CN109616478B - 一种显示面板和显示面板的制程方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板和显示面板的制程方法，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；所述主动开关包括：基底；形成在所述基板上的栅极层；形成在所述栅极层和基底上，覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的有源层，所述有源层包括含有二维层状半导体材料的二维层状半导体层，所述有源层形成有沟道部；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧的源极层；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧的漏极层。本发明中，该有源层采用二维层状半导体层，而二维层状半导体层仅原子厚度，因而能够减少有源层的厚度，有利于缩小主动开关的尺寸。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示面板的制程方法。
背景技术
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color FilterSubstrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。
在TFT基板形成在一基板上有源层，有源层一般为非晶硅或多晶硅。但是随着半导体层产业不断的借由缩小晶体管尺寸来提升元件效能，日益缩小的元件在制程技术与源极操作上已然面临瓶颈，因而本领域技术人员正孜孜不倦的在寻求替代材料并且引入新的元件设计概念。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种能够有效缩小晶体管尺寸的显示面板和显示面板的制程方法。
为解决上述问题，本发明的实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；所述主动开关包括：基底；形成在所述基底上的栅极层；形成在所述栅极层和基底上，覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的有源层，所述有源层包括含有二维半导体材料的二维半导体层，所述有源层形成有沟道部；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧的源极层；以及形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧的漏极层。
可选的，所述二维半导体层包括介孔二氧化硅，以及填充在介孔二氧化硅的孔洞中的二维半导体材料。
可选的，所述二维半导体材料通过化学气相沉积法沉积填充到所述介孔二氧化硅的孔洞内形成二维半导体薄膜。
可选的，所述二维半导体材料包括二硫化钼二维材料、二硒化钨二维材料和二硫化钼-二硒化钨混杂二维材料中的一种。
可选的，所述有源层包括二维半导体层以及形成在所述二维半导体层上的掺杂层；所述掺杂层位于所述有源层顶部，且被所述沟道部隔开，形成与所述漏极层相邻的一部分和与所述源极层相邻的另一部分。
本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；所述主动开关包括：基底；形成在所述基底上的栅极层；形成在所述栅极层和基板上，覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的有源层，所述有源层包括含有二维半导体材料的二维半导体层，所述有源层形成有沟道部；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧的源极层；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧的漏极层；所述二维半导体层包括介孔二氧化硅，以及填充在所述介孔二氧化硅的孔洞中的所述二维半导体材料；所述二维半导体材料通过化学气相沉积法沉积填充到所述介孔二氧化硅的孔洞内形成二维半导体薄膜；所述二维半导体材料包括二硫化钼二维材料。
本发明还提供了一种显示面板的制程方法，包括主动开关的制程方法，所述主动开关的制程方法包括步骤：
在基底上依次形成栅极层、栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层；
在有源层上形成相对形成的源极层和漏极层，以形成主动开关。
可选的，所述在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层的步骤包括：
在栅极绝缘层的上通过自组装介孔二氧化硅技术形成介孔二氧化硅层；
通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层；
在二维半导体层上形成掺杂层，以形成有源层。
可选的，所述二维层状材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤包括：
以摩尔比为1:2的三氧化钼(MoO3)与硫粉(S)作为前驱物，在750℃至950℃的环境下，气相的三氧化钼经历化学反应产生氧化钼中间物(MoO3-x)；
气相的氧化钼中间物扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫蒸气反应形成二硫化钼薄膜。
可选的，所述二维层状材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤包括：
以碳氧化钼(Mo(CO)6)，以及硫化氢(H2S)和氢气(H2)混合物作为前驱物；
在500℃至600℃的环境下，气相的碳氧化钼扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫化氢(H2S)和氢气(H2)混合物反应形成二硫化钼薄膜；
其中，硫化二氢与碳氧化钼，即H2S/Mo(CO)6的摩尔比等于2/1～4/1；氢气与硫化二氢，即H2/H2S的摩尔比等于2/1～8/1。
本发明的显示面板，由于其中的有源层采用或者部分采用二维半导体材料制成，而以石墨烯为例，许多二维半导体层对应的单体晶体结构仅有原子层厚度，使用适当的二维半导体材料制成的有源层能够有效的减少有源层的厚度，进而有效的控制主动开关的尺寸，从而提高主动开关的元件效能。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的可选的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明实施例一种显示面板的第一示意图；
图2是本发明实施例一种显示面板的第二示意图；
图3是本发明实施例一种显示面板的示意图；
图4是本发明一种显示面板的制程方法的流程图；
图5是本发明一种二维半导体层的制程流程图；
图6是本发明一种二维半导体层的具体制程流程图；
图7是本发明另一种二维半导体层的具体制程流程图；
图8是本发明一种示例性的介孔材料的制备过程示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
下面参考附图和可选的实施例详细描述本发明的显示面板。
本发明以下实施例中的显示面板可形成于本发明实施例的显示面板中中而该显示面板可以是显示装置的一部分，也就是说本发明实施例的显示面板和显示装置包括有以下任一实施例的显示面板。该显示装置可以为液晶显示器，也可以为OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器。其中，当本发明实施例的显示装置为液晶显示器时，液晶显示器包括有背光模组，背光模组可作为光源，供应充足的亮度与分布均匀的光源，本实施例的背光模组可以为前光式，也可以为背光式，需要说明的是，本实施例的背光模组并不限于此。
二维材料是被寄予厚望的新型材料。例如石墨烯(Graphene)是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体，具有非常优异和新颖的物理化学性质，在诸多领域均可广泛应用。在集成电路领域最值得关注的是把石墨烯作为沟道材料制作晶体管。由于石墨烯在室温下具有超高的载流子迁移率，石墨烯晶体管较之传统CMOS晶体管将具有更好的性能。
而本发明的发明人发现同样是二维材料的单层过渡金属二硫族化物具有直接能隙、制作成场效晶体管后将具有极佳的电流开关比制作成场效晶体管后具有极佳的电流开关比(on/off current ratio)，因而改进得到如下的显示面板。其中该单层过渡金属二硫族化物包括二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钼(MoSe2)、二硒化钨(WSe2)等，本发明以二硫化钼为例进行说明，但本发明不仅局限于二硫化钼。
图1是本发明实施例一种显示面板的第一示意图，图2是本发明实施例一种显示面板的第二示意图，参考图1和图2可知，本发明公开了一种显示面板200，所述显示面板200包括阵列基板300，所述阵列基板300包括多个主动开关；所述主动开关100包括：
基底110；形成在所述基底110上的栅极层120；形成在所述栅极层120和基板110上，覆盖所述栅极层120的栅极绝缘层130，形成在所述栅极绝缘层130上，且位于所述栅极层120上的有源层140；所述有源层140包括含有二维半导体材料的二维半导体层，所述有源层140形成有沟道部190；
以及形成在所述栅极绝缘层130和有源层140上，且位于所述沟道部190一侧的源极层150；形成在所述栅极绝缘层130和有源层140上，且位于所述沟道部190另一侧的漏极层160。
本发明的显示面板，由于其中的有源层采用或者部分采用二维半导体材料制成，而以石墨烯为例，许多二维半导体层对应的单体晶体结构仅有原子层厚度，使用适当的二维半导体材料制成的有源层能够有效的减少有源层的厚度，进而有效的控制主动开关的尺寸，从而提高主动开关的元件效能。
另外，该二维半导体材料大多都具有直接能隙，用二维半导体材料制作得到的有源层具备极佳的电流开关比(on/off current ratio)，由于二维材料在室温下具有超高的载流子迁移率，作为沟道材料具有很好的性能，采用或部分采用适当的二维半导体材料来制作有源层，有利于提高液晶面板的显示效果。
在一实施例中，所述二维半导体层包括介孔二氧化硅，以及填充在介孔二氧化硅的孔洞中的二维半导体材料。本实施方案中，介孔二氧化硅纳米材料兼具了介孔材料和纳米材料的双重特性,以及非常高的化学稳定性、生物相容性、合成方便和成本低廉等特点介孔，特别的，由于介孔二氧化硅具有极大的比上积和孔道容积，有源层的二维状半导体层以介孔二氧化硅为基底材料，通过化学气相沉积法，在介孔二氧化硅的孔洞内填充二维半导体材料，能够使得该二维半导体层兼具介孔二氧化硅和二维材料的优点。
其中，该介孔二氧化硅的孔洞直接可以在2nm至10nm，对应的介孔密度在百分之三十至百分之八十之间，介孔二氧化硅作为基底材料，可以在体积较小的情况下，具有极大的表面积。
在一实施例中，所述二维半导体材料通过化学气相沉积法沉积填充到所述介孔二氧化硅的孔洞内形成二维半导体薄膜。本实施方案中，由于介孔二氧化硅具有极大的比上积和孔道容积，有源层的二维状半导体层以介孔二氧化硅为基底材料，通过化学气相沉积法，在介孔二氧化硅的孔洞内沉积二维半导体材料形成二维半导体薄膜作为二维半导体层，能够使得该二维半导体层兼具介孔二氧化硅和二维材料的优点。
另外，二维半导体材料具有极高的电子迁移率，导电性能好，因而，可缩短元件的开关时间，给大尺寸显示面板，以及其中使用的开关元件提供良好的开关性能。
在一实施例中，所述二维半导体材料包括二硫化钼二维材料、二硒化钨二维材料和二硫化钼-二硒化钨混杂二维材料中的一种。本实施方案中，二维半导体材料，可以选用二硫化钼二维材料，或二硒化钨二维材料，或二硫化钼-二硒化钨混杂二维材料；当然，该二维半导体材料还可以选用二硫化钨(WS2)、二硒化钼(MoSe2)等。其中，化学气相沉积法在单层过度金属二硫族化物的制备的应用起始于二硫化钼的成长，因而，二硫化钼的制备技术较为成熟，与本身成本就相对低廉的介孔二氧化硅结合应用，在提高元件性能的同时，不增加，甚至有效的降低生产成本。
其中，二硫化钼不仅仅有原子层厚度，而且属于单层过度金属二硫化族化物，具有直接能隙，因而制成的二维半导体层不仅厚度小而且具有极佳的电流开关比，有效提高电子迁移率和流动性，能够有效的减少主动开关的尺寸，提高元件效能。
其中，二维层状材料的另一特色是可以自由堆栈不同材料，形成新型的层状垂直异质结构(Vertical Hetero Structures)，其电学、光学及传输特性可以因选择的材料及堆栈形式而改变，成为量身订作的人造材料，具有很广泛的适用性。垂直异质结构可以利用人工撕贴的方式将两种材料堆栈在一起，但界面杂质很可能会影响两层材料之间的耦合效应。垂直异质结构也可以直接利用化学沉积法成长，可以形成干净的界面，层间耦合效应也较稳定。除了垂直堆栈，不同的二维半导体材料也可以横向连结成为单层的横向异质结构(Lateral Hetero Structures)。
在一实施例中，所述有源层140包括形成在所述栅极绝缘层130上的所述二维半导体层141，以及形成在所述二维半导体层141上的掺杂层142；
所述掺杂层142位于所述有源层140顶部，且被所述沟道部190隔开，形成与所述漏极层160相邻的一部分和与所述源极层150相邻的另一部分。本实施方案中，具体的，该掺杂层可以是N型高浓度掺杂层(N+)，可以包括在上的N型高浓度掺杂层N+和在下的N型掺杂层N的混合层(N+/N)，还可以包括在上的N型高浓度掺杂层N+和在下的N型低浓度掺杂层N-的混合层(N+/N-)，或者可以包括N型高浓度掺杂层N+和设置在N型高浓度掺杂层上下两侧边的两个N型低浓度掺杂层N-(N-/N+/N-)，当然该掺杂层还可以包括在上的N型掺杂层N+和N型低浓度掺杂层N-的混合层(N+/N-)。具体的排布可以根据实际情况进行调整，在二维半导体层的上形成掺杂层，可以有效的减少有源层的漏电流，有利于提高产品质量和良率。
其中，显示面板100还包括：
保护层170，形成在源极层150和漏极层160上，覆盖所述源极层150和漏极层160，且所述保护层170位于所述沟道部190上。本实施方案中，该保护层可以如一般的栅极绝缘层一样采用使用SiNx等氮化硅膜或氧化物绝缘体制成，也可以采用其他材料制成，适用即可。
具体的，在保护层170的延伸部上形成有第二沟道部191；
所述显示面板100还包括：
透明导电层180，形成在所述保护层170上，位于所述第二沟道部191上；
所述透明导电层180是氧化物导电体层或金属层。
其中，该源极层150和漏极层160覆盖所述有源层140，并延伸覆盖所述栅极绝缘层130未被所述有源层覆盖的两侧部。其中该漏极层160的延伸长度至少延伸至所述第二沟道部191处，所述透明导电层180通过第二沟道部191，连接于漏极层160。该源极层和漏极层设置较宽，可以防止从上方来的环境光，照射到有源层，减少甚至避免半导体产生光漏电的问题。
本实施方案中，栅极绝缘层130采用氮化硅或氧化物绝缘体制成。栅极绝缘层可以使用SiNx等氮化硅膜，但也可以将氧化物绝缘体用作绝缘膜，即将氧化物绝缘体用作栅极绝缘层，在此情况下，氧化物绝缘膜的介电常数越大，越有利于薄膜晶体管的工作；此外，绝缘性越大越好，其可以是具有氧化物的超晶格构造的氧化物绝缘膜，进而，也能够使用非晶体的氧化物绝缘膜；在非晶体氧化物绝缘膜的情况下，能够将成膜温度维持在低温，因此，在塑料基板等耐热性欠缺的基板的情况下是有利的。
其中，该栅极绝缘层130采用中间高两边低的三层胃肠道结构制成。本实施方案中，该栅极绝缘层采用中间高度高于两侧边的三层胃肠道结构，能够提升该栅极绝缘层的性能。
图3是本发明一种显示装置的示意图，参考图3，结合图1和图2可知，本发明还公开了一显示装置400，包括如本发明任一公开的显示面板200。
本发明的显示面板，由于其中的有源层采用或者部分采用二维半导体材料制成，以石墨烯为例，二维半导体层其单体晶体结构，仅有原子层厚度，使用该材料制成的有源层能够有效的减少其厚度，进而有效的控制主动开关的尺寸，从而提高主动开关的元件效能；另外，该二维半导体层中有不少都具有直接能隙，用其制作得到的主动开关或者说场效应管具备极佳的电流开关比(on/off current ratio)，而且，该类型的材料还具备非常特殊的光学特性，有利于提高液晶面板的显示效果。
