CN109844862A - 存储器装置的温度更新 - Google Patents

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Abstract

本发明描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统及装置，且更明确地说，本发明描述存储器装置的温度更新。可根据定时循环而操作存储器阵列，所述定时循环包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔，其中所述第一间隔的持续时间大于所述第二类型的间隔的持续时间。可在所述第二类型的间隔期间对与所述存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样，且可至少部分地基于所取样温度而重新配置所述存储器阵列。接着可在所述第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行所述第一类型的操作。

Description

存储器装置的温度更新
交叉参考
本专利申请案主张法肯索尔(Fackenthal)的第15/289,350号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案标题为“存储器装置的温度更新(Temperature Update for aMemory Device)”、于2016年10月10日提出申请、受让于本申请案的受让人。
背景技术
以下内容一般来说涉及存储器装置，且更明确地说，涉及存储器装置的温度更新。
在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中广泛地使用存储器装置来存储信息。信息是通过对存储器装置的不同状态进行编程而存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它系统中，可存储两种以上状态。为存取所存储信息，电子装置可读取或感测存储器装置中的所存储状态。为存储信息，电子装置可对存储器装置中的状态进行撰写或编程。
存在各种类型的存储器装置，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器以及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。即使在缺少外部电源的情况下，非易失性存储器(例如，快闪存储器)也可存储数据达延长的时间周期。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间失去其所存储状态，除非易失性存储器装置通过外部电源而周期性地刷新。举例来说，二进制存储器装置可包含经充电或经放电电容器。然而，经充电电容器可通过泄漏电流而随时间被放电，从而导致所存储信息的丢失。易失性存储器的某些特征可提供性能优点，例如更快读取或写入速度，而非易失性存储器的特征(例如，在不周期性刷新的情况下存储数据的能力)可是有利的。
FeRAM可使用类似于易失性存储器的装置架构，但因使用铁电电容器作为存储装置而可具有非易失性性质。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改进性能。在一些情形中，铁电存储器装置可执行温度更新，但此更新中所涉及的组件可引入噪声或产生其它问题。此类问题可中断存储器单元或其它组件的操作、可导致信号不稳定性。
附图说明
本文中的揭示内容参考且包含以下各图：
图1图解说明根据本发明的实例的支持存储器装置的温度更新的存储器阵列的实例。
图2图解说明根据本发明的实例的支持存储器装置的温度更新的实例性电路。
图3图解说明根据本发明的实例的支持存储器装置的温度更新的铁电存储器单元的滞后曲线图的实例。
图4图解说明根据本发明的实例的支持存储器装置的温度更新的定时循环的实例。
图5到6展示根据本发明的实例的支持存储器装置的温度更新的装置的框图。
图7图解说明根据本发明的实例的包含支持存储器装置的温度更新的存储器阵列的系统的框图。
图8到9图解说明根据本发明的实例的用于存储器装置的温度更新的方法。
具体实施方式
铁电存储器装置可执行温度更新以更新可随温度或其它操作参数而改变的电压、电力供应或其它操作特性。然而，在一些实例中，在其它操作(例如，感测操作)期间的温度更新中所涉及的组件可引入噪声。此噪声可中断存储器单元或其它组件的操作，且可导致包含温度接近切换阈值的时间的信号的不稳定性。
在一些实例中，在温度更新期间，参考电压可根据不同温度而改变。在一些情形中，温度更新可在至少一个其它操作(例如，感测操作)期间发生。在一些实例中，存储器单元的温度更新可在防止或限制在操作(例如，读取操作)期间被存储器单元或相关组件放电的信号的失真的时间间隔期间发生。举例来说，在执行一些操作(例如，临界操作、例如写入或读取操作等操作)时，装置或装置组件可指定用以延迟或抑制任何温度更新的持续时间。在此时间期间，刷新循环(例如，第二类型的间隔)的至少一部分(例如，子集)可用于存取温度传感器、对温度进行取样及执行用以促进温度更新的其它操作。在一些情形中，在对温度进行取样之前，可指定或使用安定时间来允许存储器单元及/或至少一个其它组件重新配置且实现稳定水平。
在一些实例中，存储器装置(例如FeRAM)可含有利用相对于温度而变化的特性来操作的组件。在一些情形中，存储器阵列或存储器单元可经设计以补偿温度以便使性能最大化且使功率最小化。举例来说，在冷温度下，单元的电压可基于至少一个组件或操作而增大，而在热温度下，单元的电压可基于至少一个组件或操作而降低。在冷温度下，FeRAM单元可以较慢速率极化或执行感测操作。在一些情形中，在冷温度下为恢复性能，可增大单元的电压。在一些情形中，维持高电压电路可致使单元在较高温度下消耗更多电力及能量。
在一些情形中，基于温度更新，可使用温度传感器输出来重新配置电路(例如，高电压电路)。在较高电压下，单元可需要来自数/模转换器(DAC)的小电压调整。在一些情形中，单元可需要重新配置。举例来说，单元可经重新配置以接合电荷泵并给调节器供应电力。在一些情形中，如果没有足够的空间用于非泵电力供应器，那么电荷泵可增大去往调节器的电流以获得更高电压。在一些应用中，装置可在预定义间隔期间执行温度更新以降低在冷温度下的功率并避免由泵供应的较高电压。
如本文中所描述，装置可根据可变等待时间而执行温度更新。举例来说，代替在冷温度下增大电压，单元可在冷温度下利用较长等待时间而操作。为将在给定时间处的等待时间通知系统，可通过模式寄存器将信息传递到系统。在一些情形中，装置可起始温度更新命令来通知系统何时可发生更新。装置可利用可变等待时间来执行温度更新以降低将额外泵添加到裸片的复杂性。
下文在存储器阵列的脉络中进一步描述上文所引入的本发明的特征。接着，描述关于存储器装置的温度更新的具体实例。参考与存储器装置的温度更新相关的设备图、系统图及流程图进一步图解说明及描述本发明的这些及其它特征。
图1图解说明根据本发明的各种实施例的支持存储器装置的温度更新的实例性存储器阵列100。存储器阵列100还可称为电子存储器设备。存储器阵列100包含可编程以存储不同状态的存储器单元105。如本文中所描述，对单元或存储器单元的论述可适用于存储器单元105及/或存储器阵列100，除非另有描述。每一存储器单元105可编程以存储两种状态：表示为逻辑0及逻辑1。在一些情形中，存储器单元105经配置以存储两种以上逻辑状态。存储器单元105可包含用以存储表示可编程状态的电荷的电容器；举例来说，经充电及未充电电容器可分别表示两种逻辑状态。DRAM架构通常可使用此设计，且所采用的电容器可包含具有线性电极化性质的电介质材料。相比之下，铁电存储器单元可包含具有铁电作为电介质材料的的电容器。铁电电容器的不同电荷水平可表示不同逻辑状态。铁电材料具有非线性极化性质；下文论述铁电存储器单元105的一些细节及优点。
例如读取及写入等操作可通过激活或选择适当字线110及数字线115而在存储器单元105上执行。字线110还可称为存取线，且数字线115还可称为位线。激活或选择字线110或数字线115可包含将电压施加到相应线。字线110及数字线115由导电材料制成。举例来说，字线110及数字线115可由金属(例如铜、铝、金、钨等)、金属合金、其它导电材料等制成。根据图1的实例，每一行存储器单元105连接到单个字线110，且每一列存储器单元105连接到单个数字线115。通过激活一个字线110及一个数字线115(例如，将电压施加到字线110或数字线115)，可在其相交点处存取单个存储器单元105。存取存储器单元105可包含读取或写入存储器单元105。字线110与数字线115的相交点可称为存储器单元的地址。
根据本文中所描述的技术，温度更新可在于第一类型的间隔期间发生的读取操作之前执行。因此，温度传感器所接收的温度可准确地反映存储器单元105的温度。在一些情形中，如果操作(例如，读取操作)在温度更新期间发生，那么噪声可中断存储器单元105的操作，且可导致相关信号的不稳定性或限制温度更新操作的准确度。
在一些架构中，单元的逻辑存储装置(例如，电容器)可通过选择组件而与数字线电隔离。字线110可连接到且可控制选择组件。举例来说，选择组件可为晶体管，且字线110可连接到晶体管的栅极。激活字线110会在存储器单元105的电容器与存储器单元105的对应数字线115之间产生电连接或闭合电路。接着可存取数字线以读取或写入存储器单元105。
存取存储器单元105可通过行解码器120及列解码器130而控制。在一些实例中，行解码器120接收来自存储器控制器140的行地址，并基于所接收行地址而激活适当字线110。类似地，列解码器130接收来自存储器控制器140的列地址，并激活适当数字线115。举例来说，存储器阵列100可包含多个字线110(标示为WL_1到WL_M)及多个数字线115(标示为DL_1到DL_N)，其中M及N取决于阵列大小。因此，通过激活字线110及数字线115，例如，WL_2及DL_3，可存取所述字线与数字线的相交点处的存储器单元105。
