CN109817920A - 一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法及应用,包括以下步骤:步骤1,以金属箔为模板,采用化学气相沉积工艺方法生长石墨烯薄膜;步骤2,在采用注射CVD工艺方法在步骤1所得的G薄膜上生长碳纳米管;步骤3,刻蚀掉步骤2中得到的CNT/G/金属箔中的金属箔,得到CNT/G;步骤4,将步骤3中得到的CNT/G与硒以质量比1:1放入球磨机中进行球磨,得到Se/CNT/G;本发明制备的CNT/G中CNT与G结合更加紧密,不易产生脱离。与此同时,Se包覆CNT和G大大提高电池负极材料的导电性与能量密度,近一步增强钠离子电池循环寿命、能量密度与库伦效率,且形貌可控。这种Se/CNT/G材料用于钠离子电池负极材料,必将引起广泛关注。
Description
技术领域
本发明属于电池负极材料领域,涉及一种钠离子电池电极材料,具体涉及一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法及应用。
背景技术
随着近年来能源消耗的逐渐增加,锂资源已远远不能满足人们对储能的需求。钠在地球的储藏量要高出锂4~5个量级,用钠代替锂解决资源短缺的问题。钠开发成本低,且与锂作为同一主族元素,具有相似的嵌入机理,因此具有良好的发展前景。硒(Se)具极高的理论容量675mAh g-1,具有比硫更高的能量密度,导电性高于硫近似20个数量级,但须解决聚硒酸盐在电解质中的溶解和迁移问题,纳米碳材料可完美解决此问题。石墨烯(简称G)是碳原子sp2杂化形成的柔性二维材料,具有超轻比重、极大比表面积、优异的导热性以及机械性能,载流子速率高达2×105cm2。碳纳米管(简称CNT)是由单层或多层G按一定的旋转角卷曲而成的单壁或多壁无缝一维纳米管,同石墨烯相似,具有优异电导率、化学稳定性及机械性能,被认为是复合材料理想添加相。作为结构不同的碳材料,二者结合在一起构筑CNT/G杂化体,可充分发挥各自优势,相互补足。这种硒包覆纳米碳材料用于钠离子电池负极对于提高电池负极导电性、离子负载能力、电池循环性能具有十分重要的意义。
目前,公开报道的CNT/G杂化体用于电池负极材料的研究中,杂化体主要通过化学气相沉积(CVD)生长出G后物理掺杂CNT得到CNT/G薄膜,或者通过氧化石墨烯(GO)融入CNT连续体得到复合膜前驱体后热处理得到CNT/G薄膜。这些方法制备的CNT/G杂化体对电池的初始放电容量、循环性能及倍率性能有较大改善。但这些方法制备的杂化体中CNT分散不够均匀,与G界面结合弱等特点一定程度上限制了CNT/G杂化体作为电池负极材料性能上的进一步提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法及应用,解决了通过现有的制备方法制备所得的杂化体中,存在CNT取向杂乱、分散不够均匀的缺陷。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,包括以下步骤:
步骤1,以金属箔为模板,采用化学气相沉积工艺方法生长石墨烯薄膜;
步骤2,在采用注射CVD工艺方法在步骤1所得的G薄膜上生长碳纳米管;
步骤3,刻蚀掉步骤2中得到的CNT/G/金属箔中的金属箔,得到CNT/G;
步骤4,将步骤3中得到的CNT/G与硒以质量比1:1放入球磨机中进行球磨,得到Se/CNT/G。
优选地,步骤1中,采用CVD工艺方法生长G薄膜的生长工艺条件:以含碳前驱体为生长碳源,反应温度850~1100℃,反应时间0.1~2h,含碳前驱体流量0.1~150mL/min,氩气流量50~500mL/min,氢气流量5~500mL/min。
优选地,含碳前驱体为含碳氢化合物、碳氢氧化合物的一种或几种的混合。
优选地,步骤2中,在G薄膜上生长CNT的具体方法是:将步骤1得到的G/金属箔浸入含有催化剂前驱体的溶液中,之后放入管式炉中,并在Ar和H2的混合气氛下加热至生长温度,之后采用注射CVD工艺原位在G薄膜上生长CNT。
优选地,催化剂前驱体为Fe、Ni、Cu或Co的化合物的一种或几种的混合。
优选地,步骤2中,采用注射CVD工艺方法在G薄膜上生长CNT的工艺条件:以含碳前驱体为生长碳源,生长温度700~1050℃,生长时间0.1~3h,含碳前驱体流量0.1~100mL/min,氩气流量100~1000mL/min,氢气流量0~1000mL/min。
