CN109581820A - 曝光装置 - Google Patents
曝光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109581820A CN109581820A CN201811105201.2A CN201811105201A CN109581820A CN 109581820 A CN109581820 A CN 109581820A CN 201811105201 A CN201811105201 A CN 201811105201A CN 109581820 A CN109581820 A CN 109581820A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical system
- light
- optical
- exposure device
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/201—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by an oblique exposure; characterised by the use of plural sources; characterised by the rotation of the optical device; characterised by a relative movement of the optical device, the light source, the sensitive system or the mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明提供一种曝光装置。在具有放电灯的曝光装置中,在不损害分辨率的前提下,通过期望的光谱分布的光,对掩膜、光调制元件阵列等进行照明。在具有设置了放电灯(20D)和椭圆镜(20M)的光源部(20)以及照明光学系统(11)的曝光装置(1)中,照明光学系统(11)由光学滤波器(13A~13C)、会聚透镜(14)、杆状透镜(15)、以及中继光学系统(16)构成,并且光学滤波器(13A~13C)、会聚透镜(14)、杆状透镜(15)、以及中继光学系统(16)是从光源部侧起依次配置的。
Description
技术领域
本发明涉及使用光掩模和光调制元件阵列等,对表面形成有光致抗蚀剂层(感光材料)的基板投影图案的曝光装置,尤其涉及照明光学系统的结构。
背景技术
在投影曝光装置(光刻机等)、无掩模曝光装置等中,从光源发出的光经由照明光学系统被引导到光掩模、光调制元件阵列等中。通过光掩模、光调制元件阵列或者被反射的光通过投影光学系统在基板表面上成像,从而图案光被投影到基板上。光源例如可以应用放电灯。
在基板表面上形成的光致抗蚀剂的感光度特性因光致抗蚀剂的材质等而不同。因此,在使包含某一特定波长区域的光照射到基板上时,存在给图案分辨率等带来障碍的情况。但是,从放电灯发出的光一般来讲具有连续的广范围的光谱分布,其中,在436nm(g线)、405nm(h线)、365nm(i线)处分别具有峰值(亮线)
因此,公知有在照明光学系统内设置降低特定波长区域的紫外线强度的光学滤波器的结构。通过将光学滤波器配置在光路上,将具有适于光致抗蚀剂的感光度特性的光强度分布的图案光被投影到基板上(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2001-296666号公报
当光在汇聚或者扩散的状态下入射到滤波器时,滤波器表面上的入射角度因入射位置的不同而有很大不同。其结果是,发生因滤波器的入射角度依赖性而导致的衰减波长区域的偏移,从而波长偏移的平衡发生改变。尤其是,在具备具有多条亮线的连续的光强度分布的情况下,容易产生波长偏移。其结果是,无法得到适于光致抗蚀剂的光强度分布,从而导致图案分辨率的下降。
因此,需要一种其能够使用降低特定波长区域的光强度的滤波器来获得适于光致抗蚀剂的光强度分布照明光学系统。
发明内容
本发明的曝光装置可以构成为无掩模曝光装置、投影曝光装置(光刻机等)、接触曝光装置,其具有光源部和照明光学系统,该光源部具有光源和椭圆镜,该光源发出具有连续的光强度分布的光,该照明光学系统通过来自所述光源部的光对照射面进行照明。
本发明的照明光学系统具有:会聚光学系统,其使来自所述光源部的光会聚;照度均匀化光学系统,其供来自所述会聚光学系统的光入射,并且使照度均匀;以及光学滤波器,其被配置在比所述会聚光学系统靠光源部侧,能够在光路与光路外之间移动,并且该光学滤波器使规定波长区域的光强度衰减,所述会聚光学系统被配置在比所述椭圆镜的第2焦点位置靠所述光源部侧。
会聚光学系统可以构成为折射型光学系统,例如可以由凸透镜构成。另外,可以使照度均匀化光学系统包括杆状透镜。放电灯例如发出包含g线、h线、i线的光,所述光学滤波器使包含g线、h线、i线中的至少1种亮线的波长区域的光强度衰减。
可以采用如下方式,光入射到所述光学滤波器时与所述照明光学系统的光轴所形成的最大入射角度Θα比光入射到所述照度均匀化光学系统时与光轴所形成的最大入射角度Θb小。另外,可以使会聚光学系统的会聚角比所述照明光学系统的NA大。或者,可以使所述照度均匀化光学系统的入射面与会聚光学系统之间的距离间隔比所述会聚光学系统的焦距短。