在存取后，即刻可通过感测组件125而读取或感测存储器单元105以确定存储器单元105的所存储状态。举例来说，在存取存储器单元105之后，存储器单元105的铁电电容器可放电到存储器单元105的对应数字线115上。将铁电电容器放电可基于将电压偏置或施加到铁电电容器。放电可引起数字线115的电压改变，感测组件125可将经改变电压与参考电压(未展示)进行比较以便确定存储器单元105的所存储状态。举例来说，如果数字线115具有比参考电压高的电压，那么感测组件125可确定存储器单元105中的所存储状态为逻辑1，且反之亦然。感测组件125可包含各种晶体管或放大器以便检测及放大信号中的差异，这可称为锁存。存储器单元105的所检测逻辑状态接着可通过列解码器130作为输出135而输出。
存储器单元105可通过激活相关字线110及数字线115而设定或写入。如上文所论述，激活字线110会将对应行的存储器单元105电连接到其相应数字线115。在激活字线110时通过控制相关数字线115，可写入存储器单元105—即，可将逻辑值存储在存储器单元105中。列解码器130可接收待写入到存储器单元105的数据，举例来说输入135。铁电存储器单元105可通过跨越铁电电容器施加电压而写入。下文更详细论述此过程。
根据本文中所描述的技术，温度更新可在于第一类型的间隔期间发生的操作(例如，写入操作)之前或在此之后执行。因此，温度传感器所接收的温度可准确地反映存储器装置的温度。在一些情形中，如果主动操作(例如，写入操作)在温度更新期间发生，那么噪声可中断存储器单元105的操作，且可导致温度更新的不稳定性。
在一些存储器架构中，存取存储器单元105可使所存储逻辑状态降级或破坏所存储逻辑状态，且可执行重写或刷新操作以使存储器单元105回到原始逻辑状态。在DRAM中，举例来说，电容器在感测操作期间可部分地或完全地放电，从而损坏所存储逻辑状态。因此，在感测操作之后可重写逻辑状态。另外，激活单个字线110可导致所述行中的所有存储器单元放电；因此，可需要重写所述行中的数个或全部存储器单元105。根据本文中所描述的技术，温度更新可在刷新循环期间执行或基于刷新操作(例如，第二类型的间隔)而执行。因此，装置可指定在存储器单元105正执行临界操作时用以抑制温度更新的持续时间。
包含DRAM的一些存储器架构可随时间失去其所存储状态，除非所述存储器架构通过外部电源而周期性地刷新。举例来说，经充电电容器可通过泄漏电流随时间而放电，从而导致所存储信息的损失。这些所谓的易失性存储器装置的刷新速率可为相对高的，例如，针对DRAM阵列每秒几十次刷新操作，这可产生显著电力消耗。随着越来越大的存储器阵列，增大的电力消耗可抑制存储器阵列的部署或操作(例如，电力供应、热量产生、材料限制等)，尤其是对于依赖于有限电源(例如电池)的移动装置更是如此。如下文所论述，铁电存储器单元105可具有相对于其它存储器架构可产生经改进性能的有益性质。
存储器控制器140可通过各种组件(例如，行解码器120、列解码器130及感测组件125)而控制存储器单元105的操作(例如，读取、写入、重写、刷新等)。存储器控制器140可产生行地址信号及列地址信号以便激活所要字线110及数字线115。存储器控制器140还可产生并控制在存储器阵列100的操作期间所使用的各种电压。一般来说，本文中所论述的所施加电压的振幅、形状或持续时间可被调整或变化，且针对用于操作存储器阵列100的各种操作可不同。此外，可同时存取存储器阵列100内的一个、多个或全部存储器单元105；举例来说，在复位操作期间可同时存取存储器阵列100的多个或全部单元，在复位操作中，所有存储器单元105或存储器单元105的群组被设定为单一逻辑状态。
存储器控制器140可控制用以执行温度更新的至少一个组件。在一些应用中，存储器控制器140可起始用以执行温度更新的命令。举例来说，存储器控制器140可将存储器阵列100的部分隔离、分出或锁在外面以限制对存储器阵列100的操作(例如，临界操作、例如感测或存取操作等操作)及存取。在其它应用中，温度更新可独立于存储器控制器140而发生。举例来说，存储器控制器140可在第一间隔期间独立于温度更新而执行感测操作。在一些情形中，存储器控制器140可在第二周期期间基于温度更新而调整与存储器单元105相关联的电压。举例来说，在第二周期期间可限制例如感测或存取操作等临界操作。在一些实例中，存储器控制器140可周期性地执行存储器阵列100的温度更新。
图2图解说明根据本发明的各种实施例的支持存储器装置的温度更新的实例性电路200。电路200可为存储器阵列100的实例、包含存储器单元105-a、字线110-a、数字线115-a及感测组件125-a，其等可分别为如参考图1所描述的存储器单元105、字线110、数字线115及感测组件125的实例。存储器单元105-a可包含逻辑存储组件，例如具有第一板(即，单元板230)及第二板(即，单元底部215)的电容器205。单元板230与单元底部215可通过定位于其之间的铁电材料而以电容方式耦合。单元板230及单元底部215的定向可倒置而不改变存储器单元105-a的操作。电路200还包含选择组件220及参考线225。单元板230可经由板线210而存取，且单元底部215可经由数字线115-a而存取。如上文所描述，各种状态可通过对电容器205进行充电或放电而存储。
电容器205的所存储状态可通过操作电路200中所表示的各种元件而读取或感测。电容器205可与数字线115-a进行电子通信。举例来说，电容器205可在选择组件220被撤销激活时与数字线115-a隔离，且电容器205可在选择组件220被激活时连接到数字线115-a。激活选择组件220可称为选择存储器单元105-a。在一些情形中，选择组件220是晶体管，且其操作是通过将电压施加到晶体管栅极而控制，其中电压量值大于晶体管的阈值量值。字线110-a可激活选择组件220；举例来说，将施加到字线110-a的电压施加到晶体管栅极，从而连接电容器205与数字线115-a。
在其它实例中，选择组件220及电容器205的位置可切换，使得选择组件220连接在板线210与单元板230之间，且使得电容器205介于数字线115-a与选择组件220的另一端子之间。在此实施例中，选择组件220可通过电容器205而保持与数字线115-a电子通信。此配置可与用于读取及写入操作的替代定时及偏置相关联。
由于电容器205的板之间的铁电材料，且如下文更详细论述，因此电容器205在连接到数字线115-a后可不即刻放电。在一个方案中，为感测铁电电容器205所存储的逻辑状态，字线110-a可经偏置以选择存储器单元105-a，且可将电压施加到板线210。在一些情形中，在偏置板线210及字线110-a之前，数字线115-a虚拟接地且接着与虚拟接地隔离，这可称为“浮动”。偏置板线210可跨越电容器205而产生电压差(例如，板线210之电压减去数字线115-a之电压)。电压差可产生电容器205上的所存储电荷的改变，其中所存储电荷的改变的量值可取决于电容器205的初始状态—例如，初始状态是存储为逻辑1还是逻辑0。这可致使数字线115-a的电压基于电容器205上所存储的电荷而改变。通过变化到单元板230的电压对存储器单元105-a做出的操作可称为“移动单元板”。
数字线115-a的电压的改变可取决于其固有电容。即，当电荷流动穿过数字线115-a时，数字线115-a中可存储某一有限电荷，且所得电压取决于固有电容。固有电容可取决于数字线115-a的物理特性，包含尺寸。数字线115-a可连接许多存储器单元105，因此数字线115-a可具有产生不可忽略的电容(例如，大约几微微法拉(pF))的长度。接着感测组件125-a可将数字线115-a的所得电压与参考值(例如，参考线225的电压)进行比较以便确定存储器单元105-a中的所存储逻辑状态。可使用其它感测过程。
感测组件125-a可包含各种晶体管或放大器以检测及放大信号中的差异，这可称为锁存。感测组件125-a可包含感测放大器，所述感测放大器在感测操作期间接收数字线115-a及参考线225的电压并将所述电压进行比较，参考线225的电压可为参考电压。根据本文中所描述的技术，温度更新可在感测操作之前或在感测操作之后发生，以限制在其它情况下会引入到信号中且造成不稳定性的噪声。感测放大器输出可基于比较而被驱动到更高(例如，正)或更低(例如，负或接地)供应电压。举例来说，如果数字线115-a具有比参考线225高的电压，那么感测放大器输出可被驱动到正供应电压。在一些情形中，感测放大器可另外将数字线115-a驱动到供应电压。接着，感测组件125-a可锁存感测放大器的输出及/或数字线115-a的电压，这可用于确定存储器单元105-a中的所存储状态，例如，逻辑1。另一选择为，如果数字线115-a具有比参考线225低的电压，那么感测放大器输出可被驱动到负或接地电压。感测组件125-a可类似地锁存感测放大器输出以确定存储器单元105-a中的所存储状态，例如，逻辑0。接着，存储器单元105-a的经锁存逻辑状态可(举例来说)参考图1通过列解码器130作为输出135而输出。
为写入存储器单元105-a，可跨越电容器205而施加电压。可使用各种方法。在一个实例中，选择组件220可通过字线110-a而激活以便将电容器205电连接到数字线115-a。可通过控制单元板230的电压(通过板线210)及单元底部215的电压(通过数字线115-a)而跨越电容器205施加电压。为写入逻辑0，单元板230可被视为高，即，可将正电压施加到板线210，且单元底部215可被视为低，例如，虚拟接地或将负电压施加到数字线115-a。执行相反过程以写入逻辑1，其中单元板230被视为低且单元底部215被视为高。
在一些实例中，存储器阵列100可基于一或多个操作以一或多种方式重新配置。在一些情形中，存储器阵列100可基于接合与一条件相关或基于一条件的电荷泵235而重新配置。举例来说，在第一电压(例如，输出电压240)小于存储器单元105-a的第二电压(例如，供应电压245)时，可激活或起始电荷泵235。在一些情形中，第一电压(例如，输出电压240)可为经调整电压的实例。可激活或起始电荷泵235以至少部分地基于经调整电压而增大去往调节器的电流。另外或另一选择为，可基于在一间隔期间发生的一或多个其它操作的时序或类型而激活或起始电荷泵235。在一些情形中，电荷泵235可与开关250进行电子通信。开关250可被接通及关断，这可将噪声引入到信号中且引入输出电压240的不连续性。在一些情形中，可没有足够的空间来运行调节器。基于此，存储器阵列100可激活电荷泵235以增大去往调节器的电流。举例来说，可基于所检测到温度(例如，在温度下降到低于阈值时)而选择性地激活电荷泵235以限制否则可引入到信号中且造成输出电压240的不连续性的噪声。