优选地,步骤3中,刻蚀掉步骤2中得到的CNT/G/金属箔中的金属箔的具体方法是:将步骤2得到的CNT/G/金属箔浸入由FeCl2和盐酸按照1:1的摩尔质量比进行混合形成的溶液中,刻蚀金属箔,得到CNT/G。
一种硒包覆碳纳米管/石墨烯材料,通过制备方法制备所得。
一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的应用,以Se/CNT/G作为钠离子电池的负极材料,组装为扣式电池。
优选地,组装扣式电池的具体方法是:负极采用N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,极片的配方按照Se/CNT/G负极材料:聚偏氟乙烯:乙炔黑=7:2:1比例调制成浆料,然后将浆料均匀涂覆于铜箔上,放入真空干燥箱中进行烘干,之后经过冲片得到实验电池用负极片;
以金属钠作为正极;
电解液为六氟磷酸钠的碳酸乙烯酯与碳酸二甲酸的溶液按照1:1的体积比进行混合;
隔膜为celgard2400膜;
组装电池的顺序依次为负极壳,钠片,隔膜,电极片,垫片,弹簧片,正极壳,在充满Ar气氛的手套箱内装配成扣式电池。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明提供的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,本发明制备的CNT/G中CNT与G结合更加紧密,不易产生脱离。与此同时,Se包覆CNT和G大大提高电池负极材料的导电性与能量密度,近一步增强钠离子电池循环寿命、能量密度与库伦效率,且形貌可控。这种Se/CNT/G材料用于钠离子电池负极材料,必将引起广泛关注。
附图说明
图1是电池负极材料制备流程图。
图2是铜箔上生长的G。
图3是Se/CNT/G电池负极材料。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明进一步详细说明。
本发明提出一种硒包覆碳纳米管/石墨烯,首先采用CVD法在金属箔上生长G膜,在G膜表面搭载催化剂后,再借助CVD法在G膜上原位生长出CNT,将CNT/G与Se球磨热处理,得到Se/CNT/G电池负极材料。相比于公开报道的制备方法而言,通过CVD工艺所得的CNT/G中CNT与G结合更加紧密,不易产生脱离。与此同时,Se包覆CNT和G大大提高电池负极材料的导电性与能量密度,近一步增强钠离子电池循环寿命、能量密度与库伦效率,且形貌可控。这种Se/CNT/G材料用于钠离子电池负极材料,必将引起广泛关注。
如图1所示,本发明提出的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:制备G薄膜
以金属箔为模板,采用CVD工艺生长G薄膜,生长工艺条件为:含碳前驱体为生长碳源,反应温度850~1100℃,反应时间0.1~2h,含碳前驱体流量0.1~150mL/min,氩气流量50~500mL/min,氢气流量5~500mL/min;
步骤2:在G薄膜上生长CNT
将步骤1得到的G/金属箔浸入含催化剂前驱体的溶液中,搭载后放入管式炉在Ar/H2混合气氛下加热至生长温度,采用CVD工艺原位生长CNT,生长工艺条件为:含碳前驱体为生长碳源,生长温度700~1050℃,生长时间0.1~3h,含碳前驱体流量0.1~50mL/min,氩气流量100~1000mL/min,氢气流量0~1000mL/min;
步骤3:Se/CNT/G材料的制备
将步骤2得到的CNT/G/金属箔浸入FeCl2与盐酸的混合溶液中刻蚀掉金属箔,得到CNT/G;将其与Se以质量比1:1放入球磨机中球磨,充分混合后热处理得到Se/CNT/G材料;其中,FeCl2与盐酸以1:1摩尔质量比进行混合;球磨机的工艺参数为:球料比20:1,400转/min;
步骤4:扣式电池的组装
本发明制备硒包覆碳纳米管/石墨烯作为钠离子电池的负极材料制备扣式电池,具体的方法是:
首先,以硒包覆碳纳米管/石墨烯:聚偏氟乙烯(PVDF)和:乙炔黑=7:2:1的质量比调制成浆料,然后将浆料均匀涂覆于铜箔上,放入真空干燥箱中80℃烘干12小时后,经过冲片后得到实验电池用极片;
