CN109659241B - 一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 17
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4839—Assembly of a flat lead with an insulating support, e.g. for TAB
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
本发明公开了一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,包括:将bonding芯片安装在引线框架顶端;通过在所述引线框架的顶部喷射金液,使所述引线框架的顶部形成一端与所述bonding芯片相连接、另一端与所述引线框架相连接的金线;通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使所述金线固定在所述引线框架上;通过回流焊将SMD芯片安装在所述引线框架的点焊锡位置,并使所述SMD芯片与所述金线相连接;将所述bonding芯片、SMD芯片、金线在所述引线框架上进行封装,完成所述bonding芯片和SMD芯片在所述引线框架上的连接。本发明能够使bonding芯片和SMD芯片可以同时在一个引线框架上使用,填补了这两个功能的芯片不能在同一引线框架上使用的空白。
Description
技术领域
本发明属于光电半导体制备技术领域,具体涉及一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法。
背景技术
引线框架(lead frame)如今依然是光电半导体制品的重要结构载体之一,但引线框架结构的制品往往不能贴装多于一种功能的芯片。传统引线框架制品一般只使用bonding(die bonding+wire bonding)一种模式进行贴片,近日SMT技术也能满足在引线框架上贴装SMD芯片的需要。但是目前市场上有在同一个引线框架上同时贴装两个类型的芯片,制作出同时执行两个物理量传感任务的制品的需求,而实现这两个功能的芯片各自需要不同的贴片模式,因此,这种制品的工艺暂时还是空白。
发明内容
针对上述现有技术存在的不足之处,本发明提供了一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,包括:
将bonding芯片安装在引线框架顶端;
通过在所述引线框架的顶部喷射金液,使所述引线框架的顶部形成一端与所述bonding芯片相连接、另一端与所述引线框架相连接的金线;
通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使所述金线固定在所述引线框架上;
通过回流焊将SMD芯片安装在所述引线框架的点焊锡位置,并使所述SMD芯片与所述金线相连接;
将所述bonding芯片、SMD芯片、金线在所述引线框架上进行封装,完成所述bonding芯片和SMD芯片在所述引线框架上的连接。
进一步的,在将所述bonding芯片安装在引线框架顶端时,包括:
将所述引线框架放入夹具中,通过带显微镜的摄像头捕捉所述引线框架顶端的标记,并将此标记定义为所述bonding芯片的安装点位;
通过识别所述bonding芯片上的标记,将所述bonding芯片上的标记确定为安装点位;
通过银胶将所述bonding芯片的安装点位粘结在所述引线框架的安装点位处,完成所述bonding安装在所述引线框架的顶端。
进一步的,在通过在所述引线框架的顶部喷射金液,使所述引线框架的顶部形成一端与所述bonding芯片相连接的金线时,包括:
在所述引线框架上设定两个焊接点,通过金线熔断焊嘴将金液喷射到第一焊接点上,并在焊嘴快速移动下,利用惯性将金液带到第二焊接点上,使在第一焊接点和第二焊接点之间的金液凝固,形成金线。
进一步的,在通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使所述金线固定在所述引线框架上时,包括:
将装有低流动性硅胶的针管4或5个一排,按一定间距夹放在自动硅胶点胶机上;
根据所述引线框架上制品的间距设定所述针管每次移动的距离长短、以及所述针管的出胶量和压强;
在所述金线的上方,以较慢的速度移动所述针管对所述金线进行点胶;
将点胶后的所述引线框架放入温度合适的烤箱烘烤,使硅胶固化,完成低流动性的硅胶在所述金线处点胶。
进一步的,在通过回流焊将SMD芯片安装在所述引线框架的点焊锡位置时,包括:
通过使用摄像头捕捉所述引线框架上的定位点,并在所述引线框架上设定锡膏喷枪的喷头基准位置;
通过锡膏喷枪将锡膏喷射在所述引线框架上的定位点,并将所述SMD芯片固定在所述引线框架的点位上。
进一步的,在将所述SMD芯片固定在所述引线框架的点位上时,包括:
将所述SMD芯片放置在喷射完锡膏的所述引线框架上的定位点上后,将所述SMD芯片在所述引线框架上进行回流焊,即可完成所述SMD芯片在所述引线框架上的固定。
进一步的,在将所述bonding芯片、SMD芯片、金线在所述引线框架上进行封装时,包括:
在所述引线框架上注入液态热固型EMC,使所述bonding芯片、SMD芯片和金线封装在液态热固型EMC内;
将所述引线框架在烤箱中进行加热,使EMC初步固化后,再将所述引线框架进行二次加热,完成所述EMC固化在所述bonding芯片、SMD芯片和金线的固化。
本发明提供的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,通过将bonding芯片、SMD芯片和金线封装在引线框架上,使bonding芯片和SMD芯片可以同时在一个引线框架上使用,填补了这两个功能的芯片不能在同一引线框架上使用的空白。
附图说明
图1为本发明示例性实施例的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法的流程示意图;
图2为本发明示例性实施例的另一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法的流程示意图;
图3为本发明示例性实施例的又一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法的流程示意图;
图4为本发明示例性实施例的再一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法的流程示意图;
图5为本发明示例性实施例的另又一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法的流程示意图;
图6为本发明示例性实施例的两种类型芯片连接在一引线框架上的结构示意图。
具体实施方式
为克服现有技术中的不足,本发明提供一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的优选实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
如图1所示,一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,包括:
S100、将bonding芯片安装在引线框架顶端;
S200、通过在引线框架的顶部喷射金液,使引线框架的顶部形成一端与bonding芯片相连接、另一端与引线框架相连接的金线;
S300、通过黏度为黏度20000mPa.s的低流动性的硅胶在金线处点胶,使金线固定在引线框架上,使用低流动性的硅胶在金线处点胶,可以保护金线在贴片SMD时不发生断裂;
S400、通过回流焊将SMD芯片安装在引线框架的点焊锡位置,并使SMD芯片与所述金线相连接;
S500、将bonding芯片、SMD芯片、金线在引线框架上进行封装,完成bonding芯片和SMD芯片在引线框架上的连接。
其中,在将bonding芯片安装在引线框架顶端时,是将bonding芯片通过die bond和wire bond两道工序将其安装在引线框架顶端。本实施例提供的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,通过将bonding芯片、SMD芯片和金线封装在引线框架上,使bonding芯片和SMD芯片可以同时在一个引线框架上使用,填补了这两个功能的芯片不能在同一引线框架上使用的空白。
作为一优选实施方式,如图2所示,在将bonding芯片安装在引线框架顶端时,包括:
S101、将引线框架放入立式die bonding设备的夹具中,通过带显微镜的摄像头捕捉引线框架顶端的标记,并将此标记定义为bonding芯片的安装点位;
S102、通过识别bonding芯片上的标记,将bonding芯片上的标记确定为安装点位;
S103、通过胶针点将bonding芯片的安装点位上点上银胶,再用真空吸嘴将bonding芯片从晶圆上吸取,安置在点胶位置,使bonding芯片粘结在引线框架的安装点位处,完成bonding芯片安装在引线框架的顶端。
其中,在使bonding芯片粘结在引线框架的安装点位处后,将贴装好bonding芯片的引线框架放入100℃烤箱烘烤,固定银胶。
作为一优选实施方式,在通过在引线框架的顶部喷射金液,使引线框架的顶部形成一端与bonding芯片相连接的金线时,包括:
在引线框架上设定两个焊接点,通过金线熔断焊嘴将金液喷射到第一焊接点上,并在焊嘴快速移动下,利用惯性将金液带到第二焊接点上,使在第一焊接点和第二焊接点之间的金液凝固,形成金线。
具体来说,将顶端已安装bonding芯片的引线框架放入立式wire bonding设备夹具中,并在wire bonding设备的取样系统上设定金线焊接点后,使金线熔断焊嘴将在制品上自动打出金线,在焊嘴内部加热把整卷金线熔断成长度合适的小段,以液体状态迅速喷射到第一焊接点上,然后焊嘴快速移动,利用惯性将金液带到第二焊接点上;金液会迅速凝固,形成金线后。将打好金线的制品再次用烤箱烘烤,使金线焊接点牢固。
作为一优选实施方式,如图3所示,在通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使金线固定在引线框架上时,包括:
S301、将装有低流动性硅胶的针管4或5个一排,按一定间距夹放在自动硅胶点胶机上;
S302、根据引线框架上制品的间距设定针管每次移动的距离长短、以及针管的出胶量和压强;
S303、在金线的上方,以较慢的速度移动针管对金线进行点胶;
S304、将点胶后的引线框架放入温度合适的烤箱烘烤,使硅胶固化,完成低流动性的硅胶在金线处点胶。
作为一优选实施方式,如图4所示,在通过回流焊将SMD芯片安装在引线框架的点焊锡位置时,包括:
S401、通过使用摄像头捕捉引线框架上的定位点,并在引线框架上设定锡膏喷枪的喷头基准位置;
S402、通过锡膏喷枪将锡膏喷射在引线框架上的定位点,并将SMD芯片固定在引线框架的点位上。
进一步的,在将SMD芯片固定在引线框架的点位上时,包括:
将SMD芯片放置在喷射完锡膏的引线框架上的定位点上后,将SMD芯片在引线框架上进行回流焊,即可完成SMD芯片在所述引线框架上的固定。
作为一优选实施方式,如图5所示,在将bonding芯片、SMD芯片、金线在引线框架上进行封装时,包括:
S501、在引线框架上注入液态热固型EMC,使bonding芯片、SMD芯片和金线封装在液态热固型EMC内;
S502、将引线框架在烤箱中进行加热,使EMC初步固化后,再将引线框架进行二次加热,完成EMC固化在bonding芯片、SMD芯片和金线的固化。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,包括:
将bonding芯片安装在引线框架顶端;
通过在所述引线框架的顶部喷射金液,使所述引线框架的顶部形成一端与所述bonding芯片相连接、另一端与所述引线框架相连接的金线;
通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使所述金线固定在所述引线框架上;
通过回流焊将SMD芯片安装在所述引线框架的点焊锡位置,并使所述SMD芯片与所述金线相连接;
将所述bonding芯片、SMD芯片、金线在所述引线框架上进行封装,完成所述bonding芯片和SMD芯片在所述引线框架上的连接;
其中,在通过回流焊将SMD芯片安装在所述引线框架的点焊锡位置时,包括:
通过使用摄像头捕捉所述引线框架上的定位点,并在所述引线框架上设定锡膏喷枪的喷头基准位置;
通过锡膏喷枪将锡膏喷射在所述引线框架上的定位点,并将所述SMD芯片固定在所述引线框架的点位上。
2.根据权利要求1所述的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,在将所述bonding芯片安装在引线框架顶端时,包括:
将所述引线框架放入夹具中,通过带显微镜的摄像头捕捉所述引线框架顶端的标记,并将此标记定义为所述bonding芯片的安装点位;
通过识别所述bonding芯片上的标记,将所述bonding芯片上的标记确定为安装点位;
通过银胶将所述bonding芯片的安装点位粘结在所述引线框架的安装点位处,完成所述bonding安装在所述引线框架的顶端。
3.根据权利要求1所述的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,在通过在所述引线框架的顶部喷射金液,使所述引线框架的顶部形成一端与所述bonding芯片相连接的金线时,包括:
在所述引线框架上设定两个焊接点,通过金线熔断焊嘴将金液喷射到第一焊接点上,并在焊嘴快速移动下,利用惯性将金液带到第二焊接点上,使在第一焊接点和第二焊接点之间的金液凝固,形成金线。
4.根据权利要求1所述的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,在通过低流动性的硅胶在所述金线处点胶,使所述金线固定在所述引线框架上时,包括:
将装有低流动性硅胶的针管4或5个一排,按一定间距夹放在自动硅胶点胶机上;
根据所述引线框架上制品的间距设定所述针管每次移动的距离长短、以及所述针管的出胶量和压强;
在所述金线的上方,以较慢的速度移动所述针管对所述金线进行点胶;
将点胶后的所述引线框架放入温度合适的烤箱烘烤,使硅胶固化,完成低流动性的硅胶在所述金线处点胶。
5.根据权利要求1所述的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,在将所述SMD芯片固定在所述引线框架的点位上时,包括:
将所述SMD芯片放置在喷射完锡膏的所述引线框架上的定位点上后,将所述SMD芯片在所述引线框架上进行回流焊,即可完成所述SMD芯片在所述引线框架上的固定。
6.根据权利要求1所述的一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法,其特征在于,在将所述bonding芯片、SMD芯片、金线在所述引线框架上进行封装时,包括:
在所述引线框架上注入液态热固型EMC,使所述bonding芯片、SMD芯片和金线封装在液态热固型EMC内;
将所述引线框架在烤箱中进行加热,使EMC初步固化后,再将所述引线框架进行二次加热,完成所述EMC固化在所述bonding芯片、SMD芯片和金线的固化。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811511161.1A CN109659241B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811511161.1A CN109659241B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法 |
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---|---|
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CN109659241B true CN109659241B (zh) | 2021-05-11 |
Family
ID=66113792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811511161.1A Active CN109659241B (zh) | 2018-12-11 | 2018-12-11 | 一种在引线框架上连接两种类型芯片的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109659241B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102097340A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-06-15 | 沈阳中光电子有限公司 | 用cob灌胶封装制作smd的方法 |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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