在一些情形中，存储器阵列100可基于对温度传感器255中的温度进行取样而执行温度更新。举例来说，温度传感器255可能够测量存储器阵列100(例如，热传感器、数字传感器、模拟传感器)的一或多个参数(例如，电参数)。温度传感器255的一些实例可包含但不限于热敏电阻(例如，负温度系数(NTC)热敏电阻、电阻温度检测器(RTD)、热电偶、基于半导体的传感器、接触式温度传感器、非接触式温度传感器、另一类型温度传感器、两个或多于两个传感器类型的组合)。在一些实施例中，一或多个温度传感器255可对存储器单元104的温度、存储器阵列的一部分或某一组合进行取样。温度传感器255可与存储器单元105-a、计数器(未展示)、锁存器260、其它组件或某一组合进行电子通信。计数器可至少部分地基于预定间隔循环而确定第二类型的间隔。在一些情形中，计数器可识别温度更新的开始(例如，每第N个“被盗用”刷新间隔)。锁存器260可接收并存储与温度传感器255相关联的温度。基于此，温度传感器255可输出对应于温度的数字值。在一些情形中，温度传感器255可起始或激活(例如，解锁、打开)锁存器260且允许对应于存储器单元105-a的当前温度的所输出值在温度更新期间驱动查找表。举例来说，查找表可进一步包含充当用于对应于存储器单元105-a的当前温度的所输出值的地址的插槽阵列(例如不同温度范围)。查找表可输出对应于电压的数/模转换器(DAC)值。在一些实例中，DAC值可随温度改变而更新。举例来说，基于所取样温度而存取查找表中的值及/或基于DAC值及所取样温度而调整DAC值可更新模拟电路且重新配置存储器阵列100。在一些情形中，温度更新可起始激活(例如，锁定、闭合)锁存器260且限制或防止进一步温度更新操作或额外更新。在一些实例中，开关250可对锁存器260中所存储的值做出响应。基于此，温度更新可在预定义间隔(例如，第二类型的间隔)期间发生。
图3利用滞后曲线300-a及300-b而图解说明关于根据本发明的各种实施例而操作的铁电存储器单元的非线性电性质的实例。滞后曲线300-a及300-b分别图解说明实例性铁电存储器单元的写入及读取过程。滞后曲线300描绘铁电电容器(例如，图2的电容器205)上所存储的电荷Q随电压差V而变。
铁电材料由自发电极化表征，即，铁电材料在缺少电场的情况下维持非零电极化。实例性铁电材料包含钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、钛酸铅锆(PZT)及钽酸锶铋(SBT)。本文中所描述的铁电电容器可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器内的电极化会在铁电材料的表面处产生净电荷，并通过电容器端子而吸引相反电荷。因此，电荷存储在铁电材料与电容器端子的界面处。由于电极化可在缺少外部施加电场的情况下维持达相对长时间(甚至无期限)，因此与(举例来说)DRAM阵列中所采用的电容器相比，可显著降低电荷泄漏。这可减少对执行如上文针对相同DRAM架构所描述的刷新操作的需要。
可从电容器的单个端子的角度来理解滞后曲线300。以实例方式，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷积累在端子处。同样地，如果铁电材料具有正极化，负电荷积累在端子处。另外，应理解，滞后曲线300中的电压表示跨越电容器的电压差，且为定向的。举例来说，正电压可通过将正电压施加到所讨论的端子(例如，单元板230)且使第二端子(例如，单元底部215)维持处于接地(或大约零伏(0V))而实现。负电压可通过使所讨论的端子维持处于接地且将正电压施加到第二端子而施加—即，正电压可经施加而使所讨论的端子负极化。类似地，可将两个正电压、两个负电压或正电压与负电压的任何组合施加到适当电容器端子以产生滞后曲线300中所展示的电压差。
如滞后曲线300-a中所描绘，铁电材料可在具有零电压差的情况下维持正极化或负极化，从而产生两种可能经充电状态：电荷状态305及电荷状态310。根据图3的实例，电荷状态305表示逻辑0，且电荷状态310表示逻辑1。在一些实例中，相应电荷状态的逻辑值可颠倒以适应用于操作存储器单元的其它方案。
逻辑0或1可通过施加电压来控制铁电材料的电极化及因此电容器端子上的电荷而写入到存储器单元。举例来说，跨越电容器而施加净正电压315会产生电荷积累，直到达到电荷状态305-a为止。在移除电压315后，电荷状态305-a即刻遵循路径320，直到电荷状态305-a在零电压电势下达到电荷状态305为止。类似地，电荷状态310通过施加净负电压325而写入，这会产生电荷状态310-a。在移除负电压325之后，电荷状态310-a遵循路径330，直到电荷状态310-a在零电压下达到电荷状态310为止。电荷状态305-a及310-a还可称为剩余极化(Pr)值，即，在移除外部偏置(例如，电压)后保留的极化(或电荷)。矫顽电压是电荷(或极化)为零时所处的电压。
为读取或感测铁电电容器的所存储状态，可跨越电容器而施加电压。作为响应，所存储电荷Q改变，且改变的程度取决于初始电荷状态—即，最终所存储电荷(Q)取决于最初存储的是电荷状态305-b还是电荷状态310-b。举例来说，滞后曲线300-b图解说明两种可能所存储电荷状态305-b及310-b。如参考图2所论述，可跨越电容器而施加电压335。在其它情形中，可将固定电压施加到单元板，且尽管将电压335描绘为正电压，但电压335可为负的。响应于电压335，电荷状态305-b可遵循路径340。同样地，如果最初存储电荷状态310-b，那么电荷状态310-b遵循路径345。电荷状态305-c及电荷状态310-c的最终位置取决于若干因素，包含具体感测方案及电路。
在一些情形中，最终电荷可取决于连接到存储器单元的数字线的固有电容。举例来说，如果电容器电连接到数字线，且施加电压335，那么数字线的电压可因其固有电容而上升。因此，在感测组件处所测量的电压可不等于电压335，而是可取决于数字线的电压。因此，滞后曲线300-b上的最终电荷状态305-c及310-c的位置可取决于数字线的电容，且可通过负载线分析而确定—即，电荷状态305-c及310-c可相对于数字线电容而定义。因此，电容器的电压、电压350或电压355可不同，且可取决于电容器的初始状态。
通过将数字线电压与参考电压进行比较，可确定电容器的初始状态。数字线电压可为电压335与跨越电容器的最终电压、电压350或电压355之间的差—即，(电压335–电压350)或(电压335–电压355)。参考电压可经产生使得其量值介于两种可能数字线电压的两种可能电压之间以便确定所存储逻辑状态—即，数字线电压是高于还是低于参考电压。举例来说，参考电压可为两个量(电压335–电压350)及(电压335–电压355)的平均值。在通过感测组件进行比较后，即刻可确定所感测数字线电压是高于还是低于参考电压，且可确定铁电存储器单元的所存储逻辑值(即，逻辑0或1)。
如上文所论述，读取不使用铁电电容器的存储器单元可使所存储逻辑状态降级或破坏所存储逻辑状态。然而，铁电存储器单元可在读取操作之后维持初始逻辑状态。举例来说，如果存储电荷状态305-b，那么电荷状态在读取操作期间可遵循路径340达到电荷状态305-c，且在移除电压335之后，电荷状态可通过沿相反方向遵循路径340而返回到初始电荷状态305-b。
在一些情形中，电压350或电压355可不准确地表示存储器单元105处所存储的电荷或与存储器单元105相关的其它操作特性。举例来说，如果未得到补偿，那么与温度更新中所涉及的各种组件相关的输出电压240的变化可产生电压350或电压355的变化，这又可导致操作错误(例如，读取错误)。如本文中所描述，在一些实例中，可通过使用电荷泵235来实现高于供应电压245的输出电压240而计及输出电压240的变化。
图4图解说明支持存储器装置的温度更新的定时循环400的实例。定时循环400可包含第一间隔405(其可为第一类型的间隔)及第二间隔410(其可为第二类型的间隔)。在一些实例中，在第一间隔405-d期间，可执行与存储器阵列100或存储器单元105相关的一或多个存储器操作(例如，存取操作)。举例来说，可执行与存储器阵列100或存储器单元105相关的读取操作，可执行与存储器阵列100或存储器单元105相关的写入操作，可执行激活与存储器阵列100或存储器单元105相关的一或多个组件(例如，激活感测组件125)的操作，或可执行与存储器阵列100的组件相关的预充电操作。
在一些实例中，在第二间隔410-d期间，温度传感器255可基于存储器阵列100的电响应而测量温度。在一些情形中，基于刷新操作，可在第二间隔410-d期间刷新存储器单元105。在一些实例中，第一间隔405-d可为第一类型，且第二间隔410-d可为不同于第一类型的第二类型。在一些情形中，第一间隔405-d可为主动操作间隔，例如存取操作、写入操作、读取操作、激活感测组件、对组件进行预充电、另一操作或其组合，且第二间隔410-d可包含刷新操作、取样操作、另一操作或其某一组合。
如本文中所描述，在一些实例中，第二间隔410-d可根据预定间隔循环或计划表而发生。预定间隔循环可基于存储器阵列100的使用、操作、干扰、其它特性或与存储器阵列100或存储器单元105相关的某一组合的频率而确定。在第二间隔410-d期间，可在第一间隔405-d中发生的操作可在第二间隔410-d的至少一部分期间被禁止，或被延迟达第二间隔410-d的至少一部分。举例来说，在第二间隔410-d的第一部分期间可基于来自存储器阵列100的电响应而测量温度，如框415所提及。在一些情形中，可在初始取样之后从存储器阵列100或存储器单元105的一部分对温度进行重新取样。在一些情形中，控制器可将存储器阵列100的部分隔离以对来自存储器阵列100的一部分的温度进行重新取样。在一些实例中，重新取样可在相同第二间隔410-d的后续部分期间发生。在一些实例中，重新取样可在后续相同类型的间隔(例如，第二间隔410-e)、后续不同类型的间隔(例如，第一间隔405-e)或某一组合期间发生。在一些实例中，根据预定间隔循环而执行温度更新可独立于所执行或所计划操作或存储器控制器140而计及温度变化。