然后,以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为负极溶剂,以金属钠作为对电极,电解液为1M六氟磷酸钠的碳酸乙烯酯(EC)与碳酸二甲酸(DMC)的混合溶液,其中,EC与DMC的体积比为1:1,隔膜为celgard2400膜,在充满Ar气氛的手套箱内依次以负极壳,钠片,隔膜,电极片,垫片,弹簧片和正极壳的顺序装配成扣式电池;
最后,将组装好的扣式电池静置12h后在LANDCT2100A进行电化学性能测试。
所述的扣式电池充放起止电压为0.01-2.6V,充放电流均为50mA/g。
步骤1所述的金属箔为Ni或Cu;
步骤1和2所述的含碳前驱体为含碳氢化合物、碳氢氧化合物的一种或几种的混合;步骤1所述的G片为单层或多层,或二者的混合;
步骤2所述的催化剂前驱体为Fe、Ni、Cu或Co的化合物的一种或几种的混合;
步骤2所述的CNT是单壁CNT、双壁CNT或多壁CNT的一种或几种的混合。
如图2所示,为本发明制备的G片,从图2中可以明显看出在铜箔上生长出的G片有多处褶皱,表明所制备的G片为单层或几层,G层数越低,褶皱会越明显。
如图3所示,为本发明制备的Se/CNT/G材料,从图3中可以清晰看出白色管状物,弯曲纠缠,为Se包覆CNT,而浅灰色球状物是由于球磨不充分的过量Se导致。
相比现有物理掺杂方法制备的CNT/G,本发明制备的CNT/G中CNT与G结合更加紧密是由于CNT通过CVD工艺在G片层表面搭载催化剂后原位生长出CNT,催化剂扎根于G片层,因此结合更加紧密。
实施例1:
(1)材料的制备
以铜箔为模板,采用CVD工艺生长G,工艺条件为:甲烷为碳源,反应温度950℃,甲烷80mL/min,氩气流量300mL/min,氢气流量400mL/min,反应20min后随炉冷却至室温。
将制得的G/铜箔浸入含有FeSO4·7H2O的水溶液中加载催化剂前驱体,后置于管式炉中,采用CVD工艺生长CNT,工艺条件为:乙醇为碳源,反应温度为900℃,以注射碳源的方式将其注入到石英管中,注射速率0.2mL/min,氩气流量600mL/min,氢气流量100mL/min,生长20min制得CNT/G/铜箔,CNT长约2μm。
将制得的制得CNT/G铜箔放入2M的FeCl2和2M盐酸的混合液中(FeCl2与盐酸摩尔质量比为1:1)刻蚀掉铜箔。将CNT/G分离出来后与Se以质量比1:1的配比放入球磨机中球磨48h(球料比20:1,400转/min)。
将球磨后的Se/CNT/G置于管式炉中在270℃氩气气氛下热处理24小时,最终得到Se/CNT/G电池负极材料。
(2)扣式电池的组装
采用扣式电池来研究负极材料的电化学性能,负极采用DMF为溶剂,极片的配方按照Se/CNT/G负极材料:PVDF:乙炔黑=7:2:1比例调制成浆料,然后将浆料均匀涂覆与铜箔上,放入真空干燥箱中80℃烘干12小时后,经过冲片后得到实验电池所用负电极片。以金属钠作为正极,电解液为1M六氟磷酸钠的EC与DMC的溶液(EC与DMC的体积比为1:1),隔膜为celgard2400膜。组装电池的顺序依次为负极壳,钠片,隔膜,电极片,垫片,弹簧片,正极壳,在充满Ar气氛的手套箱内装配成扣式电池。对该扣式电池进行充放电循环测试:充放起止电压为0.01-2.6V,充放电流均为50mA/g。相比于CNT/G,Se包覆后得到的Se/CNT/G将具有更高的理论容量,作为电池负极材料具有更高的能量密度,能极大程度提高电池的充放电性能以及循环寿命。
实施例2:
与实施例1方法相同,仅改变生长G生长条件。
以铜箔为模板,采用CVD工艺生长G,工艺条件为:甲烷为碳源,反应温度950℃,甲烷80mL/min,氩气流量300mL/min,氢气流量400mL/min,反应时间10min后,以10℃/min的降温速率快速降温至500℃后随炉冷却至室温。相比于实施例1,实施例2中的G生长时间较短,降温速率快使得制备出的G膜层数较低。具有更好的结晶性,使得所制备出的Se/CNT/G具有更高的导电性。
实施例3:
与实施例2方法相同,仅改变CNT生长时间。
将G/铜箔浸入含有FeSO4·7H2O的水溶液中加载催化剂前驱体,后置于管式炉中,采用注射CVD工艺生长CNT,工艺条件为:乙醇为碳源,反应温度为900℃,以注射碳源的方式将其注入到石英管中,注射速率0.2mL/min,氩气流量600mL/min,氢气流量100mL/min,生长60min制得CNT/G/铜箔。相比实施例2,将CNT的生长时间延长为60min,CNT长约为5μm。CNT长度增加有利于电荷的传输,与G的协同作用能够容纳更多的硒原子膨胀,具有更加优异的电化学性能。
