CN109554728B - 氧化铝电解控制方法、存储介质及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种氧化铝电解控制方法、存储介质及电子设备,该氧化铝电解控制方法包括:根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。实施本发明,能够控制氧化铝浓度,提高控制精度,实现低窄浓度控制区间,提高对电解槽的状况的判断力。
Description
技术领域
本发明涉及化工技术领域,尤其涉及一种氧化铝电解控制方法、存储介质及电子设备。
背景技术
在电解槽内的阴极和阳极上进行电化学反应,即电解。现有的氧化铝电解控制中一般采用槽电阻、电阻斜率和斜率累加作为控制变量,这些变量属于快时变量,能及时反映铝电解槽的槽况的瞬时波动影响。而且,现有的氧化铝电解通常为酸法氧化铝电解,酸法氧化铝电解的物理特性指标与传统的拜耳法、烧结法或联合法等工艺生产的氧化铝产品相比,在容重、粒度、安息角(流动性)、比表面积等方面有着较大的差别,进而影响氧化铝的相关特性和下料控制技术,主要表现为:酸法氧化铝电解中α相含量少、粒度分布较宽、细颗粒含量较多、磨损系数高、颗粒松装密度较小,酸法氧化铝颗粒机械性能较差,容易形成大量的细颗粒。因此,针对这些特性,现有的氧化铝电解控制方法氧化铝浓度控制精度低,容易产生对电解槽的状况的误判,同时由于电解槽容易发生阳极效应,导致氧化铝沉淀,稳定性差。
然而,铝电解槽运行过程中,既要考虑快时变量,也要兼顾槽况的整体趋势状况,这样有利于提高控制精度,从而避免误判等问题。因此,开发高效先进的控制方法尤为重要,提高铝电解槽中酸法氧化铝浓度控制精度,实现低窄浓度控制区间,提高电流效率,同时,要避免阳极效应的频发,又要防止氧化铝沉淀,提高生产稳定性。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的氧化铝电解控制方法氧化铝浓度控制精度低,容易产生对电解槽的状况的误判的不足,提供一种氧化铝电解控制方法、存储介质及电子设备。
本发明的技术方案提供一种氧化铝电解控制方法,包括:
根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;
获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;
当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
进一步的,所述经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝,之前还包括:
当所述瞬时电阻斜率小于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率小于等于所述起始平均电阻斜率时,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
当所述瞬时电阻斜率大于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率大于等于所述起始平均电阻斜率时,根据预设的超过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝,经过预设的第二时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝。
进一步的,所述经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝,之后还包括:
获取所述电解槽的第一平均电阻和所述电解槽的阳极升指令次数;
当所述第一平均电阻小于等于预设的起始槽电阻与时间序列内槽电阻差的差值,所述欠量下料周期超过预设的第三时间段,且所述阳极升指令次数超过预设阈值时,根据预设的超欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第四时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
获取所述电解槽的阳极降指令次数;
当所述阳极降指令次数超过预设阈值时,根据预设的正常下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第五时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
进一步的,所述超欠量下料周期大于正常下料时间间隔,所述欠量下料周期大于所述正常下料时间间隔,且小于所述超欠量下料周期,所述正常下料周期等于所述正常下料时间间隔,所述过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,所述超过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,且小于所述过量下料周期。
进一步的,所述经过预设的第五时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝,之后还包括:
获取所述电解槽的瞬时槽电阻和第二平均电阻;
当所述瞬时槽电阻小于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的差值时,则提升所述电解槽的阳极框架;
当所述瞬时槽电阻大于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的之和,且所述第二平均电阻大于等于所述起始槽电阻与预设的起始时间序列内平均电阻差的之和时,经过预设的第六时间段后,降低所述阳极框架。
进一步的,利用下式计算出所述瞬时槽电阻:
其中,Ri为第i个时间段的瞬时槽电阻;Ui为第i个时间段的电压,Ii为第i个时间段的电流。
进一步的,利用下式计算出所述瞬时电阻斜率:
其中,Ki为第i个时间段的瞬时电阻斜率;Ri为第i个时间段的瞬时槽电阻;Ri-1为第i-1个时间段的瞬时槽电阻;T为电解时间。
本发明的技术方案提供一种存储介质,所述存储介质存储计算机指令,当计算机执行所述计算机指令时,用于执行如前所述的氧化铝电解控制方法的所有步骤。
本发明的技术方案提供一种电子设备,包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够:
根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;
获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;
当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
采用上述技术方案后,具有如下有益效果:通过首先根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝,获取电解槽中的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率,并与预设的起始电阻斜率和起始平均电阻斜率进行比较,根据比较结果控制氧化铝下料周期,从而能够控制氧化铝浓度,提高控制精度,实现低窄浓度控制区间,提高对电解槽的状况的判断力。
附图说明
参见附图,本发明的公开内容将变得更易理解。应当理解:这些附图仅仅用于说明的目的,而并非意在对本发明的保护范围构成限制。图中:
图1是本发明一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图;
图2是本发明可选实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图;
图3是本发明另一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图;
图4是本发明再一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图;
图5是本发明第六实施例提供的一种执行氧化铝电解控制方法的电子设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图来进一步说明本发明的具体实施方式。
容易理解,根据本发明的技术方案,在不变更本发明实质精神下,本领域的一般技术人员可相互替换的多种结构方式以及实现方式。因此,以下具体实施方式以及附图仅是对本发明的技术方案的示例性说明,而不应当视为本发明的全部或视为对发明技术方案的限定或限制。
在本说明书中提到或者可能提到的上、下、左、右、前、后、正面、背面、顶部、底部等方位用语是相对于各附图中所示的构造进行定义的,它们是相对的概念,因此有可能会根据其所处不同位置、不同使用状态而进行相应地变化。所以,也不应当将这些或者其他的方位用语解释为限制性用语。
实施例一
如图1所示,图1是本发明一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图,包括:
步骤S101:根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;
步骤S102:获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;
步骤S103:当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
步骤S104:经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
具体来说:
首先,从欠量下料周期开始,执行步骤S101向电解槽中加入氧化铝,经历一定时间后,执行步骤S102获取该周期内的瞬时电阻斜率K和平均电阻斜率k。然后,执行步骤S103将瞬时电阻斜率K和平均电阻斜率k与预设的起始电阻斜率K0和起始平均电阻斜率k0进行比较,当瞬时电阻斜率K大于等于起始电阻斜率K0,或者平均电阻斜率k大于等于起始平均电阻斜率k0时,转为过量下料周期,向电解槽中加入氧化铝。最后,执行步骤S104经历第一时间段后,转入欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝。