在一些实例中，多个温度更新可在相同类型的间隔、不同类型的间隔或某一组合期间发生。举例来说，第一温度更新可在第二间隔410-d期间发生，且第二温度更新可在相同类型的另一间隔(例如，第二间隔410-e)期间发生。还预期其它变化。在一些情形中，第一温度更新可在第二间隔410-d期间发生，且第二温度更新可在相同类型的相同间隔(例如，第二间隔410-d)期间发生。在一些实例中，至少一些第一间隔(例如，第一间隔405-a、第一间隔405-b)可为相同类型、为不同类型、具有若干特性、可与在第一间隔期间执行的相同或不同操作相关，或以上某一组合。在一些实例中，一些第二间隔(例如，第二间隔410-a、第二间隔410-b)可为相同类型、为不同类型、具有若干特性、可与在第一间隔期间执行的相同或不同操作相关，或以上某一组合。
在一些情形中，存储器阵列100可根据电压配置(例如，高电压配置)而配置。举例来说，电荷泵235可经启用用于在所取样温度下操作，如框420中所图解说明。当存储器单元105的输出电压240小于存储器单元105的供应电压245时，可接合电荷泵235。举例来说，存储器阵列100可接合电荷泵235以增大去往调节器的电流。为接合电荷泵235，开关250可调节电荷泵235的操作状态(例如，调节接通状态、操作状态、关断状态)。接通及关断电荷泵235可将噪声引入到信号中且引入输出电压240的不连续性。
如本文中在框425处所提及，在一些实例中，重新配置存储器阵列100可包含更新模拟电路。为执行温度更新，温度传感器255可与存储器单元105或存储器阵列进行电子通信。举例来说，温度传感器255可能够测量存储器阵列100的电参数(例如，热传感器、数字传感器、模拟传感器等)。在一些情形中，温度传感器255还可与计数器、锁存器260、其它组件或某一组合进行电子通信。计数器可至少部分地基于预定间隔循环而确定第二类型的间隔。在一些情形中，计数器可识别温度更新的开始(例如，每第N个“被盗用”刷新间隔)。在一些情形中，锁存器260可接收并存储与温度传感器255相关联的温度。在一些情形中，温度传感器255可输出对应于存储器单元105的当前温度的数字值。举例来说，数字值可驱动查找表并输出对应于电压的数/模转换器(DAC)值。在一些实例中，DAC值可随温度改变而更新。举例来说，更新模拟电路可在逐裸片基础上(例如，基于对应于所输出DAC值的电压)发生。更新模拟电路可包含基于所取样温度而存取查找表中的值及/或基于DAC值及所取样温度而调整DAC值。在一些情形中，与温度改变相关联的不连续性可导致输出电压240上的不稳定性。
另外或另一选择为，可基于等待时间信息而重新配置存储器阵列100，如框430中所提及。举例来说，存储器阵列100(或相关组件)可经由模式寄存器而将等待时间信息输出到控制器。存储器阵列100可随相对于温度可变的等待时间而运行。举例来说，等待时间信息可影响第二间隔410-d的与处于或低于阈值(例如，较冷温度)的温度相关的第一持续时间或者基于处于或高于阈值(例如，较热温度)的温度的第二持续时间。在一些情形中，输出等待时间信息可通过模式寄存器而传递到系统以将在给定时间处的等待时间通知系统。在一些情形中，存储器阵列100可起始命令(例如，温度更新命令、计划命令)以通知系统何时可发生更新以及其它信息。举例来说，存储器阵列100可发出第一温度更新命令、读取模式寄存器，及在给定可变等待时间处运行直到预定时间为止，所述预定时间可基于存储器阵列100发出第二温度更新命令。在一些应用中，间隔可被留出用于刷新操作及用于温度取样。在一些情形中，存储器装置可周期性地(例如，每第N个“被盗用”刷新间隔)执行温度更新。举例来说，温度更新可每5ms发生一次，其中‘N’等于16，第一间隔405-d的第一持续时间为300us，且第二间隔410-d的第一持续时间为30ns。另外或另一选择为，如框435中所描述，在操作于第一间隔405-d中开始之前，可使用安定时间来允许存储器阵列100重新配置且实现稳定水平。
图5展示根据本发明的各种实例的支持存储器装置的温度更新的存储器阵列505的框图500。存储器阵列505可称为电子存储器设备，且可为如参考图1所描述的存储器阵列100的组件的实例。
存储器阵列505可包含一或多个存储器单元510、存储器控制器515、字线520、板线525、参考组件530、感测组件535、数字线540及锁存器545。这些组件可彼此电子通信，且可执行本文中所描述的功能中的一或多者。在一些情形中，存储器控制器515可包含偏置组件550及定时组件555。
存储器控制器515可与字线520、数字线540、感测组件535及板线525进行电子通信，字线520、数字线540、感测组件535及板线525可为参考图1及2所描述的字线110、数字线115、感测组件125及板线210的实例。存储器阵列505还可包含参考组件530及锁存器545。存储器阵列505的组件可彼此电子通信，且可执行参考图1到4所描述的功能的实例。在一些情形中，参考组件530、感测组件535及锁存器545可为存储器控制器515的组件。
在一些实例中，数字线540与感测组件535及铁电存储器单元510的铁电电容器进行电子通信。铁电存储器单元510可利用逻辑状态(例如，第一或第二逻辑状态)而撰写。字线520可与存储器控制器515及铁电存储器单元510的选择组件进行电子通信。板线525可与存储器控制器515及铁电存储器单元510的铁电电容器的板进行电子通信。感测组件535可与存储器控制器515、数字线540、锁存器545及参考线560进行电子通信。参考组件530可与存储器控制器515及参考线560进行电子通信。感测控制线565可与感测组件535及存储器控制器515进行电子通信。除以上未列出的组件之外，这些组件还可经由其它组件、连接或总线与存储器阵列505内部及外部的其它组件进行电子通信。
存储器控制器515可经配置以通过将电压施加到那些各种节点而激活字线520、板线525或数字线540。举例来说，偏置组件550可经配置以施加电压以便操作存储器单元510来读取或写入存储器单元510，如上文所描述。在一些情形中，存储器控制器515可包含行解码器、列解码器或两者，如参考图1所描述。这可使得存储器控制器515能够存取一或多个存储器单元105。偏置组件550还可将电压提供或施加到参考组件530以便产生用于感测组件535的参考信号。另外，偏置组件550可提供或施加电压来操作感测组件535。
在一些情形中，存储器控制器515可使用定时组件555来执行其操作。举例来说，定时组件555可控制各种字线选择或板偏置的时序，包含用于切换及电压施加以执行本文中所论述的存储器功能(例如读取及写入)的时序。在一些情形中，定时组件555可控制偏置组件550的操作。
参考组件530可包含用以产生用于感测组件535的参考信号的各种组件。参考组件530可包含经配置以产生参考信号的电路。在一些情形中，参考组件530可使用其它铁电存储器单元105而实施。感测组件535可将来自存储器单元510(通过数字线540)的信号与来自参考组件530的参考信号进行比较。在一些情形中，感测组件535可包含例如参考图2所描述的温度传感器255。在一些应用中，温度传感器255还可为温度取样组件、为温度取样组件的一部分或包含温度取样组件。在一些实例中，温度传感器255及相关温度取样组件可作为独立于感测组件535的组件而存在。在确定逻辑状态后，感测组件接着可即刻将输出存储在锁存器545中，在锁存器545处，可根据电子装置的操作而使用所述输出，存储器阵列505为所述电子装置的一部分。感测组件535可包含与锁存器及铁电存储器单元进行电子通信的感测放大器。
存储器控制器515可为参考图7所描述的温度管理器715的实例。存储器控制器515可根据定时循环(其包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔，其中第一间隔的持续时间大于第二类型的间隔的持续时间)而操作存储器阵列、在第二类型的间隔期间对与存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样、在第二类型的间隔期间基于所取样温度而重新配置存储器阵列，及在第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行第一类型的操作。在一些实例中，在第一间隔期间，可执行与存储器阵列或存储器单元相关的一或多个存储器操作(例如，存取操作)。举例来说，可执行与存储器阵列或存储器单元相关的读取操作，可执行与存储器阵列或存储器单元相关的写入操作，可执行激活与存储器阵列或存储器单元相关的一或多个组件(例如，激活感测组件)的操作，或可执行与存储器阵列的组件相关的预充电操作。在一些情形中，基于刷新操作，可在第二间隔期间刷新存储器单元。在一些情形中，在部分或整个第二间隔(例如，可能被留出用于刷新操作的间隔)期间可对与存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样，在所述间隔(及/或其它间隔)期间可基于所取样温度而重新配置存储器阵列，可执行其它操作，或以上某一组合。在一些应用中，间隔可被留出用于刷新操作及用于温度取样。可周期性地对存储器阵列100进行取样(例如，不加限制地，每8个、16个或32个刷新间隔)。在一些情形中，在重新配置存储器阵列(或存储器单元及/或另一组件)之后，可在后续间隔(例如，第一类型的间隔)期间对经重新配置存储器阵列执行第一类型的操作(例如，存取操作)。
在一些实例中，存储器阵列505可包含用于在第一周期期间准许对第一铁电存储器单元进行存取的构件。存储器阵列505可包含在第二周期期间限制对第一铁电存储器单元的存取。在一些实例中，存储器阵列505可包含用于在第二周期期间起始用以执行温度更新的命令的构件。存储器阵列505可包含用于至少部分地基于温度更新而接收温度信息的构件。在一些实例中，存储器阵列505可包含用于至少部分地基于温度信息而重新配置包括第一铁电存储器单元的存储器阵列的构件。在一些情形中，存储器阵列505可包含用于在第一周期期间独立于温度更新而执行与存储器阵列相关联的存取操作的构件。存储器阵列505可包含用于在第二周期期间至少部分地基于温度更新而调整与第一铁电存储器单元相关联的电压的构件。在一些实例中，存储器阵列505可包含用于周期性地执行存储器阵列的温度更新的构件。
