CN109546157A - 一种铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,利用电沉积与空气气氛退火制备针状氧化钴、氧化铜阵列原位电极,将双氰胺与曲拉通的前躯液或聚苯胺负载至针状氧化钴、氧化铜阵列原位电极表面,干燥后保护气氛下退火反应。本发明的产品构筑了多种高电催化活位点,包括碳材料中氮掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷,碳材料与铜、与氮化钴强耦合界面等,使得其具有优异的电催化析氧反应和氧还原反应,这种性能优异的双功能电催化剂具有用于燃料电池和锌空电池的前景。
Description
技术领域
本发明涉及原位电极及其制备,属于能量存储和转换材料与器件领域。
背景技术
近来,电催化剂在能量转化与存储领域起着越来越重要的作用而成为研究热点。例如能催化氧还原反应(ORR)和氧析出反应(OER)的电催化剂对燃料电池和金属空气电池的性能成本起着至关重要的作用。目前,铂及其衍生物是迄今为止对ORR最有效的电催化剂。然而,铂的价格昂贵且在碱性环境下长期工作表面易生成惰性的氧化铂,此外铂易被燃料氧化分子所毒化,例如甲醇,性能因而会急剧下降。氧化钇与氧化钌因具有对OER良好的电催化效果,常被用于电解水产氧中的阳极。然而,钇、钌是稀有金属材料,价格昂贵,且它们催化OER反应的过电位一般大于300 mV,若需实用化性能仍需提升。因而,本发明旨在制备出一种廉价、高效的双功能电催化剂——铜、氮化钴与碳的复合物,其中氮化钴与碳复合起着催化OER和ORR反应的功能,氮掺杂的碳起着催化ORR反应的功能,提高复合材料整体导电性加快电子输运进而提高催化反应速度的功效,铜由于与碳材料强的界面耦合效应,例如生成Cu-N键,亦能提高复合材料界面处的内在催化能力。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的是提供一种双功能的铜、氮化钴与碳的复合物,该方法具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好,环境污染小等优点,可用于OER和ORR的双功能电催化剂,对于原位电极的批量生产有重大意义。
为此,本发明提供了一种电沉积-退火制备多孔氧化钴、氧化铜阵列电极,再涂布双氰胺-Tx-100前躯液或沉积聚苯胺并保护气氛退火制备出强界面耦合的铜、氮化钴与碳复合原位电极的方法,包括如下步骤:
第一步、在室温搅拌条件下,将硝酸钴、硝酸铜溶于去离子水,其中硝酸钴和硝酸铜浓度50~200 mM,铜与钴的原子比为1~3;再在此溶液中用电沉积的方法在导电基底上生长氢氧化铜钴阵列,其中电沉积时间为90~360 s,工作电极相对于饱和甘汞电极的电位为 -0.9~ -1.2 V;最后于空气中退火制得原位多孔针状氧化钴、氧化铜阵列,其中温度为300~500℃,反应时间为0.5~2 h。该步骤的反应原理为硝酸根在水中电解还原产成氢氧根,氢氧根进而与钴和铜离子反应生成氢氧化铜钴;由于电沉积反应中得失电子决定着反应的进行,用这种方式获得的薄膜层的绕射性较水热、溶胶凝胶法好,薄膜更均匀。例如以碳纸以例,碳纸内的每个碳纤维、石墨片上都均匀的生长了氢氧化铜钴。再经过空气中退火烧结,氢氧化铜钴逐步失水脱氧反应生成氧化钴和氧化铜。选择300~500℃的目的使这一过程较快速发生,使得氢氧化铜钴转变为多晶氧化钴和氧化铜颗粒,在保持阵列结构的同时,颗粒与颗粒之间有孔隙,利于后续前躯液或聚苯胺的均匀负载,也利于形成更多的异质界面。
第二步、将溶有曲拉通Tx-100与双氰胺的前躯液涂布或将聚苯胺沉积到上述生长有氧化钴和氧化铜阵列的基底上,干燥后于Ar气或N2气中600℃退火反应1~3 h。该步骤的意义在于:N,N-二甲基甲酰胺快速挥发后留下由Tx-100和双氰胺组成的负载在每个纳米颗粒表面上的前驱膜层或聚苯胺,保证后续高温退火反应后获得与碳接触面更多、耦合作用更强的复合材料。其中形成铜、氮化钴与碳生成并形成强界面耦合的原理为:①Tx-100作为碳源高温下逐渐脱氢脱氧(形成的水分子和少量碳氧、碳氢氧小分子被氩气带着)形成碳,或聚苯胺逐步转变为碳材料;②双氰胺分解产生的氨或聚苯胺生成碳的过程中释放的氨亦能在碳材料形成过程中掺入碳骨架或表面形成N掺杂的碳材料,同时氨还原氧化铜颗粒生成铜颗粒并在与碳材料界面形成Cu-N键,氧化钴与氨气反应生成氮化钴。
附图说明
图1 实施例1所制备样品的OER-ORR线性伏安扫描(LSV)。
图2 实施例2所制备样品的OER-ORR线性伏安扫描(LSV)。
图3 实施例3所制备样品的OER-ORR线性伏安扫描(LSV)。
图4 实施例4所制备样品的OER-ORR线性伏安扫描(LSV)。
图5 实施例5所制备样品的OER-ORR线性伏安扫描(LSV)。
图6 实施例2所制备多孔针状的氧化钴、氧化铜阵列原位电极的SEM图。
图7 实施例2所制备铜、氮化钴与碳原位复合电极的SEM图。
图8 实施例2所多孔针状的氧化钴、氧化铜阵列原位电极的XRD图。
图9 实施例2所制备铜、氮化钴与碳原位复合电极的XRD图。
具体实施方式
发明的实施例中OER、ORR性能LSV测试方法为:以铜、氮化钴与碳原位复合电极为工作电极、以碳棒为对电极、以饱和Hg/HgO电极为参比电极,所用电解质为: 0.1 M KOH水溶液,扫描速度为10 mV/s。OER和ORR测试中通入氧气,工作电极无旋转且未用磁子搅拌让氧气在KOH水溶液中自然饱和。电沉积方法为:以导电基底为工作电极、以碳棒为对电极、以饱和甘汞电极为参比电极。
实施例1:
室温下,在硝酸钴·六水和醋酸铜·一水溶液中进行电沉积,其中硝酸钴·六水浓度为75 mM,醋酸铜·一水浓度为75 mM,电压为-1.0 V,时间为180 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10 min,将有沉积的碳纸放入管式炉,在Air气流下400℃反应30 min,自然冷却至室温后取出形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列。将Tx-100以及双氰胺溶于2.0 mLN,N-二甲基甲酰胺溶液得到前躯液,其中Tx-100的量为1.0 mL,双氰胺的浓度为2000 mM。将形成的多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列浸泡该前躯液30 min后取出,于热台上80℃干燥10min后,再将前躯液均匀滴涂在碳纸上,然后继续干燥30 min。将有涂层的碳纸放入管式炉,在Ar气流下600℃反应1 h,自然冷却至室温后取出即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
图1为实施例1所制备的电极OER、ORR线性伏安扫描(LSV)图。由图可知当电极通过的电流密度为10 mA/cm2时,碱性水溶液中OER反应产氧对应的电位为E10 = 0.770 V,碱性水溶液中ORR反应对应的半波电位为E1/2 = -0.099 V,不搅拌情况下极限电流密度能达到~5.59 mA/cm2,ΔE = E10 - E1/2 = 0.869 V。
实施例2:
室温下,在硝酸钴·六水和醋酸铜·一水溶液中进行电沉积,其中硝酸钴·六水浓度为100 mM,醋酸铜·一水浓度为50 mM,电压为-1.0 V,时间为180 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10 min,将有沉积的碳纸放入管式炉,在Air气流下400℃反应30 min,自然冷却至室温后取出形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列。将Tx-100以及双氰胺溶于2.0mL N,N-二甲基甲酰胺溶液得到前躯液,其中Tx-100的量为1.0 mL,双氰胺的浓度为2000mM。将形成的多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列浸泡该前躯液30 min后取出,于热台上80℃干燥10 min后,再将前躯液均匀滴涂在碳纸上,然后继续干燥30 min。将有涂层的碳纸放入管式炉,在Ar气流下600℃反应1 h,自然冷却至室温后取出即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
图2为实施例2所制备的电极OER、ORR线性伏安扫描(LSV)图。由图可知当电极通过的电流密度为10 mA/cm2时,碱性水溶液中OER反应产氧对应的电位为E10 = 0.750 V,碱性水溶液中ORR反应对应的半波电位为E1/2 = -0.059 V,不搅拌情况下极限电流密度能达到~2.93 mA/cm2,ΔE = E10 - E1/2 = 0.809 V。
图6为实施例2所制备多孔针状的氧化钴、氧化铜阵列原位电极的SEM图。由图可知未经过前躯液的负载并烧结,原先的氧化钴、氧化铜为纳米颗粒组成的多孔针状生长在碳纤维组成的碳纸基底上。
图7为实施例2所制备的电极SEM图。由图可知经过前躯液的负载并烧结后,双氰胺碳化成碳膜覆盖在原先的针状阵列结构表面。
图8为实施例2所多孔针状的氧化钴、氧化铜阵列原位电极的XRD图。由图可知样品由氧化钴、氧化铜以及碳纸基底组成。
图9为实施例2所制备的铜、氮化钴、氧掺杂碳原位复合电极的XRD图。由图可知样品由铜、氮化钴、碳以及碳纸基底组成。
实施例3:
室温下,在硝酸钴·六水和醋酸铜·一水溶液中进行电沉积,其中硝酸钴·六水浓度为112.5 mM,醋酸铜·一水浓度为37.5 mM,电压为-1.0 V,时间为180 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10 min,将有沉积的碳纸放入管式炉,在Air气流下400℃反应30min,自然冷却至室温后取出形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列。将Tx-100以及双氰胺溶于2.0 mL N,N-二甲基甲酰胺溶液得到前躯液,其中Tx-100的量为1.0 mL,双氰胺的浓度为2000 mM。将形成的多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列浸泡该前躯液30 min后取出,于热台上80℃干燥10 min后,再将前躯液均匀滴涂在碳纸上,然后继续干燥30 min。将有涂层的碳纸放入管式炉,在Ar气流下600℃反应1 h,自然冷却至室温后取出即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
图3为实施例3所制备的电极OER、ORR线性伏安扫描(LSV)图。由图可知当电极通过的电流密度为10 mA/cm2时,碱性水溶液中OER反应产氧对应的电位为E10 = 0.716 V,碱性水溶液中ORR反应对应的半波电位为E1/2 = -0.059 V,不搅拌情况下极限电流密度能达到~4.06 mA/cm2,ΔE = E10 - E1/2 = 0.775 V。
实施例4:
室温下,在硝酸钴·六水和醋酸铜·一水溶液中进行电沉积,其中硝酸钴·六水浓度为100 mM,醋酸铜·一水浓度为50 mM,电压为-1.0 V,时间为180 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10 min,将有沉积的碳纸放入管式炉,在Air气流下400℃反应30 min,自然冷却至室温后取出形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列。将形成的多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列在16.6 mmol过硫酸铵溶液为A溶液,50 mmol苯胺溶液为B溶液中,分别反复交替浸泡10次,用去离子水冲洗于热台上80℃干燥10 min。将干燥后的碳纸放入管式炉,在Ar气流下600℃反应3 h,自然冷却至室温后取出即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
图4为实施例4所制备的电极OER、ORR线性伏安扫描(LSV)图。由图可知当电极通过的电流密度为10 mA/cm2时,碱性水溶液中OER反应产氧对应的电位为E10 = 0.742 V,碱性水溶液中ORR反应对应的半波电位为E1/2 = -0.110 V,不搅拌情况下极限电流密度能达到~1.391 mA/cm2,ΔE = E10 - E1/2 = 0.853 V。
实施例5:
室温下,在硝酸钴·六水和醋酸铜·一水溶液中进行电沉积,其中硝酸钴·六水浓度为100 mM,醋酸铜·一水浓度为50 mM,电压为-1.0 V,时间为180 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10 min,将有沉积的碳纸放入管式炉,在Air气流下400℃反应30 min,自然冷却至室温后取出形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列。然后将形成的多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列在苯胺和硫酸钠混合溶液中进行电沉积,其中苯胺浓度为0.05 M,硫酸钠浓度为0.2 M,电流为0.5 mA,时间为3600 s。后用去离子水反复冲洗于热台上80℃干燥10min。将干燥后的碳纸放入管式炉,在Ar气流下600℃反应3 h,自然冷却至室温后取出即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
图5为实施例5所制备的电极OER、ORR线性伏安扫描(LSV)图。由图可知当电极通过的电流密度为10 mA/cm2时,碱性水溶液中OER反应产氧对应的电位为E10 = 0.724 V,碱性水溶液中ORR反应对应的半波电位为E1/2 = -0.123 V,不搅拌情况下极限电流密度能达到~3.81 mA/cm2,ΔE = E10 - E1/2 = 0.845 V。
Claims (8)
1.一种双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,具体制备方法为:
(1)将硝酸钴和硝酸铜溶于去离子水中,利用电化学沉积在导电基底上生长氢氧化铜钴阵列,再将氢氧化铜钴阵列于空气中退火形成多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列;
(2)将溶有曲拉通Tx-100与双氰胺的前躯液涂布到上述多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列的基底上,干燥后于惰性气氛中500-700℃退火反应即可制备得到双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极。
2.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的硝酸钴和硝酸铜水溶液浓度为50~200 mM,其中铜与钴的原子比为1~3,电化学沉积时间为90~360 s,工作电极相对于饱和甘汞电极的电位为 -0.9~ -1.2 V。
3.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的导电基底包括如碳布、石墨纸、泡沫铜或镍中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的空气中退火,退火温度为300~500℃,退火反应时间为0.5~2 h。
5.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的前躯液中,曲拉通Tx-100与溶剂的体积比为0.1~0.35,所述的溶剂为N,N-二甲基甲酰胺溶液,双氰胺的浓度为1000~2000 mM。
6.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的步骤(2)中,还可以将聚苯胺沉积于多孔、针状氧化钴、氧化铜阵列上,干燥后于惰性气氛中500-700℃退火反应。
7.根据权利要求6所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的聚苯胺负载方法包括电沉积和化学浴两种,电沉积的方法为:阳极电流大小为0.5~4 mA,沉积时间600~3600 s;化学浴的方法为:于苯胺单体水溶液和过硫酸铵水溶液中交替浸泡,交替浸泡次数为10~60。
8.根据权利要求1所述的双功能的铜、氮化钴与碳原位复合电极的制备方法,其特征在于,所述的惰性气体为Ar气或N2气,退火温度为600℃,退火反应时间为2h。
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GR01 | Patent grant | ||
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