可以设置中继光学系统,该中继光学系统被配置在照度均匀化光学系统与所述照射面之间,将所述照度均匀化光学系统的射出面的像投影到所述照射面上。中继光学系统以与所述照度均匀化光学系统的射出面等倍或规定的放大率对所述照射面进行照明。
所述光学滤波器可以由使波长区域彼此不同的光衰减的多个光学滤波器构成,并且可以具有滤波器插入量调整部,该滤波器插入量调整部对所述多个光学滤波器向光路上插入的插入量进行调整。并且,可以使多个光学滤波器中的衰减波长区域相对较短的光学滤波器配置在比衰减波长区域相对较长的光学滤波器靠光源部侧的位置。例如,多个光学滤波器可以从光源部侧起按照衰减波长区域从短到长的顺序而配置。
在配置多个光学滤波器的情况下,反射的光会进入其他光学滤波器,从而导致劣化。为了防止该情况发生,通过在光源部侧配置减少波长更短的光的光学滤波器,能够抑制劣化。这一点也可以通过具有以下这样的照明光学系统的曝光装置实现。
即,曝光装置具有:光源部,其发出具有连续的光强度分布的光,以及照明光学系统,其通过来自所述光源部的光对照射面进行照明,所述照明光学系统具有:多个光学滤波器,它们使波长区域彼此不同的光衰减,以及滤波器插入量调整部,其对多个光学滤波器向光路上插入的插入量进行调整,多个光学滤波器中的衰减波长区域相对较短的光学滤波器被配置在比衰减波长区域相对较长的光学滤波器靠光源部侧的位置。
本发明的另一方式的曝光装置具有:光源部,其具有光源和抛物面镜,该光源发出具有连续的光强度分布的光,以及照明光学系统,其通过来自所述光源部的光对照射面进行照明,所述照明光学系统具有:会聚光学系统,其使来自所述光源部的光会聚;照度均匀化光学系统,其供来自所述会聚光学系统的光入射,并且使照度均匀;以及光学滤波器,其被配置在比所述会聚光学系统靠光源部侧的位置,能够在光路与光路外之间移动,并且该光学滤波器使规定波长区域的光强度衰减。
根据本发明,在具有放电灯的曝光装置中,能够在不损害分辨率的前提下,通过期望的光谱分布的光,对掩膜、光调制元件阵列等进行照明。
附图说明
图1是示出第1实施方式的曝光装置的整体结构的框图。
图2是示出照明光学系统的结构的图。
图3A是示出光学滤波器的插入距离与向光学滤波器入射的光所表现出的入射角度之间的关系的图。
图3B是通过与图3A不同的插入距离示出的光学滤波器的插入距离与向光学滤波器入射的光所表现出的入射角度之间的关系的图。
图4是示出从光源部发出的光的分光分布曲线的图。
图5是示出插入了1个光学滤波器的情况下的光谱分布的图。
图6是示出插入了其他光学滤波器的情况下的光谱分布的图。
图7是示出插入了剩余光学滤波器的情况下的光谱分布的图。
图8是第2实施方式的曝光装置的框图。
图9是第3实施方式的曝光装置的框图。
标号说明
1:曝光装置;10:曝光头;11:照明光学系统;13A:光学滤波器;13B:光学滤波器;13C:光学滤波器;14:会聚透镜;15:杆状透镜;16:中继光学系统;16A:开口光圈;20:光源部:20D:放电灯;20M:椭圆镜;W:基板。
具体实施方式
在下文中,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是示出第1实施方式的曝光装置的整体结构的框图。
曝光装置1是在表面形成有光致抗蚀剂等感光材料的基板W上针对图案进行曝光的直接(无掩模)曝光装置。曝光装置1具有:由多个放电灯(这里未图示)构成的光源部20,以及分别向基板W投影图案光的多个曝光头10。另外,这里仅图示出一个系统的光源部20和曝光头10。
光源部20的放电灯20D是高压或者超高压水银灯,例如包括0.2mg/mm3以上的水银。放电灯发出的光是包括g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的光,并且在大约330nm~480nm的范围内具有连续的光谱分布。放电灯20D是通过灯电源21而被点亮的。
曝光头10具有:照明光学系统11、由多个微小的微型反射镜排列为矩阵状而成的DMD22(光调制元件阵列)、以及成像光学系统23,其他的曝光头也以同样方式构成。当由矢量数据等构成的CAD/CAM数据被发送到曝光装置1时,光栅转换电路26将矢量数据转换成光栅数据并发送给DMD驱动电路24。
DMD22的各微型反射镜可以通过改变姿态来选择性地切换光的反射方向,DMD驱动电路24根据光栅数据对各微型反射镜进行打开/关闭控制。其结果是,将与图案对应的光通过成像光学系统23投影到基板W的表面上。
曝光装置1的曝光动作是通过控制器(曝光动作控制部)30被控制的。曝光台驱动机构19根据来自控制器30的控制信号,使搭载有基板W的曝光台18相对于曝光头10进行相对移动。位置计测部27根据从曝光台驱动机构19发送来的信号,对基板W的表面的曝光位置进行计算。另外,设沿着台的移动路径的方向为主扫描方向X,设与沿着该移动路径的方向正交的方向为副扫描方向Y。
在进行曝光动作的过程中,曝光台18沿着扫描方向X以固定速度进行移动。DMD22整体的投影区域(以下称作曝光区域)随着基板W的移动而在基板W的表面上相对移动。曝光动作是按照规定的曝光间距进行的,并且微型反射镜被控制成按照曝光间距来投影图案曝光的光。
图2是示出照明光学系统11的结构的图。以下,对照明光学系统11的结构进行详细说明。但仅图示出与1个放电灯对应的光学要素。
在光源部20上安装有呈放射状发光的放电灯20D和椭圆镜20M,该椭圆镜20M使从放电灯20D发出的光朝向规定方向反射并且进行会聚。放电灯20D被配置成其中心在椭圆镜20M的第1焦点位置附近。
