CN109545705B - 基板清洗方法以及基板清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板清洗方法及装置，该方法包括：处理液供给工序，向基板的上表面供给包含溶质及具有挥发性的溶媒的处理液；成膜工序，从供给处理液使溶媒至少一部分挥发，使处理液固化或硬化，在上表面形成颗粒保持层；除去工序，向上表面供给剥离液，剥离并除去颗粒保持层。颗粒保持层所含的溶质成分的性质为，在加热至变质温度以上前相对于剥离液具有不溶性，加热至变质温度以上会发生变质，相对于剥离液具有可溶性。成膜工序包括加热工序，将处理液加热至小于变质温度的温度，形成颗粒保持层。还包括残渣除去工序，向除去工序后的上表面供给残渣除去液，除去在上表面残留的残渣，残渣除去液相对于加热至变质温度以上之前的溶质成分具有溶解性。

Description

基板清洗方法以及基板清洗装置
技术领域
本发明涉及一种基板清洗方法以及基板清洗装置。作为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，为了除去附着于基板的各种污染物、在之前工序使用的处理液或抗蚀剂等的残渣、或者各种颗粒等(以下，有时总称为“颗粒”)，而实施清洗工序。
在清洗工序中，通常通过将脱离子水(DIW)等清洗液供给至基板，来利用物理方法除去颗粒，或者通过将与颗粒进行化学反应的药液供给至基板，来利用化学方法除去该颗粒。
但是，形成在基板上的图案趋于微细化以及复杂化。因此，利用物理或者化学方法除去颗粒变得不容易。
因此，提出了如下方法，即，向基板的上表面供给处理液，来形成使该处理液固化或者硬化而得到的膜(以下，称为“颗粒保持层”)，然后溶解并除去该颗粒保持层，其中，所述处理液具有溶质以及具有挥发性的溶媒(日本特开2014－197717号公报以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。
在该方法中，在使处理液固化或者硬化来形成颗粒保持层时，颗粒与基板分离。并且，分离的颗粒保持于颗粒保持层中。
接着，向基板的上表面供给溶解处理液。由此，颗粒保持层在基板上溶解而被除去，因此从基板的上表面一同除去颗粒与颗粒保持层(参照日本特开2014－197717号公报)。
或者，有时也向基板的上表面供给剥离处理液。由此，从基板的上表面剥离颗粒保持层。接着，通过供给溶解处理液，使颗粒保持层在基板上溶解(参照美国专利申请公开第2015/128994号说明书)。
但是，在日本特开2014－197717号公报以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书的方法中，均在基板上溶解颗粒保持层，因此存在如下担忧，即，颗粒从正在溶解的颗粒保持层脱落，来再附着于基板。因此，颗粒除去率不会像期待那样高。
因此，本申请的发明者研究了，在不使剥离的颗粒保持层溶解的情况下，从基板的上表面除去剥离的颗粒保持层。具体地说，在从基板的上表面剥离颗粒保持层之后，例如向该基板的上表面供给冲洗液，从而清洗该基板的上表面。
但是，此时，可知：有时因颗粒保持层而产生的微小的残渣并不从基板的上表面剥离而残留于该基板的上表面，或者剥离的残渣再附着于基板的上表面。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种基板清洗方法以及基板清洗装置，能够以高的除去率从基板的上表面除去颗粒，而且能够抑制颗粒保持层的残渣残留或者再附着于基板的上表面。
为了达到上述目的，本发明提供第一基板清洗方法，包括：处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序。
在该方法中，所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分的性质为，在加热至变质温度以上的温度之前，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，且在加热至所述变质温度以上的温度时发生变质，相对于所述剥离液具有可溶性。所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述变质温度的温度，从而在不使所述溶质成分发生变质的情况下，在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层。在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于加热至所述变质温度以上的温度之前的所述溶质成分具有溶解性。
根据该方法，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化。由此，在基板的上表面形成如下颗粒保持层，即，相对于剥离液具有难溶性或不溶性，但是能够利用该剥离液进行剥离。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，在不因剥离液而溶解的情况下，连同保持于颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该方法，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
在本发明的一实施方式中，在所述加热工序中，向所述基板的下表面、即背面供给沸点小于所述变质温度的热介质，从而将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述变质温度的温度。
根据该方法，能够利用用于向基板的背面供给热介质的简单的加热手段，执行成膜工序中的加热工序。
因此，例如，无需在腔室内设置电热加热器等，或者向设置有电热加热器等的其他腔室搬运基板来实施加热工序。即，能够使基板清洗方法的工序变得简单。
在本发明的一实施方式中，在所述加热工序中已被加热的所述基板上的所述处理液的温度小于所述溶媒的沸点。
根据该方法，能够使溶媒残留于：在成膜工序中的加热工序加热之后的颗粒保持层中。因此，在之后的除去工序中，能够利用残留于颗粒保持层中的溶媒与所供给的剥离液之间的相互作用，容易地从基板的上表面剥离颗粒保持层。即，使剥离液浸透于颗粒保持层中，来到达与基板之间的界面，从而使颗粒保持层从基板的上表面浮起来进行剥离。
为了进一步提高该效果，优选所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
本发明还提供第二基板清洗方法，包括：处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层；除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序。并且，所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，向所述基板的下表面、即背面供给热介质，来将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述热介质的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层。并且，在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性。
根据该方法，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化。由此，在基板的上表面形成能够利用剥离液剥离的颗粒保持层。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，连同保持于该颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该方法，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
而且，根据该方法，能够利用用于向基板的背面供给热介质的简单的加热手段，执行成膜工序中的加热工序。
因此，例如，无需在腔室内设置电热加热器等，或者向设置有电热加热器等的其他腔室搬运基板来实施加热工序。即，能够使基板清洗方法的工序变得简单。
在本发明的一实施方式中，在所述加热工序中加热的所述基板上的所述处理液的温度小于所述溶媒的沸点。
根据该方法，能够使溶媒残留于：在成膜工序中的加热工序加热之后的颗粒保持层中。因此，在之后的除去工序中，能够利用残留于颗粒保持层中的溶媒与所供给的剥离液之间的相互作用，容易地从基板的上表面剥离颗粒保持层。即，使剥离液浸透于颗粒保持层中，来使剥离液到达颗粒保持层与基板之间的界面，从而使颗粒保持层从基板的上表面浮起来进行剥离。
为了进一步提高该效果，优选所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
本发明提供第三基板清洗方法，包括：处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层；除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序。并且，所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述溶媒的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层。并且，在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性。
