * | 1999-04-07 | 1999-06-02 | Univ Edinburgh | An optoelectronic display |
GB0011297D0 (en) * | 2000-05-10 | 2000-06-28 | Microemissive Displays Ltd | An optoelectronic display device |
GB0013394D0 (en) * | 2000-06-01 | 2000-07-26 | Microemissive Displays Ltd | A method of creating a color optoelectronic device |
GB0024804D0 (en) * | 2000-10-10 | 2000-11-22 | Microemissive Displays Ltd | An optoelectronic device |
GB0104961D0 (en) * | 2001-02-28 | 2001-04-18 | Microemissive Displays Ltd | An encapsulated electrode |
GB0107236D0 (en) * | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
GB0110802D0 (en) * | 2001-05-02 | 2001-06-27 | Microemissive Displays Ltd | Pixel circuit and operating method |
KR100437886B1 (ko) * | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
GB0222649D0 (en) * | 2002-09-30 | 2002-11-06 | Microemissive Displays Ltd | Passivation layer |
GB0224121D0 (en) * | 2002-10-16 | 2002-11-27 | Microemissive Displays Ltd | Method of patterning a functional material on to a substrate |
GB0227119D0 (en) * | 2002-11-20 | 2002-12-24 | Microemissive Displays Ltd | Optical magnification system |
GB0306721D0 (en) * | 2003-03-24 | 2003-04-30 | Microemissive Displays Ltd | Method of forming a semiconductor device |
GB0307745D0 (en) * | 2003-04-03 | 2003-05-07 | Microemissive Displays Ltd | Method and apparatus for depositing material on a substrate |
GB0307746D0 (en) * | 2003-04-03 | 2003-05-07 | Microemissive Displays Ltd | Removing a material from a substrate |
KR100563059B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름 |
JP2005174700A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 電界発光デバイス |
US7221332B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Eastman Kodak Company | 3D stereo OLED display |
-
2006
- 2006-11-17 GB GBGB0622998.3A patent/GB0622998D0/en not_active Ceased
-
2007
- 2007-11-16 US US12/514,620 patent/US20100283068A1/en not_active Abandoned
- 2007-11-16 EP EP07824619A patent/EP2082429A2/en not_active Withdrawn
- 2007-11-16 CN CNA2007800427132A patent/CN101569013A/zh active Pending
- 2007-11-16 KR KR1020097010176A patent/KR20090107997A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-11-16 JP JP2009536798A patent/JP2010510619A/ja active Pending
- 2007-11-16 WO PCT/GB2007/004401 patent/WO2008059278A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100283068A1 (en) | 2010-11-11 |
EP2082429A2 (en) | 2009-07-29 |
WO2008059278A3 (en) | 2008-07-31 |
KR20090107997A (ko) | 2009-10-14 |
CN101569013A (zh) | 2009-10-28 |
GB0622998D0 (en) | 2006-12-27 |
WO2008059278A2 (en) | 2008-05-22 |
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