CN109608217B - 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法 - Google Patents

一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109608217B
CN109608217B CN201811524813.5A CN201811524813A CN109608217B CN 109608217 B CN109608217 B CN 109608217B CN 201811524813 A CN201811524813 A CN 201811524813A CN 109608217 B CN109608217 B CN 109608217B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
sputtering
composite material
max phase
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811524813.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109608217A (zh
Inventor
黄小忠
王春齐
唐云
彭立华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Zerui New Material Co., Ltd
Original Assignee
Hunan Zerui New Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan Zerui New Material Co ltd filed Critical Hunan Zerui New Material Co ltd
Priority to CN201811524813.5A priority Critical patent/CN109608217B/zh
Publication of CN109608217A publication Critical patent/CN109608217A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109608217B publication Critical patent/CN109608217B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C04B35/806—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/571—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained from Si-containing polymer precursors or organosilicon monomers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52—Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208—Fibers
    • C04B2235/5216—Inorganic
    • C04B2235/524—Non-oxidic, e.g. borides, carbides, silicides or nitrides
    • C04B2235/5244—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

本发明公开了一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积，获得含MAX相界面层的SiC纤维，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiCf/SiC复合材料；所述MAX相为Ti3SiC2；所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm；本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料，有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用双先驱体浸渍法，有效的提升了浸渍效率，并获得了化学计量比的碳化硅陶瓷。

