CN109768149A - 显示设备 - Google Patents

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黄京旭
崔濬熙
朴正勋
韩周宪
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Samsung Electronics Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示设备。该显示设备包括：衬底；被配置为发射光的发光层，所述发光层包括设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层以及设置在有源层上的第二半导体层；以及多个颜色转换层，设置在发光层上并且被配置为根据从发光层发射的光发射特定颜色的光。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0148717的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的示例实施例涉及一种显示设备，并且更具体地涉及一种具有改进的光效率和颜色质量的高分辨率显示设备。
背景技术
液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器已广泛用作显示设备。近来，用于使用微型发光二极管(微型LED)制造高分辨率显示设备的技术已引起关注。然而，为了使用微型LED制造高分辨率显示设备，需要制造高效率的小型LED芯片，并且需要高度复杂的转移技术来将小型LED芯片布置在适当的位置处。
发明内容
一个或多个示例实施例提供了具有改进的光效率和颜色质量的高分辨率显示设备。
根据示例实施例的一方面，提供了一种显示设备，包括：衬底；发光层，被配置为发射光，所述发光层包括设置在所述衬底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二半导体层，并且被配置为发射光；以及多个颜色转换层，设置在所述发光层上并且被配置为根据从所述发光层发出的光发射预定颜色的光，其中所述发光层被设置为对应于所述多个颜色转换层。
所述显示设备还可以包括电连接到所述第一半导体层的至少一个第一电极以及电连接到所述第二半导体层的多个第二电极。
所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述第二电极之间的接触区域相邻的区域可以被蚀刻到预定深度或更小。
所述至少一个第一电极可以被设置为对应于所述多个颜色转换层中的至少一个，以形成公共电极，并且所述多个第二电极可以被设置为与所述多个颜色转换层一一对应。
所述多个第二电极可以分别连接到薄膜晶体管。
所述显示设备还可以包括：电流注入限制层，设置在所述第二半导体层上并且被配置为限制从所述多个第二电极注入到所述第二半导体层中的电流。
所述显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述第二电极之间的接触区域相邻的区域经由所述电流注入限制层的开口部分可以被蚀刻到预定深度或更小。
所述电流注入限制层可以包括绝缘膜。
所述电流注入限制层可以包括多层绝缘膜。
所述多层绝缘膜可以包括分别具有不同折射率的多个层。
所述电流注入限制层可以包括绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的金属反射层。
所述金属反射层可以包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层具有比所述第一金属层的反射率高的反射率。
所述电流注入限制层可以包括设置在所述第二半导体层上的金属反射层以及设置在所述金属反射层上的绝缘膜。
所述显示设备还可以包括：选择性透明绝缘层，设置在所述多个第二电极与所述多个颜色转换层之间，并且被配置为透射从所述发光层发射的光且反射从所述多个颜色转换层发射的光。
所述显示设备还可以包括：选择性屏蔽层，设置在所述多个颜色转换层上并被配置为屏蔽预定颜色的光。
所述显示设备还可以包括：光吸收层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间或设置在所述第一半导体层上。
所述显示设备还可以包括：折射率匹配层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间并且被配置为减少光的反射。
所述折射率匹配层可以包括氮化铝(AlN)。
所述显示设备还可以包括：光吸收构件，设置在所述衬底的与所述发光层相对的表面上。
所述第一半导体层可以包括n-GaN，所述第二半导体层可以包括p-GaN，并且所述有源层可以包括多量子阱(MQW)结构。
所述发光层可以被配置成产生蓝光。
所述多个颜色转换层可以包括被配置为通过被所述蓝光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述蓝光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为透射蓝光的蓝色透射层。
所述发光层可以被配置为产生紫外光。
所述多个颜色转换层可以包括被配置为通过被所述紫外光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述紫外光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为通过被所述紫外光激发而发射蓝光的蓝色转换层。
可以通过在所述衬底上顺序地生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层来形成所述发光层。
附图说明
从结合附图对示例实施例的以下描述中，上述和/或其他方面将变得清楚明白并且更容易理解，其中：
图1是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图2是图1的部分D的放大截面图；
图3是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图4是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图5是图4的部分E的放大截面图；
图6是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图7是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图8是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图9是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图10是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图11是示出了根据电流注入限制层的材料的反射率的曲线图；
图12是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图13是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图14是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图15是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图16是根据示例实施例的显示设备的截面图；
图17是根据示例实施例的显示设备的透视图；
图18是图17的显示设备的修改示例的透视图；以及
图19是图17的显示设备的示例电路配置的平面图。
具体实施方式
现在详细参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，贯穿附图类似的附图标记表示类似的元件。此外，为了便于解释和清楚起见，可以夸大附图中示出的每个层的尺寸。示例实施例可以具有不同形式，并且不应当被解释为受限于本文所阐明的描述。
在以下描述中，当构成元件被布置在另一构成元件的“上方”或“之上”时，该构成元件可以直接位于该另一构成元件上并且接触，或者以非接触方式位于该另一构成元件上，其中一个或多个元件可位于其间。
除非在上下文中另外明确指定，否则本说明书中的单数表达包括复数的表达。此外，诸如“包括”和/或“包含”之类的术语可以解释为表示构成元件，但是不可解释为排除一个或多个其他构成元件的存在或添加的可能性。
术语“一”、“一个”和“该”以及类似指示物的使用应被解释为涵盖单数和复数两者。诸如“......中的至少一个”之类的表述在元件列表之后时修饰整个元件列表，而不是修饰列表中的单独元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”应被理解为：仅包括a，仅包括b，仅包括c，包括a和b两者，包括a和c两者，包括b和c两者，或包括a、b和c的全部。