根据该方法，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化。由此，在基板的上表面形成能够利用剥离液剥离的颗粒保持层。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，连同保持于该颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该方法，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
而且，根据该方法，能够使溶媒残留于：在成膜工序中的加热工序加热之后的颗粒保持层中。因此，在之后的除去工序中，能够利用残留于颗粒保持层中的溶媒与所供给的剥离液之间的相互作用，容易地从基板的上表面剥离颗粒保持层。即，使剥离液浸透于颗粒保持层中，来到达与基板之间的界面，从而使颗粒保持层从基板的上表面浮起来进行剥离。
为了进一步提高该效果，优选所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
另外，本发明提供第一基板清洗装置，包括：处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；加热单元，加热所述基板来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层；剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液；残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣；以及，控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元。所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分的性质为，在加热至变质温度以上的温度之前，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，且在加热至所述变质温度以上的温度时发生变质，相对于所述剥离液具有可溶性。所述残渣除去液相对于加热至所述变质温度以上的温度之前的所述溶质成分具有溶解性。所述控制器设置为，执行：处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述变质温度的温度，从而在不使所述溶质成分发生变质的情况下，在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层；除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣。
根据该结构，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化。由此，在基板的上表面形成如下颗粒保持层，即，相对于剥离液具有难溶性或不溶性，但是能够利用该剥离液进行剥离。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，在不因剥离液而溶解的情况下，连同保持于颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该结构，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
在本发明的一实施方式中，所述加热单元包括热介质供给单元，所述热介质供给单元向所述基板的下表面供给沸点小于所述变质温度的热介质。
根据该结构，能够利用用于向基板的下表面供给热介质的简单的加热手段(热介质供给单元)，执行成膜工序中的加热工序。
因此，例如，无需在腔室内设置电热加热器等，或者向设置有电热加热器等的其他腔室搬运基板来实施加热工序。即，能够使基板清洗装置的结构变得简单。
本发明还提供第二基板清洗装置，包括：处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；加热单元，包括用于向所述基板的下表面供给热介质的热介质供给单元，利用所述热介质供给单元所供给的热介质加热所述基板，来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层；剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液；残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣；以及，控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元。所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性。所述控制器设置为，执行：处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述热介质的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层；除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣。
根据该结构，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化，在基板的上表面形成能够利用剥离液剥离的颗粒保持层。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，连同保持于该颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该结构，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
根据该结构，能够利用用于向基板的下表面供给热介质的简单的加热手段(热介质供给单元)，执行成膜工序中的加热工序。
因此，例如，无需在腔室内设置电热加热器等，或者向设置有电热加热器等的其他腔室搬运基板来实施加热工序。即，能够使基板清洗装置的结构变得简单。
本发明还提供第三基板清洗装置，包括：处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒；加热单元，加热所述基板来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层；剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液；残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣；以及，控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元。所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性。所述控制器设置为，执行：处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液；成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述溶媒的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层；除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；以及，残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣。
根据该结构，在包括加热工序的成膜工序中，使处理液固化或者硬化。由此，在基板的上表面形成能够利用剥离液剥离的颗粒保持层。
在处理液固化或者硬化时，颗粒从基板分离。分离的颗粒保持于颗粒保持层中。因此，在除去工序中，向基板的上表面供给剥离液，从而将形成于该基板的上表面的颗粒保持层，连同保持于该颗粒保持层中的颗粒从基板的上表面剥离并除去。
另外，在之后的残渣除去工序中，向除去颗粒保持层之后的基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液具有使用于形成该颗粒保持层的溶质成分溶解的性质。这样，能够溶解颗粒保持层的残渣，来从基板的上表面除去该残渣。
因此，根据该结构，将颗粒保持层连同所保持的颗粒从基板的上表面剥离，从而能够以高的除去率除去颗粒。而且，能够抑制颗粒保持层的残渣残留于或再附着于基板的上表面。
而且，根据该结构，能够使溶媒残留于：在成膜工序中的加热工序加热之后的颗粒保持层中。因此，在之后的除去工序中，能够利用残留于颗粒保持层中的溶媒与所供给的剥离液之间的相互作用，容易地从基板的上表面剥离颗粒保持层。即，使剥离液浸透于颗粒保持层中，来到达与基板之间的界面，从而使颗粒保持层从基板的上表面浮起来进行剥离。