Description

一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及陶瓷基复合材料领域，尤其涉及一种含MAX相界面层的 SiCf/SiC复合材料的制备方法
背景技术
连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)是这世纪初发展起来的备受重视的一类高温结构材料，与其它材料相比，它具有低密度、耐高温、抗腐蚀、高强度、高模量等优点，随着制备技术的不断提高，其发展十分迅速，主要应用于超高声速飞行器、航空发动机、核聚变反应堆和高温吸波等众多高精尖领域。
在SiCf/SiC复合材料中，界面层是编织体纤维与基体材料间传递载荷的桥梁，也是制备性能优异的连续SiC纤维增强复合材料的关键因素。在SiCf/SiC复合材料中，理想的界面层主要有以下几个方面作用。(1)保护SiC纤维，抑制复合材料制备过程中对纤维造成的损伤。(2)调节SiC纤维和SiC基体间的结合强度，使得SiCf/SiC复合材料断裂过程中纤维拔出、裂纹偏转等能量耗散机制发挥作用，增强复合材料的韧性。
目前最常用的SiCf/SiC复合材料中的界面层为热解碳(Pyrolytic Carbon,PyC)和六方氮化硼(Hexagonal-BN)，但是在使用中发现，容易被氧化，进而导致复合材料在辐照和氧化环境下的服役稳定性不足。
三元层状陶瓷MAX相材料作为中间层的选型。MAX相材料兼具金属和陶瓷的特性，耐辐照性能、抗氧化性能和断裂能吸收能力优异，可作为一种全新的纤维增韧陶瓷基复合材料界面层。但是目前尚无在纤维表面制备MAX相界面层的相关报道。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法。
本发明一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，包括如下步骤：采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积MAX相，获得含MAX相界面层的SiC纤维编织件，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiCf/SiC 复合材料；所述MAX相为Ti3SiC2。
发明人发现，当MAX相为Ti3SiC2最终所得复合材料的性能最佳。
优选的方案，所述磁控溅射的方法为双靶磁控溅射方法，所述双靶材分别为 TiC靶，Si靶。
优选的方案，所述磁控溅射的方法为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1～0.2μm的TiC过镀层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6～1.0μm。
发明人发现，先沉积一层TiC一方面对SiC纤维的包覆性、结合性更好，同时可以完全避免Si气体对SiC纤维编织件进行侵蚀。
进一步的优选，TiC过镀层的沉积过程为：将SiC纤维编织件置于磁控溅射真空室中，先采用TiC靶进行溅射，溅射前真空度为1～5×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为80～120mm、氩气流量为30～50sccm，溅射温度为室温，溅射功率为 2200～2800W，沉积速率为10～20nm/min，溅射时间为5～20mim。
进一步的优选，所述Ti3SiC2的沉积过程为：采用TiC靶以及Si靶共溅射，溅射前真空度为1～5×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为80～120mm、氩气流量为 30～50sccm，溅射温度为室温，溅射功率为1500～2000W，沉积速率为5～10nm/min，溅射时间为80～200mim。
优选的方案，所述先驱体浸渍裂解的过程为：将含MAX相的含MAX相界面层的SiC纤维置于浸渍液中，维持真空浸渍时间0.5～12h，然后在惰性气氛下于1200～1600℃进行烧结1～2h，即获得SiCf/SiC复合材料粗坯，然后重复浸渍烧结，直至增重小于前一周期所得坯体的质量的0.3％，即获得所需的SiCf/SiC 复合材料，所述浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷(PCS)：聚甲基硅烷(PMS):二甲苯：二乙烯基苯(DVB)＝1：1.2～1.6：0.5～1:0.1～0.3。
在工业化应用过程中，最终的烧结温度根据使用环境的温度进行调整。
在本发明中，采用双先驱体进行浸渍，PMS在裂解过程中，PMS略有富硅，而PCS在裂解过程富碳，通过两者共混获得的浸渍液裂解后，可以获得化学计量比的碳化硅。
优选的方案，所述真空浸渍的真空度≤0.001MPa,所述真空浸渍的时间为1～4h。
优选的方案，所浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷(PCS)：聚甲基硅烷(PMS):二甲苯：二乙烯基苯(DVB)＝1：1.3～1.4：0.6～0:8:0.1～0.2。
通过优选方案中的配比，最终可获得化学计量比为1:1的碳化硅陶瓷。
优选的方案，所述烧结程序为：先以20～30℃/min的速率升温到350～500℃，保温2～5h，然后再以10～20℃/min的速率升温到1200～1600℃进行烧结1～2h。
作为进一步的优选，所述浸渍液还包含引发剂偶氮二异丁腈(AIBN)，所述 AIBN的加入时为浸渍液的0.01～0.03wt％。
发明人通过大量的实验发现，通过在浸渍液中加入偶氮二异丁腈后，可以大幅提高先驱体固化过程中的交联度，提高陶瓷收率及浸渍效率。
作为进一步的优选，当浸渍液中包含引发剂AIBN时，所述升温程序为：先以5～10℃/min的速率升温到80～120℃，保温1～2h，再以20～30℃/min的速率升温到350～500℃，保温2～5h，然后再以10～20℃/min的速率升温到1200～1600℃进行烧结1～2h。
有益效果：
1)本发明首创的采用双靶磁控溅射在SiC纤维表面获得了MAX相界面层，采用磁控溅射有效降低了沉积温度，避免了纤维的损伤，所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时该界面层还具有抗中子辐射的特点，可以用于核辐射领域。