图6展示根据本发明的各种实例的支持存储器装置的温度更新的温度管理器615的框图600。温度管理器615可为参考图4、5及7所描述的温度管理器715的若干实例中的一实例。温度管理器615可包含偏置组件620、定时组件625、操作定时组件630、温度取样组件635、存储器阵列配置组件640、电压组件645、模拟电路组件650及等待时间输出组件655。这些模块中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
操作定时组件630可根据定时循环(其包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔，其中第一间隔的持续时间大于第二间隔的持续时间)而操作存储器阵列，且在第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行第一类型的操作。在一些情形中，第一类型的操作包含以下各项中的至少一者：存取存储器阵列的单元；从存储器阵列的单元进行读取；向存储器阵列的单元进行写入；激活感测组件；对存储器阵列的组件进行预充电；或其任何组合。在一些情形中，第二类型的操作包含刷新存储器阵列的单元或对存储器阵列的至少部分的温度进行取样。在一些情形中，在第二类型的间隔期间禁止第一类型的操作。
温度取样组件635可在第二类型的间隔期间对与存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样，且在取样之后对存储器单元及/或存储器阵列的部分的温度进行重新取样。在一些情形中，控制器可将存储器阵列100的一或多个部分隔离以对来自存储器阵列100的至少一个部分的温度进行重新取样。
存储器阵列配置组件640可在第二类型的间隔期间基于所取样温度而重新配置存储器阵列、基于接收到来自控制器的命令而重新配置存储器阵列，及基于周期性地对存储器阵列进行重新取样而重新配置存储器阵列。
电压组件645可基于将所取样温度与预定值进行比较及接合电荷泵以基于经调整电压而增大去往调节器的电流而调整存储器阵列的电压。在一些情形中，重新配置存储器阵列包含基于所取样温度而调整与存储器阵列相关联的电压及评估经重新配置存储器阵列的经调整电压，其中经调整电压小于供应电压。
模拟电路组件650可基于所取样温度利用不同条目值而存取查找表并基于所取样温度及所述值而调整数/模转换器(DAC)值。在一些情形中，重新配置存储器阵列包含更新模拟电路。在一些情形中，更新模拟电路包含存取查找表中的值。
等待时间输出组件655可接收来自模式寄存器的值并基于温度更新命令及来自模式寄存器的值而执行与存储器阵列相关联的操作。在一些情形中，重新配置存储器阵列进一步包含经由模式寄存器而将等待时间信息输出到控制器。在一些情形中，输出等待时间信息包含起始温度更新命令。
图7展示根据本发明的各种实例的包含支持存储器装置的温度更新的装置705的系统700的图式。装置705可包含如上文(例如，参考图1)所描述的存储器阵列100的组件。装置705可包含用于双向语音及数据通信的组件，所述组件包含用于发射及接收通信的组件，包含温度管理器715、存储器单元720、基本输入/输出系统(BIOS)组件725、处理器730、I/O控制器735及外围组件740。这些组件可经由一或多个总线(例如，总线710)进行电子通信。
存储器单元720可存储信息(即，以逻辑状态形式)，如本文中所描述。BIOS组件725是包含作为固件而操作的BIOS的软件组件，所述组件可使各种硬件组件初始化并运行各种硬件组件。BIOS组件725还可管理处理器与各种其它组件(例如，外围组件、输入/输出控制组件等)之间的数据流。BIOS组件725可包含只读存储器(ROM)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中所存储的程序或软件。
处理器730可包含智能硬件装置(例如，通用处理器、数字信号处理器(DSP)、中央处理单元(CPU)、微控制器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑组件、离散硬件组件或其任何组合)。在一些情形中，处理器730可经配置以使用存储器控制器来操作存储器阵列。在其它情形中，存储器控制器可集成到处理器730中。处理器730可经配置以执行存储器中所存储的计算机可读指令以执行各种功能(例如，支持存储器装置的温度更新的功能或任务)。
I/O控制器735可管理装置705的输入及输出信号。I/O控制器735还可管理未集成到装置705中的外围设备。在一些情形中，I/O控制器735可表示到外部外围设备的物理连接或端口。在一些情形中，I/O控制器735可利用操作系统，例如 或另一已知操作系统。
外围组件740可包含任何输入或输出装置或者用于此类装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(USB)控制器、串行或并行端口或外围卡插槽，例如外围组件互连(PCI)或加速图形端口(AGP)插槽。
输入745可表示在装置705外部的为装置705或其组件提供输入的装置或信号。这可包含用户接口或用户与其它装置的接口或其它装置之间的接口。在一些情形中，输入745可由I/O控制器735管理，且可经由外围组件740与装置705交互。
输出750还可表示在装置705外部的经配置以接收来自装置705或其组件中的任一者的输出的装置或信号。输出750的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板等。在一些情形中，输出750可为经由外围组件740与装置705介接的外围元件。在一些情形中，输出750可由I/O控制器735管理。
装置705的组件可包含经设计以执行其功能的电路。这可包含各种电路元件，举例来说，导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或者经配置以执行本文中所描述的功能的其它作用或非作用元件。装置705可为计算机、服务器、膝上型计算机、笔记型计算机、平板计算机、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置等。或者，装置705可为此装置的一部分、组件、元件或方面。
图8展示根据本发明的各种实例的图解说明用于存储器装置的温度更新的方法800的流程图。方法800的操作可由如本文中所描述的存储器阵列100或其组件实施。举例来说，方法800的操作可由温度管理器执行，如参考图5到7所描述。在一些实例中，存储器阵列100可执行用以控制装置的功能元件的一组代码以便执行下文所描述的功能。另外或另一选择为，存储器阵列100可使用专用硬件来执行下文所描述的功能的实例。
在框805处，方法可包含根据定时循环而操作存储器阵列，所述定时循环包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔，其中第一间隔的持续时间大于第二类型的间隔的持续时间。框805的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在一些情形中，第一类型的操作包含以下各项中的至少一者：存取存储器阵列100的单元；从存储器阵列100的单元进行读取；向存储器阵列100的单元进行写入；激活感测组件；对存储器阵列100的组件进行预充电；或其任何组合。在一些情形中，第二类型的操作包含刷新存储器阵列100的单元或对存储器阵列100的至少部分的温度进行取样。在某些实例中，框805的操作的实例可由如参考图5到7所描述的操作定时组件执行。
在框810处，方法可包含在第二类型的间隔期间对与存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样。在一些情形中，对温度的取样包含使用温度传感器对存储器阵列或存储器设备的至少一部分的温度进行取样。框810的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框810的操作的实例可由如参考图5到7所描述的温度取样组件执行。
在框815处，方法可包含在第二类型的间隔期间至少部分地基于所取样温度而重新配置存储器阵列。在一些情形中，重新配置存储器阵列包含至少部分地基于所取样温度而调整与存储器阵列相关联的电压。在一些情形中，重新配置存储器阵列可包含：评估经重新配置存储器阵列的经调整电压(其中经调整电压小于供应电压)，及接合电荷泵以至少部分地基于经调整电压而增大去往调节器的电流。在一些应用中，重新配置存储器阵列包含更新模拟电路。在一些情形中，重新配置存储器阵列还可包含经由模式寄存器而将等待时间信息输出到控制器。框815的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框815的操作的实例可由如参考图5到7所描述的存储器阵列配置组件执行。
在框820处，方法可包含在第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行第一类型的操作。框820的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框820的操作的实例可由如参考图5到7所描述的操作定时组件执行。
图9展示根据本发明的各种实例的图解说明用于存储器装置的温度更新的方法900的流程图。方法900的操作可由如本文中所描述的存储器阵列100或其组件实施。举例来说，方法900的操作可由如参考图5到7所描述的温度管理器执行。在一些实例中，存储器阵列100可执行用以控制装置的功能元件的一组代码以执行下文所描述的功能。另外或另一选择为，存储器阵列100可使用专用硬件来执行下文所描述的功能的实例。
在框905处，存储器阵列100可根据定时循环而操作存储器阵列，所述定时循环包含用于执行第一类型的操作的第一间隔及用于执行第二类型的操作的第二间隔，其中第一间隔的持续时间大于第二类型的间隔的持续时间。框905的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在一些情形中，第一类型的操作包含以下各项中的至少一者：存取存储器阵列100的单元；从存储器阵列100的单元进行读取；向存储器阵列100的单元进行写入；激活感测组件；对存储器阵列100的组件进行预充电；或其任何组合。在一些情形中，第二类型的操作包含刷新存储器阵列100的单元或对存储器阵列100的至少部分的温度进行取样。在某些实例中，框905的操作的实例可由如参考图5到7所描述的操作定时组件执行。