图4是本发明一种显示面板的制程方法的流程图，参考图4，结合图1-3可知，本发明还公开了一种显示面板的制程方法，该制程方法包括主动开关的制程方法，所述主动开关的制程方法包括步骤：
S41:在基底上依次形成栅极层、栅极绝缘层；
S42:在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层；
S43:在有源层上形成相对形成的源极层和漏极层，以形成主动开关。
其中，该主动开关一般指的是显示面板中，阵列基板上的主动开关，或者说薄膜晶体管。在上述的制程方法中，其实该源极层和漏极层上还形成有透明导电层，以及钝化层等结构。
图5是本发明一种二维半导体层的制程流程图，参考图5，结合图1-4可知，在一实施例中，所述在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层的步骤S42包括：
S421:在栅极绝缘层的上通过自组装介孔二氧化硅技术形成介孔二氧化硅层；
S422:通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层；
S423:在二维半导体层上形成掺杂层，以形成有源层。
图6是本发明一种二维半导体层的具体制程流程图，参考图6，结合图1-5可知，在一实施例中，所述二维层状材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤S422包括：
S61：以摩尔比为1:2的三氧化钼(MoO3)与硫粉(S)作为前驱物，在750℃至950℃的环境下，气相的三氧化钼经历化学反应产生氧化钼中间物(MoO3-x)；
S62：气相的氧化钼中间物扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫蒸气反应形成二硫化钼薄膜。
本实施方案中，该三氧化钼提供二硫化钼二维材料中的钼元素的来源，同时硫粉提供二硫化钼中硫元素的来源；该三氧化钼与硫粉(S)作为前驱物，在750℃至950℃的环境下，气相的三氧化钼经历化学反应产生氧化钼中间物(MoO3-x)；同时，产生的气相的氧化钼中间物(MoO3-x)将扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫蒸气反应形成二硫化钼薄膜；当然了，该三氧化钼经历化学反应产生氧化钼中间物的过程，也可能是发生在孔洞中。其中，该以摩尔比为1:2的三氧化钼(MoO3)与硫粉(S)作为前驱物，可以有效的保证，生产的最终产物是二硫化钼，而不是其他的硫化物。
当然，其实，要形成二硫化钼薄膜还可以选用其他的方式，例如：
图7是本发明另一种二维半导体层的具体制程流程图，参考图7，结合图1-5可知在一实施例中，所述二维层状材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维层状材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤S422包括：
S71：以碳氧化钼(Mo(CO)6)，以及硫化氢(H2S)和氢气(H2)混合物作为前驱物；
S72：在500℃至600℃的环境下，气相的碳氧化钼扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫化氢(H2S)和氢气(H2)混合物反应形成二硫化钼薄膜；
其中，硫化二氢与碳氧化钼，即H2S/Mo(CO)6的摩尔比等于2/1～4/1；氢气与硫化二氢，即H2/H2S的摩尔比等于2/1～8/1。
本实施方案中，该碳氧化钼(Mo(CO)6)提供二硫化钼二维材料中的钼元素的来源，同时硫化氢(H2S)提供二硫化钼中硫元素的来源，其中，该碳氧化钼(Mo(CO)6)，以及硫化氢(H2S)和氢气(H2)更容易气化，因而，能够以较低的温度使得碳氧化钼(Mo(CO)6)，以及硫化氢(H2S)和氢气(H2)变为气相，并扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，并发生反应，形成二硫化钼薄膜。其中，硫化二氢与碳氧化钼，即H2S/Mo(CO)6的摩尔比等于2/1～4/1；氢气与硫化二氢，即H2/H2S的摩尔比等于2/1～8/1，可以有利于最终产生形成二硫化钼。
图8是本发明一种示例性的介孔材料的制备过程示意图，参考图7可知，在一实施例中中，本发明涉及的介孔二氧化硅可以采用图7所示的制备方法进行制备。其中，无机香料(Idorganic Spices)采用Si(OR)4，通过溶胶-凝胶法(Sol.gel Process)产生硅化物((OR)3Si-OH)；表面活性剂胶束(Surfactant Micelle)是通过自组装形成六角形胶束棒(Hexagonal Array)；硅化物和六角形胶束棒通过协同装配技术(Cooperative Assembly)得到介孔结构材料(Mesostructured Materials)，具体的为自组装有机/无机混杂材料(Self-assembled Organic/Inorganic Hybrid)，然后通过干燥和煅烧工艺(Drying&Calcination)，得到介孔材料(Mesoporous Materials)。具体，根据本发明介孔二氧化硅的实际需求情况进行适当性调整即可，当然，其他的制备方式，只要使用也是可以的。