在照明光学系统11的从光源部20到DMD入射面22P的光路上,从光源部20侧起沿着光轴X依次配置有波长调整机构12、会聚透镜(会聚光学系统)14、杆状透镜(照度均匀化光学系统)15、以及中继光学系统16。其中,光轴X表示连接椭圆镜20M的焦点与杆状透镜15的中心的直线。
波长调整机构12是选择性地使照明光的光谱分布(光强度)衰减的滤波器机构,其具有使波长区域各自不同的光强度衰减的光学滤波器13A、13B、13C。光学滤波器13A、13B、13C被设置成可以向照明光学系统11的光路上的光束插入。光学滤波器13A使300nm~380nm的波长区域衰减,光学滤波器13B使380nm~420nm的波长区域衰减,光学滤波器13C使420nm~500nm的波长区域衰减。
会聚透镜14使被椭圆镜20M反射的光会聚,这里会聚透镜14是由具有正光焦度的凸透镜构成的。杆状透镜15使入射到入射面15M的光的照度均匀化。杆状透镜15的入射面15M和会聚透镜14的位置被设定成比椭圆镜20M的第2焦点位置靠光源部侧。
即,从椭圆镜20M的第1焦点位置到会聚透镜14的距离A、以及从椭圆镜20M的第1焦点位置到杆状透镜入射面15M的距离B比从椭圆镜20M的第1焦点位置到第2焦点位置的距离C短。另外,杆状透镜入射面15M的位置被设定成,会聚透镜14(的中心)与杆状透镜入射面15M之间的距离间隔E比会聚透镜14的焦距f短。会聚透镜14的会聚角θ比从照明光学系统11射出的光的NA(数值孔径)(以下称作照明NA)大。其中,会聚角θ表示、Arctan(透镜直径/从会聚透镜14到杆状透镜15的距离)。
中继光学系统16是将从杆状透镜出射面15N射出的光投影到DMD入射面22P上的光学系统,杆状透镜出射面15N和DMD入射面22P互为共轭关系。另外,中继光学系统16具有决定从照明光学系统11射出的光的NA(照明NA)的开口光圈16A。光圈16A的开口孔径被设定为,使得DMD入射面22P的投影区域与杆状透镜射出面15N的区域等倍或者放大成比杆状透镜射出面15N的区域更大的区域。
光学滤波器13A、13B、13C从光源部侧起依次被未图示的保持部件保持。保持部件与滤波器驱动部驱动部17相连接,该滤波器驱动部17使各光学滤波器在光轴X的正交方向上进退。滤波器驱动部17的动作是通过控制器30被进行控制的,因此可以调整光学滤波器13A、13B、13C相对于光路上的光束的插入距离(即照明光的衰减量)。
图3A和图3B是示出光学滤波器13A的插入距离与向光学滤波器入射的光所表现出来的入射角度之间的关系的图。
当设穿过被光学滤波器13A遮挡的光束部分的中心的光线角度为所表现出的入射角度Θx时,所表现出的角度Θx随着光学滤波器13A的插入距离的变化而变化。图3A示出了将光学滤波器插入到光束的3/4位置处的情况,图3B示出了将光学滤波器插入到光束的1/3位置处的情况。
作为电介质多层膜干扰滤波器的光学滤波器13A具有角度依赖性。因此,当向光学滤波器13A入射的光的所表现出的角度Θx发生变化时,在杆状透镜15处积分得到的(合成得到的)光的光谱分布会发生变化。为了抑制该照明光的光谱分布的变化,优选的是,向光学滤波器13A入射的光的入射角度Θα尽可能小(相对于滤波器表面接近垂直)。其中,入射角度Θα表示向光学滤波器13A入射的光与照明光学系统11的光轴X所呈角度的最大角度。
另一方面,为了使照明光学系统11的照明NA增大,需要在杆状透镜15处进行充分的积分。因此,设置会聚透镜14,使得入射角度Θα与光向杆状透镜15入射时的光轴X所呈的最大入射角度Θb(参照图2)满足Θα<Θb的关系。另外,将光学滤波器13B、13C设置成满足与光学滤波器13A相同的条件。
光学滤波器13A~13C的各自的插入方向(光学滤波器的移动方向)Mf对应着曝光时扫描方向的反方向,即对应着与基板W的相对移动方向Mx(参照图1)相同或近似的方向。即,将插入方向Mf设定成,在插入光学滤波器13A~13C中的任意一个光学滤波器时,光强度从曝光区域的扫描方向开始侧开始衰减。
在插入光学滤波器13A~13C中的任意一个光学滤波器时,曝光区域内的照度分布会产生微小差异。即使在这样的情况下,也能够通过使光学滤波器的移动方向Mf沿着基板W的相对移动方向Mx,通过依次经过规定位置的微型反射镜进行多重曝光,由此能够将曝光量平均化,均匀地将图案曝光形成。
当保持部件向光路侧移动,从而光学滤波器13A(13B、13C)向光路上的光束插入时,光束的一部分会通过光学滤波器13A(13B、13C)。通过了光学滤波器的光的规定波长区域(例如300nm~380nm)相对于其他波长区域的光强度而被衰减。其结果是,调整了照射在基板W的表面上的曝光光的光谱分布。
图4是示出从光源部20发出的光的分光分布曲线的图。
如图4所示,放电灯20D发出包括作为g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)的亮线的连续的光谱光。用户为了将其修改成与抗蚀剂膜的感光特性等相适应的光谱分布,用户对波长调整机构12的光学滤波器13A~13C的位置进行控制。
在进行光谱分布调整时,事先测定光学滤波器的插入距离与曝光光的规定波长的光强度的衰减量之间的关系,并且制作修正表,该数据被预先存储在存储器32中。控制器30参照存储器32中的修正表,利用滤波器驱动部17使光学滤波器13A、13B、13C移动,以形成可以恰当地进行抗蚀剂膜的反应的光谱分布,该抗蚀剂膜的反应基于曝光光的照射的反应。
图5是示出插入了光学滤波器13A的情况下的光谱分布的图。这里,使光学滤波器13A向光路上插入了规定距离。将其他光学滤波器13B、13C配置在光路外。光谱分布SP被修正成在大约短波长区域350~400nm的范围内光强度大致减半的光谱分布SP1。
