CN109729706A - 一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子材料领域，提供了一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，将一维纳米导电材料与树脂混合得到均匀的导电油墨，将导电油墨涂布在清洗过的干净透明基体上并进行烘烤，形成网格化透明导电薄膜；再将材料浸泡在电化学镀膜溶液中进行电镀，加入电压使电镀金属沿网格化透明导电薄膜表面生长，提高导电性进而提高电磁屏蔽性能，形成导电层；然后涂布高分子导电聚合物，使导电层形成完整的导电面层进一步提高电磁屏蔽，最后通过涂布热固化或光固化硬化树脂，形成一层透明保护层，从而完成透光高电磁屏蔽性能好的薄膜的制备。本申请所制备的薄膜具有高透光、高电磁屏蔽性能，而且成本低、制备简单、便于规模化工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料领域，具体涉及一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法。
背景技术
近年来，随着电子、通讯技术的迅猛发展，电子、通讯设备在各行各业得到了广泛应用。这些电子、通讯设备的运转产生了很多电磁辐射，这些电磁辐射的泄露不仅能干扰设备的正常工作，而且还会导致设备的瘫痪。电磁波的泄露还会给人体和其他生物造成危害。目前，电磁波主要是通过视窗等透光部位发生泄露，这些部位不仅需要较高的电磁屏蔽性能，而且还需要较高的透光率。
高透光电磁屏蔽薄膜一直是电磁屏蔽薄膜的研究热点。但是，目前技术很难兼顾透光率和电磁屏蔽这两大性能。因此，制备出高透光电磁屏蔽薄膜是一项具有重大意义的任务。目前常用的材料有氧化铟锡(ITO)、金属网格、单独纳米银线等，其中ITO膜受自身物理性质限制，存在成本高、柔性差、难以大面积成膜、屏蔽效果不佳；金属网格的性能受网格制备工艺限制，追求细的网格不仅难以实现而且成本大幅度上升，不适合大规模成膜；单独纳米银线，线与线之间的缝隙可以进行透光，但是缝隙存在漏波现象，从而导致电磁屏蔽性能下降。
发明内容
针对上述现有技术问题，本发明提供了一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，将一维纳米导电材料与树脂混合涂布到透明基体上，再将材料浸泡在电化学镀膜溶液中进行电镀提高导电性进而提高电磁屏蔽性能，然后涂布导电高分子形成完整导电面层进一步提高电磁屏蔽，最后制备一层保护层，从而形成透光高电磁屏蔽性能好的薄膜。
本发明采用以下的技术方案：
一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)将透明基体放在乙醇或去离子水中超声清洗，清除透明基体表面的杂物；
(2)将一维纳米导电材料与树脂进行混合并搅拌得到均匀的导电油墨，将导电油墨涂布在透明基体上并进行烘烤，形成一层网格化透明导电薄膜；
(3)将形成的网格化透明导电薄膜浸泡在电化学镀膜溶液中并作为电极一极，铂电极作为对电极，加入电压使电镀金属沿网格化透明导电薄膜表面生长，增强导电膜的导电性，然后进行超声清洗再烘干，形成导电层；
(4)将高分子导电聚合物涂布在步骤(3)所得的导电层上，形成一层高分子导电薄膜，并进行热处理从而使导电层形成完整的导电面层；
(5)在步骤(4)所得产品的导电膜上涂布热固化或光固化硬化树脂，形成透明保护层，完成高透光电磁屏蔽薄膜的制备。
优选地，所述透明基体在可见光区的透光率高于90％，为聚对苯二甲酸乙二醇脂、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚氨酯中的一种。
优选地，步骤(1)中所述超声清洗的超声功率为100W-1000W，时间为1min-30min。
优选地，所述一维纳米导电材料为纳米银线、纳米铜线或碳纳米管等能够形成导电网格的纳米材料。
优选地，所述树脂为聚氨酯、聚丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂中的一种或多种。
优选地，步骤(2)中所述烘烤的温度为50℃-150℃，时间为5min-30min。
优选地，所述电化学镀膜溶液为银离子溶液、金离子溶液、铜离子溶液中的一种或多种，其浓度为0.1mM-1M。
优选地，步骤(3)中所述电压为1V-12V，电镀时间为1min-30min；超声清洗的功率为100W-1000W，时间为1min-30min；烘干的温度为60℃-150℃，烘干的时间为5min-30min。
优选地，所述高分子导电聚合物为聚乙撑二氧噻吩、聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑乙烯、聚双炔中的一种或多种。
优选地，步骤(4)中所述热处理的温度为60℃-150℃，时间为5min-30min。
优选地，所述硬化树脂为聚氨酯、多官能度丙烯酸树脂、聚氨酯改性环氧树脂中的一种或多种及其引发固化剂。
优选地，步骤(2)、步骤(4)和步骤(5)中所述涂布分别为刮涂、喷涂或旋涂。
优选地，步骤(5)中热固化硬化树脂的固化温度为60℃-150℃，时间为5min-30min；光固化硬化树脂的固化光源功率为10W-150W，时间为1s-1000s。
本发明具有的有益效果是：
将一维纳米导电材料与树脂混合涂布到透明基体上构建了导电网络，再进行电镀处理，提高了导电性进而提高了电磁屏蔽性能，在上述基础上涂布导电高分子形成完整导电面层进一步提高电磁屏蔽，最后制备一层保护层，从而形成透光高电磁屏蔽性能好的薄膜；本发明制备的薄膜具有高透光、高电磁屏蔽性能，而且成本低、制备简单、便于规模化工业生产。
附图说明
图1为本发明高透光电磁屏蔽薄膜的制备流程示意图；
图2为本发明高透光电磁屏蔽薄膜的结构示意图；
图3为实施例1制备的高透光电磁屏蔽薄膜的显微镜图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明进行详细的介绍和说明：
实施例1
(1)将聚对苯二甲酸乙二醇脂基体放入乙醇中超声10分钟，超声功率为100W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在聚氨酯的水溶液中，纳米银线的固含量为1.5‰，聚氨酯固含量为2‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆于透明基体表面。将透明基体放到烘箱中60℃，加热20分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的溶液中，浓度为1mM，外加5V电压，电镀10min。然后在乙醇中超声5分钟，超声功率为100W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚乙撑二氧噻吩溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中60℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL聚氨酯溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在100W的光源下，光固化30s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