参照附图以及通过下面说明的实施方式，能够明确本发明的上述或者其他目的、特征以及效果。
附图说明
图1是示出本发明第一实施方式的基板清洗装置的布局的图解性的俯视图。
图2是示出所述基板清洗装置所具有的处理单元的概略结构的示意性的剖视图。
图3是示出所述基板清洗装置的主要部分的电气结构的框图。
图4是用于说明所述处理单元进行的基板清洗的一例的流程图。
图5A至图5H是用于说明所述基板清洗的情况的图解性的剖视图。
图6A以及图6B是用于说明所述基板清洗中的颗粒保持层的情况的图解性的剖视图。
图7是示出测定残渣的数量的结果的曲线图。
图8是示出测定颗粒除去率(PRE：Particle Removal Efficiency)的结果的曲线图。
图9是示出本发明的第二实施方式的处理单元的概略结构的示意性的剖视图。
图10是示出第二实施方式的处理单元的电气结构的框图。
图11A至图11H是用于说明第二实施方式的处理单元进行的基板清洗的情况的图解性的剖视图。
图12A以及图12B是用于说明第二实施方式的处理单元进行的基板清洗的其他例的图解性的剖视图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
图1是示出本发明第一实施方式的基板清洗装置1的布局的图解性的俯视图。基板清洗装置1是对硅晶片等基板W逐张地进行清洗的单张式的装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。
基板清洗装置1包括：多个处理单元2，清洗基板W；装载埠LP，载置用于容纳由处理单元2清洗的多张基板W的容纳架C；搬运机械手IR以及CR，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及，控制器3，控制基板清洗装置1。
搬运机械手IR在容纳架C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。多个处理单元2例如具有同样的结构。
图2是示出基板清洗装置1所具有的处理单元2的概略结构的示意性的剖视图。
处理单元2包括：旋转卡盘4，将一张基板W保持为水平的姿势，来使基板W以穿过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转；处理液供给喷嘴5，向保持于该旋转卡盘4的基板W的上表面供给处理液，该处理液包括溶质以及具有挥发性的溶媒；以及，剥离液供给喷嘴6，向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面供给剥离液。处理液供给喷嘴5为处理液供给单元的一例。剥离液供给喷嘴6为剥离液供给单元的一例。
旋转卡盘4包括卡盘销8、旋转基座9、旋转轴10以及旋转马达11，所述旋转马达11使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。
旋转轴10沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸，在本实施方式中，该旋转轴10为中空轴。旋转轴10的上端与旋转基座9的下表面的中央结合。旋转基座9形成为沿着水平方向的圆盘形状。在旋转基座9的上表面的周缘部，用于把持基板W的多个卡盘销8沿着周向隔开间隔配置。旋转马达11例如包括电动马达，所述电动马达通过向旋转轴10提供旋转力，来使基板W、卡盘销8、旋转基座9以及旋转轴10以旋转轴线A1为中心一体旋转。
处理液供给喷嘴5例如利用第一喷嘴移动机构12在水平方向(与旋转轴线A1垂直的方向)上移动。处理液供给喷嘴5能够通过在水平方向上移动，来在中央位置与退避位置之间移动。在处理液供给喷嘴5位于中央位置时，该处理液供给喷嘴5与基板W的上表面的旋转中心位置相向。在处理液供给喷嘴5位于退避位置时，该处理液供给喷嘴5不与基板W的上表面相向。基板W的上表面的旋转中心位置指，基板W的上表面中的与旋转轴线A1交叉的交叉位置。不与基板W的上表面相向的退避位置指，俯视时的旋转基座9的外侧的位置。在处理液供给喷嘴5连接有处理液供给管13。在处理液供给管13安装有用于对该流路进行开闭的阀14。
剥离液供给喷嘴6例如利用第二喷嘴移动机构15在水平方向(与旋转轴线A1垂直的方向)上移动。剥离液供给喷嘴6能够通过在水平方向上移动，来在中央位置与退避位置之间移动。在剥离液供给喷嘴6位于中央位置时，该剥离液供给喷嘴6与基板W的上表面的旋转中心位置相向。在剥离液供给喷嘴6位于退避位置时，该剥离液供给喷嘴6不与基板W的上表面相向。在剥离液供给喷嘴6连接有作为第一剥离液的DIW的供给管16。在供给管16安装有用于对该流路进行开闭的阀17、18。
另外，在剥离液供给喷嘴6还连接有作为第二剥离液的SC1液、即氨以及过氧化氢的水溶液的供给管19。供给管19连接到供给管16的阀17的下游侧且阀18的上游侧的位置。在供给管19安装有用于对该流路进行开闭的阀20。
处理单元2包括：处理杯40，接收从保持于旋转卡盘4的基板W的上表面以及下表面向基板W的外部排除的液体；以及，相向构件50，从上方与保持于旋转卡盘4的基板W相向。
处理杯40包括：多个挡板41，接收从保持于旋转卡盘4的基板W向外侧飞散的液体；多个杯42，接收利用多个挡板41向下方引导的液体；以及，圆筒状的外壁构件43，包围多个挡板41与多个杯42。在本实施方式中，示出了设置有两个挡板41(第一挡板41A以及第二挡板41B)与两个杯42(第一杯42A以及第二杯42B)的例子。
第一杯42A以及第二杯42B分别形成为朝上开放的槽状的形状。第一挡板41A包围旋转基座9。第二挡板41B在比第一挡板41A更靠径向外侧的位置包围旋转基座9。第一杯42A接收利用第一挡板41A向下方引导的液体。第二杯42B与第一挡板41A形成为一体，接收利用第二挡板41B向下方引导的液体。
处理单元2包括挡板升降机构44，所述挡板升降机构44使第一挡板41A以及第二挡板41B分别独立地进行升降。挡板升降机构44使第一挡板41A在下位置与上位置之间进行升降。挡板升降机构44使第二挡板41B在下位置与上位置之间进行升降。在上位置与下位置之间的可动范围的整个区域中，第一挡板41A位于基板W的侧方。在上位置与下位置之间的可动范围的整个区域中，第二挡板41B位于基板W的侧方。可动范围包括上位置以及下位置。
在第一挡板41A以及第二挡板41B一起位于上位置时，从基板W飞散的液体被第一挡板41A接收。在第一挡板41A位于下位置、且第二挡板41B位于上位置时，从基板W飞散的液体被第二挡板41B接收。
挡板升降机构44例如包括：第一滚珠螺杆机构(未图示)，安装于第一挡板41A；第一马达(未图示)，向第一滚珠螺杆机构提供驱动力；第二滚珠螺杆机构(未图示)，安装于第二挡板41B；以及，第二马达(未图示)，向第二滚珠螺杆机构提供驱动力。
相向构件50形成为圆板状，所述相向构件50的直径与基板W的直径大致相同，或者所述相向构件50的直径大于基板W的直径，所述相向构件50在旋转卡盘4的上方大致水平地配置。相向构件50具有与基板W的上表面相向的相向面50a。
在相向构件50的与相向面50a一侧相反的一侧的面，固定有中空轴51。在相向构件50中的包括在俯视时与旋转轴线A1重叠的位置的部分，形成有连通孔，所述连通孔在上下方向上贯通相向构件50，而且与中空轴51的内部空间连通。
相向构件50将相向构件50的相向面50a和基板W的上表面之间的空间内的环境气体与该空间的外部的环境气体隔断，以免受到该空间的外部的环境气体的影响。因此，相向构件50还可以称为隔断板。
处理单元2还包括用于驱动相向构件50的升降的相向构件升降机构52。相向构件升降机构52能够使相向构件50位于从下位置(后述的图5H所示的位置)到上位置(后述的图5A所示的位置)为止的任意的位置(高度)。下位置指，在相向构件50的可动范围中，相向构件50的相向面50a最接近基板W的位置。上位置指，在相向构件50的可动范围中，相向构件50的相向面50a最远离基板W的位置(退避位置)。在相向构件50位于上位置时，处理液供给喷嘴5以及剥离液供给喷嘴6能够进入相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间。
相向构件升降机构52例如包括：滚珠螺杆机构(未图示)，安装于用于支撑中空轴51的支撑构件(未图示)；以及，电动马达(未图示)，向所述滚珠螺杆机构提供驱动力。
处理单元2还包括：残渣除去液供给喷嘴7，向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面供给残渣除去液；气体供给喷嘴60，向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面与相向构件50的相向面50a之间的空间供给气体；以及，冲洗液供给喷嘴65，向保持于旋转卡盘4的基板W的上表面供给冲洗液。残渣除去液供给喷嘴7为残渣除去液供给单元的一例。气体供给喷嘴60为气体供给单元的一例。冲洗液供给喷嘴65为冲洗液供给单元的一例。
在残渣除去液供给喷嘴7连接有残渣除去液供给管22。在残渣除去液供给管22安装有用于对残渣除去液供给管22内的流路进行开闭的阀23。在气体供给喷嘴60连接有气体供给管61。在气体供给管61安装有用于对气体供给管61内的流路进行开闭的阀62。在冲洗液供给喷嘴65连接有冲洗液供给管66。在冲洗液供给管66安装于用于对冲洗液供给管66内的流路进行开闭的阀67。