此外，可以按照任何适当顺序执行本文中描述的所有方法的步骤，除非本文中另外指出或者上下文另外明确地相反指示。本公开不限于所描述的步骤顺序。本文中提供的任何和所有示例或示例性语言(例如，“诸如(例如)”)的使用仅意在更好地阐述本发明构思且不对本公开的范围施加限制，除非另外声明。
图1是根据示例实施例的显示设备100的截面图。图2是图1的部分D的放大截面图。
参考图1和图2，显示设备100包括多个像素。在图1中，为了便于解释仅示出了两个像素，并且将理解，显示设备可以包括多于两个的像素。每个像素可以包括不同颜色的多个子像素。详细地，每个像素可以包括红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。
显示设备100可以包括衬底110、设置在衬底110上的发光层120以及设置在发光层120上的多个颜色转换层160R、160G和160B。
衬底110可以是用于在其上生长发光层120的生长衬底。衬底110可以包括由通用半导体工艺中使用的各种材料形成的衬底。例如，可以使用硅衬底或蓝宝石衬底作为衬底110。然而，示例实施例不限于此，并且各种其他材料可以用于衬底110。
发射蓝光B的发光层120设置在衬底110的上表面上。发光层120可以是基于无机的发光二极管(LED)层。可以通过在衬底110的上表面上顺序地生长第一半导体层121、有源层123和第二半导体层122来形成发光层120。
第一半导体层121可以设置在衬底110的上表面上。第一半导体层121可以包括例如n型半导体。然而，示例实施例不限于此，在一些情况下，第一半导体层121可以包括p型半导体。第一半导体层121可以包括基于III-V族的n型半导体，例如，n型氮化镓(n-GaN)。第一半导体层121可以具有单层或多层结构。
有源层123可以设置在第一半导体层121的上表面上。当电子和空穴彼此结合时，有源层123可以发射蓝光B。有源层123可以具有多量子阱(MQW)结构。然而，示例实施例不限于此，在一些情况下，有源层123可以具有单量子阱(SQW)结构。有源层123可以包括基于III-V族的半导体，例如氮化镓(GaN)。根据如图2所示的示例实施例，有源层123可以形成为二维(2D)薄膜形状。然而，示例实施例不限于此，并且有源层123可以通过使用掩模生长而形成为杆(rod)或金字塔结构的三维(3D)形状。
第二半导体层122可以设置在有源层123的上表面上。第二半导体层122可以包括例如p型半导体。然而，示例实施例不限于此，在一些情况下，第二半导体层122可以包括n型半导体。第二半导体层122可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。第二半导体层122可以具有单层或多层结构。
可以通过转换或透射从发光层120的有源层123发射的蓝光B而发射特定颜色的光的颜色转换层160R、160G和160B设置在发光层120上方。颜色转换层160R、160G和160B可以与生长在衬底110上的发光层120对应地设置。详细地说，颜色转换层160R、160G和160B可以包括红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B。红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B可以分别对应于红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。
红色转换层160R可以将从有源层123发射的蕊光B转换为红光R并发射红光R。红色转换层160R可以包括具有特定尺寸的量子点(QD)，其被蓝光B激发以发射红光R。QD可以具有包括核部分和壳部分的核-壳结构，并且可以具有不包括壳的微粒结构。核-壳结构可以具有单壳或多壳。多壳可以是例如双壳。
QD可以包括以下项中的至少一种：例如，基于II-VI族的半导体、基于III-V族的半导体、基于IV-VI族的半导体、基于IV族的半导体和石墨烯QD。例如，QD可以包括镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)和磷化铟(InP)中的至少一种，但是示例实施例不限于此。每个QD可以具有几十纳米或更小的直径，例如约10nm或更小。此外，红色转换层160R可以包括由从有源层123发射的蓝光B激发并发射红光R的磷光体。红色转换层160R还可以包括具有较高透射特性的光致抗蚀剂或光散射剂以更均匀地发射红光R。
绿色转换层160G可以将从有源层123发射的蓝光B转换为绿光G并发射绿光G。绿色转换层160G可以包括具有特定尺寸的QD，被蓝光B激发并发射绿光G。此外，绿色转换层160G可以包括由从有源层123发射的蓝光B激发并发射绿光G的磷光体。绿色转换层160G还可以包括光致抗蚀剂或光散射剂。
蓝色透射层160B可以透射从有源层123发射的蓝光B以发射到外部。蓝色透光层160B还可以包括光致抗蚀剂或光散射剂。可以在红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B之间设置用于吸收光的黑色矩阵170。黑色矩阵170可以分别防止红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B之间的串扰，以提高对比度。
发光层120可以包括电连接到第一半导体层121的第一电极131和电连接到第二半导体层122的多个第二电极132。当第一半导体层121和第二半导体层122分别包括n型半导体和p型半导体时，第一电极131和第二电极132可以分别是n型电极和p型电极。
第一电极131可以用作子像素SR、SG和SB的公共电极。例如，通过依次蚀刻第二半导体层122、有源层123和第一半导体层121，可以在发光层120中将用于暴露第一半导体层121的凹槽120a形成到一定深度。第一电极131可以被设置为接触经由凹槽120a暴露的第一半导体层121。用于使第一电极131与第一半导体层121和有源层123绝缘的绝缘材料可以设置在凹槽120a的内壁中。
图1示出了其中第一电极131被设置为共同对应于六个子像素SR、SG和SB的示例实施例。然而，示例实施例不限于此，并且与单个第一电极131对应的子像素SR、SG和SB的数量可以变化。第一电极131可以包括具有较高导电率的金属。
第二电极132可以设置在第二半导体层122上。第二电极132可以被设置为与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层160R、160G和160B)一一对应。第二电极132可以设置在红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B中的每一个的下方。第二电极132可以包括透明导电材料。例如，第二电极132可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、银(Ag)、金(Au)、石墨烯或纳米线。然而，示例实施例不限于此。
电连接到第二电极132的多个薄膜晶体管(TFT)140可以设置在第二半导体层122上。TFT 140选择性地驱动子像素SR、SG和SB中的至少一个。TFT 140可以设置在黑色矩阵170下方。
用于防止从第二电极132注入到第二半导体层122中的电流侧向流动的蚀刻区域125可以在第二半导体层122中形成到一定深度。可以通过将第二半导体层122和第二电极132之间的接触区域周围的区域蚀刻到一定深度或更小深度来形成蚀刻区域125。绝缘材料可以设置在蚀刻区域125中。蚀刻区域125可以形成为例如第二半导体层122的厚度的1/2或2/3的深度，但是示例实施例不限于此。绝缘层150可以设置为覆盖第二电极132和TFT 140。
根据图1所示的示例性实施例，例如，当对应于红色子像素SR的TFT 140中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极131与对应于红色子像素SR的其中一个第二电极132之间施加特定电压时，从位于红色转换层160R下方的有源层123发射出蓝光B。当如上发射的蓝光B入射到红色转换层160R上时，红色转换层160R向外部发射红光R。此外，例如，当对应于绿色子像素SG的TFT 140中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极131与对应于绿色子像素SG的其中一个第二电极132之间施加特定电压时，从位于绿色转换层160G下方的有源层123发射出蓝光B。当如上发射的蓝光B入射到绿色转换层160G上时，绿色转换层160G向外部发射绿光G。
例如，当对应于蓝色子像素SB的TFT 140中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极131与对应于蓝色子像素SB的其中一个第二电极132之间施加特定电压时，从位于蓝色透射层160B下方的有源层123发射出蓝光B。从有源层123发射的蓝光B透射通过蓝色透射层160B以发射到外部。图2示出了分别从红色转换层160R、绿色转换层160G和蓝色透射层160B向外部发射红光R、绿光G和蓝光B的示例实施例。
为了实现高分辨率显示设备，可能需要分别制造与子像素对应的更小的LED芯片，并且需要将更小的LED芯片转移到适当的位置。在这种情况下，由于对于每个子像素而言，作为发射区域的有源层彼此分离，因此有源层的曝光面积增加，并且因此光效率可能会劣化。另外，将小型LED芯片转移到精确位置的过程可能需要更复杂的转移技术。在根据示例实施例的显示设备中，由于对应于一个发光层(详细地说，有源层)提供了多个子像素，因此针对每个子像素，作为发光区域的有源层可以不彼此分离，这可提高光效率。此外，由于第二半导体层和第二电极之间的接触区域周围的部分可以被蚀刻到一定深度或更小，所以可以防止或减少从第二电极注入的电流侧向流动。此外，由于发光层通过生长直接形成在衬底上，所以转移过程可能不太困难。
图3是根据示例实施例的显示设备200的截面图。
参考图3，显示设备200可以包括衬底210、设置在衬底210上的发光层220以及设置在发光层220上的颜色转换层260R、260G和260B。例如，硅衬底或蓝宝石衬底可以用作衬底210，但是示例实施例不限于此。
发射紫外线(UV)的发光层220可以设置在衬底210上。发光层220可以是基于无机材料的LED层。通过依次生长第一半导体层221、有源层223和第二半导体层222，可以在衬底210的上表面上形成发光层220。
设置在衬底210的上表面上的第一半导体层221可以包括例如n型半导体。例如，第一半导体层221可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。当电子和空穴彼此结合时，设置在第一半导体层221的上表面上的有源层223可以产生紫外线。有源层223可以具有例如MQW结构。有源层223可以包括基于III-V族的半导体，例如GaN。设置在有源层223的上表面上的第二半导体层222可以包括例如p型半导体。第二半导体层222可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。
通过转换从有源层223发射的紫外线而发射特定颜色的光的颜色转换层260R、260G和260B设置在发光层220上方。颜色转换层260R、260G和260B可以与单个发光层220对应地设置。颜色转换层260R、260G和260B可以包括红色转换层260R、绿色转换层260G和蓝色转换层260B。红色转换层260R、绿色转换层260G和蓝色转换层260B可以分别对应于红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。
红色转换层260R可以将从有源层223发射的紫外线转换为红光R并发射红光R。红色转换层260R可以包括具有特定尺寸的QD并且QD通过被紫外线激发而发射红光R。例如，QD可以具有核-壳结构。QD可以包括例如基于II-VI族的半导体、基于III-V族的半导体、基于IV-VI族的半导体、基于IV族的半导体和石墨烯QD中的至少一种。例如，QD可以包括Cd、Se、Zn、S和InP中的至少一种，但是示例实施例不限于此。绿色转换层260G可以将从有源层223发射的紫外线转换为绿光G并发射绿光G。绿色转换层260G可以包括具有特定尺寸的QD并且QD通过被紫外线激发而发射绿光G。蓝色转换层260B可以将从有源层223发射的紫外线转换为蓝光B并发射蓝光B。蓝色转换层260B可以包括具有特定尺寸的QD并且QD通过被紫外线激发而发射蓝光B。可以分别在红色转换层260R、绿色转换层260G和蓝色转换层260B之间设置用于吸收光的黑色矩阵270。
发光层220可以包括电连接到第一半导体层221的第一电极和电连接到第二半导体层222的多个第二电极232。当第一半导体层221和第二半导体层222分别包括n型半导体和p型半导体时，第一电极和第二电极232可以分别是n型电极和p型电极。
如上所述，第一电极可以用作相对于子像素SR、SG和SB的公共电极。例如，用于暴露第一半导体层221的凹槽可以在发光层220中形成到一定深度。第一电极可以设置为接触通过凹槽暴露的第一半导体层221。共同对应于第一电极的子像素SR、SG和SB的数量可以变化。
第二电极232可以设置在第二半导体层222中，以与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层260R、260G和260B)一一对应。第二电极232可以包括透明导电材料。此外，电连接到第二电极232的多个TFT 240可以设置在第二半导体层222上。
可以在第二半导体层222中将用于防止从第二电极232注入到第二半导体层222中的电流侧向流动的蚀刻区域225形成到一定深度。可以通过将第二半导体层222和第二电极232之间的接触区域周围的区域蚀刻到一定深度或更小深度来形成蚀刻区域225。可以设置绝缘层以覆盖第二电极232和TFT 240。
根据如图3所示的示例实施例，例如，当对应于红色子像素SR的TFT 240中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极和对应于红色子像素SR的其中一个第二电极232之间施加特定电压时，从位于红色转换层260R下方的有源层223发射出紫外线。当如上所述从有源层223发射的紫外线入射到红色转换层260R上时，红色转换层260R向外部发射红光R。此外，例如，当对应于绿色子像素SG的TFT 240被驱动并且在作为公共电极的第一电极和对应于绿色子像素SG的第二电极232之间施加特定电压时，从位于绿色转换层260G下方的有源层223发射出紫外线。当如上所述从有源层223发射的紫外线入射到绿色转换层260G上时，绿色转换层260G向外部发射绿光G。
例如，当对应于蓝色子像素SB的TFT 240被驱动并且在作为公共电极的第一电极和对应于蓝色子像素SB的第二电极232之间施加特定电压时，从位于蓝色转换层260B下方的有源层223发射出紫外线。当如上发射的紫外线入射到蓝色转换层260B上时，蓝色转换层260B向外部发射蓝光B。图3示出了分别从红色转换层260R、绿色转换层260G和蓝色转换层260B向外部发射红光R、绿光G和蓝光B的示例实施例。
在根据示例实施例的显示设备200中，如图3所示，由于子像素SR、SG和SB被设置为与单个发光层220对应，所以作为发光区域的有源层223不被分成子像素SR、SG和SB，因此可以提高光效率。
图4是根据示例实施例的显示设备300的截面图。图5是图4的部分E的放大截面图。
参考图4和图5，显示设备300可以包括多个像素，并且多个像素中的每一个可以包括红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。发光层320设置在衬底310上，并且多个颜色转换层360R、360G和360B设置在发光层320上。
用于生长的衬底(例如，硅衬底或蓝宝石衬底)可以用作衬底310。用于发射蓝光B的发光层320设置在衬底310的上表面上。可以通过在衬底310的上表面上顺序地生长第一半导体层321、有源层323和第二半导体层322来形成发光层320。
设置在衬底310的上表面上的第一半导体层321可以包括例如n型半导体。第一半导体层321可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。当电子和空穴彼此结合时，设置在第一半导体层321的上表面上的有源层323可以产生蓝光B。有源层323可以具有例如MQW结构。有源层323可以形成为2D薄膜形状或3D形状。第二半导体层322可以设置在有源层323的上表面上。第二半导体层322可以包括例如p型半导体。第二半导体层322可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。
通过从发光层320的有源层323发射的蓝光B而发射特定颜色的光的颜色转换层360R、360G和360B设置在发光层320上方。颜色转换层360R、360G和360B可以与单个发光层320对应地设置并且从衬底310生长。例如，颜色转换层360R、360G和360B可以包括红色转换层360R、绿色转换层360G和蓝色透射层360B。红色转换层360R、绿色转换层360G和蓝色透射层360B可以分别对应于红色子像素SR、绿色子像素SG和蓝色子像素SB。
红色转换层360R可以将从有源层323发射的蓝光B转换为红光R并发射红光R。红色转换层360R可以包括具有特定尺寸的QD或磷光体。绿色转换层360G可以将从有源层323发射的蓝光B转换为绿光G并发射绿光G。绿色转换层360G可以包括具有特定尺寸的QD或磷光体。蓝色透射层360B可以透射从有源层323发射的蓝光B以发射到外部。可以分别在红色转换层360R、绿色转换层360G和蓝色透射层360B之间设置用于吸收光的黑色矩阵370。
发光层320可以包括电连接到第一半导体层321的第一电极331和电连接到第二半导体层322的多个第二电极332。当第一半导体层321和第二半导体层322分别包括n型半导体和p型半导体时，第一电极331和第二电极332可以分别是n型电极和p型电极。
第一电极331可以用作关于子像素SR、SG和SB的公共电极。例如，通过依次蚀刻第二半导体层322、有源层323和第一半导体层321，可以在发光层320中将用于暴露第一半导体层321的凹槽320a形成到一定深度。第一电极331可以被设置为接触经由凹槽320a暴露的第一半导体层321。用于使第一电极331与第一半导体层321和有源层323绝缘的绝缘材料可以设置在凹槽320a的内壁中。
图4示出了第一电极331被设置为共同对应于所有六个子像素SR、SG和SB的示例实施例。然而，示例实施例不限于此，并且共同对应于单个第一电极331的子像素SR、SG和SB的数量可以变化。
第二电极332可以设置在第二半导体层322上。第二电极332可以被设置为与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层360R、360G和360B)一一对应。每个第二电极332可以分别设置在红色转换层360R、绿色转换层360G和蓝色透射层360B下方。第二电极332可以包括透明导电材料。例如，第二电极332可以包括ITO、ZnO、IZO、Ag、Au、石墨烯或纳米线。电连接到第二电极332的多个TFT 340设置在第二半导体层322上。TFT 340可以设置在黑色矩阵370下方。
用于限制从第二电极332注入到第二半导体层322中的电流的电流注入限制层337可以设置在第二半导体层322上。从位于颜色转换层360R、360G和360B中的至少一个下方的有源层323发射的蓝光B可以侧向行进。在这种情况下，由于不期望颜色的光可能从邻近颜色转换层360R、360G和360B发射到外部，所以颜色质量可能会劣化。
为了防止或减少不期望的颜色被发射，在示例实施例中，可以在第二半导体层322上设置电流注入限制层337。电流注入限制层337可以减小第二半导体层322与第二电极332之间的接触面积。在这种情况下，由于电流注入限制层337，因此第二半导体层322与第二电极332之间的接触面积可以具有比每个颜色转换层360R、360G和360B更小的面积，并且与每个颜色转换层360R、360G和360B的中心部分对应。由于电流注入限制层337，从第二电极332注入到第二半导体层322中的电流可受到限制。因此，从位于颜色转换层360R、360G和360B中的至少一个下方的有源层323发射的蓝光B的发射区域可以减小。因此，可以减少或防止：当从位于颜色转换层360R、360G和360B中的至少一个下方的有源层323发射的蓝光B行进到颜色转换层360R、360G和360B中的相邻一个时发生的颜色质量劣化，从而发射不期望的颜色的光。
电流注入限制层337可以包括具有特定厚度的绝缘膜。绝缘膜可以包括例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al2O3)或氧化钛(TiO2)，但是示例实施例不限于此。
用于防止从第二电极332注入到第二半导体层322中的电流侧向流动的蚀刻区域325可以在第二半导体层322中形成到一定深度。可以通过将第二半导体层322与第二电极332之间的接触区域周围的区域通过电流注入限制层337的开口部分蚀刻到一定深度或更小来形成蚀刻区域325。蚀刻区域325可以设置有绝缘材料。可以设置绝缘层350以覆盖第二电极332、TFT 340和电流注入限制层337。
光吸收构件380可以进一步设置在衬底310的下表面上。光吸收构件380可以吸收从有源层323发射并透射过衬底310的蓝光B，由此减少或防止蓝光B从衬底310的下表面反射并向衬底310的上部行进。光吸收构件380可以包括具有类似于衬底310的折射率的材料。例如，光吸收构件380可以包括基于聚合物的材料。
图5示出了从红色转换层360R发射红光R的示例实施例。参考图5，当对应于红色子像素SR的TFT 340中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极331与对应于红色子像素SR的其中一个第二电极332之间施加特定电压时，从位于红色转换层360R下方的有源层323发射出蓝光B。当如上所述从有源层323发射的蓝光B入射到红色转换层360R上时，红色转换层360R向外部发射红光R。在这种情况下，由于通过电流注入限制层337减小了第二半导体层322与第二电极332之间的接触面积，所以从位于红色转换层360R下方的有源层323发射的蓝光B的发射面积减小。因此，可以减少或防止从位于红色转换层360R下方的有源层323发射的蓝光B行进到绿色转换层360G或蓝色转换层360B时发生的不期望颜色的光的发射。此外，由于从有源层323发射并透射过衬底310的蓝光B可以被设置在衬底310的下表面上的光吸收构件380吸收，所以可以减少或防止蓝光B从衬底310的下表面反射并向衬底310的上部行进。由于第二半导体层322与第二电极332之间的接触区域周围的部分被蚀刻到一定深度或更小，所以可以减少或防止从第二电极332注入到第二半导体层322中的电流侧向流动。
图6是根据示例实施例的显示设备300′的截面图。图6的显示设备300′与图5的显示设备300基本相同，除了在第二半导体层322中没有形成图5的蚀刻区域325之外。
图7是根据示例实施例的显示设备400的截面图。图7的显示设备400与图5的显示设备300基本相同，除了图7的显示设备400包括选择性透明绝缘层410和选择性屏蔽层420之外。
参考图7，选择性透明绝缘层410可以设置在第二电极332与颜色转换层360R、360G和360B之间。选择性透明绝缘层410可以透射从发光层320的有源层323发射的蓝光B并且反射从颜色转换层360R、360G和360B发射的光。选择性透明绝缘层410可以具有含有不同折射率的多层结构。
用于屏蔽特定颜色的光的选择性屏蔽层420可以进一步设置在颜色转换层360R和360G上。例如，选择性屏蔽层420可以设置在红色转换层360R和绿色转换层360G上，并且可以包括用于防止从有源层323发射的蓝光B发射到外部的蓝色截止滤光片。选择性屏蔽层420可以包括例如树脂或多层绝缘膜。
图7示出了分别从红色转换层360R和绿色转换层360G发射红光R和绿光G的示例实施例。参考图7，可以从位于红色转换层360R和绿色转换层360G下方的有源层323发射蓝光B，然后如上所述从有源层323发射的蓝光B可以透射过选择性透明绝缘层410并入射在红色转换层360R和绿色转换层360G上。因此，可以分别从红色转换层360R和绿色转换层360G发射红光R和绿光G。红光R和绿光G可以通过选择性屏蔽层420被发射到外部。
图8是根据示例实施例的显示设备500的截面图。图8的显示设备500与图5的显示设备300基本相同，除了图8的显示设备500还包括光吸收层510之外。
参考图8，光吸收层510可以设置在衬底310与第一半导体层321之间。光吸收层510可以吸收从有源层323发射的蓝光B。光吸收层510可以包括例如碳纳米管(CNT)、石墨烯、氮化镓铝(AlGaN)、氮化铟镓(InGaN)、InGaN/GaN超晶格、AlGaN/GaN超晶格、氮化钛(TiN)、钨氮化物(WN)或氮化硼(BN)，但是本公开不限于此。
图8示出了从红色转换层360R发射红光R的示例实施例。参考图8，从位于红色转换层360R下方的有源层323发射蓝光B，并且如上所述从有源层323发射的蓝光B入射在红色转换层360R上以产生并发射红光R。从有源层323发射并且向衬底310行进的蓝光B可以被设置在衬底310与第一半导体层321之间的光吸收层510吸收。如图7所示，可以在第二电极322与颜色转换层360R、360G和360B之间进一步设置选择性透明绝缘层，并且可以在颜色转换层360R、360G和360B上进一步设置选择性屏蔽层。图8示出了光吸收层510设置在衬底310与第一半导体层321之间的示例实施例，而光吸收层510可以设置在第一半导体层321中。
根据如图7所示的示例实施例，可以在衬底310与第一半导体层321之间设置折射率匹配层390。折射率匹配层可以通过使用衬底310与第一半导体层321之间的折射率的差异来减少在衬底310与第一半导体层321之间反射的蓝光B的量。折射率匹配层390可以包括例如AIN。在这种情况下，可以通过在衬底310上沉积AIN至特定厚度(例如，约10nm至约150nm)来形成折射率匹配层390。然而，示例实施例不限于此。
图9是根据示例实施例的显示设备600的截面图。图9的显示设备600与图5的显示设备300基本相同，除了从有源层623发射紫外线之外。
参考图9，发光层620设置在衬底610上，并且多个颜色转换层660R、660G和660B设置在发光层620上方。可以通过在衬底610的上表面上依次生长第一半导体层621、有源层623和第二半导体层622来形成发光层620。
第一半导体层621可以包括例如n型半导体。例如，第一半导体层621可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。当电子和空穴彼此结合时，有源层623可以产生紫外线。有源层623可以具有例如MQW结构。第二半导体层622可以包括例如p型半导体。详细地，第二半导体层622可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。
用于通过从有源层623发射的紫外线而发射特定颜色的光的颜色转换层660R、660G和660B(即，红色转换层660R、绿色转换层660G和蓝色转换层660B)设置在发光层620上方。红色转换层660R可以将从有源层623发射的紫外线转换为红光R并且可以发射红光R。绿色转换层660G可以将从有源层623发射的紫外线转换为绿光G并且可以发射绿光G。蓝色转换层660B可以将从有源层623发射的紫外线转换为蓝光B并且可以发射蓝光B。可以分别在红色转换层660R、绿色转换层660G和蓝色转换层660B之间设置用于吸收光的黑色矩阵670。
发光层620可以包括电连接到第一半导体层621的第一电极和电连接到第二半导体层622的多个第二电极632。如上所述，第一电极可以用作相对于子像素SR、SG和SB的公共电极。共同对应于第一电极的子像素SR、SG和SB的数量可以变化。第二电极632可以设置在第二半导体层622上，以与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层660R、660G和660B)一一对应。电连接到第二电极632的多个TFT 640可以设置在第二半导体层622上。
用于限制从第二电极632注入到第二半导体层622中的电流的电流注入限制层637可以设置在第二半导体层622上。电流注入限制层637可以通过减小第二半导体层622与第二电极632之间的接触面积来减少或防止不期望颜色的光的发射。电流注入限制层637可以包括具有特定厚度的绝缘膜。绝缘膜可以包括例如SiO2、SiN、Al2O3或TiO2。可以设置绝缘层650以覆盖第二电极632、TFT 640和电流注入限制层637。
光吸收构件680可以进一步设置在衬底610的下表面上。当光吸收构件680吸收从有源层623发射并透射过衬底610的紫外线时，可以减少或防止紫外线从衬底610的下表面反射并向衬底610的上部行进。
用于减少或防止从第二电极632注入到第二半导体层622中的电流侧向流动的蚀刻区域625可以在第二半导体层622中形成到一定深度。可以通过蚀刻第二半导体层622与第二电极632之间的接触区域周围的区域来形成蚀刻区域625。图9示出了从有源层623发射紫外线并且因此分别从红色转换层660R、绿色转换层660G和蓝色转换层660B向外部发射红光R、绿光G和蓝光B的示例实施例。
图9的显示设备600还可以包括第二电极632与颜色转换层660R、660G和660B之间的选择性透明绝缘层，并且用于屏蔽特定颜色的光的选择性屏蔽层可以进一步设置在颜色转换层660R、660G和660B上。选择性透明绝缘层和选择性屏蔽层可以类似于图7中所示的选择性透明绝缘层和选择性屏蔽层。选择性屏蔽层可以包括例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。此外，还可以在衬底610与第一半导体层621之间或在第一半导体层621中设置光吸收层，并且还可以在衬底610与第一半导体层621之间设置折射率匹配层690。
图10是根据示例实施例的显示设备700的截面图。图10的显示设备700与图5的显示设备300基本相同，除了电流注入限制层738由多层绝缘膜形成之外。
参考图10，发光层720设置在衬底710上，并且多个颜色转换层760R、760G和760B设置在发光层720上方。可以通过在衬底710的上表面上顺序地生长第一半导体层721、有源层723和第二半导体层722来形成发光层720。
第一半导体层721可以包括例如n型半导体。例如，第一半导体层721可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。当电子和空穴彼此结合时，有源层723可以产生蓝光B。有源层723可以具有例如MQW结构。第二半导体层722可以包括例如p型半导体。例如，第二半导体层722可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。
用于通过转换或透射从有源层723发射的蓝光B而发射特定颜色的光的颜色转换层760R、760G和760B(即，红色转换层760R、绿色转换层760G和蓝色透射层760B)设置在发光层720上方。红色转换层760R可以将从有源层723发射的蓝光B转换为红光R并发射红光R。绿色转换层760G可以将从有源层723发射的蓝光B转换为绿光G并发射绿光G。蓝色透射层760B可以透射从有源层723发射的蓝光B并发射蓝光B。可以在红色转换层760R、绿色转换层760G和蓝色透射层760B之间设置用于吸收光的黑色矩阵770。
发光层720可以包括电连接到第一半导体层721的第一电极和电连接到第二半导体层722的多个第二电极732。第一电极可以用作关于子像素SR、SG和SB的公共电极。共同对应于第一电极的子像素SR、SG和SB的数量可以变化。第二电极732可以设置在第二半导体层722上，以与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层760R、760G和760B)一一对应。电连接到第二电极732的多个TFT 740可以设置在第二半导体层722上。
用于限制从第二电极732注入到第二半导体层722中的电流的电流注入限制层738可以设置在第二半导体层722上。电流注入限制层738可以通过减小第二半导体层722与第二电极732之间的接触面积来减少或防止不期望颜色的光的发射。
电流注入限制层738可以包括多层绝缘膜，该多层绝缘膜具有含有不同折射率的多层结构。绝缘膜可以包括例如SiO2、SiN、Al2O3或TiO2。如图10所示，由多层绝缘膜形成的电流注入限制层738可以反射从有源层723发射并且侧向行进的蓝光B。
图11是示出了根据电流注入限制层的材料的反射率的曲线图。在图11中，“C1”表示从有源层发射的蓝光的波长。“C2”表示具有约200nm的厚度的SiO2单层相对于从有源层发射的蓝光的反射率。“C3”表示多层绝缘膜相对于从有源层发射的蓝光的反射率。参考图11，可以看出，当电流注入限制层738由多层绝缘膜形成时，电流注入限制层738可以相对于从有源层723发射的蓝光B具有较高的反射率。
可以设置绝缘层750以覆盖第二电极732、TFT 740和电流注入限制层738。光吸收构件780可以进一步设置在衬底710的下表面上。光吸收构件780可以通过吸收从有源层723发射并且透射过衬底710的蓝光B来防止蓝光B从衬底710的下表面反射并且向衬底710的上部行进。用于减少或防止从第二电极732注入到第二半导体层722中的电流侧向流动的蚀刻区域725可以在第二半导体层722中形成到一定深度。蚀刻区域725可以形成为围绕第二半导体层722与第二电极732之间的接触区域。
图10示出了从设置在红色转换层760R下方的有源层723发射蓝光B并且从红色转换层760R发射红光R的示例实施例。参考图10，当对应于红色子像素SR的TFT 740中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极与对应于红色子像素SR的其中一个第二电极732之间施加特定电压时，从位于红色转换层760R下方的有源层723发射出蓝光B。当从有源层723发射的蓝光B入射到红色转换层760R上时，红色转换层760R向外部发射红光R。
根据如图10所示的示例实施例，由于通过电流注入限制层738减小了第二半导体层722与第二电极732之间的接触面积，所以从位于红色转换层760R下方的有源层723发射的蓝光B的发射面积减小。因此，可以减少或防止从位于红色转换层760R下方的有源层723发射的蓝光B行进到绿色转换层760G或蓝色转换层760B时发生的不期望颜色的光的发射。此外，由多层绝缘膜形成的电流注入限制层738可以有效地减少或防止从设置在红色转换层760R下方的有源层723发射的蓝光B向绿色转换层760G或蓝色转换层760B行进。
由于从有源层723发射并透射过衬底710的蓝光B可以被设置在衬底710的下表面上的光吸收构件780吸收，所以可以减少或防止蓝光B从衬底710的下表面反射并向衬底710的上部行进。由于蚀刻区域725在第二半导体层722与第二电极732之间的接触区域周围形成到一定深度，所以可以减少或防止从第二电极732注入到第二半导体层722中的电流侧向流动。
图12是根据示例实施例的显示设备800的截面图。图12的显示设备800与图10的显示设备700基本相同，除了图12的显示设备800包括选择性透明绝缘层810和选择性屏蔽层820之外。
参考图12，选择性透明绝缘层810可以设置在第二电极732与颜色转换层760R、760G和760B之间。选择性透明绝缘层810可以透射从发光层720的有源层723发射的蓝光B并且反射从颜色转换层760R、760G和760B发射的光。选择性透明绝缘层810可以具有含有不同折射率的多层结构。
用于屏蔽特定颜色的光的选择性屏蔽层820可以进一步设置在颜色转换层760R和760G上。例如，选择性屏蔽层820设置在红色转换层760R和绿色转换层760G上，并且可以包括用于防止从有源层723发射的蓝光B发射到外部的蓝色截止滤光片。选择性屏蔽层820可以包括例如树脂或多层绝缘膜。
图13是根据示例实施例的显示设备900的截面图。图13的显示设备900与图10的显示设备700基本相同，除了图13的显示设备900还包括光吸收层910之外。
参考图13，光吸收层910可以设置在衬底710与第一半导体层721之间。光吸收层910可以吸收从有源层723发射的蓝光B。可以在第二电极732与颜色转换层760R、760G和760B之间进一步设置选择性透明绝缘层，并且可以在颜色转换层760R、760G和760B上进一步设置选择性屏蔽层。虽然图12示出了光吸收层910设置在衬底710与第一半导体层721之间的示例实施例，但是光吸收层910可以设置在第一半导体层721中。折射率匹配层790可以设置在衬底710与第一半导体层721之间。折射率匹配层790可以通过使用衬底710与第一半导体层721之间的折射率的差异来减少在衬底710与第一半导体层721之间反射的蓝光B的量。
在图10、图12和图13的显示设备700、800和900中，从有源层723发射蓝光B。然而，可以从有源层723发射紫外线。
图14是根据示例实施例的显示设备1000的截面图。图14的显示设备1000与图5的显示设备300基本相同，除了电流注入限制层1036包括绝缘膜1037和金属反射层1038之外。
参考图14，发光层1020设置在衬底1010上，并且多个颜色转换层1060R、1060G和1060B设置在发光层1020上方。可以通过在衬底1010的上表面上顺序地生长第一半导体层1021、有源层1023和第二半导体层1022来形成发光层1020。
第一半导体层1021可以包括例如n型半导体。例如，第一半导体层1021可以包括基于III-V族的n型半导体，例如n-GaN。当电子和空穴彼此结合时，有源层1023可以产生蓝光B。有源层1023可以具有例如MQW结构。第二半导体层1022可以包括例如p型半导体。例如，第二半导体层1022可以包括基于III-V族的p型半导体，例如p-GaN。
用于通过从有源层1023发射的蓝光B而发射特定颜色的光的多个颜色转换层1060R、1060G和1060B(即，红色转换层1060R、绿色转换层1060G和蓝色透射层1060B)设置在发光层1020上。红色转换层1060R可以将从有源层1023发射的蓝光B转换为红光R并发射红光R。绿色转换层1060G可以将从有源层1023发射的蓝光B转换为绿光G并发射绿光G。蓝色透射层1060B可以透射并发射从有源层1023发射的蓝光B。可以在红色转换层1060R、绿色转换层1060G和蓝色透射层1060B之间设置用于吸收光的黑色矩阵1070。
发光层1020可以包括电连接到第一半导体层1021的第一电极和电连接到第二半导体层1022的多个第二电极1032。第一电极可以用作关于子像素SR、SG和SB的公共电极。共同对应于第一电极的子像素SR、SG和SB的数量可以不同地变化。第二电极1032可以设置在第二半导体层1022上，以与子像素SR、SG和SB(即，颜色转换层1060R、1060G和1060B)一一对应。电连接到第二电极1032的多个TFT 1040设置在第二半导体层1022上。
用于限制从第二电极1032注入到第二半导体层1022中的电流的电流注入限制层1036可以设置在第二半导体层1022上。电流注入限制层1036可以通过减小第二半导体层1022与第二电极1032之间的接触面积来减少或防止不期望颜色的光的发射。
电流注入限制层1036可以包括绝缘膜1037和设置在绝缘膜1037上的金属反射层1038。绝缘膜1037可以包括例如SiO2、SiN、Al2O3或TiO2，但是示例实施例不限于此。金属反射层1038可以反射从有源层1023发射的蓝光B和从颜色转换层1060R、1060G和1060B发射的光。金属反射层1038可以包括例如Ag、Al、铬(Cr)或镍(Ni)。
金属反射层1038可以包括由不同材料形成的多层结构。例如，金属反射层1038可以包括第一金属层和设置在第一金属层上并具有比第一金属层的反射率大的反射率的第二金属层。例如，第一金属层可以包括具有相对较低反射率的金属材料，例如Cr、Ni或Ti，而第二金属层可以包括具有相对较高反射率的金属材料，例如Ag或Al。这样，当金属反射层1038由具有低反射率的第一金属层和第一金属层上具有高反射率的第二金属层形成时，可以通过第一金属层减少从有源层1023发射的光的反射，从而增加了光损失，并且可以通过第二金属层增加从颜色转换层1060R、1060G和1060B发射的光的反射，从而提高光效率。
可以设置绝缘层1050以覆盖第二电极1032、TFT 1040和电流注入限制层1036。光吸收构件1080可以进一步设置在衬底1010的下表面上。光吸收构件1080吸收从有源层1023发射并透射过衬底1010的蓝光B，因此，可以减少或防止蓝光B从衬底1010反射并向衬底1010的上部行进。用于减少或防止从第二电极1032注入到第二半导体层1022中的电流侧向流动的蚀刻区域1025可以在第二半导体层1022中形成到一定深度。可以通过将第二半导体层1022和第二电极1032之间的接触区域周围的区域蚀刻到一定深度或更小深度来形成蚀刻区域1025。
图14示出了其中从设置在红色转换层1060R下方的有源层1023发射蓝光B并且从红色转换层1060R发射红光R的示例实施例。参考图14，当对应于红色子像素SR的TFT 1040中的一个被驱动并且在作为公共电极的第一电极与对应于红色子像素SR的其中一个第二电极1032之间施加特定电压时，从位于红色转换层1060R下方的有源层1023发射出蓝光B。当从有源层1023发射的蕊光B入射到红色转换层1060R上时，红色转换层1060R可以向外部发射红光R。
根据如图14所示的示例实施例，由于通过电流注入限制层1036减小了第二半导体层1022与第二电极1032之间的接触面积，所以从位于红色转换层1060R下方的有源层1023发射的蓝光B的发射面积减小。因此，可以减少或防止从位于红色转换层1060R下方的有源层1023发射的蓝光B行进到绿色转换层1060G或蓝色转换层1060B时发生的不期望颜色的光的发射。此外，由绝缘膜1037和设置在绝缘膜1037上的金属反射层1038形成的电流注入限制层1036可以更有效地减少或防止从设置在红色转换层1060R下方的有源层1023发射的蓝光B向绿色转换层1060G或蓝色转换层1060B行进。因此，从颜色转换层1060R、1060G和1060B发射的光被向上反射，从而可以提高光效率。
从有源层1023发射并透射过衬底1010的蓝光B可以被设置在衬底1010的下表面上的光吸收构件1080吸收。由于蚀刻区域1025在第二半导体层1022与第二电极1032之间的接触区域周围形成到一定深度，所以可以减少或防止从第二电极1032注入到第二半导体层1022中的电流侧向流动。在以上描述中，在电流注入限制层1036中，金属反射层1038设置在绝缘膜1037中。然而，金属反射层1038可以设置在第二半导体层1022的上表面上，并且绝缘膜1037可以设置为覆盖金属反射层1038。
图15是根据示例实施例的显示设备1100的截面图。图15的显示设备1100与图14的显示设备1000基本相同，除了图15的显示设备1100包括选择性透明绝缘层1110和选择性屏蔽层1120之外。
参考图15，选择性透明绝缘层1110可以设置在第二电极1032与颜色转换层1060R、1060G和1060B之间。选择性透明绝缘层1110可以透射从有源层1023发射的蓝光B并且反射从颜色转换层1060R、1060G和1060B发射的光。选择性透明绝缘层1110可以具有含有不同折射率的多层结构。
用于屏蔽特定颜色的光的选择性屏蔽层1120可以进一步设置在颜色转换层1060R和1060G上。例如，选择性屏蔽层1120可以设置在红色转换层1060R和绿色转换层1060G上，并且可以包括用于防止从有源层1023发射的蓝光B发射到外部的蓝色截止滤光片。选择性屏蔽层1120可以包括例如树脂或多层绝缘膜。
图16是根据示例实施例的显示设备1200的截面图。图16的显示设备1200与图14的显示设备1000基本相同，除了图16的显示设备1200还包括光吸收层1210之外。
参考图16，光吸收层1210可以设置在衬底1010与第一半导体层1021之间。光吸收层1210可以吸收从有源层1023发射的蓝光B。可以在第二电极1032与颜色转换层1060R、1060G和1060B之间进一步设置选择性透明绝缘层，并且可以在颜色转换层1060R、1060G和1060B上进一步设置选择性屏蔽层。虽然图15示出了光吸收层1210设置在衬底1010与第一半导体层1021之间，但是光吸收层1210可以设置在第一半导体层1021中。折射率匹配层1090可以设置在衬底1010与第一半导体层1021之间。折射率匹配层1090可以通过使用衬底1010与第一半导体层1021之间的折射率的差异来减少在衬底1010与第一半导体层1021之间反射的蓝光B的量。
图17是根据示例实施例的显示设备1300的透视图。图17是可应用上述示例实施例的结构的显示设备1300的外部的透视图。
参考图17，显示设备1300可以包括在衬底1310上布置成阵列的蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG。与蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG对应的至少一个公共电极1331可以设置在衬底1310上。公共电极1331对应于在上述示例实施例中描述的第一电极(图1的131或图4的331)。与蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG相比，公共电极1331可以设置为占据相对非常小的面积。公共电极1331可以是例如n型电极。虽然图17示出了设置单个公共电极1331以对应于蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG中的一个，但是单个公共电极1331可以设置为对应于多个蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG。例如，如图18的显示设备1300’中所示，单个公共电极1331可以设置为对应于三个子像素，例如蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG。另外，对应于一个公共电极的子像素的数量可以变化。
图19是图17的显示设备的电路配置的平面图。图19示出了一个像素(即，蓝色子像素SB、红色子像素SR和绿色子像素SG)的电路配置，并且附图标记1360B、1360R和1360G分别表示蓝色转换层(或蓝色透射层)、红色转换层和绿色转换层，它们在上述示例实施例中被描述为颜色转换层。
参考图19，可以在衬底(图17的1310)上设置沿第一方向延伸的扫描线SL以及在与扫描线SL交叉的第二方向上延伸的数据线DL和电力线VL。两个晶体管TR1和TR2以及一个电容器CP可以被提供给每个子像素SB、SR和SG。详细地，第一晶体管TR1可以设置在电力线VL与颜色转换层1360B、1360G和1360G之间，并且第二晶体管TR2可以设置在扫描线SL与数据线DL的交叉点上或周围。此外，电容器CP可以设置在电力线VL与第一晶体管TR1和第二晶体管TR2之间。作为在上述示例实施例中描述的TFT的第一晶体管TR1可以是驱动晶体管，而第二晶体管TR2可以是开关晶体管。
在上述结构中，当子像素SB、SR和SG中的一个被驱动时，从子像素SB、SR和SG中的发光层发射蓝光B(或紫外线)。当从发光层发射的蓝光B(或紫外线)入射到其中一个子像素SB、SR和SG中的颜色转换层1360B、1360G和1360G上时，发射特定颜色的光，使得可以形成图像。
根据上述示例实施例，由于一个有源层被形成为对应于多个颜色转换层，所以用于暴露有源层的区域可以减小，并且因此可以提高光效率。此外，由于可以通过使用电流注入限制层来减小半导体层与电极之间的接触面积以减小有源层的发射面积，所以可以减少或防止不期望颜色的光的发射，并且因此可以提高颜色质量。由于电流注入限制层可以形成在多层绝缘膜中或者可以包括绝缘膜和设置在绝缘膜中的金属反射层，所以可以进一步提高颜色质量。此外，由于半导体层与电极之间的接触区域周围的部分可以被蚀刻到一定深度或更小，所以可以减少或防止通过电极注入到半导体层中的电流侧向流动。此外，由于发光层可以通过生长直接形成在衬底上，所以传统的LED芯片转移过程可能不是必需的。
应当理解的是，应仅以描述性意义而不是限制性目的来考虑本文中描述的实施例。对每个实施例中的特征或方面的描述一般应当被看作可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。
尽管已参考附图描述了一个或多个实施例，但本领域普通技术人员应当理解，在不脱离所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的多种改变。

Claims (25)

1.一种显示设备，包括：
衬底；
发光层，被配置为发射光，所述发光层包括设置在所述衬底上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的有源层以及设置在所述有源层上的第二半导体层；以及
多个颜色转换层，设置在所述发光层上并被配置为根据从所述发光层发射的光发射预定颜色的光。
2.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
至少一个第一电极，电连接到所述第一半导体层；以及
多个第二电极，电连接到所述第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述多个第二电极之一之间的接触区域相邻的区域被蚀刻到预定深度或更小。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少一个第一电极被设置为对应于所述多个颜色转换层中的至少一个，以形成公共电极，以及
所述多个第二电极被设置为与所述多个颜色转换层一一对应。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述多个第二电极中的每一个连接到薄膜晶体管。
6.根据权利要求2所述的显示设备，还包括：电流注入限制层，设置在所述第二半导体层上并且被配置为限制从所述多个第二电极注入到所述第二半导体层中的电流。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第二半导体层的与所述第二半导体层和所述多个第二电极之一之间的接触区域相邻的区域经由所述电流注入限制层的开口部分被蚀刻到一定深度或更小。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括绝缘膜。
9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括多层绝缘膜。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述多层绝缘膜包括分别具有不同折射率的多个层。
11.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的金属反射层。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述金属反射层包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第二金属层具有比所述第一金属层的反射率高的反射率。
13.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电流注入限制层包括设置在所述第二半导体层上的金属反射层以及设置在所述金属反射层上的绝缘膜。
14.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：选择性透明绝缘层，设置在所述多个第二电极与所述多个颜色转换层之间，并且被配置为透射从所述发光层发射的光且反射从所述多个颜色转换层发射的光。
15.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：选择性屏蔽层，设置在所述多个颜色转换层上并被配置为屏蔽预定颜色的光。
16.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：光吸收层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间或设置在所述第一半导体层上。
17.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：折射率匹配层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间并且被配置为减少光的反射。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述折射率匹配层包括氮化铝(AlN)。
19.根据权利要求6所述的显示设备，还包括：光吸收构件，设置在所述衬底的与所述发光层相对的表面上。
20.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一半导体层包括n-GaN，
所述第二半导体层包括p-GaN，以及
所述有源层包括多量子阱“MQW”结构。
21.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光层被配置为产生蓝光。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述多个颜色转换层包括被配置为通过被所述蓝光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述蓝光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为透射所述蓝光的蓝色透射层。
23.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光层被配置为产生紫外光。
24.根据权利要求23所述的显示设备，其中，所述多个颜色转换层包括被配置为通过被所述紫外光激发而发射红光的红色转换层、被配置为通过被所述紫外光激发而发射绿光的绿色转换层以及被配置为通过被所述紫外光激发而发射蓝光的蓝色转换层。
25.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光层是通过在所述衬底上顺序地生长所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层而形成的。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112562525A (zh) * 2020-06-09 2021-03-26 友达光电股份有限公司 显示面板

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI687912B (zh) * 2018-06-08 2020-03-11 錼創顯示科技股份有限公司 顯示裝置
KR102650659B1 (ko) 2018-09-13 2024-03-25 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
JP2021105712A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 住友化学株式会社 表示装置
WO2022059527A1 (ja) * 2020-09-17 2022-03-24 日亜化学工業株式会社 画像表示装置の製造方法および画像表示装置
TWI786470B (zh) 2020-10-14 2022-12-11 中強光電股份有限公司 顯示單元以及投影裝置
CN116615809A (zh) * 2020-11-11 2023-08-18 应用材料公司 显示前面板装置
CN114650401A (zh) 2020-12-21 2022-06-21 中强光电股份有限公司 投影装置
CN114822281A (zh) * 2021-01-28 2022-07-29 中强光电股份有限公司 显示装置、波长转换模块及其制造方法
JP2022115708A (ja) 2021-01-28 2022-08-09 凸版印刷株式会社 表示装置及び波長変換基板
JP7461601B2 (ja) 2021-03-15 2024-04-04 豊田合成株式会社 発光装置
WO2024064381A1 (en) * 2022-09-23 2024-03-28 Applied Materials, Inc. Color conversion layer for display devices and method of forming display devices

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5719110B2 (zh) 1972-08-30 1982-04-20
JP3988429B2 (ja) * 2001-10-10 2007-10-10 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
WO2003058726A1 (fr) 2001-12-28 2003-07-17 Sanken Electric Co., Ltd. Dispositif electroluminescent a semi-conducteur, ecran electroluminescent, procede de fabrication du dispositif electroluminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de l'ecran electroluminescent
KR100541102B1 (ko) 2004-02-13 2006-01-11 삼성전기주식회사 오믹 접촉을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8294848B2 (en) * 2008-10-01 2012-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display having light diffusion layer
KR101154758B1 (ko) * 2008-11-18 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
JP5336594B2 (ja) 2009-06-15 2013-11-06 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
JP5719110B2 (ja) 2009-12-25 2015-05-13 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2013065726A (ja) 2011-09-16 2013-04-11 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
KR101954202B1 (ko) 2012-06-11 2019-03-05 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
JP2014110285A (ja) 2012-11-30 2014-06-12 Oki Data Corp 表示装置
US10236421B2 (en) * 2013-05-13 2019-03-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device package, manufacturing method thereof, and vehicle lamp and backlight unit including same
KR101521574B1 (ko) * 2013-06-25 2015-05-19 비비에스에이 리미티드 반도체 발광소자를 제조하는 방법
TWI517450B (zh) 2013-10-21 2016-01-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝體
CN104022123B (zh) * 2014-05-16 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
KR101524726B1 (ko) * 2014-06-20 2015-06-10 실리콘 디스플레이 (주) Led 디스플레이 장치
DE102014112551A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
GB201420452D0 (en) * 2014-11-18 2014-12-31 Mled Ltd Integrated colour led micro-display
CN209729940U (zh) * 2015-05-13 2019-12-03 首尔伟傲世有限公司 发光元件
KR102169275B1 (ko) 2015-08-21 2020-10-23 엘지전자 주식회사 표시장치
WO2017034379A1 (ko) * 2015-08-26 2017-03-02 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 이송 헤드, 이송 시스템 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법
KR102555242B1 (ko) * 2015-09-30 2023-07-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102476137B1 (ko) * 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
JP2017181831A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
US10332949B2 (en) * 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
CN107768495A (zh) * 2016-08-18 2018-03-06 新世纪光电股份有限公司 微型发光二极管及其制造方法
KR102438882B1 (ko) * 2016-11-25 2022-09-01 뷰리얼 인크. 시스템 기판으로의 마이크로 디바이스의 집적
CN109273479B (zh) * 2018-09-20 2021-07-23 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112562525A (zh) * 2020-06-09 2021-03-26 友达光电股份有限公司 显示面板
CN112562525B (zh) * 2020-06-09 2022-09-30 友达光电股份有限公司 显示面板

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