高透光电磁屏蔽薄膜的制备流程示意图见图1所示，结构示意图见图2所示，其在显微镜下的显微镜图见图3所示。
实施例2
(1)将聚萘二甲酸乙二醇脂基体放入乙醇中超声30分钟，超声功率为200W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在聚丙烯酸树脂，纳米银线的固含量为2‰，聚丙烯酸树脂固含量为2‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆与透明基体表面。将透明基体放到烘箱中60℃，加热10分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的水溶液中，浓度为2mM，外加12V电压，电镀3min。然后在乙醇中超声5分钟，超声功率为200W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚乙炔溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中60℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL多官能度丙烯酸树脂溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在100W的光源下，光固化20s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
实施例3
(1)将聚甲基丙烯酸甲酯基体放入乙醇中超声20分钟，超声功率为200W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在环氧树脂的水溶液中，纳米银线的固含量为1.5‰，环氧树脂固含量为2‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆在透明基体表面。将透明基体放到烘箱中150℃，加热30分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的水溶液中，浓度为10mM，外加12V电压，电镀3min。然后在乙醇中超声5分钟，超声功率为200W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚苯撑乙烯溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中60℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL聚氨酯改性环氧树脂溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在100W的光源下，光固化10s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
实施例4
(1)将聚二甲基硅氧烷基体放入乙醇中超声9分钟，超声功率为400W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在酚醛树脂的水溶液中，纳米银线的固含量为1.5‰，酚醛树脂固含量为1.5‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆在透明基体表面。将透明基体放到烘箱中150℃，加热20分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的水溶液中，浓度为5mM，外加12V电压，电镀6min。然后在乙醇中超声5分钟，超声功率为400W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚吡咯溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中60℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL聚氨酯溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在150W的光源下，光固化30s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
实施例5
(1)将聚氯乙烯基体放入乙醇中超声8分钟，超声功率为500W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在聚酯树脂的水溶液中，纳米银线的固含量为1.5‰，聚酯树脂固含量为2‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆在透明基体表面。将透明基体放到烘箱中80℃，加热20分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的水溶液中，浓度为7mM，外加12V电压，电镀8min。然后在乙醇中超声5分钟，超声功率为500W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚苯胺溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中60℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL聚氨酯溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在150W的光源下，光固化20s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
实施例6
(1)将聚碳酸酯基体放入乙醇中超声5分钟，超声功率为1000W，去除基体表面的杂物。
(2)将纳米银线分散在聚氨酯的水溶液中，纳米银线的固含量为2‰，聚氨酯固含量为2‰。取混合液1mL滴加在透明基体表面，利用线棒将液体均匀涂覆与透明基体表面。将透明基体放到烘箱中60℃，加热30分钟。
(3)将已经降温的透明基体放入到含有硝酸银的水溶液中，浓度为1M，外加12V电压，电镀2min。然后在乙醇中超声1分钟，超声功率为1000W去除表面残留的物质。超声结束后，放到烘箱中150℃，加热10min。
(4)取1mL聚双炔溶液，利用线棒将其均匀涂覆到上述所得的薄膜上，并将其放入烘箱中90℃，加热10min，形成导电面层。
(5)取1mL多官能度丙烯酸树脂溶液，利用线棒将其均匀涂布到薄膜上，在150W的光源下，光固化10s，即可形成高透光电磁屏蔽薄膜。
