CN109817100A - 窄边框、超窄边框显示装置以及显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种窄边框、超窄边框显示装置以及显示面板及其制造方法，所述显示面板，包括：相对间隔设置的第一、二基板，以及位于第一基板朝向第二基板的表面上的第一导电结合区，以及位于第一基板的侧面、与第一导电结合区连接的第二导电结合区，进一步还包括：在第一导电结合区朝向第二基板的表面设置的、与第二导电结合区相连接的金属银层。应用本发明可以解决采用侧面Bonding工艺的显示装置的接触导通不良问题，保证产品的良率和信赖性。

Description

窄边框、超窄边框显示装置以及显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种窄边框、超窄边框显示装置以及显示面板及其制造方法。

背景技术

目前窄边框/超窄边框的显示产品已经成为市场追逐的主要趋势，并且在商显市场，尤其是安防、会议及展示等细分领域，拼缝≤2.0mm的产品已经愈来愈成为市场主流。

然而，窄边框/超窄边框设计使得显示装置留给显示面板的导电面积较小，例如位于显示面板的非显示区的Bonding Pad(导电结合区)仅设置于阵列基板的上表面，BondingPad的面积较小，导致Bonding Pad与COF(Chip On Film，覆晶薄膜)的接触面积较小，从而降低了Bonding Pad与COF的连接稳定性。

如图1所示，目前现有技术中采用侧面Bonding(结合)工艺解决上述问题：对于显示面板中相对间隔设置的两个基板；在其中第一基板(TFT基板)朝向第二基板(CF基板)的非显示区表面形成一导电结合区(第一导电结合区)，通过侧面Bonding工艺在第一基板的侧面上形成另一导电结合区(第二导电结合区)，其与第一导电结合区相连接，将第二导电结合区与COF连接。由于侧面的导电结合区具有相比于第一基板非显示区表面的导电结合区有更大的接触面积，因此，与COF的连接具有更高的稳定性。

然而，在实际应用中，本发明的发明人发现采用侧面Bonding工艺的现有显示装置，仍然存在接触导通不良的情况，导致产品良率不高。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种窄边框、超窄边框显示装置以及显示面板及其制造方法，解决采用侧面Bonding工艺的显示装置的接触导通不良问题，保证产品的良率和信赖性。

基于上述目的本发明提供一种显示面板，包括：相对间隔设置的第一、二基板，以及位于第一基板朝向第二基板的表面上的第一导电结合区，以及位于第一基板的侧面、与第一导电结合区连接的第二导电结合区，进一步还包括：

在第一导电结合区朝向第二基板的表面设置的、与第二导电结合区相连接的金属银层。

其中，所述金属银层的厚度大于5um。

较佳地，第一导电结合区具体设置于第一基板的非显示区的表面上；以及

所述金属银层具体设置于第一基板的边缘非显示区的第一导电结合区表面上。

进一步，所述显示面板还包括：与第二导电结合区相连接的覆晶薄膜。

本发明还提供一种超窄边框显示装置，包括：如上所述的显示面板。

本发明还提供一种窄边框显示装置，包括：如上所述的显示面板。

本发明还提供一种显示面板的制造方法，包括：

在第一整板的每个第一基板表面的第一导电结合区上形成一层金属银层；

将第一整板与排布多个第二基板的第二整板进行成盒拼装形成基板组；

将所述基板组进行切割，得到多个显示面板，每个显示面板包括相对间隔设置的第一、二基板；

在所述显示面板的第一基板的侧面形成与所述金属银层以及第一导电结合区均连接的第二导电结合区。

较佳地，在所述显示面板的第一基板的侧面形成与所述金属银层以及第一导电结合区均连接的第二导电结合区之前，还包括：

对每个显示面板的侧面进行端面磨削。

较佳地，第一导电结合区具体设置于第一基板的非显示区的表面上；以及

所述在第一整板的每个第一基板表面的第一导电结合区上形成一层金属银层，具体为：

在第一基板的边缘非显示区的第一电结合区表面上形成所述金属银层。

本发明的技术方案中，显示面板包括相对间隔设置的第一、二基板，以及位于第一基板朝向第二基板的表面上的第一导电结合区，以及位于第一基板的侧面、与第一导电结合区连接的第二导电结合区，在第一导电结合区朝向第二基板的表面设置的、与第二导电结合区相连接的金属银层。从而，侧面的第二导电结合区不仅与第一基板表面的第一导电结合区相连接，还与第一导电结合区上的金属银层相连接。如此，第一基板非显示区表面的导电结合区包括了第一导电结合区和金属银层，从而增加了第一基板非显示区表面的导电结合区的端面厚度，也就是增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区(第二导电结合区)相连接的接触面的宽度，该宽度可以达到10um，相比于现有的Cu Lead的1um，大大增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区之间的接触面的宽度，使得两者能够良好的接触导通，从而解决了接触导通不良问题，保证了产品的良率和信赖性。

附图说明

图1为现有技术的采用侧面Bonding工艺的显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种采用侧面Bonding工艺的显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法流程图；

图4a～4d为本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法在各个制备阶段的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。

本发明的发明人对现有的采用侧面Bonding工艺的显示面板进行分析，发现现有显示装置存在接触导通不良情况的原因在于，第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区的接触导通不良。事实上，第一基板非显示区表面形成的导电结合区通常是铜引线(Cu lead)，通过沉积一层金属铜，进而经过掩膜、刻蚀后得到的。侧面的导电结合区可以是通过气相沉积法将金属靶材激发出的金属粒子沉积于侧面得到的。

然而，目前Cu Lead以现有工艺条件可达到的端面厚度的极限在1um左右；也就是说，第一基板非显示区表面的导电结合区用以与侧面的导电结合区相连接的接触面的宽度的极限在1um左右，由于接触面宽度太窄，非常容易产生接触、导通不良问题。

基于上述的分析，本发明的发明人考虑到，利用银层印刷技术可以制成厚度能达到10um以上的银层；而将金属银层添加到Cu Lead上，从而增加了第一基板非显示区表面的导电结合区的端面厚度，也就是增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区相连接的接触面的宽度，该宽度可以达到10um，相比于现有的Cu Lead的1um，大大增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区之间的接触面的宽度，使得两者能够良好的接触导通，从而解决了接触导通不良问题，保证了产品的良率和信赖性。

下面结合附图详细说明本发明技术方案。

本发明实施例提供的一种显示面板，结构如图2所示，包括：相对间隔设置的第一基板201、第二基板202、位于第一基板表面上的第一导电结合区203、位于第一基板的侧面、与第一导电结合区203相连接的第二导电结合区204，以及在第一导电结合区203朝向第二基板202的表面设置的、与第二导电结合区204相连接的金属银层205。

本发明实施例提供的显示面板可以是液晶显示面板，也可以是OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)面板。例如，对于液晶显示面板，则上述的第一基板201、第二基板202分别可以是TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板和CF(彩膜)基板；此外，液晶显示面板中还可包括位于由TFT基板和CF基板叠加形成的液晶盒内的液晶。

显示面板可以包括显示区(Active Area，AA)和非显示区。其中，TFT基板在显示区设置有阵列排布的多个TFT，在非显示区设置有为TFT提供驱动信号的第一导电结合区203和第二导电结合区204。

其中，第一导电结合区203具体位于第一基板201朝向第二基板202的表面，即第一导电结合区203位于TFT基板朝向CF基板的表面；较佳地，第一导电结合区203设置于第一基板的非显示区的表面上。第一导电结合区203的材质可以是金属铜。

上述金属银层205的厚度大于5um，甚至能达到10um及以上。较佳地，为节省材料，不必将金属银层205覆盖于整个第一导电结合区203上，仅将金属银层205设置于第一基板201的边缘非显示区的第一导电结合区203表面即可实现与第二导电结合区204的连接。

第二导电结合区204设置于TFT基板的侧面。第二导电结合区204不仅与TFT基板表面的第一导电结合区203相连接，还与第一导电结合区203上的金属银层205相连接。如此，第一基板201非显示区表面的导电结合区包括了第一导电结合区203和金属银层205，从而增加了第一基板201非显示区表面的导电结合区的端面厚度，也就是增加了第一基板201非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区(第二导电结合区204)相连接的接触面的宽度，该宽度可以达到10um，相比于现有的Cu Lead的1um，大大增加了第一基板201非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区之间的接触面的宽度，使得两者能够良好的接触导通，从而解决了接触导通不良问题，保证了产品的良率和信赖性。

进一步，本发明实施例提供的一种显示面板还可包括：与第二导电结合区204相连接的覆晶薄膜(COF)。

本发明实施例提供的上述显示面板可以设置于窄边框显示装置中，或超窄边框显示装置中。

本发明实施例提供的一种上述显示面板的制造方法，流程如图3所示，包括如下步骤：

步骤S301：在第一整板的每个基板A的表面的第一导电结合区203上形成一层金属银层205。

具体地，在第一整板中有阵列排布的多个基板A，所述基板A即为上述的第一基板201。本步骤中，在第一整板的每个基板A(第一基板201)的表面的第一导电结合区203上形成一层金属银层205。

具体地，在如图4a所示的第一整板的每个基板A(第一基板201)的表面的第一导电结合区203上，可以采用银层印刷技术，在第一基板201(基板A)的边缘非显示区的第一电结合区201表面上形成厚度大于5um的金属银层205，如图4b所示；其中，金属银层205，甚至可以是厚度达10um及以上的金属银层205。

步骤S302：将第一整板与排布多个基板B的第二整板进行成盒拼装形成基板组。

具体地，在第二整板中有阵列排布的多个基板B，所述基板B即为上述的第二基板202。将第一整板与第二整板经过对盒工艺进行成盒拼装形成基板组。

步骤S303：将所述基板组进行切割，得到多个显示面板，每个显示面板包括相对间隔设置的第一、二基板。

具体地，将所述基板组进行切割后，得到各个独立的显示面板，如图4c所示，每个显示面板包括一组相对间隔设置的第一基板201和第二基板202。

步骤S304：在所述显示面板的第一基板的侧面形成与所述金属银层205以及第一导电结合203区均连接的第二导电结合区204。

具体地，可以先对切割得到的每个显示面板的侧面进行端面磨削，将显示面板的多余的边缘非显示区(Dummy区)研磨去除，如图4d所示；进而，在经过端面磨削、去除多余的边缘非显示区的显示面板的第一基板的侧面，通过气相沉积法将金属靶材激发出的金属粒子沉积于第一基板的侧面，形成与所述金属银层205以及第一导电结合区203均连接的第二导电结合区204。

本发明的技术方案中，显示面板包括相对间隔设置的第一、二基板，以及位于第一基板朝向第二基板的表面上的第一导电结合区，以及位于第一基板的侧面、与第一导电结合区连接的第二导电结合区，在第一导电结合区朝向第二基板的表面设置的、与第二导电结合区相连接的金属银层。从而，侧面的第二导电结合区不仅与第一基板表面的第一导电结合区相连接，还与第一导电结合区上的金属银层相连接。如此，第一基板非显示区表面的导电结合区包括了第一导电结合区和金属银层，从而增加了第一基板非显示区表面的导电结合区的端面厚度，也就是增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区(第二导电结合区)相连接的接触面的宽度，该宽度可以达到10um，相比于现有的Cu Lead的1um，大大增加了第一基板非显示区表面的导电结合区与侧面的导电结合区之间的接触面的宽度，使得两者能够良好的接触导通，从而解决了接触导通不良问题，保证了产品的良率和信赖性。

本技术领域技术人员可以理解，本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本发明中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本发明中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：相对间隔设置的第一、二基板，以及位于第一基板朝向第二基板的表面上的第一导电结合区，以及位于第一基板的侧面、与第一导电结合区连接的第二导电结合区，其特征在于，还包括：

在第一导电结合区朝向第二基板的表面设置的、与第二导电结合区相连接的金属银层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属银层的厚度大于5um。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，第一导电结合区具体设置于第一基板的非显示区的表面上；以及

所述金属银层具体设置于第一基板的边缘非显示区的第一导电结合区表面上。

4.根据权利要求1-3任一所述的显示面板，其特征在于，还包括：与第二导电结合区相连接的覆晶薄膜。

5.一种超窄边框显示装置，包括：如权利要求1-4任一所述的显示面板。

6.一种窄边框显示装置，包括：如权利要求1-4任一所述的显示面板。

7.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

在第一整板的每个第一基板表面的第一导电结合区上形成一层金属银层；

将第一整板与排布多个第二基板的第二整板进行成盒拼装形成基板组；

将所述基板组进行切割，得到多个显示面板，每个显示面板包括相对间隔设置的第一、二基板；

在所述显示面板的第一基板的侧面形成与所述金属银层以及第一导电结合区均连接的第二导电结合区。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述显示面板的第一基板的侧面形成与所述金属银层以及第一导电结合区均连接的第二导电结合区之前，还包括：

对每个显示面板的侧面进行端面磨削。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，第一导电结合区具体设置于第一基板的非显示区的表面上；以及

所述在第一整板的每个第一基板表面的第一导电结合区上形成一层金属银层，具体为：

在第一基板的边缘非显示区的第一电结合区表面上形成所述金属银层。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述形成一层金属银层，具体为：

形成厚度大于5um的金属银层。