CN110854030A - 一种同步器信号处理模块制作工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：制作过程主要包括：步骤1)LTCC基板清洗、烘干；步骤2)自动贴片机进行裸芯片贴装；步骤3)阻容器件贴装；步骤4)自动键合机进行裸芯片金丝键合；步骤5)LTCC基板与壳体粘接；步骤6)手动键合机进行壳体管柱金丝键合；步骤7)平行缝焊；步骤8)气密性检测。本发明这种同步器信号处理模块制作工艺，产品制作工艺更加科学实用，缩短了工艺制程，节省了时间，为批量化生产提供了有力保障，具有较好的应用前景。

Description

一种同步器信号处理模块制作工艺
技术领域
本发明属于微电子模块制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种同步器信号处理模块制作工艺。
背景技术
同步器信号处理模块是飞机参数显示器的配套产品，用于实现对角位移传感器的输出信号(例如俯仰角、倾斜角、斜板位置、磁航向、罗盘方位角) 进行处理，是飞机参数显示的重要组件。同步器信号处理模块可将交流同步器角位移信号转换为直流角位移信号，具有通用化功能，通过外接电路可以实现多种同步器线电压和激磁电压的输入要求。现有技术中，同步器信号处理模块制作工艺复杂，不能很好的适用大批量生产。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术存在的问题，提供一种科学合理的工艺流程，适用于批量生产的同步器信号处理模块制作工艺。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：所提供的这种同步器信号处理模块制作工艺，制作过程主要包括：步骤1)LTCC基板清洗、烘干；步骤2)自动贴片机进行裸芯片贴装；步骤3)阻容器件贴装；步骤4)自动键合机进行裸芯片金丝键合；步骤5)LTCC基板与壳体粘接；步骤6)手动键合机进行壳体管柱金丝键合；步骤7)平行缝焊；步骤8)气密性检测。
为使上述技术方案更加详尽和具体，本发明还提供以下更进一步的优选技术方案，以获得满意的实用效果：
步骤1)中，将LTCC基板放置在盛有无水乙醇的烧杯中，浸泡10分钟，然后用软毛刷刷洗基板表面；将刷洗过的基板放置在温度为60℃的烘箱中，烘烤5分钟，使基板表面的无水乙醇快速烘干。
步骤2)中，采用自动贴片机进行裸芯片贴装，根据所需要贴片的三种裸芯片尺寸大小，选择合适蘸胶头，设置自动贴片蘸胶台蘸胶刻度、吸嘴吸取裸芯片力度、吸嘴放置裸芯片下降高度关键参数。
步骤2)中，蘸胶头自动蘸取2mm刻度导电胶均匀的布满在LTCC基板待贴装裸芯片焊盘处，然后通过吸嘴30mil刻度吸力自动吸取裸芯片，吸嘴放置芯片下降高度0.5mil刻度，轻轻放置在相应LTCC基板焊盘处，使裸芯片四边溢胶状态均匀适量；然后放置在精密烘箱中，烘烤40±5分钟，进行导电胶固化，使裸芯片牢固粘接在LTCC基板上，得到组件A。
步骤3)中，用气动点胶机将导电胶点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘上；用气动点胶机将绝缘红胶点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘之间；用镊子夹取电容C1～C10和电阻R12、R17、R22贴装在相应焊盘上；放置在精密烘箱中，烘烤30±5分钟；用气动点胶机在阻容器件电极两端补导电胶,使导电胶高度至少达到电极高度的1/2即可；然后放置在精密烘箱中，烘烤60 ±5分钟，进行导电胶固化，使阻容器件粘接在组件A上，得到组件B。
步骤4)中，采用自动键合机进行裸芯片的金丝键合，选用直径为25.4μm 金丝，金丝键合工艺实施时，将组件B放置在温度为100±5℃键合平台上进行键合；设置自动键合机的键合参数：金丝变形量：40％；芯片到基板的焊接压力第一点和第二点分别为12cN、16cN，键合时间第一点和第二点分别为5ms、50ms，尾丝长度：85μm，弧高：375μm；运行键合程序，对裸芯片进行自动键合，实现裸芯片与LTCC基板电气互联，得到组件C。
步骤5)中，用气动点胶机将适量黑胶注入在管壳内两排接线柱中间区域，将注入的胶体在涂胶区域里涂覆均匀，静置(10～20)分钟，让胶体自流延，使其更加均匀的覆盖在涂覆区域内；利用镊子夹取组件C放进管壳黑胶上，并适当摩擦，使黑胶更好将组件C与可伐镀金管壳粘接致密，利用镊子在LTCC基板无布线区域下压LTCC基板，此时，黑胶受压外溢，外溢的量刚好达到基板外围半壁高度为适量；然后放置在温度为150℃精密烘箱中，烘烤60±5分钟，进行黑胶固化，使LTCC基板粘接在壳体上，得到组件D。
步骤6)中，采用手动金丝楔压焊机进行壳体管柱到LTCC基板金丝键合，工艺实施时，先将组件D放置在温度为100±5℃键合热台上，进行壳体管柱到LTCC基板金丝键合。
步骤7)中，采用平行缝焊机，将产品放置在温度为125±5℃真空烘箱中，烘烤24小时，以去除产品内的湿气及挥发性材料的放气；设置平行缝焊参数：脉冲电流：0.4～0.5KA；脉冲宽度：2～3ms；滚轮缝焊速度：0～1inch/s；滚轮压力：1200～1400g；缝焊参数设置完成后，对烘烤后的产品进行平行缝焊，使盖板与壳体四边完整吻合，熔融结合，形成气密性封盖。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：本发明这种激励信号模块加工方法，产品制作工艺更加科学实用，缩短了工艺制程，节省了时间，为批量化生产提供了有力保障，具有较好的应用前景。
附图说明
下面对本说明书的附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1是图1是组件C装配图；
图2是同步器信号处理模块装配图；
附图标记：1、壳体；2、LTCC基板；
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
本发明的目的在于提供一种同步器信号处理模块制作工艺。制作过程主要包括：1、LTCC基板清洗、烘干；2、自动贴片机进行裸芯片贴装；3、阻容器件贴装；4、自动键合机进行裸芯片金丝键合；5、LTCC基板与壳体粘接；6、手动键合机进行壳体管柱金丝键合；7、平行缝焊；8、气密性检测。
一种同步器信号处理模块制作方法，具体包括下述步骤：
步骤1：LTCC基板清洗、烘干。
将LTCC基板放置在盛有无水乙醇的烧杯中，浸泡10分钟，然后用软毛刷刷洗基板表面；
将刷洗过的基板放置在温度为60℃的烘箱中，烘烤5分钟，使基板表面的无水乙醇快速烘干。
步骤2：自动贴片机进行裸芯片贴装得到组件A。
本发明采用自动贴片机PALOMAR 3800进行裸芯片贴装，根据所需要贴片的三种裸芯片(N1、N2、N3)尺寸大小，选择合适蘸胶头，设置自动贴片蘸胶台蘸胶刻度、吸嘴吸取裸芯片力度、吸嘴放置裸芯片下降高度等关键参数，见下表：
Figure BDA0002283746070000041
设置好自动贴片机参数后，运行程序，蘸胶头自动蘸取2mm刻度导电胶(型号：H20E)均匀的布满在LTCC基板待贴装裸芯片焊盘处，然后通过吸嘴30mil刻度吸力自动吸取裸芯片，吸嘴放置芯片下降高度0.5mil刻度，轻轻放置在相应LTCC基板焊盘处，使裸芯片四边溢胶状态均匀适量。
然后放置在温度为120℃精密烘箱中，烘烤40±5分钟，进行导电胶固化，使裸芯片牢固粘接在LTCC基板上，得到组件A。
步骤3：阻容器件贴装
用气动点胶机将导电胶H20E点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘上；用气动点胶机将绝缘红胶(型号：Loctite 3609)点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘之间；
对照装配图1，用镊子夹取10个电容(C1～C10)和3个电阻(R12、R17、 R22)贴装在相应焊盘上；放置在温度为120℃精密烘箱中，烘烤30±5分钟；然后用气动点胶机在阻容器件电极两端补导电胶(H20E),使导电胶高度至少达到电极高度的1/2即可；
然后放置在温度为120℃精密烘箱中，烘烤60±5分钟，进行导电胶固化，使阻容器件粘接在组件A上，得到组件B。
步骤4：自动键合机进行裸芯片金丝键合
本发明采用自动键合机HESSE BJ820进行裸芯片的金丝键合，选用直径为25.4μm金丝，金丝键合工艺实施时，先将组件B放置在温度为100±5℃键合平台上，设置自动键合机的键合参数：金丝变形量：40％；芯片到基板的焊接压力第一点和第二点分别为12cN、16cN，键合时间第一点和第二点分别为5ms、50ms，尾丝长度：85μm，弧高：375μm；运行键合程序，对三种裸芯片(N1、N2、N3)进行自动键合，实现裸芯片与LTCC基板电气互联，得到组件C；
步骤5：LTCC基板与壳体粘接
用气动点胶机将适量黑胶(型号：EO1016)注入在管壳内两排接线柱中间区域，将注入的胶体在涂胶区域里涂覆均匀，静置(10～20)分钟，让胶体自流延，使其更加均匀的覆盖在涂覆区域内。
对照装配图1，利用镊子夹取组件C放进管壳黑胶上，并适当摩擦，使黑胶更好将组件C与可伐镀金管壳粘接致密，利用镊子在LTCC基板无布线区域下压LTCC基板，此时，黑胶受压外溢，外溢的量刚好达到基板外围半壁高度为适量。
然后放置在温度为150℃精密烘箱中，烘烤60±5分钟，进行黑胶固化，使LTCC基板粘接在壳体上，得到组件D。
步骤6：手动键合机进行壳体管柱金丝键合
本发明采用手动金丝楔压焊机7476E进行壳体管柱到LTCC基板金丝键合，工艺实施时，先将组件D放置在温度为100±5℃键合热台上，设置金丝楔压焊机的键合参数：管柱到基板超声功率第一点和第二点分别为138、 163，超声时间的第一点和第二点分别为38、70，尾丝为30(根据实际情况可进行微调其幅度不大于百分之十)，对照装配图1，进行壳体管柱到LTCC 基板金丝键合。
步骤7：平行缝焊
本发明采用SM8500平行缝焊机，将测试合格的产品放置在温度为125 ±5℃真空烘箱中，烘烤24小时，以去除产品内的湿气及挥发性材料的放气；
设置平行缝焊参数：脉冲电流：0.4～0.5KA；脉冲宽度：2～3ms；滚轮缝焊速度：0～1inch/s；滚轮压力：1200～1400g；缝焊参数设置完成后，对烘烤后的产品进行平行缝焊，使盖板与壳体四边完整吻合，熔融结合，形成气密性封盖。
步骤8；气密性检测
对平行缝焊后的产品进行气密性检测。将产品放置在压力为310± 15KPa加压仓内加压5小时，加压时间到后取出，用氦质谱检漏仪检测产品的漏率，漏率要求小于5.0×10-3(Pa·cm3)/s。
至此，一种同步器信号处理模块制作完成。
本发明主要阐述了一种同步器信号处理模块制作工艺，通过科学合理的工艺流程，裸芯片采用自动贴片和自动键合技术，实现了自动化生产，适用大批量生产。本发明这种同步器信号处理模块制作工艺，产品制作工艺更加科学实用，缩短了工艺制程，节省了时间，为批量化生产提供了有力保障，具有较好的应用前景。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，但是本发明并不受限于上述方式，只要采用本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进或直接应用于其它场合的，均落在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：制作过程主要包括：步骤1)LTCC基板清洗、烘干；步骤2)自动贴片机进行裸芯片贴装；步骤3)阻容器件贴装；步骤4)自动键合机进行裸芯片金丝键合；步骤5)LTCC基板与壳体粘接；步骤6)手动键合机进行壳体管柱金丝键合；步骤7)平行缝焊；步骤8)气密性检测。
2.按照权利要求1所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤1)中，将LTCC基板放置在盛有无水乙醇的烧杯中，浸泡10分钟，然后用软毛刷刷洗基板表面；将刷洗过的基板放置在温度为60℃的烘箱中，烘烤5分钟，使基板表面的无水乙醇快速烘干。
3.按照权利要求1所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤2)中，采用自动贴片机进行裸芯片贴装，根据所需要贴片的三种裸芯片尺寸大小，选择合适蘸胶头，设置自动贴片蘸胶台蘸胶刻度、吸嘴吸取裸芯片力度、吸嘴放置裸芯片下降高度关键参数。
4.按照权利要求2所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤2)中，蘸胶头自动蘸取2mm刻度导电胶均匀的布满在LTCC基板待贴装裸芯片焊盘处，然后通过吸嘴30mil刻度吸力自动吸取裸芯片，吸嘴放置芯片下降高度0.5mil刻度，轻轻放置在相应LTCC基板焊盘处，使裸芯片四边溢胶状态均匀适量；然后放置在精密烘箱中，烘烤40±5分钟，进行导电胶固化，使裸芯片牢固粘接在LTCC基板上，得到组件A。
5.按照权利要求4所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤3)中，用气动点胶机将导电胶点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘上；用气动点胶机将绝缘红胶点涂在组件A待贴装阻容器件焊盘之间；用镊子夹取电容C1～C10和电阻R12、R17、R22贴装在相应焊盘上；放置在精密烘箱中，烘烤30±5分钟；用气动点胶机在阻容器件电极两端补导电胶,使导电胶高度至少达到电极高度的1/2即可；然后放置在精密烘箱中，烘烤60±5分钟，进行导电胶固化，使阻容器件粘接在组件A上，得到组件B。
6.按照权利要求5所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤4)中，采用自动键合机进行裸芯片的金丝键合，选用直径为25.4μm金丝，金丝键合工艺实施时，将组件B放置在温度为100±5℃键合平台上进行键合；设置自动键合机的键合参数：金丝变形量：40％；芯片到基板的焊接压力第一点和第二点分别为12cN、16cN，键合时间第一点和第二点分别为5ms、50ms，尾丝长度：85μm，弧高：375μm；运行键合程序，对裸芯片进行自动键合，实现裸芯片与LTCC基板电气互联，得到组件C。
7.按照权利要求6所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤5)中，用气动点胶机将适量黑胶注入在管壳内两排接线柱中间区域，将注入的胶体在涂胶区域里涂覆均匀，静置(10～20)分钟，让胶体自流延，使其更加均匀的覆盖在涂覆区域内；利用镊子夹取组件C放进管壳黑胶上，并适当摩擦，使黑胶更好将组件C与可伐镀金管壳粘接致密，利用镊子在LTCC基板无布线区域下压LTCC基板，此时，黑胶受压外溢，外溢的量刚好达到基板外围半壁高度为适量；然后放置在温度为150℃精密烘箱中，烘烤60±5分钟，进行黑胶固化，使LTCC基板粘接在壳体上，得到组件D。
8.按照权利要求7所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤6)中，采用手动金丝楔压焊机进行壳体管柱到LTCC基板金丝键合，工艺实施时，先将组件D放置在温度为100±5℃键合热台上，进行壳体管柱到LTCC基板金丝键合。
9.按照权利要求8所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤7)中，采用平行缝焊机，将产品放置在温度为125±5℃真空烘箱中，烘烤24小时，以去除产品内的湿气及挥发性材料的放气；设置平行缝焊参数：脉冲电流：0.4～0.5KA；脉冲宽度：2～3ms；滚轮缝焊速度：0～1inch/s；滚轮压力：1200～1400g；缝焊参数设置完成后，对烘烤后的产品进行平行缝焊，使盖板与壳体四边完整吻合，熔融结合，形成气密性封盖。
10.按照权利要求9所述的同步器信号处理模块制作工艺，其特征在于：步骤8)中，对平行缝焊后的产品进行气密性检测，将产品放置在压力为310±15KPa加压仓内加压5小时，加压时间到后取出，用氦质谱检漏仪检测产品的漏率，漏率要求小于5.0×10-3(Pa·cm3)/s。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111901981A (zh) * 2020-08-07 2020-11-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 光电转换模块的制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157499A (zh) * 2010-12-15 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 基于低温共烧陶瓷技术的混合集成电路模块及其制作方法
US20170287821A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Magnachip Semiconductor, Ltd. Power semiconductor module and method for manufacturing the same
CN107645849A (zh) * 2017-09-19 2018-01-30 安徽华东光电技术研究所 一种微波激励高频模块的制作方法
CN109673104A (zh) * 2018-12-10 2019-04-23 安徽华东光电技术研究所有限公司 用于频率综合器上的激励信号模块加工方法
CN110213925A (zh) * 2019-06-04 2019-09-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种频压转换模块制作方法及其频压转换模块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102157499A (zh) * 2010-12-15 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 基于低温共烧陶瓷技术的混合集成电路模块及其制作方法
US20170287821A1 (en) * 2016-03-30 2017-10-05 Magnachip Semiconductor, Ltd. Power semiconductor module and method for manufacturing the same
CN107645849A (zh) * 2017-09-19 2018-01-30 安徽华东光电技术研究所 一种微波激励高频模块的制作方法
CN109673104A (zh) * 2018-12-10 2019-04-23 安徽华东光电技术研究所有限公司 用于频率综合器上的激励信号模块加工方法
CN110213925A (zh) * 2019-06-04 2019-09-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 一种频压转换模块制作方法及其频压转换模块

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111901981A (zh) * 2020-08-07 2020-11-06 安徽华东光电技术研究所有限公司 光电转换模块的制作方法

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