2)本发明采用PMS及PCS双先驱体进行浸渍，PMS在裂解过程中，PMS 略有富硅，而PCS在裂解过程富碳，通过两者共混获得的浸渍液裂解后，可以获得化学计量比的碳化硅。
3)在优选方案中，本发明首创的提出了在浸渍液中加入引发剂偶氮二异丁腈，其可引发硅氢键与碳碳双键的反应，提高浸渍液固化交联度，有效的提高陶瓷收率及增重效率，缩短浸渍周期。
具体实施方式
以下实施例旨在进一步说明本发明内容，而不是限制本发明权利要求的保护范围。
实施例1
将SiC纤维编织件置于磁控溅射真空室中，先采用TiC靶进行溅射，溅射前真空度为2×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为80mm、氩气流量为30sccm，溅射温度为室温，溅射功率为2200W，沉积速率为10nm/min，溅射时间为10mim。获得含TiC过渡层中碳化硅纤维编织件，然后采用TiC靶以及Si靶共溅射，溅射前真空度为1×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为90mm、氩气流量为40sccm，溅射温度为室温，溅射功率为1500W，沉积速率为5nm/min，溅射时间为100mim。即获得含MAX相(Ti3SiC2)界面层的碳化硅纤维编织件，
然后含MAX相界面层的SiC纤维置于浸渍液中，维持真空浸渍时间2h，然后在惰性气氛下于1200℃进行烧结1h，即获得SiCf/SiC复合材料粗坯，然后重复浸渍烧结5次，增重小于前一周期所得坯体的质量的0.3％，即获得所需的 SiCf/SiC复合材料，所述浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷(PCS)：聚甲基硅烷(PMS):二甲苯：二乙烯基苯(DVB)＝1：1.3：0.8:0.2，同时浸渍液中还加入了AIBN，其加入量为浸渍液总质量的0.01％；本实施例中具体的升温程序为：
先以6℃/min的速率升温到90℃，保温1.5h，先以20℃/min的速率升温到 400℃，保温3h，然后再以10℃/min的速率升温到1200℃进行烧结1h。
实施例2
将SiC纤维编织件置于磁控溅射真空室中，先采用TiC靶进行溅射，溅射前真空度为3×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为100mm、氩气流量为40sccm，溅射温度为室温，溅射功率为2400W，沉积速率为15nm/min，溅射时间为15mim。获得含TiC过渡程中碳化硅纤维编织件，然后采用TiC靶以及Si靶共溅射，溅射前真空度为3×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为80mm、氩气流量为30sccm，溅射温度为室温，溅射功率为1700W，沉积速率为7nm/min，溅射时间为90mim。即获得含MAX相(Ti3SiC2)界面层的碳化硅纤维编织件，
然后含MAX相界面层的SiC纤维置于浸渍液中，维持真空浸渍时间2h，然后在惰性气氛下于1400℃进行烧结2h，即获得SiCf/SiC复合材料粗坯，然后重复浸渍烧结6次，增重小于前一周期所得坯体的质量的0.3％，即获得所需的 SiCf/SiC复合材料，所述浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷(PCS)：聚甲基硅烷(PMS):二甲苯：二乙烯基苯(DVB)＝1：1.4：0.6:0.1，同时浸渍液中还加入了AIBN，其加入量为浸渍液总质量的0.02％；本实施例中具体的升温程序为：
先以10℃/min的速率升温到120℃，保温1h，先以20℃/min的速率升温到 500℃，保温2h，然后再以10℃/min的速率升温到1400℃进行烧结2h。
实施例3
将SiC纤维编织件置于磁控溅射真空室中，先采用TiC靶进行溅射，溅射前真空度为5×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为120mm、氩气流量为40sccm，溅射温度为室温，溅射功率为2600W，沉积速率为10nm/min，溅射时间为20mim。获得含TiC过渡程中碳化硅纤维编织件，然后采用TiC靶以及Si靶共溅射，溅射前真空度为2×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为110mm、氩气流量为50sccm，溅射温度为室温，溅射功率为1800W，沉积速率为10nm/min，溅射时间为150mim。即获得含MAX相(Ti3SiC2)界面层的碳化硅纤维编织件，
然后含MAX相界面层的SiC纤维置于浸渍液中，维持真空浸渍时间4h，然后在惰性气氛下于1600℃进行烧结1h，即获得SiCf/SiC复合材料粗坯，然后重复浸渍烧结7次，增重小于前一周期所得坯体的质量的0.3％，即获得所需的 SiCf/SiC复合材料，所述浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷(PCS)：聚甲基硅烷(PMS):二甲苯：二乙烯基苯(DVB)＝1：1.4：0.8:0.2，同时浸渍液中还加入了AIBN，其加入量为浸渍液总质量的0.02％；本实施例中具体的升温程序为：
先以10℃/min的速率升温到120℃，保温1h，再以20℃/min的速率升温到 350℃，保温5h，然后再以15℃/min的速率升温到1600℃进行烧结1h。
对比例1
其他条件与实施例1相同，仅不先沉积TiC过渡层，获得SiCf/SiC复合材料。
对比例2
其他条件与实施例2相同，仅采用不加入先驱体PMS，获得SiCf/SiC复合材料。
对比例3
其他条件与实施例2相同，仅不加入AIBN，获得SiCf/SiC复合材料。
对比例4
陶瓷化过程与实施例3一致，仅先采用CVI法获得C界面层，然后经陶瓷化获得SiCf/SiC复合材料
性能测试
将上述实施例和对比例制备的SiCf/SiC复合材料经加工后进行性能测试，所得的性能结果如表1所示。
表1 SiCf/SiC复合材料性能测试表
Figure BDA0001904163380000071
将上述实施例和对比例所制备的在空气中1200℃氧化后进行力学性能测试，其结果如表2。
表2 SiCf/SiC复合材料空气中1200℃氧化后的力学性能
Figure BDA0001904163380000081