需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本发明的保护范围。
本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching，IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment，MVA)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，以及等离子面板、平面型面板、曲面型面板等类型的显示面板，均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的可选的实施方式对本发明所作详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；
所述主动开关包括：
基底；
栅极层，形成在所述基底上；
栅极绝缘层，形成在所述栅极层和基底上，覆盖所述栅极层；
有源层，形成在所述栅极绝缘层上，所述有源层包括含有二维半导体材料的二维半导体层，所述有源层形成有沟道部；
源极层，形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧；以及漏极层，形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧；所述二维半导体层包括介孔二氧化硅，以及填充在所述介孔二氧化硅的孔洞中的所述二维半导体材料。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述二维半导体材料通过化学气相沉积法沉积填充到所述介孔二氧化硅的孔洞内形成二维半导体薄膜。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述二维半导体材料包括二硫化钼二维材料、二硒化钨二维材料和二硫化钼-二硒化钨混杂二维材料中的一种。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层包括形成在所述栅极绝缘层上的所述二维半导体层，以及形成在所述二维半导体层上的掺杂层；
所述掺杂层位于所述有源层顶部，且被所述沟道部隔开，形成与所述漏极层相邻的一部分和与所述源极层相邻的另一部分。
5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；
所述主动开关包括：
基底；
栅极层，形成在所述基底上；
栅极绝缘层，形成在所述栅极层和基板上，覆盖所述栅极层；
有源层，形成在所述栅极绝缘层上，所述有源层包括含有二维半导体材料的二维半导体层，所述有源层形成有沟道部；
源极层，形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧；以及
漏极层，形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧；
其中，所述二维半导体层包括介孔二氧化硅，以及填充在所述介孔二氧化硅的孔洞中的所述二维半导体材料；所述二维半导体材料通过化学气相沉积法沉积填充到所述介孔二氧化硅的孔洞内形成二维半导体薄膜；
所述二维半导体材料包括二硫化钼二维材料。
6.一种显示面板的制程方法，其特征在于，包括主动开关的制程方法，所述主动开关的制程方法包括步骤：
在基底上依次形成栅极层、栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层；
在有源层上形成相对形成的源极层和漏极层，以形成主动开关；
所述在栅极绝缘层上通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料形成包括二维半导体层的有源层的步骤包括：
在栅极绝缘层的上通过自组装介孔二氧化硅技术形成介孔二氧化硅层；
通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层；
在二维半导体层上形成掺杂层，以形成有源层。
7.如权利要求6所述的一种显示面板的制程方法，其特征在于，所述二维半导体材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤包括：
以摩尔比为1:2的三氧化钼与硫粉作为前驱物，在750℃至950℃的环境下，气相的三氧化钼经历化学反应产生氧化钼中间物；
气相的氧化钼中间物扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫蒸气反应形成二硫化钼薄膜。
8.如权利要求6所述的一种显示面板的制程方法，其特征在于，所述二维半导体材料包括二硫化钼；
所述通过化学气相沉积法沉积二维半导体材料到介孔二氧化硅的孔洞中，形成二维半导体薄膜，以形成二维半导体层的步骤包括：
以碳氧化钼，以及硫化二氢与氢气的混合物作为前驱物；
在500℃至600℃的环境下，气相的碳氧化钼扩散到介孔二氧化硅的孔洞中，与硫化二氢与氢气的混合物反应形成二硫化钼薄膜；
其中，硫化二氢与碳氧化钼的摩尔比等于2/1~4/1；氢气与硫化二氢的摩尔比等于2/1~8/1。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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