实施例4:
与实施例3方法相同,仅改变Se与CNT/G的质量配比。
将Se与CNT/G的质量配比改变为3:2,放入球磨机中球磨48h。将球磨后的Se/CNT/G置于管式炉中在270℃氩气气氛下热处理24小时,最终得到Se/CNT/G电池负极材料。相比于实施例3,本实施例中的Se含量明显增加,使得Se包覆层变厚。随着Se/CNT/G中Se包覆层厚度增加,Se嵌入脱出CNT/G阻力变大,不利于电池充放电速率。
Claims (10)
1.一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,以金属箔为模板,采用化学气相沉积工艺方法生长石墨烯薄膜;
步骤2,在采用注射CVD工艺方法在步骤1所得的G薄膜上生长碳纳米管;
步骤3,刻蚀掉步骤2中得到的CNT/G/金属箔中的金属箔,得到CNT/G;
步骤4,将步骤3中得到的CNT/G与硒以质量比1:1放入球磨机中进行球磨,得到Se/CNT/G。
2.根据权利要求1所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤1中,采用CVD工艺方法生长G薄膜的生长工艺条件:以含碳前驱体为生长碳源,反应温度850~1100℃,反应时间0.1~2h,含碳前驱体流量0.1~150mL/min,氩气流量50~500mL/min,氢气流量5~500mL/min。
3.根据权利要求2所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,含碳前驱体为含碳氢化合物、碳氢氧化合物的一种或几种的混合。
4.根据权利要求1所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤2中,在G薄膜上生长CNT的具体方法是:将步骤1得到的G/金属箔浸入含有催化剂前驱体的溶液中,之后放入管式炉中,并在Ar和H2的混合气氛下加热至生长温度,之后采用注射CVD工艺原位在G薄膜上生长CNT。
5.根据权利要求4所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,催化剂前驱体为Fe、Ni、Cu或Co的化合物的一种或几种的混合。
6.根据权利要求1所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤2中,采用注射CVD工艺方法在G薄膜上生长CNT的工艺条件:以含碳前驱体为生长碳源,生长温度700~1050℃,生长时间0.1~3h,含碳前驱体流量0.1~100mL/min,氩气流量100~1000mL/min,氢气流量0~1000mL/min。
7.根据权利要求1所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯的制备方法,其特征在于,步骤3中,刻蚀掉步骤2中得到的CNT/G/金属箔中的金属箔的具体方法是:将步骤2得到的CNT/G/金属箔浸入由FeCl2和盐酸按照1:1的摩尔质量比进行混合形成的溶液中,刻蚀金属箔,得到CNT/G。
8.一种硒包覆碳纳米管/石墨烯材料,其特征在于,通过权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备所得。
9.一种硒包覆碳纳米管/石墨烯材料的应用,其特征在于,将权利要求8所述的Se/CNT/G作为钠离子电池的负极材料,组装为扣式电池。
10.根据权利要求9所述的一种硒包覆碳纳米管/石墨烯材料的应用,其特征在于,组装扣式电池的具体方法是:负极采用N,N-二甲基甲酰胺为溶剂,极片的配方按照Se/CNT/G负极材料:聚偏氟乙烯:乙炔黑=7:2:1比例调制成浆料,然后将浆料均匀涂覆于铜箔上,放入真空干燥箱中进行烘干,之后经过冲片得到实验电池用负极片;
以金属钠作为正极;
电解液为六氟磷酸钠的碳酸乙烯酯与碳酸二甲酸的溶液按照1:1的体积比进行混合;
隔膜为celgard2400膜;
组装电池的顺序依次为负极壳,钠片,隔膜,电极片,垫片,弹簧片,正极壳,在充满Ar气氛的手套箱内装配成扣式电池。
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