残渣除去液供给喷嘴7、气体供给喷嘴60以及冲洗液供给喷嘴65一同容纳于穿过中空轴51的喷嘴容纳构件53。残渣除去液供给喷嘴7、气体供给喷嘴60以及冲洗液供给喷嘴65的喷出口从喷嘴容纳构件53的下端部露出。喷嘴容纳构件53的下端部与保持于旋转卡盘4的基板W的上表面的中央区域相向。
处理单元2还包括热介质供给喷嘴24，所述热介质供给喷嘴24向保持于旋转卡盘4的基板W的背面(下表面)供给热介质，所述热介质加热该基板W。热介质供给喷嘴24为加热单元的一例，从基板W的背面侧对被卡盘销8以及旋转基座9保持的该基板W进行加热，从而在基板W的上表面形成颗粒保持层。
热介质供给喷嘴24通过向基板W的背面的大致整个面供给热介质，来加热基板W的上表面的处理液。热介质供给喷嘴24穿过旋转轴10，在该热介质供给喷嘴24的上端具有与基板W的背面的中心相面对的喷出口24a。热介质的一例为温纯水。
在本实施方式中，从热介质供给喷嘴24的喷出口24a向旋转状态的基板W的背面的中心位置供给热介质。供给的热介质借助离心力的作用遍及基板W的背面的大致整个面。由此，加热基板W以及基板W的上表面的处理液。基板W的背面的旋转中心位置指，基板W的背面中的与旋转轴线A1交叉的交叉位置。在热介质供给喷嘴24连接有介质供给管25。在热介质供给管25安装有用于对热介质供给管25内的流路进行开闭的阀26。
图3是示出基板清洗装置1的主要部分的电气结构的框图。
基板清洗装置1包括控制器3。控制器3具有微型计算机，根据规定的控制程序控制基板清洗装置1所具有的控制对象。具体地说，控制器3包括处理器(CPU)3A与存储有控制程序的存储器3B，通过使处理器3A执行控制程序，来执行用于基板处理的各种控制。
尤其，控制器3被编程为，控制旋转马达11、第一喷嘴移动机构12、第二喷嘴移动机构15、相向构件升降机构52、挡板升降机构44以及阀14、17、18、20、23、26、62、67。
图4是用于说明利用处理单元2进行的基板清洗的一例的流程图。图5A至图5H是用于说明基板清洗的一例的情况的图解性的剖视图。图6A以及图6B是用于说明基板清洗的一例中的颗粒保持层29的情况的图解性的剖视图。
在利用处理单元2进行的基板清洗中，首先，执行处理液供给工序(步骤S1)。在处理液供给工序中，首先，控制器3驱动旋转马达11来使旋转基座9旋转，从而使基板W开始旋转。在处理液供给工序中，旋转基座9以作为基板转速的规定的处理液供给速度旋转。处理液供给速度例如为10rpm～几十rpm。并且，控制器3控制相向构件升降机构52，来使相向构件50配置于上位置。并且，控制器3控制挡板升降机构44，来使第一挡板41A以及第二挡板41B配置于上位置。
接着，控制器3控制第一喷嘴移动机构12，来使处理液供给喷嘴5配置于基板W的上方的中央位置。并且，控制器3打开阀14。由此，如图5A所示，从处理液供给喷嘴5朝向旋转状态的基板W的上表面供给处理液27。供给至基板W的上表面的处理液27借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面。
在供给规定时间的处理液之后，执行成膜工序，在所述成膜工序中，使处理液固化或者硬化，来在基板W的上表面上形成颗粒保持层(步骤S2)。在成膜工序中，首先，控制器3关闭阀14，来停止从处理液供给喷嘴5供给处理液27。并且，控制器3使处理液供给喷嘴5向退避位置移动。
接着，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的旋转脱离速度旋转(旋转脱离工序，步骤S2a)。旋转脱离速度例如为300rpm～1500rpm。由此，如图5B所示，首先，供给至基板W的上表面的处理液27从基板W的上表面的周缘排出，接着进行挥发性的溶剂的挥发。
接着，控制器3控制相向构件升降机构52，来使相向构件50从上位置朝向下位置移动。控制器3打开阀62。由此，从气体供给喷嘴60向相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间的空间供给氮气(N2)等气体。并且，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的加热时速度旋转。加热时速度例如为100rpm～1500rpm。在相向构件50到达下位置之后，控制器3打开阀26。由此，如图5C所示，从热介质供给喷嘴24朝向旋转状态的基板W的背面供给热介质28。
供给的热介质28借助离心力的作用遍及基板W的背面的大致整个面。由此，对基板W以及基板W的上表面的处理液27进行加热(加热工序，步骤S2b)。
并且，进一步进行挥发性的溶剂的挥发，并且使处理液27固化或者硬化。由此，形成包括溶质成分的固体状的膜、即颗粒保持层29。另外，如图6A所示，在形成颗粒保持层29时，附着于基板W的上表面的颗粒30与该基板W分离，并保持在颗粒保持层29中。
在此，“固化”例如指，利用随着溶媒挥发而作用于分子之间或原子之间的力等，来使溶质变硬的情况。“硬化”例如指，利用聚合或交联等化学变化，使溶质变硬的情况。因此，“固化或者硬化”表示，因各种主要原因而使溶质“变硬”的情况。此外，处理液只要固化或者硬化到能够保持颗粒30的程度即可，不必使溶媒完全地挥发。另外，用于形成颗粒保持层29的“溶质成分”可以是包含于处理液27的溶质本身，也可以是从溶质导出的成分，例如作为化学变化的结果而得到的成分。
作为溶质，能够利用如下各种树脂，即，所述树脂相对于任意的溶媒具有可溶性，而且，所述树脂在进行固化或者硬化时，能够在使附着于基板W的上表面的颗粒30与该基板W分离并保持该颗粒30状态下，形成颗粒保持层29。
例如，在本实施方式中，作为溶质，采用具有如下性质的树脂(下面，有时记载为“感热水溶性树脂”)，即，在加热到规定的变质温度以上之前，该树脂相对于水具有难溶性或不溶性，该树脂通过加热到变质温度以上会发生变质，从而具有水溶性。通过使感热水溶性树脂与后述的水系的剥离液组合，实施本发明的一实施方式的清洗方法。
作为感热水溶性树脂的具体例，例如能够采用如下树脂等，即，通过加热到规定的变质温度以上(例如，200℃以上)会进行分解，从而使具有极性的官能团露出，由此显出水溶性的树脂。
在本实施方式中，在成膜工序中，将处理液加热至小于感热水溶性树脂的变质温度的温度，从而在不使该感热水溶性树脂变质为水溶性的情况下，在基板W的上表面形成：相对于水系的剥离液为难溶性或不溶性的颗粒保持层29。
为了将处理液加热至小于感热水溶性树脂的变质温度的温度，采用沸点小于该变质温度的热介质，来作为热介质。例如，在变质温度为180℃的感热水溶性树脂的情况下，作为热介质，例如能够采用DIW(沸点：100℃)等。
此外，更优选，加热的温度为小于溶媒的沸点的温度。通过将处理液加热至小于溶媒的沸点的温度，从而如上说明，能够使溶媒残留于颗粒保持层29中。并且，能够借助残留在颗粒保持层29中的溶媒与剥离液之间的相互作用，容易地从基板W的上表面剥离该颗粒保持层29。
如上所述，感热水溶性树脂在加热至变质温度以上时，发生变质来成为水溶性。因此，例如能够适用于日本特开2014－197717号公报所记载的以往方法以及美国专利申请公开第2015/128994号说明书所记载的以往方法。但是，在实施方式中，敢于将感热水溶性树脂加热至小于变质温度的温度，在维持感热水溶性树脂相对于水系的剥离液的难溶性或不溶性的状态下，形成颗粒保持层29。因此，能够在不使颗粒30从颗粒保持层29脱落的状态下，从基板W除去维持块状态的颗粒保持层29。因此，能够以高的除去率除去颗粒30。
而且，在本实施方式中，能够将加热的温度设定为，与以往方法相比温度更低的小于变质温度的温度。因此，能够使实施清洗方法时的消耗能量进一步变少。详细而言，就颗粒保持层29的加热温度而言，由于可以是小于100℃的加热，因此能够利用DIW作为用于加热基板W的加热手段。另一方面，与本实施方式不同地，在将颗粒保持层29加热至100℃以上的结构中，作为加热手段，必须利用即使在高温也不会汽化的液体(例如，沸点高于100℃的液体)。因此，通过将加热的温度设定为小于变质温度的温度，能够通过安全且简单的结构加热基板W。
作为溶媒，能够利用相对于变质之前的感热水溶性树脂具有溶解性，且具有挥发性的溶媒。在此，“具有挥发性”指，与水相比，挥发性更高。作为溶媒，例如能够利用PGEE。
如上所述，就通过这样的热介质28进行的基板W的加热(加热工序)而言，在使相向构件50的相向面50a接近基板W的上表面的状态(例如使相向构件50位于下位置的状态)下进行。
就供给至基板W的背面的热介质28而言，在遍及基板W的背面的大致整个面之后，借助离心力向基板W的外部飞散。向基板W的外部飞散的热介质28被第一挡板41A接收。被第一挡板41A接收的热介质28的一部分从第一挡板41A弹回。
因此，在本实施方式中，在使相向构件50的相向面50a接近基板W的上表面的状态下，执行加热工序。相向构件50保护基板W的上表面，以免受到从第一挡板41A弹回的热介质28的影响。因此，能够抑制热介质28附着于颗粒保持层29的表面，因此能够抑制因来自第一挡板41A的热介质28的弹回而导致的颗粒。