在框910处，存储器阵列100可在第二类型的间隔期间对与存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样。在一些情形中，对温度的取样包含使用温度传感器对存储器阵列或存储器设备的至少一部分的温度进行取样。框910的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框910的操作的实例可由如参考图5到7所描述的温度取样组件执行。
在框915处，存储器阵列100可在第二类型的间隔期间至少部分地基于所取样温度而重新配置存储器阵列。在一些情形中，重新配置存储器阵列包含至少部分地基于所取样温度而调整与存储器阵列相关联的电压。在一些情形中，重新配置存储器阵列包含评估经重新配置存储器阵列的经调整电压(其中经调整电压小于供应电压)，及接合电荷泵以至少部分地基于经调整电压而增大去往调节器的电流。在一些应用中，重新配置存储器阵列包含更新模拟电路。在一些情形中，重新配置存储器阵列还可包含经由模式寄存器而将等待时间信息输出到控制器。框915的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框915的操作的实例可由如参考图5到7所描述的存储器阵列配置组件执行。
在框920处，存储器阵列100可在第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行第一类型的操作。框920的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框920的操作的实例可由如参考图5到7所描述的操作定时组件执行。
在框925处，存储器阵列100可在取样之后对存储器阵列的部分的温度进行重新取样。框925的操作可根据参考图1及4描述的方法而执行。在某些实例中，框925的操作的实例可由如参考图5到7所描述的温度取样组件执行。
在框930处，存储器阵列100可至少部分地基于周期性地对存储器阵列进行重新取样而重新配置存储器阵列。在一些情形中，对温度进行重新取样可在第二类型的第N个间隔处周期性地重复，其中N是整数。(例如，不加限制地，8、16、32等)框930的操作可根据参考图1及4所描述的方法而执行。在某些实例中，框930的操作的实例可由如参考图5到7所描述的存储器阵列配置组件执行。
应注意，上文所描述的方法描述可能实施方案，且操作及步骤可重新布置或以其它方式进行修改，且其它实施方案是可能的。此外，可对所述方法中的两者或多于两者的实例进行组合。
本文中所描述的信息及信号可使用多种不同技法及技术中的任一者来表示。举例来说，可贯穿以上说明提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任一组合表示。一些图式可将信号图解说明为单个信号；然而，所属领域的技术人员将理解，信号可表示信号总线，其中所述总线可具有多种位宽度。
如本文中所使用，术语“虚拟接地”是指电路的保持处于大约零伏(0V)的电压但并不直接与地面连接的节点。因此，虚拟接地的电压可临时波动，且在稳定状态下返回到大约0V。虚拟接地可使用各种电子电路元件(例如，由运算放大器及电阻器组成的分压器)而实施。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“经虚拟接地”意指连接到大约0V。
术语“电子通信”是指支持组件之间的电子流的组件之间的关系。这可包含组件之间的直接连接或可包含中间组件。电子通信的组件可主动交换电子或信号(例如，在经激励电路中)，或可不主动交换电子或信号(例如，在去激励电路中)，但在电路被激励后可即刻经配置且可操作以交换电子或信号。以实例方式，经由开关(例如，晶体管)而物理连接的两个组件是电子通信的，而不管开关的状态(即，打开或闭合)如何。举例来说，与其它组件接触的开关可促进组件之间的电子通信。
术语“经隔离”是指其中电子目前无法在其之间流动的组件之间的关系；如果组件之间存在断开电路，那么组件彼此隔离。举例来说，通过开关而物理连接的两个组件在开关断开时可彼此隔离。
如本文中所使用，术语“短路”是指其中经由所讨论的两个组件之间的单个中间组件的激活而在组件之间建立导电路径的组件之间的关系。举例来说，短接到第二组件的第一组件可在两个组件之间的开关被闭合时与第二组件交换电子。因此，短路可为使得电荷能够在电子通信的组件(或线)之间流动的动态操作。
本文中所论述的装置(包含存储器阵列100)可形成于半导体衬底上，所述半导体衬底例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些情形中，衬底是半导体晶片。在其它情形中，衬底可为绝缘体上覆硅(SOI)衬底，例如玻璃上覆硅(SOG)或蓝宝石上覆硅(SOP)或另一衬底上的半导体材料外延层。衬底或衬底的子区域的导电性可通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂而控制。掺杂可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段而执行。
本文中所论述的一晶体管或若干晶体管可表示场效应晶体管(FET)，且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。所述端子可通过导电材料(例如，金属)而连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如，退化的)半导体区域。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区域或沟道而分离。如果沟道为n型(即，多数载流子是电子)，那么FET可称为n型FET。如果沟道为p型(即，多数载流子是电穴)，那么FET可称为p型FET。所述沟道可覆以绝缘栅极氧化物。沟道导电性可通过将电压施加到栅极而控制。举例来说，分别将正电压或负电压施加到n型FET或p型FET可致使沟道变得导电。当将大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“被激活”。当将小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“关断”或“被撤销激活”。
本文中结合附图所陈述的说明描述实例性配置，且不表示可实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意指“充当实例、例子或图解”，且并非“优选的”或“优于其它实例”。出于提供对所描述技术的理解的目的，详细说明包含具体细节。然而，可在无这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式展示众所周知的结构及组件以避免使所描述实例的概念模糊。
在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后接着破折号及在类似组件当中进行区分的第二标签而区分同一类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标签，那么说明可适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者而无论第二参考标签如何。
本文中所描述的信息及信号可使用多种不同技法及技术中的任一者来表示。举例来说，可贯穿以上说明提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任一组合表示。
结合本文中的揭示内容所描述的各种说明性块及模块可利用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、DSP、ASIC、FPGA或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，所述处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，数字信号处理器(DSP)与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器与DSP核心的联合或任何其它此类配置)。
本文中所描述的功能可以硬件、处理器所执行的软件、固件或其任何组合实施。如果以处理器所执行的软件实施，那么所述功能可作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体发射。其它实例及实施方案在本发明及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的本质，因此上文所描述的功能可使用处理器所执行的软件、硬件、固件、硬接线或这些中的任一者的组合来实施。实施功能的特征还可物理上位于各种位置处，包含经分布使得功能的部分实施于不同物理位置处。此外，如本文中所使用，包含在权利要求书中，如项目列表(举例来说，引语为例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语的项目列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(举例来说)A、B或C中的至少一者的列表意指A或B或C、或者AB或AC或BC、或者ABC(即，A及B及C)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应解释为对封闭条件集合的参考。举例来说，在不背离本发明的范围的情况下，描述为“基于条件A”的示范性步骤可基于条件A及条件B两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应与短语“至少部分地基于”以相同方式解释。
计算机可读媒体包括非暂时性计算机存储媒体及通信媒体两者，所述通信媒体包含促进将计算机程序从一个地方传送到另一地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可为可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。以实例方式且不以限制方式，非暂时性计算机可读媒体可包括RAM、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、光盘(CD)ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于以指令或数据结构形式载运或存储所要程序代码且可由通用或专用计算机或者通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接恰当地称为计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)或例如红外线、无线电及微波等无线技术均包含于媒体的定义中。如本文中所使用的磁盘及光盘包含：CD、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(DVD)、软盘及蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式复制数据，而光盘借助激光以光学方式复制数据。以上各项的组合也包含于计算机可读媒体的范围内。
本文中的说明经提供以使得所属领域的技术人员能够做出或使用本发明。所属领域的技术人员将易于明了对本发明的各种修改，且在不背离本发明的范围的情况下，本文中所定义的通用原理可应用于其它变化。因此，本发明不限于本文中所描述的实例及设计，而是要符合与本文中所揭示的原理及新颖特征一致的最宽广范围。

Claims (25)

1.一种方法，其包括：
根据定时循环而操作存储器阵列，所述定时循环包含用于执行第一类型的操作的第一类型的间隔及用于执行第二类型的操作的第二类型的间隔，其中所述第一类型的间隔的持续时间大于所述第二类型的间隔的持续时间；
在所述第二类型的间隔期间对与所述存储器阵列的至少一部分的温度相关的温度进行取样；
在所述第二类型的所述间隔期间至少部分地基于所取样温度而重新配置所述存储器阵列；及
在所述第一类型的间隔期间对经重新配置存储器阵列执行所述第一类型的操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一类型的操作包括以下各项中的至少一者：存取所述存储器阵列的单元；从所述存储器阵列的单元进行读取；向所述存储器阵列的单元进行写入；激活感测组件；对所述存储器阵列的组件进行预充电；或其任何组合。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二类型的操作包括：刷新所述存储器阵列的单元或对所述存储器阵列的至少所述部分的所述温度进行取样。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二类型的间隔期间禁止所述第一类型的操作。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
从控制器接收命令，其中至少部分地基于接收到所述命令而重新配置所述存储器阵列。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述取样之后对所述存储器阵列的所述部分的所述温度进行重新取样；及
至少部分地基于周期性地对所述存储器阵列进行重新取样而重新配置所述存储器阵列。
7.根据权利要求1所述的方法，其中重新配置所述存储器阵列包括：
至少部分地基于所述所取样温度而调整与所述存储器阵列相关联的电压。
8.根据权利要求7所述的方法，其中调整所述存储器阵列的所述电压至少部分地基于比较所述所取样温度与预定值。
9.根据权利要求1所述的方法，其中重新配置所述存储器阵列包括：
评估所述经重新配置存储器阵列的经调整电压，其中所述经调整电压小于供应电压；及
接合电荷泵以至少部分地基于所述经调整电压而增大去往调节器的电流。
10.根据权利要求1所述的方法，其中重新配置所述存储器阵列包括：
更新模拟电路。
11.根据权利要求10所述的方法，其中更新所述模拟电路包括：
至少部分地基于所述所取样温度而存取查找表中的值；及
至少部分地基于所述所取样温度及所述值而调整数/模转换器DAC值。
12.根据权利要求1所述的方法，其中重新配置所述存储器阵列进一步包括：
经由模式寄存器而将等待时间信息输出到控制器。
13.根据权利要求12所述的方法，其中输出等待时间信息包括：
起始温度更新命令；
接收来自所述模式寄存器的值；及
至少部分地基于所述温度更新命令及来自所述模式寄存器的所述值而执行与所述存储器阵列相关联的操作。
14.一种电子存储器设备，其包括：
铁电存储器单元，其经由第一导电线而耦合到第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极与第一电压源进行电子通信；及
锁存器，其与温度传感器进行电子通信、用以存储与所述温度传感器相关联的温度。
15.根据权利要求14所述的电子存储器设备，其进一步包括：
计数器，其与所述温度传感器进行电子通信。
16.根据权利要求15所述的电子存储器设备，其中所述计数器可操作以至少部分地基于预定间隔循环而确定第二类型的间隔。
17.根据权利要求14所述的电子存储器设备，其进一步包括：
泵，其与开关进行电子通信；
模式寄存器，其与所述温度传感器进行电子通信；及
查找表，其与所述锁存器进行电子通信。
18.一种电子存储器装置，其包括：
第一铁电存储器单元；
多个晶体管，其耦合到所述第一铁电存储器单元；
控制器，其与所述多个晶体管进行电子通信，其中所述控制器可操作以：
在第一周期期间准许对所述第一铁电存储器单元进行存取；
在第二周期期间限制对所述第一铁电存储器单元的存取；
在所述第二周期期间起始用以执行温度更新的命令；
至少部分地基于所述温度更新而接收温度信息；及
至少部分地基于所述温度信息而重新配置包括所述第一铁电存储器单元的存储器阵列。
19.根据权利要求18所述的电子存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以：
在所述第一周期期间独立于所述温度更新而执行与所述存储器阵列相关联的存取操作。
20.根据权利要求18所述的电子存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以：
在所述第二周期期间至少部分地基于所述温度更新而调整与所述第一铁电存储器单元相关联的电压。
21.根据权利要求18所述的电子存储器装置，其中所述控制器进一步可操作以：
周期性地执行所述存储器阵列的所述温度更新。
22.一种电子存储器装置，其包括：
用于在第一周期期间准许对第一铁电存储器单元进行存取的构件；
用于在第二周期期间限制对所述第一铁电存储器单元的存取的构件；
用于在所述第二周期期间起始用以执行温度更新的命令的构件；
用于至少部分地基于所述温度更新而接收温度信息的构件；及
用于至少部分地基于所述温度信息而重新配置包括所述第一铁电存储器单元的存储器阵列的构件。
23.根据权利要求22所述的电子存储器装置，其进一步包括：
用于在所述第一周期期间独立于所述温度更新而执行与所述存储器阵列相关联的存取操作的构件。
24.根据权利要求22所述的电子存储器装置，其进一步包括：
用于在所述第二周期期间至少部分地基于所述温度更新而调整与所述第一铁电存储器单元相关联的电压的构件。
25.根据权利要求22所述的电子存储器装置，其进一步包括：
用于周期性地执行所述存储器阵列的所述温度更新的构件。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110501093A (zh) * 2019-07-23 2019-11-26 上海申矽凌微电子科技有限公司 主动式单总线温度传感器系统、方法及介质
CN113450842A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 美光科技公司 用于存储器装置的基于温度的存取定时
CN113948494A (zh) * 2020-07-15 2022-01-18 铁电存储器股份有限公司 存储器单元布置及其方法
CN114512158A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 美光科技公司 用于存储器器件的电压降减轻技术

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10489316B1 (en) 2018-06-04 2019-11-26 Micron Technology, Inc. Methods for performing multiple memory operations in response to a single command and memory devices and systems employing the same
US11977770B2 (en) * 2018-06-04 2024-05-07 Lodestar Licensing Group Llc Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same
US11238917B2 (en) * 2018-10-23 2022-02-01 Micron Technology, Inc. Mode-dependent heating of a memory device
US11017834B2 (en) 2018-11-30 2021-05-25 Micron Technology, Inc. Refresh command management
JP7214464B2 (ja) * 2018-12-20 2023-01-30 キオクシア株式会社 半導体記憶装置
WO2020237456A1 (en) * 2019-05-27 2020-12-03 Intel Corporation Thermometer sample and hold design for non-volatile memory
US11977772B2 (en) * 2020-09-28 2024-05-07 Micron Technology, Inc. Temperature monitoring for memory devices

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0495572A2 (en) * 1991-01-16 1992-07-22 National Semiconductor Corporation Refreshing ferroelectric capacitors
US20060179333A1 (en) * 2005-02-09 2006-08-10 International Business Machines Corporation Power management via DIMM read operation limiter
CN101236783A (zh) * 2007-01-30 2008-08-06 株式会社东芝 具有刷新触发器的半导体存储器件
CN102456394A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 三星电子株式会社 执行dram刷新操作的存储电路、系统和模块及其操作方法
CN102656638A (zh) * 2009-12-16 2012-09-05 美光科技公司 用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术
US20150042380A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US20150340099A1 (en) * 2014-05-26 2015-11-26 Donghun Kwak Operating method of storage device
US20160085444A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-24 Toru Tanzawa Selectable memory access time
US20160125931A1 (en) * 2014-11-03 2016-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100332114B1 (ko) * 1999-12-27 2002-04-10 박종섭 플래쉬 메모리 소자의 바이어스 레벨 생성회로
US6564288B2 (en) 2000-11-30 2003-05-13 Hewlett-Packard Company Memory controller with temperature sensors
DE60237301D1 (de) 2001-10-22 2010-09-23 Rambus Inc Phaseneinstellvorrichtung und verfahren für ein speicherbaustein-signalisierungssystem
NO317905B1 (no) * 2002-09-11 2004-12-27 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmate for a operere ferroelektrisk eller elektret minneinnretning og en innretning av denne art
US7057958B2 (en) * 2003-09-30 2006-06-06 Sandisk Corporation Method and system for temperature compensation for memory cells with temperature-dependent behavior
US7009904B2 (en) * 2003-11-19 2006-03-07 Infineon Technologies Ag Back-bias voltage generator with temperature control
KR100621766B1 (ko) * 2004-08-09 2006-09-13 삼성전자주식회사 강유전체 메모리에서의 레퍼런스 전압 발생장치 및 그의구동방법
US7590473B2 (en) * 2006-02-16 2009-09-15 Intel Corporation Thermal management using an on-die thermal sensor
JP4995647B2 (ja) * 2007-06-12 2012-08-08 矢崎総業株式会社 過熱保護機能付き半導体装置の制御回路
CN102081964B (zh) * 2009-11-30 2014-12-10 国际商业机器公司 动态随机访问存储器刷新的方法和系统
US8661184B2 (en) 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media
JP5624573B2 (ja) * 2012-02-24 2014-11-12 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその制御方法
US10121528B2 (en) 2012-11-30 2018-11-06 Intel Corporation Apparatus, method and system for providing termination for multiple chips of an integrated circuit package
US9230616B2 (en) 2014-01-09 2016-01-05 Micron Technology, Inc. Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0495572A2 (en) * 1991-01-16 1992-07-22 National Semiconductor Corporation Refreshing ferroelectric capacitors
US20060179333A1 (en) * 2005-02-09 2006-08-10 International Business Machines Corporation Power management via DIMM read operation limiter
CN101236783A (zh) * 2007-01-30 2008-08-06 株式会社东芝 具有刷新触发器的半导体存储器件
CN102656638A (zh) * 2009-12-16 2012-09-05 美光科技公司 用于减小半导体存储器装置中阵列干扰的影响的技术
CN102456394A (zh) * 2010-10-20 2012-05-16 三星电子株式会社 执行dram刷新操作的存储电路、系统和模块及其操作方法
US20150042380A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for performing logical operations using sensing circuitry
US20150340099A1 (en) * 2014-05-26 2015-11-26 Donghun Kwak Operating method of storage device
US20160085444A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-24 Toru Tanzawa Selectable memory access time
US20160125931A1 (en) * 2014-11-03 2016-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SEAUNG-SUK LEE等: "Characterization of Hynix 16M Feram Adopted Novel Sensing Scheme", 《INTEGRATED FERROELECTRICS 》 *
SEAUNG-SUK LEE等: "Characterization of Hynix 16M Feram Adopted Novel Sensing Scheme", 《INTEGRATED FERROELECTRICS 》, vol. 53, no. 1, 31 December 2003 (2003-12-31) *
尹文等: "嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状", 《信息技术》 *
尹文等: "嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状", 《信息技术》, no. 05, 25 May 2008 (2008-05-25) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110501093A (zh) * 2019-07-23 2019-11-26 上海申矽凌微电子科技有限公司 主动式单总线温度传感器系统、方法及介质
CN113450842A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 美光科技公司 用于存储器装置的基于温度的存取定时
CN113948494A (zh) * 2020-07-15 2022-01-18 铁电存储器股份有限公司 存储器单元布置及其方法
CN114512158A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 美光科技公司 用于存储器器件的电压降减轻技术

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Publication number Publication date
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