将上述实施例得到的样品进行相关性能表征，其结果见表1所示。
表1高透光电磁屏蔽薄膜的性能参数
| 实施例 | 电磁屏蔽性能/dB | 透光率/％ | 雾度/％ |
| 1 | 35 | 85 | 2 |
| 2 | 40 | 82 | 3 |
| 3 | 38 | 84 | 2 |
| 4 | 39 | 83 | 4 |
| 5 | 42 | 83 | 7 |
| 6 | 44 | 75 | 3 |
注释：1.电磁屏蔽性能采用微波暗室法测量频点为2GHz；
2.透光率雾度测试采用可见光范围内全光源测试。
实施例7
(1)将聚氨酯透明基体(在可见光区的透光率高于90％)放在去离子水中超声清洗30min，超声功率为100W，清除透明基体表面的杂物；
(2)将纳米铜线与树脂环氧树脂进行混合并搅拌得到均匀的导电油墨，将导电油墨刮涂在透明基体上并进行烘烤，烘烤的温度为150℃，时间为5min，形成一层网格化透明导电薄膜；
(3)将形成的网格化透明导电薄膜浸泡在金离子溶液的电化学镀膜溶液中并作为电极一极，其浓度为0.1mM，铂电极作为对电极，加入电压12V，电镀1min，使电镀金属沿网格化透明导电薄膜表面生长，增强导电膜的导电性，然后进行超声清洗(超声清洗的功率为100W，时间为30min并烘干，烘干的温度为150℃，烘干的时间为30min，形成导电层；
(4)聚乙撑二氧噻吩喷涂在步骤(3)所得的导电层上，形成一层高分子导电薄膜，并进行热处理，热处理的温度为60℃，时间为30min，从而使导电层形成完整的导电面层；
(5)在步骤(4)所得产品的导电膜上涂布聚氨酯，热固化硬化树脂的固化温度为150℃，时间为5min，形成透明保护层，完成高透光电磁屏蔽薄膜的制备。
实施例8
(1)将聚对苯二甲酸乙二醇脂透明基体(在可见光区的透光率高于90％)放在乙醇中超声清洗1min，超声功率为1000W，清除透明基体表面的杂物；
(2)将碳纳米管与树脂酚醛树脂进行混合并搅拌得到均匀的导电油墨，将导电油墨旋涂在透明基体上并进行烘烤，烘烤的温度为50℃，时间为30min，形成一层网格化透明导电薄膜；
(3)将形成的网格化透明导电薄膜浸泡在铜离子溶液的电化学镀膜溶液中并作为电极一极，其浓度为1M，铂电极作为对电极，加入电压为1V，电镀30min，使电镀金属沿网格化透明导电薄膜表面生长，增强导电膜的导电性，然后进行超声清洗(超声清洗的功率为1000W，时间为1min)并烘干，烘干的温度为60℃，烘干的时间为5min)，形成导电层；
(4)将聚苯撑乙烯旋涂在步骤(3)所得的导电层上，形成一层高分子导电薄膜，并进行热处理，热处理的温度为150℃，时间为5min，从而使导电层形成完整的导电面层；
(5)在步骤(4)所得产品的导电膜上涂布多官能度丙烯酸树脂，热固化硬化树脂的固化温度为60℃，时间为30min形成透明保护层，完成高透光电磁屏蔽薄膜的制备。
当然，上述说明并非是对本发明的限制，本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的技术人员在本发明的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将透明基体放在乙醇或去离子水中超声清洗，清除透明基体表面的杂物；
(2)将一维纳米导电材料与树脂进行混合并搅拌得到均匀的导电油墨，将导电油墨涂布在透明基体上并进行烘烤，形成一层网格化透明导电薄膜；
(3)将形成的网格化透明导电薄膜浸泡在电化学镀膜溶液中并作为电极一极，铂电极作为对电极，加入电压使电镀金属沿网格化透明导电薄膜表面生长，增强导电膜的导电性，然后进行超声清洗再烘干，形成导电层；
(4)将高分子导电聚合物涂布在步骤(3)所得的导电层上，形成一层高分子导电薄膜，并进行热处理从而使导电层形成完整的导电面层；
(5)在步骤(4)所得产品的导电膜上涂布热固化或光固化硬化树脂，形成透明保护层，完成高透光电磁屏蔽薄膜的制备。
2.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述透明基体在可见光区的透光率高于90％，为聚对苯二甲酸乙二醇脂、聚萘二甲酸乙二醇脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚氨酯中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述一维纳米导电材料为纳米银线、纳米铜线或碳纳米管；所述树脂为聚氨酯、聚丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述烘烤的温度为50℃-150℃，时间为5min-30min。
5.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述电化学镀膜溶液为银离子溶液、金离子溶液、铜离子溶液中的一种或多种，其浓度为0.1mM-1M。
6.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述电压为1V-12V，电镀时间为1min-30min；超声清洗的功率为100W-1000W，时间为1min-30min；烘干的温度为60℃-150℃，烘干的时间为5min-30min。
7.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述高分子导电聚合物为聚乙撑二氧噻吩、聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑乙烯、聚双炔中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述热处理的温度为60℃-150℃，时间为5min-30min。
9.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，所述硬化树脂为聚氨酯、多官能度丙烯酸树脂、聚氨酯改性环氧树脂中的一种或多种及其引发固化剂。
10.根据权利要求1所述的一种高透光电磁屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(5)中热固化硬化树脂的固化温度为60℃-150℃，时间为5min-30min；光固化硬化树脂的固化光源功率为10W-150W，时间为1s-1000s。
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|---|---|
| CN (1) | CN109729706A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110552000A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-12-10 | 湖南省凯纳方科技有限公司 | 一种超薄单面导电高分子薄膜的制作方法 |
| CN111933331A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-13 | 深圳市诺斯特新材料股份有限公司 | 一种透明导电膜及电子装置 |
| CN112135505A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-25 | 屏效工业技术(苏州)有限公司 | 一种柔性高透光高电磁屏效复合功能膜及其制备方法 |
| CN112746297A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-05-04 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种在绝缘基材表面直接电镀金属的方法 |
| CN113035448A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-25 | 西北工业大学 | 一种柔性的导电金属图案及其制备方法、应用和导电材料 |
| CN113077937A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-06 | 惠州深格光电科技有限公司 | 一种柔性透明导电膜的加工工艺 |
| CN113209393A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-06 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种植入体界面修饰材料、植入体及植入体的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165461A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波遮蔽部材及びその製造方法 |
| CN101411254A (zh) * | 2006-03-28 | 2009-04-15 | 富士胶片株式会社 | 导电薄膜及其制备方法、以及透明电磁屏蔽薄膜 |
| CN103627255A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-03-12 | 苏州冷石纳米材料科技有限公司 | 一种纳米银导电墨水及采用该墨水制备的导电薄膜 |
| CN103992495A (zh) * | 2014-04-21 | 2014-08-20 | 东莞市纳利光学材料有限公司 | 一种纳米银柔性导电膜及其制备方法 |
| CN104053256A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 基于银纳米线透明导电薄膜的加热器及其制备方法 |
| CN106057287A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-26 | 天诺光电材料股份有限公司 | 宽频屏蔽透明导电材料 |
| CN108848660A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-20 | 苏州维业达触控科技有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 |
-
2019
- 2019-01-28 CN CN201910078336.2A patent/CN109729706A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165461A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 電磁波遮蔽部材及びその製造方法 |
| CN101411254A (zh) * | 2006-03-28 | 2009-04-15 | 富士胶片株式会社 | 导电薄膜及其制备方法、以及透明电磁屏蔽薄膜 |
| CN103627255A (zh) * | 2013-05-06 | 2014-03-12 | 苏州冷石纳米材料科技有限公司 | 一种纳米银导电墨水及采用该墨水制备的导电薄膜 |
| CN103992495A (zh) * | 2014-04-21 | 2014-08-20 | 东莞市纳利光学材料有限公司 | 一种纳米银柔性导电膜及其制备方法 |
| CN104053256A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 基于银纳米线透明导电薄膜的加热器及其制备方法 |
| CN106057287A (zh) * | 2016-05-13 | 2016-10-26 | 天诺光电材料股份有限公司 | 宽频屏蔽透明导电材料 |
| CN108848660A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-20 | 苏州维业达触控科技有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110552000A (zh) * | 2019-09-04 | 2019-12-10 | 湖南省凯纳方科技有限公司 | 一种超薄单面导电高分子薄膜的制作方法 |
| CN111933331A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-13 | 深圳市诺斯特新材料股份有限公司 | 一种透明导电膜及电子装置 |
| CN112135505A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-25 | 屏效工业技术(苏州)有限公司 | 一种柔性高透光高电磁屏效复合功能膜及其制备方法 |
| CN112746297A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-05-04 | 深圳先进电子材料国际创新研究院 | 一种在绝缘基材表面直接电镀金属的方法 |
| CN113035448A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-25 | 西北工业大学 | 一种柔性的导电金属图案及其制备方法、应用和导电材料 |
| CN113077937A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-07-06 | 惠州深格光电科技有限公司 | 一种柔性透明导电膜的加工工艺 |
| CN113209393A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-08-06 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种植入体界面修饰材料、植入体及植入体的制备方法 |
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