而且，在本实施方式中，如上所述，从气体供给喷嘴60向相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间的空间供给气体。供给至相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间的空间的气体，形成从基板W的上表面的中央区域朝向基板W的上表面的周缘移动的气流。通过形成从基板W的上表面的中央区域朝向基板W的上表面的周缘移动的气流，能够将从第一挡板41A弹回的热介质28朝向第一挡板41A推回。因此，能够进一步抑制热介质28附着于颗粒保持层29的表面。
供给至相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间的空间的气体，并不限定于氮气。供给至相向构件50的相向面50a与基板W的上表面之间的空间的气体，优选为非活性气体，也可以是除了氮气之外的非活性气体。非活性气体为相对于基板W的上表面以及图案具有非活性的气体，例如为氩等稀有气体类。
在进行规定时间的加热之后，控制器3关闭阀26，来停止从热介质供给喷嘴24供给热介质。并且，执行从基板W的上表面剥离并除去颗粒保持层29的除去工序(步骤S3)。
即，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的除去速度旋转。除去速度例如为500rpm～800rpm。
控制器3控制相向构件升降机构52，来使相向构件50配置于上位置。并且控制器3关闭阀62。由此，停止从气体供给喷嘴60供给气体。并且，控制器3控制第二喷嘴移动机构15，来使剥离液供给喷嘴6配置于基板W的上方的中央位置。并且，控制器3一边维持关闭阀20的状态，一边打开阀17、18。由此，如图5D所示，从剥离液供给喷嘴6朝向旋转状态的基板W的上表面供给作为第一剥离液的DIW31(DIW供给工序，步骤S3a)。供给至基板W的上表面的DIW31借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，并从基板W的上表面的周缘排出。
接着，控制器3一边将基板转速维持在除去速度来使旋转基座9旋转，一边关闭阀17来停止供给DIW，之后打开阀20。由此，如图5E所示，从剥离液供给喷嘴6朝向旋转状态的基板W的上表面供给作为第二剥离液的一例的SC1液32(SC1液供给工序，步骤S3b)。供给至基板W的上表面的SC1液32借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，并置换DIW31，SC1液32从基板W的上表面的周缘排出。
DIW31以及SC1液32(下面，有时将两者总称为“剥离液”)均具有与作为溶媒的PGEE之间的相溶性。而且，如上所述，就将感热水溶性树脂加热至小于其变质温度的温度来形成的颗粒保持层29而言，相对于作为水系的剥离液的DIW31或SC1液32具有难溶性或不溶性。因此，这些剥离液利用与残留于颗粒保持层29中的PGEE之间的相互作用，在不溶解用于形成该颗粒保持层29的溶质成分的情况下，浸透于颗粒保持层29中。并且，剥离液到达与基板W之间的界面。由此，如图6B所示，保持颗粒30的颗粒保持层29从基板W的上表面浮起而被剥离。
从基板W的上表面剥离的颗粒保持层29，借助因基板W旋转而产生的离心力的作用，与剥离液一起从基板W的上表面的周缘排出。即，从基板W的上表面除去剥离的颗粒保持层29。
与SC1液32相比，DIW31的作为剥离液的效果更低。但是，在供给SC1液32之前供给DIW31，来使该DIW31浸透于颗粒保持层29中，从而与残留于该颗粒保持层29中的PGEE的至少一部分进行置换。并且，DIW31发挥如下作用，即，辅助在下一工序供给的SC1液32浸透于颗粒保持层29中。
因此，优选在供给SC1液32之前供给DIW31，来作为剥离液，但是也可以省略DIW31的供给工序(步骤S3a)。即，也可以仅采用SC1液，来作为剥离液。
第一剥离液并不限定于DIW31，可以是苏打水、电解离子水、含氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的一个。第二剥离液并不限定于SC1液32，也可以采用氨水溶液、四甲基氢氧化铵等的季氢氧化铵的水溶液，以及胆碱水溶液等碱性水溶液。
接着，控制器3关闭阀18以及阀20来停止供给SC1液，然后使剥离液供给喷嘴6向退避位置移动。另外，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的冲洗速度旋转。冲洗速度例如为100rpm～1000rpm。
接着，控制器3控制相向构件升降机构52，来使相向构件50从上位置向上位置与下位置之间的供给位置移动。并且，控制器3打开阀67。由此，如图5F所示，从冲洗液供给喷嘴65朝向旋转状态的基板W的上表面供给DIW31，来作为冲洗液(冲洗工序，步骤S4)。
就来自冲洗液供给喷嘴65的冲洗液的供给而言，例如在移动至供给位置之后开始进行。来自冲洗液供给喷嘴65的冲洗液的供给，可以在相向构件50位于上位置的时刻开始进行，也可以在相向构件50从上位置向供给位置移动的途中开始进行。
冲洗液并不限定于DIW31，可以是苏打水、电解离子水、含氢水、臭氧水以及稀释浓度(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的一个。
供给的DIW31借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，然后，从基板W的上表面的周缘排出。由此，从基板W的上表面冲掉残留于基板W的上表面的SC1液32。另外，例如，即使在上一工序中从基板W的上表面剥离的颗粒保持层29的一部分未被除去而残留，也利用DIW31从基板W的上表面冲掉该残留的颗粒保持层29的一部分。
但是，例如，也能够调整之前的DIW31的供给工序(步骤S3a)以及SC1液32的供给工序(步骤S3b)的条件，来在该两个工序中充分地从基板W的上表面除去颗粒保持层29。在该情况下，也可以省略DIW31的供给工序(步骤S4)。
接着，控制器3关闭阀67，来停止从冲洗液供给喷嘴65供给DIW31。
并且，执行用于除去在除去颗粒保持层29之后的基板W的上表面残留的残渣的残渣除去工序(步骤S5)。
即，控制器3控制旋转马达11，使旋转基座9以作为基板转速的规定的残渣除去速度旋转。残渣除去速度例如为几十rpm～300rpm。相向构件50的位置维持在供给位置。并且，挡板升降机构44使第一挡板41A移动至下位置，使第二挡板41B维持在上位置。
接着，控制器3打开阀23。由此，如图5G所示，从残渣除去液供给喷嘴7朝向旋转状态的基板W的上表面供给残渣除去液33。
供给至基板W的上表面的残渣除去液33借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，从而置换DIW31。并且，就供给至基板W的上表面的残渣除去液33而言，在溶解残留于基板W的上表面的颗粒保持层29的残渣之后，从基板W的上表面的周缘排出。
作为残渣除去液33，能够采用相对于变质之前的感热水溶性树脂具有溶解性的溶媒。作为溶媒，例如能够采用异丙醇(IPA)。IPA相对于水具有相溶性，因此能够对开始进行残渣除去工序时对残留于基板W的上表面的作为冲洗液的DIW顺畅地进行置换。而且，IPA具有挥发性，因此在进行残渣除去工序后，迅速地从基板的上表面除去IPA。
接着，控制器3关闭阀23，来停止从残渣除去液供给喷嘴7供给残渣除去液33。并且，控制器3控制相向构件升降机构52，来使相向构件50从供给位置向下位置移动。并且，控制器3打开阀62，开始从气体供给喷嘴60供给气体。并且，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的旋转干燥速度旋转(步骤S6)。旋转干燥速度例如为500rpm～1500rpm。例如同时执行：开始从气体供给喷嘴60供给气体的动作与变更基板转速的动作。
因基板W旋转而使离心力作用于残渣除去液33，如图5H所示，残渣除去液33从基板W的上表面的周缘排出，并且从基板W的上表面挥发来被除去。通过执行旋转干燥，结束一系列清洗工序。然后，控制器3关闭阀62，停止从气体供给喷嘴60供给气体。
此外，作为包含于处理液的溶质，除了感热水溶性树脂之外，例如能够采用丙烯酸树脂、酚醛树脂、环氧树脂、蜜胺树脂、尿素树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚四氟乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂、丙烯腈苯乙烯树脂、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯、聚乙烯醇、改性聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚砜、聚醚醚酮、聚酰胺酰亚胺等。
作为溶媒，能够采用能够溶解某树脂来构成处理液的任意的溶媒。尤其，优选采用与剥离液之间具有相溶性的溶媒。
无论在哪种树脂的情况下，作为剥离液，都能够采用DIW等水、碱性水溶液等水系的剥离液。
作为残渣除去液，能够采用相对于某树脂具有溶解性的任意的溶媒。作为残渣除去液，例如能够采用稀释剂、甲苯、乙酸酯类、醇类、二醇类等有机溶媒、乙酸、蚁酸、羟基乙酸等酸性液。尤其，优选采用与水系的剥离液之间具有相溶性的溶媒。
图7是示出在使SiO2的颗粒附着于Si基板上来实施基板清洗时，测定残留于基板的上表面的颗粒保持层的残渣的数量的结果的图表。从左依次表示：省略图4所示的基板清洗的各工序中的残渣除去工序的情况、实施残渣除去工序10秒、20秒以及30秒的情况下的残渣的数量。
从图7的结果判断出，通过实施残渣除去工序，能够大幅度抑制颗粒保持层的残渣残留或再附着于基板W的上表面的情况。
图8是示出在使SiO2的颗粒附着于Si基板上来实施基板清洗时，测定颗粒除去率(PRE)的结果的图表。
图中的左侧表示：在实施图4所示的基板清洗的各工序的情况下，即，进行残渣除去的情况下的、与规定的粒径以上的颗粒有关的PRE。另外，右侧表示省略基板清洗的各工序中的残渣除去工序的情况下的、与规定的粒径以上的颗粒有关的PRE。
无论在哪种情况下，都能够获得高的PRE。从该结果判断出，在实施残渣除去工序时再放出的颗粒为极其微量，而难以再附着于基板的上表面，因此即使实施残渣除去工序，不存在使PRE降低的担忧。
＜第二实施方式＞
图9是示出本发明的第二实施方式的处理单元2P的概略结构的示意性的剖视图。在图9中，对于与上面说明的构件相同的构件，标注相同的附图标记，并省略说明(在后述的图10至图12B中也同样)。
参照图9，处理单元2P与第一实施方式的处理单元2(参照图2)的主要的不同点在于，第二实施方式的处理单元2P包括移动喷嘴70，来代替相向构件50、残渣除去液供给喷嘴7、气体供给喷嘴60以及冲洗液供给喷嘴65，以及，所述处理单元2P包括加热器单元100。
移动喷嘴70是至少能够在水平方向上移动的喷嘴。移动喷嘴70具有：作为向基板W的上表面供给残渣除去液的残渣除去液供给单元的功能；以及，作为向基板W的上表面供给氮气等气体的气体供给单元的功能。
移动喷嘴70例如利用第三喷嘴移动机构80在水平方向(与旋转轴线A1垂直的方向)上移动。移动喷嘴70能够通过在水平方向上移动，来在中央位置与退避位置之间移动。在移动喷嘴70位于中央位置时，该移动喷嘴70与基板W的上表面的旋转中心位置相向。在移动喷嘴70位于退避位置时，该移动喷嘴70不与基板W的上表面相向。不与基板W的上表面相向的退避位置为，在俯视时位于旋转基座9的外侧的位置。
在移动喷嘴70连接有残渣除去液供给管71、第一气体供给管72A、第二气体供给管72B以及第三气体供给管72C。在残渣除去液供给管71安装有用于对该流路进行开闭的阀73。在气体供给管72A、72B、72C分别安装有用于开闭流路的阀74A、74B、74C。
移动喷嘴70具有中心喷出口90，所述中心喷出口90将从残渣除去液供给管71供给的残渣除去液沿着铅垂方向喷出。移动喷嘴70具有线状流喷出口91，所述线状流喷出口91将从第一气体供给管72A供给的气体沿着铅垂方向呈直线状喷出。而且，移动喷嘴70具有水平流喷出口92，所述水平流喷出口92将从第二气体供给管72B供给的气体沿着水平方向呈放射状喷出至移动喷嘴70的周围。另外，移动喷嘴70具有倾斜流喷出口93，所述倾斜流喷出口93将从第三气体供给管72C供给的气体向斜下方呈放射状喷出至移动喷嘴70的周围。
在第一气体供给管72A安装有质量流控制器75，所述质量流控制器75用于准确地调节在第一气体供给管72A内流动的气体的流量。质量流控制器75具有流量控制阀。另外，在第二气体供给管72B安装有流量可变阀76B，所述流量可变阀76B用于调节在第二气体供给管72B内流动的气体的流量。另外，在第三气体供给管72C安装有流量可变阀76C，所述流量可变阀76C用于调节在第三气体供给管72C内流动的气体的流量。而且，在气体供给管72A、72B、72C分别安装有用于除去异物的过滤器77A、77B、77C。
本实施方式的多个卡盘销8能够在闭合状态与打开状态之间进行开闭，其中，所述闭合状态指，多个卡盘销8与基板W的周端接触来把持基板W的状态，所述打开状态指，多个卡盘销8从基板W的周端退避的状态。另外，在打开状态下，多个卡盘销8与基板W的周端分离来解除把持，另一方面，与基板W的周缘部的下表面接触来从下方支撑基板W。处理单元2P还包括用于对多个卡盘销8进行开闭驱动的卡盘销驱动机构108。卡盘销驱动机构108例如包括：连杆机构109，内置于旋转基座9；以及，驱动源110，配置于旋转基座9的外部。驱动源110例如具有滚珠螺杆机构与用于向该滚珠螺杆机构提供驱动力的电动马达。
加热器单元100具有圆板状的加热板的形状。加热器单元100具有从下方与基板W的下表面相向的相向面100a。
加热器单元100包括板本体101、多个支撑销102以及加热器103。在俯视时，板本体101稍微小于基板W。多个支撑销102从板本体101的上表面突出。利用板本体101的上表面与多个支撑销102的表面构成相向面100a。加热器103也可以是内置于板本体101的电阻。通过向加热器103通电，对相向面100a进行加热。并且，从加热器通电机构105经由供电线104向加热器103供电。
加热器单元100配置于旋转基座9的上方。处理单元2P包括加热器升降机构106，该加热器升降机构106使加热器单元100相对于旋转基座9进行升降。加热器升降机构106例如包括滚珠螺杆机构与用于向该滚珠螺杆机构提供驱动力的电动马达。
在加热器单元100的下表面结合有升降轴107，所述升降轴107沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。升降轴107穿过形成于旋转基座9的中央部的贯通孔9a与中空的旋转轴10。在升降轴107内插入有供电线104。
加热器升降机构106利用升降轴107使加热器单元100进行升降，从而使加热器单元100配置于下位置以及上位置之间的任意的中间位置。在加热器单元100位于下位置时，相向面100a与基板W的下表面之间的距离例如为15mm。在加热器单元100从下位置向上位置移动时，在加热器单元100到达上位置之前，相向面100a与基板W的下表面发生接触。
将加热器单元100的相向面100a与基板W的下表面抵接时的加热器单元100的位置称为抵接位置。在多个卡盘销8处于打开状态时，加热器单元100能够向比抵接位置更靠上方的位置移动。在加热器单元100位于比抵接位置更靠上方的位置时，基板W被加热器单元100托起。在加热器单元100位于比抵接位置更靠上方的位置或者抵接位置时，该加热器单元100能够以接触状态加热基板W。
在加热器单元100位于比抵接位置更靠下方的位置时，利用来自相向面100a的辐射热加热基板W。加热器单元100越接近基板W，对基板W进行的加热越得到加强。处理单元2P的热介质供给喷嘴24穿过中空的升降轴107，而且贯通加热器单元100。
图10是示出第二实施方式的处理单元2P的电气结构的框图。第二实施方式的处理单元2P的控制器3与第一实施方式同样地，包括处理器(CPU)3A、存储有控制程序的存储器3B，处理器3A通过执行控制程序，来执行用于基板处理的各种控制。控制器3被编程为，控制旋转马达11、卡盘销驱动机构108、喷嘴移动机构12、15、80、加热器通电机构105、加热器升降机构106、挡板升降机构44以及阀类14、17、18、20、26、73、74A、74B、74C、75、76B、76C。
第二实施方式的处理单元2P能够实施与第一实施方式的处理单元2同样的基板清洗(参照图4)。但是，第二实施方式的处理单元2P进行的基板清洗中的各构件的动作，与第一实施方式的处理单元2中的各构件的动作不同，因此，利用图11A至图11H，对于第二实施方式的处理单元2P进行的基板清洗进行详细说明。图11A至图11H是用于说明处理单元2P进行的基板清洗的一例的情况的图解性的剖视图。在开始进行基板处理时，控制器3控制加热器升降机构106，来使加热器单元100配置于下位置。
在处理单元2进行的基板清洗中，首先，执行处理液供给工序(步骤S1)。在处理液供给工序中，首先，控制器3驱动旋转马达11来使旋转基座9旋转，从而使基板W开始旋转。在处理液供给工序中，旋转基座9以作为基板转速的规定的处理液供给速度旋转。处理液供给速度例如为10rpm～几十rpm。
接着，控制器3控制第一喷嘴移动机构12，来使处理液供给喷嘴5配置于基板W的上方的中央位置。并且，控制器3打开阀14。由此，如图11A所示，从处理液供给喷嘴5朝向旋转状态的基板W的上表面供给处理液27。供给至基板W的上表面的处理液27借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面。
在供给规定时间的处理液之后，执行成膜工序，在所述成膜工序中，使处理液固化或者硬化，来在基板W的上表面形成颗粒保持层(步骤S2)。在成膜工序中，首先，控制器3关闭阀14，来停止从处理液供给喷嘴5供给处理液27。并且，控制器3使处理液供给喷嘴5向退避位置移动。
当来自处理液供给喷嘴5的处理液27的供给动作停止时，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的旋转脱离速度旋转(旋转脱离工序，步骤S2a)。旋转脱离速度例如为300rpm～1500rpm。由此，如图11B所示，首先，供给至基板W的上表面的处理液27从基板W的上表面的周缘排出，接着进行挥发性的溶剂的挥发。
接着，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的加热时速度旋转。加热时速度例如为100rpm～1500rpm。并且，如图11C所示，控制器3控制加热器升降机构106，来使加热器单元100从下位置上升，使加热器单元100配置于比下位置更接近基板W的接近位置。由此，加热器单元100对基板W的加热得到加强(加热工序，步骤S2b)。在加热器单元100位于接近位置时，相向面100a从基板W的下表面向下方仅隔开规定距离(例如4mm)。
例如可以同时开始进行：基板W的转速向加热时速度的变更；以及，加热器单元100向接近位置的移动。
并且，进一步进行挥发性的溶剂的挥发，并且使处理液27固化或者硬化。由此，形成由溶质成分构成的固体状的膜、即颗粒保持层29。
在进行规定时间的加热之后，执行从基板W的上表面剥离并除去颗粒保持层29的除去工序(步骤S3)。
详细而言，控制器3控制加热器升降机构106，来使加热器单元100从接近位置向下位置移动。并且，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的除去速度旋转。除去速度例如为500rpm～800rpm。并且，控制器3控制第二喷嘴移动机构15，来使剥离液供给喷嘴6向基板W的上方的中央位置移动。
在剥离液供给喷嘴6到达基板W的上方的中央位置之后，控制器3一边维持关闭阀20的状态，一边打开阀17、18。由此，如图11D所示，从剥离液供给喷嘴6朝向旋转状态的基板W的上表面供给作为第一剥离液的DIW31(DIW供给工序，步骤S3a)。供给至基板W的上表面的DIW31借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，并从基板W的上表面的周缘排出。
也可以同时开始进行：基板W的转速向除去速度的变更；剥离液供给喷嘴6向中央位置的移动；以及，加热器单元100向下位置的移动。
接着，控制器3一边将基板转速维持为除去速度来使旋转基座9旋转，一边关闭阀17来停止供给DIW，然后打开阀20。由此，如图11E所示，从剥离液供给喷嘴6朝向旋转状态的基板W的上表面供给作为第二剥离液的一例的SC1液32(SC1液供给工序，步骤S3b)。就供给至基板W的上表面的SC1液32而言，借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面来置换DIW31，并从基板W的上表面的周缘排出。
从基板W的上表面剥离的颗粒保持层29借助因基板W旋转而产生的离心力的作用，与剥离液一起从基板W的上表面的周缘排出。即，从基板W的上表面除去剥离的颗粒保持层29。
接着，控制器3关闭阀20来停止供给SC1液，然后控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的冲洗速度旋转。冲洗速度例如为100rpm～1000rpm。并且，控制器3打开阀17。由此，如图11F所示，从剥离液供给喷嘴6朝向旋转状态的基板W的上表面供给作为冲洗液的DIW31(冲洗工序，步骤S4)。
供给的DIW31借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，从基板W的上表面的周缘排出。由此，从基板W的上表面冲掉残留于基板W的上表面的SC1液32。另外，例如，即使在上一工序中从基板W的上表面剥离的颗粒保持层29的一部分未被除去而残留，也利用DIW31从基板W的上表面冲掉该残留的颗粒保持层29的一部分。
但是，例如也能够调整之前的DIW31的供给工序(步骤S3a)以及SC1液32的供给工序(步骤S3b)的条件，来在该两工序中从基板W的上表面充分地除去颗粒保持层29。在该情况下，也可以省略DIW31的供给工序(步骤S4)。
并且，执行用于除去在除去颗粒保持层29之后的基板W的上表面残留的残渣的残渣除去工序(步骤S5)。
即，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的残渣除去速度旋转。残渣除去速度例如为几十rpm～300rpm。
接着，控制器3控制加热器升降机构106，来使加热器单元100从下位置向接近位置移动。控制器3关闭阀17、18，来停止从剥离液供给喷嘴6供给DIW。并且，控制器3控制第二喷嘴移动机构15，来使剥离液供给喷嘴6向退避位置移动。
例如同时开始进行：基板W的转速向除去速度的变更；剥离液供给喷嘴6向退避位置的移动；以及，加热器单元100向接近位置的移动。
接着，控制器3控制第三喷嘴移动机构80，来使移动喷嘴70配置于基板W的上方的中央位置。在移动喷嘴70到达中央位置之后，控制器3打开阀73。由此，如图11G所示，从移动喷嘴70朝向旋转状态的基板W的上表面供给残渣除去液33。
就供给至基板W的上表面的残渣除去液33而言，借助离心力的作用遍及基板W的上表面的大致整个面，来置换DIW31。并且，就供给至基板W的上表面的残渣除去液33而言，在溶解残留于基板W的上表面的颗粒保持层29的残渣之后，从基板W的上表面的周缘排出。
另外，控制器3打开阀74B。由此，从移动喷嘴70的水平流喷出口92呈放射状喷出氮气等气体，利用水平气流95覆盖基板W的上表面。来自水平流喷出口92的氮气的喷出流量例如为100升/分左右。利用氮气的水平气流覆盖基板W的上表面，因此能够抑制或者防止从处理单元2P内的各构件弹回的液滴、环境气体中的雾等附着于基板W的上表面。
接着，控制器3关闭阀73，来停止从移动喷嘴70供给残渣除去液33。然后，控制器3控制第三喷嘴移动机构80，来使移动喷嘴70接近基板W的上表面。在该状态下，控制器3打开阀74A，从线状流喷出口91朝向基板W的中心垂直地，例如以15升/分吹送气体的线状气流96。并且，控制器3控制加热器升降机构106，来使加热器单元100从接近位置向下位置移动。并且，控制器3控制旋转马达11，来使旋转基座9以作为基板转速的规定的旋转干燥速度旋转(步骤S6)。旋转干燥速度例如为800rpm。
由于基板W旋转，离心力作用于残渣除去液33，如图11H所示，残渣除去液33从基板W的上表面的周缘排出，并且从基板W的上表面挥发来被除去。通过执行旋转干燥，结束一系列清洗工序。
在从基板W上排除残渣除去液33时，也可以如图11H的双点划线所示，控制器3打开阀74C，来从倾斜流喷出口93喷出气体。就从倾斜流喷出口93喷出的气体所形成的倾斜气流97而言，与基板W的上表面发生碰撞，来向与基板W的上表面平行的外侧改变朝向。
然后，控制器3关闭阀74A、74B，来停止从移动喷嘴70供给气体。
在执行残渣除去工序之后、且在执行旋转干燥工序之前，也可以如图12A以及图12B所示，在从基板W上排除残渣除去液33时，在残渣除去液33的液膜的中央区域形成孔160，通过使该孔160扩大，来从基板W上排除残渣除去液33。
详细而言，参照图12A，从线状流喷出口91朝向基板W的中心垂直地吹送线状气流96，从而在残渣除去液33的液膜的中央区域形成孔160(开孔工序)。参照图12B，线状气流96与基板W的上表面碰撞，来向与基板W的上表面平行的外侧改变朝向。因此，通过因线状气流96而产生的吹送力、因基板W旋转而产生的离心力中的至少一方，使孔160朝向基板W的外周扩大(扩孔工序)。通过使残渣除去液33的液膜移动，向基板W的外部排除残渣除去液33。在开孔工序以及扩孔工序中，加热器单元100可以位于下位置(在图12A以及图12B中用实线表示的位置)，也可以位于接近位置(在图12A以及图12B中用双点划线表示的位置)。
以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明也可以以其它方式实施。
例如，为了加热处理液，也可以利用来自灯或电热加热器等热源的热，来代替向基板W的背面供给热介质28。也可以在专用的腔室内实施基板W的加热。而且，颗粒保持层29的成膜、剥离以及除去残渣的各工序也可以分别在不同的腔室内实施。
例如也可以从呈线状排列的多个喷嘴孔向基板W的上表面的大致整个面几乎同时供给处理液、剥离液以及残渣除去液。
在基板清洗装置1进行的清洗方法的各工序中，也可以在实施方式中表示的工序的基础上追加其他工序。
作为溶质，除了上述的各种树脂之外，例如也可以采用除了树脂之外的有机化合物、有机化合物与其他的混合物。或者，也可以是除了有机化合物之外的化合物。
作为剥离液，还能够采用不是水系的其他剥离液。在该情况下，只要适当地组合相对于该剥离液具有难溶性或不溶性的用于形成颗粒保持层29的溶质、相对于剥离液具有相溶性且相对于溶质具有溶解性的溶媒、以及相对于剥离液具有相溶性且相对于溶质具有溶解性的残渣除去液等即可。
对于本发明的实施方式进行了详细说明，但是这些仅仅是用于明确本发明的技术内容的具体例，本发明并不限定于这样的具体例，本发明的范围仅由权利要求书限定。
本申请与2017年9月22日向日本专利厅提出的特愿2017－182550号、以及2017年12月4日向日本专利厅提出的特愿2017－232847号对应，将这些申请的全部公开内容通过引用编入于此。

Claims (13)

1.一种基板清洗方法，其中，
包括：
处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，以及，
除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；
所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分的性质为，在加热至变质温度以上的温度之前，相对于所述剥离液具有不溶性，且加热至所述变质温度以上的温度会发生变质，相对于所述剥离液具有可溶性，
所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述变质温度的温度，从而在不使所述溶质成分发生变质的情况下，在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
所述基板清洗方法还包括残渣除去工序，在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于加热至所述变质温度以上的温度之前的所述溶质成分具有溶解性，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
2.根据权利要求1所述的基板清洗方法，其中，
在所述加热工序中，向所述基板的下表面、即背面供给沸点小于所述变质温度的热介质，从而将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述变质温度的温度。
3.根据权利要求1或2所述的基板清洗方法，其中，
在所述加热工序中已被加热的所述基板上的所述处理液的温度小于所述溶媒的沸点。
4.根据权利要求3所述的基板清洗方法，其中，
所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
5.一种基板清洗方法，其中，
包括：
处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，以及，
除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；并且，
所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，向所述基板的下表面、即背面供给热介质，来将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述热介质的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
所述基板清洗方法还包括残渣除去工序，在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
6.根据权利要求5所述的基板清洗方法，其中，
在所述加热工序中已被加热的所述基板上的所述处理液的温度小于所述溶媒的沸点。
7.根据权利要求6所述的基板清洗方法，其中，
所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
8.一种基板清洗方法，其中，
包括：
处理液供给工序，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，以及，
除去工序，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层；并且，
所述成膜工序包括加热工序，在所述加热工序中，将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述溶媒的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
所述基板清洗方法还包括残渣除去工序，在所述残渣除去工序中，向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
9.根据权利要求8所述的基板清洗方法，其中，
所述剥离液相对于所述溶媒具有相溶性。
10.一种基板清洗装置，其中，
包括：
处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
加热单元，加热所述基板来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，
剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，
残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，以及，
控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元；
所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分的性质为，在加热至变质温度以上的温度之前，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，且加热至所述变质温度以上的温度会发生变质，相对于所述剥离液具有可溶性，
所述残渣除去液相对于加热至所述变质温度以上的温度之前的所述溶质成分具有溶解性，
所述控制器被编程为，执行：
处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述变质温度的温度，从而在不使所述溶质成分发生变质的情况下，在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层，以及，
残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
11.根据权利要求10所述的基板清洗装置，其中，
所述加热单元包括热介质供给单元，所述热介质供给单元向所述基板的下表面供给沸点小于所述变质温度的热介质。
12.一种基板清洗装置，其中，
包括：
处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
加热单元，包括用于向所述基板的下表面供给热介质的热介质供给单元，利用所述热介质供给单元所供给的热介质加热所述基板，来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，
剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，
残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，以及，
控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元；
所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性，
所述控制器被编程为，执行：
处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述热介质的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层，以及，
残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
13.一种基板清洗装置，其中，
包括：
处理液供给单元，向基板的上表面供给处理液，所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒，
加热单元，加热所述基板来使所述溶媒的至少一部分挥发，从而使所述处理液固化或硬化，来在所述基板的上表面形成颗粒保持层，
剥离液供给单元，向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液，
残渣除去液供给单元，向所述基板的上表面供给残渣除去液，所述残渣除去液除去在剥离并除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，以及，
控制器，控制所述处理液供给单元、所述加热单元、所述剥离液供给单元以及所述残渣除去液供给单元；
所述残渣除去液相对于所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分具有溶解性，
所述控制器被编程为，执行：
处理液供给工序，向所述基板的上表面供给所述处理液，
成膜工序，从供给至所述基板的上表面的所述处理液，使所述溶媒的至少一部分挥发，并且将所述处理液加热至小于所述溶媒的沸点的温度，从而在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层，
除去工序，向所述基板的上表面供给所述剥离液，来从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层，以及，
残渣除去工序，向所述基板的上表面供给所述残渣除去液，来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣，
所述颗粒保持层是由所述溶质成分构成的固体状的膜，相对于所述剥离液具有难溶性或不溶性，
所述除去工序包括排出工序，在所述排出工序中，利用所述剥离液，在使所述颗粒保持层保持颗粒的状态下使所述颗粒保持层从所述基板的上表面剥离，且将保持着颗粒的所述颗粒保持层与所述剥离液一起从所述基板的上表面向所述基板外排出。
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