Claims (6)

1.一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积MAX相，获得含MAX相界面层的SiC纤维编织件，然后采用先驱体浸渍裂解的方法陶瓷化获得SiCf/SiC复合材料；所述MAX相为Ti3SiC2；
所述磁控溅射的方法为先采用TiC靶进行磁控溅射，在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1~0.2μm的TiC过渡层，然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2，所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6~1.0μm；
所述先驱体浸渍裂解过程中，所用浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷：聚甲基硅烷:二甲苯：二乙烯基苯= 1： 1.2~1.6：0.5~1:0.1~0.3；所述浸渍液还包含引发剂AIBN，所述AIBN的加入量为浸渍液的0.01~0.03wt%。
2.根据权利要求1所述的一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，TiC过渡层的沉积过程为：将SiC纤维编织件置于磁控溅射真空室中，先采用TiC靶进行溅射，溅射前真空度为1~5×10-3Pa，靶和纤维之间的距离为80~120mm、氩气流量为30~50sccm，溅射温度为室温，溅射功率为2200~2800W，沉积速率为10~20nm/min，溅射时间为5~20mim。
3.根据权利要求1所述的一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于，所述Ti3SiC2的沉积过程为：采用TiC靶以及Si靶共溅射，溅射前真空度为1~5×10- 3Pa，靶和纤维之间的距离为80~120mm、氩气流量为30~50sccm，溅射温度为室温，溅射功率为1500~2000W，沉积速率为5~10nm/min，溅射时间为80~200mim。
4.根据权利要求1所述的一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述先驱体浸渍裂解的过程为：将含MAX相界面层的SiC纤维置于浸渍液中，维持真空浸渍时间0.5～12h，然后在惰性气氛下于1200～1600℃进行烧结1～2h，即获得SiCf/SiC复合材料粗坯，然后重复浸渍烧结，直至增重小于前一周期所得坯体的质量的0.3%，即获得所需的SiCf/SiC复合材料。
5.根据权利要求1或4所述的一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述浸渍液按质量比计包括如下组成：聚碳硅烷：聚甲基硅烷:二甲苯：二乙烯基苯= 1： 1.3~1.4：0.6~0:8:0.1~0.2。
6.根据权利要求4所述的一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法，其特征在于：所述烧结程序为：先以5~10℃/min的速率升温到80~120℃，保温1~2h，先以20~30℃/min的速率升温到350~500℃，保温2~5h，然后再以10~20℃/min的速率升温到1200～1600℃进行烧结1～2h。
CN201811524813.5A 2018-12-13 2018-12-13 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法 Active CN109608217B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811524813.5A CN109608217B (zh) 2018-12-13 2018-12-13 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811524813.5A CN109608217B (zh) 2018-12-13 2018-12-13 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109608217A CN109608217A (zh) 2019-04-12
CN109608217B true CN109608217B (zh) 2021-09-03

Family

ID=66008219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811524813.5A Active CN109608217B (zh) 2018-12-13 2018-12-13 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109608217B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111393167B (zh) * 2020-03-25 2022-04-19 宁波材料所杭州湾研究院 一种max相复合材料及其制备方法
CN111592371B (zh) * 2020-06-06 2021-08-03 上海大学 一种钛硅碳界面改性SiCf/SiC吸波复合材料及其制备方法
CN112479718B (zh) * 2020-11-20 2022-10-04 航天特种材料及工艺技术研究所 一种Ti3SiC2 MAX相界面层改性SiC/SiC复合材料及其制备方法
CN112608168B (zh) * 2020-12-18 2022-08-09 江西信达航科新材料科技有限公司 一种耐高温抗氧化的陶瓷涂层及其制备方法
CN112750538A (zh) * 2020-12-31 2021-05-04 中核北方核燃料元件有限公司 一种碳化硅复合材料增强锆包壳管