图6是示出插入了光学滤波器13C的情况下的光谱分布的图。这里,使光学滤波器向光路上插入了规定距离。将其他光学滤波器13A、13B,配置在光路外。光谱分布SP被修正成在大约短波长区域420~450nm的范围内光强度大致减半的光谱分布SP2。
图7是示出插入了光学滤波器13B的情况下的光谱分布的图。这里,使光学滤波器13B向光路上插入了规定距离。将其他光学滤波器13A、13C配置在光路外。光谱分布SP被修改成在大约短波长区域390~425nm的范围内光强度大致减半的光谱分布SP3。
在图5~图7中示出了在将光学滤波器13A~13C中的任意一个插入到光路上的情况下的光谱分布,但也可以将2个或者3个光学滤波器插入到光路上,另外,光强度的降低程度并不限于减少一半,只要使作为对象的光学滤波器插入与期望的光强度衰减量对应的插入距离即可。
这样,通过本实施方式,在具有设置了放电灯20D和椭圆镜20M的光源部20、以及照明光学系统11的曝光装置1中,照明光学系统11由光学滤波器13A~13C、会聚透镜14、杆状透镜15、以及中继光学系统16构成,并且光学滤波器13A~13C、会聚透镜14、杆状透镜15、以及中继光学系统16是从光源部侧起依次配置的。
在本实施方式中,在与椭圆镜20M的第2焦点位置相比而足够靠近光源部侧的位置处设置会聚透镜14,并且杆状透镜15的入射面15M的位置与第2焦点位置相比也足够靠近光源侧。通过在光学滤波器13A~13C的后方(出射面)侧配置会聚透镜14,能够使向光学滤波器13A~13C入射的光的入射角度Θα相对于光轴X而减小,从而能够使光以相对于光学滤波器13A~13C的入射面大致垂直的角度进行入射。其结果是,能够抑制因入射角度的不同而导致的波长偏移的产生。
另一方面,通过会聚透镜14使光进行会聚,利用杆状透镜15使照度均匀化,由此,即使在光学滤波器13A~13C插入到光路上的情况下,也能够抑制照明光学系统11的照明NA的变化。因此,能够在不影响到分辨率的前提下,利用光学滤波器13A~13C来改变光的光谱分布。
另外,由于会聚透镜f的会聚角θ充分大于照明NA,因此入射到杆状透镜15内的光的内部反射次数增多,从而不会发生照度分布不均。其结果是,不会对中继光学系统16的分辨率造成影响。
另外,由于满足Θα<Θb,因此与光学滤波器13A~13C的插入距离(无关乎入射面的光的状态)无关地、在杆状透镜15的出射面上进行光的积分,从而形成均匀的光分布角,该光分布角使照度分布均匀的光分布角。通过在中继光学系统16的光瞳位置处设置开口光圈16A,能够决定照明NA。
在以往的配置了复眼透镜的结构中,由于是在照射面上进行光的积分的,因此当在复眼出射面的光瞳位置处不均匀地进行遮光(衰减)时,会对照明NA造成影响。但是,根据不使用复眼透镜的本实施方式,由于在是光被充分进行了积分后的光瞳面上决定NA的,因此能够与光学滤波器的插入量无关地使照明光学系统11的照明NA固定。
在本实施方式中,光学滤波器13A、13B、13C被构成为从光源部20向着会聚透镜14而依次配置,并且能够在光路上与光路外之间进行移动。由此,不需要进行滤波器更换等,并且,能够应对随着曝光环境的不同而变化的光谱分布。
另外,在本实施方式中,针对相对较短的波长区域(衰减波长)降低光强度的滤波器被配置在比针对相对较长的衰减波长降低光强度的滤波器靠光源部侧。由此,能够防止紫外线劣化。
例如,在将光学滤波器13A、13C插入到光路上的情况下,由于滤波器分别采用100%反射型滤波器,因此被光学滤波器13A、13C反射的光(i线、g线)朝向光源部20行进。因此,光学滤波器13C的反射光(g线)对光学滤波器13A进行照射。
长期照射紫外线是光学部品劣化的原因,并且波长更短的紫外线对劣化的影响力较大。虽然光学滤波器13A反射了对劣化最具影响力的i线,但由于比光学滤波器13A靠光源部侧没有配置光学滤波器,因此能够防止光学滤波器的劣化。另外,由于波长相对较长的g线向光学滤波器13A照射,因此对光学滤波器13A几乎不会产生劣化影响。
虽然在以上的本实施方式中,是通过多个光学滤波器13A、13B、13C使规定的波长区域衰减的,但光学滤波器也可以是1个。另外,作为照度均匀化单元而使用了杆状透镜,但也可以使用随机光纤束,该随机光纤束是多个光纤捆扎而成的,多个光纤被捆扎成出射位置随机。并且,也可以代替杆状透镜设置复眼透镜来作为照度均匀化光学系统。另外,也可以使用抛物面镜来代替椭圆镜,并且也可以使用会聚反射镜来代替会聚透镜。
作为放电灯,还可以使用除了上述以外的放电灯,可以应用光谱分布连续,并且以包含亮线的连续光谱发出g线、h线、i线的放电灯。或者,也可以使用发出包含其他多条亮线的连续的光谱光的放电灯。
在以上的实施方式中,对使用DMD(空间光调制元件)在基板上曝光出图案的曝光装置进行了说明,但本发明也可以应用于使用光掩模在基板上曝光出图案的曝光装置中。
图8是第2实施方式的曝光装置的框图。曝光装置1’被构成为,使用光掩模22’将图案光向基板W上投影的投影曝光装置。图9是第3实施方式的曝光装置的框图。曝光装置1”被构成为,使用光掩模22”将图案光向基板W上投影的接触曝光装置。在曝光装置1’和1”中都构成有与第1实施方式相同的照明光学系统11。
Claims (11)
1.一种曝光装置,其特征在于,具有:
光源部,其具有光源和椭圆镜,该光源发出具有连续的光强度分布的光,以及
照明光学系统,其通过来自所述光源部的光对照射面进行照明,
所述照明光学系统具有:
会聚光学系统,其使来自所述光源部的光会聚;
照度均匀化光学系统,来自所述会聚光学系统的光入射至该照度均匀化光学系统,该照度均匀化光学系统使照度均匀;以及
光学滤波器,其被配置在比所述会聚光学系统靠光源部侧的位置,能够在光路与光路外之间移动,并且该光学滤波器使规定波长区域的光强度衰减,
所述会聚光学系统被配置在比所述椭圆镜的第2焦点位置靠所述光源部侧的位置。
2.根据权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,
光入射到所述光学滤波器时与所述照明光学系统的光轴形成的最大入射角度Θα比光入射到所述照度均匀化光学系统时与光轴形成的最大入射角度Θb小。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置,其特征在于,
所述会聚光学系统的会聚角比所述照明光学系统的NA大。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述照度均匀化光学系统的入射面与所述会聚光学系统之间的距离间隔比所述会聚光学系统的焦距短。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述曝光装置还具有中继光学系统,该中继光学系统被配置在所述照度均匀化光学系统与所述照射面之间,将所述照度均匀化光学系统的射出面的像投影到所述照射面上,
所述中继光学系统与所述照度均匀化光学系统的射出面等倍地或以规定的放大率对所述照射面进行照明。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述光学滤波器由多个光学滤波器构成,该多个光学滤波器使波长区域彼此不同的光衰减,
所述曝光装置还具有滤波器插入量调整部,该滤波器插入量调整部对所述多个光学滤波器向光路上插入的插入量进行调整。
7.根据权利要求6所述的曝光装置,其特征在于,
所述多个光学滤波器中的衰减波长相对较短的光学滤波器被配置在比衰减波长相对较长的光学滤波器靠光源部侧的位置。
8.根据权利要求6或7所述的曝光装置,其特征在于,
所述多个光学滤波器是从光源部侧起按照衰减波长从短到长的顺序而配置的。
9.根据权利要求1~8中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述照度均匀化光学系统包括杆状透镜。
10.根据权利要求1~9中的任意一项所述的曝光装置,其特征在于,
所述放电灯发出包含g线、h线、i线的光,
所述光学滤波器使包含g线、h线、i线中的至少1种亮线的波长区域的光强度衰减。
11.一种曝光装置,其特征在于,具有:
光源部,其具有光源和抛物面镜,该光源发出具有连续的光强度分布的光,以及
照明光学系统,其通过来自所述光源部的光对照射面进行照明,
所述照明光学系统具有:
会聚光学系统,其使来自所述光源部的光会聚;
照度均匀化光学系统,来自所述会聚光学系统的光入射至该照度均匀化光学系统,该照度均匀化光学系统使照度均匀;以及
光学滤波器,其被配置在比所述会聚光学系统靠光源部侧的位置,能够在光路与光路外之间移动,并且该光学滤波器使规定波长区域的光强度衰减。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017112027 | 2017-06-06 | ||
JP2017-188905 | 2017-09-28 | ||
JP2017188905A JP6951926B2 (ja) | 2017-06-06 | 2017-09-28 | 露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109581820A true CN109581820A (zh) | 2019-04-05 |
CN109581820B CN109581820B (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=64957820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811105201.2A Active CN109581820B (zh) | 2017-06-06 | 2018-09-21 | 曝光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6951926B2 (zh) |
CN (1) | CN109581820B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112698550A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 佳能株式会社 | 照明光学系统、曝光装置以及物品制造方法 |
CN117075449A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-17 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 曝光调试装置、系统及方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204114A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
CN1438546A (zh) * | 2002-02-13 | 2003-08-27 | 佳能株式会社 | 曝光装置、曝光方法,以及使用该曝光装置和方法的器件制造方法 |
CN101201553A (zh) * | 2002-12-03 | 2008-06-18 | 株式会社尼康 | 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法 |
JP2008164729A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Ushio Inc | 光照射器及び光照射装置並びに露光方法 |
CN103299243A (zh) * | 2010-11-19 | 2013-09-11 | 恩斯克科技有限公司 | 接近式曝光装置以及接近式曝光方法 |
CN106292189A (zh) * | 2015-05-24 | 2017-01-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种照明系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6329930A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
JP2668834B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1997-10-27 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置 |
JPH0375529U (zh) * | 1989-11-24 | 1991-07-29 | ||
JPH10335213A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 露光装置の波長管理装置および波長管理方法 |
JPH11135421A (ja) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Nikon Corp | 投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置 |
AU2002325359A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Collector with fastening devices for fastening mirror shells |
JP2007012970A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Mejiro Precision:Kk | レジストパターンの断面形状を制御することができる露光装置及び露光方法 |
JP4746444B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-08-10 | 株式会社目白プレシジョン | 照明光学系 |
JP2010103191A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 露光装置および露光方法 |
JP5523207B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-06-18 | 株式会社トプコン | 露光装置 |
JP6304948B2 (ja) * | 2013-06-19 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | 光源装置、およびリソグラフィ装置 |
JP6053737B2 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 照明光学装置、露光装置、および物品の製造方法 |
-
2017
- 2017-09-28 JP JP2017188905A patent/JP6951926B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-21 CN CN201811105201.2A patent/CN109581820B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06204114A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Canon Inc | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
CN1438546A (zh) * | 2002-02-13 | 2003-08-27 | 佳能株式会社 | 曝光装置、曝光方法,以及使用该曝光装置和方法的器件制造方法 |
CN101201553A (zh) * | 2002-12-03 | 2008-06-18 | 株式会社尼康 | 光学照明装置、曝光装置以及曝光方法 |
JP2008164729A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Ushio Inc | 光照射器及び光照射装置並びに露光方法 |
CN103299243A (zh) * | 2010-11-19 | 2013-09-11 | 恩斯克科技有限公司 | 接近式曝光装置以及接近式曝光方法 |