需要说明的是,本发明的氧化铝电解控制方法既可以适用于酸法氧化铝电解,也可以适用于碱法氧化铝电解,提高适用性。
可选地,瞬时电阻斜率可利用下式计算出:
其中,Ki为第i个时间段的瞬时电阻斜率;Ri为第i个时间段的瞬时槽电阻;Ri-1为第i-1个时间段的瞬时槽电阻;T为电解时间。
可选地,瞬时槽电阻可利用下式计算出:
其中,Ri为第i个时间段的瞬时槽电阻;Ui为第i个时间段的电压,Ii为第i个时间段的电流。
本发明提供的氧化铝电解控制方法,通过首先根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝,获取电解槽中的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率,并与预设的起始电阻斜率和起始平均电阻斜率进行比较,根据比较结果控制氧化铝下料周期,从而能够控制氧化铝浓度,提高控制精度,实现低窄浓度控制区间,提高对电解槽的状况的判断力。
实施例二
在实施例一的基础上,如图2所示,图2是本发明可选实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图,包括:
步骤S201:当所述瞬时电阻斜率小于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率小于等于所述起始平均电阻斜率时,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
步骤S202:当所述瞬时电阻斜率大于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率大于等于所述起始平均电阻斜率时,根据预设的超过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝,经过预设的第二时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝。
具体来说:
在欠量下料周期内,将瞬时电阻斜率K和平均电阻斜率k与预设的起始电阻斜率K0和起始平均电阻斜率k0进行比较时,当瞬时电阻斜率K小于等于起始电阻斜率K0,且平均电阻斜率k小于等于起始平均电阻斜率k0时,执行步骤S201。当瞬时电阻斜率K大于等于起始电阻斜率K0,且平均电阻斜率k大于等于起始平均电阻斜率k0时,执行步骤S202。从而进一步提高控制精度,提高对电解槽的状况的判断力。
实施例三
在实施例一的基础上,如图3所示,图3是本发明另一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图,包括:
步骤S301:获取所述电解槽的第一平均电阻和所述电解槽的阳极升指令次数;
步骤S302:当所述第一平均电阻小于等于预设的起始槽电阻与时间序列内槽电阻差的差值,所述欠量下料周期超过预设的第三时间段,且所述阳极升指令次数超过预设阈值时,根据预设的超欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
步骤S303:经过预设的第四时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
步骤S304:获取所述电解槽的阳极降指令次数;
步骤S305:当所述阳极降指令次数超过预设阈值时,根据预设的正常下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
步骤S306:经过预设的第五时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
具体来说:
时间序列内槽电阻差是指在某一个时间序列内起始槽电阻与终止槽电阻之差。
为了避免电解槽的阳极效应,控制电解槽的电阻值,防止发生氧化铝沉淀,提高稳定性,在实施例一的基础上,继续执行步骤S301获取电解槽的第一平均电阻r和电解槽的阳极升指令次数。然后,执行步骤S302当第一平均电阻r小于等于起始槽电阻R0与时间序列内槽电阻差⊿R的差值时,欠量下料周期超过预设的第三时间段,且阳极升指令次数超过预设阈值时,转入超欠量下料周期,经历第四时间段后,执行步骤S303切换至欠量下料周期。其次,在欠量下料周期内,执行步骤S304,获取电解槽的阳极降指令次数,当阳极降指令次数超过预设阈值时,执行步骤S305切换至正常下料周期。经过第五时间段后,执行步骤S306转入过量下料周期。
可选地,所述超欠量下料周期大于正常下料时间间隔,所述欠量下料周期大于所述正常下料时间间隔,且小于所述超欠量下料周期,所述正常下料周期等于所述正常下料时间间隔,所述过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,所述超过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,且小于所述过量下料周期。
下料基准时间间隔是指加料器容量除以单位时间设计的氧化铝消耗量而言,采用下料基准时间间隔的下料为正常下料,正常下料时间间隔是指第一次正常下料与第二次正常下料的时间间隔。
超欠量下料周期、欠量下料周期、过量下料周期和超过量下料周期可以根据电解槽的状况预先设置在控制系统中。优选地,为了避免电解槽中的氧化铝沉淀,超欠量下料周期设为180%-220%的正常下料时间间隔,欠量下料周期设为105%-145%的正常下料时间间隔,正常下料周期设为正常下料时间间隔,过量下料周期设为55%-95%的正常下料时间间隔,超过量下料周期设为5%-45%的正常下料时间间隔。
实施例四
在实施例三的基础上,如图4所示,图4是本发明再一实施例提供的一种氧化铝电解控制方法的工作流程图,包括:
步骤S401:获取所述电解槽的瞬时槽电阻和第二平均电阻;
步骤S402:当所述瞬时槽电阻小于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的差值时,则提升所述电解槽的阳极框架;
步骤S403:当所述瞬时槽电阻大于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的之和,且所述第二平均电阻大于等于所述起始槽电阻与预设的起始时间序列内平均电阻差的之和时,经过预设的第六时间段后,降低所述阳极框架。
具体来说:
时间序列内平均电阻差是指在某一个时间序列内起始平均电阻与终止平均电阻之差。
为了调整电解槽的阳极升降,进一步避免出现电解槽的阳极效应,控制电解槽的电阻值,防止发生氧化铝沉淀,提高稳定性,在实施例三的基础上,执行步骤S401获取瞬时槽电阻R和第二平均电阻r,当瞬时槽电阻R小于等于起始槽电阻R0与时间序列内槽电阻差⊿R的差值时,执行步骤S402提升阳极框架。当瞬时槽电阻R大于等于起始槽电阻R0与时间序列内槽电阻差⊿R的之和,且第二平均电阻r大于等于起始槽电阻R0与时间序列内平均电阻差⊿r的之和时,执行步骤S403降低阳极框架。
下面举例说明本发明的氧化铝电解控制方法的工作原理,具体如下:
以400kA铝电解槽为例,假设电流效率为93%,每分钟酸法氧化铝的理论消耗量为3.92kg,六点分两组交替下料,每点定容下料量为1.2kg,即每次3点同时下料量为3.6kg,计算可知正常下料时间间隔为65s。超欠量下料周期=200%×65=130s,欠量下料周期=125%×65=81s,正常下料周期=理论下料间隔=65s,过量下料周期=75%×65=48s,超过量下料周期=65/4=16s。设定参数分别为起始槽电阻R0=5.8uΩ,时间序列内槽电阻差⊿R=70pΩ,时间序列内平均电阻差⊿r=80pΩ,起始电阻斜率K0=60pΩ/s,起始平均电阻斜率k0=50pΩ/s。
槽控机每隔0.1s采集一个槽电阻数据,以2分钟作为一个控制时间周期,对周期内电阻和电阻斜率进行平均电阻r和平均电阻斜率k计算,并储存在存储器中。
1)在第i个控制时间周期的结尾,如Ri=5.82uΩ,Ki=57pΩ/s,ri=5.81uΩ,ki=42pΩ/s,由于Ki≤K0且ki≤k0,则欠量下料周期继续。
2)在第i+1个控制时间周期的结尾,如Ri+1=5.85uΩ,Ki+1=59pΩ/s,ri+1=5.84uΩ,ki+1=46pΩ/s,由于Ki+1≤K0且ki+1≤k0,则欠量下料周期仍然继续。
3)在第i+2个控制时间周期内,如Ri+2=5.87uΩ,Ki+2=60pΩ/s,ri+2=5.86uΩ,ki+2=48pΩ/s,由于Ki+2≥K0,则转为过量下料周期,过量时间为20分钟。
4)过量20分钟,即过量下料周期到第i+13个控制时间周期时终止,转为欠量下料周期。
5)在第i+13个控制时间周期末尾,如Ri+13=5.83uΩ,Ki+13=52pΩ/s,ri+13=5.82uΩ,ki+13=40pΩ/s,由于Ki+13≤K0且ki+13≤k0,则欠量下料周期继续。
6)在第i+14、i+15个控制时间周期末尾,如Ki+15≤K0且ki+15≤k0,则欠量下料周期仍然继续。
7)在第i+16个控制时间周期末尾,如Ri+16=5.87uΩ,Ki+16=58pΩ/s,ri+16=5.86uΩ,ki+16=50pΩ/s,由于ki+16≥k0,则转为过量下料周期,过量时间为14分钟。
8)过量14分钟,即过量下料周期到第i+24个控制时间周期时终止,转为欠量下料周期。
9)在第i+24个控制时间周期末尾,如Ri+24=5.84uΩ,Ki+24=53pΩ/s,ri+24=5.83uΩ,ki+24=40pΩ/s,由于Ki+24≤K0且ki+24≤k0,则欠量下料周期继续。
10)在第i+25、i+26个控制时间周期末尾,如Ri+26=5.87uΩ,Ki+26=57pΩ/s,ri+26=5.86uΩ,ki+26=44pΩ/s,由于Ki+26≤K0且ki+26≤k0,则欠量下料周期仍然继续。
11)在第i+27个控制时间周期末尾,如Ri+27=5.87uΩ,Ki+27=60pΩ/s,ri+27=5.86uΩ,ki+27=50pΩ/s,由于Ki+27≥K0且ki+27≥k0,则直接进入超过量下料周期,持续2分钟后切换为过量下料周期,过量持续时间为22分钟。
12)在2+22=24分钟后,即到i+40个控制时间周期时,转为欠量下料周期。
13)之后类似第1)个控制循环。
对于阳极升降的调整方法如下:
1)在欠量下料周期内,如r=5.73uΩ≤R0-⊿R,且欠量下料周期已超出预设时间,阳极升指令次数达到3次,则转入超欠量下料周期,并持续2分钟后,再切换至欠量下料周期。
2)在欠量下料周期内,如r=5.9uΩ≥R0+⊿R,阳极降指令次数达到3次,则切换至正常下料,并持续1分钟后,再进入过量下料周期。
3)由于Ri=5.70≤R0-⊿R,则提升阳极框架,即“阳极升”;
4)由于Ri=5.92≥R0+⊿R且ri=5.88≥R0+⊿r并持续2分钟后,则降低阳极框架,即“阳极降”。
实施例五
本发明第五实施例提供了一种存储介质,存储介质存储计算机指令,当计算机执行计算机指令时,用于执行如前所述的氧化铝电解控制方法的所有步骤。
实施例六
如图5所示,图5是本发明第六实施例提供的一种执行氧化铝电解控制方法的电子设备的硬件结构示意图,其主要包括:至少一个处理器51;以及,与至少一个处理器51通信连接的存储器52;其中,所述存储器52存储有可被一个处理器51执行的指令,指令被至少一个处理器51执行,以使至少一个处理器51能够执行如图1-图4所示的方法流程。
执行氧化铝电解控制方法的电子设备还可以包括:输入装置53和输出装置54。
处理器51、存储器52、输入装置53及输出装置54可以通过总线或者其他方式连接,图5中以通过总线连接为例。
存储器52作为一种非易失性计算机可读存储介质,可用于存储非易失性软件程序、非易失性计算机可执行程序以及模块,如本申请实施例中的氧化铝电解控制方法对应的程序指令/模块,例如,图1-图4所示的方法流程。处理器51通过运行存储在存储器52中的非易失性软件程序、指令以及模块,从而执行各种功能应用以及数据处理,即实现上述实施例中的氧化铝电解控制方法。
存储器52可以包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序;存储数据区可存储氧化铝电解控制方法的使用所创建的数据等。此外,存储器52可以包括高速随机存取存储器,还可以包括非易失性存储器,例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非易失性固态存储器件。在一些实施例中,存储器52可选包括相对于处理器51远程设置的存储器,这些远程存储器可以通过网络连接至执行氧化铝电解控制方法的装置。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。
输入装置53可接收输入的用户点击,以及产生与氧化铝电解控制方法的用户设置以及功能控制有关的信号输入。输出装置54可包括显示屏等显示设备。
在所述一个或者多个模块存储在存储器52中,当被一个或者多个处理器51运行时,执行上述任意方法实施例中的氧化铝电解控制方法。
上述产品可执行本申请实施例所提供的方法,具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节,可参见本申请实施例所提供的方法。
本发明实施例的电子设备以多种形式存在,包括但不限于:
(1)电子控制单元(Electronic Control Unit,ECU)又称“行车电脑”、“车载电脑”等。主要由微处理器(CPU)、存储器(ROM、RAM)、输入/输出接口(I/O)、模数转换器(A/D)以及整形、驱动等大规模集成电路组成。
(2)移动通信设备:这类设备的特点是具备移动通信功能,并且以提供话音、数据通信为主要目标。这类终端包括:智能手机(例如iPhone)、多媒体手机、功能性手机,以及低端手机等。
(3)超移动个人计算机设备:这类设备属于个人计算机的范畴,有计算和处理功能,一般也具备移动上网特性。这类终端包括:PDA、MID和UMPC设备等。
(4)便携式娱乐设备:这类设备可以显示和播放多媒体内容。该类设备包括:音频、视频播放器(例如iPod),掌上游戏机,电子书,以及智能玩具和便携式车载导航设备。
(5)服务器:提供计算服务的设备,服务器的构成包括处理器、硬盘、内存、系统总线等,服务器和通用的计算机架构类似,但是由于需要提供高可靠的服务,因此在处理能力、稳定性、可靠性、安全性、可扩展性、可管理性等方面要求较高。
(6)其他具有数据交互功能的电子装置。
此外,上述的存储器52中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台移动终端(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本发明实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件服务器的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
以上所述的仅是本发明的原理和较佳的实施例。应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在本发明原理的基础上,还可以做出若干其它变型,也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种氧化铝电解控制方法,其特征在于,包括:
根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;
获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;
当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
当所述瞬时电阻斜率小于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率小于等于所述起始平均电阻斜率时,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
当所述瞬时电阻斜率大于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率大于等于所述起始平均电阻斜率时,根据预设的超过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝,经过预设的第二时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝;
经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
2.如权利要求1所述的氧化铝电解控制方法,其特征在于,所述经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝,之后还包括:
获取所述电解槽的第一平均电阻和所述电解槽的阳极升指令次数;
当所述第一平均电阻小于等于预设的起始槽电阻与时间序列内槽电阻差的差值,所述欠量下料周期超过预设的第三时间段,且所述阳极升指令次数超过预设阈值时,根据预设的超欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第四时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
获取所述电解槽的阳极降指令次数;
当所述阳极降指令次数超过预设阈值时,根据预设的正常下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
经过预设的第五时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
3.如权利要求2所述的氧化铝电解控制方法,其特征在于,所述超欠量下料周期大于正常下料时间间隔,所述欠量下料周期大于所述正常下料时间间隔,且小于所述超欠量下料周期,所述正常下料周期等于所述正常下料时间间隔,所述过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,所述超过量下料周期小于所述正常下料时间间隔,且小于所述过量下料周期。
4.如权利要求2所述的氧化铝电解控制方法,其特征在于,所述经过预设的第五时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝,之后还包括:
获取所述电解槽的瞬时槽电阻和第二平均电阻;
当所述瞬时槽电阻小于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的差值时,则提升所述电解槽的阳极框架;
当所述瞬时槽电阻大于等于所述起始槽电阻与所述时间序列内槽电阻差的之和,且所述第二平均电阻大于等于所述起始槽电阻与预设的起始时间序列内平均电阻差的之和时,经过预设的第六时间段后,降低所述阳极框架。
7.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质存储计算机指令,当计算机执行所述计算机指令时,用于执行如权利要求1-6任一项所述的氧化铝电解控制方法的所有步骤。
8.一种电子设备,其特征在于,包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够:
根据预设的欠量下料周期,向电解槽中加入氧化铝;
获取所述电解槽的瞬时电阻斜率和平均电阻斜率;
当所述瞬时电阻斜率大于等于预设的起始电阻斜率,或者所述平均电阻斜率大于等于预设的起始平均电阻斜率时,根据预设的过量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
当所述瞬时电阻斜率小于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率小于等于所述起始平均电阻斜率时,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝;
当所述瞬时电阻斜率大于等于所述起始电阻斜率,且所述平均电阻斜率大于等于所述起始平均电阻斜率时,根据预设的超过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝,经过预设的第二时间段后,根据所述过量下料周期,向所述电解槽中加入氧化铝;
经过预设的第一时间段后,根据所述欠量下料周期,向所述电解槽中加入所述氧化铝。
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