CN109714014A - 电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电子部件。本发明的电子部件中的素体具有：由第一材料构成的第一功能部、由不同于第一材料的第二材料构成的第二功能部、以及位于第一功能部和第二功能部之间的中间部。中间部包括：包含在第一材料中的第一成分和包含在第二材料中的第二成分。素体的侧面包括第一功能部件、第二功能部件以及中间部件的各表面。多个端子电极分别具有以在第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面延伸的方式形成在侧面上的电极部。绝缘层以至少与中间部的表面上的电极部之间从电极部露出的区域相接的方式形成在侧面上。

Description

电子部件

技术领域

本发明涉及电子部件。

背景技术

已知的电子部件包括具有侧面的素体和配置在素体上的多个端子电极(例如，参照日本特开2009-212229号公报)。素体具有由第一材料构成的第一功能部、由不同于第一材料的第二材料构成的第二功能部、以及位于第一功能部和第二功能部之间的中间部。中间部包括包含在第一材料中的第一成分和包含在第二材料中并且不同于第一成分的第二成分。侧面包括第一功能部、第二功能部和中间部的各表面。多个端子电极分别具有以遍及第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面的方式形成在侧面上的电极部。在电子部件的制造过程(例如，烧成过程)中，中间部缓和了由第一功能部和第二功能部之间的收缩率差异而产生的内应力。

发明内容

当素体具有中间部时，可能发生以下问题。例如，在烧成过程中，中间部中包含的第一成分扩散到第一功能部，并且中间部中包含的第二成分扩散到第二功能部。当第一成分和第二成分从中间部扩散时，中间部的结构变粗。在中间部的结构粗的情况下，可能通过中间部在电极部之间发生迁移。

本发明的一个实施方式的目的在于提供一种抑制迁移发生的电子部件。

一个实施方式涉及的电子部件包括：具有侧面的素体、配置于素体的多个端子电极、以及配置于素体的绝缘层。素体具有由第一材料构成的所述第一功能部、由不同于第一材料的第二材料构成的第二功能部、以及位于第一功能部与第二功能部之间的中间部。中间部包括包含于第一材料的第一成分和包含于第二材料中并且不同于第一成分的第二成分。侧面包括第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面。多个端子电极分别具有以遍及第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面的方式形成在侧面上的电极部。绝缘层以至少与在中间部的表面上的电极部之间从电极部露出的区域相接的方式形成于侧面。

在上述一个实施方式中，形成在侧面上的绝缘层与中间部的表面上的电极部之间从电极部露出的区域相接。因此，中间部难以发生迁移。结果，在上述一个实施方式中，抑制了迁移的发生。

在上述一个实施方式中，绝缘层以与电极部、和第一功能部、第二功能部以及中间部的各表面上的从电极部露出的区域相接的方式形成于侧面的整体。该构成可靠地抑制迁移的发生。

在上述一个实施方式中，电极部可以具有形成在侧面上的烧结金属层。绝缘层可以以与烧结金属层相接的方式形成。当端部露出在侧面上的内部导体配置在素体中时，内部导体的端部连接到烧结金属层。当形成烧结金属层的位置偏离期望的位置时，内部导体的端部可能从烧结金属层露出。在内部导体的端部从烧结金属层露出的情况下，水分可能从内部导体的端部和素体之间渗透素体中。当水分渗透素体时，电子部件的特性可能劣化。在以与烧结金属层相接的方式形成绝缘层的构成中，内部导体的端部被绝缘层覆盖。因此，绝缘层抑制水分渗透到素体中。

在上述一个实施方式中，绝缘层可以由绝缘性玻璃构成。本构成容易抑制迁移的发生。

在上述一个实施方式中，中间部的绝缘电阻可以低于第一功能部和第二功能部的各绝缘电阻。当中间部的绝缘电阻低于第一功能部和第二功能部的绝缘电阻时，则容易发生迁移。然而，同样在这种情况下，抑制了电极部之间迁移的发生。

在上述一个实施方式中，多个端子电极可以具有电位差。当多个端子电极具有电位差时，容易发生迁移。然而，同样在这种情况下，抑制了电极部之间迁移的发生。

上述一个实施方式可以包括配置在第一功能部的第一电感器和第二电感器，以及配置在第二功能部的第一电容器和第二电容器。第一电容器和第一电感器可以构成滤波器。第二电容器和第二电感器可以构成滤波器。第一材料可以包括铁氧体材料，并且第二材料可包括电介质陶瓷材料。多个端子电极可以具有第一输入端子电极和第一输出端子电极、以及第二输入端子电极和第二输出端子电极，第一输入端子电极连接有第一电感器，第二输入端子电极连接有第二电感器。本构成实现了抑制迁移发生的LC滤波器阵列。

由下面所给出的详细说明和仅以示例方式给出的附图可以更清楚地理解本发明，并且，这些不能被认为用于限定本发明。

本发明的进一步适用范围可以从下面给出的详细说明中清楚获得。但是，应该理解，由于根据该详细说明，在本发明的精神和范围内作出的各种改变和修改对于本领域内普通技术人员而言是显而易见的，所以，这些详细说明和具体实例，在表示本发明的优选实施方式的同时，是仅以示例方式给出的。

附图说明

图1是示出一个实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的立体图。

图2是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的立体图。

图3是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的构成的分解立体图。

图4是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的侧视图。

图5是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的侧视图。

图6是示出端子电极和绝缘层的截面构成的图。

图7是示出端子电极和绝缘层的截面构成的图。

图8是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的等效电路的图。

图9是示出本实施方式的变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列的构成的分解立体图。

图10是示出本实施方式的变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列的等效电路的图。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本发明的实施方式。并且，在以下说明中，对于相同要素或具有相同功能的要素，采用相同符号，省略重复的说明。

参照图1～图7，对本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列FA1的构成进行说明。图1和图2是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的立体图。图3是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的构成的分解立体图。图4和5是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的侧视图。图6和7是示出端子电极和绝缘层的截面构成的图。在本实施方式中，电子部件例如是层叠型LC滤波器阵列FA1。在下文中，层叠型LC滤波器阵列FA1被称为“滤波器阵列FA1”。

如图1和2所示，滤波器阵列FA1包括素体1和多个端子电极11,12,13,14,15。多个端子电极11,12,13,14,15配置在素体1的外表面上。例如，端子电极11,13用作输入端子电极，端子电极12,14用作输出端子电极，并且端子电极15用作接地端子电极。端子电极11,12,13,14,15包含导电材料。导电材料包括例如Ag或Pd。例如，当端子电极11构成第一输入端子电极时，端子电极12构成第一输出端子电极。例如，当端子电极13构成第二输入端子电极时，端子电极14构成第二输出端子电极。

滤波器阵列FA1安装在电子设备上。电子设备包括例如电路板或电子部件。各端子电极11,12,13和14连接到对应的信号线。端子电极15接地。例如，滤波器阵列FA1被焊接安装到电子设备。

素体1具有长方体形状。素体1具有彼此相对的第一主面1a和第二主面1b、彼此相对的第一侧面1c和第二侧面1d、以及彼此相对的第三侧面1e和第四侧面1f。第一主面1a和第二主面1b呈矩形形状。在滤波器阵列FA1中，第一主面1a是与电子设备相对的安装面。第一主面1a以构成安装面的方式进行配置。长方体形状包括角部和棱线部被倒角的长方体形状、以及角部分和棱线部被倒圆的长方体形状。

第一侧面1c和第二侧面1d以连接第一主面1a和第二主面1b的方式在第一主面1a和第二主面1b相对的第一方向D1上延伸。第一侧面1c和第二侧面1d也在第三侧面1e和第四侧面1f相对的方向上延伸。第三侧面1e和第四侧面1f以连接第一主面1a和第二主面1b的方式在第一方向D1上延伸。第三侧面1e和第四侧面1f也在第一侧面1c和第二侧面1d相对的方向上延伸。第一方向D1是与第一主面1a正交的方向。

素体1通过在第一方向D1上层叠多个绝缘层3,5,7,9而构成。素体1具有沿第一方向D1层叠的多个绝缘层3,5,7,9。在素体1中，多个绝缘层3,5,7,9的层叠方向与第一方向D1一致。在实际的素体1中，各绝缘层3,5,7,9一体化到无法在视觉上识别绝缘层3,5,7,9之间的边界的程度。

素体1具有：包括多个绝缘层3的功能部2a、包括多个绝缘层5的功能部2b、包括多个绝缘层7的中间部2c。中间部2c位于功能部2a和功能部2b之间。绝缘层9位于功能部2a和中间部2c之间。在本实施方式中，绝缘层9与功能部2a和中间部2c相接。中间部2c与绝缘层5相接。第一侧面1c、第二侧面1d、第三侧面1e以及第四侧面1f包括功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面。第一主面1a包括功能部2b的表面。第二主面1b包括功能部2a的表面。例如，当功能部2b构成第一功能部时，功能部2a构成第二功能部。

绝缘层3由例如包含电介质材料的陶瓷生片的烧结体构成。电介质材料例如是BaTiO₃系、Ba(Ti,Zr)O₃系、(Ba,Ca)TiO₃系、SrTiO₃系、CaTiO₃系、(Ba,Sr)TiO₃系、(Ba,Sr)(Ti,Zr)O₃系、(Ba,Sr,Ca)TiO₃系、(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O₃系、TiO₂系、Zn₂TiO₄系、ZnTiO₃系或TiO₂-BaO-Nd₂O₃系的电介质陶瓷材料。在本实施方式中，绝缘层3由电介质材料构成。

绝缘层5由例如包含磁性材料的陶瓷生片的烧结体构成。磁性材料例如是Ni-Cu-Zn系铁氧体材料、Ni-Cu-Zn-Mg系铁氧体材料或Ni-Cu系铁氧体材料。在本实施方式中，绝缘层5由磁性材料(铁氧体材料)构成。绝缘层5可以由包含非磁性材料的陶瓷生片的烧结体构成。非磁性材料例如是Cu-Zn系铁氧体材料、电介质材料或玻璃陶瓷材料。绝缘层5可以由非磁性材料构成。

绝缘层7由陶瓷生片的烧结体构成，该陶瓷生片包括例如包含在电介质材料中的成分和包含在磁性材料中的成分。在本实施方式中，绝缘层7包含TiO₂作为包含在电介质材料中的成分。绝缘层7包含NiO作为包含在磁性材料中的成分。当绝缘层5由非磁性材料构成时，绝缘层7包含例如包含在电介质材料中的成分和包含在非磁性材料中的成分。在滤波器阵列FA1的制造过程中(例如，烧成工序)，包括绝缘层7的中间部2c缓和功能部2a与功能部2b之间的收缩率差异产生的内部应力。中间部2c中包含的Ti扩散到功能部2a中，并且中间部2c中包含的Ni扩散到功能部2b中。因此，中间部2c的结构比功能部2a,2b的结构粗，并且中间部2c的绝缘电阻比功能部2a,2b的绝缘电阻低。

绝缘层9由例如Cu-Zn系铁氧体材料或包含电介质材料的陶瓷生片的烧结体构成。电介质材料例如是Zn₂TiO₄型、ZnTiO3系、TiO₂型、BaO-TiO₂型或ZnO-BaO-TiO₂型的电介质陶瓷材料。在本实施方式中，绝缘层9包含电介质材料(Zn₂TiO₄型)。绝缘层9抑制特定金属(原子)从功能部2b向功能部2a的移动。在本实施方式中，绝缘层9抑制功能部2b中包含的Fe的移动。

端子电极11,13配置在第一侧面1c上。端子电极11配置在由第一侧面1c和第三侧面1e划定的角部。端子电极13配置在由第一侧面1c和第四侧面1f划定的角部。端子电极11具有配置在第一主面1a上的电极部11a和配置在第一侧面1c上的电极部11c。端子电极13具有配置在第一主面1a上的电极部13a和配置在第一侧面1c上的电极部13c。电极部11a和11c形成为一体。电极部13a,13c形成为一体。

端子电极12,14配置在第二侧面1d上。端子电极12配置在由第二侧面1d和第三侧面1e划定的角部。端子电极14配置在由第二侧面1d和第四侧面1f划定的角部。端子电极12具有配置在第一主面1a上的电极部12a和配置在第二侧面1d上的电极部12c。端子电极14具有配置在第一主面1a上的电极部14a和配置在第二侧面1d上的电极部14c。电极部12a,12c形成为一体。电极部14a,14c形成为一体。

当从第一方向D1看时，端子电极15配置在第一主面1a的中央。端子电极15具有配置在第一主面1a上的电极部。当从第一方向D1看时，端子电极11,12,13,14的电极部11a,12a,13a,14a分别配置在第一主面1a的不同角部，即，素体1的不同角部。当从第一方向D1看时，端子电极15位于电极部11a,12a,13a,14a的内侧。

如图6和图7所示，端子电极11,12,13,14,15具有第一电极层E1、第二电极层E2以及第三电极层E3。第三电极层E3构成端子电极11,12,13,14,15的最外层。各电极部11a,12a,13a,14a具有第一电极层E1、第二电极层E2以及第三电极层E3。各电极部11a,12a,13a,14a具有三层结构。各电极部11c,12c,13c,14c具有第一电极层E1。各电极部11c,12c,13c,14c具有单层结构。

第一电极层E1通过对施加在素体1的表面的导电膏进行烧结而形成。第一电极层E1是通过烧结包含在导电膏中的金属成分(金属粉末)而形成的层。第一电极层E1是形成在素体1上的烧结金属层。在本实施方式中，第一电极层E1是由Ag构成的烧结金属层。第一电极层E1可以是由Pd或Ag-Pd合金构成的烧结金属层。第一电极层E1含有贵金属。导电膏含有由Ag、Pd或Ag-Pd合金组成的粉末、玻璃成分、有机粘合剂以及有机溶剂。

通过电镀方法在第一电极层E1上形成第二电极层E2。在本实施方式中，第二电极层E2是通过镀Ni形成的Ni镀层。第二电极层E2可以是Sn镀层、Cu镀层或Au镀层。通过电镀方法在第二电极层E2上形成第三电极层E3。在本实施方式中，第三电极层E3是通过Sn电镀形成的Sn镀层。第三电极层E3可以是Cu镀层或Au镀层。第二电极层E2和第三电极层E3构成在第一电极层E1中形成的镀层。在本实施方式中，在第一电极层E1中形成的镀层具有双层结构。

各电极部11a,11c具有的第一电极层E1形成为一体。各电极部12a,12c具有的第一电极层E1形成为一体。各电极部13a,13c具有的第一电极层E1形成为一体。各电极部14a,14c具有的第一电极层E1形成为一体。

电极部11c,13c以遍及功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面的方式形成在第一侧面1c上。电极部11c,13c具有形成在第一侧面1c上的第一电极层E1。电极部11c,13c具有的第一电极层E1与功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面相接。电极部12c,14c以遍及功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面的方式形成在第二侧面1d上。电极部12c,14c具有形成在第二侧面1d上的第一电极层E1。电极部12c,14c具有的第一电极层E1与功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面相接。

如图3所示，滤波器阵列FA1包括多个线圈导体21,22,23,24。线圈导体21,22,23,24呈大致环状。在本实施方式中，线圈导体21,22,23,24具有导体大致缠绕一圈成矩形的形状。线圈导体21,22,23,24包含导电材料。导电材料例如是Ag或Pd。线圈导体21,22,23,24由包含导电材料的导电膏的烧结体构成。导电材料包括例如Ag粉末或Pd粉末。

线圈导体21和线圈导体22沿第一方向D1配置在不同的位置(层)。线圈导体21和线圈导体22以至少一层绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。线圈导体22比线圈导体21更靠近第二主面1b。线圈导体21和线圈导体22具有从第一方向D1看彼此重叠的导体部分。线圈导体21具有第一端和第二端。线圈导体22具有第一端和第二端。

线圈导体21在第一端具有连接部21a。连接部21a在第一侧面1c上露出。连接部21a，即线圈导体21在露出于第一侧面1c的第一端处连接到端子电极11(电极部11c的第一电极层E1)。线圈导体22在第一端具有连接部22a。连接部22a在第二侧面1d上露出。连接部22a，即线圈导体22在露出于第二侧面1d的第一端处连接到端子电极12(电极部12c的第一电极层E1)。

线圈导体21的第二端和线圈导体22的第二端通过通孔导体31连接。通孔导体31贯穿位于线圈导体21和线圈导体22之间的绝缘层5。线圈导体21和线圈导体22通过通孔导体31电连接。如图8所示，线圈导体21和线圈导体22构成电感器L1。电感器L1连接到端子电极11和端子电极12。图8是示出本实施方式涉及的层叠型LC滤波器阵列的等效电路的图。

线圈导体23和线圈导体24配置在第一方向D1的不同位置(层)。线圈导体23和线圈导体24以至少一层绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。线圈导体24比线圈导体23更靠近第二主面1b。线圈导体23和线圈导体24具有从第一方向D1看彼此重叠的导体部分。线圈导体23具有第一端和第二端。线圈导体24具有第一端和第二端。

线圈导体23在第一端具有连接部23a。连接部23a在第一侧面1c上露出。连接部23a，即线圈导体23在露出于第一侧面1c上的第一端处连接到端子电极13(电极部13c的第一电极层E1)。线圈导体24在第一端具有连接部24a。连接部24a在第二侧面1d上露出。连接部24a，即线圈导体24在露出于第二侧面1d的第一端处连接到端子电极14(电极部14c的第一电极层E1)。

线圈导体23的第二端和线圈导体24的第二端通过通孔导体32连接。通孔导体32贯穿位于线圈导体23和线圈导体24之间的绝缘层5。线圈导体23和线圈导体24通过通孔导体32电连接。如图8所示，线圈导体23和线圈导体24构成电感器L2。电感器L2连接到端子电极13和端子电极14。

线圈导体21和线圈导体23配置在第一方向D1上的相同位置(层)。线圈导体21和线圈导体23在第三侧面1e和第四侧面1f相对的方向上分开。线圈导体21位于更靠近第三侧面1e的位置，线圈导体23位于更靠近第四侧面1f的位置。线圈导体22和线圈导体24配置在第一方向D1的相同位置(层)。线圈导体22和线圈导体24在第三侧面1e和第四侧面1f相对的方向上分开。线圈导体22位于更靠近第三侧面1e的位置，线圈导体24位于更靠近第四侧面1f的位置。

如图3所示，滤波器阵列FA1包括多个内部电极41,42,43,44,45,46。内部电极41,42,43,44,45,46包含导电材料。导电材料包括例如Ag或Pd。内部电极41,42,43,44,45,46由包含导电材料的导电膏的烧结体构成。导电材料包括例如Ag粉末或Pd粉末。

内部电极41具有与内部电极45和46相对的主电极部41a和连接部41b。连接部41b露出在第一侧面1c上。连接部41b在露出于第一侧面1c的端处连接到端子电极11(电极部11c的第一电极层E1)。连接部41b连接主电极部41a和端子电极11。主电极部41a和连接部41b形成为一体。

内部电极42具有与内部电极45和46相对的主电极部42a、以及连接部42b。连接部42b在第二侧面1d上露出。连接部42b在露出于第二侧面1d的端处连接到端子电极12(电极部12c的第一电极层E1)。连接部42b连接主电极部42a和端子电极12。主电极部42a和连接部42b形成为一体。

内部电极43具有与内部电极45,46相对的主电极部43a、以及连接部43b。连接部43b在第一侧面1c处露出。连接部43b在露出于第一侧面1c的端处连接到端子电极13(电极部13c的第一电极层E1)。连接部43b连接主电极部43a和端子电极13。主电极部43a和连接部43b形成为一体。

内部电极44具有与内部电极45,46相对的主电极部44a和连接部44b。连接部44b露出在第二侧面1d上。连接部44b在露出于第二侧面1d的端处连接到端子电极14(电极部14c的第一电极层E1)。连接部44b连接主电极部44a和端子电极14。主电极部44a和连接部44b形成为一体。

内部电极41,42,43,44与内部电极45,46配置在第一方向D1上的不同位置(层)。内部电极41,42,43,44在第一方向D1上位于内部电极45和内部电极46之间。内部电极41,42,43,44的主电极部41a,42a,43a,44a和内部电极45以至少一层绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。内部电极41,42,43,44的主电极部41a,42a,43a,44a与内部电极46以至少一层绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。内部电极41,42,43,44的主电极部41a,42a,43a,44a与内部电极45,46在第一方向D1上相对。

如图8所示，内部电极41和内部电极45,46构成电容器C1。如图8所示，内部电极42和内部电极45,46构成电容器C2。如图8所示，内部电极43和内部电极45,46构成电容器C3。如图8所示，内部电极44和内部电极45,46构成电容器C4。

在内部电极45和内部电极46之间，焊盘导体51以从第一方向D1看时与内部电极45和内部电极46重叠的方式配置。焊盘导体51与位于同一层中的内部电极41,42,43,44分开。焊盘导体51与内部电极45以绝缘层3介于其间的方式在第一方向D1上分开。焊盘导体51与内部电极46以绝缘层3介于其间的方式在第一方向D1上分开。

在内部电极45和端子电极15之间，以从第一方向D1看时与内部电极45和端子电极15重叠的方式配置多个焊盘导体53,55。当焊盘导体53位于与线圈导体21,22,23,24相同的层中时，焊盘导体53与位于同一层中的线圈导体21,22,23,24分开。各焊盘导体53以对应的绝缘层3,5,7,9介于其间的方式在第一方向D1上分开。焊盘导体55位于最靠近第一主面1a的焊盘导体53和端子电极15之间。焊盘导体53和焊盘导体55以绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。焊盘导体55和端子电极15以绝缘层5介于其间的方式在第一方向D1上分开。

内部电极45,46和端子电极15通过焊盘导体51,53,55和通孔导体37电连接。因此，各电容器C1,C2,C3,C4连接到端子电极15。通孔导体37贯穿位于内部电极46和端子电极15之间的绝缘层3,5,7,9。

焊盘导体51,53,55以及通孔导体31,32,37包含导电材料。导电材料包括例如Ag或Pd。焊盘导体51,53,55以及通孔导体31,32,37由包含导电材料的导电膏的烧结体构成。导电材料例如是Ag粉末或Pd粉末。通孔导体31,32,37通过烧结填充在通孔中的导电膏而形成，该通孔形成在用于构成对应的绝缘层3,5,7,9的陶瓷生片上。

再如图8所示，滤波器阵列FA1包括滤波器F1和滤波器F2。滤波器F1包括电感器L1和电容器C1,C2。滤波器F2包括电感器L2和电容器C3,C4。各滤波器F1,F2构成π型滤波器。滤波器阵列FA1包括两个π型滤波器。各电感器L1和L2配置在功能部2b中。电容器C1,C2,C3,C4配置在功能部2a中。在滤波器阵列FA1中，端子电极11和端子电极13的电位不同，并且端子电极12和端子电极14的电位不同。例如，当电感器L1构成第一电感器时，电感器L2构成第二电感器。例如，当电容器C1,C2构成第一电容器时，电容器C3,C4构成第二电容器。

如图1和图2所示，滤波器阵列FA1包括绝缘层ISa,ISb。绝缘层ISa,ISb配置在素体1中。绝缘层ISa形成在第一侧面1c上。绝缘层ISb形成在第二侧面1d上。在本实施方式中，滤波器阵列FA1包括两个绝缘层ISa,ISb。第一主面1a、第二主面1b、第三侧面1e以及第四侧面1f从绝缘层ISa,ISb露出。绝缘层ISa,ISb由电绝缘材料构成。电绝缘材料例如是绝缘性玻璃。绝缘性玻璃例如是Sr-Al-Si-B-O系玻璃、Ba-Al-Si-B-O系玻璃或Si-Ba-Li-O系玻璃。绝缘层ISa,ISb可以由绝缘树脂构成。

绝缘层ISa以至少与在中间部2c的表面上的电极部11c,13c之间的从电极部11c,13c露出的区域2c₁相接的方式形成在第一侧面1c上。在本实施方式中，绝缘层ISa以电极部11c,13c、以及与从功能部2功能部2b以及中间部2c的各表面上的电极部11c,13c露出的区域相接的方式形成在整个第一侧面1c上。绝缘层ISa以与电极部11c,13c的第一电极层E1相接的方式形成。绝缘层ISa以跨越中间部2c的表面上的区域2c₁的方式形成在第一侧面1c上。

绝缘层ISb以至少与在中间部2c的表面上的电极部12c,14c之间的从电极部12c,14c露出的区域2c₂相接的方式形成在第二侧面1d上。在本实施方式中，绝缘层ISb以与电极部12c,14c、以及与功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面上的从电极部12c,14c露出的区域相接的方式形成在整个第二侧面1d上。绝缘层ISb以与电极部12c,14c的第一电极层E1相接的方式形成。绝缘层ISb以跨越中间部2c的表面上的区域2c₂的方式形成在第二侧面1d上。

如上所述，在本实施方式中，形成在第一侧面1c上的绝缘层ISa与在中间部2c的表面上的电极部11c,13c之间从电极部11c,13c露出的区域相接。形成在第二侧面1d上的绝缘层ISb与中间部2c的表面上的电极部12c,14c之间从电极部12c,14c露出的区域相接。因此，在滤波器阵列FA1中，迁移难以通过中间部2c发生。结果，滤波器阵列FA1抑制了迁移的发生。

在滤波器阵列FA1中，绝缘层ISa以与电极部11c,13c、以及与从功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面上的电极部11c,13c露出的区域相接的方式形成在整个第一侧面1c上。绝缘层ISb以与电极部12c,14c、以及与功能部2a、功能部2b以及中间部2c的各表面上的从电极部12c,14c露出的区域相接的方式形成在整个第二侧面1d上。因此，滤波器阵列FA1可靠地抑制迁移的发生。

绝缘层ISa可以仅与在中间部2c的表面上的电极部11c,13c之间从电极部11c,13c露出的区域相接的方式形成在第一侧面1c上。然而，当在整个第一侧面1c上形成绝缘层ISa时，如上所述，滤波器阵列FA1可靠地抑制迁移的发生。绝缘层ISb可以仅与在中间部2c的表面上的电极部12c,14c之间从电极部12c,14c露出的区域相接的方式形成在第二侧面1d上。然而，当在整个第二侧面1d上形成绝缘层ISb时，如上所述，滤波器阵列FA1可靠地抑制迁移的发生。

线圈导体21的连接部21a和内部电极41的连接部41b连接到电极部11c的第一电极层E1。线圈导体23的连接部23a和内部电极43的连接部43b连接到电极部13c的第一电极层E1。线圈导体22的连接部22a和内部电极42的连接部42b连接到电极部12c的第一电极层E1。线圈导体24的连接部24a和内部电极44的连接部44b连接到电极部14c的第一电极层E1。当形成第一电极层E1的位置偏离期望的位置时，有对应的连接部21a,22a,23a,24a和对应的连接部41b,42b,43b,44b从第一电极层E1露出的可能。当对应的连接部21a,22a,23a,24a和对应的连接部41b,42b,43b,44b从第一电极层E1露出时，有水分可以从连接部21a,22a,23a,24a和连接部41b,42b,43b,44b与素体1之间渗透的可能。例如，有电镀液渗透素体1中的可能。

在滤波器阵列FA1中，绝缘层ISa以与电极部11c,13c的第一电极层E1相接的方式形成。绝缘层ISb以与电极部12c,14c的第一电极层E1相接的方式形成。因此，绝缘层ISa,ISb抑制水分渗透到素体1中。

在滤波器阵列FA1中，绝缘层ISa,ISb由绝缘性玻璃构成。因此，在这种情况下，滤波器阵列FA1容易抑制迁移的发生。绝缘性玻璃通常在电镀液中具有耐腐蚀性。因此，当形成第二电极层E2和第三电极层E3时，绝缘层ISa,ISb难以被电镀液侵蚀。

在滤波器阵列FA1中，中间部2c的绝缘电阻低于功能部2a,2b的绝缘电阻。在中间部2c的绝缘电阻低于功能部2a,2b的绝缘电阻的情况刚下，迁移容易发生。然而，即使在这种情况下，滤波器阵列FA1抑制了电极部11c,13c之间以及电极部12c,14c之间的迁移的发生。

在滤波器阵列FA1中，端子电极11和端子电极13具有电位差，并且端子电极12和端子电极14具有电位差。当端子电极11和端子电极13具有电位差时，在电极部11c,13c之间易于发生迁移。当端子电极12和端子电极14具有电位差时，在电极部12c,14c之间易于发生迁移。即使在这种情况下，滤波器阵列FA1也抑制了电极部11c,13c之间以及电极部12c,14c之间的迁移的发生。

再如图8所示，滤波器阵列FA1包括：包括电感器L1和电容器C1,C2的滤波器F1、以及包括电感器L2和电容器C3,C4的滤波器F2。各滤波器F1,F2构成π型滤波器。滤波器阵列FA1包括两个π型滤波器。在本实施方式中，实现了抑制迁移发生的LC滤波器阵列。

接着，参照图9和图10，对本实施方式的变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列的构成进行说明。图9是示出本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列的构成的分解立体图。图10是示出本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列的等效电路的图。下面主要对滤波器阵列FA1和本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列之间的差异进行说明。

尽管未在图中示出，但是本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列与上述实施方式涉及的滤波器阵列FA1同样，包括：素体1、端子电极11,12,13,14,15，绝缘层ISa,ISb。

如图9所示，本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列包括多个线圈导体21,22,23,24以及多个内部电极42,44,45,46。内部电极42更靠近第三侧面1e。内部电极44位于更靠近第四侧面1f的位置。再如图10所示，本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列包括：包括电感器L1和电容器C2的滤波器F3、包括电感器L2和电容器C4的滤波器F4。各滤波器F3,F4构成L型滤波器。也就是说，层叠型LC滤波器阵列包括两个L型滤波器。

与滤波器阵列FA1同样，本变形例涉及的层叠型LC滤波器阵列也抑制迁移的发生。

以上，详细说明了本发明的实施方式和变形例，但本发明并不限定于上述实施方式和变形例，可以在不脱离本发明的范围的情况下对实施方式进行各种改变。

例如，构成各电感器L1,L2的线圈导体21,22,23,24的数量不限于“2”，而可以是“3”以上。例如，构成各电容器C1,C2,C3,C4的内部电极41,42,43,44,45,46的数量(层叠数量)不限于“3”，而可以是“4”以上。

本实施方式的电子部件是层叠型LC滤波器阵列FA1。适用的电子部件不限于层叠型LC滤波器阵列。适用的电子部件例如是包括压敏电阻器和电感器的复合电子部件、包括电阻器和电感器的复合电子部件、或者层叠型共模滤波器的电子部件等。

Claims (7)

1.一种电子部件，其中，

包括：

具有侧面的素体；

配置于所述素体的多个端子电极；以及

配置于所述素体的绝缘层，

所述素体具有：

第一功能部，由第一材料构成；

第二功能部，由不同于所述第一材料的第二材料构成；以及

中间部，包括包含于所述第一材料的第一成分、和包含于所述第二材料并且不同于所述第一成分的第二成分，并且位于所述第一功能部与所述第二功能部之间，

所述侧面包含所述第一功能部、所述第二功能部以及所述中间部的各表面，

所述多个端子电极分别具有以遍及所述第一功能部、所述第二功能部以及所述中间部的所述各表面的方式形成于所述侧面的电极部，

所述绝缘层以至少与在所述中间部的所述表面上的所述电极部之间从所述电极部露出的区域相接的方式形成于所述侧面。

2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，

所述绝缘层以与所述电极部、和所述第一功能部、所述第二功能部以及所述中间部的所述各表面上的从所述电极部露出的区域相接的方式形成于所述侧面的全体。

3.根据权利要求2所述的电子部件，其中，

所述电极部具有形成于所述侧面的烧结金属层，

所述绝缘层以与所述烧结金属层相接的方式形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件，其中，

所述绝缘层由绝缘性玻璃构成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的电子部件，其中，

所述中间部的绝缘电阻低于所述第一功能部和所述第二功能部的各绝缘电阻。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件，其中，

所述多个端子电极具有电位差。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子部件，其中，

还包括：

配置于所述第一功能部的第一电感器和第二电感器；以及

配置于所述第二功能部的第一电容器和第二电容器，该第一电容器和所述第一电感器构成滤波器，该第二电容器和所述第二电感器构成滤波器，

所述第一材料包含铁氧体材料，并且所述第二材料包含电介质陶瓷材料，

所述多个端子电极具有连接有所述第一电感器的第一输入端子电极和第一输出端子电极、以及连接有所述第二电感器的第二输入端子电极和第二输出端子电极。