CN106292189A (zh) * | 2015-05-24 | 2017-01-04 | 上海微电子装备有限公司 | 一种照明系统 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112698550A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 佳能株式会社 | 照明光学系统、曝光装置以及物品制造方法 |
CN117075449A (zh) * | 2023-10-16 | 2023-11-17 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 曝光调试装置、系统及方法 |
CN117075449B (zh) * | 2023-10-16 | 2024-02-13 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 曝光调试装置、系统及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6951926B2 (ja) | 2021-10-20 |
JP2018205682A (ja) | 2018-12-27 |
CN109581820B (zh) | 2022-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7345741B2 (en) | Illumination optical system and exposure apparatus | |
EP2278380B1 (en) | Design and manufacturing method of an optical element | |
KR20100087325A (ko) | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
TWI497229B (zh) | 光蝕刻系統及光蝕刻方法 | |
KR20110000619A (ko) | 공간 광 변조 유닛, 조명 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2010061674A1 (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2018112755A (ja) | 照明光学装置、照明方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
CN109581820A (zh) | 曝光装置 | |
KR100806826B1 (ko) | 레티클 유도 cdu를 보상하는 디바이스 제조 방법 및리소그래피 장치 | |
US7006295B2 (en) | Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator | |
US8947635B2 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2004055856A (ja) | 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2005533285A (ja) | 反射屈折投影対物レンズ | |
JP3814444B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
JP2010097975A (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5182588B2 (ja) | オプティカルインテグレータ、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5366019B2 (ja) | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5187631B2 (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5201061B2 (ja) | 補正フィルター、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
TW200303970A (en) | Light source unit, lighting device, exposure device and exposure method | |
WO2013115208A1 (ja) | 伝送光学系、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2002350620A (ja) | 光学部材、当該光学部材を用いた照明装置及び露光装置 | |
JP5187636B2 (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5187632B2 (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2010182703A (ja) | 補正ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |