CN109810123A - 化合物及其在有机发光领域中的应用 - Google Patents

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CN109810123A
CN109810123A CN201711164260.2A CN201711164260A CN109810123A CN 109810123 A CN109810123 A CN 109810123A CN 201711164260 A CN201711164260 A CN 201711164260A CN 109810123 A CN109810123 A CN 109810123A
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高文正
黄鑫鑫
杜倩
任雪艳
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Beijing Eternal Material Technology Co Ltd
Guan Eternal Material Technology Co Ltd
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Beijing Eternal Material Technology Co Ltd
Guan Eternal Material Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种下式表示的通式化合物:式(I)中:L1、L2分别独立选自单键、取代或未取代的C6~C60的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子取代或未取代的C5~C60的杂亚芳基或稠杂亚环芳烃基团;Ar1和Ar2分别独立选自取代或未取代的C6~C60的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子取代或未取代的C5~C60的杂芳基、芳基胺基团、仲胺基团或稠杂环芳烃基团;且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团。本发明同时还提供了采用这类新型通式化合物的有机电致发光器件,且具备驱动电压低、发光效率高的优点。

Description

化合物及其在有机发光领域中的应用
技术领域
本发明涉及一种新型通式化合物,尤其涉及一种用于有机电致发光器件的化合物及在有机电致发光器件中的应用。
背景技术
有机电致发光显示器(以下简称OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点,与液晶显示器相比,有机电致发光显示器不需要背光源,视角大,功率低,其响应速度可达液晶显示器的1000倍,其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器,因此,有机电致发光器件具有广阔的应用前景。
随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进,人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注,一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。
常见的功能化有机材料有:空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料,电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。为了制备性能更好的发光器件,业界一直致力于开发新的有机电致发光材料以进一步提高器件的发光效率和寿命。高效的商业化有机发光二极管将很可能会含有有机金属磷光体,因为它们可以将单线态和三线态激子均捕获,从而实现100%的内量子效率。然而,由于过渡金属配合物的激发态激子寿命相对过长,导致三线态-三线态(T1-T1)在器件实际工作中淬灭。为了克服这个问题,研究者们常将三线态发光物掺杂到有机主体材料中。因此,对于高效有机发光二极管来说,开发高性能的主体材料和客体材料至关重要。作为三基色之一,红光对于全色显色和固态照明非常关键。然而高效的红光器件却很少,主要原因是缺乏合适的主体材料。
目前,广泛应用于磷光器件的主体材料为CBP,但是它要求的驱动电压较高、Tg=62℃,易于结晶。另外,CBP是一种p-型材料,空穴迁移率远高于电子迁移率,不利于载流子注入和传输平衡。
然而,现有的有机电致发光材料在发光性能方面还有很大改进余地,业界亟需开发新的有机电致发光材料。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种化合物由通式(Ⅰ)表示:
式(I)中:
L1和L2分别独立选自单键、取代或未取代的C6~C60的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;
Ar1和Ar2分别独立选自取代或未取代的C6~C60的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂芳基或稠杂环芳烃基团、芳基胺基团或仲胺基团,并且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团;
所述L1、L2和Ar1、Ar2上的取代基团独立选自卤素、C1~C10的烷基或环烷基、烯基、C1~C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团。
具体说,当定义上述L1、L2、Ar1和Ar2分别独立选自芳基或亚芳基时,是指选自具有一定数目环骨架碳原子的芳族环系,包括单环结构取代基团例如苯基等,也包括共价连接结构的芳环取代基团例如联苯基、三联苯基等。
具体说,当定义上述L1、L2、Ar1和Ar2分别独立选自稠环芳烃或亚稠环芳烃基团时是指具有一定数目环骨架碳原子的芳族环系,包括稠环结构取代基团例如萘基、蒽基等,也包括稠环结构取代基团与单环结构芳基相连接的结构基团例如苯联萘基、萘联苯基、联苯联蒽基等,还包括共价连接结构的稠芳环取代基团例如联萘基等。
具体说,当定义上述L1、L2、Ar1和Ar2分别独立选自杂芳基或稠杂环芳烃基团时是指包含一个或多个选自B、N、O、S、P(=O)、Si和P的杂原子且具有环碳原子的单环或稠环芳基。
进一步的,式(I)中,L1和L2分别独立选自C6~C15的取代或未取代的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C15的取代或未取代的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;Ar1和Ar2分别独立优选自C6~C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团。
更进一步的,上述L1、L2、Ar1和Ar2分别独立选自杂芳基或稠杂环芳烃基团时的杂原子优选自氮原子、硫原子或氧原子。
更进一步的,式(I)中,L1、L2、Ar1和Ar2分别独立优选自下述基团:苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、蒽基、菲基、茚基、荧蒽基、9,9二甲基芴、螺二芴基、呋喃基、苯基呋喃基、噻吩基、苯基噻吩基、吡咯基、苯基吡咯基、吡啶基、苯基吡啶基、吡嗪基、芴基、茚并芴基、喹啉、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并三嗪、苯并吡嗪、异苯并呋喃基、吲哚基、苯并喹啉、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并吡咯基、咔唑基及其衍生物、苯基取代的二唑、啡啉基、啡啉并噻唑基和苯并间二氧杂环戊烯基中的至少一种。
上述Ca~Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a~b,除非特殊说明,一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。
上述对于化学元素的表述包含化学性质相同的同位素的概念,例如“氢”的表述,也包括化学性质相同的“氘”、“氚”的概念。
在本发明的一个优选实施方式中,出于成膜性能以及加工性能方面的考虑,所述化合物的分子量介于400~1200之间,优选为450~1100之间。
更进一步的,结合本发明的通式可以优选出下述具体结构化合物:P1~P99,这些化合物仅为代表性的:
本发明提出的这类新型通式化合物的优点在于:
1、本发明的通式化合物在结构设计上选用α-咔啉结构作为母核基团,相比N原子位于其他位置的咔啉基团,α-位氮原子与临近的氢原子有利于形成分子内氢键,这是由于N的电负性大,共用电子对强烈偏向N原子一边,而临近的H原子核外只有一个电子,其电子云向N原子偏移,使得它几乎要呈质子状态,从而形成分子内氢键。这种特定结构可以有效抑制取代基的分子内转动,增加分子刚性,提高材料的荧光效率,用作发光材料时,可提高器件效率。
2、本发明的化合物通过对分子结构的特定设计,取代基与母核形成共轭结构,从而提高化合物的平面性,提高载流子迁移率,用作主体时可以增宽激子复合界面,有利于抑制器件的效率滚降,提高器件的效率。同时化合物所具备有的高迁移率也使材料在制备器件时的厚度控制有了更宽的调整范围,增加材料的膜厚可以不显著地影响器件的工作电压;对器件性能的优化提高提供更多的可能性。
3、本发明化合物,通过取代基的改变,可实现光色在较宽范围内的调整,从而实现在不同光色有机光电器件中的应用;取代基的改变,同时可以调整化合物的能级以及传输性能,这样的化合物可实现从红光到蓝光范围内的器件应用,显著地提高器件的发光效率;
4、本发明所述化合物的特定设计能够保护母核的活泼位点,对保持化合物的稳定性具有积极意义,本发明化合物其分子量较小,能够在较低的温度下实现材料的升华提纯和器件制作,有利于材料的稳定性和器件制作工艺的改进。
本发明提出的采用这类新型通式化合物的有机电致发光器件优点在于:相比现有技术,能够进一步器件的降低驱动电压、提高发光效率。
附图说明
从下面结合附图对本发明实施例的详细描述中,本发明的这些和/或其它方面和优点将变得更加清楚并更容易理解,其中:
图1:化合物P1的HOMO能级分布图;
图2:化合物P1的LUMO能级分布图;
图3:化合物P5的HOMO能级分布图;
图4:化合物P5的LUMO能级分布图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员更好地理解本发明,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
本发明中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。实施例中所用的各种化学药品如石油醚、乙酸乙酯、正己烷、甲苯、二甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷、DMF、CuI、邻菲罗啉、磷酸钾、醋酸钾、1,4-二氧六环、联硼酸频哪醇酯、Pd(dppf)Cl2、四(三苯基膦)钯、碳酸钾、6-溴咔啉等基础化工原料均可在国内化工产品市场买到。
本发明中的中间体和化合物的分析检测使用ABSCIEX质谱仪(4000QTRAP)和布鲁克核磁共振仪(400M)。
化合物的合成实施例:
中间体M1的合成:
(1)化合物M1-1的合成
在N2保护下,将19.1g(100mmol)2-溴-3-氯吡啶,9.3g(100mmol)苯胺,0.45g(2mmol)醋酸钯,1.05g(4mmol)三苯基磷,19.2g(200mmol)叔丁醇钠,加入到三口烧瓶中,并加入400ml甲苯,110℃回流4h。反应结束后,将反应液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,去上层清液,浓缩得到深棕色液体19.07g,产率93.5%。
(2)化合物M1-2的合成
在N2保护下,将20.4g(100mmol)M1-1,0.45g(2mmol)醋酸钯,1.12g(4mmol)三环己基膦,27.64g(200mmol)碳酸钾,加入到三口烧瓶中,并加入400ml二甲基乙酰胺,166℃回流8h。反应结束后,将所得溶液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,浓缩有机相得黑色固体,用甲苯重结晶得到浅黄色固体10.34g,产率61.5%。MS(m/e):168.1。
1HNMR(δ,CDCl3):10.18(1H,s),8.64(1H,s),7.77(1H,s),7.58(1H,s),7.44-7.42(2H,d),7.12(1H,s),7.03(1H,s),
(2)化合物M1的合成
将16.8g(100mmol)M1-2加入到单口烧瓶中,加入200ml二氯甲烷,缓慢加入19.58g(110mmol)NBS,在室温下反应2h。反应结束后,直接将反应液过滤,得到类白色固体,用甲苯重结晶得到白色固体22.07g,产率89.7%。MS(m/e):246。1HNMR(δ,CDCl3):10.14(1H,s),8.61(1H,s),7.76-7.74(2H,d),7.40(1H,s),7.32(1H,s),7.26(1H,s)。
代表性合成路径:
合成例1:化合物P2的合成
(1)化合物怕P2-1的合成
在N2保护下,将24.6g(100mmol)M1,22.44g(110mmol)碘苯,0.38g(2mmol)CuI,0.72g(4mmol)邻菲罗啉,42.45g(200mmol)磷酸钾,加入到三口烧瓶中,并加入500ml二甲苯,145℃回流过夜。反应结束后,将所得溶液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,浓缩有机相,得到的粗产品用石油醚和二氯甲烷(PE:DCM=10:1)为流动相过柱子。得到白色固体粉末20.15g,产率为60.7%。MS(m/e):322。1HNMR(δ,CDCl3):8.63-8.61(1H,d),7.77-7.74(2H,m),7.42-7.40(1H,d),7.34-7.28(6H,m),7.27-7.24(1H,d)。
(2)化合物怕P2-2的合成
在N2保护下,将32.2g(100mmol)P2-1,1.46g(2mmol)Pd(dppf)Cl2,1.02g(4mmol)双戊酰二硼,19.6g(200mmol)KCOOCH3,加入到三口烧瓶中,并加入600ml1,4-二恶烷,101℃回流过夜。反应结束后,将所得溶液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,浓缩有机相,得到的粗产品用甲苯重结晶得到白色固体25.94g,产率70.1%。MS(m/e):370.2。1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.60(1H,d),7.77-7.75(1H,d),7.61-7.59(1H,d),7.42-7.39(2H,m),7.35-7.29(5H,m),7.12-7.11(1H,d),1.34-1.31(12H,m)。
(3)化合物怕P2-3的合成
在N2保护下,将37g(100mmol)P2-2,27.06g(110mmol)M1,2.31g(2mmol)四三苯基磷钯,2M磷酸钾溶液150ml,加入到三口烧瓶中,并加入300ml1,4-二恶烷,100℃回流过夜。反应结束后,将所得溶液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,浓缩有机相,得到的粗产品用石油醚和二氯甲烷(PE:DCM=5:1)为流动相过柱子。得到白色固体粉末22.80g,产率为55.6%。MS(m/e):410.1。1HNMR(δ,CDCl3):10.18(1H,s),8.63-8.61(2H,d),7.77-7.74(4H,m),7.49-7.47(2H,d),7.42-7.40(2H,d),7.34-7.28(6H,m),7.27-7.22(9H,d)。
(4)化合物怕P2的合成
在N2保护下,将8.2g(20mmol)P2-3,5.85g(22mmol)P2-4,5.53g(40mmol)碳酸钾,加入到三口烧瓶中,并加入60mlDMF,153℃回流过夜。反应结束后,将所得溶液冷却至室温,加入水及乙酸乙酯萃取,浓缩有机相,得到的粗产品用石油醚和二氯甲烷(PE:DCM=5:1)为流动相过柱子。得到白色固体粉末7.34g,产率为57.4%。MS(m/e):640.2。(1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.59(2H,d),7.76-7.72(4H,m),7.50-7.46(6H,d),7.45-7.44(2H,d),7.33-7.27(11H,m),7.26-7.24(2H,d),7.12(1H,s)
合成例2:化合物P5的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将P2-4的4-氯-2,6-二苯基嘧啶换成2-氯-4-苯基喹唑啉,得到产品8.32g,MS(m/e):614.2。(1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.59(2H,d),7.99-7.97(1H,d),7.76-7.72(6H,m),7.61-7.59(1H,d),7.50-7.46(4H,d),7.43-7.41(2H,d),7.33-7.27(9H,m),7.24-7.22(1H,d)。
合成例3:化合物P24的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成4-碘二苯并噻吩,得到产品6.98g,MS(m/e):720.2。(1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.59(2H,d),7.99-7.97(1H,d),7.90-7.88(1H,d),7.76-7.72(8H,m),7.61-7.59(1H,d),7.52-7.46(4H,m),7.43-7.41(2H,d),7.33-7.27(8H,m)7.24-7.22(1H,d)。
合成例4:化合物P26的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成1-溴咔唑,得到产品6.67g,MS(m/e):703.3。(1HNMR(δ,CDCl3):10.08(1H,s),8.61-8.59(2H,d),7.99-7.97(1H,d),7.76-7.72(6H,m),7.61-7.59(2H,d),7.53-7.51(1H,d),7.50-7.46(4H,m),7.42-7.40(3H,d),7.33-7.27(4H,m),7.24-7.22(1H,d),7.11-7.09(2H,d),7.03-7.01(2H,d)。
合成例5:化合物P33的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成9-(4-碘苯基)咔唑,得到产品6.98g,MS(m/e):779.3。(1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.59(2H,d),7.99-7.97(1H,d),7.76-7.72(6H,m),7.61-7.59(2H,d),7.53-7.51(1H,d),7.50-7.46(4H,m),7.42-7.40(3H,d),7.33-7.27(9H,m),7.24-7.22(1H,d),7.11-7.09(2H,d),7.03-7.01(2H,d)。
合成例6:化合物P35的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成2-溴-1,10-菲啰啉,得到产品7.84g,MS(m/e):716.2。(1HNMR(δ,CDCl3):8.85(1H,s),8.61-8.59(2H,d),8.03-8.00(3H,d),7.76-7.72(6H,m),7.70-7.68(1H,d),7.62-7.60(1H,d),7.50-7.46(4H,d),7.45-7.42(3H,m),7.33-7.27(5H,m),7.28(1H,s),7.24(1H,s)。
合成例7:化合物P46的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成9-(4-溴苯基)菲,得到产品6.88g,MS(m/e):790.3。(1HNMR(δ,CDCl3):8.97-8.94(2H,d),8.61-8.59(2H,d),8.18-8.16(2H,d),7.98-7.96(2H,d),7.92-7.89(2H,d),7.85-7.83(2H,d),7.76-7.72(6H,m),7.62-7.60(1H,d),7.52-7.46(6H,m),7.45-7.42(2H,d),7.33-7.27(6H,m),7.24(1H,s)。
合成例8:化合物P52的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将碘苯换成N-(4-碘苯基)-N-苯基苯胺,得到产品7.32g,MS(m/e):781.3。(1HNMR(δ,CDCl3):8.61-8.59(2H,d),7.98(1H,s),7.76-7.72(6H,m),7.62(1H,s),7.52-7.46(4H,m),7.45-7.42(2H,d),c 7.24(1H,s),7.03-6.99(6H,m),6.66-6.64(2H,d),6.50-6.46(6H,m)。
合成例9:化合物P85的合成
合成路线同化合物P2的合成,只是将P2-4的4-氯-2,6-二苯基嘧啶换成4′-(4-氯苯基)-2,2′:6′,2″-三联吡啶,得到产品7.95g,MS(m/e):717.3。(1HNMR(δ,CDCl3)8.63-8.59(4H,m),8.52-8.48(4H,m),7.76-7.72(4H,m),7.70-7.68(2H,d),7.55-7.52(2H,d),7.49-7.47(2H,d),7.45-7.42(2H,d),7.33-7.27(9H,m),7.12-7.10(2H,d)
合成例10:化合物P96的合成
合成路线同化合物P46的合成,只是将P2-4的4-氯-2,6-二苯基嘧啶换成4-(4-氯苯基)-2,6-二苯基嘧啶,得到产品6.98g,MS(m/e):892.3。(1HNMR(δ,CDCl3):8.97-8.94(2H,d),8.61-8.59(2H,d),8.18-8.16(2H,d),7.96(1H,s),7.92-7.89(2H,d),7.85-7.83(2H,d),7.76-7.72(4H,m),7.52-7.46(10H,m),7.45-7.42(2H,d),7.33-7.27(11H,m),7.26-7.23(2H,m),
本发明制备的有机电致发光器件的实施例:
以下对本发明的有机电致发光器件的发光层和有机电致发光器件进行说明。
本发明的有机电致发光器件的发光层,包括主体材料和染料:所述的主体材料采用本发明中的咔啉类化合物,所述的染料选用Ir(piq)3
本发明的有机电致发光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的阳极层、多个发光功能层和阴极层;
所述的发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层,所述的空穴注入层形成在所述的阳极层上,所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上,所述的阴极层形成在所述的电子传输层上,所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为发光层;所述的发光层为上述本发明的有机电致发光器件的发光层。
OLED有机电致发光器件的典型结构为:
基片/阳极/空穴传输层(HTL)/有机发光层(EL)/电子传输层(ETL)/阴极
上述“/”表示不同功能层之间按顺序层叠。
基片可以使用传统有机发光有机电致发光器件中的基板,例如:玻璃或塑料。阳极材料可以采用透明的高导电性材料,例如铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等。在实施例的有机电致发光器件制作中选用玻璃基板,ITO作阳极材料。
空穴传输层采用N,N’-二(3-甲苯基)-N,N’-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺(NPB)等三芳胺类材料。其中NPB是常用的空穴传输材料,在实施例的有机电致发光器件制作中所选用的空穴传输材料选用NPB。
有机电致发光器件结构可以为单发光层也可以是多发光层结构。本发明实施例中采用了单发光层的结构。
电子传输层采用Alq3或者TAZ或者TPBi或者取自这三种材料的任意两种的搭配。
在本发明实施例的有机电致发光器件制作中选用阴极材料是LiF/Al。
本发明中使用的几种材料具体结构见下:
上述有机电致发光材料,除P100之外都是本领域常用的材料,本领域人员基于公知方法可以自行制备或从化工市场购买。其中P100的化合物是中国专利申请201510145747中报道的化合物,可以根据该专利中披露的合成方法进行合成而得到。
另外下述实施例中使用的主体材料除CBP之外,均为发明人基于上述合成方法合成的化合物。
实施例:制作有机光电装置
本发明的化合物作为磷光OLED有机电致发光器件中的主体材料:
共制备12个有机电致发光器件(实施例1-10和对比实施例1-2)。
有机电致发光器件结构是在基片上,按照“阳极/空穴传输层(HTL)/有机发光层(EL)/电子传输层(ETL)/阴极”的顺序层叠,各层由以下材料构成:
ITO(150nm)/NPB(20nm)/主体材料(30nm):Ir(piq)3[5%]/TPBI(10nm)/Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)。
其中两个为对比有机电致发光器件,主体材料选用CBP或P100,其它10个有机电致发光器件选用本发明的材料。有机电致发光器件制备过程如下:将涂布了ITO(厚度150nm)透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理,在去离子水中冲洗,在丙酮:乙醇混合溶剂中超声除油,在洁净环境下烘烤至完全除去水份,用紫外光和臭氧清洗,并用低能阳离子束轰击表面;
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内,抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,在上述阳极层膜上真空蒸镀空穴传输层NPB,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀膜厚为20nm;
在空穴传输层之上真空蒸镀发光主体材料和染料,作为有机电致发光器件的发光层,蒸镀速率为0.1nm/s,蒸镀总膜厚为30nm;
在发光层之上依次真空蒸镀电子传输层TPBI和Alq3,其蒸镀速率均为0.1nm/s,蒸镀膜厚分别为10nm和15nm;
在电子传输层上真空蒸镀0.5nm的LiF,150nm的Al作为阴极。
对所得有机电致发光器件在相同亮度下测定驱动电压和电流效率,性能见表1。
表1:
由上表可以看到:(1)在磷光发光层中,采用本发明化合物作为主体材料的有机电致发光器件相对于采用CBP作为主体材料的有机电致发光器件获得了较好的效果,获得了更高的电流效率和较低的驱动电压;(2)由对比主体材料P100制造的有机电致发光器件,在要求1000cd/cm2的亮度下,其对应的驱动电压5.32V,对应的电流效率为10.2cd/A,而采用本发明的主体材料制造的有机电致发光器件,在同样的要求亮度下,其对应的电压最低能达到3.44V,效率最高可达20.6cd/A。原因是本发明材料采用的咔啉基团,通过对材料能级的调节,有利于电荷的注入,从而较CBP电压有了显著降低;选用的α-咔啉,特定位置的氮原子能通过分子内氢键实现分子构型的限定,使得化合物的平面性增加,提高了材料的电荷传输性能,最终显著提高了器件效率。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种化合物由通式(Ⅰ)表示:
式(I)中:
L1和L2分别独立选自单键、取代或未取代的C6~C60的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;
Ar1和Ar2分别独立选自取代或未取代的C6~C60的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂芳基或稠杂环芳烃基团、芳基胺基团或仲胺基团,并且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团;
所述L1、L2和Ar1、Ar2上的取代基团独立选自卤素、C1~C10的烷基或环烷基、烯基、C1~C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团。
2.根据权利要求1所述的通式化合物,其中:
L1和L2分别独立选自C6~C15的取代或未取代的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C15的取代或未取代的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;
Ar1和Ar2分别独立选自C6~C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团,并且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团;
上述的杂原子选自氮原子、硫原子或氧原子。
3.根据权利要求1或2所述的通式化合物,其中,Ar1和Ar2不同。
4.根据权利要求1或2所述的通式化合物,选自下述具体结构式:
5.根据权利要求1或2所述的通式化合物在有机电致发光器件中的应用。
6.根据权利要求4所述的结构化合物在有机电致发光器件中的应用。
7.一种有机电致发光器件,该器件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层,其特征在于,所述有机层中包括至少一种由通式(Ⅰ)表示的化合物:
式(I)中:
L1和L2分别独立选自单键、取代或未取代的C6~C60的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;
Ar1和Ar2分别独立选自取代或未取代的C6~C60的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的C5~C60的杂芳基或稠杂环芳烃基团、芳基胺基团或仲胺基团,并且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团;
所述L1、L2和Ar1、Ar2上的取代基团独立选自卤素、C1~C10的烷基或环烷基、烯基、C1~C6的烷氧基或硫代烷氧基基团、C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6~C30的单环芳烃或稠环芳烃基团。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述通式(Ⅰ)中:
L1和L2分别独立选自C6~C15的取代或未取代的亚芳基或稠环亚芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C15的取代或未取代的杂环亚芳基或稠杂环亚芳烃基团;
Ar1和Ar2分别独立选自C6~C30的取代或未取代的芳基或稠环芳烃基团、含有一个或多个杂原子的C5~C30的取代或未取代的杂芳基或稠杂环芳烃基团,并且Ar1和Ar2中至少有一个为缺电子基团;
上述的杂原子选自氮原子、硫原子或氧原子。
9.一种有机电致发光器件,该器件包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的一层或多层有机层,其特征在于,所述有机层中包括至少一种选自下述具体结构式的化合物:
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