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009108102A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 Impact Coatings Ab Electrode with a coating, method in production thereof and use of a material
CN102470630A (zh) * 2009-09-28 2012-05-23 斯奈克玛动力部件公司 具有陶瓷基体的复合材料部件及其制造方法
CN104894516A (zh) * 2015-05-28 2015-09-09 中国科学院金属研究所 一种低温高效制备三元层状max相陶瓷涂层的方法
CN105541331A (zh) * 2015-10-16 2016-05-04 西安建筑科技大学 一种Ti3SiC2/SiC功能梯度材料的制备方法
CN106083116A (zh) * 2016-06-16 2016-11-09 西北工业大学 一步法制备SiC复合材料包壳管的方法
CN106083117A (zh) * 2016-06-21 2016-11-09 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 具有三元层状max相界面层的纤维增韧陶瓷基复合材料及其制备方法
CN107353025A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 中航复合材料有限责任公司 一种耐1200℃抗氧化的陶瓷基复合材料的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009108102A1 (en) * 2008-02-27 2009-09-03 Impact Coatings Ab Electrode with a coating, method in production thereof and use of a material
CN102470630A (zh) * 2009-09-28 2012-05-23 斯奈克玛动力部件公司 具有陶瓷基体的复合材料部件及其制造方法
CN104894516A (zh) * 2015-05-28 2015-09-09 中国科学院金属研究所 一种低温高效制备三元层状max相陶瓷涂层的方法
CN105541331A (zh) * 2015-10-16 2016-05-04 西安建筑科技大学 一种Ti3SiC2/SiC功能梯度材料的制备方法
CN106083116A (zh) * 2016-06-16 2016-11-09 西北工业大学 一步法制备SiC复合材料包壳管的方法
CN106083117A (zh) * 2016-06-21 2016-11-09 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 具有三元层状max相界面层的纤维增韧陶瓷基复合材料及其制备方法
CN107353025A (zh) * 2017-06-27 2017-11-17 中航复合材料有限责任公司 一种耐1200℃抗氧化的陶瓷基复合材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109608217A (zh) 2019-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109608217B (zh) 一种含MAX相界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
CN109467450B (zh) 一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法
CN109293383B (zh) 一种纤维增强碳-碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法
CN107032816B (zh) 一种碳化硅纳米线增强C/C-SiC-ZrB2陶瓷基复合材料的制备方法
CN109053207B (zh) 一种硅酸钇改性碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN107311682B (zh) 一种SiC纳米线增强Cf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
US10011902B1 (en) Process for fabricating composite parts by low melting point impregnation
CN103332943B (zh) 基于液硅熔渗法制备碳陶基复合材料的微结构设计及性能控制方法
CN109437943B (zh) 一种Cf/C-SiC-ZrB2复合材料及其制备方法
CN112341233A (zh) 多元单相超高温陶瓷TaxHf1-xC改性碳/碳复合材料的制备方法
JPS59182249A (ja) 炭化ケイ素繊維強化ガラス‐セラミック複合材料の製造方法
CN108947588B (zh) 一种C/SiC复合材料和用于该材料的抗氧化涂层及其制备方法
JPH1135376A (ja) Ｓｉ濃度傾斜型Ｓｉ−ＳｉＣ材料及びＳｉ濃度傾斜型ＳｉＣ繊維強化Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料並びにこれらの製造方法
CN105541416A (zh) 一种C/C复合材料表面HfC-SiC涂层的制备方法
CN113880597B (zh) 一种改性碳纤维增韧氧化铝自愈合陶瓷的制备方法
CN109320253A (zh) 一种c/c复合材料及其制备方法
CN108863420A (zh) 一种含SiBNC-PyC复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法
CN109293367B (zh) 一种磷酸铈改性碳化硅纤维增强碳化硅复合材料及其制备方法
CN113387724B (zh) 一种碳/碳复合材料表面耐高温长寿命复合涂层及制备方法
CN113045326A (zh) 一种改性碳/碳复合材料的制备方法
CN115385712A (zh) 一种高熵超高温陶瓷基复合材料及其制备方法
CN113480320A (zh) 一种高抗应力开裂的SiCf/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
CN110304932B (zh) 一种具有HfB2界面的Cf/SiC复合材料的制备方法
CN109320275A (zh) 一种抗氧化SiC纤维增强陶瓷基复合材料的制备方法
CN112521156B (zh) 一种混杂基体SiCf/SiC复合材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200110

Address after: No. 518, Wenxuan Road, high tech Development Zone, Changsha City, Hunan Province

Applicant after: Hunan Zerui New Material Co., Ltd

Address before: 410205 Hunan province Changsha Wenxuan High-tech Development Zone, Road No. 518

Applicant before: Hunan Boom New Materials Co., Ltd.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant